Онлайн справочник транзисторы: Страница не найдена

Содержание

Справочник по электронным компонентам — микросхемы, транзисторы, тиристоры и другие полупроводниковые приборы зарубежного и отечественного производства

При практической работе, связанной с ремонтом бытовой радиоэлектронной техники и автоэлектроники, возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение и назначение выводов, принять решение о прямой замене или использовании аналога. Справочник по электронным компонентам окажет помощь при работе как с зарубежными, так и с отечественными радиоэлектронными компонентами.

В справочнике по микросхемам, транзисторам, тиристорам, диодам и другим электронным компонентам изложены принципы и особенности радиодеталей, приведена информация по взаимозаменяемости, их основные характеристики, расположение и назначение выводов, систематизированная информация и техническая документация ведущих фирм — производителей электронных полупроводниковых приборов. Справочник предназначен для радиолюбителей, инженерно-технического персонала занимающегося сервисным обслуживанием и ремонтом электронной техники и автоэлектроники.

Так же будут полезны разделы на нашем сайте — статьи по ремонту бытовой техники, радиотехника, автоэлектроника.

  • Динисторы симисторы тиристоры

  • Зарубежные тиристоры симисторы динисторы
    • Тиристоры CR02AM-8,
      CR03AM-16A,
      CR04AM-12A,
      CR05AM-16A,
      CR05AS-8,
      CR05BM-12A,
      CR05BS-8,
      CR08AS-12A,
      CR12CM-12A,
      CR12CM-12B,
      CR12CS-16B,
      CR12FM-12B,
      CR12LM-12B,
      CR12PM-12A,
      CR12PM-12B,
      CR25RM-12D,
      CR2AS-16A,
      CR2AS-8UE,
      CR2PM-8UE,
      CR3AS-8ME,
      CR3AS-8UE,
      CR3PM-12G,
      CR3PM-8ME,
      CR5AS-12A,
      CR5AS-8UE,
      CR6CM-12A,
      CR6CM-12B,
      CR6FM-12B,
      CR6LM-12B,
      CR6PM-12A,
      CR6PM-12B,
      CR6PM-12G,
      CR8CM-12A,
      CR8CM-12B,
      CR8FM-12B,
      CR8LM-12B,
      CR8PM-12A,
      CR8PM-12B
    • Симисторы BCR 1 — BCR 30
    • Симисторы BTA серии
    • Симисторы и тиристоры BT серии
    • Симисторы BT134
    • Тиристоры, симисторы, динисторы Philips
    • Тиристоры BSt
    • Симисторы и тиристоры TAG
    • Динисторы симисторы тиристоры tic серии
    • Тиристоры X0402MF, X0402NF, X0405MF, X0405NF
    • Симисторы BTA40, BTA41, BTB41
  • Отечественные тиристоры симисторы динисторы
  • Диоды, стабилитроны

  • Ионисторы, Li-ion батарейки

  • Ионисторы
  • Процессоры, микроконтроллеры

    Микросхемы

  • Микросхемы для блоков питания — онлайн справочник
  • Микросхемы для фотовспышек
  • Стабилизаторы напряжения
  • Микросхемы выходного каскада кадровой развертки
  • Микросхемы для аудио и радиоаппаратуры
  • Драйверы
  • Отечественные микросхемы
  • Транзисторы

  • Биполярные транзисторы
  • Как проверить исправность транзистора
  • Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов
  • Транзисторы Philips для блоков питания
  • Транзисторы Philips для строчной развертки телевизоров и мониторов
  • IGBT — Insulated-gate bipolar transistor или БТИЗ — биполярные транзисторы с изолированным затвором
  • Mosfet — полевые МОП транзисторы
  • Отечественные транзисторы
  • Предохранители

  • Маркировка smd предохранителей
  • Электромагнитные реле

  • Малогабаритные реле Советского производства

Транзистор КТ317 —

Драгоценные металлы в транзисторе КТ317 согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ317.


Золото: 0.0008224 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий:  0.000021 грамм.
Примечание: .

Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ317 сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки КТ317:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем.

Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ317 включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.


Полевой транзистор отличается от биполярного тем
, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на  КТ317:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ317:

Книга «Транзисторы: Том 1. Справочник» из жанра Радио. Радиотехника

Транзисторы: Том 1. Справочник

Автор: Турута Евгений Филиппович Жанр: Радио. Радиотехника Издательство: Наука и Техника Год: 2006 Количество страниц: 544 Формат:  DjVu (27.20 МБ)
Дата загрузки: 22 мая 20092010-03-24 Скачать с нашего сайта
Скачать в два клика
Поделись
с друзьями!
 

Аннотация

Этот двухтомник одновременно выходит и в России, и в Германии. Предлагаемый вниманию читателей справочник охватывает около 54 тыс. типов биполярных, 8 тыс. полевых и более тысячи типов IGBT транзисторов. В нем приведены их основные электрические параметрам (Рс, Pd, Uce, Ic, Ft и др.). Транзисторы расположены в справочнике в алфавитно-цифровом порядке. В приложениях приведены условные рисунки корпусов с соответствующей цоколевкой транзисторов, список фирм-производителей транзисторов, SMD-коды для маркировки транзисторов в миниатюрных (SMD) корпусах, а также список аналогов (замен) транзисторов. Справочник предназначен для специалистов в области наладки и ремонта бытовой и профессиональной аппаратуры, широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров.

 

Комментарии


Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикаци.

Справочник по MOSFET транзисторам

20- 25 В

 

 

 

 

 

IRL3714ZSPBF

20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak

IRL3715ZSPBF

20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak

IRF3704ZSPBF

20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3711ZSPBF

20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak

IRF1324SPBF

24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF1324S-7PPBF

24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin

30 В

 

 

 

 

IRF3707ZSPBF

30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3709ZSPBF

30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak

IRL8113SPBF

30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak

IRL7833SPBF

30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak

IRF2903ZSPBF

30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

40 В

IRF4104SPBF

40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak

IRF1404ZSPBF

40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

IRF2804SPBF

40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3004PBF

40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF2804S-7PPBF

40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin

IRFS3004-7PPBF

40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

55 — 60 В

IRFS3806PBF

60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak

IRFZ44ZSPBF

55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak

IRF1018ESPBF

60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRF3205ZSPBF

55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak

IRFS3306PBF

60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak

IRFS3206PBF

60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006PBF

60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006-7PPBF

60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin

75 — 80 В

IRFS3607PBF

75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRFS3307ZPBF

75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak

IRFS3207ZPBF

75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107PBF

75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107-7PPBF

75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

100 В

IRF540ZSPBF

100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak

IRF3710ZSPBF

100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak

IRFS4610PBF

100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak

IRFS4410ZPBF

100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak

IRFS4310ZPBF

100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010PBF

100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010-7PPBF

100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak  7-pin

150 В

IRFS4615PBF

150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak

IRFS4321PBF

150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115PBF

150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115-7PPBF

150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak  7-pin

200 В

IRFS4020PBF

200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak

IRFS4620PBF

200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak

IRFS4227PBF

200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak

IRFS4127PBF

200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak

250 В

IRFS4229PBF

250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak

Электронный справочник радиолюбителя

Приветствую вас дорогие друзья, меня зовут Владимир Васильев и сегодня я приготовил для вас кое-что интересное.  Каждый радиолюбитель в своей практике постоянно прибегает к помощи различных справочников : это справочники транзисторов, диодов резисторов и прочих деталюх. Конечно в настоящее время в этом нам помогает интернет и поэтому  коллекционирование большой библиотеки справочной литературы  стало не так актуально.

Но все-таки бывают случаи когда интернета может не оказаться под рукой  а в книжном справочнике не очень дружественный интерфейс, им тупо не удобно пользоваться. Особенно не удобно листать электронные книжки на компьютере.

В таких не редких случаях нам может помочь электронный справочник радиолюбителя. А о том, что представляет собой эта программа — справочник вы узнаете прочитав эту статью до конца.

Однако не забудьте подписаться на новые обновления так как информация на моем блоге постоянно обновляется и в дальнейшем без этого нехитрого приема будет сложно отследить за потоком моего сознания 🙂

Итак, для удобства я подготовил для вас содержание так что пользуйтесь на здоровье!


[contents]


Помню, когда я еще учился, кажется это был второй курс мы с одногруппниками частенько делились друг с другом разным софтом,  обоями для рабочего стола и всем тем, что может интересовать простого студента. Все это добро мы передавали друг другу на  дискетах, нарезали на болванки (USB флешки  тогда были не так распространены да и объем их был не велик ). Но круче всего было когда друг приходил в гости со своим жестким диском — вот это было раздолье.

Вот как сейчас помню один из моих друзей-одногруппинков Виталя пришел со своим винтом и подкинул мне всякой всячины — разного софта, в том числе и радиолюбительского. Так что, Виталя,  если ты читаешь эту статью то большой тебе привет и  спасибо за софт!

Так вот среди этого радиолюбительского софта был и справочник радиолюбителя о котором я хочу  вам, дорогие читатели подробненько так рассказать.

Справочник радиолюбителя что это?

Справочник для радиолюбителя это прежде всего удобная программа, содержащая в себе справочные данные на большое количество полупроводниковых  радиоэлементов. Среди всего многообразия можно найти информацию на такие радиодетали как:

  • транзисторы (биполярные, полевые )
  • диоды
  • оптоэлектронные приборы (оптопары, излучающие ИК диоды различные индикаторы)
  • тиристоры (импульсные, запираемые, оптронные и т.д.)
  • аналоговые микросхемы (операционные усилители, компараторы и т.д.)
  • микросхемы для теле-видео аппаратуры
  • цифровые микросхемы

Другими словами справочник радиолюбителя — это электронный справочник включающий в себя: справочник  по транзисторам, справочник по диодам, по тиристорам, микросхемам и многим другим радиодеталям.

Где скачать и как установить?

И хотя этот справочник долгое время был у меня на компе, тем не менее я нашел его на одном из торрент -трекеров. И теперь этот справочник радиодеталей скачать можно по торрент-ссылке, специально для вас приготовил. Надеюсь большинство моих читателей знают как пользоваться программой mtorrent, так что проблем возникнуть не должно.

Когда скачаете то у вас  на руках будет два файлика.

Это файлы-образы диска , причем открыть их просто так не получится. Для начала нужно установить этот образ на виртуальный привод. Другими словами вам нужно воспользоваться программами — виртуальщиками  это такие как: DAEMON Tools,  Alcohol, Nero или UltraISO. Эти программы сами создают виртуальный привод и создают иллюзию того что у вас появился еще один CD-ROM.

У меня с этой задачей справляется тотал командер (специальная хакерская сборка ), одна из  этих программ встроена прямо в него. В результате у меня на компе создался виртуальный привод с буковкой H (О боже. чудеса какие-то, откуда он у меня взялся? 🙂 ) и мы можем наблюдать  содержимое.

Что из себя представляет

Давайте теперь разберемся что это за программа такая и что из себя представляет. Поэтому кликаем по главному exe-шнику, по файлу menu.exe и смотрим что там внутри. 

Сразу видим окно разбитое на несколько пунктов, эти пункты представляют собой разделы справочника

Разделы программы — справочника радиокомпонентов

Полупроводники №1

Нажав на раздел Полупроводники №1 у нас откроется вот такое окно.

И невооруженным взглядом становится понятно что здесь и зачем. Перед нами предстают несколько вкладок: биполярные транзисторы, полевые транзисторы, диоды , оптоэлектроника и тиристоры.

Вкладка биполярные транзисторы дает свободу выбора  по интересующим нас параметрам. В нашем распоряжении такие характеристики как мощность , тип проводимости, частота. Ну и можно выбрать какой транзистор мы ищем обычный, составной или еще какой.

Теперь нажимаем кнопку «вывод» и наблюдаем  все многообразие которое вывалилось на вас в одночасье.

«И Че это и  как в этом разобраться?»- сразу в лоб спросит какой-нибудь Вася, Петя, Коля. Действительно выборка получается очень большая. Это я для статьи немного подрезал скриншот а так картинка получилась внушительной. Таблица вывела нам все транзисторы, содержащиеся в базе, которые удовлетворяют выбранным нами критериям.

Нас это не устраивает, ведь нам нужен какой-нибудь один  конкретный транзистор для наших вполне конкретных целей.   Так что не печалимся ведь   весь результат этой таблицы легко корректировать и фильтровать используя «поиск». Этот поиск находится  над таблицей, там где расположен перечень вкладок,  поэтому незамедлительно делаем безудержный клик.

И здесь мы можем продолжить поиск искомого транзистора. В нашем распоряжении поиск по названию транзистора, по его зарубежным аналогам. Также мы можем отсортировать таблицу по техническим характеристикам. Так выбрав нужный элемент, допустим 2Т117А,  перемещаемся во вкладку «таблица». В результате таблица будет  забита только транзисторами с названием 2Т117А.  Среди них будет и искомый 2Т117А и 2Т117Б и 2Т117В и т.д.

А теперь делаем финт ушами и кликаем на вкладку «габариты» и О-о-о-п-ля.

Перед нами появилась информация о габаритах транзистора, по-моему теперь мы обладаем исчерпывающей информацией о транзисторе  2Т117А , у нас есть его габариты и есть его  технические характеристики. Все, осталось приобрести сам транзистор и впаять его куда надо.

Но это еще не все.

Бывают случаи когда требуется ювелирная сортировка по какому-то диапазону параметров. И для этого случая в программе припасена такая функция как подбор по параметрам.

Точным кликом по вкладке возвращаемся в окно поиска и там под окном выбора по названию элемента есть незаметная кнопка «подбор по параметрам».

Эта кнопка скрывает окно подбора транзисторов по параметрам. Здесь можно производить поиск по группе интересующих параметров. Также  можно очень четко регулировать диапазон поиска по конкретным параметрам. Не плохо да?

Мы рассмотрели принцип работы  со  справочником  радиокомпонентов  на примере транзисторов. О том как работать с другими типами полупроводников  можно также легко разобраться применив  метод научного тыка.

Полупроводники №2

Честно сказать я не совсем понял чем этот раздел полупроводников отличается от рассмотренного нами ранее. Потому, что нажав на пункт «полупроводники №2» у нас откроется окно почти такое же что мы  видели ранее, там где мы могли видеть вкладки выбора транзисторов, диодов или тиристоров.

Конечно может быть там зашита немного другая база комплектующих, не знаю, не разбирался. Одно знаю точно что там поиск осуществляется немного иначе. При нажатии вкладки «поиск» у вас откроется окошко.

Вот на мой взгляд и все отличия, поэтому какой раздел полупроводников использовать выбирайте для себя сами, я остановился на первом варианте.

Аналоговые микросхемы

Оставляем полупроводники за бортом и начнем наш разбор раздела аналоговых микросхем. И перед нами откроется знакомое окно, вот только информация здесь приводится уже для микросхем. В заголовке окна написано «Аналоговые микросхемы для аудиоаппаратуры» это естественно, ведь аналоговые микросхемы к примеру операционные усилители, применяются в аудиотехнике. 

Ладно, это все лирика а нам нужно разобраться  с тем как искать аналоговые микросхемы в этом электронном справочнике.

Короче, выбираем, то ради чего мы открыли это окошко. Пусть наш выбор падет на операционные усилители общего применения, поэтому ставим галочку в нужном месте и нажимаем клавишу  «Выбор».

И как в случае с транзисторами таблица выдала нам  бесчисленное количество микросхем. Но здесь этот результат также поддается корректировке.

Нажав на вкладку поиск здесь также можно ввести интересующую нас информацию. Здесь все точ в точ как  в случае с транзисторами, поэтому  на этом останавливаться не будем.

Отдельно хочется поведать про вкладки «габариты» и «схема включения». Схема включения спецом добавлена для аналоговых микросхем для пущей информативности.

Допустим наш выбор пал на микросхему операционного усилителя К153УД501 и тут же мы можем оценить ее габариты и посмотреть как ее включать в схему, какая схема обвязки ей соответствует.

Микросхемы для теле-видео аппаратуры

Теперь уделим внимание микросхемам применяемым для теле-видео аппаратуры.

Для этих микросхем также есть свое окно выбора, а выбрать здесь есть из чего. Окно разбито на микросхемы для телевизионной аппаратуры и на микросхемы применяемые в видеомагнитофонах.

Например микросхемы для телевизионной аппаратуры разбиты по системам, к которым они относятся или где они должны стоять в аппаратуре:

  • в канале цветности
  • видеоусилители
  • в цепях коммутации
  • в блоках дистанционного управления
  • в системах спутникового телевидения
  • в системах телетекста
  • в радиоканале
  • в узлах развертки и цепях синхронизации
  • в системах питания
  • цифровые микросхемы
  • для тюнеров

Как-то так, выбираем то что нужно и жмем знакомую кнопочку «Вывод». Я выбрал пункт «в канале цветности» и получил знакомую таблицу, только уже заполненную микросхемами для телевизионной аппаратуры.

Таблица для нас знакома, но здесь появились вкладки которые мне показались интересными. Среди них есть знакомая вкладка «Габариты», кроме нее есть еще вкладки «Структурная схема» и «Доп. информация».

И вот к примеру какая есть информация для выбранной микросхемы видеомодулятора µPC1366C:

Мы можем посмотреть ее структурную схему и не гадать как же она внутри устроена. Далее можем оценить ее габариты и увидеть дополнительную информацию о микросхеме.

Хм, интересно получается, хотели получить габариты а самих габаритных размеров почему-то нет. Наверное потому, что буржуйская микросхема но все равно как-то не продумано.

Для микросхем видеомагнитофонов все аналогично, вот только интересно видеомагнитофоны сейчас применяются? А впрочем микросхемы всегда можно найти где применить.

Цифровые микросхемы №1

Вот речь дошла и до цифровых микросхем, коих у нас как полупроводников аш два раздела,  но сейчас остановимся пока только на одном. Так так посмотрим, чтоже из себя представляет окошко.

Окошко открывается и сразу видно как осуществляется выбор. Выбирать можно либо по серии — эта вкладка включена по умолчанию, либо по функциональному назначению. Об этом нам поведает окно если мы выберем соответствующую вкладку.

И не важно какой способ выбора вы выберете результат будет такой же что мы видели ранее — откроется таблица. Но скорректировать поиск мы всегда сможем воспользовавшись вкладкой поиска. Всю важную для нас техническую информацию о параметрах мы возьмем в таблице, а чтобы посмотреть схему или габариты то кликнем нужную вкладку- усе просто.

И к примеру для микросхемы КС531ЛИ1 характеристики будут следующие:

Габаритные размеры и схема:

Цифровые микросхемы №2

Посмотрел я этот раздел, потыкал в разные вкладки — все устроено точно также. Конечно выбор цифровых микросхем в разделе №1 от раздела №2 может отличаться поэтому поступаем следующим образом. Если в одном разделе вы не нашли какую-либо микросхему то не отчаиваемся и смиренно топаем во второй раздел. Ведь когда есть выбор это всегда есть гуд.

Я если честно хотел  еще рассказать о том как пользоваться этим электронным справочником на практике, только вот  теперь это будет лишняя информация. Все что хотел все рассказал в примерах.

А далее я думаю надо поговорить о плюсах и минусах этого справочника.

Плюсы и минусы

Из своего опыта применения этой программы скажу, что плюсов у нее  сполна.

не требует установки — ей можно пользоваться сразу после открытия на виртуальном приводе и не париться различными установками;

мобильная — так как она не требует установки то ее можно скопировать на флешку  и таскать с собой куда угодно хоть на пары, хоть на работу. Весит она порядка 600 Мб, но что это за объем памяти для современных флешек?;

удобство использования—  этот пункт я думаю вы оценили когда мы разбирали интерфейс программы -справочника;

и я думаю каждый из вас найдет в ней что- то свое .

Как ни печально, но минусы у этой программы также присутствуют:

нет поддержки производителем — как ни пытался я найти сайт производителей этой программы, все мои попытки оказались тщетными, видимо этот продукт больше не развивается;

есть ошибки — этот минус надолго останется в моей памяти.  При написании дипломного проекта я постоянно пользовался этой программой но при сборке макета устройства что-то все не очень хорошо складывалось.

Оказалось, что распиновка выводов применяемого мной операционного усилителя  в этом справочнике не соответствовала действительности. Пришлось достаточно повозиться прежде чем удалось найти истину. С другой стороны ошибки могут встречаться и в любом другом справочнике, так что наиболее правдивой информацией я считаю может обладать лишь официальная документация на радиокомпонент. В любом случае друзья будьте внимательны!

Чтож, вроде все что хотел рассказать о электронном справочнике радиолюбителя я рассказал. Так что ребята и девчата если остались какие  вопросы то обязательно задавайте их в комментариях.

Ну чтож друзься а на этом у меня на сегодня все. Поэтому прямо сейчас нажмите на  ссылочку подписаться, тогда вы всегда будете в курсе  о новых статьях.

Также подписаться на обновления блога можно через форму сервиса Email рассылок. Подписавшись через нее вы еще получите приятный подарок, который  составит вам верную службу.

 

А на этом у меня действительно все, за окном уже стемнело, да и спать уже хочется.

Желаю вам друзья успехов в делах и  прекрасного солнечного настроения!

С н/п Владимир Васильев

Справочник по транзисторам 1.1 [Android]


В справочнике представлены все основные категории транзисторов: транзисторы биполярные кремниевые и германиевые, транзисторы с предварительно заданным током смещения, полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и с управляющим переходом, биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).

Также имеются транзисторные сборки: транзисторные пары биполярные, пары с предсмещением, двухканальные полевые транзисторы с изолированным затвором и двойные биполярные с изолированным затвором.

Справочник предоставляет два способа поиска транзисторов в базе — по параметрам и по названию. Поиск по названию удобен, если имеется транзистор и необходимо узнать его характеристики. Для этого нужно набирать символы из наименования транзистора, при этом в таблице ниже сразу будут выводиться те транзисторы, в названии которых есть данная последовательность символов.

Для поиска по параметрам сначала выбирается соответствующая категория транзисторов. Затем указываются диапазоны значений необходимых параметров для выбранного типа транзисторов. Транзисторы, удовлетворяющие заданным параметрам, также будут выводиться в таблице ниже.

В обеих случаях, кликнув на одной из строк, можно открыть страницу с подробным описанием выбранного транзистора. В описании, помимо параметров для подбора, будут представлены все параметры транзистора из базы данных справочника. Кроме этого ниже будут предложена замена для данного транзистора — другие транзисторы, основные параметры которых не хуже или чуть лучше.

Изменения в версии:
Усовершенствована процедура инициализации базы данных.
Зафиксирован размер шрифтов независимо от системных настроек.

Установка:
Забросить файл на девайс в любое место и любым файлменеджером под Андройд (к примеру ES проводник) произвести его установку, кликнув по файлу (В настройках безопасности девайса должна стоять галка «Неизвестные источники»). Возможно потребуется удалить ранее установленную версию.

Год: 2020
: Android 4.0.3 и выше
Интерфейс: ML/Русский
Лекарство: вылечено
Размер: 4.7 Мб




Поиск торрент раздач, пожалуйста подождите!

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

     Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

ИМПОРТНЫЙ — ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ


1561-1008 2Т874А
1561-1015 2Т874Б
2005A 2Т942Б
2023-1,5 2Т9155Б
2023-1,5T КТ9153А
2023-3 2Т9155А
2023-6 2Т9146А, 2Т9158Б
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2307(A) 2Т9103А
46120 2Т962Б
222430 2Т9158А
27AM05 КТ9170А
2L08 2Т937А
2L15A 2Т937Б
2L15B КТ937Б
2N656 КТ6111А, Б
2N657 КТ6111В, Г
2N709 КТ397А
2N735A 2Т3130Г
2N739 КТ117БМ
2N844 КТ117ГМ, 2Т3130Д
2N1051 КТ6110В, Г, Д
2N1573 КТ117ВМ
2N1820 2Т862А
2N1923 КТ117АМ
2N2218 2Т649А, КТ928А
2N2218A КТ647А
2N2219 КТ928Б
2N2219A КТ928В
2N2221 КТ3117А
2N2222A КТ3117Б
2N2224 КТ638А
2N2369 КТ3142А
2N2459 2Т3130В
2N2463 2Т3130Б
2N2615 КТ3132Д
2N2616 КТ3132Е
2N2646 КТ132А
2N2647 КТ132Б
2N2712 КТ315А, Б
2N2784 КТ3101АМ
2N2906 КТ313А
2N2906A КТ313Б, 2Т3160А
2N3054 КТ723А
2N3055 КТ819ГМ
2N3114 КТ6117А
2N3397 КТ315Ж…Р
2N3584 2Т881Д
2N3712 КТ6117Б
2N3725 КТ635Б
2N3737 КТ659А
2N3839 КТ370А
2N3903 КТ645А
2N3904 КТ3117Б, КТ6137А
2N3905 КТ313А
2N3906 КТ313Б, КТ6136А
2N4123 КТ503А
2N4124 КТ503Б
2N4125 КТ502А
2N4126 КТ502Б
2N4128 КТ997В
2N4237 КТ719А
2N4238 КТ721А
2N4260 2Т3135А
2N4261 2Т3135Б
2N4400 КТ660А
2N4401 КТ660А
2N4402 КТ685А
2N4403 КТ685В
2N4411 КТ3127А
2N4440 КТ972В
2N4870 КТ133А
2N4871 КТ133Б
2N4913 КТ866Б
2N4914 КТ890А
2N4915 КТ890Б
2N4934 2Т939А
2N4976 КТ996А
2N5050 2Т892В
2N5086 КТ3107Б
2N5087 КТ3107К
2N5088 КТ3102Е
2N5089 КТ3102Е
2N5102 КТ921А, В
2N5177 2Т998А
2N5210 КТ3102Б
2N5240 КТ898А
2N5400 КТ698И, КТ6116Б
2N5401 КТ698К, КТ6116А
2N5550 КТ6127И, КТ6117Б
2N5551 КТ6127К, КТ6117А
2N5642 2Т945В, Г
2N5643 2Т949А
2N5651 КТ390Б
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2N5995 КТ972Г
2N5996 2Т945А, Б
2N6077 КТ898Б
2N6180 2Т877Г, КТ9180А, Б
2N6181 КТ9180В, Г
2N6428 КТ3117Б
2N6428A КТ3117Б
2N6515 КТ504Б
2N6516 КТ504В
2N6517 КТ504А
2N6518 КТ505Б
2N6519 КТ505А
2N6520 КТ505А
2N6679 КТ640Б
2N6701 КТ647А
2N7002LT1 КП214А9
2N7089 2П712Б
2SA555 КТ361А, Г, Д
2SA556 КТ361Ж, И
2SA715B КТ664А
2SA715C КТ664Б
2SA715D КТ6102А
2SA733 G КТ3107И
2SA733 L КТ3107И
2SA733 O КТ3107А
2SA733 R КТ3107А
2SA733 Y КТ3107Б
2SA738B КТ6116А, Б
2SA876H КТ313Г
2SA1009AM 2Т887А, Б
2SA1015 КТ502Е
2SA1090 КТ313В
2SA1175 КТ3107
2SA1584 2Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г
2SA1660 2Т3129Б, КТ3171А
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
2SA1815 КТ503Е
2SA2785 КТ3102
2SB596 КТ9176А
2SB834 КТ842В
2SB1220Q 2Т3129А
2SC40 КТ3101АМ
2SC64 КТ6110А, Б
2SC380 КТ315Г
2SC388 КТ315Г
2SC404 КТ359А
2SC495 КТ646А
2SC496 КТ646Б
2SC543-5 КП302А1-Г1
2SC601 КТ396А
2SC633 КТ315А, Б
2SC634 КТ315Д, Е
2SC641 КТ315Ж…Р
2SC651 2Т610А
2SC945G КТ3102Б
2SC945L КТ3102Б
2SC945O КТ3102А
2SC945R КТ3102А
2SC945Y КТ3102Б
2SC976 КТ996Б
2SC1173 КТ862Г
2SC1269 2Т642В
2SC1270 2Т642Г
2SC1334 КТ962А
2SC1365 КТ610А, Б
2SC1436 2Т862В
2SC1440 КТ945Б
2SC1443 КТ879Б
2SC1551 2Т682Б
2SC1552 2Т682В
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC1786 2Т862Б
2SC1815BL КТ3102Б
2SC1815GR КТ3102Б
2SC1815L КТ3102Б
2SC1815O КТ3102А
2SC1815Y КТ3102Б
2SC2027 КТ828Б
2SC2033 КТ934В, Д
2SC2093 2Т9102А, Б, 2Т9103Б
2SC2229 КТ940А
2SC2240BL КТ503Е
2SC2240GR КТ503Е
2SC2482 КТ940А
2SC2642 КТ934Б
2SC2688 КТ846
2SC2794 КТ866А
2SC3150K КТ8137А, КТ8144Б
2SC3271 КТ940А
2SC3272 КТ940А
2SC3306 КТ8144А
2SC3455L КТ878В
2SC3596F КТ9142А
2SC3994L КТ878А
2SC4055 КТ8146Б, КТ8150А
2SC4296 КТ858А
2SD401A КТ8146А, КТ8147Б
2SD405B 2Т9117Б
2SD675A КТ945В
2SD691 КТ945Г
2SD734 КТ660Б
2SD814 КТ3176А
2SD1220Q КТ3169А
2SD1279 КТ846Б
2SD1554 КТ838
2SD1761 КТ819
2SD1878 КТ838
2SK49 2П336А1, Б1
2SK444 2П340Б1
2SK508 2П340А1
2SK513 КП803Б
2SK653 3П345А2, Б2, КП364А…И
3SK132 КП403А
3SK162 КП333А
3SR137 КП333Б
A5916 КТ934А
A5918 КТ934Г
AD545 П216Б
A630 КТ946А
AD1202 П213Б
AD1203 П214Б
ADP665 ГТ403Б
ADP666 ГТ403Г
ADP670 П201АЭ
ADP671 П201АЭ
ADP672 П203Э
ADY27 ГТ703Б
AF106 ГТ328Б
AF106A ГТ328В
AF109 ГТ328А
AF139 ГТ346Б
AF178 ГТ309Б
AF200 ГТ328А
AF201 ГТ328А
AF202 ГТ328А
AF239 ГТ346А
AF239S ГТ346А
AF240 ГТ346Б
AF251 ГТ346А
AF252 ГТ346А
AF253 ГТ328А
AF256 ГТ348Б
AF260 П29А
AF261 П30
AF266 МП42Б, МП20А
AF271 ГТ322В
AF272 ГТ322В
AF275 ГТ322Б
AF279 ГТ330Ж
AF280 ГТ330И
AF426 ГТ322Б
AF427 ГТ322Б
AF428 ГТ322Б
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AFY11 ГТ313А
AFY12 ГТ328Б
AFY13 ГТ305В
AFY15 П30
AFY29 ГТ305Б
AFZ11 ГТ309Б
AL100 ГТ806В
AL102 ГТ806В
AL103 ГТ806Б
AM1416-200 2Т975А, Б
AM1416200 2Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б
ASX11 МП42Б
ASX12 МП42Б
ASY26 МП42А, МП20А
ASY31 МП42А
ASY33 МП42А, МП20А
ASY34 МП42А, МП20А
ASY35 МП42Б, МП20А
ASY70 МП42
ASY76 ГТ403Б
ASY76 ГТ403Г
ASY80 ГТ403Б
ASZ15 П217А, ГТ701А
ASZ16 П217А
ASZ17 П217А
ASZ18 П217В, ГТ701А
ASZ1015 П217В
ASZ1016 П217В
ASZ1017 П217В
ASZ1018 П217В
AT00510 2Т657А
AT00535 2Т657Б
AT00570 2Т657В
AT270 МП42Б, МП20А
AT275 МП42Б, МП20А
AT12570-5 КТ648А
AU103 ГТ810А
AU104 ГТ810А
AU107 ГТ810А
AU108 ГТ806Б
AU110 ГТ806Д
AU113 ГТ810А
AUY10 П608А, ГТ905А
AUY18 П214А
AUY19 П217
AUY20 П217
AUY21 П210Б
AUY21A П210Б
AUY22 П210Б
AUY22A П210Б
AUY28 П217
AUY35 ГТ806А
AUY38 ГТ806В
BAL004100 КТ970А
BC11 КТ638
BC12 КТ638
BC13 КТ638
BC14 КТ638
BC15 КТ638
BC16 КТ638
BC100 КТ605А
BC101 КТ301Е
BC107 КТ342А
BC107A КТ342А
BC107AP КТ3102А
BC107B КТ342Б
BC107BP КТ3102Б
BC108 КТ342
BC108A КТ342А
BC108AP КТ3102В
BC108B КТ342Б
BC108BP КТ3102В
BC108C КТ342В
BC108CP КТ3102Г
BC109B КТ342Б
BC109BP КТ3102Д, И
BC109C КТ342В
BC109CP КТ3102Е, К
BC140 КТ630Г
BC141 КТ630Г
BC141-16 КТ630Г
BC147A КТ373А
BC147B КТ373Б
BC148A КТ373А
BC148B КТ373Б
BC148C КТ373В
BC149B КТ373Б
BC149C КТ373В
BC157 КТ361Г
BC158A КТ349В
BC160B КТ933Б
BC161B КТ933А
BC167A КТ373А
BC167B КТ373Б
BC168A КТ373А
BC168B КТ373Б
BC168C КТ373В
BC169B КТ373Б
BC169C КТ373В
BC170A КТ375Б
BC170B КТ375Б
BC171A КТ373А
BC171B КТ373Б
BC172A КТ373А
BC172B КТ373Б
BC172C КТ373В
BC173B КТ373Б
BC173C КТ373В
BC174 КТ3102
BC177AP КТ3107А, Б
BC177VIP КТ3107Б, Б
BC178A КТ349В
BC178AP КТ3107В
BC178BP КТ3107Д
BC178VIP КТ3107В, Г
BC179AP КТ3107Е, Д
BC179BP КТ3107Ж, И
BC182 КТ3102
BC182A КТ3102А
BC182B КТ3102Б
BC182C КТ3102Б
BC183A КТ3102А
BC183B КТ3102Б
BC183C КТ3102Б, КТ3102Г
BC184A КТ3102Д
BC184B КТ3102Е
BC192 КТ351Б
BC212A КТ3107Б
BC212B КТ3107И
BC212C КТ3107К
BC213A КТ3107Б
BC213B КТ3107И
BC213C КТ3107К
BC216 КТ351А
BC216A КТ351А
BC218 КТ340Б
BC218A КТ340Б
BC223A КТ660Б
BC223B КТ660Б
BC226 КТ351Б
BC226A КТ351Б
BC234 КТ342А
BC234A КТ342А
BC235 КТ342Б
BC235A КТ342Б
BC237 КТ373Б
BC237A КТ3102А
BC237B КТ3102Б
BC237C КТ3102Б
BC238 КТ373В, КТ3102В
BC238A КТ3102А, КТ3102В
BC238B КТ3102В
BC238C КТ3102В, Г
BC239A КД3102Д
BC239B КТ3102Д, Ж
BC239C КТ3102Д, Е
BC250A КТ361А
BC250B КТ361Б
BC285 П308
BC300 КТ630Б
BC307A КТ3107Б
BC307B КТ3107И
BC307C КТ3107И
BC308 КТ3107Г
BC308A КТ3107Г, КТ3107Б
BC308B КТ3107Д
BC308C КТ3107К
BC309A КТ3107Е
BC309B КТ3107Ж
BC309C КТ3107Л
BC320A КТ3107Б
BC320B КТ3107Д
BC321A КТ3107Б
BC321B КТ3107И
BC321C КТ3107К
BC322B КТ3107Ж
BC322C КТ3107Л
BC327 КТ685А, КТ313
BC327-16 КТ686А
BC327-25 КТ686Б
BC327-40 КТ686В
BC328 КТ313
BC328-16 КТ686Г
BC328-25 КТ686Д
BC328-40 КТ686Е
BC337 КТ3102Б, КТ660А
BC337-16 КТ660А
BC337-25 КТ660А
BC337-40 КТ660А
BC337C КТ660А, КТ928
BC338 КТ645, КТ646, КТ660Б
BC338-16 КТ660Б
BC338-25 КТ660Б
BC338-40 КТ660Б
BC338C КТ660Б
BC355 КТ352Б
BC355A КТ352А
BC382B КТ3102Б
BC382C КТ3102Г
BC383B КТ3102Д
BC383C КТ3102Е
BC384B КТ3102Д
BC384C КТ3102Е
BC440 КТ630
BC446 КТ3107
BC451 КТ3102В
BC453 КТ3102Д
BC454A КТ3107Б
BC454B КТ3107И
BC454C КТ3107К
BC455A КТ3107Г
BC455B КТ3107Д, Е
BC455C КТ3107К
BC456A КТ3107Е
BC456B КТ3107Ж, И
BC456C КТ3107Л
BC513 КТ345А
BC516 КТ686Ж
BC517 КТ645А
BC526C КТ3107К, Л
BC527 КТ342Б, КТ342В
BC527-6 КТ629А, КТ6112А, Б
BC524-10 КТ6112В
BC528 КТ342В
BC546A КТ503Д
BC546B КТ3102Б, КТ3117Б
BC546C КТ3117Б
BC547 КТ3103А
BC547A КТ3102А
BC547B КТ3102Б
BC547C КТ3102Б, Г
BC548 КТ373А
BC548A КТ3102А, В
BC548B КТ3102В
BC548C КТ3102В, Г
BC549A КТ3102В
BC549B КТ3102В
BC549C КТ3102В, КТ3102ДМ
BC550A КТ3102А
BC550B КТ3102Б
BC550C КТ3102Б
BC556 КТ3107Б
BC556A КТ502Д
BC556B КТ502Д
BC556C КТ502Д
BC557 КТ3107
BC557A КТ3107Б
BC557B КТ3107И
BC557C КТ3107И
BC558A КТ3107Г
BC558B КТ3107Д
BC558C КТ3107К
BC559A КТ3107Е
BC559B КТ3107Ж
BC559C КТ3107Л
BC560A КТ3107Б
BC560B КТ3107И
BC560C КТ3107И
BC635 КТ503Б
BC636 КТ502Б
BC637 КТ503Г
BC638 КТ502Г
BC639 КТ503Е
BC640 КТ502Е
BC847A КТ3189А9
BC847B КТ3189Б9
BC847C КТ3189В9
BC857A КТ3129Б9
BC858A КТ3129В9
BC858B КТ3129Г9
BCW31 КТ3130В9
BCW47B КТ3187А
BCW71 КТ3130А9
BCW72 КТ3130Б8
BD135 КТ815Б
BD136 КТ626А, Е, КТ814Б, КТ6109А
BD137 КТ815В
BD138 КТ814В, КТ6104А
BD139 КТ815Г
BD140 КТ626Ж, КТ814Г, КТ6109А
BD165 КТ728А
BD166 КТ720А
BD168 КТ722А
BD170 КТ724А
BD202 2Т818А
BD204 2Т818Б
BD223 КТ856А
BD233 КТ817Б
BD234 КТ816Б
BD235 КТ817В
BD236 КТ816В
BD237 КТ817Г
BD238 КТ816Г
BD243C КТ819
BD370A6 КТ639А
BD372 КТ639Б
BD372A6 КТ639В
BD372A10 КТ639Г, Д
BD522 КП932А
BD676 КТ852Г
BD677 КТ829В
BD678 КТ852В
BD825 2Т642А
BD875 КТ972А
BD876 КТ973А
BD944 КТ856Б
BD946 КТ896А
BD948 КТ896Б
BDT21(A) КТ8101Б
BDV64 КТ8159В
BDV65 КТ8158В
BDW94 КТ818В
BDX78 2Т818В
BDX85 2Т716В
BDX85B 2Т716Б
BDX85C 2Т716А
BF177 КТ671А, 2Т3130Е
BF179B КТ682Б
BF189 КТ3172А
BF244A КП307Ж
BF245 КП303Е
BF258 КТ638Б
BF336 КТ6103А
BF337 КТ6113А, Б, В
BF339 КТ6113Г, Д, Е
BF371 КТ633Б
BD386 КТ629А
BF391 КТ698К
BF392 КТ504Б
BF393 КТ504В
BF410A 2П337АР, БР
BF422 КТ940А
BF423 КТ9115А
BF423S КТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В
BF457 КТ940Б
BF458 КТ940А
BF459 КТ940А
BF469 КТ969А
BF471 КТ846
BF491 КТ6127К
BF492 КТ505Б
BF493 КТ505А
BF506 КТ3126А
BF569 КТ3192А9
BF599 КТ368А9
BF680 КТ3109А
BF970 КТ9109В
BF979 КТ9109Б
BF998 2П347А2, КП402А
BFJ57 КТ6105А
BFL545 КП954А, Б
BFP23 КТ868А, Б
BFP720 КТ315В
BFP722 КТ315Г
BFR30 КП302А1-Г1
BFR37 КТ939А
BFY80 2Т3130А
BLY47A 2Т892А, Б
BSS88 КП504А
BSS92 КП508А
BSS124 КП502
BSS129 КП503А
BSS295 КП505А
BSS315 КП507А
BSW62A КТ361К, Л, М
BSW63A КТ361Н, П
BU108 КТ8107А, Б
BU205 КТ838Б
BU208A КТ8104А
BU289 КТ8101А
BU505 2SD818, BU705, KSD5064
BU508 КТ872А, В
BU508A КТ872Б
BU508AD КТ872А, Б
BU508AW BU508, BU508A
BU508D КТ846, КТ872В
BU508DW BU508AD, BU508D, BU508DR
BU807 КТ8156А
BU2506D КТ8248А
BU2508A КТ8224А
BU2508D КТ8224Б
BU2520DW KSD5090
BU2720DX 2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D
BU2725DX 2SD2553
BU4506AF 2SD2381
BU4506AX 2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065
BU4506DX 2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071
BU4507AX 2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076
BU4507DX 2SD870, 2SD1878, KSD5072
BU4508AF 2SD2301, 2SD2311
BU4508AX 2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513
BU4508DF 2SD2299, 2SD2300
BU4508DX 2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F
BU4508DZ 2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1
BU4522AX 2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088
BU4522DX 2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080
BU4523AX 2SD2500, 2SD2515, BUH715
BU4523DX 2SD2349, 2SD2514
BU4525AX 2SD1887
BU4525DX 2SD1881
BUX97 КТ8106А
BUX97A КТ8106Б
BUY90 КТ8107В, Г
BUZ71 КП727А
BV104P КТ8126А
BV2310 2П803А
BVK462 КП959А, Б, В
BVP38 КТ878Б
BVR11 КТ867А
BVT91 КТ879А
BVX14 КТ846В
BVZ90 КП809В, Г
BVZ90(A) КП809Д, Е
CD1412 2Т946А
CD6105 КТ930А
CDR075 2Т9118А
CX954 2Т370Б
D44H7 КТ9181А, Б
D62T4040 КТ886А
DC5108 2Т370А
DC5445 2Т642А
DI4044 КТ222АС-ВС
DVZ216 КП810А
F1014 КП953Г, Д
F1053 2П917А, Б, КП934А
FJ201E 2Т642Б
FLM5964-4C 3П927А2
FLV5964-8C 3П927Б2
HXTR4105 КТ640А
I02015A КТ9116Б
IRF510 КП743А
IRF520 КП744А
IRF530 КП745А, Б
IRF540 КП746А, Б
IRF610 КП748А
IRF620 КП749А
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRF710 КП731А
IRF720 КП751А
IRF730 КП752А
IRF830 КП753А
IRF5532 КП719Б
IRFBG30 КП803А
IRFR024 КП945А, Б
IRFZ30 КП727Б
IRFZ34 КП727В
IRFZ35 КП727Г
IRFZ40 КП723В
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRLZ44 КП723Г
IRLZ46 КП741А
IRLZ48 КП741Б
IXTP3N80(A) КП809А,Б
KC508 КТ342А
KF423 2Т3129Д, 2Т3152Б, Е
KSD882G КТ8296Г
KSD882O КТ8296Б
KSD882R КТ8296А
KSD882Y КТ8296В
LDR405B 2Т9118Б
LOT-1000D1-12B КТ979А
LT1739 КТ9171В
MA42181-510 КТ937А
MGF1802 3П606А2…В2
MI10000 КТ892Б, В
MI10004PF1 КТ892А
MIE13005 КТ8121А
MIL13004 КТ8121Б
MJE304 КТ504В
MJE350 КТ505А
MJE13001 КТ538А
MJE13002 КТ8170Б1
MJE13003 КТ8170А1
MJE13004 КТ8164Б
MJE13005 КТ8164А
MJE13007 КТ8126А
MJE2801T КТ9177А
MMBT3904 КТ3197А9
MMBT3906 КТ3196А9
MPF873 2Т987А
MPS706 КТ648А, КТ682А
MPS3866 2Т633А
MPS6512 КТ3184А
MPS6513 КТ3184Б
MPSL07 2Т3164А
MPS A-42 КТ604В
MPS A-43 КТ3127К
MPS A-92 КТ505А
MPS A-93 КТ698К
MRF136 2П942А, Б, В
MRF327 2Т970А
MRF422 КТ9160А, Б, В
MRF430 КТ9181В, Г
MRF515 КТ606А
MRF544 2Т9159А
MRF627 КТ606Б
MRF840 КТ962Б
MRF846 2Т9117В, Г, 2Т9118В
MRF1035MA 2Т962В
MRF1035MC КТ962В
MRF2016M 2Т948А
MSC0204100 КП934В
MSC81325M 2Т9127Д, Е
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC85853 2Т637А
MSM5964-2 3П927В2
MSM5964-5 3П927Г2
MSM5964-10 ЗП927Д2
MTP4N10 2П703Б
MTP5N05 КП932А
MTP8P10 2П712В
MTP12P08 2П712А
NE080481E-12 2Т9109А
NE1010E 2Т962А
NE3001 2Т9119А2
NE24318 2Т640А
NE56755 2Т647А, 2Т648А
NE56787 2Т642А
NE56854 2Т971А
NE56887 2Т634А, КТ634Б
NE57835 2Т682А
NE243188 КТ642А, 2Т643А
NE243287 2Т643Б
NE243499 2Т9108А
NEM2015 КТ948А
NTP7N05 КП922А, КП931 А, Б, В
PBC107B 2Т3158А
PBC108A 2Т3133А
PBC108B 2Т3133А
PDE1001 КТ607Б
PEE1000U 2Т607А
PEE1001T КТ607А
PFP12P08 КП719А
Ph2214-60 2Т9122Б
PKB20010U КТ948Б
PN3691 КТ3117Б
PN5132 КТ3117А
PWB2010U 2Т948Б
PXT2222 КТ3153А
PZB27020V 2Т9122А
S923TS 2Т3152А, Г, Д
S2055AF КТ838
SD1015 КТ9116А
SDR075 2Т9117А
SDT3207 КТ9171А, Б
SDT69504 2Т880Д
SE5035 КТ939Б
SF123A 2Т672А
SF123C КТ6107А
SG769 2Т3133А
SML723 КТ828В
SML804 КТ828А
SML55401 КТ886Б
SS8050B КТ968В, КТ6114А
SS8050C КТ968В, КТ6114Б
SS8050D КТ968В, КТ6114В
SS8550B КТ6127В, КТ6115А
SS8550C КТ6127В, КТ6115Б
SS8550D КТ6127В, КТ6115В
SS9012D КТ681А, КТ6109А
SS9012E КТ681А, КТ6109Б
SS9012F КТ681А, КТ6109В
SS9012G КТ681А, КТ6109Г
SS9012H КТ681А, КТ6109Д
SS9013D КТ680А, КТ6110А
SS9013E КТ680А, КТ6110Б
SS9013F КТ680А, КТ6110В
SS9013G КТ680А, КТ6110Г
SS9013H КТ680А, КТ6110Д
SS9014A КТ3102А, КТ6111А
SS9014B КТ3102Б, КТ6111Б
SS9014C КТ3102Б, КТ6111В
SS9014D КТ3102Б, КТ6111Г
SS9015A КТ3107А, КТ6112А
SS9015B КТ3107И, КТ6112Б
SS9015C КТ3107И, КТ6112В
SS9016D КТ6128А
SS9016E КТ6128Б
SS9016F КТ6128В
SS9016G КТ6128Г
SS9016H КТ6128Д
SS9016I КТ6128Е
SS9018D КТ6113А
SS9018E КТ6113Б
SS9018F КТ6113В
SS9018G КТ6113Г
SS9018H КТ6113Д
SS9018I КТ6113Е
ST1053 КП934Б
STD18202 КТ828Г
STD55476 КТ846А
STH75N05 КП742Б
STH75N05 КП742A
TBC547A КТ3186А
TCC1821G 2Т942А, КТ942В
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
TIP31A КТ8176А
TIP31B КТ8176Б
TIP31C КТ8176В
TIP32A КТ8177А
TIP32B КТ8177Б
TIP32C КТ8177В
TIP41A КТ8212В
TIP41B КТ8212Б
TIP41C КТ8212А
TIP110 КТ8214В
TIP111 КТ8214Б
TIP112 КТ8214А
TIP120 КТ8116В
TIP121 КТ8116Б
TIP122 КТ8116А, КТ8147А
TIP125 КТ8115В
TIP126 КТ8115Б
TIP127 КТ8115А
TIP132 КТ8116А, КТ8147А
TIP150 КТ8111А
TIP151 КТ8111Б
TN20 2Т9130А
UMIL70 КТ930Б

Партнер статьи: Electronoff.ua

aldoandr — СПРАВОЧНИК ТРАНЗИСТОРОВ

(Первый выпуск 2 апреля 1998 г .; последняя редакция 24 мая 2021 г.)

от Альдо Андреани электронное письмо

Транзистор и его история

http://semiconductormuseum.com/Museum_Index.htm

[email protected] (Музей транзисторов)

http://sites.google.com/site/transistorhistory/Home

Марк П.Д. Берджесс

http://transistorhistory.50webs.com/

http: // web.archive.org/web/20120308034329/http://transistorhistory.50webs.com/

[email protected] (Боб МакГарра)

http://www.101science.com/transistor.htm

Схема идентификации транзисторов и элементы электроники: [email protected] (Ларри Додд)

http://about.att.com/innovationblog/history_technology

Изобретение транзистора: ATT labs. [email protected] (лаборатории ATT)

http://www.ck722museum.com/

transistormuseum @ aol.com (Джек Уорд)

http://www.eca.de/?lang=en

Поиск транзисторов

http://www.gladlylearn.com/AmateurRadio/AmateurRadio.htm

https: //web.archive.org/web/20180616194532/http://www.gladlylearn.com/AmateurRadio/AmateurRadio.htm

Бесплатная загрузка буклетов о первых транзисторах Sylvania и Raytheon (Брайан)

http: // www.nteinc.com/Web_pgs/device_list.html

Поиск по перекрестным ссылкам на транзисторы и таблицы данных: Литература @ nteinc.com

http://www.oldradioworld.de/transi.htm

Сборные транзисторы: [email protected] (Rainer Steinfuehr) http://www.welt-der-alten-radios.de/geschichte-erste- transistorradios-293.html

http://www.pbs.org/transistor/

Изобретение транзистора: PBS. [email protected]

http://www.research.philips.com/

Home

Будет ли органический TFT (тонкопленочный транзистор) будущим этого устройства? info @ plasticlogic.com

http://www.sony.net/SonyInfo/CorporateInfo/History/SonyHistory/

http://www.sony.net/SonyInfo/CorporateInfo/History/index.html

Sony History

http: //www.wylie.org.uk/technology/technology.htm

Сборные транзисторы: [email protected] (Эндрю Уайли)

Welcome

[email protected]

http : //www.alldatasheet.com/

http://www.chipdocs.com/

http: // www.datasheet4u.com/

http://www.datasheetarchive.com/

http://www.datasheetcatalog.com/

http://www.digchip.com/

http: //www.eem. com /

Поисковые системы

https://news.ti.com/blog/2019/09/17/from-concept-to-cosmos-how-jack-kilbys-integrated-circuit-transformed-electronics-industry

Изобретатель

Первый транзисторный радиоприемник

http://en.wikipedia.org/wiki/Transistor_radio

Википедия

http: // smithsonianchips.si.edu/texas/ti_003.htm

Номер TI G00083 в Национальном музее американской истории: один из первых транзисторных радиоприемников после Regency

http://tenwatts.blogspot.com/search/label/transistor%20radio

Arcane Radio Trivia

1952 RCA Prototype Transistor Radio

Прототип RCA 1952 года

http://web.archive.org/web/20060

2846/history.sandiego. edu / gen / record / transistor.html

Соображения по поводу первого транзисторного радиоприемника.Стив Шенхерр ушел на пенсию из Университета Сан-Диего. Приведенный выше адрес показывает, как выглядела его страница транзисторных радиоприемников в 2006 г.

http://www.benduhn.homepage.t-online.de/denk/summary.html

http: //www.benduhn.homepage.t-online .de / denk / denk.html

http://de.wikipedia.org/wiki/Robert_Denk

Первое некоммерческое твердотельное радио датировано февралем 1948 года: [email protected] (Heiko Benduhn )

http://www.digibarn.com/friends/chuck-colby/historic/transistor-radio.html

TR-2, первый транзисторный радиоприемник Чака Колби

http://www.historywebsite.co.uk/Museum/Engineering/Electronics/history/TransistorEra.htm

by Bev Parker

http: / /www.mequonsteve.com/regency/

https://web.archive.org/web/201805752/http://www.mequonsteve.com/regency/

Интерактивный сайт Regency TR1, созданный Стив Рейер, скончавшийся в 2018 году https://www.collectornet.net/regency/

https: // www.nutvolts.com/magazine/article/the_transistor_radio

Статья Сары Лоури

http://www.regencytr1.com/

Regency TR1, первый коммерческий транзисторный радиоприемник. Вы даже можете найти оригинальный патент и принципиальную схему: [email protected] (Дон Пайс, сын Джона, который был одним из соучредителей IDEA / Regency)

http://www.ti.com/

Texas Instruments (совместное предприятие с Regency) выпустила первый коммерческий транзисторный радиоприемник

https: // www.youtube.com/watch?time_continue=6&v=kKln6zTy4C8

Сборка Regency TR1

www.ebay.com/sch/Transistor-Radios-/932/i.html

http: // antikradio. org / transistors.htm

Фил говорит: «Я действительно не ищу транзисторные радиоприемники, но время от времени один из них находит меня»: [email protected]

http://classicradiogallery.com/ transistor.html

[email protected] (Меррилл Л. Маббс)

http: // digilander.libero.it/marcomorigi/

[email protected]

http://home.arcor.de/wmohl/index.html http://www.ukwfm.de/

Европейский наборы. [email protected] (Walter Mohl)

новые радиостанции

http://jeanluc.fournier.pagesperso-orange.fr /sixties/sixties_accueil.htm

[email protected]

https://webspace.science.uu.nl/~tel00101/FotoAlbum/RadioCorner/index.htm

Коллекция Джерарда Тел: [email protected]

http://radio.gort.dk/

[email protected]

http://radio54.altervista.org/

A очень интересный сайт, включающий историю трансокеанских радиостанций Zenith: [email protected] (Antonio Fautilli)

http://s206301103.websitehome.co.uk/index.htm

https: //web.archive .org / web / 20150802085125 / http: //s206301103.websitehome.co.uk/index.htm

Автор Энрико Тедески, скончавшийся в 2014 г. https: // www.ebnonline.com/electronics-through-the-ages-a-history-of-vintage-technology-in-pictures/

https://sites.google.com/site/johnengsdeadtechrescue/home?authuser=0

Джон Энг: [email protected]

http://tabiwallah.com/radiowallah/

[email protected]: Алан Кастнер, король TR-6

http: //web.archive .org / web / 20130129181126 / http: //transistorhistory.50webs.com/

[email protected] (Bob McGarrah)

http: // vintageradio.me.uk/

[email protected]

http://web.archive.org/web/199221255/http://www.conknet.com/~m_bunis/

Марти Бунис хорошо известен своими книгами . Приведенный выше адрес показывает, каким был его сайт в 1999 г.

http://www.abetterpage.com/wt/index.html

Очень большой и всеобъемлющий сайт по коллекционным транзисторным радиоприемникам: [email protected] (Боб Дэвидсон )

http://www.alltransistor.it/

С янв.2003 г., итальянский сайт, также написанный на английском: [email protected] (Lello Salvatore)

http://www.angelfire.com/electronic/TransistorRadios/

[email protected]

http: // www. angelfire.com/music/TransistorMemories/

Дэйв Лонг

http://www.antiqueradioexchange.com/

Покупайте и продавайте свои вещи здесь

http://www.antiqueradios.com/

Известный за его форумы: один из них посвящен старинным транзисторным радиоприемникам[email protected]

http://www.classic-worldband.com/index.html

Не только Grundig Satellit, но и полезная страница о Sony. [email protected]

http://www.datastress.com/~mario/radio/types.php?group=L&type=L0X20T&brand=Philips

Радиостанции Philips от Mario

http://www.decoradios.com /

[email protected] (Стив Т. Дэвис)

http://www.eecs.umich.edu/~srs/Antiques/

srs @ umich.edu (Стив)

http://www.ericwrobbel.com/

Эрик Вроббель, который, по словам Энрико Тедески, «возможно, самый известный в мире сборщик транзисторных радиосигналов» [email protected]

https://www.flickr.com/photos/[email protected]/albums/72157629842242169/

Коллекцию Джо Хаупта см. также https://www.pinterest.it/pin/

961189819498/?lp=true

https://commons.wikimedia.org/wiki/Category:Radio_receiver_collection_by_Joe_Haupt_(from_Flickr_stream)

http: // www.flickr.com/photos/transistor_radios/

Интересный интерактивный сайт. [email protected] (Майкл Джек)

https://www.flickr.com/photos/[email protected]/

Pete’s Radioworld

http://www.flickr.com/photos/[email protected] N02 /

Фотографии «50sTransistorRadios» см. Также http://www.youtube.com/user/50sTransistorRadios

http://www.garysradios.com/

Автор Gary Ball (labyrag)

http : // www.geocities.jp/jnkei/

http://jinkei.sakura.ne.jp/

[email protected]

http://www.geocities.jp/craft_3/

http: // www .craft-3.sakura.ne.jp /

[email protected]

http://www.hoenmeuffels.nl/oldradios/4trans.html

Пит умер 27 сентября 2000 г., см. http: //www.hoenmeuffels.nl/oldradios/

http://www.homestead.com/kd4hsh/1transistor.html

Однотранзисторный соборный радиопроект. [email protected] (Роберт Лозье)

http: // www.ibiblio.org/jimmy/Radio/Radios/index.html

Roger McGuinn

http://www.ilpiera.it/radio/

Davide Pierantoni: Sony radios

http: //www.james .com / index.htm

[email protected] (Джеймс Дж. Баттерс)

http://www.japanradiomuseum.jp/index-e.html

[email protected]

http: // www .jtl.us / joesradiopage /

[email protected] (Джо Линн)

http: // www.leradiodisophie.it/

[email protected]

http://www.museopelagalli.com/

Замечательный музей прямо в моем городе. Рассмотрена вся история радио, заключительный раздел посвящен транзисторным радио. Вам следует приехать в Болонью и посетить музей: [email protected]

http://www.noveltyradio.com/

Гэри Арнольд. Новинки Радиоприемники: [email protected]

http://www.oldradios.com/

Коллекция Георгия Качовки и его радиоприемники на продажу: gsk @ oldradios.com [email protected]

http://www.oldradioworld.de/xportabl.htm http://www.welt-der-alten-radios.de/

Немецкая коллекция: [email protected] (Райнер Steinfuehr)

http://www.pakratz.com/transistors.html

[email protected] (Fred Hoffmann)

http://www.preservingarvin.com/

Все, что вы хотите знать о Радио Арвина ([email protected])

http://www.radioattic.com/

Много фото: webmaster @ radioattic.com (Стив Адамс)

http://www.radioattic.com/attic.htm?sellerId=3

[email protected] (Дон Маурер)

http://www.radioking.at/my-collection .htm

[email protected] (Дитер Кениг)

http://www.radiolaguy.com/

[email protected] (Radiola Guy)

Home

[email protected]

http://www.radiomuseum.org/

Многие участники из многих стран

http: // www.radiomuseum-radiowelt.at/

Питер и Дорис Роггенхофер в Инсбруке [email protected]

http://www.radiophile.com/

[email protected] (Джон Пелхэм)

http: // www.reocities.com/CapeCanaveral/8443/

http://digilander.libero.it/chopin.i/radio/index.html

Лука Росси

http://www.richardsradios.co.uk/more .html

[email protected]

http://www.rmrl.de/

rs @ rmrl.de (Радио-музей в Роттенбурге)

http://www.roetta.it/ik3hia/index.htm

[email protected] (Lucio Roetta)

https://web.archive.org/web /200

052230/http://ronmansfield.com/

Home

[email protected] (Рон Мэнсфилд) https://www.ebay.com/usr/childhoodradio

http : //www.somerset.net/arm/fm_only_intro.html https://web.archive.org/web/20170521121514/https://www.somerset.net/arm/fm_only_intro.html https://mwsherman.com/fmonly/fm_only_intro.html

Радио только FM: [email protected] (Эндрю Р. Митц) [email protected]

Home

info @ sparcradio.ca

Home

[email protected]

http://www.tomania1953.com/

В конце каждой страницы вы ‘ Я найду форму для связи с Томом

http://www.transistor.org/

https://web.archive.org/web/20160112162549/http://transistor.org /

Коллекция Сары Лоури: [email protected]

http://www.tuttaunaltraradio.it/

Штаб-квартира в Монтаназо Ломбардо (Лоди)

http://www.vintage-electronics.com/

Джон Кендалл. Радиоприемники для продажи: [email protected]

http://www.wa2ise.com/radios/trp.html

[email protected]

http://xoomer.virgilio.it/ endonofr / collections.htm

Эннио Д’Онофрио: [email protected]

http: // radiokobo.sakura.ne.jp/G/tr-radio1/sony.html

http://www5b.biglobe.ne.jp/~AA676/radio/RADIOLIST.htm

http://kuromonokaden.com/post-1046 /

Журнал и книги (см. Также выше: Эрик Вроббель, Марти Бунис, Энрико Тедески)

http://www.amazon.com/

Найдите «транзистор»: [email protected]

http: / /antiqueradio4.com/Merchant2/merchant.mvc

[email protected] (Антикварное радио секретно)

http://www.antiqueradio.it/

edimose @ tin.it

http://www.bookfinder.com/

Эта ссылка поможет вам найти книгу, которую вы ищете (бывшую в употреблении или новую), в магазине, где она есть.

Обратная связь: http://www.bookfinder.com/interact/comments/

http://www.booksprice.com

[email protected]

http://www.krausebooks.com/

Krause Publications

http://www.oldradios.com/tn/

Transistor Network: архив старого журнала, посвященного коллекторам транзисторных радиосигналов, за 1996-97 гг[email protected] (Роберт П. Моррисон)

http://www.tubesandmore.com/

[email protected] (Антикварная электроника)

http://data.energizer.com/DataSheets.aspx

http : //web.archive.org/web/20031204154227/http: //data.energizer.com/datasheets/contents/discontinued_battery_index.htm

https://www.radiomuseum.org/r/eveready_energizer_battery.com

http://www.pispola.com

info @ pispola.com

http://www.tubesandmore.com/

[email protected] (поставка антикварной электроники)

Ремонт и реставрация

http://tomsradiorepair.bizland.com/

tsenne @ live.com

http://www.radio-workshop.co.uk/

Веб-сайт для Великобритании, Рэй ([email protected])

http: //www.vintage-radio .com / repair-restore-information /

Веб-сайт для Великобритании Пола Стеннинга (больше для ламповых, чем для транзисторных радиоприемников)

Принципиальные схемы и руководства

https: // elektrotanya.com /

Венгерский сайт, который поможет вам спасти Землю от электронных отходов

http://servicemanuals.net/

Искать и покупать очень просто. Справка: http://servicemanuals.net/contact.aspx

http://users.libero.it/antonelliana/

[email protected]

http://web.tiscali.it/techservs/formskem. htm

http://www.diagram.com.ua/english/

http://www.eserviceinfo.com/

Скачать бесплатно без регистрации

http: // www.freeservicemanuals.info/en/

http://www.hifiengine.com/

http://www.justradios.com/transistors.html

[email protected]

http: //www.kevinchant .com /

Бесплатная загрузка без регистрации

https://www.manualsparadise.com/

http://www.radiolocman.com/

r[email protected]

http: // www .radiotechniek.nl /

[email protected]

https: //www.robertsradiotechnical.co.uk/

[email protected] (Роберт В. Томпсон)

http://www.rsp-italy.it/Electronics/Radio%20Schematics/index.htm

http: //www.rsp-italy.it/contact_eml.htm

http://www.samswebsite.com/photofacts.html

[email protected]

http://www.schaltungsdienst.de/

[email protected]

http://www.service-data.com/

[email protected]

http: // www.transoceanic.nostalgiaair.org/

http://web.archive.org/web/20130413081858/http://www.transoceanic.nostalgiaair.org/

Схемы трансокеанских радиостанций Zenith

http://www.transoceanic.nostalgiaair.org/

.umberto-alessio.it / Radio% 20Schematics / index.html

[email protected]

http://www.user-service-manuals.com/

Руководства отправляются в подарок только лицам, которые пожертвовали Международной ассоциации защиты прав человека (HRD)

http: // www.vintage-electronics.com/

[email protected] (Джон Кендалл)

Транзисторные радиоприемники могут быть песнями:

http: / /www.azlyrics.com/lyrics/beachboys/magictransistorradio.html

http://www.classic-country-song-lyrics.com/tinybluetransistorradiolyricschords.html

и Transistor Radio — рок-группа:

http: / /www.allmusic.com/artist/transistor-radio-mn0000867905

Помимо транзистора: итальянские сайты

http: // digilander.libero.it/oldradios/

http://www.air-radio.it/

http://www.antiqueradio.it/

http://www.ari-bo.it/

http://www.associazionemarconi.com/

Comitato Guglielmo Marconi

https://www.bertibenis.it/

http://www.carlobramantiradio.it/ Исторические новости http: // www. carlobramantiradio.it/ricerca_ditte.htm

http://www.emiliofarano.it/

http: // www.fgm.it/ Fondazione Guglielmo Marconi https://www.fgm.it/en/museum-en.html https://www.museomarconi.it/ Museo Marconi a Villa Griffone

http://www.franconervegna.it /

http://www.introni.it/

Бесплатная загрузка старых журналов по электронике

http://www.marcomanfredini.it/radio/index.php

http: //www.pispola .com

http://www.radiomuseo.it/

http://www.radiopistoia.com/

http: //www.tektron-italia.com /

http://www.rsp-italy.it/

Бесплатная загрузка старых журналов, схем и книг по электронике http://www.rsp-italy.it/contact_eml.htm

https: //sites.google.com/site/electronsfading/

«Elettroni al tramonto» и его важный форум «Elettroni da salvare» https://elettronialtramonto.forumfree.it/

https: //www.youreporter. it / foto_il_museo_di_radio_d_epoca_di_fernando_tamburini_a_bologna /

Il Museo di Fernando Tamburini

июль 2009

Новый адрес:

http: // sites.google.com/site/aldoandr/

июль 2000

По новому адресу (http://www.geocities.com/aldoandr/transistor.html) страница будет обновляться чаще, чем раньше. Сайты, которые считаются важными ссылками на транзисторные радиоприемники, теперь выделены жирным шрифтом .

Settembre 99, Gennaio 2000, Giugno 2000

Aggiornamenti

Giugno 99

Ho agiunto la sezione AUCTIONS; le aste sono molto utili per iniziare o far crescere una collection: per le radio e-Bay e ‘il massimo.Non era semplice mantenere agiornati anche i siti dedicati all radio a valvole e ho deciso di toglierli.

Febbraio 99

Dal momento che la maggior parte dei siti e ‘на английском языке, и pochi commenti ai link sono ora на английском языке.

Gennaio 99

После того, как эта серия TRANSISTOR была подключена к транзистору, вы можете использовать его, как показано на рисунке.

Luglio 98

Per chi vuole dare un’occhiata a quello che Internet ci offre sul collezionismo delle radio (sia a valvole che a transistor), ho preparato un elenco di indirizzi.Ho pensato a Lungo Quale fosse il modo migliore di classificarli: l’ideale sarebbe Dividere Le Valvole Dai Transistor, i Musei Dai Collezionisti Privati, chi vende da chi compra …. ma poi ho incontrato siti così complete e complessi che si chiamano fuori da qualunque classificazione. Allora non ho trovato niente di meglio che usare l’ordine alfabetico: ognuno poi, dopo una rapida occhiata, si renderà meglio conto di quelli che fanno al caso suo. All’inizio ho riportato un sito utile per chi cerca schemi elettrici, poi i siti italiani fra i quali ho messo anche quello di Enrico Tedeschi che, pur vivendo a Brighton insieme alla sua invidiabile collection, ha un nome che tradisce le origini, delle quali certamente non si dimenticherà se vi rivolgerete a lui in italiano per qualche informazione.

Aprile 98

Amare la radio (английский перевод содержится в этой статье )

Amo lo radio perchè non invecchia mai: sarà bello il grammofono a tromba ma sa riprodurre solo e semper gli stessi brani; Если вы хотите получить радио от cinquant’anni fa, вы получите это сообщение, которое вам нужно, чтобы вы могли услышать его на ультрасовременном радио. Dici che é diversa la qualità dell’ascolto? Это подробности! Amo la radio perchè nessun sonnifero é Pi Potente della TVe: proprio per questo a volte può essere molto utile, ma a piccole dosi.E passare dall’amore per la radio intesa приходят как вы предпочитаете все программы для l’apparecchio, которые могут быть выполнены в этом режиме, это stato un passo brevissimo. E così amo la radio anche perché é un oggetto misterioso: la guardo ancora con gli occhi del bambino, che vorrebbe aprirla per cercarci dentro l’omino che sta parlando. Questo amore é cominciato con i miei primi passi (quando mi sono diretto subito verso la монументальное радио официальное della casa premendo contemporaneamente все cinque i tasti -fono, OM, OC, OL, MF- e costringendo mio padre a chiamare il tecnico diventato passione unfrenabile in случаю del colpo di fulmine: era la primavera del ’59 quando un amico di mio fratello si Presenta a casa per mostrargli una Sony TR610 appena acquistata.La scintilla scoccamediata. Радио, которое работает через спинку, терру и антенну: un vero miracolo! Io ero pi piccolo di loro e 30,000 лир (ди аллора) non erano certo alla mia portata. Adesso la pagherei volentieri quella cifra ma credo che non basti più e poi non é così facile trovare chi la vende. Solo adesso mi rendo conto che non sono stato abbastanza attento. Sapevo Bene Che Esisteva il collection of Radio a Valvole, alimentato anche dagli splendidi mobili di cui sono dotate, ma pensavo che fosse troppo presto per cominciare a parlare di radio di radio a transistor.Invece Internet mi ha aperto gli occhi: sono passati quarant’anni da quel colpo di fulmine и il Collezionismo delle Prime Radio, транзистор, входящий в pezzo. Этот мотив предназначен для того, чтобы вы не могли разрешить исходные данные, а также использовать его в качестве основы для всех случаев, когда вам нужно, чтобы все было в порядке. Ridare voce ad una radio abbandonata é per me una global soddisfazione anche se mi costa molto tempo (perchè non é il mio mestiere) и se il pezzo non raggiungerà mai un valore di mercato.

Chi vuole contribuire ad arricchire questa lista, può scrivermi all’indirizzo e-mail riportato all’inizio di questa pagina.

Grazie, Aldo Andreani

Новый четырехмерный транзистор — превью будущих компьютеров

4 декабря 2012 г.


Это изображение, полученное с помощью просвечивающего электронного микроскопа, показывает поперечное сечение новый тип транзистора в форме рождественской елки, созданный исследователи из университетов Purdue и Гарвардского университета.Транзистор сделан из крошечные нанопроволоки из материала под названием арсенид индия-галлия, которые могут замените кремний в течение десяти лет. (Изображение Университета Пердью)
Загрузить фото

WEST LAFAYETTE, Ind. — Новый тип транзистора в форме как новогодняя елка прибыла как раз к праздникам, но прототип не будет укрываться под деревом вместе с другими подарками.

«Это предварительный обзор того, что будет в полупроводниковой промышленности «, — сказал Пейде» Питер «Йе, профессор электротехника и компьютерная инженерия в Университете Пердью.

Ученые из университетов Пердью и Гарварда создали транзистор, который сделан из материала, который может заменить кремний внутри десятилетие. Каждый транзистор состоит из трех крошечных нанопроволок, сделанных не из кремния, как обычные транзисторы, но из материала, называемого арсенид индия-галлия. Три нанопровода становятся все меньше, дающие конусообразное поперечное сечение, напоминающее рождественскую елку.

Исследование основано на предыдущей работе, в которой команда создали трехмерную структуру вместо обычных плоских транзисторов.Подход может позволить инженерам создавать более быстрые, компактные и эффективные интегрированные схемы и более легкие ноутбуки, которые выделяют меньше тепла, чем современные.

Новые данные показывают, как повысить производительность устройства за счет соединение транзисторов вертикально параллельно.

«Одноэтажный дом может вместить столько людей, но больше этажей, больше людей, и это то же самое вещь с транзисторами, — сказал Е. — Их штабелирование приводит к большему количеству текущая и гораздо более быстрая работа для высокоскоростных вычислений.Это добавляет целую новое измерение, поэтому я называю их 4-D ».

Результаты будут подробно описаны в двух документах, которые будут представлены во время Международной встречи по электронным устройствам 8-12 декабря в Сан-Франциско. В одном из документов был выделен организаторами конференции как один из «самых интересных темы и доклады, которые будут представлены ».

Работой руководит докторант Purdue Цзянцзян Гу. и научный сотрудник Гарвардского университета Синьвэй Ван.

Новейшее поколение кремниевых компьютерных микросхем, представленные в этом году, содержат транзисторы с вертикальной трехмерной структурой. вместо обычной плоской конструкции.Однако, поскольку кремний имеет ограниченную «подвижность электронов» — скорость потока электронов — другие материалы будут вероятно, вскоре потребуется продолжить разработку транзисторов с этим трехмерным подходом, Е. сказал.

Индий-галлий-арсенид входит в число перспективных полупроводники изучаются для замены кремния. Такие полупроводники называют III-V материалы, потому что они сочетают в себе элементы из третьей и пятой групп. периодической таблицы.

Авторы научных статей: Гу; Ванга; Purdue докторант Х.Ву; Научный сотрудник Purdue Дж. Шао; Purdue докторант А. Т. Нил; Майкл Дж. Манфра, Уильям Ф. и Пэтти из Purdue Дж. Миллер, адъюнкт-профессор физики; Рой Гордон, Томас Д. Кэбот из Гарварда Профессор химии; и Е.

Транзисторы содержат важные компоненты, называемые затворами, которые позволяют устройствам включаться и выключаться и направлять поток электрический ток. Меньшие ворота позволяют работать быстрее. В сегодняшней Трехмерные кремниевые транзисторы, длина этих затворов составляет около 22 нанометров, или миллиардные доли метра.

Трехмерная конструкция имеет решающее значение, поскольку длина затвора составляет 22 нанометра. и меньше не работают в архитектуре с плоским транзистором. Инженеры работа над транзисторами, которые используют затвор еще меньшей длины; 14 ожидается к 2015 году и 10 нанометров к 2018 году.

Однако уменьшение размеров свыше 10 нанометров и дополнительные улучшения производительности, вероятно, невозможны с использованием кремния, Это означает, что потребуются новые материалы для продолжения прогресса, сказал Е.

Для создания транзисторов меньшего размера также потребуется найти новый тип изоляционного или «диэлектрического» слоя, который позволяет затвору выключить.Поскольку длина затвора уменьшается менее 14 нанометров, используемый диэлектрик в обычных транзисторах не работает должным образом и, как говорят, «утечка» электрического заряда при выключенном транзисторе.

Нанопроволоки в новых транзисторах покрыты композитный изолятор другого типа, слой лантана толщиной 4 нанометра алюминат со сверхтонким слоем оксида алюминия толщиной в полнанометра. Новый ультратонкий диэлектрик позволил исследователям создать транзисторы из индий-галлий- Арсенид с 20-нанометровыми затворами, что является важной вехой, сказал Е.

Работа, базирующаяся в Центре нанотехнологий Бирка в г. Парк открытий Purdue финансируется Национальным научным фондом и Semiconductor Research Corp.

Автор: Эмиль Венере, 765-494-4709, [email protected]

Источник: Пейде Е, 765-494-7611, [email protected]


РЕФЕРАТ

20–80 нм Длина канала InGaAs Gate-all-around Nanowire MOSFETs с EOT = 1,2 нм и Самая низкая SS = 63 мВ / дек

Дж.J. Gu, 1) X. W. Wang, 2) H. Wu, 1) J. Shao, 3) А. Т. Нил, 1) М. Дж. Манфра, 3) Р. Г. Гордон, 2) и П. Д. Йе 1)

1) Школа электротехники и вычислительной техники, Университет Пердью

2) Кафедра химии и химической биологии Гарвардского университета

3) Физический факультет Университета Пердью,

Недавно сверху вниз технология для полевых МОП-транзисторов с нанопроволочным затвором III-V (GAA) была продемонстрировано [1-2].Однако такие показатели устройства, как gm, VDD, SS, DIBL и масштабирование длины канала (Lch) устройств III-V GAA, продемонстрированное в [1] все еще сильно ограничены большим EOT устройств. В этом аннотации мы Экспериментально продемонстрировать полевые МОП-транзисторы с нанопроволокой InGaAs GAA с EOT до 1,2 нм за счет успешной интеграции сложного оксидного диэлектрика LaAlO3 (k ~ 16) [3]. Уменьшение EOT позволило продемонстрировать первый 20-нм Lch InGaAs. МОП-транзисторы с gm 1,65 мСм / мкм при Vds = 0,5 В и незначительными эффектами короткого канала (SCE).Систематическое исследование метрик масштабирования с Lch между 20-80 нм и нанопроволокой. размерно-зависимое исследование транспорта с шириной нанопроволоки (WNW) между 20-35 нм также было выполнено для трех разных стеков ворот, демонстрируя почти идеальное SS 63 мВ / дек и DIBL 7 мВ / В. Показано, что интеграция 4 нм LaAlO3 с ультратонким межфазным слоем Al2O3 0,5 нм позволяет снизить EOT = 1,2 нм с оптимизированной плотностью захвата интерфейса (Dit), что обеспечивает отличное масштабируемость, почти баллистический транспорт и высокий gm при низком напряжении питания.


РЕФЕРАТ

III-V Универсальный технологический процесс Nanowire MOSFET: от 3D до 4D

Дж. Дж. Гу, 1) X. W. Wang, 2) J. Shao, 3) A. T. Neal, 1) M. J. Manfra, 3) R. G. Gordon, 2) и P. D. Ye 1)

1) Школа электротехники и вычислительной техники, Университет Пердью

2) Кафедра химии и химической биологии Гарвардского университета

3) Физический факультет Университета Пердью,

Введение: III-V полевые МОП-транзисторы на основе нанопроволоки (NW) с универсальным затвором (GAA) или трехмерные транзисторы III-V экспериментально продемонстрировано подходом сверху вниз, показав отличные масштабируемость до длины канала (Lch) 50 нм [1].Однако GM, SS и DIBL сильно ограничены большим EOT устройств [1]. Кроме того, хотя боковая (параллельно поверхности пластины) интеграция ННК проведена. продемонстрировано с высоким приводным током на провод, общая управляемость по току устройств ограничено большим шагом ННК. Чтобы преодолеть это стремление существующим узким местом, впервые был применен нисходящий техпроцесс. разработан для изготовления вертикально уложенных (перпендикулярно поверхности пластины) III-V NWFET, подобные некоторым исследованным Si NWFET [2-3].Мы называем этот новый тип нанопроволочные устройства III-V 4D транзисторы, чтобы отличить их от III-V 3D транзисторы [1], которые имеют только один вертикальный слой и несколько боковых проводов. Экспериментальные результаты, представленные в этом резюме, показывают, что ток возбуждения на Шаг проволоки (Wpitch) значительно увеличен от 3D до 4D структуры. Новое устройство концепция очень многообещающая для будущей высокоскоростной маломощной логики и RF Приложения.


Думаете о слуховых аппаратах? Что нужно знать о слуховых аппаратах

Женщина вставляет слуховой аппарат.

Для миллионов американцев, страдающих потерей слуха, слуховые аппараты обычно являются лучшим способом исправить нелеченую потерю слуха и восстановить высокое качество жизни. Доступно множество типов и стилей на любой вкус и образ жизни.

Что такое слуховой аппарат?

Типичный заушный слуховой аппарат. Это
модель — Oticon Opn.

Слуховые аппараты — это небольшие электронные устройства, которые можно настраивать для лечения различных типов потери слуха.Все цифровые слуховые аппараты содержат по крайней мере один микрофон для приема звука, компьютерный чип, который усиливает и обрабатывает звук, динамик, который посылает сигнал в ваше ухо, и аккумулятор для питания. Более сложные модели предоставляют дополнительные функции, такие как прямое подключение к смартфону или нейронным сетям.

Как слуховые аппараты помогают при потере слуха?

Слуховой аппарат усиливает звуки, идущие в ухо. Чаще всего они назначаются людям с типом потери слуха, известным как «нейросенсорная», что означает повреждение некоторых крошечных волосковых клеток внутреннего уха.Выжившие здоровые волосковые клетки улавливают звук, издаваемый слуховым аппаратом, и отправляют их в виде нейронных сигналов в мозг через слуховой нерв.

Для людей с потерей слуха от легкой до средней степени лучше всего подходят стандартные слуховые аппараты. Модели «Power» часто используются для людей с тяжелой и глубокой потерей слуха, поскольку для их использования требуется больше энергии.

Как мне получить слуховой аппарат?

Слуховые аппараты обычно рекомендуются, если результаты проверки слуха показывают потерю слуха на аудиограмме.Слуховые аппараты продаются в клиниках слуха и аудиологии в США, а также в Интернете. Наш обширный каталог проверенных потребителями слуховых центров поможет вам найти местную клинику.

Какой слуховой аппарат мне подходит?

Пример слухового аппарата с наушником
помощь, которая находится за ухом.

Слуховые аппараты можно разделить на две основные группы: внутриушные (ITE) и заушные (BTE) стили.

В нашем руководстве по типам и стилям слуховых аппаратов обсуждается множество доступных вам вариантов.Размеры варьируются от практически невидимых до заполнения всей чаши уха. Ваш специалист по слуховым аппаратам будет жизненно важным активом, который поможет вам выбрать лучший стиль для вас. Вам также может быть полезно ознакомиться с основными частями слухового аппарата.

Кто производит слуховые аппараты?

Есть несколько производителей слуховых аппаратов, которые предлагают новейшие технологии в области слуховых аппаратов. Компании по производству слуховых аппаратов вкладывают значительные средства в исследования и разработки, чтобы вывести на рынок устройства, которые удовлетворяют разнообразные потребности людей с потерей слуха.Они также стремятся предложить слуховые аппараты, которые могут удовлетворить бюджет любого пользователя.

Большинство специалистов по слуховым аппаратам знакомы с продуктами различных производителей и имеют все необходимые расходные материалы и программное обеспечение, чтобы они соответствовали их устройствам. Когда вы посетите специалиста по слухопротезированию, вы обсудите результаты своего теста на слух, потребности в образе жизни и бюджет. Ваш провайдер поможет вам выбрать наиболее подходящего производителя и лучший продукт именно для вас.

Слуховые аппараты

Многие из производимых сегодня слуховых аппаратов используют индукционные катушки и даже передовые технологии, такие как искусственный интеллект.Телефонные катушки улучшают слух в общественных местах, таких как театры и аэропорты. Между тем, беспроводная технология позволяет двум слуховым аппаратам (по одному на каждое ухо) взаимодействовать друг с другом и, по сути, работать вместе как одна полноценная слуховая система. Это также означает, что слуховые аппараты могут подключаться к внешним источникам звука, которые передаются по беспроводной сети, например, через Bluetooth.

Еще лучше? Многие производители теперь выпускают сопутствующие приложения для слуховых аппаратов, которые дают пользователям дополнительный контроль над своими устройствами.

Слуховой аппарат

После того, как специалист по слуховым аппаратам порекомендует вам слуховые аппараты, при выборе и настройке устройства будет учитываться ряд факторов. Наилучший вариант для вас будет зависеть не только от степени тяжести и типа потери слуха, но и от вашего бюджета, косметических предпочтений, требований к карьере и других проблем.

Поскольку слуховые аппараты индивидуализированы, не все марки, стили или технологические уровни слуховых аппаратов подходят для всех.Даже два человека с одинаковой потерей слуха могут получить разные слуховые аппараты на основании других критериев отбора. Это может затруднить сравнение слуховых аппаратов. Лучше всего поговорить со своим слуховым врачом о том, какие варианты и функции подходят вам.

Сразу станет лучше?

Да, но для привыкания к новым слуховым аппаратам может потребоваться некоторое время. Слушатели-медики выполнят первоначальную настройку, в ходе которой они точно настроят функции и отрегулируют уровни, чтобы обеспечить максимальную пользу от устройств.Важно отметить, что при ношении новых устройств существует период адаптации, и требуется время, чтобы привыкнуть к новым слуховым аппаратам, даже если вы носили какой-либо тип слухового аппарата в течение многих лет.

Чтобы привыкнуть к новым слуховым аппаратам, нужно время.

В настройки слухового аппарата можно добавлять собственные программы

Носите слуховые аппараты в соответствии с инструкциями специалиста-сурдолога и сообщайте ему обо всех проблемах, с которыми вы столкнетесь в процессе.Обычно слуховые аппараты запрограммированы на улавливание речи в тихой обстановке, но в реальном мире вам может понадобиться больше возможностей. К счастью, поставщики слуховых аппаратов могут настроить для вас множество индивидуальных настроек слухового аппарата, включая настройки музыки.

Правда ли, что слуховые аппараты задерживают деменцию?

Слуховые аппараты делают гораздо больше, чем просто усиливают звук. Слух — это сложный неврологический процесс, который связывает вас с миром. Исследования показывают, что слуховые аппараты имеют такие преимущества для здоровья, как уменьшение одиночества, отсрочка развития деменции, а также улучшение качества жизни и чувства безопасности.

Сколько стоят слуховые аппараты?

Слуховые аппараты иногда называют крошечными компьютерами для ушей. Из-за сложной технологии и миниатюрного размера цены на слуховые аппараты могут варьироваться от менее 1000 долларов до более 4000 долларов за ухо за самые лучшие технологии. Возможности, размер и уровень персонализации могут учитывать разницу в стоимости.

Покроет ли страховка мои слуховые аппараты?

Большинство взрослых платят за слуховые аппараты из своего кармана, потому что они обычно не покрываются медицинской страховкой.Тем не менее, рекомендуется проконсультироваться со своей страховой компанией, чтобы узнать, предлагают ли они какие-либо скидки. Для детей страховка, скорее всего, будет покрывать слуховые аппараты — узнайте у своего поставщика, что вам доступно.

Другие варианты оплаты слуховых аппаратов могут включать финансирование, предлагаемое вашим специалистом по слуховым аппаратам, кредит от третьей стороны, такой как CareCredit, благотворительные организации или помощь семьи.

Для других программы, такие как программа слухопротезирования AARP или льготы VA, могут обеспечить доступный доступ к услугам по уходу за слухом.Если у вас есть программа Medicare, она, как правило, не распространяется на слуховые аппараты, но может включать некоторые проверки слуха.

Подробнее: Страхование и финансовая помощь на слуховые аппараты

Где я могу купить дешевые слуховые аппараты?

Если вы пытались найти информацию о дешевых слуховых аппаратах, мы вас поймем. Многим людям интересно узнать, где они могут купить доступные или недорогие слуховые аппараты, которые соответствуют их бюджету и по-прежнему являются высококачественными устройствами. Если вы еще этого не сделали, мы рекомендуем вам обратиться к специалисту по слуховым аппаратам.Сообщите им, что у вас фиксированный доход и какую цену вы рассчитываете заплатить. Во многих случаях они будут стараться найти вам слуховой аппарат, который лучше всего подойдет вам.

Безопасны ли слуховые аппараты?

Да. Слуховые аппараты — это медицинские устройства, регулируемые FDA. Производители слуховых аппаратов должны получить одобрение FDA на свою продукцию, прежде чем продавать ее пользователям. Это значительно снижает риск того, что слуховые аппараты несут какие-либо риски для безопасности, например, слишком громкие или излучают опасные частоты.

Слуховые аппараты не являются персональными усилителями звука

Имейте в виду, что «усилители слуха» и аналогичные продукты, продаваемые на Amazon и других розничных продавцах, относятся к слуховым аппаратам , а не , и не регулируются FDA. Покупая слуховые аппараты в Интернете, будьте осторожны с покупателем.

Уход за слуховыми аппаратами

Хотя многие специалисты по слуховым аппаратам предлагают чистку слуховых аппаратов бесплатно, это хорошая привычка — изучать ежедневное обслуживание и чистку, чтобы защитить свои вложения.

Многие проблемы со слуховым аппаратом можно легко устранить дома или с помощью поставщика слуховых аппаратов.

Мне действительно нужны слуховые аппараты?

Если ваш тест показывает потерю слуха, да. Хотя бывает трудно согласиться с тем, что вам нужны слуховые аппараты, отказ от них увеличивает риск возникновения множества социальных и медицинских проблем, включая изоляцию, снижение когнитивных функций и депрессию.

Путь к здоровому слуху начинается с приема к специалисту по слухопротезированию.Наш большой онлайн-каталог клиник по снижению слуха, проверенных потребителями, — хорошее место для начала, если у вас или вашего близкого есть потеря слуха.

Joy Victory, ответственный редактор, Healthy Hearing

Joy Victory имеет большой опыт редактирования информации о здоровье потребителей. Ее обучение, в частности, было сосредоточено на том, как лучше всего довести до общественности научно обоснованные медицинские руководства и результаты клинических испытаний. Она стремится сделать медицинские материалы точными, доступными и интересными для общественности.Узнайте больше о Джой.

Расширяя горизонты варисторов в электронике: от транзисторов до датчиков

[Примечание редактора: этот отчет нам предоставил Р.К. Панди, доктор философии, профессор инженерной школы Инграма при Техасском государственном университете в Сан-Маркосе, штат Техас.]

Р. К. Панди

Варистор — это простое двухконтактное устройство, в основном на керамических подложках. Это незаменимый компонент почти всех электрических и электронных схем из-за его уникальной способности обеспечивать защиту схемы и ее электронных компонентов, таких как диод или транзистор, от резких скачков напряжения или тока, вызванных сильной погодой или приборами. сбой на электростанциях.

Варистор — аббревиатура от «переменного резистора с неомическим переменным сопротивлением» — был открыт в 1927 году как выпрямитель нового типа на основе оксида меди.1 Однако более современный, краткий перевод варистора мог бы быть «резистор, зависящий от напряжения. (РДР) ».

В цепь (или нагрузку) параллельно включен варистор, который он должен защищать. Обычно он остается в пассивном состоянии до появления скачка напряжения, после чего становится активным и поглощает избыточное напряжение, одновременно защищая чувствительные электронные компоненты в цепи.Как только импульс стихает, варистор возвращается в пассивное состояние.

С момента своего открытия почти 90 лет назад варистор оставался незаменимым электронным элементом из-за своего уникального применения. Современные варисторы для силовой электроники и общих силовых цепей основаны исключительно на металлооксидных полупроводниковых керамических подложках из высокомодифицированного оксида цинка (ZnO), за исключением подложек из карбида кремния (SiC). Однако варисторы из SiC гораздо менее распространены, чем варисторы из ZnO.

Несмотря на свою практическую важность и долгий срок службы, варисторы сегодня остаются незамеченными героями электроники, особенно по сравнению с более привлекательными кремниевыми транзисторами и диодами. К настоящему времени происхождение слова «транзистор» — комбинации слов «крутизна» (или передача) и «варистор» — забыто.

Когда в 1947 году в Bell Labs был обнаружен транзистор, первое твердотельное устройство, лаборатория начала поиск общего названия для нового устройства.Последовало множество предложений, и из шести предложений название «транзистор», предложенное Джоном Р. Пирсом, стало финалистом2. Уже в 1947–1948 годах ученые подозревали или осознали внутреннюю связь между варисторами и транзисторами.

Открытие транзистора было признано гигантским шагом вперед для физики твердого тела. Следовательно, первооткрыватели транзисторов Уолтер Бриттен, Джон Бардин и Уильям Шокли получили Нобелевскую премию по физике в 1956 году. Транзисторы сегодня являются королем микроэлектроники, в то время как варисторы, которые предшествуют транзисторам на 20 лет, остаются бедными родственниками.

Тем не менее, в 2011–2012 годах в Университете штата Техас начали открываться новые горизонты для варисторов. С помощью всего нескольких студентов-электротехников и в сотрудничестве с коллегой по факультету Уильямом А. Стэплтоном я начал поиск новых приложений для варисторов.

Изучая измененные вольт-амперные характеристики варисторов на керамических подложках из титаната железа, моя лаборатория вскоре поняла, что варисторы и транзисторы действительно являются устройствами с сильной связью.За все эти годы не был полностью реализован весь потенциал варисторных устройств. Это привело к открытию так называемых гибридных варисторно-транзисторных устройств (VTH).

Экспериментальная установка для определения влияния магнитного поля на вольт-амперные характеристики варистора. Предоставлено: R.K. Панди; Штат Техас

Было идентифицировано три типа транзисторов, встроенных в варистор: (a) транзисторы с напряжением (VBT), транзисторы с эффектом электрического поля (E-FET) и транзисторы с эффектом магнитного поля (H-FET).3–7 Эти транзисторы обладают всеми типичными атрибутами обычных транзисторов и подходят для множества применений. Транзисторы VBT особенно подходят для высокотемпературной электроники и космической электроники, где уровни излучения настолько высоки, что обычные транзисторы просто не работают.

Двигаясь вперед, мы наткнулись на открытие нового варистора — или, точнее, магнитного датчика на основе VDR — со многими приложениями, включая исследование новых источников энергии путем каротажа скважин.8,9 Другие устройства, которые могут быть произведены с использованием модифицированных вольт-амперных характеристик варистора, включают усилители сигналов, фильтры нижних частот, которые включают ряд слуховых систем человека, и усилители звука. Мы надеемся, что, проложив путь к расширению горизонтов варисторов, мы указали путь для появления новой электронной технологии на основе керамики.

Список литературы

1 L.O. Грондал и П. Гейгер, Новый электронный выпрямитель, Пер. AIEE 46, 357-366, (1927).

2 Bell Telephone Laboratories, Технический меморандум; 28 мая 1948 г.

3 RK Pandey, William A. Stapleton, Ivan Sutanto, Amanda A.Scantlin и Sidney Lin, «Свойства и применение гибридных устройств варисторно-транзисторного типа», Journal of Electronic Materials, 43 (5), 1307-1316195, (2014) . DOI 10.10071 / s11664-014-3067-8.

4 RK Pandey, WA Stapleton, I. Sutanto, AAScantlin and S. Lin, «Конфигурации, характеристики и применения новых гибридных варисторных и транзисторных устройств с использованием полупроводниковых керамических подложек из псевдобрукитового оксида», Ceramic Transactions, 249, 175-195, ( 2014), (в серии «Обработка и свойства керамики и композитов», VI, Американское керамическое общество).

5 Р. К. Панди, В. А. Стэплтон и Иван Сутанто, «Природа и характеристики варистора со смещением напряжения и встроенного в него транзистора», IEEE J. Electron Device Soc. 3, 1-8, (2015). DOI 10.1109 / JEDS 2015, 2409023.

6 Р. К. Пандей, В. А. Стэплтон, П. Падмини, Дж. Доу и Р. Шад, «Магнитно-настраиваемое гибридное устройство варистор-транзистор», AIP Advances, 2, 042188 / 1-8, (2012).

7 Заявка на патент США № 61/569379 / Международная заявка № PCT / US2012 / 055503 (заявка на рассмотрение; подана в сентябре 2012 г.): «Гибридные устройства на основе варистора и транзистора», Изобретатели: Р.К. Панди, Уильям А. Стэплтон, Иван Сутанто и Аманда А. Скантлин (на рассмотрении).

8 Р. К. Пандей, Уильям А. Стэплтон, Иван Сутанто и М. Шамсуццога, «Магнитные датчики со смещением напряжения на основе настроенных варисторов», Журнал электронных материалов, 44 (4), 1100-1109, (2015). DOI 10.1007 / s1664-015-3632-9.

9 Р. К. Пандей, Уильям А. Стэплтон и Иван Сутанто, «Магнитные датчики со смещением напряжения на основе IHC 45 VDR», Ceramic Transactions, Vol. 252, Обработка и свойства усовершенствованной керамики и композитов VII (в печати; появится в печати к сентябрю 2015 г.).

Beyond Silicon: транзисторы без полупроводников

Марсия Гудрич

Опубликовано

Электроны мигают через серию золотых квантовых точек на нанотрубках нитрида бора.Мичиган Ученые-технологи создали устройство квантового туннелирования, которое действует как транзистор на комнатная температура, без использования полупроводниковых материалов. Yoke Khin Yap графика

На протяжении десятилетий электронные устройства становились все меньше, меньше и меньше. Теперь возможно — даже рутинно — разместить миллионы транзисторов на одном кремнии. чип.

Но транзисторы на основе полупроводников могут быть только такими маленькими. «По текущему курсу технологии развиваются, через 10 или 20 лет они не смогут стать меньше », сказал физик Йок Кхин Яп из Мичиганского технологического университета. «Кроме того, полупроводники есть еще один недостаток: они тратят много энергии в виде тепла ».

Ученые экспериментировали с различными материалами и конструкциями транзисторов. для решения этих проблем всегда используются полупроводники, такие как кремний.Еще в 2007 году Яп хотел попробовать что-то другое, что могло бы открыть дверь в новую эру электроники.

«Идея заключалась в том, чтобы сделать транзистор, используя наноразмерный изолятор с наноразмерными металлами. сверху », — сказал он. «В принципе, можно было взять кусок пластика и намазать горсть металлических порошков сверху, чтобы сделать устройства, если вы все сделаете правильно. Но мы пытались чтобы создать его в наномасштабе, мы выбрали изолятор наноразмеров, нанотрубки из нитрида бора, или BNNT для подложки.”

Команда

Япа придумала, как делать виртуальные ковры из BNNT, которые являются изоляторами и, следовательно, обладают высокой устойчивостью к электрическому разряду. С использованием лазеры, команда затем разместила квантовые точки (КТ) золота размером всего три нанометра. поперек на вершинах BNNT, образуя QD-BNNT. БННТ — идеальные подложки для этих квантовых точек из-за их малых, контролируемых и однородных диаметров, как а также их изолирующий характер.BNNT ограничивают размер точек, которые могут быть нанесены.

В сотрудничестве с учеными из Окриджской национальной лаборатории (ORNL) они уволили электроды на обоих концах КТ-БННТ при комнатной температуре, и кое-что интересное случилось. Электроны очень точно прыгали от золотой точки к золотой — феномен известное как квантовое туннелирование.

«Представьте, что нанотрубки — это река с электродом на каждом берегу.А теперь представьте несколько крошечных ступенек через реку, — сказал Яп. «Электроны прыгали между золотыми ступеньками. Камни такие маленькие, что можно получить только один электрон на камне по очереди. Все электроны проходят одинаково, поэтому устройство всегда стабильный.»

Команда Япа создала транзистор без полупроводника.При достаточном напряжении был применен, он перешел в проводящее состояние. Когда напряжение было низким или повернулось выключен, он вернулся в свое естественное состояние как изолятор.

Кроме того, не было «утечки»: электроны из золотых точек не уходили в изоляционные BNNT, таким образом сохраняя туннельный канал прохладным. Напротив, кремний подвержен утечке, которая тратит энергию в электронных устройствах и генерирует много тепла.

Другие люди создали транзисторы, использующие квантовое туннелирование, сообщает Michigan Tech. физик Джон Ящак, который разработал теоретическую основу для экспериментального исследования Япа. исследовательская работа. Однако эти туннельные устройства работали только в условиях, которые отговорить обычного пользователя мобильного телефона.

«Они работают только при температурах жидкого гелия», — сказал Ящак.

Секрет устройства Япа на основе золота и нанотрубок заключается в его субмикроскопическом размере: один микрон. длиной и шириной около 20 нанометров. «Золотые острова должны быть порядка нанометров. поперек, чтобы контролировать электроны при комнатной температуре », — сказал Ящак. «Если они слишком большой, может течь слишком много электронов ». В этом случае чем меньше, тем лучше: «Работает. с нанотрубками и квантовыми точками позволяет достичь желаемых размеров электронных устройств.”

«Теоретически эти туннельные каналы могут быть уменьшены практически до нулевого размера. когда расстояние между электродами уменьшается до небольшой доли микрона, » сказал Яп.

Яп подал заявку на получение полного международного патента на эту технологию.

Их работа описана в статье «Туннельное поведение при комнатной температуре нанотрубок нитрида бора, функционализированных с помощью Золотые квантовые точки », опубликованной 17 июня в журнале Advanced Materials.Помимо Япа и Ящака, Среди соавторов — ученый-исследователь Дунъян Чжан, постдокторанты Чи Хуэй Ли и Цзишенг Ван и аспиранты Мадхусудан А. Савайкар, Бойи Хао, и Дуглас Баньяи из Мичиганского технологического института; Шэнъён Цинь, Кендал В. Кларк и Ань Пин Ли Центра науки о нанофазных материалах ORNL; и Хуан-Карлос Идробо из Отделение материаловедения и технологий ORNL.

Работа финансировалась Управлением фундаментальных энергетических наук Министерства энергетики США. Energy (Награда № DE-FG02-06ER46294, PI: Y.K.Yap) и частично проводилась в ORNL (Проекты CNMS2009-213 и CNMS2012-083, PI: Y.K.Yap).

Мичиганский технологический университет — государственный исследовательский университет, в котором проживает более 7000 студентов из 54 стран.Основанный в 1885 году, университет предлагает более 120 программ бакалавриата и магистратуры в области науки и технологий, инженерии, лесное хозяйство, бизнес и экономика, медицинские специальности, гуманитарные науки, математика и социальные науки. Наш кампус на Верхнем полуострове Мичигана выходит на водный путь Кивинау. и находится всего в нескольких милях от озера Верхнее.

Биологический транзистор позволяет проводить вычисления в живых клетках, говорится в исследовании | Центр новостей

Стив Фиш

Биологический транзистор, разработанный Джеромом Боннетом и его коллегами, можно использовать внутри живых клеток для записи, когда клетки подвергались определенным внешним стимулам, или даже для включения и выключения размножения клеток по мере необходимости.

Когда Чарльз Бэббидж создал прототип первой вычислительной машины в 19 веке, он вообразил использование механических шестерен и защелок для управления информацией. ENIAC, первый современный компьютер, разработанный в 1940-х годах, использовал электронные лампы и электричество. Сегодня компьютеры используют транзисторы, сделанные из высокотехнологичных полупроводниковых материалов, для выполнения своих логических операций.

И теперь команда биоинженеров Стэнфордского университета перенесла вычисления, выходящие за рамки механики и электроники, в живую сферу биологии.В статье, опубликованной 28 марта в Science , команда подробно описывает биологический транзистор, сделанный из генетического материала — ДНК и РНК — вместо шестеренок или электронов. Команда называет свой биологический транзистор «транскриптором».

«Транскрипторы являются ключевым компонентом усиления генетической логики — сродни транзистору и электронике», — сказал Джером Боннет, доктор философии, постдокторант в области биоинженерии и ведущий автор статьи.

Создание транскриптора позволяет инженерам производить вычисления внутри живых клеток для записи, например, того, когда клетки подверглись воздействию определенных внешних стимулов или факторов окружающей среды, или даже для включения и выключения размножения клеток по мере необходимости.

«Биологические компьютеры можно использовать для изучения и перепрограммирования живых систем, мониторинга окружающей среды и улучшения клеточной терапии», — сказал Дрю Энди, доктор философии, доцент кафедры биоинженерии и старший автор статьи.

Биологический компьютер

В электронике транзистор управляет потоком электронов по цепи. Точно так же в биопрепаратах транскриптор контролирует поток определенного белка, РНК-полимеразы, когда он перемещается по цепи ДНК.

«Мы перепрофилировали группу природных белков, называемых интегразами, чтобы реализовать цифровой контроль над потоком РНК-полимеразы вдоль ДНК, что, в свою очередь, позволило нам разработать усиливающую генетическую логику», — сказал Энди.

Используя транскрипторы, команда создала то, что известно в электротехнике как логические ворота, которые могут получать истинно-ложные ответы практически на любой биохимический вопрос, который может быть задан внутри клетки.

Они называют свои логические вентили, основанные на транскрипторах, «логической логикой интеграции» или для краткости «вентилями BIL».

Ворота на основе транскрипторов сами по себе не составляют компьютер, но они являются третьим и последним компонентом биологического компьютера, который может работать в отдельных живых клетках.

Несмотря на свои внешние различия, все современные компьютеры, от ENIAC до Apple, разделяют три основные функции: хранение, передачу и выполнение логических операций с информацией.

В прошлом году Энди и его команда сделали новость о поставке двух других основных компонентов полностью функционального генетического компьютера. Первый был разновидностью перезаписываемого хранилища цифровых данных в ДНК. Они также разработали механизм передачи генетической информации от клетки к клетке, своего рода биологический Интернет.

Все это сводится к созданию компьютера внутри живой клетки.

Золото Буля

Дрю Энди

Цифровую логику часто называют «булевой логикой» в честь Джорджа Буля, математика, который предложил систему в 1854 году. Сегодня булевская логика обычно принимает в компьютере форму единиц и нулей. Ответ верный, ворота открыты; ответ ложный, ворота закрыты. Открыть. Закрыто. На. Выключенный. 1. 0. Вот и все. Но оказывается, что с помощью этих простых инструментов и способов мышления можно добиться довольно многого.

«И» и «ИЛИ» — это всего лишь два основных элемента логической логики. Например, вентиль «И» является «истинным», когда оба его входа истинны — когда «a» и «b» истинны. С другой стороны, вентиль «ИЛИ» истинен, когда один или оба его входа истинны.

В биологической среде возможности логики так же безграничны, как и в электронике, объяснил Бонне. «Вы можете проверить, подвергалась ли данная клетка любому количеству внешних раздражителей — например, присутствию глюкозы и кофеина.BIL Gates позволит вам сделать это определение и сохранить эту информацию, чтобы вы могли легко идентифицировать тех, которые были раскрыты, а какие нет », — сказал он.

Точно так же вы можете сказать клетке начать или прекратить воспроизводство, если присутствуют определенные факторы. И, соединив ворота BIL с биологическим Интернетом команды, можно передавать генетическую информацию от клетки к клетке, чтобы управлять поведением группы клеток.

«Возможности применения ограничены только воображением исследователя», — сказала соавтор Моника Ортис, кандидат наук в области биоинженерии, которая продемонстрировала автономную межклеточную связь ДНК, кодирующей различные ворота BIL.

Создание расшифровщика

Для создания транскрипторов и логических вентилей команда использовала тщательно откалиброванные комбинации ферментов — интегразы, упомянутые ранее, — которые контролируют поток РНК-полимеразы вдоль нитей ДНК. Если бы это была электроника, ДНК — это провод, а РНК-полимераза — электрон.

«Выбор ферментов важен, — сказал Бонне. «Мы тщательно отбирали ферменты, которые действуют в бактериях, грибах, растениях и животных, чтобы биокомпьютеры можно было создавать в самых разных организмах.”

С технической стороны, транскриптор обеспечивает ключевое сходство между биологическим транзистором и его полупроводниковым собратом: усиление сигнала.

С транскрипторами очень небольшое изменение экспрессии интегразы может вызвать очень большое изменение экспрессии любых двух других генов.

Чтобы понять важность усиления, примите во внимание, что транзистор был первоначально задуман как способ заменить дорогие, неэффективные и ненадежные электронные лампы при усилении телефонных сигналов для трансконтинентальных телефонных звонков.Электрические сигналы, распространяющиеся по проводам, тем слабее, чем дальше они проходят, но если вы будете время от времени включать усилитель по пути, вы можете ретранслировать сигнал на большое расстояние. То же самое можно сказать и о биологических системах, когда сигналы передаются между группой клеток.

«Это концепция, аналогичная транзисторным радиоприемникам», — сказал Пакпум Субсунторн, кандидат наук в области биоинженерии и соавтор исследования, который разработал теоретические модели для прогнозирования поведения ворот BIL. «Относительно слабые радиоволны, распространяющиеся по воздуху, могут усиливаться в звук.”

Биотехнология, являющаяся общественным достоянием

Чтобы приблизить эпоху биологического компьютера к гораздо более быстрой реальности, Энди и его команда внесли все шлюзы BIL в общественное достояние, чтобы другие могли немедленно использовать и улучшить инструменты.

«Большая часть биотехнологии еще не вообразилась, не говоря уже о том, чтобы стать реальностью. Свободно делясь важными базовыми инструментами, каждый может лучше работать вместе », — сказал Боннет.

Исследование финансировалось Национальным научным фондом и Фондом Тауншенда Ламарра.

Информация о Департаменте биоинженерии Стэнфорда, который также поддерживал эту работу, доступна на http://bioengineering.stanford.edu. Отделение находится в ведении Инженерной школы и Медицинской школы.

ВЧ-транзисторы

добавляют мощность, вычитают тепло

Разработчики мощных ВЧ-транзисторов сталкиваются с постоянной проблемой рассеивания большого количества тепла от небольших устройств для достижения более высоких уровней выходной мощности. В идеале энергия, вложенная в ВЧ-транзистор, должна быть преобразована непосредственно в выходную ВЧ-мощность, но такая 100-процентная эффективность стока может быть достигнута только в идеальном мире.В действительности, более половины мощности, подаваемой на ВЧ-транзистор, обычно должно рассеиваться в виде тепла, и производители ВЧ-транзисторов решают такие проблемы, используя теплопроводящие материалы в инновационных корпусах. Увеличив мощность, которая может быть передана от одного устройства, поставщики силовых ВЧ транзисторов сократили количество каскадов усилителя и устройств, необходимых для достижения заданного уровня выходной мощности в усилителе большой мощности (HPA), независимо от того, используется ли он. для коммерческого, промышленного, медицинского или военного применения.Ниже приведены примеры недавних представлений высокомощных устройств от некоторых ведущих поставщиков транзисторов.

Для упрощения установки в высокочастотные цепи многие современные мощные ВЧ-транзисторы имеют внутреннее согласование по сопротивлению, так что входные и выходные порты уже имеют сопротивление 50 Ом. Компания Integra Technologies ( www.integratech.com ), например, предлагает линейки транзисторов, которые фактически напоминают схемы усилителя, получившие название устройств Miniaturized Power Amplifier (MPA).На основе технологии латерально рассеянного металла-оксида-полупроводника (LDMOS) были разработаны первые устройства MPA для приложений S-диапазона на частотах от 2,7 до 3,1 ГГц и от 3,0 до 3,5 ГГц. Металлизированные золотом транзисторы предназначены для работы в условиях смещения от класса A до класса B и для работы в широком диапазоне импульсных (разная ширина импульса и скважность) условий.

Модель

MPAL3035M15 рассчитана на типичную выходную мощность 15 Вт, но может использоваться для выходных уровней всего 5 Вт при сохранении хорошей точности воспроизведения выходных импульсов.Модель MPAL3035M30, которая рассчитана на пиковую импульсную выходную мощность 35 Вт в диапазоне от 3,0 до 3,5 ГГц для импульсных радиолокационных систем S-диапазона, может использоваться для обеспечения уровней выходной мощности до 1 Вт. Она обеспечивает минимальное усиление мощности 11 дБ с коэффициентом 0,3. -дБ максимальное падение амплитуды импульса. Он может выдерживать рассогласование нагрузки, эквивалентное КСВН 3,0: 1 при номинальной выходной мощности без повреждений.

Компания

HVVi Semiconductors, Inc. (www.hvvi.com) добавила запатентованную технологию высоковольтного вертикального полевого транзистора (HVVFET) к опциям устройств для создания мощных ВЧ / СВЧ-усилителей для коммерческих и военных приложений.Архитектура вертикальных транзисторов обещает увеличенную полосу частот при более высоком напряжении и более высоких уровнях мощности, чем традиционные архитектуры кремниевых транзисторов для начальных применений в системах радаров и авионики. Подложка HVVFET служит стоком транзистора. Транзистор HVFET истощается вертикально в подложку, когда напряжение питания подается на сток. Архитектура устройства приближается к планарному пробою в области вертикального стока, выдерживая максимальное напряжение при минимальном сопротивлении.Эта архитектура предлагает потенциал для высокой плотности устройств с низкой паразитной емкостью (для работы с более высоким напряжением и более высокой частотой). Производительность имеет тенденцию улучшаться при более высоких напряжениях, открывая путь для будущих разработок устройств с более высоким напряжением.

Первые три продукта

HVVi разработаны для импульсных приложений L-диапазона, таких как радарные системы IFF, TCAS, TACAN и Mode-S. Эти три транзистора относятся к моделям PVV1011-300, PVV1214-25 и PVV1214-100. Все три устройства рассчитаны на работу при +48 В постоянного тока.Фирменный процесс изготовления полупроводниковых пластин HVVFET чрезвычайно масштабируем, что позволяет разрабатывать более мощные устройства с той же компоновкой и дизайном, просто увеличивая размер кристалла транзистора.

Модель

PVV1011-300 обеспечивает импульсную выходную мощность 300 Вт в диапазоне от 1030 до 1090 МГц с усилением 15 дБ и 48-процентным КПД при оценке с помощью сигнала шириной 50 микросекунд с периодом импульса 1 мс. Транзистор может выдерживать условия нагрузки, эквивалентные рассогласованию КСВН 20,0: 1 при всех углах фаз и при полной номинальной выходной мощности.

Модель

PVV1214-25 обеспечивает выходную мощность 25 Вт в диапазоне от 1200 до 1400 МГц с сигналом шириной 200 микросекунд при скважности импульса 10 процентов. При полной номинальной мощности он обеспечивает типичное усиление 17,5 дБ. Модель PVV1214-100 обеспечивает выходную мощность 100 Вт в диапазоне от 1200 до 1400 МГц с типичным усилением 19,5 дБ. Оба последних устройства предназначены для выдерживания несоответствия выходной нагрузки, эквивалентного КСВН 20,0: 1 при номинальных уровнях выходной мощности и номинальных рабочих напряжениях. Президент фирмы и главный исполнительный директор (генеральный директор) Вил Салхуана добровольно заявляет, что «хотя в настоящее время используются кремниевые ВЧ транзисторные технологии, такие как биполярный и LDMOS, они хорошо служат разработчикам радаров и авионики, но достигли потолка с точки зрения производительности.Создав первый высокочастотный высоковольтный вертикальный полевой транзистор, мы пересмотрели рабочие характеристики дискретного кремниевого силового транзистора и открыли двери для огромного количества новых приложений ». Технология вертикальных устройств юридически защищена в Условиями 10 патентов США и семи поданных иностранных патентов. Ожидается, что помимо первоначальных применений в мощных импульсных радиолокационных системах L-диапазона, транзисторная технология будет использоваться в новых приложениях в различных отраслях беспроводной связи, таких как сотовая инфраструктура, радиовещание и промышленность. -Научно-Медицинские (ISM) диапазоны приложений.

Freescale Semiconductor (www.freescale.com) недавно добавила к своему высокопроизводительному портфолио LDMOS пару устройств с N-канальным расширенным режимом, модель MRF6V10010N для использования от 960 до 1400 МГц и модель MRF6V1430H для приложений от 1200 до 1400 МГц. . Первый обеспечивает пиковую мощность 10 Вт с усилением 25 дБ и впечатляющую эффективность стока 69 процентов при питании сигналов с длительностью импульса 100 микросекунд в течение 20-процентного рабочего цикла. Модель MRF6V1430H с более высокой мощностью обеспечивает пиковую выходную мощность 330 Вт с усилением 18 дБ и 60 дБ.5-процентная эффективность стока при работе с сигналами с шириной импульса 300 микросекунд в течение 12-процентного рабочего цикла. Оба устройства соответствуют требованиям RoHS и защищены от электростатического разряда; транзистор большей мощности также имеет внутреннее согласование с сопротивлением 50 Ом для облегчения установки в высокочастотные цепи.

В последние годы у разработчиков транзисторов был выбор, кроме высокочастотных устройств на основе кремния и материалов подложки GaAs, с появлением коммерческих транзисторов из нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC) от нескольких производителей.Например, Cree (www.cree.com) недавно анонсировала свою непревзойденную модель CRF24060 SiC-транзистора для коммерческих и военных широкополосных приложений до 2,4 ГГц. Устройство MESFET с напряжением + 48 В постоянного тока обеспечивает выходную мощность 60 Вт на частоте 1500 МГц с коэффициентом усиления 13 дБ и эффективностью стока 45 процентов. Чтобы помочь разработчикам усилителей, компания предлагает типичные параметры рассеяния (S) для устройства в диапазоне от 100 до 3000 МГц на своих веб-страницах с техническими данными.

Ранее в этом году компания Nitronex (www.nitronex.com) анонсировала свое устройство на базе транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) модели NPT1004, способное обеспечивать выходную мощность 45 Вт на частоте 4 ГГц при работе при +28 В постоянного тока с импульсным или высоким отношением пика к среднему. -ratio (PAR) сигналов.Созданный на основе запатентованной компанией технологии устройства GaN-на-кремнии, транзистор заключен в уникальный термостойкий пластиковый корпус для эффективного отвода тепла. Также в этом году компания объявила о подписании Меморандума о взаимопонимании с известным поставщиком микроволновых компонентов и узлов Merrimac Industries (www.merrimacind.com) для разработки высокоинтегрированных усилителей мощности на основе GaN с использованием запатентованной технологии многослойных схем Multi-Mix от Merrimac. . Превосходное тепловыделение многослойных схем обеспечивает долгосрочную надежность высокомощных ВЧ-транзисторов Nitronex.

Для тех, кто сомневается в надежности силовых ВЧ-транзисторов на основе GaN, Nitronex теперь предлагает калькулятор надежности на своем веб-сайте. Доступный для бесплатной загрузки калькулятор надежности включает предварительно запрограммированные параметры устройства, которые помогают рассчитать производительность и среднее время наработки на отказ (MTTF) для широкого диапазона мощных ВЧ-транзисторов GaN на кремнии. Пользователи могут изменять входные значения для калькулятора, такие как температура фланца, усиление, выходная мощность, эффективность стока и тепловое сопротивление, а также рассчитывать производительность устройства, включая ожидаемое время наработки на отказ.Для получения дополнительной информации о калькуляторе надежности от Nitronex см. Статью в июльском выпуске журнала Penton’s Military Electronics, доступном на веб-сайте Microwaves & RF по адресу www.mwrf.com.

Поставщик услуг для литейного производства TriQuint Semiconductor (www.triquint.com) также поставляет обширную линейку кремниевых силовых транзисторов LDMOS для беспроводных базовых станций. Устройства, первоначально добавленные в результате приобретения компании Peak Devices в 2007 году, доступны для уровней мощности от 30 до 180 Вт на частотах от 865 МГц до 2.7 ГГц.

STMicroelectronics (st.com) предлагает свои высокочастотные МОП-транзисторы SD293X и SD393X для промышленных, научных и медицинских приложений (ISM). Основанные на технологии N-канальных РЧ-полевых МОП-транзисторов с металлизированным золотом, устройства, как утверждается, обеспечивают более высокий коэффициент усиления ВЧ-мощности за счет использования экранирующей конструкции, которая снижает емкость обратной связи. Например, устройства серии SD294X, прямые потомки серии SD293X компании, обеспечивают уровни выходной мощности от 175 до 350 МГц на частотах ISM (по сравнению с максимальной выходной мощностью 300 Вт для более старого процесса).

Модель SD2941-10 работает при +50 В постоянного тока и обеспечивает выходную мощность 175 Вт на частоте 175 МГц с типичным усилением 21,5 дБ. Он имеет сопротивление теплового перехода 0,45 ° C / Вт в одностороннем корпусе. Для большей мощности на той же частоте фирменная модель SD2942 работает при +50 В постоянного тока и обеспечивает выходную мощность 350 Вт на частоте 175 МГц с типичным усилением 17,5 дБ с минимальной эффективностью стока 55% и сопротивлением теплового перехода 0,35 ° C / Вт в двухтактный пакет. Модель SD2943 также работает при +50 В постоянного тока и обеспечивает выходную мощность 350 Вт на частоте 30 МГц с типичным усилением 25 дБ в несимметричном корпусе.Эти транзисторы подходят для усилителей для применений в ЯМР, FM / VHF радиовещании, промышленных лазерах, радиочастотном нагреве, генераторах плазмы и системах связи с одной боковой полосой (SSB).

Продолжение на стр. 2

Название страницы

Tyco Electronics, M / A-COM (www.macom.com) предлагает множество различных силовых ВЧ / СВЧ-транзисторов, включая кремниевые биполяры, кремниевые MOSFET, GaAs MESFET и кремниевые LDMOS устройства. Например, модель фирмы MAPRST1030-1KS представляет собой кремниевый силовой транзистор NPN для импульсных систем авионики.Поставляемое в корпусе, соответствующем требованиям RoHS, металлизированное устройство класса C обеспечивает выходную мощность 1000 Вт на частоте 1030 МГц при работе при +50 В постоянного тока с 10-микросекундными импульсами при рабочем цикле 1%. Он обеспечивает усиление 8,74 дБ с эффективностью стока более 50%. Фирменная модель MAPR-000912-500S00 также представляет собой импульсный транзистор авионики для приложений от 960 до 1215 МГц. Устройство класса C обеспечивает выходную мощность 598 Вт с эффективностью стока 50,9% и усилением 9,77 дБ при 960 МГц и +50 В постоянного тока, а также выходную мощность 54 Вт при 56.Эффективность стока 1 процент и усиление 9,44 дБ на частоте 1215 МГц и +50 В постоянного тока с импульсными сигналами с коротким рабочим циклом. Модель MAPLST2122-090CF — это LDMOS-устройство с выходной мощностью 90 Вт в диапазоне от 2100 до 2200 МГц, работающее от +28 В постоянного тока.

IXYS RF (www.ixysrf.com) предлагает широкий спектр линейных устройств Z-MOS на 150 В для FM и UHF, включая одностороннее устройство модели IXZ210N50L с выходной мощностью 300 Вт и усилением 14 дБ и модель IXZ2210N50L push -тягивающее устройство с выходной мощностью 550 Вт и усилением 14 дБ.Фирменная модель IXZ215N12L представляет собой несимметричное устройство с выходной мощностью 150 Вт и усилением 13 дБ на частоте 175 МГц.

Advanced Semiconductor, Inc. (www.advancedsemiconductor.com) запасные части для транзисторов от Motorola, Philips Semiconductors и SGS Thomson. Например, для военной связи компания предлагает модель UML125B с напряжением +28 В постоянного тока с выходной мощностью 125 Вт, усилением 7 дБ на частоте 400 МГц и выходной мощностью 100 Вт и усилением 5,5 дБ на частоте 500 МГц. Транзистор имеет 55-процентный КПД стока на частоте 500 МГц.

Infineon Corp. (www.infineon.com) также предлагает широкий спектр устройств питания, включая модель PTFA092201E / F с выходной мощностью 220 Вт в диапазоне от 920 до 960 МГц. Предназначенное для применения в усилителях EDGE и WCDMA, устройство поставляется в корпусах с несимметричным фланцем с винтовым креплением или с несъемным фланцем без ушей. Согласованный внутри GOLDMOS RF LDMOS FET обеспечивает типичную производительность WCDMA с двумя несущими на частоте 960 МГц и +30 В постоянного тока при средней выходной мощности 55 Вт, линейное усиление 18,5 дБ, эффективность стока 30 процентов и характеристики интермодуляционных искажений (IMD) на уровне — 37 дБм.Фирменная модель PTFA082201E / F LDMOS FET также работает при +30 В постоянного тока, обеспечивая выходную мощность 220 Вт в диапазоне от 869 до 894 МГц с усилением 18,5 дБ. Он отличается 30-процентной эффективностью стока и характеристиками IMD -37 дБм. В режиме CW он обеспечивает выходную мощность 250 Вт при компрессии 1 дБ и +30 В постоянного тока на частоте 894 МГц.

Дополнительные поставщики мощных ВЧ-транзисторов включают Ericsson (www. Ericsson.com), Microsemi (www.microsemi.com), NXP Semiconductors (www.nxp.com, ранее Philips Semiconductors), ON Semiconductor (www.onsemi.com), P1db (www.p1db.com) и Renesas (www.america.renasas.com). Например, NXP недавно представила силовой LDMOS-транзистор + 32 В постоянного тока модели BLF6G27-135 с типичной средней выходной мощностью 20 Вт на одной несущей в диапазоне от 2500 до 2700 МГц. Он обеспечивает усиление мощности на 16 дБ в этом диапазоне с эффективностью стока 22,5% и ACPR -52 дБн. Устройство оснащено встроенной защитой от электростатического разряда. Компания также недавно анонсировала транзистор BLF369 LDMOS + 32 В постоянного тока для УКВ-приложений, с импульсной выходной мощностью 500 Вт на частоте 225 МГц с усилением 18 дБ и 60-процентным КПД стока, работающим в условиях класса AB.

P1db предлагает обширную линейку кремниевых биполярных силовых транзисторов для приложений от 1 до 4200 МГц с выходной мощностью до 450 Вт на частоте 450 МГц для импульсных УВЧ радаров.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *