Советские диоды: Диоды Шотки отечественного производства — справочник, таблица

Содержание

Диоды Шотки отечественного производства — справочник, таблица

Справочная таблица по характеристикам диодов Шотки отечественного производства, где применяются.

В настоящее время очень популярны импульсные источники питания, так называемые DC-DC или AC-DCконверторы. В выпрямителе вторичного напряжения в них обычно используются диоды Шотки.

Особенности диодов Шотки

Диод Шотки отличается тем, что в нем переход образован контактом полупроводника и металла. Полупроводник — кремний или арсенид галия, а металлический электрод на эпитаксиальный слой полупроводника наносится методом вакуумного испарения.

Диоды Шотки названы в честь немецкого физика В. Шотки, исследовавшего такие структуры в 30-х годах прошлого века.

Преимущества диодов Шотки перед диодами с р-п переходом:

  1. Лучшее выпрямление высокочастотного напряжения.
  2. Значительно меньшее прямое напряжение падения, вследствие чего, меньшая мощность теряется на диоде.
  3. Конструкция позволяет лучше обеспечить отвод тепла от полупроводникового кристалла.
  4. Допускают значительно большую плотность прямого тока.
  5. Практически идеальная прямая ветвь ВАХ, что позволяет использовать диоды Шотки в качестве быстродействующих логарифмических элементов.

Еще одно важное качество диодов Шотки — у них нет эффекта накопления избыточного заряда, нет необходимости и в его рассасывании.

В результате быстродействие диода Шотки значительно выше быстродействия диода на р-п переходе, отсутствует инверсный ток рассасывания. Соответственно снижаются шумы и увеличивается КПД.

Свойство низкого прямого напряжения падения наиболее выражено у относительно низковольтных диодов Шотки, с допустимым обратным напряжением до 40V, при работе на частоте до 500 кГц.

У диодов с большим допустимым обратным напряжением данный эффект выражен хуже, и у диодов с допустимым обратным напряжением более 100V он практически исчезает.

Отрицательной чертой диода Шотки является относительно большой обратный ток, а так же, высокая чувствительность к превышению допустимого обратного напряжения.

Таблица параметров отечественных диодов Шотки

В таблице приведены основные параметры некоторых отечественных диодов Шотки.

  • Іпр — прямой ток,
  • Unp — прямое напряжение падения,
  • Іобр — обратный ток,
  • Uo6p — обратное напряжение.

Данные диоды могут быть исполнены в виде сборок по два диода в одном корпусе с общим катодом. В таком случае, после основной маркировки еще буква «С».

Тип Іпр. (А) Uo6p (V) Unp. (V) Іобр. (mA)
КД238А 7,5 25 0,65 1
КД238Б 7,5 35 0,65 1
КД238В 7,5 45 0,65 1
КД238Г 7,5 50 0,7 1
КД238Д 7,5 60 0,75 1
КД268А 3 25 0,65 1
КД268Б 3 50 0,75 1
КД268В 3 75 0,85 1
КД268Г 3 100 0,85 1
КД268Д 3 150 0,9 1
КД268Е 3 200 0,9 2
КД268Ж 3
250
0,95 2
КД268И 3 300 0,95 2
КД268К 3 350 1 2
КД268Л 3 400 1,1 3
КД269А 5 25 0,65 1
КД269Б 5 50 0,75 1
КД269В 5 75 0,85 1
КД269Г 5 100 0,85 1
КД269Д 5 150 0,9 1
КД269Е 5 200 0,9 2
КД269Ж 5 250 0,95 2
КД269И 5 300 0,95 2
КД269К 5 350 1 3
КД269Л 5 400 1,1 3
КД270А 7,5 25 0,65 1
КД270Б 7,5
50
0,75 1
КД270В 7,5 75 0,85 1
КД270Г 7,5 100 0,85 1
КД270Д 7,5 150 0,9 1
КД270Е 7,5 200 0,9 2
КД270Ж 7,5 250 0,95 2
КД270И 7,5 300 0,95 2
КД270К 7,5 350
1
3
КД270Л 7,5 400 1,1 3
КД271А 10 25 0,65 1
КД271Б 10 50 0,75 1
КД271В 10 75 0,85 1
КД271Г 10 100 0,85 1
КД271Д 10 150 0,9 1
КД271Е 10 200
0,9
2
КД271Ж 10 250 0,95 2
КД271И 10 300 0,95 2
КД271К 10 350 1 3
КД271Л 10 400 1 3
КД272А 15 25 0,65 1
КД272Б 15 50 0,75 1
КД272В 15 75 0,85
1
КД272Г 15 100 0,85 1
КД272Д 15 150 0,9 1
КД272Е 15 200 0,9 2
КД272Ж 15 250 0,95 2
КД272И 15 300 0,95 5
КД272К 15 350 1 5
КД272Л 15 400 1 5
КД 273А
20
25 0,65 1
КД273Б 20 50 0,75 1
КД273В 20 75 0,85 1
КД273Г 20 100 0,85 1
КД273Д 20 150 0,9 1
КД273Е 20 200 0,9 2
КД273Ж 20 250 0,95 2
КД273И 20 300 0,95 5
КД273К 20 350 1 5
КД273Л 20 400 1 5

 

Приложение 11 Популярные отечественные диоды, стабилитроны и стабисторы. Справочные данные

Приложение 11

Популярные отечественные диоды, стабилитроны и стабисторы. Справочные данные

Радиолюбители в повседневной практике часто применяют дискретные полупроводниковые элементы — диоды, стабилитроны и стабисторы.

Для того чтобы правильно подобрать электронный компонент, произвести замену неисправной детали или рассчитать параметры электрической схемы, требуется знание электрических параметров, обозначений и маркировки полупроводниковых приборов. Все эти сведения можно найти в специализированных справочниках. Однако удобнее работать когда все необходимые справочные данные скомпонованы вместе, находятся «перед глазами» и нет необходимости обрабатывать несколько источников информации. В подборку справочных данных, состоящую из табл. П11.1—П11.5, сведены электрические параметры и особенности маркировки наиболее популярных полупроводниковых приборов. Эти данные подготовлены автором благодаря многолетнему опыту работы с полупроводниковыми приборами.

В табл. 11.3 представлены также электрические характеристики высоковольтных (но малой мощности) стабилитронов с напряжением стабилизации 31–96 В. Справочные данные по этим стабилитронам — в конце табл. 11.3.

В табл. П11.4 представлены данные по цветовой маркировке отечественных стабилитронов и стабисторов.

Информация по цветовой маркировке диодов представлена в табл. П11.5.

Данный текст является ознакомительным фрагментом.

Читать книгу целиком

Поделитесь на страничке

Следующая глава >

Справочник по полупроводниковым диодам

ОТ СОСТАВИТЕЛЯ

    Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей. В справочнике представлены основные электрические параметры полупроводниковых диодов широкого применения. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, цветовая маркировка, а также типовые области применения.
    В справочнике собраны параметры диодов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.
    Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.

    Как появился этот справочник?
    В середине 70-х годов, автор столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.
    1. Большая избыточность:
        а) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;
        б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;
        в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.
    2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.
    3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по различным критериям. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.
    4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.

    Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.
    Автор надеется что пользователи этого справочника не разочаруются в своем выборе.

    Справочник составлен в 1991 году, переведен в HTML в 2000 году, перепроектирован в 2001 году.  

Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами

Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами

Предисловие

Интенсивное развитие микроэлектроники привело к тому, что традиционные дискретные схемотехнические решения различных узлов радиоэлектронной аппаратуры повсюду вытесняются более практичными и экономичными интегральными схемами, зачастую цифровыми. Тем не менее это не значит, что в практической радиоэлектронике отпала необходимость в таких, например, «древних» компонентах, как полупроводниковые диоды, а также в информации о способах построения и режимах работы различных схем с диодами. И дело здесь не только в необходимости понимания основ работы всех полупроводниковых приборов и базовых схемотехнических решений с ними для успешного применения (а тем более для проектирования) любых современных интегральных схем, но и в том, что развитие технологий отражается и на традиционных компонентах — улучшаются их массо-габаритные показатели, повышаются частотные, нагрузочные, надежностные характеристики, уменьшаются шумовые и другие вредные явления в них.

Говоря о диодах можно констатировать, что, несмотря на наличие замечательных решений на основе интегральных схем, там, где частоты сигналов, напряжения или токи достаточно велики, традиционные решения с применением современных диодов позволяют достичь оптимальных характеристик. Шумовые свойства диодов делают их наилучшим выбором для многих сверхмалошумящих высокочастотных узлов. Некоторые специальные виды диодов СВЧ обладают уникальными свойствами и практически не имеют альтернативы в этом диапазоне.

В отличие от большинства аналогичных справочных изданий (которых выходило уже довольно много), настоящая книга содержит не только простую таблично-цифровую информацию о параметрах и режимах работы диодов. Много места уделяется описанию физических процессов, лежащих в основе работы диодов, а также физической сути различных параметров, характеризующих диоды. Также подробно описаны типовые схемотехнические решения, в которых могут применяться диоды. Все это сделано для того, чтобы обеспечить пользователю полный объем информации, необходимой при разработке и ремонте радиоэлектронной аппаратуры (хоть и по такой узкой теме как «диоды», но в достаточном объеме и в одной книге).

Поскольку информация о параметрах диодов приведена в табличной форме и отсортирована по мере возрастания ключевых характеристик, такие таблицы могут быть удобны в первую очередь для подбора типономиналов диодов при проектировании схем а также для сравнительного анализа характеристика диодов и быстрого поиска. информации о них. К сожалению, выбранная форма подачи информации не позволяет предоставить все данные, публикуемые производителями о выпускаемых ими приборах (некоторые второстепенные характеристики, графические зависимости и временные диаграммы опускаются). Для получения исчерпывающей информации о конкретном типе диодов пользователям необходимо обращаться к другой литературе.

Еще одним свойством настоящей книги является то, что в ней представлена только отечественная элементная база. Это вызвано как ограничениями на объем издания, так и тем, что на сегодняшний день довольно небольшое количество видов диодов иностранного производства широко распространены в России. Но даже при применении зарубежной элементной базы основные описываемые в книге физические принципы и базовые схемотехнические решения остаются неизменными. Минимальная необходимая информация о маркировке зарубежных компонентов в издании все-таки имеется.

Отечественные выпрямительные диоды



Отечественные выпрямительные диоды
Тип Uпр.
В
при Iпр.
мА
I обр.
мкА
Т к.макс.
°С
U обр. макс.
B
Iпр. макс.
мА
f раб.
2Д101А 1 100 5 85 30 (30) 20 (300)
2Д102А 1 50 0,1 125 250 100
2Д102Б 1 50 1 125 300 100
2Д103А 1 50 1 125 75 (100) 100 0,02
2Д104А 1 10 3 70 300 (300) 10 0,02
2Д106А 1 300 2 125 100 (100) 300 0,05
2Д108А 1,5 100 150 125 – 800 100
2Д108Б 1,5 100 150 125 – 1000 100
2Д115А 1 50 1 125 100 30 0,8
2Д118А – 1 1 300 50 100 200 (200) 300 0,1
2Д120А 1 300 2 175 100 (100) 300 0,1
2Д120А – 1 1 300 2 155 100 (100) 300 0,1
2Д123А – 1 1 300 1 100 100 (100) 300 0,1
2Д125А – 5 1,5 1000 50 – 600 300 0,2
2Д125Б – 5 1,5 1000 50 – 800 300 0
2Д204А 1,4 600 150 125 400 (400) 400 0,05
2Д204Б 1,4 600 100 125 200 (200) 600 0,05
2Д204В 1,4 600 50 125 50 (50) 1000 0,05
2Д207А 1,5 500 150 125 – 600 500
2Д212А 1 1000 50 125 200 (200) 1000 0,1
2Д212Б 1 1000 50 125 100 (100) 1000 0,1
2Д215А 1,2 500 50 125 400 (400) 1000 0,01
2Д215Б 1,2 500 50 125 600 (600) 1000 0,01
2Д215В 1,1 1000 50 125 200 (200) 1000 0,01
2Д235А 0,9 300 800 40 (40) 1000
2Д235Б 0,9 300 800 30 (30) 1000
2Д236А 1,5 1000 5 155 600 (600) 1000 0,1
2Д236А – 5 1,5 1000 5 155 600 (600) 1000 0,1
2Д236Б 1,5 1000 5 155 800 (800) 1000 0,1
2Д236Б – 5 1,5 1000 5 155 800 (800) 1000 0,1
2Д237А 1,3 1000 5 155 100 (100) 1000 0,3

6. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). Приборы СВЧ и оптического диапазона. Курс лекций

6.1. Лавинное умножение носителей заряда

6.2. Пролетный режим работы ЛПД

6.3. Параметры и характеристики генераторов и усилителей на ЛПД в пролетном режиме

6.4. Особенности устройства и применение ЛПД

6.1. Лавинное умножение носителей заряда

Зависимость дрейфовой скорости от поля. Для последующего рассмотрения полупроводниковых приборов необходимо знать зависимость направленной скорости носителей (дрейфовой скорости) от напряженности электрического поля для кремния и германия. Эта зависимость vдр(Е) показана на рис. 6.1.

Дрейфовая скорость связана с напряженностью поля Е соотношением

vдр(Е) = µЕ (6.1)

где µ — подвижность носителей, пропорциональная среднему времени пробега, носителей между двумя последовательными соударениями с атомами кристаллической решетки.

Чем больше время пробега τ, тем большую скорость направленного движения приобретет носитель в том же электрическом поле. В слабых электрических полях скорость направленного движения много меньше тепловой скорости, поэтому среднее время пробега определяется тепловой скоростью и от напряженности поля практически не зависит. В этом приближении подвижность носителей также не зависит Е, т.е. в (6.1) дрейфовая скорость пропорциональна Е (начальный участок на рис. 6.1). Напряженность Е определяет прибавку энергии носителя к тепловой энергии при термодинамическом равновесии, когда поле отсутствует. Поэтому линейный начальный участок означает также, что дрейфовая скорость пропорциональна разности полной энергии при наличии поля и тепловой энергии носителей при его отсутствии.

Рис. 6.1

Когда с ростом Е скорость vдр станет сравнимой с тепловой скоростью, время пробега заметно уменьшается, так как длина побега определяется кристаллической решеткой и остается неизменной. Это означает уменьшение подвижности носителей и нарушение в (6.1) пропорциональности между скоростью и напряженностью поля. При больших полях на кривой vдр(Е) появляется участок насыщения. Для объяснения насыщения скорости предполагают, что в сильном поле независимо от его величины носитель заряда при любом соударении с кристаллической решеткой теряет одну и ту же энергию ∆Е. Тогда за 1 с, в течение которой происходит 1/τ соударений, потеря энергии составит ∆Е/τ. Так как рассматривается стационарное состояние, то эта потеря энергии должна восполняться за счет работы силы электрического поля Fэл = еЕ на пути, который за 1 с численно равен дрейфовой скорости, т. е.

∆Е/τ = еЕvдр. (6.2)

кроме этого должен выполняться закон сохранения импульса (количества движения)

Fэл τ = m vдр (6.3)

Из (7.2) и (7.3) следует, что

Таким образом, если в сильном поле ∆Е от поля не зависит, то дрейфовая скорость также не зависит от него. Это предельное значение дрейфовой скорости называют скоростью насыщения vн. Значение vн зависит от полупроводникового материала и типа носителя (электрон, дырка) и составляет примерно 107 см/с.

Ударная ионизация. Если энергия движущихся в электрическом поле носителей заряда превысит некоторое определенное значение, начнется ударная ионизация: соударение носителя с нейтральным атомом кристаллической структуры приводит к образованию пары новых носителей — электрона и дырки.

Для количественной характеристики этого процесса вводят коэффициенты ионизации an и aр для электронов и дырок — число электронно-дырочных пар, создаваемых на единице пути (1 см) электроном и дыркой соответственно. Коэффициенты an и aр сильно зависят от напряженности поля. Ударная ионизация наблюдается при большой напряженности электрического поля (Е>105 В/см). Зависимость an и aр от напряженности поля для германия, кремния и арсенида галлия показана на рис. 6.2. Увеличение напряженности поля в 2—3 раза может привести к росту коэффициентов ионизации на четыре-пять порядков. В рассматриваемой области значений напряженности поля зависимость an и aр от Е может быть представлена степенной функцией с показателем, лежащим в пределах от 3 до 9 в зависимости от материала и типа носителей. Для арсенида галлия коэффициенты примерно одинаковы (an aр). У кремния и германия an aр В дальнейшем для упрощения рассмотрения будем принимать их равными (an =aр =a).

Рис. 6.2 Рис. 6.3

Лавинное умножение носителей в p-n-переходе. В полупроводниковых диодах ударная ионизация может происходить в области p-n-перехода, если в ней создана достаточно большая напряженность поля. С этим явлением связан резкий рост обратного тока перехода, называемый лавинным пробоем.

Ток через переход при обратном напряжении вызван движением неосновных носителей. Дырки, экстрагированные из n-области, двигаются в переходе по направлению к р-области, а электроны, экстрагированные из р-области, перемещаются через переход в n-область. Пусть начальный дырочный ток на левой границе перехода (х = 0) Ip0, а начальный электронный ток на правой границе (x = ω) In0 (рис. 6.3, a). Вследствие ударной ионизации число двигающихся дырок растет слева направо, а электронов — в противоположном направлении. Соответственно в этих направлениях возрастают дырочная и электронные составляющие тока.

Пусть Ip и In дырочный и электронный токи в произвольном сечении х. В слой dx в этом сечении за 1 с слева входит Ip/е дырок, а справа In/е электронов (е заряд электрона). Каждый носитель, проходя слой dx, создает adx пар носителей (электрон—дырка), если считать коэффициенты ионизации электронов и дырок равными. Поэтому прирост числа дырок на длине dx

d Ip/е = (Ip/е) α dx + (In/e) α dx = (I/e) α dx. (6.4)

где

I =Ip +In (6.5)

— суммарный (полный) ток в переходе, не зависящий от координаты. Тогда из (6.4) приращение дырочного тока в слое

dIp=α Idx. (6.6) Аналогично прирост электронного тока с уменьшением координаты х

dIn = – α Idx. (6.7)

Рассмотрим несимметричный p-n-переход, в котором концентрация акцепторов много меньше концентрации доноров. Концентрация неосновных носителей обратно пропорциональна концентрации примеси, поэтому начальный дырочный ток будет много больше начального электронного тока (Ip0>>In0). В этом случае можно считать, что лавинное умножение вызвано дырками, приходящими из n-области. Интегрируя (6.6) в пределах от х=0 До x=ω θ используя граничные значения токов Ip0 и Ip(ω) получим

(6.8)

Полный ток I вынесен за знак интеграла, так как он не зависит от координаты. Вследствие лавинного умножения Ip(ω) > Ip0.

В рассматриваемом случае Ip0 >> In0, поэтому Ip(ω) >> In0 и найденный в сечении x=ω οолный ток

I = Ip(ω) + In0 ≈ Ip(ω)

Подставляя в (6.8) I вместо Ip(ω), получим

или

(6.9)

где

Mp= I /Ip (6.10)

коэффициент лавинного умножения, если процесс умножения в переходе начинается дырками.

Аналогично можно ввести Mn = I / In, если процесс умножения начинают электроны (случай In0 >> Ip0).

Лавинный пробой. Принято считать, что лавинный пробой наступает при таком обратном напряжении на переходе, когда коэффициент лавинного умножения обращается в бесконечность. Если начало лавинного умножения вызвано дырками (Ip0 >> In0), то условие лавинного пробоя можно найти из (6.9), считая, Мр→ ∞. Это возможно при

(6.11)

Условие (6.11) имеет простой физический смысл: для возникновения лавинного пробоя необходимо, чтобы каждый электрон и каждая дырка, вошедшие в переход и возникающие в переходе создавали в среднем по одной электронно-дырочной паре. Если aр ≠ an, то носители, имеющие больший коэффициент ионизации должны создавать при прохождении перехода в среднем более одной пары, чтобы скомпенсировать уменьшение коэффициента ионизации носителей другого типа.

Коэффициент α зависит от напряженности поля, распределение которого в переходе можно найти из решения уравнения Пуассона, считая напряженность поля на границах перехода нулевой. Тогда в (6.11) неизвестным будет только ширина перехода ω. Следовательно, можно определить ширину перехода, при которой наступит лавинный пробой, а затем по известному pacпределению напряженности пробоя вычислить напряжение пробоя.

6.2. Пролетный режим работы ЛПД

Принцип работы ЛПД с n+-р-i-р+-структурой. Этот режим работы диода основан на использовании лавинного пробоя и пролетного эффекта носителей в обедненной области различных полупроводниковых структур. Распределение поля в этой области, определяющее физические процессы в диоде, зависит от структуры и закона распределения концентрации примесей в областях структуры. Ниже будет рассмотрена n+-р-i-р+-структурой (диод Рида), так как физические процессы в этом диоде наиболее четко разделены (рис. 6.4, а).

Распределение концентрации примесей в областях структуры показано на рис. 6.4, б. Концентрация примеси в крайних областях р+ и n+ много больше, чем в р-области; по концентрации носителей i-область близка к собственному полупроводнику. Напряженность Е – линейно уменьшается в p-области и остается постоянной в i-области (рис. 6.4, в).

Рис. 6.4

Рис. 6.5

Вследствие сильной зависимости от напряженности поля коэффициенты ионизации an и aр будут изменяться по направлению х более резко, чем Е (рис. 6.4 г). Зависимость а(х) располагается в пределах р-области. Для упрощения принято an=aр=a. Условие лавинного пробоя (6.11) означает равенство единице площади кривой а(х). Слой умножения, где возможно лавинное умножение носителей, очень узкий и находится в основном справа от сечения х=0, в котором напряженность поля максимальна. Левая граница слоя приблизительно совпадает с сечением x=0. За правую границу условно примем координату xл так, чтобы на участке 0 – xл практически закончилось лавинное умножение. Часть структуры от xл до границы р+-области называют слоем дрейфа. В этой части прибора нет лавинного умножения, но напряженность поля еще достаточно велика, чтобы дрейфовая скорость носителей была равна скорости насыщения vн (см. рис. 6.1)

В условиях генерации или усиления колебаний на ЛПД кроме постоянного напряжения имеется синусоидальное. Поэтому к напряженности поля Е в статическом режиме, показанной на рис. 6.4, в добавляется синусоидально изменяющаяся во времени напряженность ноля Е(t). Если пренебречь влиянием объема заряда,

Конец эпохи легендарной советской рабочей лошадки Ту-154 совершил последний регулярный пассажирский рейс в России — RT Россия и бывший Советский Союз

В свое время он был жемчужиной в короне национального авиаперевозчика «Аэрофлот» и его многочисленных дочерних компаний. Теперь, после десятилетий службы и миллиардов миль налетов, Туполев Ту-154 больше не будет использоваться в гражданской авиации России.

После посадки в российском городе Новосибирске последний Ту-154, использовавшийся для регулярных пассажирских рейсов, был списан.Когда-то эксплуатировавшаяся большинством российских авиакомпаний, последней использовала самолет АЛРОСА, небольшая сибирская компания, летающая в основном между шахтерскими городами.

Разработанный в 1968 году, самолет поступил в коммерческую эксплуатацию Аэрофлоту в 1972 году, прежде чем компания сняла его с производства в 2009 году. Многие описывают его как рабочую лошадку, но до завершения производства в 2013 году было выпущено более 1000 Ту-154. Ту-154, который использовался российскими авиакомпаниями, был популярен во всем мире, в том числе венгерские авиакомпании Malev Airlines, польские LOT Airlines и EgyptAir, также эксплуатирующие самолет.Хотя самолет больше не используется в гражданских целях в России, он по-прежнему пользуется популярностью в Северной Корее, обслуживая пассажиров национальной авиакомпанией Air Koryo.

Также на rt.com 6 раз пилоты-герои предотвратили катастрофу и спасли положение

Несмотря на то, что этот самолет любили многие из его бывших пассажиров, он также имел немало аварий. В 2010 году Ту-154 стал известным участником авиакатастрофы в Смоленске, в результате которой погибли все 96 пассажиров, включая президента Польши Леха Качиньского.В 2016 году в результате крушения Ту-154 погибли 64 члена всемирно известного ансамбля Александрова, также известного как Хор Красной Армии.

В наше время российские авиакомпании в основном перешли на иностранные самолеты Boeing и Airbus. Однако в последние годы стал популярным и российский Sukhoi Superjet. В настоящее время Аэрофлот насчитывает 54 самодельных самолета в своем парке, насчитывающем 244 человека, при этом компания использует в основном Airbus A320 европейского производства.

Если вам понравилась эта история, поделитесь ею с другом!

Советская База

  • Инструкция по загрузке фото
  • Инструкция по загрузке журнала
  • Регистрация
  • Новости
  • База данных

      • Назад
      • Гражданская база данных
      • Военная база данных
      • База данных PH
      • База данных местоположения
      • Советская база данных
      • База данных несчастных случаев
      • Показать отчеты
      • Последние обновления
  • Планирование

      • Назад
      • Орбаты
      • Гид по аэродрому
      • Показать даты
      • Резюме SIS

Страны бывшего Советского Союза (СССР)

Джозеф Кипроп, 8 августа 2018 г. в World Facts

Карта бывшего СССР.

Советский Союз (полное название: Союз Советских Социалистических Республик или СССР) был социалистическим государством, созданным Владимиром Лениным в 1922 году. За время своего существования СССР был самой большой страной в мире. СССР распался в 1991 году, оставив на своем месте 15 независимых государств, которые мы знаем сегодня:

15. Армения

Республика Армения площадью 11 500 квадратных миль во времена СССР была известна как Советская Армения.В декабре 1922 года страна входила в состав Советского Союза. Советская Армения была создана в 1920 году, когда Советский Союз взял под свой контроль Первую Республику Армения. Эту страну иногда называют Второй Республикой Армения, поскольку первая просуществовала недолго. После провозглашения ее суверенитета 23 августа 1990 года название страны было изменено на Республика Армения. Однако Армения оставалась частью Советского Союза до 21 сентября 1991 года, когда страна была официально провозглашена независимым государством.С момента обретения независимости Армения пережила значительный период развития.

14. Молдова

Официально известная как Молдавская Советская Социалистическая Республика или МССР, Молдова входила в число 15 республик Советского Союза с 1940 по 1991 год.Советская Молдова была создана 2 августа 1940 года из региона, который был аннексирован у Румынии, известной как Бессарабия, и частей автономного государства в составе Украинской ССР. Молдова была объявлена ​​суверенным государством 23 июня 1990 года, но до 23 мая 1991 года была официально известна как Советская Социалистическая Республика Молдова. Несмотря на то, что страна оставалась республикой в ​​составе СССР, она была переименована в Республику Молдова. После обретения независимости Молдова пострадала от гражданской войны.

13.Эстония

Эстония — одно из трех государств Балтии на северо-востоке Европы. Ранее известный как Эстонская Советская Социалистическая Республика или ЭССР, этот регион входил в состав Советского Союза. Первоначально ЭССР была образована на территории Эстонской Республики 21 июля 1940 года в результате вторжения советских войск 17 июня 1940 года. Страна была также создана после разрешения марионеточного правительства, одобренного Советским Союзом.9 августа 1940 года ЭССР вошла в состав Советского Союза. Нацистская Германия оккупировала территорию в период с 1941 по 1944 год. 8 мая 1990 года ЭССР была переименована в Эстонскую Республику, а ее независимость была признана СССР 6 сентября 1991 года. В августе 1994 года российские войска были выведены из страны, а ее военные Присутствие прекратилось в сентябре 1995 года после того, как Эстония взяла под свой контроль свои ядерные реакторы, расположенные в Палдиски.

12.Латвия

Латвийская Республика — еще одно прибалтийское государство, расположенное в Северной Европе. Страна является одной из республик бывшего Советского Союза, также известной как Советская Латвия или Латвийская ССР. Советская Латвия была создана во время Второй мировой войны 21 июля 1940 года как марионеточное государство Советского Союза. И европейское сообщество, и США отказались признать присоединение Латвии к СССР 5 августа 1940 года.После распада Советского Союза страна вернула себе официальное название Латвийской Республики, получив полную независимость 21 августа 1991 года. 6 сентября 1991 года она была полностью признана Советским Союзом как независимое государство. Основными целями страны в постсоветский период было присоединение к Европейскому Союзу и НАТО в 2004 году.

11.Литва

Литовская Республика — одно из трех государств Балтии, расположенных в Северной Европе, площадью около 25 000 квадратных миль. Страна существовала как республика Советского Союза с 1940 по 1990 год и была известна как Советская Литва или Литовская ССР. Советская Литва была образована 21 июля 1940 года. Немецкие нацисты оккупировали эту территорию в период с 1941 по 1944 год, а позже эта территория была повторно оккупирована Советским Союзом на следующие 50 лет.Однако США вместе с большинством европейских стран продолжали признавать Литву как независимое суверенное государство. Советская Литва объявила себя суверенным государством 18 мая 1989 года, и, несмотря на то, что власти Советского Союза сочли это действие незаконным, страна была восстановлена ​​и провозглашена независимым государством. Она была названа Литовской Республикой, а СССР признал Литву независимым государством 6 сентября 1991 года. После обретения страной независимости Литва присоединилась к НАТО и Европейскому союзу в 2004 году, а 17 сентября 1991 года — к Организации Объединенных Наций.

10. Грузия

Республика Грузия находится на перекрестке Восточной Европы и Западной Азии.Ранее известный как Советская Грузия или Грузинская ССР, регион занимает площадь в 27 000 квадратных миль. Советская Грузия была одной из республик, входивших в состав Советского Союза 30 декабря 1922 года. 18 ноября 1989 года территория провозгласила свою независимость от Советского Союза, а 14 ноября 1990 года она была переименована в Республику Грузия. . После обретения независимости страна боролась с экономическим и гражданским кризисом на протяжении большей части 1990-х годов.

9.Азербайджан

Азербайджанская Республика — страна, расположенная на перекрестке Юго-Восточной Европы и Юго-Западной Азии. Страна ранее была известна как Советский Азербайджан или Азербайджанская ССР. Азербайджанская ССР была переименована 19 ноября 1990 года в Азербайджанскую Республику и оставалась в составе Советского Союза до полной независимости в 1991 году. После принятия новой конституции страны в 1995 году Конституция Азербайджанской ССР перестала существовать.После обретения независимости Азербайджан стал государством-членом Движения неприсоединения и был избран Генеральной Ассамблеей Организации Объединенных Наций в члены Совета по правам человека 9 мая 2006 года.

8.Таджикистан

Республика Таджикистан — горная страна, не имеющая выхода к морю, расположенная в Центральной Азии. Таджикистан был известен как Советский Таджикистан или Таджикская ССР. Советский Таджикистан существовал с 1929 по 1991 год. С 1927 по 1934 год колхозное хозяйство и ускоренное расширение производства хлопка имели место, в частности, в южных регионах страны. Со временем произошли и другие небольшие застройки, которые привели к улучшению ирригационной инфраструктуры.31 августа 1991 года территория была переименована в Республику Таджикистан, а 9 сентября 1991 года она провозгласила свою независимость. 26 декабря 1991 года Таджикистан был признан Советским Союзом независимым государством. После получения независимости страна попала в состав Гражданская война с участием разных фракций. В результате более полумиллиона жителей покинули страну из-за роста бедности и преследований.

7.Киргизия

Кыргызстан — горная страна, не имеющая выхода к морю, с площадью 77 000 квадратных миль. Первоначально Советский Союз установил свою власть в регионе в 1919 году. Однако Советский Кыргызстан был основан 5 декабря 1936 года. В результате голосования Верховного Совета в декабре 1990 года название территории было изменено на Республика Кыргызстан. 25 ноября 1991 года Кыргызстан обрел полную независимость, а 5 мая 1993 года название было изменено на Кыргызская Республика.После обретения независимости страна вступила в Организацию по безопасности и сотрудничеству в Европе (ОБСЕ) и ООН. На протяжении большей части нового тысячелетия страна страдала от огромной политической нестабильности.

6.Беларусь

В 1919 году была образована территория Беларуси, находившаяся под властью России, известная как Советская Беларусь, Советская Белоруссия или БССР. Однако вскоре возникла Литовская Белорусская ССР, что вызвало конкуренцию между Советским Союзом и Польшей. Западный регион современной Беларуси остался в составе Польши, но позже был аннексирован БССР, а Белорусская ССР стала одним из основателей СССР.Между 1920-ми и 1930-ми годами Советский Союз ввел на территории экономическую и сельскохозяйственную политику, которая привела к политическим репрессиям и голоду. Под Минском обнаружено массовое захоронение жертв, казненных в период с 1937 по 1941 год. Этот акт был связан с Советским Союзом, побудившим националистов Беларуси добиваться независимости и провозгласить свой суверенитет 27 июля 1990 года. После обретения независимости страна столкнулась со многими спорами с Россией, которые впоследствии ослабили отношения между двумя странами.

5.Узбекистан

Республика Узбекистан — одна из двух стран мира, не имеющих выхода к морю, и расположена в Центральной Азии. Советский Узбекистан был основан 27 октября 1924 года. Между 1941 и 1945 годами около 1,5 миллиона узбеков воевали против нацистской Германии вместе с Красной армией во время Второй мировой войны. Узбекистан провозгласил себя суверенным государством 20 июня 1990 года и объявил свою независимость 31 августа 1991 года.После обретения страной независимости в Узбекистане прошли первые выборы. В настоящее время Узбекистан занимает второе место в мире по уровню современного рабства — 3,97%.

4.Туркменистан

Туркменистан, ранее известный как Туркмения, занимает территорию в 190 000 квадратных миль. Туркменистан был присоединен к Российской империи и позже стал одной из республик, входящих в состав Советского Союза в 1924 году. Советский Союз реорганизовал методы ведения сельского хозяйства, тем самым разрушив кочевой образ жизни в стране. Ее политическая жизнь контролировалась Москвой.В экономическом отношении Туркменистан играл делегированную ему роль в составе СССР. Однако страна провозгласила свой суверенитет в 1990 году, но была едва готова к независимости, поэтому предпочла сохранить СССР. 27 октября 1991 года страна провозгласила свою независимость от Советского Союза, которая была признана 26 декабря 1991 года. С момента обретения страной независимости от Советского Союза Туркменистан занимает нейтральную позицию в отношении большинства международных вопросов.

3.Украина

Украина — суверенное государство, площадь которого составляет 233 000 квадратных миль. Украинская ССР или УССР входила в состав Советского Союза и была принята в состав Советского Союза 30 декабря 1922 года. Советская Украина была членом-учредителем ООН, но Всесоюзное государство действовало как ее законный представитель в вопросах, касающихся других стран, которые были не в составе СССР.После роспуска Советского общества УССР была переименована в Украину, и ее новая конституция была утверждена 28 июня 1996 года. После обретения независимости страна сохранила свое место в ООН и продолжает в надежде возбуждать иски в иностранных судах против Российской Федерации. о возвращении своей доли иностранной собственности.

2.Казахстан

Республика Казахстан — самая большая страна в мире, не имеющая выхода к морю, ее площадь составляет 1,05 миллиона квадратных миль. Это трансконтинентальная страна, расположенная в Восточной Европе и на севере Центральной Азии. Советский Казахстан был основан в 1936 году в составе Советского Союза. Во время распада СССР страна была последней из республик, входящих в состав Советского Союза, провозгласившей независимость.После обретения Казахстаном независимости страной возглавил Нурсултан Назарбаев. Правление нынешнего президента характеризуется подавлением политической оппозиции и нарушениями прав человека.

1.Российская Федерация

Российская Федерация, занимающая 6,6 миллиона квадратных миль, является самой большой страной в мире и расположена в Евразии. Советская Россия вместе с другими советскими республиками образовала СССР. Россия была крупнейшим членом Советского Союза с более чем половиной всего населения СССР. Советская Россия доминировала над Советским Союзом на протяжении всей своей 69-летней истории.До 1991 года советская экономика была второй по величине в мире, на которую позже сильно повлияла инфляция. К 1991 году Советский Союз переживал политические и экономические потрясения, что вынудило прибалтийские республики выйти из союза. После распада СССР 25 декабря 1991 года Россия пережила серьезный экономический кризис, который привел к высокой смертности, низкой рождаемости и краху социальных служб. Между тем миллионы россиян пострадали от бедности, которая увеличилась с 1.От 5% до примерно 39-49%. Насильственные преступления, крайняя коррупция, преступные группировки и беззаконие характеризовали 1990-е годы в России.

Советских агитационных плакатов

Советские плакаты впервые появились во время пролетарской революции в России — они несли лозунги Коммунистической партии в массы и призывали рабочих и крестьян бороться за свободу и справедливость.

Многие из нас знакомы со знаменитым плакатом Дмитрия Моора «Вы записались волонтером?» Изображение солдата Красной Армии с клубами черного дыма, поднимающимися из заводских дымовых труб на заднем плане, прямо спрашивающего русского рабочего о его вкладе в защиту Октябрьской революции, стало культовым элементом советской пропаганды. Плакаты сыграли очень важную роль во время Октябрьской революции и последующей Гражданской войны. В то время выходило очень мало газет, и часто таблоид заменял плакат.Плакат был широко доступен для масс, изображения, которые он изображал, были понятны каждому, а короткий и энергичный сопровождающий лозунг запомнился зрителям как постоянный призыв к действию. Во время Гражданской войны пропагандистские плакаты отправлялись на передовую вместе с пулями и артиллерийскими снарядами. Они были вывешены на стенах в городах, подвергшихся нападению белогвардейских армий и иностранных интервентов. Внизу яркого яркого плаката обычно содержалось предупреждение: «Кто сорвет или закроет этот плакат — совершит контрреволюционный акт» .Плакат был мощным оружием, и, как и любое другое оружие, его нужно было беречь с особой тщательностью.

Среди первых революционных плакатов выделяются работы Д.С.Мура, В.В. Маяковский, М. Черемных, В. Дени. Каждый из этих художников использовал уникальные методы и техники для создания выразительного искусства с мощными пропагандистскими сообщениями.

Во время Гражданской войны «Окна РОСТА» («Окна РОСТА») — знаменитый проект Российского телеграфного агентства, объединил художников, которые через несколько часов после получения телеграмм красноармейцев превратили телеграммы красноармейцев в плакаты.Душой этого начинания стал известный поэт Владимир Маяковский. Он создавал тексты на основе последних телеграмм и сопровождал их зарисовками. Михаил Черемных также активно участвовал в проекте. Советские художники за ночь лихорадочно изготовили десятки плакатов, а каждое утро на пустых витринах и витринах вывешивали «Окна РОСТА» (отсюда и название проекта), ярко и остроумно информируя горожан о последних новостях.

Когда возводилось «великое здание социализма» в рамках первой серии пятилеток, пропагандистские плакаты можно было найти повсюду в СССР — они расклеивались на стройках, колхозных полях, башнях элеваторов и массивных бетонных стенах плотина Днепрогэс.Оглядываясь на плакаты той эпохи, можно увидеть хронологию создания и развития Советского Союза. Каждое крупное событие в жизни советского народа отражено в наследии социалистического агитпропа.

Буквально за несколько дней до начала Великой Отечественной войны Ираклий Тоидзе создал еще один легендарный советский плакат — «Родина-мать зовет!». Катастрофическая ситуация, в которой оказался СССР в первый период войны, хорошо иллюстрирует изображение окровавленного фашистского штыка, направленного на мать с ребенком на руках, стоящую среди пламени огня на плакате Виктора Корецкого «Солдат Красной Армии» , Спаси нас!» Плакат Алексея Кокорекина «За Родину!» , изображающий смертельно раненого матроса, бросающего противотанковую гранату среди своих врагов, был еще одним мощным произведением искусства, разжигающим патриотические страсти в советских людях.После того, как Красная Армия остановилась и, наконец, отбросила немцев, Виктор Иванов в своем плакате «Мы пьем воду из родного Днепра, скоро пьем из Прута, Немана и Буга» создал образ героического воина-освободителя. утолил жажду, зачерпнув шлемом символически священную речную воду. Наряду с Советской Армией, которая продолжала разрывать цепи нацистской оккупации Европы, плакат Дементия Шмаринова «Красная Армия приносит освобождение» вошел в города Польши, Чехии, Венгрии и Румынии.В конце Великой Отечественной войны Леонид Голованов ознаменовал победу, нарисовав плакат с изображением победоносного советского солдата в Берлине, разместив надпись «Мы сделали это!». на стенах Рейхстага.

За время Великой Отечественной войны художники создали тысячи плакатов, миллионы из которых были воспроизведены и запущены в обращение. Как и во время Гражданской войны, «Окна РОСТА» (переименованная в «Окна ТАСС» в честь Телеграфного агентства Советского Союза) сыграла очень важную роль в мотивации нации.

Самобытный стиль советского плакатного искусства зародился во время войны и борьбы. Он всегда был лаконичным, выразительным и прямолинейным. Даже издалека его узнавал человек, идущий быстрым шагом. На плакате обычно изображались одна-две фигуры, действия которых подчеркивались характерным движением. Четкий контраст центральных фигур (группы) по сравнению с остальными объектами композиции выделил лучшие работы. Со временем художники стали уделять больше внимания человеческой природе и научились передавать индивидуальность и эмоции через выражения лиц своих персонажей, что сделало плакаты более яркими и эффективными.

С окончанием Второй мировой войны мир во всем мире и дружба между народами стали главной темой пропагандистского плаката. Молодые художники, такие как Н. Трещенко, О. Савостюк, Б. Успенский, наряду с такими выдающимися мастерами плакатного искусства, как Виктор Говорков, создавали интересные и остроумные композиции, агитирующие за СССР как силу мира в мире.

В послевоенный период советская киноиндустрия достигла значительных успехов. Известные художники-аферисты, такие как В.Кононов, М. Хейфиц, Б. Зеленский и И. Хазановский отказались просто «анонсировать» релизы фильмов в своем произведении. Вместо этого они исследовали художественное выражение, чтобы раскрыть содержание и суть фильма через печатные изображения. Работы этих художников завоевали множество наград на международных конкурсах.

Грандиозная 7-летняя программа развития народного хозяйства СССР, провозглашенная на 21 -м съезде Коммунистической партии , потребовала новых усилий со стороны пропагандистского истеблишмента и особенно художников плаката.В очередной раз красочные и визуально привлекательные плакаты стимулировали энтузиазм трудящихся масс выполнять план партии во вновь созданных сельскохозяйственных общинах и на местах прославленных строительных объектов.

Советские плакаты всегда шли в ногу со временем. Они создавали образы образцов для подражания для поколений советских рабочих и солдат, разоблачали международных поджигателей войны и боролись за мир во всем мире.

Лучшая цена военный совет — отличные предложения на военный совет от продавцов со всего мира

Отличная новость !!! Вы попали в нужное место для военного совета.К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях. Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.

Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку и надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.

AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене. Каждый день вы будете находить новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, поскольку этот высший военный совет вскоре станет одним из самых востребованных бестселлеров. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что купили свой военный совет на AliExpress.Благодаря самым низким ценам в Интернете, дешевым тарифам на доставку и возможности получения на месте вы можете еще больше сэкономить.

Если вы все еще не уверены в военном совете и думаете о выборе аналогичного товара, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов. Мы поможем вам разобраться, стоит ли доплачивать за высококачественную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь.А если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе. Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца.Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг и часто имеет комментарии, оставленные предыдущими клиентами, описывающими их опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.

А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет.Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, вы сможете приобрести military soviet по самой выгодной цене.

У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы.На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните самый лучший шоппинг прямо здесь.

Германиевые диоды

Они ИСПОЛЬЗУЮТСЯ, ПРОФЕССИОНАЛЬНО УДАЛЕНЫ, изготовлены NT, в стандартном стеклянном корпусе DO-7.На корпусе указаны номер детали и торговая марка. Vf находится в диапазоне 0,28–0,29. 75 В, 500 мА. Все изделия, которые я проверил, были хорошими, но они продаются как есть.
Цена указана за 1 шт.
Это российские военные излишки NOS, в черном стеклянном ящике немного больше, чем стандартный стеклянный ящик ДО-7. На них четко напечатан номер детали. Vf находится в диапазоне .20-21. Это качественные детали в идеальном состоянии. У меня есть несколько других аналогичных российских военных германиевых диодов NOS. Это NOS, но с предварительно сформированными выводами в стандартном стеклянном корпусе DO-7. У них есть цветовой код и логотип производителя на корпусе. Vf находится в диапазоне от 0,28 до 0,30. Это высококачественные детали в отличном состоянии.
Это российские военные излишки NOS, в черном стеклянном ящике примерно такого же размера, как и стандартный стеклянный ящик DO-7.На них четко напечатан номер детали. Vf находится в диапазоне от 0,29 до 0,31. Это качественные детали в идеальном состоянии. У меня есть несколько других аналогичных российских военных германиевых диодов NOS. Это NOS, производства ITT, в стандартном стеклянном корпусе DO-7. Код цветной полосы напечатан на корпусе. Vf находится в диапазоне от 0,23 до 0,24. 75 В, 100 мА. Это качественные детали в идеальном состоянии.
Цена указана за шт. Коричневая полоса — катодная.
Это германиевые диоды NOS, Tungsram OA1150, в стандартном стеклянном корпусе DO-7. Номер детали напечатан на корпусе. Vf находится в диапазоне 0,26–0,28. Это высококачественные детали в отличном состоянии.
1 шт. Германиевого диода 1N949.У них есть цветовой код и логотип производителя, напечатанные на корпусе. Vf составляет 0,25-26. 50 В, 10 мА. У меня есть 3 марки (слева направо на фото): ITT, GI (General Instruments) и Transitron (волнистые провода от хранения). Это NOS производства Tungsram в стандартном корпусе DO-7. На корпусе напечатаны номер детали и логотип производителя. Vf находится в диапазоне 0,38 — 0,39. 55в, 500мА. Это качественные детали в идеальном состоянии. Это NOS производства Tungsram в стандартном корпусе DO-7. На корпусе напечатаны номер детали и логотип производителя. Vf находится в диапазоне 0,38–0,40. 55в, 500мА. Это качественные детали в идеальном состоянии. Цена указана за штуку.
Это NOS, в стандартном стеклянном корпусе DO-7.Номер детали напечатан на корпусе. Vf находится в диапазоне 0,26–0,28. 20в, 20мА. Это качественные детали в идеальном состоянии. Это NOS, в стандартном стеклянном корпусе DO-7. Номер детали напечатан на корпусе. Vf находится в диапазоне от 0,28 до 0,30. Это качественные детали в идеальном состоянии.
Цена указана за 1 шт.
Это NOS, производства Hughes, в стандартном корпусе DO-7. На корпусе напечатаны номер детали и логотип производителя.Vf находится в диапазоне 0,25–0,27. 40В, 5мА. Цена указана за 1 шт. Это качественные детали в идеальном состоянии.
Это NOS, но со слегка загнутыми выводами, в стандартном стеклянном корпусе DO-7.У них есть полосы с цветовым кодом, напечатанные на теле. Vf находится в диапазоне 0,23–0,26. 60В, 500мА. Это высококачественные детали в отличном состоянии. Это NOS, но со слегка загнутыми выводами, в стандартном стеклянном корпусе DO-7. Номер детали напечатан на корпусе. Vf находится в диапазоне от 0,28 до 0,32. Это высококачественные детали в отличном состоянии. Это германиевые диоды NOS, 1N65, в стандартном стеклянном корпусе ДО-7.Цветовой код напечатан на корпусе. . Vf находится в диапазоне 0,23–0,25. Это высококачественные детали в отличном состоянии. Цена указана за 1 шт. 85 В, 200 мА.
Это германиевые диоды NOS 1N114 в стандартном стеклянном корпусе ДО-7.Номер детали напечатан на корпусе. . Vf находится в диапазоне 0,25–0,27. 75 В, 50 мА. Это высококачественные детали в отличном состоянии. Цена указана за 1 шт. Это NOS производства Hughes в стандартном стеклянном корпусе DO-7. Номер детали напечатан на корпусе. Vf находится в диапазоне 0,26–0,28. 40В, 25мА. Это качественные детали в идеальном состоянии.
Цена указана за 1 шт.
Это NOS, в стандартном стеклянном футляре DO-7 европейского производства Tungsram.Номер детали напечатан на корпусе. Vf находится в диапазоне 0,33 — 0,38. 50 В, 200 мА. Это качественные детали в идеальном состоянии.
Это NOS, в стандартном стеклянном корпусе DO-7 производства DSI.Номер детали напечатан на корпусе. Vf находится в диапазоне 0,27–0,29. 40В, 20мА. Это качественные детали в идеальном состоянии. Это NOS производства Transitron в стандартном стеклянном корпусе DO-7. У них есть символ диода, логотип производителя и оранжевая полоса на корпусе. Vf находится в диапазоне 0,26. 60В, 500мА. Это качественные детали в идеальном состоянии.
Цена указана за 1 шт.
Это германиевые диоды NOS, DSI OA1154, в стандартном стеклянном корпусе DO-7.На корпусе напечатаны номер детали и логотип производителя. Vf находится в диапазоне 0,35–0,38. 55в, 500мА. Это высококачественные детали в отличном состоянии.
Это NOS производства Thomson в стандартном стеклянном корпусе DO-7.Номер детали напечатан на корпусе. Vf находится в диапазоне 0,23–0,25. 100в, 100мА. Это качественные детали в идеальном состоянии.
Цена указана за 1 шт.
Это российские военные излишки NOS, в металлическом и стеклянном корпусе немного больше, чем стандартный стеклянный корпус DO-7. На них четко напечатан номер детали. Vf находится в диапазоне 0,37–0,41. Это качественные детали в идеальном состоянии. У меня есть несколько других аналогичных российских военных германиевых диодов NOS. Это NOS Tungsram в стандартном стеклянном корпусе DO-7. У них есть логотип Tungsram и номер детали, напечатанные на корпусе. Vf находится в диапазоне 0,35–0,38. Это качественные детали в идеальном состоянии. Цена указана за 1 шт.
Это германиевые диоды NOS марки Sprague 1N451 в стандартном стеклянном корпусе DO-7.На корпусе указаны номер детали и SP. Vf находится в диапазоне от 0,24 до 0,26. 175в, 150мА. Это высококачественные детали в отличном состоянии. Это высококачественные германиевые диоды производства Telefunken в Германии. Прямое напряжение составляет 0,33- 0,35. 30 В, 15 мА. Это красивые редкие аудиодиоды. Корпус из черного стекла вдвое длиннее обычного германиевого диода DO-7, на нем напечатаны TFK и оба номера деталей. Цена указана за 1 шт. Это NOS, в стандартном стеклянном корпусе DO-7.Номер детали напечатан на корпусе. Vf находится в диапазоне от 0,23 до 0,24. 20 В, 75 мА. Это высококачественные детали в идеальном состоянии, произведенные Tungsram в Европе.
1 германиевый диод GA205 производства Tungsram.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *