Обозначение транзисторов: Эта страница ещё не существует

Содержание

Что такое транзистор — простым языком

Транзистор – это электронный компонент, который управляет высоким током с помощью низкого. Транзистор еще можно назвать полупроводниковым триодом. Это второе название пришло к нему от его «родителя» – электровакуумного триода, одной из разновидностей так называемых «ламп».

Из чего состоит транзистор?

Видимая часть транзистора состоит из корпуса и трех «ножек»-выводов (однако существуют и разновидности транзисторов, у которых количество выводов больше трех). Корпус транзистора изготовляют из керамики, металлических сплавов или пластмассы. Заглядывая наперед, отметим, что существует два вида транзисторов – биполярный и полевой.

Внутри корпуса биполярного транзистора размещается три слоя полупроводника, два из которых расположены по краям и имеют одинаковый тип проводимости (p либо n), это – коллектор и эмиттер. Третий слой расположен между первыми двумя и отличается типом проводимости от своих соседей. Это – база.

Расположение полупроводников определяет тип транзистора: p-n-p либо n-p-n. На каждый из полупроводников нанесен металлический слой. С помощью этого слоя и проволочных связей полупроводники соединены с выводами транзистора. Однако не стоит забывать, что расположение выводов транзистора может меняться, в зависимости от модели транзистора.

На изображении – биполярный транзистор n-p-n типа.

Полевой транзистор также имеет в своем арсенале полупроводники, но их расположение, количество и принцип работы отличается от биполярных транзисторов и зависит от вида полевого транзистора.

Где используются транзисторы?

Транзисторы используются в большинстве электронных схем. Это может быть как простой генератор частоты, так и материнская плата компьютера.

Заглянем под крышку усилителя – и тут транзисторы. Они аккуратно разместились на схеме радиоприемника, чтобы преобразовать радиосигнал в аналоговый. Если нужно собрать электронный стабилизатор или ключ – не обойдетесь без транзисторов.

Существует ряд сверхмощных транзисторов. Они могут работать с нагрузкой до 1.5 кВт и применяют их в промышленной сфере. Рабочая температура таких транзисторов может достигать 200-300 градусов Цельсия. Для их охлаждения используют радиаторы теплоотвода.

Группа транзисторов, в совокупности с дополнительными элементами, может совершать ряд логических операций и представляет собой своего рода процессор. Собственно, процессор на основе полупроводника и является группой транзисторов. Они заключены в общий корпус и связаны там между собой таким образом, как если бы располагались на монтажной плате. В мощных процессорах, благодаря миниатюрности кристаллов полупроводника, может быть заключено до нескольких десятков миллионов транзисторов.

Принцип работы транзистора

В биполярных транзисторах управление током коллектора происходит путем изменения управляющего тока базы. Ток, которым нужно управлять, направлен по цепи – «эмиттер-коллектор». Однако, в состоянии покоя транзистора этот ток не может проходить между ними. Это вызвано сопротивлением эмиттерного перехода, которое возникает в результате взаимодействия слоёв полупроводника. Но стоит подать на базу транзистора незначительный ток, и сопротивление между эмиттером и коллектором упадет, тем самым даст возможность проходить току через эмиттер и коллектор, усиливая выходной сигнал. Изменяя ток базы, можно изменять ток на выходе транзистора.

В полевых транзисторах такое управление осуществляется благодаря созданию поперечного электрического поля, которое создается напряжением, приложенным к затвору относительно истока. Это значительно уменьшает энергопотребление транзистора, так как сопротивление затвора велико, и для создания поля не нужно постоянно поддерживать управляющий ток. Если бы не полевой транзистор, мы меняли бы батарейки в пульте от телевизора в разы чаще, чем обычно.

Таким образом, транзисторы можно сравнить с водопроводным краном, где подача и слив воды – это эмиттер\исток и коллектор\сток транзистора, а рукоять вентиля – это его база\затвор.

Разновидности, обозначение транзисторов

На большинстве схем транзисторы могут обозначаться буквами «VT», «Q», «T», «ПТ», «ПП». К буквам может применяться приписка в виде цифры, например «VT 4», которая указывает номер детали на схеме. Или модель транзистора целиком, например «T KT-315Б».
Транзисторы делятся на два вида: биполярный и полевой.

Схематическое обозначение биполярного транзистора:

Как видно на рисунке, обозначение транзисторов разных типов отличается направлением стрелки эмиттера. Транзисторы n-p-n типа обозначаются со стрелкой эмиттера, направленной от базы. В случае p-n-p типа, стрелка будет направлена в сторону базы транзистора. На многих схемах эмиттер, коллектор и база отмечены буквами латинского языка: эмиттер – «E», база – «B» коллектор – «C».

Типовая схема подключения биполярных транзисторов:

Рекомендовано практически во всех схемах с биполярным транзистором давать дополнительное сопротивление ко входам коллектора и базы. Это продлит срок службы транзистора и стабилизирует его работу.

Обозначений полевых транзисторов есть больше, чем биполярных. Основные представлены на изображениях ниже.

Как вы видите, выводы транзистора обозначены буквами «З»-затвор, «С»-сток, «И»-исток. Функцию базы выполняет затвор, а коллектор и эмиттер, это – сток и исток, соответственно. Как биполярные транзисторы делятся на n-p-n и p-n-p, так полевые делятся на:

  • с управляющим p-n переходом с каналом n-типа;
  • с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа;
  • с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа;
  • с управляющим p-n переходом с каналом p-типа;
  • с изолированным затвором с индуцированным каналом p-типа;
  • с изолированным затвором со встроенным каналом p-типа.

Некоторые транзисторы с управляющим p-n-переходом предоставляют доступ к каналу с помощью четвертой «ножки»-вывода либо используется сам корпус транзистора.

На изображениях ниже – схемы включения полевых транзисторов:

С управляющим p-n-переходом с общим истоком

С управляющим p-n-переходом с общим стоком

С управляющим p-n-переходом с общим затвором

Маркировка транзисторов

Маркировка транзистора наносится на корпус, иногда нужно также обращать внимание на длину выводов. Современная маркировка транзисторов зависит от производителя. По причине этого, рекомендовано изучать спецификации от производителей, чтобы корректно читать маркировку.

Маркировка бывает цветовая, кодовая и смешанная. Есть случаи нестандартной маркировки, где могут использоваться различного рода символы.

Вольт амперная характеристика

На двух графиках представлены вольт амперные характеристики отдельно для биполярных и полевых транзисторов.

Биполярные транзисторы:

Полевые транзисторы:

Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов — DataSheet

Буквенное обозначение Параметр
Отечественное Международное
 IЗ IG  Ток затвора (постоянный).
Iз отс IGSX  Ток отсечки затвора.
IЗ пр  IGF  Прямой ток затвора.
IЗ ут IGSS  Ток утечки затвора.
IЗИО IGSO  Обратный ток перехода затвор-исток.
IЗСО IGDO  Обратный ток перехода затвор-сток.
IИ IS  Ток истока (постоянный).
 IИ нач ISDS  Начальный ток истока.
 IИ ост  ISDX  Остаточный ток истока.
IС ID  Ток стока (постоянный).
 IС нагр IDSR  Ток стока при нагруженном затворе.
  IС нач IDSS  Начальный ток стока.
 IС ост IDSX  Остаточный ток стока.
 IП IB, IU  Ток подложки.
UЗИ  UGS  Напряжение затвор-исток (постоянное).
 UЗИ обр  UGSR  Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
 UЗИ отс  UGS(OFF),  UGS(off)  Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором
и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).
UЗИ пор
 UGST, UGS(th), UGS(TO)  Пороговое напряжение транзистора — напряжение между затвором и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором).
 UЗИ пр UGSF  Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗ проб U(BR) GSS  Пробивное напряжение затвора — напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
UЗП UGB, UGU  Напряжение затвор-подложка (постоянное).
UЗС UGD  Напряжение затвор-сток (постоянное).
UИП USB, USU  Напряжение исток-подложка (постоянное).
 UСИ UDS  Напряжение сток-исток (постоянное).
  UСП UDB, UDU  Напряжение сток-подложка (постоянное).
  U31— U32 UG1— UG2  Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами).
PСИ PDS  Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
PСИ, т max  Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом
(постоянная).
S gms  Крутизна характеристики.
RЗИ rGS, rgs  Сопротивление затвор-исток.
RЗС rGD, rgd  Сопротивление затвор-сток.
RЗСО rGSS, rgss  Сопротивление затвора (при UDS = 0 или Uds = 0).
RСИ отк rDS(ON), rds(on), rDS on  Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток.
RСИ закр rDS(OFF), rds(off), rDS off  Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток.
Сзио Cgso  Емкость затвор-исток — емкость между затвором и истоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Сзсо Cgdo  Емкость затвор-сток — емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Ссио Cdso  Емкость сток-исток — емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
C11и, Свх, и Ciss, C11ss Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком.
С12и Crss, C12ss  Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком
замыкании на входе по переменному току.
С22и Coss, C22ss  Выходная емкость транзистора — емкость между стоком
и истоком.
С22с  Cods, C22ds  Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменному току).
g11и giss, g11s  Активная составляющая входной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
g22и goss, g22s  Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y11и Yis, Y11s  Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
Y12и Yrs, Y12s  Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y21и Yfs, Y21s  Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе;
Yfs = gfs + gbfs = Id / Ugs ; на низких частотах |Yfs| = gfs).
Y22и Yos, Y22s  Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замыкании на входе).
Kу. P GP  Коэффициент усиления по мощности.
fY21и fYfs  Частота отсечки в схеме с общим истоком.
Uш Un  Шумовое напряжение транзистора.
Eш en  Электродвижущая сила шума
 Kш F  Коэффициент шума транзистора.
αID  Температурный коэффициент тока стока.
αrds  Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
tвкл ton  Время включения транзистора.
tвыкл toff  Время выключения транзистора.
tзд, вкл td(on)  Время задержки включения.
tзд, выкл td(off)  Время задержки выключения.
tнр tr  Время нарастания.
tсп tf  Время спада.
Для сдвоенных полевых транзисторов:
IЗ(ут)1-IЗ(ут)2 IGSS1-IGSS2  Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изолированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых транзисторов с р-n-переходом).
IC нач1/IC нач1 IDSS1/IDSS2  Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток.
UЗИ1-UЗИ2 UGS1-UGS2  Разность напряжений затвор-исток.
|Δ(UЗИ1-UЗИ2 )|/ΔT |Δ(UGS1-UGS2 )|/ΔT  Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя значениями температуры.
g22и1-g22и2 gos1-gos2  Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.
 g21и1/g21и2 gos1/gos2  Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.

Условное обозначение — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Условное обозначение — транзистор

Cтраница 1


Условные обозначения транзисторов в их маркировке установлены в следующем виде: первый знак-буква: Г — германиевый; К — кремниевый; второй знак буква Т — транзистор: остальные четыре знака — трехзначное число и буква — шифр, указывающий назначение и модификацию ( разновидность) данного прибора.  [2]

Условное обозначение транзисторов по ГОСТ 5461 — 59 состоит из трех элементов.  [3]

Условное обозначение транзистора показано на рис. 6 — 7 а. На рис. 6 — 7 6 показаны вольт-амперные характеристики участка коллектор-база транзистора типа П-102. Каждая характеристика соответствует определенному значению тока, протекающего по участку эмиттер — база. Из рассмотрения этих характеристик мы еще раз убеждаемся, что величина тока / к, протекающего по участку коллектор-база, практически не зависит от величины напряжения UK, падающего на этом участке, целиком определяется величиной тока эмиттера. Когда ток эмиттера / э равен нулю, по коллекторной цепи протекает небольшой остаточный ток / ко.  [4]

Условное обозначение транзистора показано на рис. 8.44, а, где к — коллектор, э — эмиттер, б — база.  [5]

Условные обозначения транзисторов обоих типов в электрических схемах приведены на рис. 4 — 1, а. Буквы у выводов транзисторов означают: Э — эмиттер, Б — база, К — коллектор. Кружок у транзистора ( на рисунке показан только у транзистора р-п — р) означает, что кристалл помещен в корпус. По ГОСТ допустимы оба обозначения для транзисторов, имеющих корпус.  [6]

Условное обозначение транзистора IGBT, приведенное на рис. 6.2, указывает, что в его составе есть полевая и биполярная части.  [7]

В условных обозначениях транзисторов стрелкой указывается направление тока эмиттера.  [9]

На условном обозначении транзистора стрелка показывает условное направление тока в эмиттере от плюса к минусу.  [10]

Принятые в нашей стране условные обозначения транзисторов содержат сведения об их назначении, физических и конструктивно-технологических свойствах, основных электрических параметрах, применяемом исходном материале.  [11]

На рис. 7.16 иг даны условные обозначения транзисторов. Принцип работы транзисторов обоих типов аналогичен.  [12]

На рис. 4.1 5 показаны условные обозначения транзисторов. Эмиттер изображается в виде стрелки, которая указывает направление тока эмиттерного перехода.  [14]

На рис. 4.1, б показаны условные обозначения транзисторов. Эмиттер изображается в виде стрелки, которая указывает прямое направление тока эмиттерного перехода.  [15]

Страницы:      1    2    3

Маркировка, обозначение радиоэлементов, резисторов, транзисторов

О книге: Справочник. Маркировка и обозначение радиоэлементов, резисторов, конденсаторов, диодов, стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, интегральные микросхемы.
Автор: В.В. Мукосеев, И.Н. Сидоров
Издание: 2015 года.
Формат книги: файл pdf в архиве zip
Страниц: 348
Язык: Русский
Размер: 65.3 мб
Скачать книгу: бесплатно, без ограничений, на нормальной скорости, без SMS, логина и пароля. Файл взят из открытых источников.

Маркировка и обозначение радиоэлементов, резисторов, конденсаторов, диодов, стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, интегральные микросхемы.

Современная радиоэлектронная аппаратура, аппаратура средств связи, приборы и устройства промышленного производства и самодельные электронные изделия, и входящие в них функциональные блоки и узлы изготавливаются на базе радиоэлементов, номенклатура которых насчитывает сотни наименований, типов и типоразмеров. Наряду с применяемой передовой технологией изготовления, радиоэлементы определяют, и обеспечивают качество и надежность этих изделий, а также основные технические характеристики, устойчивую и безаварийную работу в различных климатических условиях.

Технико-экономические и эксплуатационные характеристики радиоэлементов, их обозначения и маркировка, а также другие сведения, приведенные в справочнике, подготовлены на основе действующих государственных и международных стандартов, межведомственных документов и технических условий.

В справочнике приведены классификация основных типов радиоэлементов, системы их маркировки и условных обозначений, отраженные в них параметры и изложены вопросы применения и во взаимозаменяемости. Информационные материалы содержат также сведения о назначении, габаритных размерах, предельных эксплуатационных данных и некоторых зависимостей от эксплуатационных и температурных условий, которые находят отражение в обозначениях радиоэлементов.

Оглавление справочника «Маркировка и обозначение радиоэлементов».
Общие нормы и требования к обозначениям и маркировке радиоэлементов.

— Список сокращений.
— Условные обозначения.
— Термины и определения.
— Условные обозначения электрических величин радиоэлементов.
— Общие сведения, используемые при маркировке радиоэлементов.
— Общие правила маркировки радиоэлементов.

Обозначения и маркировка резисторов.

— Общие сведения. Система условных обозначений резисторов.
— Условные обозначения постоянных резисторов широкого применения.
— Условные обозначения переменных резисторов широкого применения.
— Основные параметры резисторов, наносимые на корпус резистора при помощи маркировки.
— Примеры полной буквенно-цифровой маркировки резисторов.
— Цветная маркировка резисторов.

Маркировка и обозначения конденсаторов.

— Общие сведения.
— Система условных обозначений конденсаторов.
— Маркировка конденсаторов.
— Коды для маркировки конденсаторов и их условные обозначения.
— Примеры условных обозначений и маркировок конденсаторов отечественного производства.
— Маркировка конденсаторов зарубежного производства.
— Маркировка электролитических конденсаторов.
— Коды маркировки конденсаторов и их условные обозначения.

Маркировка и обозначения полупроводниковых диодов и стабилитронов.

— Общие сведения.
— Обозначения параметров полупроводниковых диодов.
— Обозначение параметров полупроводниковых стабилитронов и стабисторов.
— Система условных обозначений отечественных полупроводниковых диодов, стабилитронов и тиристоров.
— Маркировка отечественных выпрямительных диодов.
— Маркировка полупроводниковых стабилитронов.
— Маркировки светоизлучающих диодов.
— Обозначения и маркировка тиристоров.
— Системы обозначений зарубежных полупроводниковых приборов.
— Обозначения основных типов корпусов зарубежного производства.
— Обозначения основных серий зарубежных стабилитронов.
— Маркировка зарубежных светодиодов.
— Маркировка основных типов зарубежных тиристоров.

Обозначения и маркировка биполярных и полевых транзисторов.

— Общие сведения. Система условных обозначений транзисторов.
— Типы транзисторов. Основные параметры, определяемые в технических справочниках по условному обозначению или маркировке транзистора.
— Маркировка отечественных транзисторов.
— Обозначения и маркировка зарубежных транзисторов.

Интегральные микросхемы.

— Общие сведения.
— Система условных обозначений интегральных микросхем.
— Корпуса отечественных и зарубежных интегральных схем.
— Цифровые интегральные микросхемы.
— Элементная база цифровых микросхем.
— Триггеры, счетчики, регистры, мультиплексоры, шифраторы, дешифраторы.
— Основные, наиболее распространенные отечественные цифровые микросхемы.
— Маркировка отечественных микросхем.
— Обозначения аналоговых и аналого-цифровых интегральных микросхем. Отечественные и зарубежные операционные усилители, таймеры и компараторы.

Предупреждение!

Электронная версия данной книги создана исключительно для ознакомления только на локальном компьютере. Скачав файл, вы берете на себя полную ответственность за его дальнейшее использование и распространение. Начиная загрузку книги, вы подтверждаете свое согласие с данными утверждениями.

Реализация данной электронной книги с целью получения прибыли незаконна и запрещена. По вопросам приобретения данной книги обращайтесь непосредственно к законным издателям или их представителям.

Маркировка и обозначение радиоэлементов, резисторов, конденсаторов, диодов, стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, интегральные микросхемы — СКАЧАТЬ КНИГУ >>>

Похожие статьи:

  • Руководство по эксплуатации на Газель Бизнес ГАЗ-3302, ГАЗ-2705, ГАЗ-3221 с двигателями УМЗ-4216, УМЗ-42164, УМЗ-42165, Evotech А274, Evotech А275, 3302-3902010-20 РЭ.
  • Руководство по эксплуатации на Газель Бизнес ГБО LPG ГАЗ-33025, ГАЗ-330252, ГАЗ-330253, ГАЗ-27055, ГАЗ-322105, ГАЗ-322153, ГАЗ-322125, ГАЗ-322135, 33025-3902010 РЭ.
  • Руководство по оформлению ДТП на дороге, как правильно оформить ДТП, заполнение Извещения о ДТП, Европротокол, обращение в страховую компанию.
  • Руководство по эксплуатации на УАЗ Хантер УАЗ-315195 и его модификации, РЭ 05808600.133-2012.
  • Подшипники и сальники применяемые в ВАЗ-1111, ВАЗ 2101-2107, ВАЗ 2108, ВАЗ-2109, ВАЗ-2115, ВАЗ-2110, ВАЗ-2121 Нива, ВАЗ-21213 Лада Нива, ВАЗ-2123 Шевроле Нива, применяемость подшипников ВАЗ в других автомобилях.
  • Руководство по эксплуатации на ГАЗ-330811 Вепрь многофункционального назначения, 330811-3902010 РЭ.

Обозначение параметров биполярных транзисторов

ОБОЗНАЧЕНИЕ  ПАРАМЕТРОВ  БИПОЛЯРНЫХ  ТРАНЗИСТОРОВ  (ГОСТ  20003-74)

* Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву

Буквенное обозначениеТерминОпределение
отечественноемеждународное
IКБОICBOобратный ток коллектораток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IЭБОIEBOобратный ток эмиттераток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора
IКЭОICEOобратный ток коллектора при замкнутом выводе базыток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы
IКЭКICESобратный ток коллектора при короткозамкнутых выводах эмиттера и базыток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы
UКЭО грU(L) CEOграничное напряжение биполярного транзисторанапряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю и заданном токе эмиттера
UКЭ насUCE satнапряжение насыщения коллектор-эмиттернапряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
UБЭ насUBE satнапряжение насыщения база-эмиттернапряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщени япри заданных токах базы и коллектора
h11эвходное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттеромотношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим эмиттером
h11бвходное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базойотношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора в схеме с общей базой
h21экоэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме с общим эмиттеромотношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим эмиттером
h22эвыходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе с общим эмиттеромотношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером
h22бвыходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала при холостом ходе с общей базойотношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общей базой
h21Эh21Eстатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромотношения постоянного тока к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером
fh31предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзисторачастота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
fгрfTграничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттеромчастота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице *
fmaxfmaxмаксимальная частота генерации биполярного транзисторанаибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора
KшFкоэффициент шума биполярного транзистораотношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
tрасtsвремя рассасывания для биполярного транзистораинтервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
tвклtonвремя включения транзистораинтервал времени, являющийся суммой времени нарастания
Ceемкость эмиттерного переходаемкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и режиме коллекторной цепи
Ccемкость коллекторного переходаемкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и режиме эмиттерной цепи
tкtcпостоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзисторапроизведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода
термины, относящиеся к режимам эксплуатации (измерений)
IКIGпостоянный ток коллекторапостоянный ток, протекающий через коллекторный переход
IЭIEпостоянный ток эмиттерапостоянный ток, протекающий через эмиттерный переход
IБIBпостоянный ток базыпостоянный ток, протекающий через базовый вывод
PвыхPoutвыходная мощность биполярного транзисторамощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте
термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам
IК maxIC maxмаксимальный постоянный ток коллектора
IБ maxIB maxмаксимальный постоянный ток базы
IК, и maxICM maxмаксимальный импульсный ток коллектора
IК нас maxIC sat maxмаксимальный постоянный ток коллектора в режиме насыщения
UЭБ maxUEB maxмаксимальное постоянное напряжение эмиттер-база
UКБ maxUCB maxмаксимальное постоянное напряжение коллектор-база
UКЭ maxUCE maxмаксимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер
UКЭR maxUCER maxмаксимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттермаксимально допустимое постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер
UКЭ, и maxUCEM maxмаксимальное импульсное напряжение коллектор-эмиттер
UКБ, и maxUCBM maxмаксимальное импульсное напряжение коллектор-база
PК maxPC maxмаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Pи maxPRM maxмаксимальная импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
PmaxPtot maxмаксимальная импульсная рассеиваемая мощность транзистора

Введение в электронику. Транзисторы

Серия статей известного автора множества радиолюбительских публикаций  Дригалкина В.В.  для начинающих радиолюбителей

Доброго дня уважаемые радиолюбители!
Приветствую вас на сайте “Радиолюбитель“

Транзисторы

Транзистор входит в целую группу деталей, которую называют полупроводниковые приборы. Кроме транзистора, в нее входят диоды, стабилитроны и другие детали. В каждой из них использован полупроводниковый материал (полупроводник). Что это такое? Все существующие вещества можно условно поделить на три большие группы. Одни из них – медь, железо, алюминий и прочие металлы – хорошо проводят электрический ток. Это проводники. Древесина, фарфор, пластмасса совсем не проводят тока. Они – непроводники, изоляторы (диэлектрики).
Полупроводники же занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Такие материалы проводят ток только при определенных условиях.

Из полупроводниковых приборов транзистор чаще всего применяется в радиоэлектронике, особенно биполярный. Первые такие транзисторы были изготовлены на основе германия. В настоящее время их изготавливают в основном из кремния и арсенида галлия. У биполярного транзистора три вывода: база (б), эмитер (е) и коллектор (к). Назначение выводов называют цоколевкой или в народе – расПИНовкой (от английского PIN – вывод). Цоколевку транзисторов можно найти в специальной справочной литературе.

Транзистор – усилительный прибор. Условно его можно сравнить с таким известным Вам устройством, как рупор. Довольно произнести что-нибудь перед узким отверстием рупора, направив широкое отверстие в сторону приятеля, который стоит за несколько десятков метров, и голос, усиленный рупором, будет ему хорошо слышан. Если воспринять узкое отверстие как вход рупора-усилителя, а широкий – как выход, то можно сказать, что исходный сигнал в несколько раз более сильный от входных. Это и есть показатель усилительной способности рупора, его коэффициент усиления. Некоторые разновидности транзисторов и их обозначение на принципиальной схеме представлены на Рис. 1.

Если пропустить через участок база-эмитер слабый ток, он будет усилен транзистором в десятки и даже в сотни раз. Усиленный ток потечет через участок коллектор-эмитер2. В зависимости от наибольшего тока, что можно пропускать через коллектор, транзисторы разделяют на маломощные, средней и большой мощности. Кроме того, эти полупроводниковые приборы могут быть структуры р-п-р или n-p-n (на английском). Так различаются транзисторы с разным расположением пластов полупроводниковых материалов3 (если в диоде два пласта материалов, то здесь их три) . Тем не менее, не думайте, что транзисторы разной структуры имеют и разное усиление. Это совсем не обязательно. Усилительная способность транзистора определяется его так называемым статическим коэффициентом передачи тока. Для некоторых конструкций этот коэффициент важный, и его указывают в описании.
Статический коэффициент передачи тока транзистора указывает во сколько раз больший ток по участку коллектор-эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база-эмиттер. Для некоторых схем этот параметр очень важен. В отечественной схемотехнике он обозначается как h31э, в зарубежной как hFE.
Приведу пример: допустим, hFE = 500, и через переход база-эмиттер проходит ток 0.1mA, тогда транзистор пропустит максимум через себя 50mA. Если в электрической цепи за транзистором стоит деталь, потребляющая 30mA, то у транзистора будет запас, и он передаст именно 30mA, но если стоит деталь, потребляющая больше 50mA (например, 80mA), то ей будет доступно всего 50mA.
В электронных конструкциях может встретится еще одна разновидность транзистора – полевой. У него чаще всего три вывода, но называют их по-другому: затвор (как база), исток (эмитер), сток (коллектор). Некоторые полевые транзисторы в металлическом корпусе имеют четыре вывода – затвор, исток, сток и корпус. Последний вывод, как Вы уже догадались, соединен с корпусом транзистора. Подбирать эти транзисторы по усилительной способности не нужно, а вот проверять исправность особенно не нового транзистора рекомендуется, т.к. “полевики” выходят из строя при самых непредвиденных обстоятельствах. В частности полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для снятие статики достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов. При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой. Полевые транзисторы, благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, находят широкое применение в блоках питания компьютеров, мониторов, телевизоров и другой радиоэлектронной аппаратуры.



Транзисторы бывают и однопереходные. У этой детали две базы и один эмиттер. В отличии от биполярных и полевых транзисторов однопереходные представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда однопереходном транзистор находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.

По диапазону рабочих частот транзисторы делятся на низкочастотные, среднечастотные и высокочастотные.

По мощности различают транзисторы малой, средней и большой мощности. Чем мощнее транзистор – тем больше его внешний вид. Такие транзисторы имеют отверстия для крепления на радиатор – кусочек алюминия, который рассеивает тепло полупроводника, выделяемое во время его работы.

Среди транзисторов присутствуют фотоэлементы. Фототранзистор отличается от классического варианта тем, что область базы доступна для светового облучения, за счёт чего появляется возможность управлять усилением электрического тока с помощью оптического излучения. Применяют два варианта включения фототранзисторов: диодное — с использованием только двух выводов (эмиттера и коллектора) и транзисторное — с использованием трех выводов, когда на вход подают не только световой, но и электрический сигналы.


Перейти к следующей статье: Тиристоры



Обозначения зарубежных транзисторов

Три наиболее распространенных стандартных способа обозначения
1. Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC)
digit, letter, serial number, [suffix]
  • digit — цифра на единицу меньше, чем количество ножек транзистора, т.е, обычно 2. 4 и 5 соответствуют оптопарам
  • letter — всегда N
  • serial number — серийный номер от 100 до 9999, который ничего определенного не говорит о транзисторе, кроме его приблизительного времени выпуска
  • suffix — (необязательный параметр) группа коэффициента усиления: А- низкий к.у., B- средний к.у., C- высокий к.у.
Примеры: 2N3819, 2N2221A, 2N904.

2. Japanese Industrial Standard (JIS)- Японский стандарт
digit, two letters, serial number, [suffix]

  1. digit — цифра на единицу меньше, чем количество ножек транзистора, т.е, обчыно 2. 4 и 5 соответствуют оптопарам
  2. two letters — 2 буквы указывают на функциональную принадлежность прибора
    • SA — PNP HF transistor
    • SB — PNP AF transistor
    • SC — NPN HF transistor
    • SD — NPN AF transistor
    • SE — Diodes
    • SF — Thyristors
    • SG — Gunn devices
    • SH — UJT
    • SJ — P-channel FET/MOSFET
    • SK — N-channel FET/MOSFET
    • SM — Triac
    • SQ — LED
    • SR — Rectifier
    • SS — Signal diodes
    • ST — Avalanche diodes
    • SV — Varicaps
    • SZ — Zener diodes
  3. serial number — серийный номер от 10 до 9999
  4. suffix — (необязательный параметр) указывает на то, что прибор одобрен для использования различными организациями Японии
Примечание: Так как маркировочный код для транзистора всегда начинается с «2S», очень часто эти два символа опускаются. Например, транзистор 2SC733 может маркироваться C 733.
Примеры: 2SA1187, 2SB646, 2SC733.

3. Pro-electron
1 letter, 2 letter, [3 letter], serial number, [suffix]

  1. 1 letter — Первая буква указывает на материал, из которого изготовлен прибор: А- Ge, B- Si, C- GaAs, R- составной материал. Большинство начинается с B.
  2. 2 letter — Вторая буква указывает на функциональную принадлежность:
    • A — Diode RF
    • B — Variac
    • C — Transistor, AF, small signal
    • D — Transistor, AF, power
    • E — Tunnel diode
    • F — Transistor, HF, small signal
    • K — Hall effect device
    • L — Transistor, HF, power
    • N — Optocoupler
    • P — Radiation sensitive device
    • Q — Radiation producing device
    • R — Thyristor, Low power
    • T — Thyristor, Power
    • U — Transistor, power, switching
    • Y — Rectifier
    • Z — Zener, or voltage regulator diode
  3. 3 letter — (необязательный параметр) Третья буква указывает на то, что прибор предназначен больше для промышленного чем для коммерческого использования. Обычно эта буква- W,X,Y или Z.
  4. serial number — серийный номер от 100 до 9999
  5. suffix — (необязательный параметр) группа коэффициента усиления: А- низкий к.у., B- средний к.у., C- высокий к.у.
Примеры: BC108A, BAW68, BF239, BFY51.

Прочие
Кроме систем маркировки JEDEC, JIS и Pro-electron фирмы-производители часто вводят собственные типы. Это происходит по коммерческим причинам (для увековечения инициалов названия своей фирмы), либо при маркировке специальных типов приборов.
Наиболее распространенные префиксы:

  • MJ — Motorolla power, metal case
  • MJE — Motorolla power, plastic case
  • MPS — Motorolla low power, plastic case
  • RCA — RCA
  • RCS — RCS
  • TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
  • TIPL — TI planar power transistor
  • TIS — TI small signal transistor (plastic case)
  • ZT — Ferranti
  • ZTX — Ferranti
Примеры: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.
Взято с сайта
http://www.rlocman.ru

Снимок | Транзисторная вики | Фэндом

Снимок

Характеристики

+ линза вспышки
+ усилитель Reflex
+ скремблер данных (некоторые версии)

Уязвимости

— Открытая ячейка (задняя)

Настройки

Освещение с расширенным динамическим диапазоном.

«Что они делают с этими снимками …?» — Неизвестно

Снимок — это тип Процесса, напоминающий массив камер с несколькими объективами.

Обозначение: Снимок []

Информация []

  • Снимки могут уклоняться от большинства атак, но впоследствии становятся уязвимыми
  • Snapshot 2.0 увеличивает емкость клипа
  • Моментальные снимки
  • пытаются сохранять определенное расстояние от пользователя
  • Снимки атакуют прогнозируемую пользователем позицию, а не текущую позицию
  • Snapshot 3.0 использует генератор неопределенности для скрытия во время поворота ()

Внешний вид []

Снимки представляют собой белые кружки, которые парят в воздухе.Они содержат красную сердцевину, предположительно содержащую Ячейку и линзу, используемую для фотографирования.

Способности []

Этот конкретный процесс часто делает «снимки» красного цвета, которые ненадолго отображаются прямо на экране. Более поздние версии также включают возможность «карабкаться» по области планирования во время хода (). Количество «шума», создаваемого Snapshot во время Turn (), похоже, зависит от того, насколько близко или далеко от него находится красный. Чем дальше от него находится красный, тем больше он скрывается, что затрудняет определение его точного местоположения с больших расстояний.И наоборот, чем ближе к нему кажется красный, тем больше он закрывает остальную часть поля планирования, затрудняя атаку других целей в этой области. Его основная атака — это одновременный выпуск нескольких последовательных выстрелов в Красного, который наносит средний урон, чем дольше вы остаетесь на пути снарядов.

Версии []

  • Версия 2.0: изображения большего размера
  • Версия 3.0: Генератор неопределенности

Общая информация []

  • Несколько снимков собраны вокруг плакатов Рэда.Если их не беспокоить, они начинают фотографировать плакаты, и Неизвестный задается вопросом, нравится ли она им.
  • Их внутреннее имя — «зонер».

Работа транзистора PNP

Работа транзистора PNP

Транзистор PNP работает практически так же, как транзистор NPN. Однако поскольку эмиттер, база и коллектор в транзисторе PNP изготовлены из материалов, которые в отличие от используемых в транзисторе NPN, в транзисторе протекают разные носители тока. Блок ПНП.Большинство носителей тока в транзисторе PNP — это дырки. Это в в отличие от транзистора NPN, где большинство носителей тока — электроны. К Поддерживают этот другой тип тока (поток дырок), батареи смещения меняются местами для транзистор PNP. Типичная установка смещения для транзистора PNP показана на рисунке 2-8.

Обратите внимание, что процедура, использованная ранее для правильного смещения транзистора NPN, также применима. здесь к транзистору PNP. Первая буква (P) в последовательности P NP указывает полярность напряжения, необходимого для эмиттера ( p ositive), а вторая буква (N) указывает полярность базового напряжения ( n egative).Поскольку переход база-коллектор всегда имеет обратное смещение, тогда напряжение противоположной полярности ( отрицательное, ) необходимо использовать для коллектора. Таким образом, база транзистора P N P должна иметь размер n . по отношению к эмиттеру, а коллектор должен быть более отрицательным, чем база. Помните, что, как и в случае с NPN-транзистором, эта разница в питающем напряжении равна необходимо, чтобы ток (поток дырок в случае транзистора PNP) от эмиттер к коллектору.Хотя ток через отверстие является преобладающим типом протекания тока в PNP-транзистор, поток дырок происходит только внутри самого транзистора, в то время как электроны текут во внешней цепи. Однако именно внутренний поток дырок приводит к потоку электронов во внешних проводах, подключенных к транзистору.

Рисунок 2-8. — Правильно смещенный транзистор PNP.

PNP СОЕДИНЕНИЕ ВПЕРЕД. — Теперь давайте посмотрим, что происходит, когда Переход эмиттер-база на рисунке 2-9 смещен в прямом направлении.При показанной настройке смещения положительный полюс батареи отталкивает эмиттерные отверстия к основанию, в то время как отрицательная клемма направляет базовые электроны к эмиттеру. Когда эмиттерное отверстие и базовый электрон встречаются, они соединяются. Для каждого электрона, который соединяется с дыркой, другой электрон покидает отрицательную клемму аккумулятора и попадает в базу. В то же время, электрон покидает эмиттер, создавая новую дырку, и попадает в положительную клемма аккумуляторной батареи. Это движение электронов в базу и из эмиттера. составляет базовый ток (I B ), и путь, по которому проходят эти электроны, равен называется схемой эмиттер-база.

Рисунок 2-9. — Прямо смещенный переход в транзисторе PNP.

ОБРАТНОЕ СМЕЩЕНИЕ PNP. — В разветвлении с обратным смещением (рис. 2-10) отрицательное напряжение на коллекторе и положительное напряжение на базовом блоке большинство Носители тока от пересечения перекрестка.

Однако это же отрицательное напряжение коллектора действует как прямое смещение для меньшинства . текущие отверстия в основании, которые пересекают переход и входят в коллектор.Меньшинство Текущие электроны в коллекторе также воспринимают прямое смещение — положительное основание напряжение — и двигайся в базу. Отверстия в коллекторе заполнены электронами, которые течь с минусовой клеммы АКБ. При этом электроны покидают отрицательный полюс батареи, другие электроны в основании разрывают свои ковалентные связи и введите положительный полюс аккумуляторной батареи. Хотя есть только меньшинство текущих расход в обратносмещенном переходе, он все еще очень мал из-за ограниченного количества неосновных носителей тока.

Рисунок 2-10. — Обратно-смещенный переход в PNP-транзисторе.

ПЕРЕХОДНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ PNP. — Взаимодействие между прямым и обратным смещением переходы в транзисторе PNP очень похожи на переходы в транзисторе NPN, за исключением того, что в В транзисторе PNP большинство носителей тока — это дырки. В показанном транзисторе PNP на рисунке 2-11 положительное напряжение на эмиттере отталкивает отверстия к основанию.Один раз в основании дырки объединяются с электронами базы. Но опять же помните, что база область сделана очень тонкой, чтобы предотвратить рекомбинацию дырок с электронами. Следовательно, более 90 процентов отверстий, которые входят в основание, притягиваются к большим отрицательное напряжение коллектора и проходит прямо через базу. Однако для каждого электрона и дырки, которые объединяются в основной области, другой электрон покидает отрицательный вывод базовый аккумулятор (V BB ) и поступает в базу как базовый ток (I B ).На В то же время один электрон покидает отрицательную клемму батареи, другой электрон покидает эмиттер как IE (создающий новое отверстие) и входит в положительный вывод V BB . Между тем в коллекторной цепи электроны от коллекторной батареи (V CC ) введите коллектор как Ic и объедините с лишними отверстиями от основания. Для каждой лунки который нейтрализуется в коллекторе электроном, другой электрон покидает эмиттер и начинает свой путь обратно к положительному выводу V CC .

Рисунок 2-11. — Работа транзистора PNP.

Хотя ток во внешней цепи PNP-транзистора противоположен в направлении транзистора NPN, основные носители всегда текут из эмиттер к коллектору. Этот поток основных носителей также приводит к формированию две отдельные токовые петли в каждом транзисторе. Один контур — это путь базового тока, а другой контур — это путь коллекторного тока.Комбинация тока в обоих этих контуров (I B + I C ) приводит к полному току транзистора (I E ). Самое важное, что нужно помнить о двух разных типах транзисторов, это то, что напряжение эмиттер-база транзистора PNP оказывает такое же управляющее воздействие на коллекторный ток как у NPN-транзистора. Проще говоря, увеличение Напряжение прямого смещения транзистора уменьшает барьер перехода эмиттер-база. Этот действие позволяет большему количеству носителей достигать коллектора, вызывая увеличение тока от эмиттера к коллектору и через внешнюю цепь.И наоборот, уменьшение в прямом смещении напряжение снижает ток коллектора.

Q.10 Каковы основные носители тока в транзисторе PNP?
Q.11 Какова взаимосвязь между полярностью напряжения, приложенного к PNP? транзистор, а что применено к транзистору NPN?
Q.12 Какое буквенное обозначение базового тока?
Q.13 Назовите две токовые петли в транзисторе.

Creep | Транзисторная вики | Фэндом

Ползучесть

Характеристики

+ режущая балка
+ вездеход

Уязвимости

— Открытая камера (сзади)
— Требуется прямая видимость

Настройки

Бесцветность, твердое покрытие

«Еще этих гадов.« — Неизвестно

Крипы — это форма процесса. Они являются наиболее распространенным типом Процессов и первыми встречает Красный.

Обозначение: Ползучесть []

Информация []

  • Крипы не могут использовать свое лучевое оружие во время движения
  • Creeps будет искать пользователя в большинстве случаев
  • Внимание: скользящие режущие балки могут вывести пользователя из положения.

Внешний вид []

Крипы состоят из белых металлических ног, парящей красной сферы, частично покрытой куском белого металла, и куска белого металла над сферой.Их ячейка видна сзади, что видно из их файлов данных.

Способности []

Крипы атакуют с помощью луча снаряда, который наносит большой урон с течением времени. Тем не менее, крипы должны на самом деле видеть Красного, чтобы атаковать ее, поэтому она может использовать укрытие, чтобы избежать их. Улучшенные версии Creeps могут стрелять тремя лучами снарядов одновременно, чтобы покрыть более широкую область, а некоторые даже могут притягивать Red при ударе по ней, чтобы она не сбежала.

Версии []

  • Версия 2.0: Три луча
  • Версия 3.0: Gravity Beams

Общая информация []

  • Их внутреннее название — «подавитель».

5.4: Работа в активном режиме (JFET) — Workforce LibreTexts

JFET, как и биполярные транзисторы, могут «дросселировать» ток в режиме между отсечкой и насыщением, который называется активным режимом . Чтобы лучше понять работу JFET, давайте настроим симуляцию SPICE, аналогичную той, которая использовалась для изучения основной функции биполярного транзистора:

Обратите внимание, что транзистор, обозначенный на схеме «Q 1 », представлен в списке соединений SPICE как j1.Хотя все типы транзисторов обычно упоминаются в схемах как «Q» -устройства — точно так же, как резисторы обозначаются буквой «R», а конденсаторы — буквой «C», SPICE необходимо сообщить, какой это тип транзистора с помощью другое буквенное обозначение: q для биполярных переходных транзисторов и j для переходных полевых транзисторов.

Здесь управляющий сигнал представляет собой постоянное напряжение в 1 вольт, приложенное с отрицательной полярностью к затвору полевого транзистора и положительным полюсом к истоку полевого транзистора для обратного смещения PN перехода.В первом BJT-моделировании главы 4 для управляющего сигнала использовался источник постоянного тока 20 мкА, но помните, что JFET — это устройство , управляемое напряжением, а не устройство с регулируемым током, подобное биполярному переходному транзистору.

Подобно BJT, JFET имеет тенденцию регулировать контролируемый ток на фиксированном уровне выше определенного напряжения источника питания, независимо от того, насколько высоко это напряжение может подняться. Конечно, это регулирование тока имеет ограничения в реальной жизни — ни один транзистор не может выдерживать бесконечное напряжение от источника питания — и при достаточном напряжении сток-исток транзистор «сломается», и ток стока будет увеличиваться.Но в нормальных рабочих пределах JFET поддерживает постоянный ток стока независимо от напряжения источника питания. Чтобы проверить это, мы запустим еще одно компьютерное моделирование, на этот раз увеличив напряжение источника питания (V 1 ) до 50 вольт:

Разумеется, ток стока остается стабильным на уровне 100 мкА (1.000E-04 ампер) независимо от того, насколько высоким будет установлено напряжение источника питания.

Поскольку входное напряжение контролирует сужение канала JFET, имеет смысл, что изменение этого напряжения должно быть единственным действием, способным изменить точку регулирования тока для JFET, точно так же, как изменение базового тока на BJT является единственным действие, способное изменить регулирование тока коллектора.Давайте уменьшим входное напряжение с 1 до 0,5 вольт и посмотрим, что произойдет:

Как и ожидалось, ток стока теперь больше, чем был в предыдущем моделировании. При меньшем напряжении обратного смещения, приложенном к переходу затвор-исток, область обеднения не такая широкая, как была раньше, таким образом «открывая» канал для носителей заряда и увеличивая ток стока.

Обратите внимание, однако, на фактическое значение этого нового значения тока: 225 мкА (2.250Е-04 ампер). Последнее моделирование показало ток стока 100 мкА, и это было при напряжении затвор-исток 1 вольт. Теперь, когда мы уменьшили управляющее напряжение в 2 раза (с 1 В до 0,5 В), ток стока увеличился, но не в той же пропорции 2: 1! Давайте еще раз уменьшим напряжение затвор-исток еще в два раза (до 0,25 В) и посмотрим, что произойдет:

При напряжении затвор-исток, установленном на 0,25 В, что вдвое меньше, чем было раньше, ток стока равен 306 В.3 мкА. Хотя это все еще увеличение по сравнению с 225 мкА по сравнению с предыдущим моделированием, оно не пропорционально изменению управляющего напряжения.

Чтобы лучше понять, что здесь происходит, мы должны запустить другой вид моделирования: тот, который поддерживает постоянным напряжение источника питания и вместо этого изменяет управляющий сигнал (напряжение). Когда такое моделирование выполнялось на BJT, результатом был прямолинейный график, показывающий, насколько линейна зависимость входного тока / выходного тока BJT.Давайте посмотрим, какие отношения демонстрирует JFET:

Это моделирование непосредственно выявляет важную характеристику полевого транзистора с переходным эффектом: влияние напряжения затвора на ток стока является нелинейным . Обратите внимание на то, что ток стока не уменьшается линейно при увеличении напряжения затвор-исток. В случае биполярного переходного транзистора ток коллектора был прямо пропорционален базовому току: выходной сигнал был пропорционален входному сигналу.Но не так с JFET! Управляющий сигнал (напряжение затвор-исток) все меньше и меньше влияет на ток стока по мере приближения к отсечке. В этом моделировании большая часть управляющего воздействия (75 процентов уменьшения тока стока — с 400 мкА до 100 мкА) происходит в пределах первого вольта напряжения затвор-исток (от 0 до 1 вольт), а оставшиеся 25 процентов стока Для уменьшения тока требуется еще один входной сигнал на целый вольт. Отсечка происходит при входном напряжении 2 В.

Линейность обычно важна для транзистора, потому что она позволяет ему точно усиливать форму волны, не искажая ее.Если транзистор имеет нелинейное усиление на входе / выходе, форма входного сигнала каким-либо образом будет искажена, что приведет к возникновению гармоник в выходном сигнале. Единственная временная линейность , а не важна в схеме транзистора, когда она работает в крайних пределах отсечки и насыщения (выключено и включено, соответственно, как переключатель).

Характеристические кривые полевого транзистора JFET демонстрируют то же поведение регулирования тока, что и для BJT, а нелинейность между напряжением затвор-исток и током стока очевидна в непропорциональных вертикальных расстояниях между кривыми:

Чтобы лучше понять поведение JFET при регулировании тока, может быть полезно нарисовать модель, состоящую из более простых и распространенных компонентов, как мы это сделали для BJT:

В случае JFET напряжение , на диоде затвор-исток с обратным смещением задает точку регулирования тока для пары диодов постоянного тока.В модель включена пара противоположных диодов постоянного тока для обеспечения протекания тока в любом направлении между истоком и стоком, что стало возможным благодаря униполярной природе канала. При отсутствии PN-переходов для прохождения тока исток-сток отсутствует чувствительность к полярности регулируемого тока. По этой причине JFET часто называют двусторонними устройствами .

Сравнение характеристических кривых полевого транзистора с кривыми для биполярного транзистора показывает заметное различие: линейная (прямая) часть негоризонтальной области каждой кривой удивительно длинна по сравнению с соответствующими частями характеристических кривых биполярного транзистора:

JFET-транзистор, работающий в области триода , имеет тенденцию действовать очень похоже на простой резистор при измерении от стока к истоку.Как и у всех простых сопротивлений, его график тока / напряжения представляет собой прямую линию. По этой причине участок триода (негоризонтальный) характеристической кривой полевого транзистора иногда называют омической областью . В этом режиме работы, когда нет достаточного напряжения сток-исток, чтобы довести ток стока до регулируемой точки, ток стока прямо пропорционален напряжению сток-исток. В тщательно спроектированной схеме это явление можно использовать с пользой.Управляемый в этой области кривой JFET действует как управляемое напряжением сопротивление , а не как регулируемый напряжением регулятор тока , и подходящая модель для транзистора отличается:

Вот и только здесь модель транзистора с реостатом (переменным резистором) точна. Однако следует помнить, что эта модель транзистора верна только для узкого диапазона его работы: когда он чрезвычайно насыщен (гораздо меньшее напряжение, приложенное между стоком и истоком, чем то, что необходимо для достижения полного регулируемого тока через сток ).Величина сопротивления (измеряется в Ом) между стоком и истоком в этом режиме контролируется тем, сколько напряжения обратного смещения приложено между затвором и истоком. Чем меньше напряжение затвор-исток, тем меньше сопротивление (более крутая линия на графике).

Поскольку полевые транзисторы JFET представляют собой регуляторы тока, контролируемые напряжением и (по крайней мере, когда им разрешено работать в активном состоянии), их собственный коэффициент усиления не может быть выражен в виде безразмерного отношения, как в случае BJT. Другими словами, для JFET нет коэффициента β.Это верно для всех активных устройств, управляемых напряжением, включая другие типы полевых транзисторов и даже электронные лампы. Однако существует выражение от контролируемого тока (стока) до управляющего напряжения (затвор-исток), и оно называется крутизной . Его единица измерения — Siemens, такая же единица измерения проводимости (ранее известная как mho ).

Почему такой выбор единиц? Поскольку уравнение принимает общую форму тока (выходной сигнал), деленного на напряжение (входной сигнал).

К сожалению, значение крутизны для любого JFET не является стабильной величиной: оно значительно зависит от величины управляющего напряжения затвор-исток, приложенного к транзистору. Как мы видели в моделировании SPICE, ток стока не изменяется пропорционально изменениям напряжения затвор-исток. Чтобы рассчитать ток стока для любого заданного напряжения затвор-исток, можно использовать другое уравнение. При осмотре очевидно, что он нелинейный (обратите внимание на степень двойки), что отражает нелинейное поведение, которое мы уже испытали при моделировании:

Отзыв

  • В своих активных режимах полевые транзисторы JFET регулируют ток стока в соответствии с величиной напряжения обратного смещения, приложенного между затвором и истоком, подобно тому, как BJT регулирует ток коллектора в соответствии с током базы.Математическое соотношение между током стока (выход) и напряжением затвор-исток (вход) называется крутизной и измеряется в единицах Сименс.
  • Отношение между напряжением затвор-исток (управляющее) и (управляемым) током стока является нелинейным: при уменьшении напряжения затвор-исток ток стока увеличивается экспоненциально. Другими словами, крутизна JFET не является постоянной во всем рабочем диапазоне.
  • В своей триодной области полевые транзисторы JFET регулируют сопротивление сток-исток в соответствии с величиной напряжения обратного смещения, приложенного между затвором и истоком.Другими словами, они действуют как резисторы, управляемые напряжением.

FUJI ELECTRIC | Исследования и разработки

Силовой транзистор

Последние разработки в области импульсных силовых транзисторов

Ёсиюки Учида

В этой статье описываются последние технологические тенденции в области импульсных силовых транзисторов и новые разработки Fuji Electric в этой области.Быстрый прогресс был достигнут в устройствах, управляемых напряжением-затвором, таких как силовой МОП-транзистор и MBT (биполярный транзистор с МОП-затвором). Кроме того, Fuji Electric преодолела технические ограничения, общепринятые в отношении транзисторов с биполярным переходом (BJT), и недавно разработала силовые транзисторные модули серии Z с превосходной стойкостью к коротким замыканиям. Текущие применения BJT, силовых MOS FET и MBT проиллюстрированы здесь с точки зрения допустимой нагрузки по току, напряжения блокировки и рабочей частоты, за которыми следует краткое описание концепции «интеллектуальных устройств переключения мощности».»

Коммутационные транзисторы для преобразователей с кольцевым дросселем (RCC)

Дзиро Терашима, Тадаси Миясака

В основном система переключения была принята в источниках питания постоянного тока в соответствии с последними социальными требованиями к энергосбережению и миниатюризации. Среди этих импульсных источников питания многие маломощные относятся к типу RCC, чтобы снизить стоимость. Fuji Electric недавно выпустила на рынок транзисторы для RCC, которые обладают следующими характеристиками:
(1) Высокая ч FE
(2) Рейтинг h FE
(3) Высокоскоростное переключение характеристики
(4) Wide RBSOA

Новые высокоскоростные биполярные транзисторные модули на 1200 В «Z-Series»

Шиничи Ито, Шиничи Кобаяси

Биполярные силовые транзисторные модули широко используются в схемах инверторов VVVF и CVCF.Повышение производительности и миниатюризация инверторов требует разработки элементов с высокой скоростью h FE , широким RBSOA и высокой устойчивостью к короткому замыканию. В этом документе представлены краткие характеристики и характеристики силовых транзисторных модулей «Z-серии» на 1200 В, разработанных для удовлетворения вышеуказанных требований, а также методы проектирования элементов для них.

Мощность MOS FET

Shoichi Furuhata, Naoto Fujisawa, Takeyoshi Nishimura

Поскольку рынок мощных МОП-транзисторов в последние годы быстро расширился, необходимо изучить оптимальную мощность МОП-транзисторов, которая должна быть в различных применениях.В этой статье описываются технологические тенденции силового МОП-транзистора, серия продуктов и технические разработки в конструкции продукта.

Биполярные транзисторы с МОП-затвором (MBT)

Osamu Hashimoto, Katsunori Ueno, Takeyoshi Nishimura

Fuji Electric разработала биполярный транзистор с МОП-затвором (MBT, по нашему наименованию), пригодный для использования при высоком напряжении, токе и высокой частоте, имеющий как достоинства силового транзистора, так и силового МОП-транзистора.В этом документе дается краткое описание конструкции, работы, конструкции, номинальных характеристик и характеристик ОБТ. Представленные здесь номиналы MBT составляют 600 В / 21 А, 600 В / 50 А и 1200 В / 25 А, а зависимость электрических характеристик от параметров относится в основном к MBT на 1200 В / 25 А.

Методы параллельного управления модулями биполярных силовых транзисторов

Хирото Суяма, Тору Хосен

Силовые транзисторы стали применяться в статических преобразователях большой емкости, и многие из них должны использоваться в параллельном соединении.В этой статье описывается причина неравных токов, протекающих между элементами при параллельном соединении, и меры по их устранению, а также приводится схема реальных параллельных цепей.

Базовые методы управления модулями биполярных силовых транзисторов

Шиничи Кобаяси, Тору Хосен

Модули силовых транзисторов, которые обычно используются в инверторном оборудовании, упрощают схемы и обеспечивают более быстрое переключение по сравнению с тиристорами; однако важно знать характеристики элементов и применять наиболее подходящий метод базового привода, чтобы максимально использовать их достоинства.В этой статье описывается связь между основным состоянием привода и характеристиками элемента, а затем описывается основной метод проектирования схем основного привода и меры предосторожности при проектировании.

Методы защиты биполярных силовых транзисторов

Чтобы защитить силовые транзисторы от перенапряжения или перегрузки по току, необходимо знать характеристики устройства и способность выдерживать высокое напряжение, а также дополнительно исследовать, какой режим работы вызван какими механизмами в реальном оборудовании.В этой статье, где приводится реальный пример инвертора VVVF, описывается механизм генерации перенапряжения и сверхтока, характеристики элементов, связанных с ним, выдерживаемая высоковольтная способность и основная идея защиты.

Моделирование силовых устройств

Осаму Хашимото, Сабуро Тагами

Технология моделирования устройства стала незаменимой для полного знания принципа работы, оптимальной конструкции и сокращения сроков разработки силового устройства.В этой статье на примере MBT представлен подход к моделированию силовых устройств.
Одновременное пакетное решение с точки зрения электронов, дырок и потенциала было принято для двумерного анализа путем расширения общего метода Стоуна. Дает информацию о внутреннем состоянии элементов, принципах работы, вольт-амперных характеристиках и т. Д.

Надежность силовых транзисторов Fuji

Kiichiro Shirai, Sachiko Sumi

В этой статье описывается надежность силовых транзисторов Fuji, в основном по следующим пунктам:
Базовая разработка, краткое описание факторов отказа и типичных режимов отказа, пример анализа отказов; пункты испытаний, цели и условия испытаний для оценки надежности, пример результатов испытаний силовых транзисторных модулей; пример ускоренных испытаний, таких как повышенная влажность при испытаниях в скороварке для моделей давления пара и ускоренная термическая усталость в соединениях при испытаниях с периодической нагрузкой.

Начало страницы

% PDF-1.4 % 3 0 obj > эндобдж 5 0 obj > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > >> / Длина 126 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0,027 Тс 0,242 Tw 0 16,295 ТД / F1 9,58 Тс [(C) -30 (HAP) -41 (TER) -31 (09) -17 (QU) -26 (EST) -38 (IO) -15 (NS)] TJ ET Q Q конечный поток эндобдж 9 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > >> / Длина 369 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0.241 Тс -0,125 Tw 0 4.084 TD / F2 9,58 Тс [(MUL) 33 (TIPL) 44 (E CHO) 28 (IC) 34 (E) -19 (.) 24 (C) 22 (ho) 16 (ose t) 45 (he one) 23 (al) 34 ( t) -17 (ern) 22 (a) 25 (ti) 15 (ve) 19 (th) 18 (at) 18 (bes) 30 (tc) 39 (o) -18 (m) 38 (ple) 16 ( t) -17 (e) 25 (s) 30 (t) -17 (he) 24 (s) 16 (ta) 34 (t) -17 (em) 37 (e) -24 (n) 36 (t) 20 (o) -18 (r) 25 (ans) 30 (wers) 26 (t) 33 (he qu) 18 (es) 45 (t) -17 (i) 33 (o) -18 (n) 36 ( .)] TJ ET Q Q конечный поток эндобдж 13 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > >> / Длина 59 >> ручей q 1 я q BT 0 г 16.298 4.084 TD / F3 9,58 Тс (1 \)) Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 17 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 18 0 объект > >> / Длина 348 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0,005 Тс -0.003 Tw 0 16,812 TD / F3 9,58 Тс [(W) -25 (he) -38 (ns) -17 (ett) -17 (ing) -19 (t) -25 (h) -17 (ev) -29 (oltag) -29 (e) -) — 21 (fo) -21 (ra) -27 (n ex) -22 (te) -18 (rna) -47 (l) 15 (de) -32 (v) 15 (i) -33 (c) 18 ( e) -44 (tha) -15 ™ -15 (ust) -21 (in) -27 (te) -18 (rf) -21 (ace) -25 (wit) -23 (h) -15 ( an) -18 (F) -19 (P) -19 (GA) 15 (,) -25 (y) -16 (ou m) -44 (us) 28 (t)] TJ ET Q Q конечный поток эндобдж 19 0 объект > >> / Длина 156 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0.064 Tw 0 4.339 TD / F3 9,58 Тс [(c) -31 (ha) -18 (ng) -36 (et) -14 (he) -33 (val) -19 (u) -20 (e) -15 (of) -14 (__) — 49 (__) — 26 (__) — 26 (__) — 26 (.)] TJ ET Q Q конечный поток эндобдж 20 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 21 0 объект > >> / Длина 54 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0 4.084 TD / F3 9,58 Тс (1 \)) Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 22 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 23 0 объект > >> / Длина 67 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0,455 Тс 1.445 4.084 TD / F3 9,58 Тс (A \)) Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 24 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 25 0 объект > >> / Длина 52 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0 6,296 ТД / F3 9,58 Тс (V) Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 26 0 объект > >> / Длина 81 >> ручей q 1 я q BT 0 г -0,111 Тс 7,426 4,141 ТД / F3 9,58 Тс [(C) -26 (C) -29 (IO)] TJ ET Q Q конечный поток эндобдж 27 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 28 0 объект > >> / Длина 66 >> ручей q 1 я q BT 0 г -0.355 Тс 3,6 4,084 ТД / F3 9,58 Тс (B \)) Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 29 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 30 0 объект > >> / Длина 52 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0 6,296 ТД / F3 9,58 Тс (V) Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 31 0 объект > >> / Длина 74 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0,371 Тс 7,426 4,141 ТД / F3 9,58 Тс [(DD) 25 (IN)] TJ ET Q Q конечный поток эндобдж 32 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 33 0 объект > >> / Длина 67 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0.152 Tc 2,153 4,084 ТД / F3 9,58 Тс (C \)) Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 34 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 35 0 объект > >> / Длина 52 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0 6,296 ТД / F3 9,58 Тс (V) Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 36 0 объект > >> / Длина 75 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0,075 Тс 7,426 4,141 ТД / F3 9,58 Тс [(D) -19 (DiO)] TJ ET Q Q конечный поток эндобдж 37 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 38 0 объект > >> / Длина 67 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0.493 Тс 1,445 4,084 TD / F3 9,58 Тс (D \)) Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 39 0 объект > / Длина 16 >> ручей q 1 я q Q q Q Q конечный поток эндобдж 40 0 объект > >> / Длина 52 >> ручей q 1 я q BT 0 г 0 6,296 ТД / F3 9,58 Тс (V) Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 41 0 объект > >> / Длина 81 >> ручей q 1 я q BT 0 г -0,111 Тс 7,426 4,141 ТД / F3 9,58 Тс [(C) -26 (C) -53 (IN)] TJ ET Q Q конечный поток эндобдж 42 0 объект ] / Длина 11 / Фильтр [/ CCITTFaxDecode] / DecodeParms [>] >> ручей & m

Общие сведения о диодах и транзисторах уровня JAN / MIL

Были ли у вас проблемы с пониманием различных уровней военных диодов и транзисторов?

Вы когда-нибудь пытались купить диод или транзистор уровня JAN и обнаруживали, что тот, который вам нужен, просто недоступен или требует длительного времени? Надеюсь, прочитав это, вы лучше поймете, что означают разные уровни, и, возможно, сможете найти приемлемую альтернативу или обновление, чтобы уложиться в сроки производства.

Префикс JAN

Прежде всего, важно добавить префикс JAN (или иногда суффикс) к транзистору или диоду. Префикс JAN означает Joint Army Navy . По сути, это означает, что предмет соответствует уровню Mil (в частности, MIL-S-19500). Таким образом, если вы добавляете JAN к 2N2222, , который вы покупаете, вы покупаете предмет военного уровня . Но это еще не все.

Что делать, если вам нужен JANTX, JANTXV или JANS?

Перво-наперво, добавление чего-либо после того, как исходный JAN действительно обновляет деталь. Добавление TX означает, что эта деталь не только соответствует стандарту MIL-S-19500, но также была протестирована в соответствии со спецификацией Mil . Добавление буквы V к TX означает, что деталь была проверена во время тестирования, прежде чем упаковка была завершена. А добавление буквы S к JAN означает, что деталь соответствует требованиям для помещения или протестирована на соответствие процентному содержанию дефектов с допуском партии (LTPD в соответствии с MIL-STD-105).

См. Следующую разбивку.

  • 2N2222 Коммерческая часть
  • JAN2N2222 Военная часть соответствует MIL-S-19500
  • JANTX2N2222 Военная часть изготовлена ​​в соответствии с MIL-S-19500 и протестирована в соответствии со спецификациями после производства
  • JANTXV2N2222 Военная деталь, изготовленная в соответствии с MIL-S-19500, матрица визуально проверена во время производства и протестирована в соответствии со спецификациями после производства
  • JANS2N2222 Военная деталь, изготовленная в соответствии с MIL-S-19500 с визуальной проверкой матрицы во время производства и испытанием на соответствие спецификации после производства.Затем протестировали LTPD, выполнив все остальные шаги.

Итак, действительно, если вы ищете деталь, изготовленную на уровне JAN, и вы можете найти только предмет JANTXV, вы можете заплатить немного больше, но вы действительно получаете лучшую деталь.

Что делать, если вы найдете деталь только с маркировкой JX или JTX?

Вот некоторые из общепринятых сокращений и альтернативных обозначений некоторых производителей для своих деталей. В основном, если деталь слишком мала, чтобы уместить весь номер детали.

  • ЯНВ — J
  • JANTX — JX или JTX
  • JANTXV — JXV, JXTV или JV
  • JANS — JS

Что делать, если вы видите элемент с пометкой MX?

Что ж, это интересно.В некоторых случаях производители, которые когда-то держали QPL для изготовления деталей JAN, обнаружили, что поддержание QPL для этого элемента не является экономически эффективным. В этих случаях производитель все равно изготовит деталь и проверит ее на соответствие стандарту MIL-S-19500, но поскольку у них нет лицензии на маркировку JANTX, он будет маркировать деталь MX .

Можно ли использовать детали с маркировкой MX?

По нашему опыту, около 50% наших клиентов могут использовать элементы MX. Большинство клиентов, которые могут использовать эти детали, используют детали для сборок ВМФ.Военно-морской флот разрешил поставщикам поставлять им детали, эквивалентные , при условии, что испытания были завершены в соответствии с MIL-S-19500, и есть доказательства в виде документов, подтверждающих, что испытания были проведены.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *