Схема усилитель феникс 50 у 008 с: Усилитель Феникс 50У-008С — схема, внешний вид, фото

Содержание

Схема усилителя феникс 50у 008с

Большинство аудиолюбителей достаточно категорично и не готово к компромиссам при выборе аппаратуры, справедливо полагая, что воспринимаемый звук обязан быть чистым, сильным и впечатляющим. Как этого добиться?

Поиск данных по Вашему запросу:

Схема усилителя феникс 50у 008с

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Пожалуй, основную роль в решении этого вопроса сыграет выбор усилителя.
Функция
Усилитель отвечает за качество и мощь воспроизведения звука. При этом при покупке стоит обратить внимание на следующие обозначения, знаменующие внедрение высоких технологий в производство аудио — аппаратуры:

     
  • Hi-fi.
    Обеспечивает максимальную чистоту и точность звука, освобождая его от посторонних шумов и искажений.
  • Hi-end. Выбор перфекциониста, готового немало заплатить за удовольствие различать мельчайшие нюансы любимых музыкальных композиций. Нередко к этой категории относят аппаратуру ручной сборки.

 

Технические характеристики, на которые следует обратить внимание:

  • Входная и выходная мощность. Решающее значение имеет номинальный показатель выходной мощности, т.к. краевые значения часто недостоверны.
  • Частотный диапазон. Варьируется от 20 до 20000 Гц.
  • Коэффициент нелинейных искажений. Здесь все просто — чем меньше, тем лучше. Идеальное значение, согласно мнению экспертов — 0,1%.
  • Соотношение сигнала и шума. Современная техника предполагает значение этого показателя свыше 100 дБ, что сводит к минимуму посторонние шумы при прослушивании.
  • Демпинг-фактор. Отражает выходное сопротивление усилителя в его соотношении с номинальным сопротивлением нагрузки. Иными словами, достаточный показатель демпинг-фактора (более 100) уменьшает возникновение ненужных вибраций аппаратуры и т.п.

Следует помнить: изготовление качественных усилителей — трудоемкий и высокотехнологичный процесс, соответственно, слишком низкая цена при достойных характеристиках должна Вас насторожить.

 
Классификация

Чтобы разобраться во всем многообразии предложений рынка, необходимо различать продукт по различным критериям. Усилители можно классифицировать:

  • По мощности. Предварительный — своеобразное промежуточное звено между источником звука и конечным усилителем мощности. Усилитель мощности, в свою очередь, отвечает за силу и громкость сигнала на выходе. Вместе они образуют полный усилитель.

Важно: первичное преобразование и обработка сигнала происходит именно в предварительных усилителях.

  • По элементной базе различают ламповые, транзисторные и интегральные УМ. Последние возникли с целью объединить достоинства и минимизировать недостатки первых двух, например, качество звука ламповых усилителей и компактность транзисторных.
  • По режиму работы усилители подразделяются на классы. Основные классы — А, В, АВ. Если усилители класса А используют много энергии, но выдают высококачественный звук, класса B с точностью до наоборот, класс AB представляется оптимальным выбором, представляя собой компромиссное соотношение качества сигнала и достаточно высокого КПД. Также различают классы C, D, H и G, возникшие с применением цифровых технологий. Также различают однотактные и двухтактные режимы работы выходного каскада.
  • По количеству каналов усилители могут быть одно-, двух- и многоканальными. Последние активно применяются в домашних кинотеатрах для формирования объемности и реалистичности звука. Чаще всего встречаются двухканальные соответственно для правой и левой аудиосистем.

Внимание: изучение технических составляющих покупки, конечно, необходимо, но зачастую решающим фактором является элементарное прослушивание аппаратуры по принципу звучит-не звучит.

 
Применение

Выбор усилителя в большей степени обоснован целями, для которых он приобретается. Перечислим основные сферы использования усилителей звуковой частоты:

  1. В составе домашнего аудиокомплекса. Очевидно, что лучшим выбором является ламповый двухканальный однотакт в классе А, также оптимальный выбор может составить трехканальный класса АВ, где один канал определен для сабвуфера, с функцией Hi — fi.
  2. Для акустической системы в автомобиле. Наиболее популярны четырехканальные усилители АВ или D класса, в соответствии с финансовыми возможностями покупателя. В автомобилях также востребована функция кроссовер для плавной регулировки частот, позволяющей по мере необходимости срезать частоты в высоком или низком диапазоне.
  3. В концертной аппаратуре. К качеству и возможностям профессиональной аппаратуры обоснованно предъявляются более высокие требования в силу большого пространства распространения звуковых сигналов, а также высокой потребности в интенсивности и длительности использования. Таким образом, рекомендуется приобретение усилителя классом не ниже D, способного работать почти на пределе своей мощности (70-80% от заявленной), желательно в корпусе из высокотехнологичных материалов, защищающем от негативных погодных условий и механических воздействий.
  4. В студийной аппаратуре. Все вышеизложенное справедливо и для студийной аппаратуры. Можно добавить о наибольшем диапазоне воспроизведения частот — от 10 Гц до 100 кГц в сравнении с таковым от 20 Гц до 20 кГц в бытовом усилителе. Примечательна также возможность раздельной регулировки громкости на различных каналах.

Таким образом, чтобы долгое время наслаждаться чистым и качественным звуком, целесообразно заранее изучить все многообразие предложений и подобрать вариант аудио аппаратуры, максимально отвечающий Вашим запросам.

 

«%d0%a3%d1%81%d0%b8%d0%bb%d0%b8%d1%82%d0%b5%d0%bb%d1%8c %d0%a4%d0%b5%d0%bd%d0%b8%d0%ba%d1%81 50 %d0%a3 008 %d0%a1» на интернет-аукционе Мешок

4 Журнала мурзилка 1979 год одним лотом. .Номер 8-9-11-12.Плюс 4 без обложки того же года.

250.00 р.  0 ставок

Саратов    270.00 р

Окончание торгов: 02/11 13:17

Продавец: marsel 1 (345) 

3 в 1 Московский театр » Современник » 1976-82, лицензионный DVD

39.00 р.  0 ставок

Киров    300.00 р

Окончание торгов: 2 дня

Продавец: AntGR (5052) 

0.35КТ Александрит Кошачий Глаз Овал Кабошон Индия 5х4

800.00 р. Торг уместен

Санкт-Петербург    200.00 р

Окончание торгов: 02/11 19:35

Продавец: DiaGemStore (76) 

A3 — 1 шт. — Бурунди — CTO — Бабочки — Насекомые — Фауна — зубчатый — 2011

20.00 р.

Рига    250.00 р

Окончание торгов: 16/12 20:41

Продавец: удача333 (1279) 

A3 — 1 шт. — Чад — CTO — Бабочки — Насекомые — Фауна — зубчатый — 2011

20.00 р.

Рига    250.00 р

Окончание торгов: 16/12 20:41

Продавец: удача333 (1279) 

A3 — 1 шт. — Руанда — CTO — Бабочки — Насекомые — Фауна — зубчатый — 2010

20.00 р.

Рига    250.00 р

Окончание торгов: 16/12 20:41

Продавец: удача333 (1279) 

1 дирхам 1892 г. (1310) Морокко — Y#5 — 28-4

750.00 р.

Москва    самовывоз

Окончание торгов: 22/11 11:53

Продавец: Dontor_2m (1475) 

1 рубль 1964г. Годовик Погодовка Годовой 5-6-4

30.00 р.

Москва    самовывоз

Окончание торгов: 08/12 18:11

Продавец: Honda131058 (210) 

1 евро цент 2002г. (J) Германия а-5-11-4

10.00 р.

Москва    самовывоз

Продавец: Сергей 999 (1704) 

Коллекционная ёлочная игрушка «Собачка». Новая. Размер игрушки: 8х6,5х4,5 см. Стекло.

350.00 р.  0 ставок

450.00 р.  блиц-цена

Усинск    350.00 р

Окончание торгов: 23 часа

Продавец: Aleksei Sh. (734) 

Supertramp — «Even In The Quietest Moments…» 1977 LP A&M made in HOLLAND AMLK 64634 1A-3/1B-4

1500.00 р.

Москва    самовывоз

Окончание торгов: 05/11 18:56

Продавец: keks3068 (363) 

2.45 к VS !!! ЦИТРИН НАТУРАЛЬНЫЙ 4 ШТ 5.0 X 7.0 X 3.6 — 5.0 X 7.0 X 3.1 мм

600.00 р.

Чехов    200.00 р

Окончание торгов: 29/10 15:32

Продавец: SERGE63 (1643) 

Кабель USB 2.0 A(male) — mini USB B(male) 5PIN 0,1M чёрного цвета

50.00 р.

Пятигорск    265.00 р

Окончание торгов: 23/11 01:03

Продавец: Вячеслав_79 (5423) 

Кабель USB 2.0 A(male) — micro USB B(male) 5PIN 0,5м чёрного цвета

60.00 р.

Пятигорск    265.00 р

Окончание торгов: 22/12 20:41

Продавец: Вячеслав_79 (5423) 

Бампер защитный чехол на iPhone 6 6s 5 5s SE 5c 4 4s 6 plus

287.00 р.

Сингапур    бесплатно!

Окончание торгов: 3 часа

Продавец: nic63 (4849) 

Бампер защитный чехол на iPhone 6 6s 5 5s SE 5c 4 4s 6 plus

287.00 р.

Сингапур    бесплатно!

Окончание торгов: 3 часа

Продавец: nic63 (4849) 

Кабель USB 2.0 A вилка — Mini USB B вилка 0.5 м чёрного цвета

35.00 р.

Пятигорск    265.00 р

Окончание торгов: 19/11 01:19

Продавец: Вячеслав_79 (5423) 

Германия / Пруссия / 1/3 талера / 1774 г. (B) / 8 гр. / Ag 0.666 / VF+ / KM 329 /

3250.00 р. Торг уместен

Челябинск    договорная

Продавец: Bosporshop (3261) 

Audi A3 датчик air bag 8L0959643C

1500.00 р.

Москва    500.00 р

Продавец: Мёд (8)

Германия 1937 год 1 пф F-D-E-A №3 (А9)

250.00 р.

Москва    самовывоз

Окончание торгов: 2 дня

Продавец: AndrCh58 (5514) 

Уточните поиск:  1 рубль 50 копеек 50 лет CCCP UNC Англия архитектура бонистика бумажные деньги винтаж вторая мировая война Германия дешево животные звезда империя иностранные монеты коллекционирование коллекция комплект космос КПД набор набор монет недорого нечастая нумизматика оригинал Оригинал отличное состояние погодовка подарок Почтовые марки пресс UNC птицы Редкая монета редкость серебро серебряная монета состояние СССР США фауна филателия Царская Россия чистые марки экзотика юбилейные Юбилейные рубли СССР Юго-Восточная Азия Еще…

Девочка птица кормушка B.Merli Каподимонте 82г 5

5600.00 р.

Москва    самовывоз

Окончание торгов: 27/10 10:17

Продавец: РАРИТЕТ (775) 

ЧЕХОЛ ДЛЯ iPhone 5 5S 5C 4 4S

100.00 р.  0 ставок

150.00 р.  блиц-цена

Гонконг    250.00 р

Окончание торгов: 7 часов

Продавец: welcoMEN (2597) 

Резистор 0.5Вт 4.7Kom 50шт

180.00 р.

Хабаровск    200.00 р

Окончание торгов: 13/12 08:29

Продавец: alteramax (324) 

Германия / Пруссия / 2 1/2 гроша / 1843 г. (A) / 3.1 гр. / Ag 0.375 / VF+ / AKS 83 /

1625.00 р. Торг уместен

Челябинск    договорная

Продавец: Bosporshop (3261) 

Франция 1 десиме LAN8 BB n-70

500.00 р.

Мытищи    100.00 р

Продавец: MixaLыч (11896) 

Плата включения Lenovo ThinkPad X100e X120E Edge 11 E10 DA0FL3PB6B0

500.00 р.

Томск    200.00 р

Окончание торгов: 29/11 04:17

Продавец: stepv (259) 

РАСПРОДАЖА! ПАРА 5.0 X 7.0 X 3.1мм Природный голубой топаз БРАЗИЛИЯ

299.00 р.  0 ставок

2800.00 р.  блиц-цена

Бангкок    750.00 р

Окончание торгов: 2 часа

Продавец: Your World Jewelry (2029) 

ФАУНА ЮАР 1 цент 1989 ВОРОБЬИ KM#82 12mv4

30.00 р.

Мытищи    100.00 р

Продавец: MixaLыч (11896) 

РЕЛЕ Finder /55.34.8.230.0040 Реле c 4-мя перекидными контактами ~220В AC, 7А

350.00 р.

Волгоград    450.00 р

Окончание торгов: 15/11 08:45

Продавец: igorvikstar (154) 

Audi a3 , Audi tt амортизатор 8n0513025a

2000.00 р.

Москва    самовывоз

Продавец: Мёд (8)

Uriah Heep ‎– Wonderworld — Bronze-UK-1974. EX/VG, matrix ILPS 9280 A — 3 / ILPS 9280 B — 2.

2500.00 р.  0 ставок

2600.00 р.  блиц-цена

Москва    самовывоз

Окончание торгов: 04/11 18:58

Продавец: dvded (6746) 

2.56 ct ИЗУМРУД ЗАМБИЯ 10 шт. 6.0 X 3.2 X 2.2 -.6.0 X 3.1 X 2.0 мм

1290.00 р.  0 ставок

1300.00 р.  блиц-цена

Чехов    250.00 р

Окончание торгов: 28/10 21:51

Продавец: SERGE63 (1643) 

Брошь бант , стразы. Р-р 5,0х3,1 см

450.00 р. Торг уместен

Москва    договорная

Продавец: Gala_Sher (272) 

Малайя Японская оккупация 1 доллар 1942 года P-M5c с в/з UNC

119.00 р.

Москва    80.00 р

26 штук продано

Продавец: DDS2013 (9147) 

Шотландия/Scotland 1 Pound 29-8-1958 Pick100c

950.00 р.  0 ставок

Феодосия    100.00 р

Окончание торгов: 06/11 11:35

Продавец: feodosia_crimea (1207) 

ТАНК Zillebeke A3 1 Мировая война К361

1000.00 р.

Санкт-Петербург    100.00 р

Продавец: Джордж_1 (6475) 

Тайвань 1 доллар, 1975 (年四十六) год! много монет островных государств! C4

11.00 р.  0 ставок

Омск    договорная

Окончание торгов: 17 часов

Продавец: Монета Купюра Марка (2864) 

Тайвань 1 доллар, 1997 (年六十八) год! много монет островных государств! C4

15.00 р.  0 ставок

Омск    договорная

Окончание торгов: 17 часов

Продавец: Монета Купюра Марка (2864) 

8658 Халзовка Курск область 1930-е гг. Три друга Коробки с фотопластинками 8х11,5 см

600.00 р.  0 ставок

Киев    180.00 р

Окончание торгов: 1 день

Продавец: AnTa (1629) 

2.75ct ПРЕНИТ КАБОШОН НАТУР. 9.8 x 7.5 x 4.9мм

400.00 р.  0 ставок

Чехов    200.00 р

Окончание торгов: 2 часа

Продавец: SERGE63 (1643) 

ФОТОГРАФИЯ ВОЕННЫЕ 1947 ГОД АВСТРИЯ 14,8 х 10.5 СМ. № 4 ВОЕН. ОРИГИНАЛ.

250.00 р.  0 ставок

Покровское    150.00 р

Окончание торгов: 17 часов

Продавец: _ Димычъ _ (4092) 

Тысяча и одна ночь 1983 г В восьми томах Том 5 Сказки

50.00 р.

Шахты    160.00 р

Окончание торгов: 05/11 15:39

Продавец: kirias (3279) 

Коробка от НЬю-Рей универсальная (Audi A3) 1:43

290.00 р.  0 ставок

390.00 р.  блиц-цена

Краснодар    договорная

Окончание торгов: 12/11 10:03

Продавец: MVY-kr (929) 

Магнитные Шахматы Шашки Нарды 3в1 Размер 35.8 * 36 * 2см

2500.00 р.

Тюмень    300.00 р

Окончание торгов: 14 часов

Продавец: TYTTA (1877) 

Audi A3, 1/43 schuco

1800.00 р.

Набережные Челны    договорная

Окончание торгов: 11/12 20:56

Продавец: Хафизов Айрат Фаритович (0)

Audi A3, 1/43 schuco

1800.00 р.

Набережные Челны    договорная

Окончание торгов: 11/12 20:57

Продавец: Хафизов Айрат Фаритович (0)

Великобритания 1902 USED 3 P Король Эдуард VII Перфорация 15 (А5 15-4)

67.90 р.

Ступино    80.00 р

Окончание торгов: 08/11 09:22

Продавец: Katteia (313) 

Германия / Пруссия / 2 пфеннинга / 1833 г. (A) / 3.1 гр. / Cu / VF+ / AKS 34 /

2600.00 р. Торг уместен

Челябинск    договорная

Продавец: Bosporshop (3261) 

Германия / Пруссия / 2 пфеннинга / 1852 г. (A) / 3.1 гр. / Cu / XF+ / AKS 91 /

1625.00 р. Торг уместен

Челябинск    договорная

Продавец: Bosporshop (3261) 

Динамик 2ГДШ-3 (1ГД-54) , 8 Ом. хороший.

80.00 р.

Орел    договорная

Окончание торгов: 07/12 16:38

Продавец: papsw (4095) 

Усилитель феникс 200у 010с

Изготовитель: ПО им. 50-летия Октября, г. Львов.

Назначение: усилитель высшего класса предназначен для усиления мощности звуковых сигналов от различных источников звуковых программ при работе в помещении.

Основные технические характеристики:

Диапазон воспроизводимых частот: 8 – 65000 Гц

Номинальная мощность: 200 Вт/8 Ом

Максимальная кратковременная мощность: 350 Вт/8 Ом

Гармонические искажения: 0,005%

Отношения сигнал/шум: 102 дБ

Габаритные размеры (ШхВхГ): 430х110х375 мм

Под крышкой:

Электрическая схема Феникс 200-у-010с

11 комментариев:

Усилитель полный «Феникс 200У 010С»

Интересная модель давно интересуюсь ей по форумам пишут что геморойный ,но если доведен до ума то очень хороший звук

Если кто пользовался отзовитесь интересно услышать мнение ….

усилитель с хорошой схемотехникой, но в ужасном исполнении. Часто выходит из строя регулятор громкости РП1-57, блок коммутации напряжения, транзисторы выходного каскада изза плохого отведения тепла (три транзистора на теплоотводе). По звуку сухой, без призвуков. Корректор не плохой.

VT 9 в оконечном усилителе на схеме изображен неверно транзистор КТ9115А должен быть P-N-P структуры .В другом канале VT 11 изображен верно.

Изготовитель: ПО им. 50-летия Октября, г. Львов.

Назначение: усилитель высшего класса предназначен для усиления мощности звуковых сигналов от различных источников звуковых программ при работе в помещении.

Основные технические характеристики:

Диапазон воспроизводимых частот: 8 – 65000 Гц

Номинальная мощность: 200 Вт/8 Ом

Максимальная кратковременная мощность: 350 Вт/8 Ом

Гармонические искажения: 0,005%

Отношения сигнал/шум: 102 дБ

Габаритные размеры (ШхВхГ): 430х110х375 мм

Под крышкой:

Электрическая схема Феникс 200-у-010с

11 комментариев:

Усилитель полный «Феникс 200У 010С»

Интересная модель давно интересуюсь ей по форумам пишут что геморойный ,но если доведен до ума то очень хороший звук

Если кто пользовался отзовитесь интересно услышать мнение ….

усилитель с хорошой схемотехникой, но в ужасном исполнении. Часто выходит из строя регулятор громкости РП1-57, блок коммутации напряжения, транзисторы выходного каскада изза плохого отведения тепла (три транзистора на теплоотводе). По звуку сухой, без призвуков. Корректор не плохой.

VT 9 в оконечном усилителе на схеме изображен неверно транзистор КТ9115А должен быть P-N-P структуры .В другом канале VT 11 изображен верно.

Усилитель высшего класса Феникс 200У 010С предназначен для усиления мощности звуковых сигналов от различных источников звуковых программ при работе в помещении.

Изготовитель: ПО им. 50-летия Октября, г. Львов.

Основные технические характеристики усилителя Феникс 200У 010С

Диапазон воспроизводимых частот: 8 – 65000 Гц
Номинальная мощность: 200 Вт/8 Ом
Максимальная кратковременная мощность: 350 Вт/8 Ом
Гармонические искажения: 0,005%
Отношения сигнал/шум: 102 дБ
Габаритные размеры (ШхВхГ): 430х110х375 мм
Вес: 12,8 кг

Эквалайзер Феникс Э-008С Схема Платы Описание

Краткое Описание эквалайзера:

Эквалайзер Феникс Э-008С выпускался с I-кв 1988 года Львовским объединением ФТА. Эквалайзер представляет собой десятиполосный регулятор амплитудно-частотной характеристики звукового сигнала раздельно по двум низкочастотным каналам.

Эквалайзер “Феникс Э-008 C” соответствует требованиям технических условий 2.032 023 ТУ.
Эквалайзер стереофонический “Феникс Э 008 C” предназначен для коррекции электрических сигналов звуковой частоты. Эквалайзер может быть использован с любым усилителем с номинальным входным напряжением 1В и входным сопротивлением не менее 10 кОм отечественного или зарубежного производства.
Эквалайзер может быть также использован для совместной работы с полным усилителем, если в нем предусмотрена возможность отключения его усилителя предварительного, имеющего ограниченную возможность коррекции амплитудно-частотной характеристики, от усилителя мощности.
Эквалайзер представляет собой десятиполосный корректор амплитудно-частотной характеристики с раздельной регулировкой по каналам. Применение движковых регуляторов позволяет по положению их ручек определить частотную характеристику выходного сигнала.
Эквалайзер имеет следующие функциональные возможности:
1) коррекцию воспроизводимых электрических сигналов звуковой частоты по каналам раздельно.
2) коррекцию записываемых на магнитофон электрических сигналов звуковой частоты по каналам раздельно.
3) подключение к источнику сетевого напряжения через две розетки в эквалайзере двух внешних дополнительных устройств (усилитель предварительный, магнитофон и т.д.).
4) Световую индикацию включения сети.

Основные технические характеристики:

Диапазон пропускаемых и воспроизводимых частот, не уже – 20…25000 Гц.
Отклонение амплитудно-частотной характеристики, дБ, на частотах не более:
от 20 до 25000 Гц, не более +\- 1дБ,
от 2 до 100 000 Гц, не более минус 3 дБ.
Коэффициент гармонических искажений на частотах:
1000 Гц, не более 0,003%,
от 40 до 16 000 Гц, не более 0,01%.
Отношение сигнал/шум, (по взвешивающей кривой А), не менее -100дБ.
Частоты регулировки АЧХ: 32, 63, 125, 250, 500, 1000, 2000, 4000, 8000 и 16000 Гц.
Пределы регулировки уровня выходного сигнала(тембра) на частотах регулировки, не менее +\- 10 дБ.
Чувствительность и входное сопротивление гнезда ВХОД 1 В\ 47 кОм.
Выходное напряжение на нагрузке гнезда ВЫХОД 1 В\ 10 кОм.
Питание от электрической сети (220+\-22) В, частота сети ( 50+\-0,5) Гц.
Потребляемая мощность 8 Вт.
Габариты эквалайзера 430х375х86 мм.
Масса 3,95 кг.

Фотографии внешнего вида

Эквалайзера Феникс Э-008С корпус и регуляторы, выходы, входы:

Содержание цветных металлов в эквалайзере:
Латунь – 10,8г.
Медь – 112г.
Алюминий – 369г.

Фотографии внутри, платы, трансформатор

Эквалайзера Феникс Э-008С:

Содержание драгметаллов в эквалайзере:
Золото – 0,2345г.
Серебро – 1,7347г.

Инструкция Руководство по Эксплуатации:

Схема Электрическая Принципиальная

Эквалайзера Феникс Э-008С схемы:

Усилитель Феникс 50у-008с

Назначение: усилитель высшего класса предназначен для усиления мощности звуковых сигналов от различных источников звуковых программ при работе в помещении. Основные технические характеристики: Диапазон воспроизводимых частот: 20 – 25000 Гц Неравномерность АЧХ в диапазоне 20-25000 Гц: 0,3 дБ Номинальная мощность канала на нагрузку 4 или 8 Ом: 50 Вт Максимальная выходная мощность: 90 Вт Коэффициент гармоник в диапазоне 40-16000 Гц: 0,03 % Сопротивление входа: 47 кОм (4,7 кОм) Потребляемая мощность от сети: 160 Вт Размер усилителя (ШхВхГ): 430х86х375 мм Вес усилителя: 8,9 кг Описание: Усилитель состоит из двух идентичных каналов усиления, каждый из которых имеет защиту от перегрузок по выходу, схему задержки включения и схему защиты акустических систем и усилителя от короткого замыкания выхода. В усилителе предусмотрена возможность подключения дополнительной акустической стереосистемы. Каркас усилителя выполнен из металла. Верхняя крышка закрывает так же и боковые стенки. Внутри, слева расположен сетевой трансформатор с блоком питания. В передней части корпуса расположен предварительный усилитель с регуляторами тембра, баланса, громкости и другими коммутациями. Правее от блока питания находятся усилители мощности, смонтированы на единой плате. По бокам платы – радиаторы для охлаждения выходных транзисторов. При подключении одной пары АС на 8 Ом переключатель на задней панели должен находится в положении 8 Ом. При подключении одной пары АС на 4 Ом переключатель следует перевести в положение 4 Ом. При этом допускается подключении двух пар АС с номинальным сопротивлениям для первого варианта – 16 Ом, для второго – 8 Ом. Мини торг…

Основные характеристики

  • Тип другое
  • Акустическая система другое
  • Материал Другое
  • Мощность 180 W

Феникс асфальтобетонный завод электрическая схема

Купить Прицеп-контейнеровоз — 780105

Прицеп-контейнеровоз — 780105 в наличии в Набережных Челнах от производителя. Низкие цены, выгодный лизинг. Звоните в ООО ТФК «Феникс» — 8 (800) 250-98-48

Learn More

Асфальтобетонный завод БМЗ-80 от производителя завод ZZBO

Асфальтобетонный завод БМЗ-80 от производителя завод zzbo в наличии и под заказ

Learn More

Опис Схеми та Все про Техніку в одному пості — Page 4 of 5

Схема Электрическая Принципиальная МП101С-1 скачать схемы МП101-1-Стерео : RETRO_IF_CEF0E5EBFC20101D1-1[1990]_page-0001_14 RETRO_IF_CEF0E5EBFC20101D1-1[1990]_page-0002_15

Learn More

Усилитель мощности Электрон-103 Стерео — Электрон, 30

Создано:» 2013-04-25 09:56:34) — Схема усилителя Феникс 50У 008С — Схема электрическая, принципиальная, феникс ( «Создано:» 2013-04-25 09:21:47) — Схемы:полный усилитель, предварительный усилитель — Корвет 50У-060С

Learn More

Паспорт тали CD 380

Паспорт тали CD 380В. Завод Феникс. Производство ленточных конвейеров, конвейерных роликов и барабанов. Телефон: Адрес: г. Саратов,Крымский проезд, д.

Learn More

Calaméo — Директор-Урал №20

Publishing platform for digital magazines, interactive publications and online catalogs. Convert documents to beautiful publications and share them worldwide. Title: Директор-Урал №20, Author: Director-Ural, Length: 51 pages, Published: 2018-11-22

Learn More

Усилитель Феникс 50У-008

Усилитель Феникс 50У 008С. Принципиальная электрическая схема усилителя Феникс 50У 008С и его блоков, фото и внешний вид устройства. Принципиальная схема усилителя Феникс 50У 008С.

Learn More

Схема сварочный полуавтомат тритон 240: circuit circuit

Сварочный аппарат тритон 240 схема Скачать Сварочный аппарат тритон 240 схема. вязальный аппарат чернивчанка инструкция орион pw260 схема электрическая

Learn More

Схема электрооборудования BAW FENIX BJ1044 / BJ1065

Предлагается схема электрооборудования предназначена для BAW FENIX BJ1044, а также BAW FENIX BJ1065, оборудованных моторами  Схема дает водителям представление о технологии подключения всех электроприборов этих авто.

Learn More

Карта новостей — E-KOM

Карта новостей / Бесплатное размещение статей, объявлений, новостей. Accenture открыла офис в Ростове-на-Дону: Универмаг «Сормовские Зори» поздравил покупателей с Днём знаний

Learn More

Подводные лодки проекта 613 — Global wiki. Wargaming.net

Подводные лодки проекта 613 по классификации НАТО «Whiskey», представляют собой самую успешную серию дизель-электрических подводных лодок среднего водоизмещения которые были построены в 1951—1958 годах в СССР.

Learn More

Мобильный асфальтный завод купить от AIMIX

В случае если вы собираетесь дешевый мобильный асфальтный завод купить, барабанный тип будет вам лучшим выбором. Наша компания предлагает 4 популярной модели такого типа, их

Learn More

Стационарный бетонный завод HZS 120

Стационарный бетонный завод hzs 120. дозатор сухих сыпучих добавок .Парогенератор для бетоносмесителя. планетарный бетоносмеситель. Бетоносмеситель sicoma с улучшенным механизмом, миксер, бетономешалка, БРУ, РБУ

Learn More

Одиссей 021 схема: Усилитель Одиссей 100У-021

Киевский завод — ‘Радиоприбор’. Выпуск с 1984 года. Феникс 50У-008С тогда как электрическая схема использует более символические обозначения, чтобы подчеркнуть взаимосвязи, выходящие за

Learn More

ООО Феникс Инжиниринг — Home

ООО Феникс Инжиниринг. 123 likes. Поставка асфальтобетонных заводов от ведущих производителей

Learn More

Асфальтобетонные заводы от AIMIX

Мобильный асфальтобетонный завод. Под ним понимается завод по производству асфальта

Learn More

портативный асфальтовый завод YLB1000 — YLB

Телефон: +86-371-65825868. WhatsApp/Wechat: +86 18137858347. Электронная почта: [email protected] Адрес:Longxiang Industrial Park ,

Learn More

Модульные асфальтные заводы башенного типа Phoenix

Асфальтобетонный завод Феникс StarBatch 2500 с производительностью 200 тонн асфальтобетона в час способен удовлетворить запросы самых требовательных клиентов. Благодаря модульной концепции асфальтного завода Parker StarBatch

Learn More

Завод Феникс г.Саратов 8(8452) 98-75-15

Завод Феникс производит конвейеры, транспортеры, рольганги и реализует редукторы, тали в Саратове 8(8452) 98-75-15, [email protected]  Схема проезда: Социальные сети: Мы в Instagram.

Learn More

Эквалайзер »Феникс Э-008

Эквалайзер «Феникс Э-008С» выпускался с i-кв 1988 года Львовским объединением ФТА. Эквалайзер представляет собой десятиполосный регулятор амплитудно-частотной характеристики звукового сигнала раздельно по двум

Learn More

Подводные лодки проекта 613

Подводные лодки проекта 613. Подво́дные ло́дки прое́кта 613 (по классификации НАТО: «Whiskey» — «Виски») — серия средних дизель-электрических подводных лодок Военно-морского флота СССР

Learn More

A80V — 8-канальный усилитель Hi-Z / Low-Z с технологией FlexAmp

каналов 2 4 8

Мощность (задействованы все каналы)
8 Ом
4 Ом
70 В
100 В


200 Вт
200 Вт
200 Вт
200 Вт


200 Вт
200 Вт
200 Вт
200 Вт


200 Вт
200 Вт
200 Вт
200 Вт

Технология FlexAmp Позволяет каждой паре каналов усилителя обеспечивать общую мощность до 400 Вт в любом соотношении
Частотная характеристика при 8 Ом 20 Гц — 20 кГц +/- 0.5 дБ
Отношение сигнал / шум > 103 дБ
Входная чувствительность 1,23 В (+4 дБн)
Усиление при 8 Ом 30,0 дБ
Класс выходных цепей D
Входное сопротивление > 10 кОм, симметричное или несимметричное
Максимальный входной уровень 12,3 В (+24 дБн)

Охлаждение
Тип
Диапазон рабочих температур


Принудительный воздух охлаждение, терморегулируемая скорость вращения вентилятора, боковой / задний поток воздуха
Максимум: -10 ° — 50 ° C, рекомендуемый: 0 ° — 35 ° C, пониженная производительность выше 40 ° C

Разъемы

Входные разъемы

Дистанционные разъемы

Выходные разъемы

Два 3.5 мм евро, 3-контактный (зеленый)

Один 3,5 мм евро, 5-контактный (черный)

Один 5,0 мм евро, 4-контактный (зеленый)

Четыре 3,5 мм евро, 3-контактный (зеленый)

Один 3,5 мм евро, 5-контактный (черный)

Два 5,0 мм евро, 4-контактный (зеленый)

Восемь 3,5 мм евро, 3-контактный (зеленый)

Один 3,5 мм евро, 5- контакт (черный)

Четыре 5,0 мм Euro, 4-контактный (зеленый)

Индикаторы передней панели Питание, сигнал (на канал), ограничение / отключение звука / защита (на канал)
Задняя панель индикаторы Двухцветный светодиодный сигнал / ограничение / отключение звука / защита
Конфигурируемая пользователем работа
режимов (на канал)
Выбор DIP-переключателя, низкое сопротивление 4 Ом или 8 Ом,
прямой привод с высоким сопротивлением 70 В или 100 В
Удаленный ввод / вывод Удаленный режим ожидания, включение состояния усилителя 3.Разъемы 5 мм
Фильтр верхних частот DIP-переключатель 80 Гц на канал
Размеры 1,75 x 19 дюймов x 14,8 дюймов (44 мм x 483 мм x 377 мм)
Вес нетто 7,7 фунта (3,5 кг) 9,3 фунта (4,2 кг) 12,8 фунта (5,8 кг)
Масса в упаковке 12,3 фунта (5,6 кг) 13,9 фунта (6,3 кг) 17,4 фунта ( 7,9 кг)
Требования к питанию Универсальный источник питания (с активной коррекцией коэффициента мощности),
100 — 240 В переменного тока, 50-60 Гц
Одобрения агентств Соответствие UL, CE, RoHS / WEEE,
FCC, класс B (кондуктивные и излучаемые помехи)
Содержимое коробки Кабель IEC, краткое руководство, пакет разъемов

8-канальный цифровой усилитель McIntosh MI128

Универсальный 8-канальный цифровой усилитель MI128 может использоваться во многих приложениях, от распределенного звука до домашнего кинотеатра и прослушивания стереозвука.Он выдает 120 Вт на динамики 8 Ом или 150 Вт на динамики 4 Ом через сложные усилители с цифровой коммутацией с замкнутым контуром, которые в паре с чрезвычайно надежными источниками питания обеспечивают уровни производительности, которые редко достигаются при распределенном аудио.

Он имеет удобные для установщика физические размеры и может монтироваться в стойку 2U с помощью прилагаемых монтажных проушин (монтажные проушины снимаются при установке вне стойки). Как высокоэффективный усилитель класса D, он не требует шумных охлаждающих вентиляторов для поддержания номинальной рабочей температуры.

Многоцветные светодиодные индикаторы на передней панели отображают состояние каждого канала. На задней панели расположены несимметричные входы для каждого канала плюс 2-полюсные вставные клеммы динамиков в стиле Phoenix. Также на задней панели расположены регуляторы громкости для балансировки громкости, а также 2 цифровых аудиовхода (коаксиальный или оптический), которые могут быть подключены по шине, и схемы суммирования каналов для простого распределения моносигнала.

Другие функции, включенные в MI128: Power Guard ® технология перегрузки сигнала, которая предотвращает перегрузку динамиков; наша схема защиты от короткого замыкания Sentry Monitor , которая отключает выходной каскад до того, как ток превысит безопасный рабочий уровень, а затем автоматически сбрасывается, когда рабочие условия возвращаются к нормальным; Шинный вход и выход для простого распределения стереосигнала на несколько выходов и / или несколько усилителей; индивидуальные входы каналов; Возможность срабатывания 12 Вольт; и экологически чистый сигнал включения / выключения, который выключает устройство, если входной сигнал не обнаруживается в течение установленного времени, или автоматически включает усилитель при обнаружении сигнала.

MI128 включает в себя множество элементов дизайна McIntosh, в том числе черную стеклянную переднюю панель с подсвеченным логотипом McIntosh, а также знакомый форм-фактор с серебряной отделкой. Свяжитесь с вашим местным дилером, чтобы узнать больше об интеграции MI128 в вашу индивидуальную аудиоинсталляцию.

Обзор конструкции усилителя мощности 5G на частотах сантиметрового и миллиметрового волн

Революция в области беспроводной связи 5G ставит ряд серьезных проблем при проектировании мобильных телефонов и коммуникационных инфраструктур, поскольку 5G нацелена на скорость загрузки выше 10 Гбит / с с использованием миллиметровых волн ( mm-Wave) с антеннами с несколькими входами и несколькими выходами (MIMO), подключением плотно развернутых беспроводных устройств для Интернета всего (IoE) и очень малым временем задержки для сверхнадежной связи машинного типа и т. д.Ширина полосы широкополосной модуляции для РЧ-передатчиков 5G (т. Е. Максимальная, возможно, даже выше 1 ГГц) требует от усилителя мощности (PA) высокой эффективности и строгой линейности. Кроме того, MIMO-антенны с фазированной решеткой и многочисленными радиочастотными интерфейсами (RFFE) потребуют беспрецедентно высокого уровня интеграции при низкой стоимости, что делает проектирование 5G PA одной из самых сложных задач. Поскольку системы 5G сантиметрового диапазона (см-волна), вероятно, будут развернуты на рынке раньше, чем их аналоги в миллиметровом диапазоне, в этой статье мы подробно рассмотрим последние разработки в области PA 5G сантиметрового диапазона частот 15 ГГц и 28 ГГц, в то время как также охватывает некоторые ключевые УМ миллиметрового диапазона в литературе.Наш обзор будет сосредоточен на доступных вариантах технологий устройств, новых схемах и системных архитектурах, а также методах повышения эффективности при понижении мощности для проектирования 5G PA.

1. Введение

Мобильные сети пятого поколения (5G) совершают последнюю революцию в беспроводной связи, обеспечивая скорость беспроводной загрузки, превышающую 10 Гбит / с для приложений eMBB (расширенный мобильный широкополосный доступ), при этом в 100 раз больше подключенных к беспроводной сети устройств, чем 4G для mMTC (массовая коммуникация машинного типа) для включения IoE (Интернет всего) и задержка менее 1 мс для мгновенных действий с UR / LL, mMTC (сверхнадежная коммуникация машинного типа) [1].Достичь всех этих агрессивных показателей производительности 5G одновременно будет чрезвычайно сложно, поэтому ожидается, что революция в 5G будет происходить поэтапно. В предстандартную эру 5G в 2014 году эталонная скорость 5 Гбит / с уже была достигнута в прямой эфирной тестовой сети от Эрикссон с использованием инновационной концепции нового радиоинтерфейса в сочетании с передовой технологией MIMO с более широкой полосой пропускания и более короткими интервалами времени передачи. 15 ГГц. Чтобы иметь возможность использовать 5G с более высокой частотой cm-Wave / mm-Wave, это, вероятно, начнется с развертывания фиксированной беспроводной связи, поскольку Verizon предложила свою собственную спецификацию 5G как «Беспроводная технология Verizon 5G» или «V5G».С другой стороны, в марте 2017 года 3GPP опубликовала свои первые отчеты о результатах исследования по новому радио 5G (NR), стандарту сотовой сети следующего поколения 5G и вероятному глобальному стандарту 5G для нового радиоинтерфейса на основе OFDM, предназначенного для поддержки широкий диапазон типов устройств, услуг, развертываний и спектра 5G. Самая большая разница в V5G и 5G NR заключается в ориентации на приложения: V5G ограничен фиксированным беспроводным доступом на частоте 28 ГГц, но 5G NR нацелен на все приложения беспроводной связи (фиксированные и мобильные) для всех частот.V5G предназначен для развертывания малых сот с высокой плотностью см-волн / мм-волн (то есть базовых станций), которые будут обмениваться данными с коммерческими коробочными UE, такими как беспроводной модем или кабельная коробка. При наличии миллиардов устройств с беспроводным подключением, доступных для 5G, становится особенно важным минимизировать энергопотребление отдельных беспроводных устройств и базовой станции / базовой станции (BST), а также общее энергопотребление системы 5G для достижения критического снижения энергопотребления. спецификация использования энергии почти на 90% по сравнению с существующими сетями 4G [2].Вместо использования только спектров ниже 6 ГГц, как это делали в прошлом сотовые сети 2G / 3G / 4G, по крайней мере, некоторые из устройств и сетей 5G также будут работать на более высоких частотах сантиметрового и миллиметрового волн, что принесет пользу. за счет большей доступной полосы частот и массивных фазированных антенных решеток MIMO меньшего размера для трехмерного формирования луча (3DBF).

Хорошо известно, что эффективность радиочастотного усилителя мощности (RF PA) часто может доминировать над общей производительностью передатчика (TX), поскольку его эффективность с добавленной мощностью (PAE) определяет мощность и рассеивание тепла для всей TX. .Для улучшения взаимодействия с пользователем и массивных антенн MIMO на частотах сантиметрового / миллиметрового волн система 5G потребует интеграции большего количества PA во входные радиочастотные модули (FEM), что делает конструкцию 5G PA более важной, чем это 4G PA. Для любого успешного коммерческого приложения 5G очень важны выходная мощность (), линейность, надежность, стоимость и форм-факторы PA.

На рисунке 1 показан пример привлекательной конструкции решетки 5G FEM IC в сантиметровом / миллиметровом диапазонах для фазированных антенных решеток MIMO.5G PA, малошумящий усилитель (LNA), переключатели T / R, фазовращатель и различные пассивные элементы интегрированы в FEM IC, как показано на рисунке 1, чья архитектура сильно отличается от их аналогов 3G / 4G, а также с гораздо более высокий уровень интеграции ИС. В некоторых случаях антенны могут быть размещены непосредственно поверх FEM IC в масштабе пластины для достижения еще более высокой интеграции с разумными характеристиками [3, 4]. Высокие требования к интеграции МКЭ и массивных антенных систем могут способствовать использованию кремниевых технологий для мобильных продуктов 5G, даже несмотря на то, что МКЭ на основе GaAs или GaN обычно имеют лучшие характеристики, чем их кремниевые аналоги [3–7].В дополнение к высоким требованиям интеграции, поскольку рабочая частота TX перемещается к частотам сантиметрового / миллиметрового волн, было признано очень сложной задачей разработать высокоэффективный линейный усилитель мощности, чтобы преодолеть проблему перегрева и добиться успеха. массовая реализация MIMO. Обратите внимание, что в этом обзоре мы рассматриваем устройства с полосой 15 ГГц и 28 ГГц как работающие на частотах сантиметрового, а не миллиметрового диапазонов, даже несмотря на то, что промышленность часто ошибочно называет эти устройства «устройствами миллиметрового диапазона» в маркетинговых целях.Например, Qualcomm 5G New Radio (NR) продемонстрировал впечатляющий прототип телефона 5G mm-Wave в 2017 г., работающий на частоте 28 ГГц, но его действительно следует называть прототипом cm-Wave, поскольку он никогда не работает на частотах выше 30 ГГц. В этой статье мы сосредоточимся на обзоре последних ключевых примеров разработки и проектирования системы PA cm-Wave 5G (т.е. на частотах 15 и 28 ГГц), поскольку устройства и сети cm-Wave 5G, скорее всего, будут развернуты раньше, чем их аналоги в миллиметровом диапазоне. В конкретном случае Qualcomm ускоряет развертывание мобильных устройств для смартфонов на основе спецификации 5G NR Release-15, в которой внешний интерфейс cm-Wave RF оптимизирован в форм-факторе смартфона с поддержкой multi-MIMO, адаптивного формирования луча и отслеживания луча. , поддерживающих тестирование функциональной совместимости 5G NR и беспроводные испытания [8].Многие другие компании также вкладывают много ресурсов в реализацию революции 5G, где, по нашему мнению, в первую очередь будут использоваться диапазоны ниже 6 ГГц и частоты сантиметрового диапазона. Обратите внимание, что полоса 15 ГГц должна была быть выделена для 5G, но на ВКР15 она не была назначена в качестве полосы-кандидата.


Краткое содержание этого документа выглядит следующим образом. В разделе 2 обсуждается выбор технологии устройства для 5G PA. В разделах 3 и 4 представлены некоторые новейшие примеры дизайна УМ 5G на частотах 15 ГГц и 28 ГГц соответственно.В разделе 5 представлены несколько методов повышения эффективности при понижении мощности для УМ сантиметрового и миллиметрового диапазонов, включая динамическую модуляцию питания, полностью цифровую архитектуру и широкополосный УМ Догерти с цифровой настройкой.

2. Выбор технологий устройств 5G PA

Сегодня большинство портативных УМ по-прежнему спроектированы с использованием технологий полупроводниковых устройств III – V из-за их превосходных частотных характеристик, отказоустойчивости и более быстрого вывода на рынок, чем кремниевые. на основе аналогов [9, 10].Поскольку современные базовые станции PA требуют довольно высоких затрат, они в основном разработаны на основе недорогих кремниевых LDMOS (полевых МОП-транзисторов с боковым рассеиванием) для диапазонов ниже 3,5 ГГц и из GaAs или GaN на более высоких частотах, в зависимости от точных требований [11, 12] . Например, устройства на основе GaN способны работать при плотности РЧ-мощности 6–8 Вт / мм на периферии затвора в диапазонах сотовой связи 4G и могут обеспечивать впечатляющую плотность мощности 3,6 Вт / мм на частоте 86 ГГц в непрерывном (CW) режиме. операция [11]. В отдельной работе, всего 3.6 Вт на частоте 83 ГГц было достигнуто в импульсном режиме [11], с которым кремниевые технологии PA (LDMOS, SiGe и CMOS) просто не могут сравниться. Тем не менее, РЧ УМ на кремниевой основе имеют преимущества, заключающиеся в более высокой монолитной интеграции с дополнительными функциями (например, цифровое управление / выбор на кристалле при обнаружении мощности, адаптивное согласование и цифровое предыскажение (DPD)), что может привести к снижению стоимости. и меньшие размеры, привлекательные для широкополосных, многомодовых, многополосных телефонов 5G с массивным MIMO, как показано на рисунке 1.Фактически, сегодня PA SiGe уже используется в миллиардах RF FEM для мобильных телефонов WLAN и 3G / 4G, хотя PA на базе III – V по-прежнему доминируют на рынке PA для мобильных телефонов. В течение следующих нескольких лет системы LTE-Advanced с диапазоном частот ниже 6 ГГц и MIMO будут протестированы первыми, чтобы подготовить почву для будущих мобильных сетей с диапазоном частот выше 6 ГГц. Ожидается, что из-за более высокой несущей частоты сантиметрового / миллиметрового волн и массивных технологий MIMO, индивидуальный телефонный аппарат «истинного 5G» или малосотовый PA будет иметь более низкие требования, чем те, которые в настоящее время используются в приложениях 4G LTE.В качестве примера в таблице 1 показаны наши расчетные потребности для приложений с малыми и большими сотами 5G. Можно видеть, что PA 5G, используемые в фемтосотах и ​​пикосотах, имеют довольно низкие требования на PA (т.е. <20 дБмВт), что означает, что они могут быть реализованы с помощью PA на основе кремния. С другой стороны, макроячейке 5G, вероятно, потребуется использовать PA из GaN или GaAs из-за их более высоких требований. Энергоэффективность, надежность и стоимость в конечном итоге определят предпочтительную технологию устройства для данного приложения 5G PA.

24 Технологии


PA (дБм)

24 Потенциал технологий

200005 40 1000+

Тип ячейки RF (дБм) Количество пользователей RF Per
PA (дБм)

Фемтосота 0–24 от 1 до 20 <20 CMOS / SOI, SiGe, GaAs
Picocell 24–30 20 до CMOS / SOI, SiGe, GaAs
Microcell 30–40 100–1000 <27 GaAs, GaN, CMOS / SOI, SiGe
Macrocell 75 > 27 GaN, GaAs

Чтобы увидеть, какие технологии устройств PA могут быть оптимальными для заданных приложений 5G, у нас есть диаграмма На Рисунке 2 было получено довольно много точек данных, соответствующих последним литературным источникам УМ в сантиметровом / миллиметровом диапазонах для различных технологий УМ.Мы показали несколько лучших УМ на основе кремния, где УМ на основе КМОП КНИ с суммированием мощности и УМ на основе SiGe показали лучшее для УМ миллиметрового диапазона [5–22]. Для приложений, где требуется мощность от ~ 3 до 10 Вт на частоте 15 ГГц и выше, рисунок 2 показывает, что современные кремниевые PA все еще испытывают трудности с конкуренцией со своими аналогами III – V, поскольку они не могут превышать несколько ватт. Выход RF на частотах cm-Wave / mm-Wave, в то время как PA GaAs / GaN может. Обратите внимание, что большинство упомянутых усилителей GaN X / Ku-диапазонов предназначались для мощных оборонных или аэрокосмических приложений, но мы ожидаем, что GaN PA также может быть очень привлекательным для рынка PA 5G при уровне мощности ~ 3–10 Вт.


3. 5G PA, разработанная на частоте 15 ГГц в нескольких технологиях устройств

Как упоминалось выше, расчетные требования к малым сотам 5G (фемтосоты и пикосоты) довольно низкие на PA (т. Е. <20 дБмВт), что означает, что они могут быть реализованы посредством PA на основе кремния в соответствии с рисунком 2. Макроячейка 5G, с другой стороны, может нуждаться в PA из GaN или GaAs из-за их более высоких требований и требований PAE. Стоимость и уровень интеграции также будут критическими факторами при выборе предпочтительной технологии для данной реализации 5G PA.Накатани и др. . недавно сообщалось о впечатляющей 15 ГГц ИС 5 × 5 мм 2 FEM IC, которая объединяет трехкаскадный PA, двухкаскадный LNA и T / R-переключатель в 0,15-м GaAs-технологии для широкополосного массивного MIMO 5G [23]. Последняя ступень усилителя мощности спроектирована с использованием новой конфигурации Доэрти с использованием метода компенсации выходной паразитной емкости (), как показано на рисунке 3. Топология Доэрти была выбрана для смягчения снижения эффективности усилителя мощности при большом снижении мощности; однако сложно спроектировать УМ Догерти с высоким PAE в широкополосной сети из-за частотно-зависимого инвертора λ /4, необходимого для модуляции выходной нагрузки.Для обычного усилителя мощности Doherty хорошо известно, что согласующие цепи основного усилителя (основного) и вспомогательного усилителя (Aux) напрямую подключаются к внешней эталонной плоскости транзисторов (содержащей выходной паразитный конденсатор). Согласующие цепи преобразуют выходной импеданс транзистора до 50 Ом, а инвертированная линия передачи (TL) λ /4 подключается после магистрали, которая может изменять нагрузку на внутренних узлах в зависимости от уровней. Таким образом, обычный Doherty PA может реализовать высокий PAE при большом откате для узкополосных сигналов.Однако для предлагаемого широкополосного усилителя мощности Догерти 15 ГГц на рисунке 3 частотно-зависимое согласование устраняется с помощью нейтрализации с помощью шунтирующих катушек индуктивности () через резонанс. После резервуара резонатора основного усилителя на рисунке 3, инвертированный TL λ /4 подключен для модуляции нагрузки на собственном узле в зависимости от его. Характеристический импеданс на Рисунке 3 является оптимальным импедансом для высокой производительности. Моделирование показывает, что полоса пропускания для эффективной модуляции нагрузки для высокого PAE на собственном узле может составлять +/- 10% на частоте 15 ГГц.Измеренные данные показывают, что последний каскад Doherty PA и трехкаскадный PA достигли КПД стока (DE) при понижении уровня 8 дБ, составляющем 22% и 12%, соответственно, при = 4 В на частоте 14,5–15,0 ГГц.


Изображение 15 ГГц RF FEM, упакованного в 32-выводной QFN с использованием вышеупомянутого трехкаскадного GaAs PA, показано на рисунке 4 вместе с прототипной панелью массива из 64 элементов для массивной MIMO BST / малой ячейки 5G. приложения [23, 24]. FEM включает в себя все активные компоненты RF (LNA, PA, фазовращатель, переключатель и т. Д.), Пассивные радиочастотные компоненты (антенна, фильтры, сумматор / делитель и т. Д.), Управление питанием и управляющие ИС. ВЧ-подложка представляет собой многослойную печатную плату с ВЧ-пассивными элементами во внутреннем слое. Каждая ИС и внешний интерфейс установлены на ее поверхности, а на задней панели соответствующие антенные элементы разделены расстоянием λ /2.


Для кремниевых УМ 5G сантиметрового диапазона, как показано на Рисунке 2, недавняя литература показывает, что многослойные УМ на КМОП КНИ с / без объединения мощности и пакетный УМ SiGe продемонстрировали наилучшие результаты [15–22].Пример приведен на рисунке 5, где сообщается о трехкаскадном КМОП-транзисторе с четырьмя стеками, 15 ГГц, 5G PA [25]. Конструкция PA использует 512 многозатворных ячеек для формирования выходного устройства с 4 стеками с эффективной шириной затвора 614 мкм м. Мощный выходной каскад вместе с двухкаскадными каскодными предварительными драйверами обеспечивает линейное усиление более 30 дБ с центром в районе 13,5 ГГц. УМ достигает уровня> 25,1 дБмВт и пиковой PAE 32,4% на частоте 13,5 ГГц. Ширина полосы слабого сигнала по уровню −3 дБ составляет 2,6 ГГц (~ 20%). PA обеспечивает лучшую комбинацию насыщенного и PAE, о которой сообщалось на сегодняшний день для КМОП PA 15 ГГц.


Обратите внимание, что большинство упомянутых PA GaN X / Ku-диапазонов предназначались для мощных оборонных или аэрокосмических приложений, но мы ожидаем, что GaN PA может быть очень привлекательным для рынка PA 5G при уровне мощности ~ 3–10 Вт на PA. Недавно было сообщено о высокоэффективном двухкаскадном полностью интегрированном УМ 15 ГГц, разработанном с использованием недорогого процесса GaN / SiC 0,25 мкм мкм, который показан на рисунке 6 [26]. Моделирование после компоновки показывает, что PA имеет высокий коэффициент усиления слабого сигнала 24 дБ, = -41,2 дБ, = -10,0 дБ и = -12,3 дБ на частоте 15 ГГц.Его пиковая PAE достигает 36,6% при = 34 дБмВт для входа CW. Моделирование после компоновки также предполагает, что динамическая модуляция питания от 28 В до 10 В может незначительно повысить эффективность УМ при понижении мощности. Когда PA приводится в действие модулированными сигналами LTE 16 QAM 5/10/20 МГц, смоделированные выходные спектры и коэффициент утечки по соседнему каналу (ACLR) при = 29,6 дБм проходят через спектральную маску излучения LTE (SEM) без каких-либо предыскажений, и тем более полоса пропускания модулированного сигнала от 5 МГц до 20 МГц не приводит к заметному ухудшению линейности PA в цифровых косимуляциях RF +.Обзор современной литературы показывает, что этот высокоэффективный линейный усилитель на основе GaN с частотой 15 ГГц может быть весьма привлекательным для приложений 5G PA при уровне мощности ~ 1 Вт, поскольку GaN PA имеет наименьший размер кристалла (1,78 × 0,78 мм 2 ), второй по величине пик PAE (т. е. 36,6%), и это единственный, о котором сообщается, что он проходит выходные спецификации SEM с входом LTE 16 QAM (= 15,0%), даже несмотря на то, что он разработан с самым низким устройством с частотой ~ 27 ГГц. Однако для подтверждения результатов моделирования после компоновки требуются данные измерений.

4. 5G PA, разработанная на частоте 28 ГГц в нескольких технологиях

Работа в [27] является одним из самых ранних примеров в отрасли, в котором сообщается о конструкции и результатах измерений полностью интегрированной ИС FEM с частотой 28 ГГц, которая спроектирована в процессе 0,15 мкм мкм GaAs pHEMT (номинальное значение = 65/95 ГГц, напряжение пробоя сток-затвор = 12 В). Изображение кристалла FEM IC показано на рисунке 7, который включает трехступенчатый PA, трехступенчатый LNA и однополюсный двухпозиционный переключатель T / R.УМ состоит из трех каскадов с общим истоком с периферией затвора 160 мкм м, 300 мкм м и 750 мкм м. Измеренные данные устройства предполагают максимальную плотность мощности 630 мВт / мм, и, таким образом, периферия затвора выходного каскада была рассчитана для достижения 26 дБмВт на кристалле, что может обеспечить линейную EIRP 30 дБм (эквивалентная изотропно излучаемая мощность) в восходящем канале, если предположить, что эти ИС МКЭ используются в массиве из четырех элементов. Периферия затвора каскадов драйвера была выбрана так, чтобы поддерживать высокий PAE с достаточным усилением, чтобы привести последнюю стадию в состояние сжатия.Все этапы были смещены в режиме класса AB для оптимизации компромисса между прибылью и эффективностью; однако в этом исследовании не сообщалось об измеренных данных линейности. Выходная согласующая сеть была спроектирована на основе нелинейного моделирования нагрузки и тяги для оптимальной мощности и PAE, в то время как схемы межкаскадного согласования были разработаны для сопряженного согласования двух устройств для максимального усиления с использованием комбинации шунтирующих конденсаторов MIM (металл-изолятор-металл), шунтирующих микрополосковые линии передачи (ЛЛ) и серийные микрополосковые ЛЭП для создания полосовых фильтров и повышения стабильности частоты.Сеть смещения постоянного тока также включает резистивный многополосный режекторный фильтр для стабилизации PA.


Первый линейный массивный КМОП PA, нацеленный на маломощное приложение с интегрированными фазированными приемопередатчиками мобильного пользовательского оборудования (UE) 5G с диапазоном частот 28 ГГц, описывается в [28–30]. Выходной каскад PA сначала оптимизируется для PAE с желаемой величиной вектора ошибки (EVM) и диапазоном. Затем индуктивное вырождение источника в оптимизированном выходном каскаде используется в двухкаскадном УМ с трансформаторной связью, показанном на рисунке 8.Конструкция специально увеличивает полосу согласования межкаскадного импеданса, чтобы уменьшить искажения. В этой конструкции УМ выбрано небольшое индуктивное вырождение с pH 14, что снизило усиление мощности устройства при = 12 дБм с 10 до 8 дБ и уменьшило его PAE на то же самое с 48% до 44% в измеряемых тестовых устройствах. Возможно, что сопротивление нежелательной потере последовательно с pH 14 также способствовало разложению PAE. Однако выбранные , существенно не ухудшили PA. Авторы также минимизировали импеданс заземляющего тракта для тестового устройства, используя для заземления широкую сложенную металлическую сетку, окружающую устройство.Изображение кристалла этого УМ 28 ГГц показано на Рисунке 9. Объемный УМ КМОП 28 нм достигает линейного уровня +4,2 дБм с 9% PAE (при EVM = -25 дБн) при использовании входа OFDM 64 QAM 250 МГц (PAPR ~ 9,6 дБ). ). PA также достигает 35,5% / 10% PAE для входа CW при понижении уровня /9,6 дБ. Это одни из самых высоких измеренных значений PAE, о которых сообщалось для КМОП PA диапазонов K и Ka.


Далее, ультрасовременная ИС приемопередатчика с 32-элементной фазированной решеткой, работающая на частоте 28 ГГц, спроектированная по технологии SiGe BiCMOS 0,13 мкм ( м) (= 200/280 ГГц) с параллельными двухполяризованными лучами и 1 .О разрешении управления лучом 4 ° для связи 5G недавно сообщили Садху и др. . [31] (Рисунок 9). Сообщается, что RFIC поддерживает параллельные и независимые двухполяризованные 16-элементные лучи (H и V) в режимах TX или RX и может быть интегрирован в компактную антенную решетку в корпусе. Новый переключатель T / R на интерфейсе совместно используемой антенны обеспечивает высокий уровень без значительного ухудшения PAE PA, а фазовращатель на основе TL обеспечивает ошибку RMS <1 ° и фазовые шаги <5 ° для точного управления лучом, а также минимизирует количество компоненты схемы.Как показано на рисунке 10, каждый тракт сигнала TX / RX совместно использует антенну, пассивный фазовращатель и пассивный сумматор / разделитель между TX и RX в режиме TDD (дуплексный режим с временным разделением) с использованием 3 переключателей TX / RX. Не вдаваясь в детали конструкции всей SoC с фазированной антенной решеткой, мы сосредоточимся только на обсуждении той части конструкции SoC T / R IC, которая содержит PA, VGA (усилители с переменным усилением), LNA. , фазовращатель и переключатели T / R.

Каждая ИС RFFE, как показано на рисунке 10, включает переключатель T / R, который минимизирует вносимые потери в режиме TX.В традиционном коммутаторе T / R каждый коммутатор на основе TL λ /4 включен последовательно с PA или LNA, что приводит к аналогичным вносимым потерям в режимах TX и RX. В этой предлагаемой конструкции переключатель λ /4 на выходе каскодного PA исключен, чтобы избежать вносимых потерь в режиме TX и улучшить его PAE (рисунок 11). Кроме того, в режиме приема выходная полная проводимость УМ в закрытом состоянии представляет собой действительную часть с низкой проводимостью, параллельную индуктивной части с высокой проводимостью. В этой предлагаемой конструкции, однако, используются два переключаемых конденсатора, которые резонируют с индуктивной частью, обеспечивая высокий реальный входной импеданс TX, чтобы максимизировать поток RX-сигнала к LNA.Смоделированные импедансы TX для различных состояний 2-битного переключаемого конденсатора сравниваются с сопротивлением традиционного переключателя на диаграмме Смита, показанной на рисунке 11. Удаление переключателя λ /4 в этой конструкции TX улучшает и на 1,2 дБ, в то время как он только ухудшает RX NF (коэффициент шума) на 0,6 дБ. Эти измеренные данные показывают> 16 дБмВт на путь прохождения сигнала и пиковую эффективность переключателя PA +> 20%, при этом сохраняя NF 6 дБ для блока переключателя LNA +. Авторы подсчитали, что дополнительный 1.Потери передачи 2 дБ на тракт при использовании традиционного подхода с переключением T / R потребляли бы в FE IC мощности на 2,35 Вт (или 23%) больше, чем предлагаемая конструкция для достижения того же уровня.


До сих пор мы обсуждали различные схемы архитектуры для 5G cm-Wave PA на разных уровнях интеграции, где использовались технологии GaN, GaAs, CMOS и SiGe BiCMOS. Ожидается, что требование, а также стоимость и надежность 5G FEM будут важны при выборе оптимальной технологии устройства и архитектуры RFFE IC для данной конструкции PA 5G cm-wave / mm-wave.Поскольку мощность и рассеивание тепла определяется средним значением PAE , а не пиковым PAE PA, далее будут рассмотрены методы повышения эффективности при понижении мощности.

5. Методы повышения эффективности 5G PA при понижении мощности
5.1. С динамической модуляцией питания

Формы сигналов 5G имеют высокий PAPR и аналогичны сигналам 4G / WLAN, эти формы сигналов неизбежно снизят эффективность PA при понижении мощности и значительно ухудшат средний PAE PA.Таким образом, как УМ Догерти, так и УМ с модуляцией питания считаются очень привлекательными для повышения эффективности при проектировании УМ 5G. В этом разделе мы сосредоточимся на методах модуляции питания, а в следующем, завершающем, обсудим некоторые более широкополосные методы Doherty 5G PA.

На рисунке 12 показана упрощенная блок-схема передатчика, использующая метод отслеживания огибающей (ET) для модуляции питания для улучшения PAE при понижении мощности [32]. В конструкции используется модулятор огибающей с линейным усилением (EM, также известный как усилитель огибающей), где входной РЧ-сигнал в PA содержит компоненты как AM (амплитудная модуляция), так и PM (фазовая модуляция).Ли и др. . представили подробный пример проектирования, применяя методы ET, чтобы реализовать первый в мире полностью монолитный однокристальный кремниевый ET-PA с высокой эффективностью и широкополосными характеристиками, охватывающий несколько диапазонов частот сотовой связи [33]. Каскодный PA SiGe с отслеживанием огибающей со встроенным модулятором огибающей CMOS для 3 передатчиков GPP LTE показан на рисунке 13 для этой работы. Весь однокристальный ET-PA обеспечивает линейную выходную мощность 24,3 дБмВт с общим PAE системы 42% при 2.4 ГГц для модуляции 3 GPP LTE 16 QAM. Кроме того, он демонстрирует высокоэффективную широкополосную характеристику для многополосных приложений. По сравнению с каскодным PA с фиксированным питанием, этот однокристальный ET-каскодный PA соответствует спецификации LTE спектральной маски и величины вектора ошибок (EVM), близкой к его сжатию без предыскажений. SiGe PA и CMOS модулятор огибающей разработаны и изготовлены в процессе TSMC 0,35 мкм мкм SiGe BiCMOS на одном кристалле. Эта работа представляет собой важный шаг интеграции на пути к созданию полностью монолитного ET-PA для широкополосных беспроводных приложений, открывая путь для потенциальных однокристальных 5G cm-Wave ET-PAs в будущем.Обратите внимание, что помимо DPD, можно применить формирование огибающей, такое как сдвиг постоянного тока и / или фильтрация переменного тока, для достижения оптимальной высокоэффективной конструкции ET-PA для широкополосных беспроводных приложений [38].


Другой пример, иллюстрирующий УМ с модуляцией питанием, который может повысить его эффективность приложений УМ 5G сантиметрового диапазона, показан на Рисунке 14, где высокоэффективный и линейный двухкаскадный полностью интегрированный УМ на основе GaN, работающий на частоте 15 ГГц (та же конструкция показанный на рисунке 6) используется для иллюстрации этой точки; однако для краткости мы не будем включать сюда текущую работу по оптимизации всей конструкции системы ET-PA, которая требует кодового обозначения EM с GaN PA cm-Wave.Моделирование SPICE показывает, что этот 2-каскадный PA обеспечивает сжатие на выходе 1 дБ = 32,2 дБмВт с усилением 28,2 дБ и 30,0% PAE для работы CW на частоте 15 ГГц. Его PAE достигает 38,7% при = 34,0 дБм с усилением 22,0 дБ. Моделирование SPICE после компоновки также предполагает, что динамическая модуляция питания от 28 В до 10 В, как показано на рисунке 14, может значительно повысить эффективность PA при понижении мощности, где улучшение PAE при понижении уровня 6 дБ составляет около 10%. Когда PA управляется модулированными сигналами LTE 16 QAM 5/10/20 МГц, более широкая полоса пропускания модулированного сигнала от 5 МГц до 20 МГц не приводит к значительному ухудшению линейности PA согласно РЧ / аналоговому / цифровому совместному моделированию (данные не показаны) [26].Обратите внимание, что ЭМ в ET-PA будет потреблять значительную мощность, особенно для входного сигнала с широкой полосой пропускания, чтобы удовлетворить требованиям линейности PA, фактическое улучшение PAE для этого GaN ET-PA должно быть измерено в сравнении с точными характеристиками линейности для данной формы волны 5G в будущее, поскольку усовершенствование зависит от PAPR и полосы пропускания сигнала.


Устройства на основе GaN не только могут обеспечивать максимальную мощность для сантиметрового диапазона УМ, как показано на рисунке 2, но также часто могут обеспечивать максимальное пиковое значение PAE по сравнению с устройствами на основе GaAs и кремния.Чтобы улучшить полосу слежения за огибающей ET-PA выше 100–500 МГц (обратите внимание, что ширина полосы огибающей как минимум в два раза больше, чем ширина полосы РЧ-сигнала из-за нелинейного преобразования в полярное [32, 33, 38]) ), мы также можем воспользоваться преимуществами более быстрых устройств на основе GaN для конструкции широкополосного модулятора питания. Например, в недавнем исследовании сообщается, что понижающий преобразователь (т. Е. «Коммутатор») может быть интегрирован с драйверами затвора в технологии Qorvo 0,15 м RF GaN-на-карбид кремния (SiC), которая продемонстрировала пиковую эффективность более 90% при частота коммутации до 200 МГц и пиковая мощность до 15 Вт [39].Кроме того, чтобы показать потенциальную интеграцию ET-PA, необходимую для некоторых приложений 5G PA, на рисунке 15 показана GaN MMIC, которая объединяет быстродействующий источник питания и RF PA, где PA 10 Вт, работающий на частоте 10 ГГц, объединен на одном кристалле. с понижающим преобразователем 100 МГц со схемой возбуждения, а также с каскодным УМ УВЧ. Этот ET-PA снабжен разъемами для всех входных и управляющих сигналов, и единственный компонент вне кристалла — это фильтр, который определяет разделение полосы пропускания между понижающей и каскодной схемами [34].


Другой метод модуляции питания, более простой, чем ET, — это отслеживание средней мощности (APT), в котором модулятор питания реагирует только на пик огибающей на каждом среднем уровне. Как сообщается в [40] для многодиапазонного LTE-телефона SiGe PA, APT-PA с оптимальной технологией формы сигнала может по-прежнему обеспечивать такую ​​же эффективность, как и некоторые из ET-PA без DPD. Фактически, на сегодняшнем коммерческом рынке большинство телефонов низкого / среднего уровня используют APT, в то время как телефоны высокого уровня используют полнофункциональный ET для динамического отслеживания мгновенного напряжения источника питания [39].Поскольку PAR сигналов и полоса пропускания продолжают расти в 5G, остаются проблемы, как достичь высокоэффективного ET-PA, так как эффективность его модулятора питания значительно снижается с более широкой полосой пропускания. С другой стороны, APT-PA может стать более реалистичным для обеспечения энергосбережения для приложений 5G.

Интересным подходом к повышению скорости отслеживания огибающей модулятора питания является параллельное использование нескольких преобразователей со сдвигом по времени между ними. Согласовав входы коммутаторов, выходную полосу пропускания можно в идеале увеличить в 1 раз.Например, Флориан и др. . сообщили об архитектуре передатчика ET, основанной на комбинации нового 3-битного модулятора питания и цифрового предыскажения (DPD) [35]. Предлагаемый силовой преобразователь показан на рисунке 16, который основан на архитектуре прямого цифро-аналогового преобразования (ЦАП), которая реализует двоично-кодированную сумму изолированных напряжений постоянного тока, позволяя синтезировать форму выходного сигнала огибающей с уровнями напряжения в бинарное распределение. Эта конструкция обеспечивает лучшее разрешение по напряжению по сравнению с типичными многоуровневыми топологиями с переключаемыми источниками, поскольку существует 8 уровней, что позволяет корректировать остаточную ошибку дискретизации в передатчике ET с помощью DPD радиочастотного сигнала.Эта конструкция продемонстрировала, что можно успешно удалить низкоэффективный линейный операционный усилитель, показанный на рисунке 13 (b), что потенциально может значительно улучшить общую эффективность ET-PA. Предлагаемый ET-PA был протестирован с МОП-усилителем высокой мощности (RF HPA) с боковым рассеиванием 30 Вт с L-диапазоном и сигналами LTE 1,4 и 10 МГц, где ЭМ достиг эффективности 92% и 83% соответственно. а общий КПД системы передатчика составляет 38,3% и 23,9% при средней выходной мощности РЧ 5,5 и 1,9 Вт соответственно.На рисунке 16 (b) показана измеренная нормализованная амплитуда огибающей сигнала во временной области на входе и выходе HPA при работе ET с DPD и без него; можно видеть, что для сохранения точности отслеживаемой формы сигнала огибающей очень желателен DPD, который потребляет больше энергии в основной полосе частот, добавляя дополнительные накладные расходы на разработку ET-PA на основе мощного ЦАП. Обратите внимание, что предлагаемый преобразователь мощности разработан с использованием очень быстрых дискретных переключателей мощности на основе GaN с агрессивно компактной схемой для минимизации потерь на высоких рабочих частотах, а в предлагаемом ЦАП с прямым питанием используется двоичная асимметричная каскадная многоуровневая структура для выполнения ЭТ на УМ. с довольно высоким напряжением питания 48 В (плюс напряжение смещения постоянного тока около 6 В).Поэтому предложенный метод на рисунке 16 может быть весьма полезен для приложений оборонной / аэрокосмической и базовых станций 5G, но пока не ясно, будет ли он привлекательным для приложений 5G для мобильных телефонов.

5.2. С помощью цифровых методов проектирования
5.2.1. Архитектура Power-DAC с цифровым управлением: цифровой PA (DPA) с объединением мощности

RF TX с цифровой поддержкой и интенсивной цифровой передачей может извлечь выгоду из быстрых устройств nm-CMOS / BiCMOS, чтобы обеспечить функциональную гибкость с высокой степенью интеграции, а также объединение мощности и настройку, выполняемую в цифровом виде , что делает их очень привлекательными для многомодовых широкополосных приложений со встроенным цифровым предыскажением (DPD) [41, 42].Для приложений с диапазоном частот ниже 6 ГГц появились сообщения о последних полностью цифровых РЧ-передатчиках, использующих КМОП цифровой PA (DPA) и квадратурную архитектуру, отвечающую требованиям как сотовой связи, так и WLAN [36]. Цифровые битовые потоки напрямую поступают на вход DPA без преобразования CORDIC; справочная таблица 2D DPD (LUT) разработана в цифровом интерфейсе (DFE) для улучшения линейности. Предварительно искаженный сигнал основной полосы частот повышается до примерно 800 МГц, прежде чем он достигнет DPA, чтобы подавить далеко идущий шум.Тактовая частота дискретизации DFE выводится непосредственно из несущей частоты RF через настраиваемый делитель частоты вместо использования PLL (петля фазовой автоподстройки частоты), а схема DIV-2 используется для генерации сигналов / LO. Критический строительный блок, DPA, показан на рисунке 17. Его РЧ-выход берется путем объединения токов от -PA и -PA, и каждый / -PA разделяется на несколько ячеек мощности, управляемых 13-битными сигналами основной полосы частот от BB до выберите правильное количество ячеек питания. Поскольку выход RF содержит квантованную информацию основной полосы частот, DPA — это не просто PA, поскольку его выход также сочетает модуляцию и цифро-аналоговое преобразование (DAC).Топология класса D с токовым режимом используется в этой схеме переключения пар, где совместимая с трансформатором согласующая сеть используется для аппроксимации переключения при нулевом напряжении (ZVS). Для DPD обучающая последовательность применяется в качестве входных данных DPA, чтобы охарактеризовать его квазистатический профиль, а 2D-LUT может быть итеративно построена через контур обратной связи с использованием поиска градиента. В нормальном режиме передачи используется 2D-LUT с 32 × 32 точками для отображения основной полосы частот / входа в биты DPA / управления. 2D-DPD может исправить нелинейность, / несовпадение и утечку носителей.Вся ИС TX составляет всего 0,7 мм 2 в корпусе QFN с 24,7 дБмВт и максимальной эффективностью стока DPA 37%. Для сигнала 802.11 g 54 Мбит / с максимум составляет 18,8 дБмВт для TX IC с –25 дБ EVM и 17% эффективностью стока DPA. Измеренное побочное излучение составляет –133 дБн / Гц в полосе 1 WCDMA на частоте 2,17 ГГц без внешней фильтрации. При тестировании с входом OFDM с частотой 80 МГц 256-QAM полностью цифровая ИС TX достигла 15,7 дБмВт с –33 дБ EVM, что является большим перспективным показателем для стандартов широкополосной беспроводной связи, таких как LTE и IEEE 802.11ac и, возможно, для приложений 5G cm-Wave / mm-Wave.


Для проверки этого вида методологии проектирования DPA / power-DAC, интенсивно использующей цифровые технологии, может также работать на частотах миллиметрового диапазона, новая высоколинейная архитектура прямого преобразования цифрового в миллиметровый ЦАП в архитектуру PA, которая может одновременно достигать высоких (через недавно сообщалось о крупномасштабном объединении мощности на кристалле), хорошей линеаризации (посредством динамической модуляции нагрузки) и улучшенной эффективности отката (посредством переключения питания и модуляции нагрузки) [19].Эта архитектура PA с цифровым управлением, переключением питания и модулированием нагрузки, показанная на рисунке 18, использует несколько переключаемых элементарных ячеек PA mm-Wave, которые можно индивидуально включать или выключать с помощью цифрового управляющего бита. Эти PA объединяются по мощности с использованием неизолированного сумматора мощности для создания общего линейного ЦАП миллиметрового диапазона с высокой эффективностью обратного отсчета за счет модуляции нагрузки сумматора и отключения некоторых из PA. Комбайнер с сосредоточенными параметрами λ /4, который обеспечивает объединение мощности по восьми направлениям с высоким измеренным КПД 75% на частоте 45 ГГц, спроектирован с использованием сосредоточенного спирального индуктора с более высоким характеристическим сопротивлением, чтобы обеспечить одноступенчатое восьмиканальное объединение мощности с низкими потерями. .Использование кодов сумматора мощности, подписанного пакетными УМ КМОП КНИ 45 нм, приводит к восьмиканальному комбинированному массиву УМ с = 27 дБмВт и широкополосной полосе пропускания 1 дБ от 33 до 46 ГГц.

Другой прототип 45 нм КНИ КМОП УМ, матрица УМ с 3-битным преобразованием в миллиметровый диапазон 42,5 ГГц, использующая вышеописанную архитектуру линеаризации, обеспечивает = 23,3 дБмВт на частоте 42,5 ГГц, высоколинейное цифровое управляющее слово (DCW) для профиль выходной амплитуды (дифференциальная нелинейность (DNL) = 0,5 LSB; INL 1 LSB с использованием подгонки по конечной точке) и низкие искажения AM-PM [19].Он также смог значительно улучшить PAE усилителя на 6 дБ, достигнув превосходного отношения / = 67,7%.

5.2.2. Широкополосный Doherty 5G PA с использованием цифровой настройки

Как упоминалось в разделе 3 ранее, Doherty PA представляет собой весьма многообещающую проектную топологию для улучшения PAE 5G PA при понижении мощности, даже несмотря на то, что он использовался в основном в качестве узкополосного PA. техника усиления в прошлом. Однако из-за относительной простоты конструкции и хорошей производительности большинство базовых станций сотовой связи сегодня используют архитектуру Doherty PA вместо немного более совершенной архитектуры ET-PA, за исключением случаев, когда выходная мощность PA должна изменяться в большом динамическом диапазоне (скажем, ,> 10 дБ), с которыми Doherty PA обычно не справляется так же хорошо, как ET-PA [39].Существующие кремниевые УМ Догерти миллиметрового диапазона в литературе в основном имеют очень ограниченное усиление PAE при понижении мощности, в основном из-за сумматоров мощности Догерти с потерями и / или неоптимизированной работы основного / вспомогательного УМ [37, 43]. Как описано в разделе 3, в [19] сообщается об эффективной работе УМ 15 ГГц в широкополосной частоте с конфигурацией Догерти с использованием метода нейтрализации паразитной выходной емкости для УМ последнего каскада. Кроме того, Ху и др. . [37] недавно сообщили о полностью интегрированном многополосном УМ Doherty 28/37/39 ГГц для массовых приложений MIMO 5G. PAE для 5G Doherty PA на уровнях снижения мощности улучшены, а его полоса пропускания также расширена за счет параллельного сумматора мощности Doherty на базе трансформатора с низкими потерями. Этот новый сумматор на основе трансформатора основан на концепции, изложенной в [34], где три линии λ /4 используются для обеспечения оптимального импеданса, видимого на выходе устройства на основной частоте в широком диапазоне частот +/- 23%. на частоте 2,2 ГГц. Однако в конструкции Hu и др. они перешли на следующий уровень интеграции, используя два трансформатора, поглощающих эти три линии λ /4, для достижения компактной и истинной модуляции нагрузки Доэрти.Что особенно интересно в этой конструкции, так это принятие схемы настройки с интенсивным цифровым использованием, в которой схема с зависящей от мощности неравномерной подачей питания используется для адаптивного обеспечения оптимальной работы основного / вспомогательного УМ, как показано на рисунке 19. На входе включен Был использован дифференциальный квадратурный гибрид на базе чипового трансформатора, а девятисекционные линии передачи с вариаторной нагрузкой развернуты как для основного, так и для вспомогательного тракта. В отличие от обычного усилителя мощности Doherty, в котором для его включения на более высокие уровни используется схема адаптивного смещения на вспомогательном усилителе пиковой мощности, входная проводимость этого вспомогательного усилителя класса C может быть настроена для значительного увеличения при более высоких уровнях, в то время как проводимость на входе класса АБ основной УМ остается практически идентичным.Кроме того, также выполняется динамическая модуляция нагрузки вспомогательного драйвера для достижения большего прироста мощности при увеличении. Следовательно, эти настройки позволяют быстро увеличивать выходной ток вспомогательного усилителя мощности, чтобы получить оптимальную работу Догерти с небольшим ограничением скорости модуляции. Прототип реализован на 0,13 мкм м SiGe BiCMOS, и он достиг пикового значения + 16,8 / + 17,1 / + 17 дБм, с пиковым PAE 20,3 / 22,6 / 21,4% на частотах 28/37/39 ГГц. Он также усиливает входной сигнал 64-QAM со скоростью 3 Гбит / с с высокой эффективностью и разумной линейностью во всех этих трех диапазонах 5G (рисунок 19).

Для систем 5G использование широкой полосы пропускания (> 100 МГц) и массивный MIMO являются ключевыми технологиями. Следовательно, мы ожидаем, что метод повышения эффективности конструкции Doherty PA может иметь хорошую адаптируемость цифрового PA к широкой полосе пропускания и массивному MIMO.

В конце мы хотели бы упомянуть, что не совсем ясно, потребуется ли 5G PA в телефонных трубках для перехода на 28 ГГц см-волновой диапазон в ближайшие пару лет, поскольку стандарт все еще развивается. Например, один стартап 5G PHAZR разработал решение, известное как Quadplex, технология которого использует частоты миллиметрового диапазона (24-40 ГГц) для нисходящей линии связи и частот ниже 6 ГГц (3.5 ГГц или 5 ГГц) для восходящей линии связи, которые, по мнению компании и их сотрудников, эта технология может «уникальным образом обеспечить высокопроизводительные, экономичные и энергоэффективные системы 5G» [44]. Кроме того, некоторые новейшие методы модуляции 5G, такие как усовершенствованная схема неортогонального множественного доступа (NOMA), обслуживающая нескольких пользователей одновременно / частота / код, но с разными уровнями мощности, усложнят оптимизацию конструкции MIMO 5G PA для достижения максимального общего Эффективность мощности передачи при различных уровнях выходной мощности и сценариях кластеризации пользователей [45].

6. Выводы

В этой статье мы кратко рассмотрели некоторые недавние передовые и многообещающие тенденции в проектировании систем PA 5G cm-Wave и mm-Wave. Эти PA разработаны с использованием различных технологий устройств: GaAs, GaN, SiGe, объемного КМОП и КМОП КНИ. Мы рассмотрели широкополосный ПА Догерти в GaAs и SiGe; многослойный PA на SOI CMOS; дифференциальный объемный КМОП УМ с нейтрализующим колпачком и трансформаторами; CMOS DPA; полностью монолитный GaN PA; высокоинтегрированный RFFE с LNA, PA, фазовращателем, переключателями для MIMO с фазированной решеткой и т. д.Эти конструкции PA представляют собой потенциальные решения для успешных проектов интерфейсных ИС 5G cm-Wave, где требуются беспрецедентно высокие PAE как при пике, так и при понижении мощности с хорошей линейностью, в то время как широкополосная работа и плотная недорогая интеграция, подходящие для массивной MIMO, являются также имеет решающее значение для принятия на рынок. Для мобильных телефонов и малых сот / BST, где максимальные требования низкие, обычно изменяющиеся от ~ 4 дБм до ~ 36 дБм, PA на кремниевой основе могут быть привлекательными для высокоинтегрированных решений с интенсивными цифровыми операциями.С другой стороны, для приложений, требующих более высоких требований, технологии GaAs и GaN все еще могут в значительной степени использоваться для достижения более высокой эффективности PA. Мы также обсудили некоторые методы, специально предназначенные для повышения эффективности снижения мощности, а именно использование динамической модуляции питания, полностью цифровой архитектуры PA и Doherty PA с цифровой настройкой. Мы считаем, что эти методы будут и дальше широко изучаться, чтобы проложить путь к развертыванию 5G.

Конфликт интересов

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов в отношении публикации этой статьи.

Благодарности

Авторы выражают признательность Министерству обороны за финансовую поддержку, в том числе Программу микромасштабного преобразования энергии DARPA и Фонд председателя правления TTU Keh-Shew Lu. Они также хотели бы поблагодарить г-жу Д. Ван, доктора Н. Кахуна, доктора А. Джозефа и доктора Д. Хараме из GlobalFoundries за изготовление ИС. Наконец, они хотели бы поблагодарить профессора К. Куо и г-на Ж.-Й. Лай из Национального университета Цзяо-Дун (NCTU), Тайвань, за поддержку в разработке и изготовлении комплекта GaN IC.

DS200ADPAG1ABB