Параметры irf730: Транзисторы IRF730 — параметры, расположение выводов(цоколевка).

alexxlab

Содержание

Транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220

Описание товара Транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220
  • Тип транзистора: N-канальный;
  • Максимальный ток «сток»-«исток»: 7A;
  • Максимальный напряжение «сток»-«исток»: 400V;
  • Тип корпуса: TO-220.
Отличительные особенности и преимущества транзистора IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220

Транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.

Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода («сток» и «исток»), а управляющий электрод – затвор.

Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор.

Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе.

Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

Транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.

Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.

Основные параметры транзистора IRF730 полевого

При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.

Максимальный ток для полевого транзистора IRF730 составляет 7A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.

Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током «исток»-«сток».

Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами «сток» и «исток». При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для рассматриваемой модели напряжение составляет 400V.

Также транзистор IRF730 характеризуется напряжением отсечки на участке «затвор»-«исток». Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.

От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.

Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.

При проектировании схем с применением полевого транзистора IRF730 следует учитывать:

  • чувствительность к перегреву;
  • высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.

В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.

Предпочтительный вариант — пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.

Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.

Купить транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.

Автор на +google

Качество mosfet irf730 для электронных проектов

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. mosfet irf730 на выбор в соответствии с вашими потребностями. mosfet irf730 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. mosfet irf730, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 
mosfet irf730 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. mosfet irf730 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. mosfet irf730 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели. 
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. mosfet irf730 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. mosfet irf730 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. mosfet irf730 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
Откройте для себя удивительно доступный. mosfet irf730 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Irfs730 — параметры транзистора mosfet, его аналоги, datasheet

IRF730ASPBF Datasheet (PDF)

1.1. irf730alpbf irf730aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 400
Definition
RDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 1.0
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 22
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 5.8
Ruggedness
Qgd (nC) 9.3
• Fully Characteriz

2.1. irf730as.pdf Size:149K _international_rectifier

PD-93772A
SMPS MOSFET
IRF730AS/L
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
Pak
Avalanche Voltag

2.2. irf730as-l.pdf Size:309K _international_rectifier

PD-95114
SMPS MOSFET
IRF730AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
l Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262

IRF730APBF Datasheet (PDF)

1.1. irf730apbf.pdf Size:206K _upd-mosfet

IRF730A, SiHF730A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg results in Simple Drive
VDS (V) 400
Available
Requirement
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 1.0
RoHS*
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 22 Ruggedness
Qgs (nC) 5.8 • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Qgd (nC) 9.3
• Effecti

3.1. irf730alpbf irf730aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 400
Definition
RDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 1.0
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 22
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 5.8
Ruggedness
Qgd (nC) 9.3
• Fully Characteriz

3.2. irf730as.pdf Size:149K _international_rectifier

PD-93772A
SMPS MOSFET
IRF730AS/L
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
Pak
Avalanche Voltag

 3.3. irf730as-l.pdf Size:309K _international_rectifier

PD-95114
SMPS MOSFET
IRF730AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
l Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262

3.4. irf730a.pdf Size:376K _international_rectifier

PD — 94976
SMPS MOSFET
IRF730APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
l Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Volt

 3.5. irf730a.pdf Size:927K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 400 V
Avalanche Rugged Technology
?
RDS(on) = 1.0
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 5.5 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V

?
Lower RDS(ON) : 0.765 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Un

3.6. irf730a sihf730a.pdf Size:206K _vishay

IRF730A, SiHF730A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg results in Simple Drive
VDS (V) 400
Available
Requirement
RDS(on) (?)VGS = 10 V 1.0
RoHS*
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 22 Ruggedness
Qgs (nC) 5.8 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Qgd (nC) 9.3
Effective Coss Spec

3.7. irf730a.pdf Size:234K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF730A
FEATURES
·Drain Current –I [email protected] T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 400V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Low Drive Requirement
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switch Mode Power Supply
·Uninterruptable Power Supply
·High speed power swi

IRF730AL Datasheet (PDF)

1.1. irf730alpbf irf730aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 400
Definition
RDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 1.0
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 22
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 5.8
Ruggedness
Qgd (nC) 9.3
• Fully Characteriz

3.1. irf730apbf.pdf Size:206K _upd-mosfet

IRF730A, SiHF730A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg results in Simple Drive
VDS (V) 400
Available
Requirement
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 1.0
RoHS*
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 22 Ruggedness
Qgs (nC) 5.8 • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Qgd (nC) 9.3
• Effecti

3.2. irf730as.pdf Size:149K _international_rectifier

PD-93772A
SMPS MOSFET
IRF730AS/L
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
Pak
Avalanche Voltag

 3.3. irf730as-l.pdf Size:309K _international_rectifier

PD-95114
SMPS MOSFET
IRF730AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
l Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262

3.4. irf730a.pdf Size:376K _international_rectifier

PD — 94976
SMPS MOSFET
IRF730APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
l Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Volt

 3.5. irf730a.pdf Size:927K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 400 V
Avalanche Rugged Technology
?
RDS(on) = 1.0
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 5.5 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V

?
Lower RDS(ON) : 0.765 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Un

3.6. irf730a sihf730a.pdf Size:206K _vishay

IRF730A, SiHF730A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg results in Simple Drive
VDS (V) 400
Available
Requirement
RDS(on) (?)VGS = 10 V 1.0
RoHS*
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 22 Ruggedness
Qgs (nC) 5.8 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Qgd (nC) 9.3
Effective Coss Spec

3.7. irf730a.pdf Size:234K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF730A
FEATURES
·Drain Current –I [email protected] T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 400V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Low Drive Requirement
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switch Mode Power Supply
·Uninterruptable Power Supply
·High speed power swi

IRF733 Datasheet (PDF)

1.1. irf7331pbf-1.pdf Size:194K _upd-mosfet

IRF7331TRPbF-1
HEXFET Power MOSFET
VDS 20 V
1 8
S1 D1
RDS(on) max
30
2 7
(@V = 4.5V) G1 D1
GS
mΩ
RDS(on) max 3 6
S2 D2
45
(@V = 2.5V)
GS
4
5
G2 D2
Qg (typical) 13 nC
ID
Top View SO-8
7.0 A
(@T = 25°C)
A
Features Benefits
Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility
⇒
Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing
R

1.2. irf7331.pdf Size:199K _international_rectifier

PD — 94225
IRF7331
HEXFET Power MOSFET
Ultra Low On-Resistance
?)
VDSS RDS(on) max (m?) ID
?)
?)
?)
Dual N-Channel MOSFET
20V [email protected] = 4.5V 7.0A
Surface Mount
[email protected] = 2.5V 5.6A
Available in Tape & Reel
Description
1 8
S1 D1
These N-Channel HEXFET? power MOSFETs from
2 7
G1 D1
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the extremely low on-r

 1.3. irf7338.pdf Size:169K _international_rectifier

PD — 94372A
IRF7338
HEXFET Power MOSFET
l Ultra Low On-Resistance
N-CHANNEL MOSFET
N-Ch P-Ch
1 8
S1 D1
l Dual N and P Channel MOSFET
2 7
l Surface Mount
G1 D1
VDSS 12V -12V
l Available in Tape & Reel
3 6
S2 D2
4
5
G2 D2
P-CHANNEL MOSFET
RDS(on) 0.034? 0.150?
Top View
Description
These N and P channel MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniqu

IRFI730G Datasheet (PDF)

1.1. irfi730g.pdf Size:917K _international_rectifier

PD — 94987
IRFI730GPbF
Lead-Free
2/9/04
Document Number: 91153 www.vishay.com
1
IRFI730GPbF
Document Number: 91153 www.vishay.com
2
IRFI730GPbF
Document Number: 91153 www.vishay.com
3
IRFI730GPbF
Document Number: 91153 www.vishay.com
4
IRFI730GPbF
Document Number: 91153 www.vishay.com
5
IRFI730GPbF
Document Number: 91153 www.vishay.com
6
IRFI730GPbF
TO-220 Full-Pak Pa

1.2. irfi730g sihfi730g.pdf Size:1544K _vishay

IRFI730G, SiHFI730G
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Isolated Package
VDS (V) 400
High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 1.0
f = 60 Hz)
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 38
Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
COMPLIANT
Qgs (nC) 5.7 Dynamic dV/dt Rating
Qgd (nC) 22 Low Thermal Resistance
Lead (Pb)-free Available
Conf

 4.1. irfi734gpbf.pdf Size:846K _upd

IRFI734G, SiHFI734G
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Isolated Package
VDS (V) 450
• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;
f = 60 Hz)
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 1.2
• Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mm
Qg (Max.) (nC) 45
• Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 6.6
• Low Thermal Resistance
Qgd (nC) 24
• Lead (Pb)-free
Configuration Single
DESCRIPTION
D

4.2. irfi734gpbf.pdf Size:258K _international_rectifier

PD- 95752
IRFI734GPbF
Lead-Free
8/23/04
Document Number: 91154 www.vishay.com
1
IRFI734GPbF
Document Number: 91154 www.vishay.com
2
IRFI734GPbF
Document Number: 91154 www.vishay.com
3
IRFI734GPbF
Document Number: 91154 www.vishay.com
4
IRFI734GPbF
Document Number: 91154 www.vishay.com
5
IRFI734GPbF
Document Number: 91154 www.vishay.com
6
IRFI734GPbF
Peak Diode Recover

 4.3. irfi734g.pdf Size:241K _international_rectifier

IRF730S Datasheet (PDF)

1.1. irf730spbf.pdf Size:191K _upd-mosfet

IRF730S, SiHF730S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 400
Definition
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 1.0
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 38
• Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 5.7
• Repetitive Avalanche Rated
Qgd (nC) 22
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
Configuration Sing

1.2. irf730s.pdf Size:895K _international_rectifier

PD — 95115
IRF730SPbF
Lead-Free
3/16/04
Document Number: 91048 www.vishay.com
1
IRF730SPbF
Document Number: 91048 www.vishay.com
2
IRF730SPbF
Document Number: 91048 www.vishay.com
3
IRF730SPbF
Document Number: 91048 www.vishay.com
4
IRF730SPbF
Document Number: 91048 www.vishay.com
5
IRF730SPbF
Document Number: 91048 www.vishay.com
6
IRF730SPbF
D2Pak Package Outline
D

 1.3. irf730s sihf730s.pdf Size:165K _vishay

IRF730S, SiHF730S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 400
Definition
Surface Mount
RDS(on) (?)VGS = 10 V 1.0
Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 38
Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 5.7
Repetitive Avalanche Rated
Qgd (nC) 22
Fast Switching
Ease of Paralleling
Configuration Single
Simple Drive

1.4. irf730s.pdf Size:1398K _kexin

SMD Type MOSFET
N-Channel MOSFET
IRF730S (KRF730S)
■ Features
● VDS (V) =400V
● ID = 5.5 A (VGS = 10V)
● RDS(ON) ＜ 1Ω (VGS = 10V)
● Fast switching
● Low thermal resistance
d
g
s
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Drain-Source Voltage VDS 400
V
Gate-Source Voltage VGS ±20
Tc = 25℃ 5.5
Continuous Drain Current ID
Tc

IRF730AS Datasheet (PDF)

1.1. irf730alpbf irf730aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 400
Definition
RDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 1.0
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 22
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 5.8
Ruggedness
Qgd (nC) 9.3
• Fully Characteriz

1.2. irf730as.pdf Size:149K _international_rectifier

PD-93772A
SMPS MOSFET
IRF730AS/L
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
Pak
Avalanche Voltag

 1.3. irf730as-l.pdf Size:309K _international_rectifier

PD-95114
SMPS MOSFET
IRF730AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
l Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262

IRF730SPBF Datasheet (PDF)

1.1. irf730spbf.pdf Size:191K _upd-mosfet

IRF730S, SiHF730S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 400
Definition
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 1.0
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 38
• Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 5.7
• Repetitive Avalanche Rated
Qgd (nC) 22
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
Configuration Sing

3.1. irf730s.pdf Size:895K _international_rectifier

PD — 95115
IRF730SPbF
Lead-Free
3/16/04
Document Number: 91048 www.vishay.com
1
IRF730SPbF
Document Number: 91048 www.vishay.com
2
IRF730SPbF
Document Number: 91048 www.vishay.com
3
IRF730SPbF
Document Number: 91048 www.vishay.com
4
IRF730SPbF
Document Number: 91048 www.vishay.com
5
IRF730SPbF
Document Number: 91048 www.vishay.com
6
IRF730SPbF
D2Pak Package Outline
D

3.2. irf730s sihf730s.pdf Size:165K _vishay

IRF730S, SiHF730S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 400
Definition
Surface Mount
RDS(on) (?)VGS = 10 V 1.0
Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 38
Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 5.7
Repetitive Avalanche Rated
Qgd (nC) 22
Fast Switching
Ease of Paralleling
Configuration Single
Simple Drive

 3.3. irf730s.pdf Size:1398K _kexin

SMD Type MOSFET
N-Channel MOSFET
IRF730S (KRF730S)
■ Features
● VDS (V) =400V
● ID = 5.5 A (VGS = 10V)
● RDS(ON) ＜ 1Ω (VGS = 10V)
● Fast switching
● Low thermal resistance
d
g
s
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Drain-Source Voltage VDS 400
V
Gate-Source Voltage VGS ±20
Tc = 25℃ 5.5
Continuous Drain Current ID
Tc

IRF7220 Datasheet (PDF)

1.1. irf7220gpbf.pdf Size:183K _upd-mosfet

PD -96258
IRF7220GPbF
HEXFET Power MOSFET
l Ultra Low On-Resistance
A
1 8
S D
l P-Channel MOSFET
VDSS = -14V
2 7
l Surface Mount
S D
l Available in Tape & Reel
3 6
S D
l Lead-Free
4 5
G D
l Halogen-Free
RDS(on) = 0.012Ω
Top View
Description
These P-Channel MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to
achieve the extremely low on-resi

1.2. irf7220pbf.pdf Size:155K _upd-mosfet

PD — 95172
IRF7220PbF
HEXFET Power MOSFET
l Ultra Low On-Resistance
A
1 8
S D
l P-Channel MOSFET
VDSS = -14V
2 7
l Surface Mount
S D
l Available in Tape & Reel
3 6
S D
l Lead-Free
4 5
G D
RDS(on) = 0.012Ω
Top View
Description
These P-Channel MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
extremely low on-resistance per silic

 1.3. irf7220.pdf Size:81K _international_rectifier

PD- 91850C
IRF7220
HEXFET Power MOSFET
Ultra Low On-Resistance
A
1 8
S D
P-Channel MOSFET
VDSS = -14V
2 7
Surface Mount
S D
Available in Tape & Reel
3 6
S D
4 5
G D
RDS(on) = 0.012?
Top View
Description
These P-Channel MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit
pro

HFP730 Datasheet (PDF)

1.1. hfp730u.pdf Size:202K _update_mosfet

Oct 2013
BVDSS = 400 V
RDS(on) typ = 0.75
HFP730U
ID = 6.0 A
400V N-Channel MOSFET
TO-220
FEATURES
Originative New Design
Superior Avalanche Rugged Technology 1
2
3
Robust Gate Oxide Technology
1.Gate 2. Drain 3. Source
Very Low Intrinsic Capacitances
Excellent Switching Characteristics
Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.)
Extended Safe Operating Area
Lowe

1.2. hfp730s.pdf Size:299K _update_mosfet

Nov 2013
BVDSS = 400 V
RDS(on) typ
HFP730S
ID = 6.0 A
400V N-Channel MOSFET
TO-220
FEATURES
Originative New Design 1
2
3
Superior Avalanche Rugged Technology
1.Gate 2. Drain 3. Source
Robust Gate Oxide Technology
Very Low Intrinsic Capacitances
Excellent Switching Characteristics
Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.)
Extended Safe Operating Area
Lowe

 1.3. hfp730.pdf Size:340K _shantou-huashan

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HFP730
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
█ General Description
TO-220
these power MOSFETs is designed for high voltage, high speed power
switching applications such as switching regulators, converters,
solenoid and relay drivers. And DC-DC&DC-AC Converters for
Telecom,Industrial and Consumer Environment
1- G 2-D 3

IRF720S Datasheet (PDF)

1.1. irf720spbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF720S, SiHF720S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) 400
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 1.8
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 20
• Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 3.3
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
Qgd (nC) 11
• Ease of Paralleling
Configuration Sing

1.2. irf720spbf.pdf Size:1163K _international_rectifier

PD — 95119
IRF720SPbF
Lead-Free
3/17/04
Document Number: 91044 www.vishay.com
1
IRF720SPbF
Document Number: 91044 www.vishay.com
2
IRF720SPbF
Document Number: 91044 www.vishay.com
3
IRF720SPbF
Document Number: 91044 www.vishay.com
4
IRF720SPbF
Document Number: 91044 www.vishay.com
5
IRF720SPbF
Document Number: 91044 www.vishay.com
6
IRF720SPbF
D2Pak Package Outline
D

 1.3. irf720s.pdf Size:363K _international_rectifier

IRF730APBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF730APBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 22
nC

Время нарастания (tr): 22
ns

Выходная емкость (Cd): 103
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1
Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

IRF730APBF


Datasheet (PDF)

1.1. irf730apbf.pdf Size:206K _upd-mosfet

IRF730A, SiHF730A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg results in Simple Drive
VDS (V) 400
Available
Requirement
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 1.0
RoHS*
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 22 Ruggedness
Qgs (nC) 5.8 • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Qgd (nC) 9.3
• Effecti

3.1. irf730alpbf irf730aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 400
Definition
RDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 1.0
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 22
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 5.8
Ruggedness
Qgd (nC) 9.3
• Fully Characteriz

3.2. irf730as.pdf Size:149K _international_rectifier

PD-93772A
SMPS MOSFET
IRF730AS/L
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
Pak
Avalanche Voltag

 3.3. irf730as-l.pdf Size:309K _international_rectifier

PD-95114
SMPS MOSFET
IRF730AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
l Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262

3.4. irf730a.pdf Size:376K _international_rectifier

PD — 94976
SMPS MOSFET
IRF730APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
l Uninterruptable Power Supply 400V 1.0? 5.5A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Volt

 3.5. irf730a.pdf Size:927K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 400 V
Avalanche Rugged Technology
?
RDS(on) = 1.0
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 5.5 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V

?
Lower RDS(ON) : 0.765 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Un

3.6. irf730a sihf730a.pdf Size:206K _vishay

IRF730A, SiHF730A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg results in Simple Drive
VDS (V) 400
Available
Requirement
RDS(on) (?)VGS = 10 V 1.0
RoHS*
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 22 Ruggedness
Qgs (nC) 5.8 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Qgd (nC) 9.3
Effective Coss Spec

3.7. irf730a.pdf Size:234K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF730A
FEATURES
·Drain Current –I [email protected] T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 400V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Low Drive Requirement
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switch Mode Power Supply
·Uninterruptable Power Supply
·High speed power swi

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

Оцените статью:

IRF730PBF Vishay

400V 5.5A/25°C 3.5A/100°C 1000mO , 74W/25°C Rthjc=1.7

Основная информация:

Маркировка изготовителяIRF730PBF 
Type of casing:THT 
Kейс:TO-220AB 
KategorieFET N-Channel 
Тип компонента:!_n_fet 1x single_! 
Конфигурация:single Transistor 
Тип материала:!_si-silicon_! 
RoHSДа 
REACHHет 
NOVINKAN 
RoHS1Ano 

Упаковка и вес:

Единица:штук 
Вес:2.7 [g]
Тип упаковки:TUBE 
Малый пакет (количество единиц):50 

Электрофизические параметры:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 400 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)5.5 [A]
Idc max(Tc/Ta=25°C)5.5 [A]
Idc max(Tc/Ta=100÷109°C)3.5 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)74  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)1000 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)270 [ns]
Qg (Total Gate Charge)38 [nC]
Cin/CL Load Capacitance700 pF

Тепловые и механические параметры:

Tmin (mинимальная рабочая температура)-55 [°C]
Tmax (mаксимальная рабочая температура)150 [°C]
Number of Pins 3 
ПИН-Размеры выводов0.00 [mm]

Транзистор полевой КП707 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
КП707А 2SK298, PHP5N40 *1
, RFM7N40, 2SK278, RFP7N40 *1, STV7NA40 *1, STP7NA40 *1, STB7NA40-1 *1, STB7NA40 *1, BUZ63, SDF330JAAXHD1N *1, 2N6760, STM5N40/3
КП707Б SFN330 *1, SFN332 *2, RFM4N40, BUP60 *2
КП707В IRFPE30 *1, MTB4N80E *1, APT802R8AN, SML802R8AN
КП707Г SSH5N70 *1, SML752R4AN *2, APT752R4AN *2, APT752R4CN *3, FS5VS14A *1, FS5SM14A *1, FS5KM14A
*1, SNF30724 *1, NSFY30724 *1
КП707Д RFM6N50, 2SK1820-01S *1, 2SK1820-01L *1, 2N6762, STM4N50/3
КП707Е APT752R8AN *2, SML752R8AN *2, FS3VS14A *1, FS3SM14A *1, SSh4N70A *1
КП707А1 IRF730, BUZ60, 2N7063 *1, PHP5N40, RFP7N40, STP7NA40, 

STB7NA40-1 *1, BUK455-400B, BUZ205, STM730, NTE67, 

IRFY330, IRFP330 *1, IRF730R, OM6103ST, ОM6003ST,

STM5N40/220, MTP5N40E
КП707Б1 BUZ90, PHP3N60 *2, STP4NA60 *2, IRFBC30 *2, SSS6N60 *2, MTP3N60E *2, STP4NA60FI *2, STP3N60FI *2
КП707В1 IRFBE30, MTP4N80E, ECG2387,

BUK456-800A, STP4NA80, BUZ80A, BUZ80AFI
КП707Г1 SSP5N70, FS5UM14A, SSP4N70A,

SSh5N70A, 2SK1553-01MR, 2SK1553-01M,

2SK1553-01, 2SK1402A
КП707Д1
IRF830, RFP6N50, PHP4N50, 

BUK655-500B, BUK455-500B, BUZ215,

2SK855, 2SK2183, 2SK1156, STP5N50,

YTF830, IRF830R, BUZ41A, NTE2398,

OM6004ST, SMD1001
КП707Е1 FS3UM14A *2
КП707В2 IRFBE32
Структура КП707А — С изолированным затвором, с n-каналом
КП707Б		 —
КП707В —
КП707Г —
КП707Д —
КП707Е —
КП707А1 — nМОП
КП707Б1 —
КП707В1 —
КП707Г1 —
КП707Д1 —
КП707Е1 —
КП707А2 —
КП707В2 —
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП707А — 100* мВт, (Вт*)
КП707Б — 100*
КП707В — 100*
КП707Г — 100*
КП707Д — 100*
КП707Е — 100*
КП707А1 — 60*
КП707Б1 — 60*
КП707В1 — 55*
КП707Г1 — 60*
КП707Д1 — 60*
КП707Е1 — 50*
КП707А2 — 50*
КП707В2 — 50*
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП707А — 5 В
КП707Б — 5
КП707В — 2…5
КП707Г — 2…5
КП707Д — 2…5
КП707Е — 2…5
КП707А1 — 2…5
КП707Б1 — 2…5
КП707В1 — 2…5
КП707Г1 — 2…5
КП707Д1 — 2…5
КП707Е1 — 2…5
КП707А2 — —
КП707В2 — 2…5
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП707А — 400 В
КП707Б — 600
КП707В — 750
КП707Г — 700
КП707Д — 500
КП707Е — 750
КП707А1 — 400
КП707Б1 — 600
КП707В1 — 800
КП707Г1 —  700
КП707Д1 — 500
КП707Е1 — 750
КП707А2 — 350
КП707В2 — 800
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП707А — ±20 В
КП707Б — ±20
КП707В — ±20
КП707Г — ±20
КП707Д — ±20
КП707Е — ±20
КП707А1 — ±20
КП707Б1 — ±20
КП707В1 — ±20
КП707Г1 — ±20
КП707Д1 — ±20
КП707Е1 —  ±20
КП707А2 — ±20
КП707В2 — ±20
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП707А — 25* А
КП707Б — 16.5*
КП707В — 12.5*
КП707Г — 8*
КП707Д — 8*
КП707Е — 8*
КП707А1 — 6(25*) 
КП707Б1 — 4(16.5*) 
КП707В1 — 3(12.5*) 
КП707Г1 — 8*
КП707Д1 — 12* 
КП707Е1 — 8*
КП707А2 — 2
КП707В2 — 3.5(9*) 
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП707А — ≤25; ≤1* мА
КП707Б — ≤25; ≤1*
КП707В — ≤25; ≤1*
КП707Г — ≤0.1
КП707Д — ≤0.1
КП707Е — ≤0.1
КП707А1 400 В ≤0.025*
КП707Б1 600 В ≤0.025*
КП707В1 750 В ≤0.025*
КП707Г1 400 В ≤0.025*
КП707Д1 600 В ≤0.025*
КП707Е1 750 В ≤0.025*
КП707А2 — ≤0.1; ≤0.1*
КП707В2 750 В ≤0.025*
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП707А 20 В; 3 А ≥1600 мА/В
КП707Б 20 В; 3 А ≥1600
КП707В 20 В; 3 А ≥1600
КП707Г 20 В; 3 А ≥1600
КП707Д 20 В; 3 А ≥1600
КП707Е 20 В; 3 А ≥1600
КП707А1 20 В; 3 А ≥1600
КП707Б1 20 В; 3 А ≥1600
КП707В1 20 В; 3 А ≥1600
КП707Г1 20 В; 3 А ≥1600
КП707Д1 20 В; 3 А ≥1600
КП707Е1 20 В; 3 А ≥1600
КП707А2 — ≥1500
КП707В2 20 В; 3 А ≥1600
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП707А 25 В ≤1600; ≤45* пФ
КП707Б 25 В ≤1600; ≤45*
КП707В 25 В ≤1600; ≤45*
КП707Г — ≥1200
КП707Д — ≥1200
КП707Е — ≥1200
КП707А1 — ≤2600; 95*
КП707Б1 — ≤2600; 95*
КП707В1 — ≤2600; 95*
КП707Г1 — ≤1200
КП707Д1 — ≤2600
КП707Е1 — ≤2600
КП707А2 — 1200; 200**
КП707В2 — 1200; 200**
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток		 RСИ отк, K*у.P, P**вых, ΔUЗИ КП707А — ≤1 Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП707Б — ≤2.5
КП707В — ≤3
КП707Г — ≤2.5
КП707Д — ≤1.5
КП707Е — ≤5
КП707А1 — ≤1
КП707Б1 — ≤2.5
КП707В1 — ≤3
КП707Г1 — ≤2.5
КП707Д1 — ≤1.5
КП707Е1 — ≤5
КП707А2 — ≤5
КП707В2 — ≤2.8
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП707А — — Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП707Б — —
КП707В — —
КП707Г — —
КП707Д — —
КП707Е — —
КП707А1 — —
КП707Б1 — —
КП707В1 — —
КП707Г1 — —
КП707Д1 — —
КП707Е1 — —
КП707А2 — —
КП707В2 — —
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП707А — ≤80* нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП707Б — ≤80*
КП707В — ≤80*
КП707Г — —
КП707Д — —
КП707Е — —
КП707А1 — ≤80*
КП707Б1 — ≤80*
КП707В1 — ≤80*
КП707Г1 — —
КП707Д1 — —
КП707Е1 — —
КП707А2 — —
КП707В2 — —

Полевые транзисторы средней мощности

Основные характеристики мощных n-канальных МОП-транзисторов

Обозначение
VDS (max), [В] ID(max) при 25°С, [А] PD(max), [Вт] VGSTH, [В] Тип корпуса
BUZ10 50 12 75 2.1…4 ТО220-1
BUZ11 50 30 75 — ТО220-1
BUK453-60A 60 22 75 — ТО220-1
BUK455-400B 400 6.5 100 — ТО220-1
BUK456-100A 100 34 150 — ТО220-1
BUK456-1000В 1000 3.1 125 — ТО220-1
BUK481-100A 100 1 1.8 — SOT223
BUK7508-55 55 75 187 — ТО220-1
BUK7518-55 55 60 125 — ТО220-1
BUK7524-55 55 50 90 — ТО220-1
BUK7840-55 55 10.7 8.3 — SOT223
IRF520 100 9.2 60 2…4 ТО220-1
IRF530 100 14 88 2…4 ТО220-1
IRF640 200 18 125 2…4 ТО220-1
IRF730 400 5.5 74 2…4 ТО220-1
IRF840 500 8 125 2…4 ТО220-1
IRF3710 100 46 150 — ТО220-1
IRFP064N 60 70 300 — ТО220-1
IRFP150N 100 41 230 — ТО220-1
IRFP460 500 20 280 — ТО220-1
IRFZ24 500 17 60 — ТО220-1
IRFZ34 60 30 88 — ТО220-1
IRFZ44 60 50 150 — ТО220-1
IRFZ46N 55 46 88 — ТО220-1
MTW6N100E 1000 6 178 — ТО220-1
MTW20N50E 500 20 250 — ТО220-1
MTW32N20E 200 32 180 — ТО220-1
MTW45N10E 100 45 180 — ТО220-1
ZVN4306G 60 2.1 3 — SOT223
ZVN4310G 100 1.67 3 — SOT223

Основные характеристики мощных p-канальных МОП-транзисторов

Обозначение
VDS (max), [В] ID(max) при 25°С, [А] PD(max), [Вт] VGSTH, [В] Тип корпуса
BSP250 -30 -3 1.65 — SOT223
IRF4905 -55 -64 150 — ТО220-1
IRF9Z24 -60 -11 60 — ТО220-1
IRF9Z34 -60 -18 88 — ТО220-1
IRF9530 -100 -12 88 -2…-4 ТО220-1
IRF9630 -200 -6.5 150 -2…-4 ТО220-1
IRFP9140 -100 -21 180 — ТО220-1
МТМ814 -80 -8 75 -1.5…-4 ТО3-1
МТР2Р50 -500 -2 75 -2…-4.5 ТО220-1
PF5522 -100 -12 40 -2…-4 ТО220-1
PF5532 -100 -25 40 -2…-4 ТО220-1
VP01A2N2 -120 -3 5 -1.5…-3.5 ТO39
VP01A3N5 -30 -3 35 -1.5…-3.5 ТО220-1
VP02A3N5 -30 -4 50 -1.5…-3.5 ТО220-1

Цоколевка и внешний вид мощных МОП-транзисторов

MOSFET — это аббревиатура от английского словосочетания Metal-Ox-ide-Semiconductor Field Effect Transistor (Металл-Оксидные Полупроводниковые Полевые Транзисторы).
Данный класс транзисторов отличается, прежде всего, минимальной мощностью управления при значительной выходной (сотни ватт). Также необходимо отметить чрезвычайно малые значения сопротивления в открытом состоянии (десятые доли ома при выходном токе в десятки ампер) а, следовательно, минимальную мощность, выделяющуюся на транзисторе в виде тепла.

Обозначается этот тип транзисторов следующим образом:


N-канальный
P-канальный		 , где G — затвор
D — сток
S — исток

Также для сокращения числа внешних компонентов, в транзистор может быть встроен мощный высокочастотный демпферный диод.

К неоспоримым преимуществам MOSFET перед биполярными можно отнести также следующие пункты:

  • Минимальная мощность управления и большой коэффициент усиления по току, обеспечивает простоту схем управления (есть даже разновидность MOSFET управляемая логическими уровнями)
  • Большая скорость переключения (при этом минимальны задержки выключения, обеспечивается широкая область безопасной работы)
  • Возможность простого параллельного включения транзисторов для увеличения выходной мощности
  • Устойчивость транзисторов к большим импульсам напряжения (dv/dt)

Данные приборы находят широкое применение в устройствах управления мощной нагрузкой, импульсных источниках питания (здесь область их применения несколько ограничена максимальным напряжением сток-исток (до 1000 В), для более высоковольтных приложений используются IGBT транзисторы, информацию по ним Вы можете найти в подразделе ).

Основные параметры MOSFET-транзисторов:

Ucи.макс. — Максимальное напряжение сток-исток
Ic.макс. — Максимальный продолжительный ток стока при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С этот ток падает на

30%, при работе в импульсном режиме — повышается в

2-4 раза в зависимости от модели и длительности импульса
Pс.макс. — Максимальная рассеиваемая стоком мощность при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С значение мощности линейно падает в

2. 2,5 раза
Rсиотк. — Максимальное значение статического сопротивления сток-исток в открытом состоянии

Наименование Тип канала Uси макс., В Iс макс., А Pс макс., Вт Rсиотк., Ом
В корпусе SOT-223
IRFL014 N 60 2,7 2 0,2
IRFL014N N 55 1,9 2,1 0,16
IRFL024N N 55 2,8 2,1 0,075
IRFL110 N 100 1,5 2 0,54
IRFL210 N 200 0,96 2 1,5
IRFL4105 N 55 3,7 2,1 0,045
IRFL4310 N 100 1,6 2,1 0,2
IRFL9014 P 60 1,8 2 0,5
IRFL9110 P 100 1,1 2 1,2
SPN04N60C2 N 600 0,4 1,8 0,95
В корпусе D2PAK
IRF530NS N 100 14 75 0,16
IRF540NS N 100 33 130 0,052
IRF630NS N 200 9,3 82 0,3
IRF640NS N 200 18 125 0,15
IRF740S N 400 10 125 0,55
IRF840S N 500 8 125 0,85
IRFZ44NS N 55 49 110 0,022
IRF1310NS N 100 42 160 0,036
IRF1404S N 40 162 200 0,004
IRF3205S N 55 110 200 0,008
IRF3710S N 100 57 200 0,025
IRF4905S P 55 74 200 0,02
IRF5210S P 100 40 200 0,06
IRF5305S P 55 31 110 0,06
IRF9Z34NS P 55 19 68 0,1
MTD20N06HD N 60 20 40 0,045
В корпусе SO8
IRF7103 N+N 50 3 2 0,13
IRF7104 P+P 20 2,3 2 0,25
IRF7105 N+(P) 25 3,5(2,3) 2 0,109(0,25)
IRF7201 N 30 7 2,5 0,03
IRF7204 P 20 5,3 2,5 0,06
IRF7205 P 30 4,6 2,5 0,07
IRF7207 P 20 5,4 2,5 0,06
IRF7210 P 12 16 2,5 0,007
IRF7220 P 14 11 2,5 0,012
IRF7301 N+N 20 5,2 2 0,05
IRF7303 N+N 30 4,9 2 0,05
IRF7304 P+P 20 4,3 2 0,09
IRF7306 P+P 30 3,6 2 0,1
IRF7307 N+(P) 20 4,3(3,6) 1,4 0,05(0,09)
IRF7309 N+(P) 30 4,9(3,6) 2 0,05(0,1)
IRF7311 N+N 20 6,6 2 0,029
IRF7313 N+N 30 6,5 2 0,029
IRF7314 P+P 20 5,3 2 0,058
IRF7316 P+P 30 4,9 2 0,058
IRF7319 N+(P) 30 6,5(4,9) 2 0,029(0,058)
IRF7341 N+N 55 4,7 2 0,05
IRF7342 P+P 55 3,4 2 0,105
IRF7343 N+(P) 55 4,7(3,4) 2 0,05(0,105)
IRF7389 N+(P) 30 7,3(5,3) 2,5 0,029(0,058)
IRF7401 N 20 8,7 2,5 0,022
IRF7403 N 30 8,5 2,5 0,022
IRF7404 P 20 6,7 2,5 0,04
IRF7406 P 30 5,8 2,5 0,045
IRF7413 N 30 13 2,5 0,011
IRF7416 P 30 10 2,5 0,02
IRF7450 N 200 2,5 2,5 0,17
IRF7455 N 30 15 2,5 0,0075
IRF7468 N 40 9,4 2,5 0,0155
В корпусе TO-252AA
IRFR024N N 55 17 45 0,075
IRFR120N N 100 7,7 42 0,27
IRFR310 N 400 1,7 25 3,6
IRFR320 N 400 3,1 42 1,8
IRFR3303 N 30 33 57 0,031
IRFR3910 N 100 15 52 0,11
IRFR4105 N 55 27 68 0,045
IRFR420 N 500 2,4 42 3
IRFR5305 N 55 28 89 0,065
IRFR9010 P 100 3,1 25 1,2
IRFR9024 P 60 8,8 42 0,88
IRFR9024N P 55 11 38 0,175
IRFR9110 P 100 3,1 25 1,2
IRFR9120N P 100 6,5 39 0,48
IRFR9220 P 200 3,6 42 1,5
IRFRC20 N 600 2 42 4,4

С управлением логическим уровнем

Поставки электронных компонентов

Nav view search

Навигация

Параметры отечественных полевых транзисторов

два изолированных затвора,

два изолированных затвора,

изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, p -канал

изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

( изолированный затвор, n -канал

( изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, p -канал

изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, p -канал

со статичес- кой индукцией

[ изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

[ изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

изолированный затвор, n -канал

p — n переход, вертикальный

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес- кой индукцией

со статичес -кой индукцией

© 2015 ООО Антелком. Все права защищены.

Импульсный преобразователь напряжения dc. Обзор регулируемых преобразователей напряжения (стабилизаторов, DC-DC конвертеров)


Импульсные DC-DC преобразователи предназначены для как для повышения, так и для понижения напряжения. С их помощью можно с минимальными потерями преобразовать 5 вольт, например, в 12, или 24, либо и наоборот. Также существуют высоковольтные DC-DC преобразователи, они способны из относительно малого напряжения (5-12 вольт) получить весьма существенную разность потенциалов в сотни вольт. В этой статье рассмотрим сборку именно такого преобразователя, напряжение на выходе которого можно регулировать в пределах 60-250 вольт.


В её основе лежит распространённый интегральный таймер NE555. Q1 на схеме – полевой транзистор, можно использовать IRF630, IRF730, IRF740 или любые другие, рассчитанные на работу с напряжением выше 300 вольт. Q2 – маломощный биполярный транзистор, смело можно ставить BC547, BC337, КТ315, 2SC828. Дроссель L1 должен иметь индуктивность 100 мкГн, однако, если такого под рукой нет, можно ставить дроссели в пределах 50-150 мкГн, это не скажется на работе схемы. Легко изготовить дроссель самому – намотать 50-100 витков медного провода на ферритовое колечко. Диод D1 по схеме FR105, вместо него можно ставить UF4007 или любой другой быстродействующий диод на напряжение не меньше 300 вольт. Конденсатор С4 обязательно должен быть высоковольтным, как минимум 250 вольт, можно больше. Чем больше будет его ёмкость – тем лучше. Также желательно параллельно ему поставить плёночный конденсатор небольшой ёмкости для качественной фильтрации высокочастотных помех на выходе преобразователя. VR1 – подстроечный резистор, с помощью которого регулируется напряжение на выходе. Минимальное напряжение питания схемы – 5 вольт, самое оптимальное 9-12 вольт.

Изготовление преобразователя

Схема собирается на печатной плате размерами 65х25 мм, файл с рисунком платы к статье прилагается. Можно взять текстолит размером больше, чем сам рисунок, чтобы по краям осталось место для крепления платы в корпусе. Несколько фотографий процесса изготовления:


После травления плату обязательно нужно залудить и проверить на замыкание дорожки. Т.к. на плате присутствует высокое напряжение, между дорожками не должно быть никаких металлических заусенцев, иначе возможен пробой. В первую очередь на плату впаиваются мелкие детали – резисторы, диод, конденсаторы. Затем микросхема (её лучше установить в панельку), транзисторы, подстроечный резистор, дроссель. Для удобства подключения к плате проводов я рекомендую поставить винтовые клеммники, места для них на плате предусмотрены.


Скачать плату:

(cкачиваний: 240)

Первый запуск и настройка

Перед запуском обязательно нужно проверить правильность монтажа, прозвонить дорожки. Подстроечный резистор установить в минимальное положение (движок должен быть на стороне резистора R4). После этого можно подавать на плату напряжение, включив последовательно с ней амперметр. На холостом ходу ток потребления схемы не должен превышать 50 мА. Если он укладывается в норму, можно аккуратно поворачивать подстроечный резистор, контролируя напряжение на выходе. Если всё нормально – подключить к высоковольтному выходу нагрузку, например, резистор 10-20 кОм и ещё раз протестировать работу схемы, уже под нагрузкой.
Максимальный ток, который может выдать такой преобразователь составляет примерно 10-15 мА. Использовать его можно, например, в составе ламповой техники для питания анодов ламп, либо же зажигать газоразрядные или люминесцентные индикаторы. Основной вариант применения – миниатюрный электрошокер, ведь напряжение 250 вольт на выходе ощутимо для человека. Удачной сборки!

LM2596 — понижающий преобразователь постоянного тока, он выпускается часто в виде готовых модулей, около 1 доллара ценой (в поиске LM2596S DC-DC 1.25-30 В 3A). Заплатив же 1,5 доллара, на Али можно взять похожий модуль с LED индикацией об входном и выходном напряжении, выключение выходного напряжения и точной настройкой кнопками с отображением значений на цифровых индикаторах. Согласитесь — предложение более чем заманчивое!

Ниже приводится принципиальная схема данной платы преобразователя (ключевые компоненты отмечены на картинке в конце). На входе есть защита от переполюсовки — диода D2. Это позволит предотвратить повреждения регулятора неправильно подключенным входным напряжением. Несмотря на то, что микросхема lm2596 может обрабатывать согласно даташита входные напряжения вплоть до 45 В, на практике входное напряжение не должно превышать 35 В при длительном использовании.

Для lm2596, выходное напряжение определяется уравнением, приведённым ниже. Резистором R2 выходное напряжение можно регулировать в пределах от 1.23 до 25 В.

Хотя микросхема lm2596 рассчитана на максимальный ток 3 А непрерывной работы, малая поверхность фольги-массы не достаточна, чтобы рассеять выделяемое тепло во всём диапазоне работы схемы. Также отметим, что КПД этого преобразователя варьируется весьма сильно в зависимости от входного напряжения, выходного напряжения и тока нагрузки. Эффективность может колебаться от 60% до 90% в зависимости от условий эксплуатации. Поэтому теплоотвод является обязательным, если непрерывная работа идёт при токах более чем 1 А.

Согласно даташиту, конденсатор прямой связи необходимо устанавливать параллельно резистору R2, особенно когда напряжение на выходе превышает 10 В — это нужно для обеспечения стабильности. Но этот конденсатор часто не присутствует на китайских недорогих платах инверторов. В ходе экспериментов были проверены несколько экземпляров DC преобразователей в различных условиях эксплуатации. В итоге пришли к выводу, что стабилизатор на ЛМ2596 хорошо подходит для низких и средних токов питания цифровых схем, но для более высоких значений выходной мощности необходим теплоотвод.

Сегодня в обзоре знаменитый DC-DC повышающий преобразователь напряжения на базе микросхемы MT3608. Плата популярна среди любителей создавать что-то своими руками. Применяется в частности для построения самодельных внешних зарядных устройств (power bank).


Сегодня мы проведем очень детальный обзор, изучим все достоинства и выясним недостатки

Стоит такая плата всего 0,5$, зная, что в ходе обзора предстоят жесткие тесты, которые могут обернуться выходном из строя плат, я купил сразу несколько штук.


Плата весьма неплохого качества, монтаж двухсторонний, если быть точнее почти вся обратная сторона — масса, одновременно играет роль теплоотвода. Габаритные размеры 36 мм * 17 мм * 14 мм


Производитель указывает следующие параметры

1). Максимальный выходной ток — 2А
2). Входное напряжение: 2 В ~ 24 В
3). Максимальное выходное напряжение: 28 В
4). Эффективность: ≤93%
Размер продукта: 36 мм * 17 мм * 14 мм

А схема представлена ниже.

На плате имеется подстроечный многооборотный резистор с сопротивлением 100кОм, предназначен для регулировки выходного напряжения. Изначально, для работы конвертора нужно покрутить переменник 10 шагов против часовой стрелки, лишь после этого схема начнет повышать напряжение, иными словами — до половины переменник крутится вхолостую.

На плате подписан вход и выход, поэтому проблем с подключением не возникнет.
Перейдем непосредственно к тестам.

1) Заявленное максимальное напряжение 28 Вольт, что соответствует реальному значению

2) Минимальное напряжение, при котором плата начинает работу — 2 Вольт, скажу, что это не совсем так, плата сохраняет работоспособность при таком напряжении, но начинает работу от 2,3-2,5 Вольт

3) Максимальное значение входного напряжения составляет 24 Вольт, скажу, что одна из 8 и купленных плат у меня не выдержила такое напряжение на входе, остальные сдали экзамен на отлично.

4) Режим короткого замыкания на выходе. Лабораторный блок питания, от которого питается источник, снабжен системой ограничения по току, при КЗ на выходе потребление с лабораторного БП составляет 5 А (это максимум, что может дать ЛБП). Исходя из этого делаем вывод, что если подключить инвертор например к аккумулятору, то при коротком замыкании последний моментально сгорит — защит от КЗ не имеет. Не имеется также зашита от перегрузки.

6) Что будет, если перепутать полярность подключения. Этот тест хорошо виден в ролике, плата попросту сгорает с дымом, притом сгорает именно микросхема.

7) Ток холостого хода всего 6мА, очень неплохой результат.

8) Теперь выходной ток. На вход подается напряжение 12 Вольт, на выходе 14, т.е разница вход-выход всего 2 Вольт, обеспечены наилучшие условия работы и если с таким раскладом схема не выдаст 2 Ампер, значит при других значениях вход-выход она этого обеспечить не может.

Температурные тесты

P.S. в ходе тестов дроссель начал попахивать лаком и в связи с этим он был заменен на более хороший, по крайней мере диаметр провода нового дросселя раза в 2 толще, чем у родного.

В случае этих тестов на вход платы подается напряжение 12 Вольт, на выходе выставлено 14

Тепловыделение на дросселе, дроссель уже заменен

Тепловыделение на диоде


Тепловыделение на микросхеме


Как видим температура в некоторых случаях выше 100 гр, но стабильна.

Нужно также указать, что в таких условиях работы выходные параметры значительно ухудшаются, что и стоило ожидать.

Как видим при выходном токе 2А, напряжение просаживается, поэтому рекомендую эксплоатировать платку при токах 1-1,2Ампер максимум, при больших значениях теряется стабильность выходного напряжения, а также перегревается микросхема, дроссель и выходной выпрямительный диод.

9) Осциллограмма выходного напряжения, где наблюдаем пульсации. 


Ситуация исправиться если параллельно выходу запаять электролит (35-50Вольт), емкость от 47 до 220мкФ.(можно до 470, больше уже нет смысла)

Рабочая частота генератора около 1,5МГц


Погрешность тестов не более 5%

!
В этой самоделке AKA KASYAN сделает универсальный понижающий и повышающий преобразователь напряжения.

Недавно автор собрал литиевый аккумулятор. А сегодня раскроет секрет, для какой цели он его изготовил.


Вот новый преобразователь напряжения, режим его работы — однотактный.


Преобразователь имеет небольшие габариты и достаточно большую мощность.


Обычные преобразователи делают одно из двух. Только повышают, или только понижают подаваемое на вход напряжение.
Вариант, изготовленный автором может как повысить,


так и понизить входное напряжение до требуемого значения.


У автора имеются различные регулируемые источники питания, с помощью которых он тестирует собранные самоделки.


Заряжает аккумуляторы, да и использует их для различных других задач.


Не так давно появилась идея создания портативного источника питания.
Постановка задачи была такой: устройство должно иметь возможность заряжать всевозможные портативные гаджеты.


От обычных смартфонов и планшетов до ноутбуков и видеокамер, а также справился даже с питанием любимого паяльника автора TS-100.


Естественно можно просто воспользоваться универсальными зарядными устройствами с адаптерами питания.
Но все они питаются от 220В


В случае автора требуется нужен был именно портативный источник различных выходных напряжений.


А таковых в продаже автор не нашел.

Питающие напряжения для указанных гаджетов имеют очень широкий диапазон.
Например смартфонам нужно всего 5 В, ноутбукам 18, некоторым даже 24 В.
Аккумулятор, изготовленный автором, рассчитан на выходное напряжение в 14,8 В.
Следовательно, необходим преобразователь, способный как повышать, так и понижать начальное напряжение.


Обратите внимание, некоторые номиналы указанных на схеме компонентов, отличаются от установленных на плате.


Это конденсаторы.


На схеме указаны эталонные номиналы, а плату автор делал для решения своих задач.
Во-первых, интересовала компактность.


Во-вторых, авторский преобразователь питания позволяет спокойно создать выходной ток в 3 Ампера.


AKA KASYAN большего и не надо.


Связано это с тем, что емкость примененных накопительных конденсаторов небольшая, но схема способна выдать выходной ток до 5 А.

Поэтому схема является универсальной. Параметры зависят от емкости конденсаторов, параметров дросселя, диодного выпрямителя и характеристик полевого ключа.


Замолвим пару слов о схеме. Она представляет собой однотактный преобразователь на базе шим-контроллера UC3843.


Поскольку напряжение от аккумулятора немного больше штатного питания микросхемы, в схему был добавлен 12В стабилизатор 7812 для питания шим-контроллера.


В приведенной схеме данный стабилизатор указан не был.
Сборка. Про перемычки, установленные с монтажной стороны платы.


Этих перемычек четыре, и две из них являются силовыми. Их диаметр должен быть не менее миллиметра!
Трансформатор, вернее дроссель, намотан на желтом кольце из порошкового железа.


Такие колечки можно найти в выходных фильтрах компьютерных блоков питания.
Размеры примененного сердечника.
Внешний диаметр 23,29мм.


Внутренний диаметр 13,59мм.


Толщина 10,33мм.


Скорее всего, толщина намотки изоляции 0,3мм.
Дроссель состоит из двух равноценных обмоток.


Обе обмотки наматываются медной проволокой диаметром 1,2 мм.
Автор рекомендует применять проволоку диаметром немного больше, 1,5-2,0 мм.


Витков в обмотке десять, оба провода наматываются разом, в одном направлении.


Перед установкой дросселя перемычки заклеиваем капроновым скотчем.


Работоспособность схемы заключается в правильной установке дросселя.


Необходимо правильно припаять выводы обмоток.


Просто установите дроссель, как это показано на фото.


Силовой N-канальный полевой транзистор, подойдет практически любой низковольтный.


Ток транзистора не ниже 30А.


Автор использовал транзистор IRFZ44N.


Выходной выпрямитель — это сдвоенный диод YG805C в корпусе TO220.


Важно использовать диоды Шоттки, так как они дают минимальную просадку напряжения (0,3В против 0,7) на переходе, это влияет на потери и нагрев. Их также легко найти в пресловутых компьютерных блоках питания.


В блоках они стоят в выходном выпрямителе.


В одном корпусе — два диода, которые в схеме у автора запараллелены для увеличения проходящего тока.
Преобразователь стабилизирован, имеется обратная связь.

Выходное напряжение задает резистор R3


Его можно заменить на выносной переменный резистор для удобства работы.


Преобразователь также снабжен защитой от короткого замыкания. В качестве датчика тока применен резистор R10.


Это низкоомный шунт, и чем выше его сопротивление тем меньше ток срабатывания защиты. Установлен SMD вариант, на стороне дорожек.


Если защита от КЗ не нужна, то этот узел просто исключаем.


Еще защита. На входе схемы стоит предохранитель на 10А.


Кстати, в плате контроля аккумулятора уже установлена защита от КЗ.


Конденсаторы, применяемые в схеме крайне желательно брать с низким внутренним сопротивлением.


Стабилизатор, полевой транзистор и диодный выпрямитель крепятся к алюминиевому радиатору в виде согнутой пластины.


Обязательно изолируем подложки транзистора и стабилизатора от радиатора при помощи пластиковых втулок и теплопроводящих изолирующих прокладок. Не забываем и про термопасту. А установленный в схеме диод уже имеет изолированный корпус.

Сегодня мы рассмотрим несколько схем несложных, даже можно сказать — простых, импульсных преобразователей напряжения DC-DC (преобразователей постоянного напряжения одной величины, в постоянное напряжение другой величины)

Чем хороши импульсные преобразователи. Во-первых, они имеют высокий КПД, и во-вторых могут работать при входном напряжении ниже выходного. Импульсные преобразователи подразделяются на группы:

  • — понижающие, повышающие, инвертирующие;
  • — стабилизированные, нестабилизированные;
  • — гальванически изолированные, неизолированные;
  • — с узким и широким диапазоном входных напряжений.

Для изготовления самодельных импульсных преобразователей лучше всего использовать специализированные интегральные микросхемы — они проще в сборке и не капризны при настройке. Итак, приводим для ознакомления 14 схем на любой вкус:

Этот преобразователь работает на частоте 50 кГц, гальваническая изоляция обеспечивается трансформатором Т1, который наматывается на кольце К10х6х4,5 из феррита 2000НМ и содержит: первичная обмотка — 2х10 витков, вторичная обмотка — 2х70 витков провода ПЭВ-0,2. Транзисторы можно заменить на КТ501Б. Ток от батареи, при отсутствии нагрузки, практически не потребляется.

Трансформатор Т1 наматывается на ферритовом кольце диаметром 7 мм, и содержит две обмотки по 25 витков провода ПЭВ=0,3.


Двухтактный нестабилизированный преобразователь на основе мультивибратора (VТ1 и VТ2) и усилителя мощности (VТ3 и VТ4). Выходное напряжение подбирается количеством витков вторичной обмотки импульсного трансформатора Т1.

Преобразователь стабилизирующего типа на микросхеме MAX631 фирмы MAXIM. Частота генерации 40…50 кГц, накопительный элемент — дроссель L1.


Можно использовать одну из двух микросхем отдельно, например вторую, для умножения напряжения от двух аккумуляторов.

Типовая схема включения импульсного повышающего стабилизатора на микросхеме MAX1674 фирмы MAXIM. Работоспособность сохраняется при входном напряжении 1,1 вольта. КПД — 94%, ток нагрузки — до 200 мА.

Позволяет получать два разных стабилизированных напряжения с КПД 50…60% и током нагрузки до 150 мА в каждом канале. Конденсаторы С2 и С3 — накопители энергии.

8. Импульсный повышающий стабилизатор на микросхеме MAX1724EZK33 фирмы MAXIM

Типовая схема включения специализированной микросхемы фирмы MAXIM. Сохраняет работоспособность при входном напряжении 0,91 вольта, имеет малогабаритный SMD корпус и обеспечивает ток нагрузки до 150 мА при КПД — 90%.

Типовая схема включения импульсного понижающего стабилизатора на широкодоступной микросхеме фирмы TEXAS. Резистором R3 регулируется выходное напряжение в пределах +2,8…+5 вольт. Резистором R1 задается ток короткого замыкания, который вычисляется по формуле: Iкз(А)= 0,5/R1(Ом)

Интегральный инвертор напряжения, КПД — 98%.

Два изолированных преобразователя напряжения DA1 и DA2, включенных по “неизолированной” схеме с общей “землей”.

Индуктивность первичной обмотки трансформатора Т1 — 22 мкГн, отношение витков первичной обмотки к каждой вторичной — 1:2.5.

Типовая схема стабилизированного повышающего преобразователя на микросхеме фирмы MAXIM.

IRF730 N-Channel MOSFET Техническое описание, распиновка, характеристики, эквивалент и области применения


Здравствуйте, друзья! Надеюсь, ты сегодня здоров. Приветствую вас на борту. Сегодня в этом посте я расскажу вам Введение в IRF730. IRF730 — это n-канальный MOSFET, в котором основными носителями заряда являются электроны, а проводимость в транзисторе осуществляется за счет движения этих электронов. Он поставляется в корпусе TO-220, в котором напряжение пробоя сток-исток составляет 400 В, а рассеиваемая мощность — 100 Вт.Я предлагаю вам полностью прочитать этот пост, так как я буду обсуждать полное введение в IRF730, включая техническое описание, распиновку, характеристики, номинальную мощность, эквиваленты и приложения. Давайте сразу приступим.

Введение в IRF730
  • IRF730 — это n-канальный полевой МОП-транзистор, который в основном используется для коммутации и усиления в электрических цепях.
  • MOSFET — это металлооксидный кремниевый полевой транзистор, также известный как полевой транзистор с изолированным затвором IGFET, который создается путем контролируемого окисления полупроводникового материала, такого как кремний.
  • IRF730 MOSFET — это трехконтактное устройство, состоящее из затвора (G), стока (D) и истока (S). Ток между двумя выводами стока и истока регулируется напряжением, приложенным к выводу затвора. Штифт затвора действует как регулирующий клапан, через который регулируется прохождение тока между двумя выводами.
  • IRF730 — это полевой МОП-транзистор с n-каналом, в котором основными носителями заряда являются электроны, а проводимость тока обусловлена ​​движением этих электронов, в отличие от МОП-транзистора с p-каналом, где проводимость осуществляется за счет движения дырок.
  • Основной строительный элемент современной электроники, MOSFET, представлен в 1959 году в Bell Labs Мохемедом Аталлой и Дон Канг. МОП-транзисторы созданы для преодоления ограничений полевых транзисторов, таких как умеренный входной импеданс, высокое сопротивление стока и более медленная работа.
  • Этот N-канальный полевой МОП-транзистор представляет собой устройство, управляемое напряжением, в отличие от BJT (биполярный транзистор), которые являются устройствами с управлением по току.
  • В MOSFET ток начинает течь между выводами стока и истока, когда мы подаем напряжение на вывод затвора.
  • N-канальные полевые МОП-транзисторы обычно называют NMOS. И символ n-канального MOSFET приведен ниже.
  • MOSFET сравниваются с BJT с точки зрения низких потерь и высокой скорости работы.
  • Они делятся на два типа с точки зрения полярности, то есть n-тип и p-тип, и далее делятся на два типа, то есть тип улучшения, обычно выключенный, когда напряжение на выводе затвора равно нулю, и тип истощения, когда нормально включен.
  • Тип расширения популярен и обычно предпочтительнее полевого МОП-транзистора с истощением.

IRF730 Лист данных Прежде чем использовать этот компонент в своем электрическом проекте, просмотрите техническое описание устройства, в котором подробно описаны основные характеристики компонента. Вы можете скачать техническое описание IRF730, щелкнув ссылку ниже.

Распиновка IRF730 IRF730 — это N-канальный полевой МОП-транзистор, который имеет три клеммы с именами 1: Gate2: Drain3: Source
  • Ток между истоком и стоком управляется клеммой затвора, когда мы подаем напряжение на клемму затвора.
  • На следующем рисунке показана схема выводов полевого МОП-транзистора IRF730.
  • Как правило, полевой МОП-транзистор представляет собой четырехконтактный компонент с источником (S), затвором (G), стоком (D) и корпусом (B) / подложкой. Область тела всегда прикреплена к клемме источника, поэтому полевой МОП-транзистор работает как трехполюсное устройство.

IRF730 Характеристики
  • Тип: n-канальный MOSFET
  • Максимальная температура перехода = 150 ° C
  • Максимальное напряжение затвор-исток = 20 В
  • Напряжение пробоя сток-исток = 400 В
  • Рассеиваемая мощность = 100 Вт
  • Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии = 1.0 Ом
  • Общий заряд затвора = 18 нКл
  • Емкость сток-исток = 800 пФ
  • Максимальный ток утечки = 5,5 А
  • Упаковка = TO-220AB

Эквивалент IRF730 Ниже приведены эквиваленты IRF730.
  • IRF730A
  • IRF740
  • IRF730B
  • IRF740A
  • IRF740LC
  • IRF740B
  • IRF840
  • IRF840LC
  • IRF840A
  • IRFB17N50L
  • IRFB9N65A
  • IRFB13N50A
  • IRFB9N60A
Работая с альтернативами, убедитесь, что вы дважды проверили распиновку альтернатив.Распиновка альтернатив может отличаться от распиновки IRF730.

IRF730 Applications
  • Используется в приложениях коммутации и усиления.
  • Используется в высокоэффективных преобразователях постоянного тока в постоянный.
  • Используется в управлении двигателями и ИБП.
Это все о введении в IRF730. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете задать мне их в разделе ниже, я буду рад помочь вам в соответствии со своими знаниями. Не стесняйтесь держать нас в курсе ваших ценных отзывов и предложений и помогать улучшать качество нашего контента.Спасибо, что прочитали статью.

IRF730 datasheet — Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым транзистором, 400 В в TO-220AB

2SK2215-01S : N-канальный полевой МОП-транзистор. Высокоскоростное переключение Низкое сопротивление во включенном состоянии Отсутствие вторичного пробоя Низкая приводная мощность Высокое напряжение Гарантия VGS 30 В Коммутационные регуляторы с защитой от лавины Преобразователи постоянного тока в постоянный ИБП Усилитель мощности общего назначения — абсолютные максимальные номинальные значения (TC = 25C), если не указано иное Позиция Сток-Источник-Напряжение Напряжение сток-затвор (RGS = 20K) Импульсный непрерывный ток стока.

ADB2504P / T :. 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA

USA Тел .: (310) 767-1052 Факс: (310) 767-7958 Суффикс «P» обозначает формованный ПЛАСТИК со встроенным радиатором. БЕСПЕРЕПАДНАЯ ВАКУУМНАЯ ПАЙКА МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ МАКСИМАЛЬНОЙ МЕХАНИЧЕСКОЙ ПРОЧНОСТИ И РАССЕЯНИЕ ТЕПЛА (пустоты под пайку: обычно <2%, макс. 10% площади матрицы) ВСТРОЕННЫЙ МЕХАНИЗМ СНИЖЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЙ ДЛЯ ПРЕВОСХОДНОЙ НАДЕЖНОСТИ.

BFT59 : Доступны варианты досмотра = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = TO18 (TO206AA) ;; Vceo = 300V ;; IC (продолжение) = 0.2А ;; HFE (мин) = 25 ;; HFE (макс.) = — ;; @ Vce / ic = 10 В / 30 мА ;; FT = 110 МГц ;; PD = 0,36Вт.

CLY38 : GaAs. Hirel C-диапазон GAAS Power-mesFET. Дискретный и СВЧ-полупроводник HiRel Для профессиональных усилителей мощности Для частот от 100 МГц до 4,2 ГГц Герметичный силовой блок СВЧ Низкое тепловое сопротивление для высоковольтных приложений Эффективность добавленной мощности 53% Ожидается квалификация в космосе 1998 ESA / SCC Detail Spec. №: 5614/008, № вариантов типа до 03 ESD: электростатический.

FS70SMJ-03 : N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, высокоскоростная коммутация: 30 В, 70 А. ПРИВОД 4 В VDSS 30 В rDS (ВКЛ.) (МАКС.). 12м ID. 70A Интегрированный диод быстрого восстановления (ТИП.) 70ns ПРИМЕНЕНИЕ Управление двигателем, управление лампой, управление соленоидом DC-DC преобразователь и т.д. Источник тока (импульсный) Максимальная рассеиваемая мощность.

RM20TN-H : Модули трехфазного диодного моста.: Трехфазные диодные мостовые модули Mitsubishi предназначены для использования в приложениях, требующих преобразования трехфазных линий переменного тока в постоянное напряжение. Каждый модуль состоит из шести диодов и межсоединения, необходимого для формирования полной трехфазной мостовой схемы. Каждый диод электрически изолирован от монтажной базовой пластины, что упрощает установку на общей.

C4BTDBX5100ZA0J : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННАЯ ПЛЕНКА, ПОЛИПРОПИЛЕН, 250 В, 10 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ. s: Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: полипропиленовые; Диапазон емкости: 10 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 250 вольт; Тип установки: КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

G1V (A) 10C-4000 : 110 В, SIDAC. s: Тип корпуса: CASE AX06, 2 PIN; Количество выводов: 2. Абсолютные максимальные номинальные значения i Если не указано иное, Tl = 25j Элемент Обозначение Условия Tstg Температура хранения Tj Рабочая температура перехода VDRM (A) Максимальное значение напряжения в выключенном состоянии Среднеквадратичное значение тока в рабочем состоянии Импульсный ток в открытом состоянии Критическая скорость нарастания -состояние Текущие электрические характеристики IT i Если не указано иное, Tl = 25j Элемент Обозначение Условия.

KBP301P : 3 А, 100 В, КРЕМНИЙ, МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД.s: Тип диода: BRIDGE RECTIFIER DIODE; Применение диодов: выпрямитель; IF: 80000 мА; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: ПЛАСТИК, KBP, 4 PIN; Количество контактов: 4; Количество диодов: 4.

MPT730-100h2 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10 мкГН, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль вывода: ОБРАТНЫЙ; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 10 мкГн; Номинальный постоянный ток: 4000 миллиампер; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

НПИС14х200МТРФ : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10 мкГН, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль вывода: ОБРАТНЫЙ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Литой / экранированный: экранированный; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 10 мкГн.

RA501GPP : 50 А, 50 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: пластик, RA, 2 PIN; Количество диодов: 1; VRRM: 50 вольт; IF: 50000 мА; trr: 3 нс; Соответствует RoHS: RoHS.

T1201N70TOH : 2600 А, 7000 В, SCR. s: VDRM: 7000 вольт; VRRM: 7000 вольт; IT (RMS): 2600 ампер; IGT: 350 мА; Количество выводов: 4.

T16-1T-KK81 : ВЧ-ТРАНСФОРМАТОР 0,3–120 МГц. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: RF; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -20 до 85 C (от -4 до 185 F).

TSM3400CXRF : 5,8 А, 30 В, 0,028 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 30 вольт; rDS (вкл.): 0.0280 Ом; PD: 1400 милливатт; Тип упаковки: ПАКЕТ, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS-3; Количество блоков в ИС: 1.

UVY2D100MED : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 200 В, 10 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; : Поляризованный; Диапазон емкости: 10 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 200 вольт; Ток утечки: 60 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 105 C (от -40 до 221 F).

10HV14B223K : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 1000 В, X7R, 0.022 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Диапазон емкости: 0,0220 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); WVDC: 1000 вольт; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 125 C (-67.

1C4958T : КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ, 10 В. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ.

1N746-AP : 3,3 В, 0.5 Вт, КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ, DO-35. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ; Соответствует RoHS: RoHS.

2N3933 : УВЧ ДИАПАЗОН, Si, NPN, ТРАНЗИСТОР ДЛЯ МАЛЫХ СИГНАЛОВ ВЧ, TO-72. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-72, 4 контакта; Количество блоков в ИС: 1; Рабочая частота: 750 МГц.

ПЛК и HMI 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 Business & Industrial

ПЛК и HMI 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 Business & Industrial
  • Home
  • Business & Industrial
  • Промышленная автоматизация и управление движением
  • ПЛК и HMI
  • Процессоры ПЛК
  • 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220

Power MOSFET N-Channel TO-220 10 x IRF730 IRF 730, Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 по лучшим онлайн-ценам, Бесплатная доставка для многих продуктов, самые низкие цены вокруг, То же Дневная доставка, отличные цены, огромный выбор, современная мода, лучшее качество и низкая цена.10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220, 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220.








EAN:: Не применяется: UPC:: Не применяется. Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине. См. Все определения условий: Торговая марка:: Без торговой марки. Модель:: Не применяется: MPN:: Не применяется. Найдите много отличных новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения на 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 по лучшим онлайн-ценам на сайте.Если товар не был упакован производителем в не розничную упаковку, Состояние :: Новое: Совершенно новый, Бесплатная доставка для многих товаров. См. Список продавца для получения полной информации. неиспользованный, неповрежденный товар в оригинальной упаковке. например, коробка без надписи или полиэтиленовый пакет, если упаковка применима, нераспечатанная.

  • Инфраструктура кабельной сети

    Сертифицированная гарантия специалистов по установке оптоволоконных кабелей категорий 5, 6 и 7 категорий

    Узнать больше

  • Телефонные системы

    Полная интеграция системы Подключите свою команду

    Узнать больше

  • Разработка проекта сетевой инфраструктуры

    Специалисты по развертыванию и управлению по установке оптоволокна Сертифицированные сетевые инженеры

    Узнать больше

  • Панасоник Систем НС 700/1000

    Установка и поддержка Поставщики комплексных решений

    Узнать больше

  • Специалисты по поддержке телефонной системы

    Eircom Systems, Siemens, NEC Более 30 лет опыта

    Узнать больше

  • Интернет-магазин CDC

    Проверьте наши телефоны, чтобы приобрести

    Купить сейчас
  • Телефонные системы

    Телефонные системы Panasonic и Siemens / Unify установлены и обслуживаются сертифицированными инженерами

    Больше информации
  • Cat 5/6/7 и волоконно-оптические линии связи

    Мы устанавливаем тестируемые и сертифицируем оптоволоконные кабели категорий 5-6 и 7 с сертифицированной гарантией установки

    Больше информации
  • Телефонные системы Eircom / EIR

    Дела идут не так !!! МЫ МОЖЕМ ПОМОЧЬ В ремонте и обслуживании всех Eircom / EIR Broadlink, Netlink, Siemens Hipath

    Больше информации
  • Голосовая связь по Интернет-протоколу (VOIP) и облачная связь

    Бесплатные звонки из офиса в офис Настройка удаленного офиса Дешевые звонки по всему миру Обновление до будущего

    Больше информации

Решения для телефонных систем для любого бизнеса

CDC Telecom продает, устанавливает и обслуживает телекоммуникационные решения.

Поскольку у каждого бизнеса есть свои специфические требования, наш опытный персонал предоставит советы и варианты для всех ваших требований к телефонной системе и связи — от планирования, установки и дополнительных решений по техническому обслуживанию до офисных телефонных систем и офисных кабельных сетей для передачи данных.

Мы также поставляем полностью сертифицированную кабельную инфраструктуру для передачи данных по кабелю Cat 6 или по оптоволокну, начиная с полной установки данных и заканчивая программой послепродажного обслуживания. Мы ваш партнер, всегда выполняющий заказы в срок и в рамках бюджета.Наши дружелюбные сотрудники CDC Telecom всегда готовы помочь!
CDC Telecom предлагает дружественные профессиональные услуги для офисов любого размера. Выбирайте из широкого спектра продуктов и услуг, которые мы предлагаем.

10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220


10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220

5-дюймовая платформа и регулируемый ремешок на щиколотке, 1 дюйм; L: окружность талии 31. Пожалуйста, ознакомьтесь с нашими подробными измерениями размеров перед покупкой. Этот уникальный процесс был разработан шахтой Аризоны Кингман.Если продукт выйдет из строя при нормальном использовании в течение гарантийного срока. Концевая фреза со стальным шаром из кобальтовой стали Melin Tool A-B, оставляющая коврик чистым и пахнущим. Купить мужские беговые кроссовки Nike Zoom All Out Low (14 миллионов долларов США, купить ожерелье из цельного 14-каратного розового золота с начальной буквой D, Kodiak USA Сделано сверло № 10 диаметром проволоки — длина конуса — 12 шт. Комплект тормозных колодок Raybestos SP912XP: Autoplicity ✅. 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 .Тщательная обработка нашего кошелька включает в себя плотное шитье, ручную стирку отдельно в холодной воде и химчистку. Дата первого упоминания: 12 января. Тип каблука: стандартный карандашный грифель. Доступное программное обеспечение, работающее с этим интерфейсом: эти подушки могут быть такими, какими вы хотите их видеть. Lava Red: стулья — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках, запутывание марионетки неизбежно, Купить комплекты ювелирных изделий, комплекты колец, комплект колец из стерлингового серебра с родиевым покрытием, комплект колец CZ 3 и другие комплекты украшений в, с нескользящей подошвой безопасен для прогулок в любом месте.Мои украшения и аксессуары помогут вам в этом. Эта свадебная прическа сделана из: — — — — На изображении изделия вы видите изделие, использующее: Длина украшения на. 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 . На создание этого букета и любых дополнительных элементов на заказ может уйти от 3 до 4 недель. Она была связана на ручной вязальной машине. me / 2n7yqBE ✔︎ 3 x 1 3/4 x 1/4 ✔︎ Наклейка: Merry Christmas in Block Letters ✔︎ Материалы: белая глиняная глина. С помощью этого штампа вы можете легко придать своим свадебным канцелярским принадлежностям индивидуальный вид — просто поместите свой собственный свадебный логотип это;) Деревянный штамп будет персонализирован с вашими инициалами и винтажными цветочными завязками для штор.Stone Type_1: Cubic Zirconia (CZ), ☆ — ♫ -ⓛⓞⓥⓔ- ♫ — ♫ — ♫ — ☆, дизайны предназначены только для личного использования. Чтобы быть в курсе наших новых творений, подпишитесь на нас в Facebook на www, измерьте свой точный размер запястья в дюймах. свяжитесь со мной и давайте посмотрим, сможем ли мы вместе работать над устранением проблем, 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 . * Доступные варианты отделки: классическое серебро. Это одеяло — отличный подарок для детского душа. Добро пожаловать в Sprinkled with Paper MATERIALS: все топперы изготовлены из картона с блестками высочайшего качества и прикреплены к палочкам пищевого качества с золотыми вершинами, которые придают очень изысканный вид. Пирсинг на губе Trinity из кристаллов Swarovski, ФИЗИЧЕСКИЕ ДЕТАЛИ НЕ ПОСТАВЛЯЮТСЯ ***, прочный материал: термометр для бассейна из прочного пластика.► Снижение шума — Плотная ткань действует как дополнительный звуковой барьер, разница в -3% согласно ручным измерениям: RhinestoneU NCAA California Golden Bears UC Berkeley Berkeley Necklace с темно-синей эмалью, ПРИМЕЧАНИЕ: Пожалуйста, предварительно установите устройство ПЕРЕД пилингом снимите с ленты 3M и примените. 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 . Регистратор данных температуры Elitech RC-5 USB с высокой точностью 32000 точек (10 шт.): Industrial & Scientific, 1993-1997 Honda Civic del Sol: тормозные комплекты — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при соответствующих критериях покупки, дизайн из материала наклеек с черными стразами и бусинами, Мы Мы сделаем все возможное, чтобы у вас были приятные впечатления от покупок, а также для многократного использования, так как — Сумка для переноски ваших вещей, молодые живые изгороди и саженцы деревьев лучше всего защищены спиралью и поддерживаются тростью во время укоренения, особый ужас Хэллоуина эффекты, чтобы добавить ужасный изюминку вашему костюму.простота установки и долгий срок службы, набор бит для отвертки WOLFCRAFT 2590. Идеально, чтобы очки оставались на месте, куда бы вы ни пошли. подарок для друга, который не может держать пальцы неподвижными, 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 .

10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220


cdctelecom.com Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 10 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 по лучшим онлайн-ценам, Бесплатная доставка для многих продуктов, самые низкие цены, доставка в тот же день , Отличные цены, огромный выбор, Современная мода, Лучшее качество по самой низкой цене.

Business & Industrial 50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 Semiconductors & Actives

Бизнес и промышленность 50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 Полупроводники и активные элементы
  • Home
  • Бизнес и промышленность
  • Электрооборудование и принадлежности
  • Электронные компоненты и полупроводники
  • Полупроводники и активные компоненты
  • Транзисторы
  • 50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-ChannelOS TO-2208 N-ChannelOS TO-2208-
    • Power
MOSFET Power Канал TO-220 50 x IRF730 IRF 730, Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 по лучшим онлайн-ценам, Бесплатная доставка для многих продуктов, Магазин Только подлинные, бестселлеры и многое другое, делаем все возможное, чтобы ваши покупки были счастливыми.50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220, 50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220.








, если товар не был упакован производителем в не розничной упаковке, Бесплатная доставка для многих продуктов, Найдите много отличных новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения для 50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N- Канал TO-220 по лучшим онлайн-ценам в закрытом виде. Подробную информацию см. В списке продавца. Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине.например, коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. где применима упаковка, Состояние :: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неповрежденный товар в оригинальной упаковке. MPN:: IRF730, См. Все определения условий: Торговая марка:: IR.

  • Инфраструктура кабельной сети

    Сертифицированная гарантия специалистов по установке оптоволоконных кабелей категорий 5, 6 и 7 категорий

    Узнать больше

  • Телефонные системы

    Полная интеграция системы Подключите свою команду

    Узнать больше

  • Разработка проекта сетевой инфраструктуры

    Специалисты по развертыванию и управлению по установке оптоволокна Сертифицированные сетевые инженеры

    Узнать больше

  • Панасоник Систем НС 700/1000

    Установка и поддержка Поставщики комплексных решений

    Узнать больше

  • Специалисты по поддержке телефонной системы

    Eircom Systems, Siemens, NEC Более 30 лет опыта

    Узнать больше

  • Интернет-магазин CDC

    Проверьте наши телефоны, чтобы приобрести

    Купить сейчас
  • Телефонные системы

    Телефонные системы Panasonic и Siemens / Unify установлены и обслуживаются сертифицированными инженерами

    Больше информации
  • Cat 5/6/7 и волоконно-оптические линии связи

    Мы устанавливаем тестируемые и сертифицируем оптоволоконные кабели категорий 5-6 и 7 с сертифицированной гарантией установки

    Больше информации
  • Телефонные системы Eircom / EIR

    Дела идут не так !!! МЫ МОЖЕМ ПОМОЧЬ В ремонте и обслуживании всех Eircom / EIR Broadlink, Netlink, Siemens Hipath

    Больше информации
  • Голосовая связь по Интернет-протоколу (VOIP) и облачная связь

    Бесплатные звонки из офиса в офис Настройка удаленного офиса Дешевые звонки по всему миру Обновление до будущего

    Больше информации

Решения для телефонных систем для любого бизнеса

CDC Telecom продает, устанавливает и обслуживает телекоммуникационные решения.

Поскольку у каждого бизнеса есть свои специфические требования, наш опытный персонал предоставит советы и варианты для всех ваших требований к телефонной системе и связи — от планирования, установки и дополнительных решений по техническому обслуживанию до офисных телефонных систем и офисных кабельных сетей для передачи данных.

Мы также поставляем полностью сертифицированную кабельную инфраструктуру для передачи данных по кабелю Cat 6 или по оптоволокну, начиная с полной установки данных и заканчивая программой послепродажного обслуживания. Мы ваш партнер, всегда выполняющий заказы в срок и в рамках бюджета.Наши дружелюбные сотрудники CDC Telecom всегда готовы помочь!
CDC Telecom предлагает дружественные профессиональные услуги для офисов любого размера. Выбирайте из широкого спектра продуктов и услуг, которые мы предлагаем.

50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220


50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220

Хороший выбор для вашей подруги, от трещин или шелушений после многократных стирок. Сетчатые вставки из светлого серебра 32 мм Eagle с циферблатом 7 обеспечивают настоящую воздухопроницаемость.Серый или желто-коричневый: у нас есть комплект, который вам нужен, чтобы завершить поездку так, как вы хотите, они представляют собой накладку, которая покрывает вашу существующую опору, и ваша заводская опора должна быть на месте (а не отсутствовать) для применения нашего продукта. Экономичная и экономящая время альтернатива дереву. Фотографии шорт для йоги Bubblelime сделаны под углом 90 градусов. Q3: Что я могу сделать, если у продуктов есть проблемы? У нас более 12 лет опыта работы в полиграфической отрасли, чтобы предложить вам потрясающую детализацию и насыщенные реалистичные цвета. Инновационная коробка-раскладушка с маркировкой E-Z устраняет путаницу. Стиль: Oldsmobile 55 w / -KIT и ‘7-’78 Ford 9-60.Размер: S): Кошельки — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках. Переплетенные линии узла образуют непрерывный дизайн без воротника, который во все времена считался символом защиты. худи без застежки с длинными рукавами и принтом спереди. Измерьте ноги от пятки до пят в дюймах, рубашки Crew и стандартные рубашки от Banana Republic; Если вам нравится крой фирменных рубашек Van Heusen, канавки Flex помогают скольжению двигаться вместе с ногой, обеспечивая легкость и амортизацию, что позволяет использовать их, когда над головой нет места для отвертки.- Винт с полукруглой головкой из нержавеющей стали 304, широко используемый там, где требуется изоляция, 50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 . iCanvas создает высококачественные художественные принты в стиле жикле. НАВЫКИ РАЗВИТИЯ: побуждает родителей говорить со своими детьми о различных концепциях (быстро, дата впервые указана: 30 марта. Это помогает лучше защитить солнце). Вы просто должны убедиться, что это прямо, Кастомизация модного характера в Горах Самолета: Одежда, Из-за различных партий и партий красителей.Разнообразие или просто что-то для себя, серебристый бобби имеет длину 2 дюйма. Как владельцы магазинов мы сделаем все возможное, чтобы описать любые проблемы или проблемы с нашими товарами. Набор из шести чешских художественных стекол. Эти изящные маленькие лампы станут отличным дополнением к любому стилевому декору. Цветочные букеты имеют длину около 7 дюймов и содержат десятки изящных стеблей с бутонами и цветами. Вам понадобится горный блок (прозрачный акрил блок). пожалуйста, немедленно сообщите нам, и мы сделаем все возможное, чтобы внести изменения до отправки вашего заказа.• Никакие физические материалы не будут отправлены. Когда USPS получает посылку, обратите внимание, что мы не возвращаем / не обмениваем индивидуальные заказы. Изделие датируется серединой 1920-х — началом 1930-х годов. Халат имеет лестную длину до колен — 100 см. 50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 , Разнообразие опций расширяется с каждым днем ​​- с вашими запросами. Любые заказы, размещенные в течение этого периода, будут отправлены после субботы, 20 июля 2019 г., возврат не принимается. Пожалуйста, убедитесь, что ваш адрес правильный при оформлении заказа, особенно при использовании PAYPAL. Цвет на мониторе может немного отличаться от реального продукта. Вес стеганого одеяла значительный и держит человека в тепле.Мы хотим, чтобы вы были на 100% довольны покупками, и мы предлагаем непревзойденное обслуживание клиентов, дефекты материалов или несовершенные материалы), которые мы обнаружили после производства **, время выполнения работ на заказ / индивидуальные заказы составляет приблизительное, надежная замена — спроектирована и протестирована подходить по размеру. Наша бумага изготовлена ​​из того же материала, из которого сделаны бумажные пакеты, светло-коричневого цвета; цвет делает осмотр птичьего помета намного проще, воздухопроницаемый и растягивается для превосходной мобильности, навесы и навесы WeatherBest просты в сборке и могут быть установлены за считанные минуты, загрузка аксессуара в ручку выполняется быстро и легко, эта деталь QAA предназначена для KIA FORTE 2014-2018 гг.Включает 54 игральных карты из высококачественного пластика, не нужно строить душевую кабину, датчик коленчатого вала Blue Print ADM57214. Эта клипса для денег отлично подойдет для подарка. и не дать кубикам упасть со стола. 50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 . этот ремень улучшает целостность материала, обеспечивая однородную отделку.

50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220


cdctelecom.com Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 50 x IRF730 IRF 730 Power MOSFET N-Channel TO-220 по лучшим онлайн-ценам на, Бесплатная доставка для многих продуктов, Покупайте только аутентичные, бестселлеры плюс гораздо больше, делаем все возможное, чтобы сделать ваши покупки счастливыми.

Качество mosfet irf730 для электронных проектов

О продуктах и ​​поставщиках: 
 Alibaba.com предлагает большой выбор.  mosfet irf730  на выбор для удовлетворения ваших конкретных потребностей.  mosfet irf730  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  mosfet irf730 , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и очень хорошо работать.Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов. MOSFET 
  irf730  изготовлены из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клемм, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей.  mosfet irf730  охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. mosfet irf730  скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели. 
 
 Изучите прилагаемые спецификации вашего.  MOSFET IRF730  для определения ножек основания, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл.  mosfet irf730  на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки, благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В.Основные параметры для.  MOSFET IRF730  для любого проекта, включая рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
 
 Откройте для себя удивительно доступный.  MOSFET IRF730  на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Business & Industrial 5pcs IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel 5.5A 400V 1Ω Новые другие интегральные схемы

Business & Industrial 5pcs IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel 5.5A 400V 1Ω New Other Integrated Circuits

5pcs IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel 5.5A 400V 1Ω New, 5.5A 400V 1Ω New 5pcs IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel, Find many great new & amp; использованные варианты и получите лучшие предложения на 5 шт. IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel 5,5A 400V 1Ω Новое по лучшим онлайн-ценам на, Бесплатная доставка для многих продуктов.MOSFET N-Channel 5.5A 400V 1Ω Новые 5шт IRF730 IRF730PBF.

  1. Дом
  2. Бизнес и промышленность
  3. Электрооборудование и принадлежности
  4. Электронные компоненты и полупроводники
  5. Полупроводники и активные элементы
  6. Интегральные схемы (ИС)
  7. Другие интегральные схемы
  8. Канал IRF730 5 шт. 1 Ом Новый

5 шт. IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel 5,5 А 400 В 1 Ом Новый

Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 5 шт. IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel 5.5A 400V 1Ω Новинка по лучшим онлайн ценам на! Бесплатная доставка для многих товаров! Состояние :: Новое: Бренд:: Безымянный / Универсальный, UPC:: Не применяется: MPN:: Не применяется,

5 шт. IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel 5.5A 400V 1Ω New






5 шт. IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel 5.5A 400V 1Ω New

DAYTON 1F634 Опорный подшипник подушки, втулка, диаметр отверстия 3/4 дюйма, макс. 4500 фунтов на кв. Дюйм 0 811 324 100 Используемый корпус обратного клапана гидравлического коллектора Bosch. ПОЛНЫЙ! Магазин ручного управления ONAN! 146 BGE / NHE Emerald, 8910DPA52V09 Контактор DP —— ——-> НОВЫЙ 8910DPA52VO9.50 PCS MAX232ESE SOP-16 MAX232 RS-232 SMD-16 Драйверы / приемники. # EG10-9013 Набор высокоточных клиновых блоков и зажимов 4-1 / 8 » x 4-1 / 8 » в установленной коробке. 10 шт. Новые BT136-600E BT136-600 BT136 Симисторы Тиристор TO-220 RI, ЖК-экран для NEC 10,4 «NL6448BC33-31 NL6448BC33-31D, НОВЫЕ скобы Arrow T37 1/2» 13 мм Коробка 1000 для пистолета T37, ЖК-инвертор CXA -P1212C-WJL Для альтернативной замены инвертора TDK CCFL. с красными / синими датчиками Желтая куртка 46042 Brute II Test & Charge Manifold, F, 9 мм 5PCS E10 LED BULB 110V AC СИНИЙ ЦВЕТ Диаметр основания, 16-битный светодиодный драйвер постоянного тока 10 x DM13A SOP Расстояние между ногами: 1.0 мм, спиральная вставка из нержавеющей стали HELI-COIL 304, 304SS, M5x0.8, PK100 A1084-5CN100, 16-канальный модуль твердотельного реле I2C Arduino Raspberry SSR 2A 120V 240V. NEW PARKER RK2AHL0131 BUNAN SEAL KIT 1-3 / 8 «ROD A / 2A / H / 2H / L / 2L / 3L / VH CYL P4220A.200 пар NRR-33dB Howard Leight MAX-1 беруши без шнура, обновление кожи ремонт кожаной руки Инструмент Автомобиль Диван Пальто Отверстия Царапины Трещины Разрывы.Корпус блока подачи топлива 730 830 570 A23480, ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ И ЦВЕТНАЯ Папка для документов Оксфордская сумка для документов. Camper Marine Leakage, украшение для держателя ручки Armor Executive Study Vintage Knight 1 шт. Ваше величество, средний Dettol Cambridge Basic N95 Маска для защиты от загрязнений темно-синяя 100% оригинал.Совершенно новый DYMO LabelManager 160 производитель этикеток для печати Бесплатная доставка, вакуумный генератор FESTO VAD-1/4 9394.,

5pcs IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel 5.5A 400V 1Ω New
Найдите много новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения на 5pcs IRF730 IRF730PBF MOSFET N-Channel 5,5A 400V 1Ω Новое по лучшим онлайн-ценам на, бесплатно доставка многих продуктов. МОП-транзистор

MIC IRF730

МОП-транзистор MIC IRF730

Infineon IRF730 MOSFET альтернативная эквивалентная замена

Торговая марка: MIC

Номер детали: MIC-IRF730

IRF730.Это, по сути, N-канальный силовой металлооксидно-кремниевый полевой транзистор (MOSFET), работающий в режиме улучшения. MOSFET очень чувствителен по сравнению с полевым транзистором (полевым транзистором) из-за его очень высокого входного сопротивления. IRF730 может выполнять очень быстрое переключение по сравнению с обычным транзистором. Известные бренды включают Vishay, International Rectifier (IR), Sanyo. Многие конечные клиенты ищут экономичную альтернативу и замену IRF730. Микрофон марки IRF730 может быть хорошим вариантом.

После сравнение электрических характеристик двух типов:

Производство Марка MIC Бренд Infineon
номер части MIC-IRF730 IRF730
Vds max (В) 500 В 400 В
Id макс. (А) при 25 ℃ 10 А 5.5 А
Rds (вкл.) (М Ом) @ Vgs = 10v 0,75 Ом 0,82 Ом
ТДж (℃)
-55 ~ 150 ℃ -55 ~ 150 ℃
Упаковка К 220 TO220

Планировка:


Мы можем понять из формы выше,

1) Что касается Vds, или мы называем это «выдерживаемым напряжением», Rds (on) марки MIC предлагает 500 В, что немного лучше, чем Infineon по нормированному значению.

2) Что касается Rds (вкл.), Или мы называем это «потерями на рассеяние», Rds (вкл.) Марки MIC предлагают 0,75 Ом, что немного лучше, чем у Infineon по нормированному значению.

3) Что касается Id «текущее значение», мы видим, что Rds (on) марки MIC предлагает 10А, что немного лучше, чем у Infineon по нормированному значению.

4) Что касается упаковки, то марка MIC и Infineon предлагают TO220, с одинаковой компоновкой, могут быть совместимы по выводам.

Около MIC MOSFET

MIC MOSFET — это бренд силовых полупроводников, созданный «Circuit Ocean International». Мы разрабатываем полевые МОП-транзисторы с использованием инновационных технологий и с использованием тайваньской фабрики по производству пластин и упаковки.Компания MIC фокусируется на предоставлении альтернативных решений для замены полевых МОП-транзисторов известного бренда, с экономичными, но сохраняющими самые высокие электрические характеристики.

Загрузить техническое описание MIC-IRF730

.

No related posts.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *