Справочник по полевым импортным транзисторам: Справочник по полевым транзисторам и их импортным аналогам

Содержание

Справочник по полевым транзисторам и их импортным аналогам

Характеристики транзисторов с сортировкой по максимальному напряжению

Отечественный Корпус Тип Макс ток, A Импортный Корпус
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364 ТО-92 n 0.02    
КП302 ТО-92 n 0.04    
2П914А ТО-39 n 0.1(0.2) BSS138
2SK583
smd
TO-92
КП601 ТО-39 n 0.4    
КП507 ТО-92 p 1.
1(0.6)
TP2104 TO-92
    n 1.6 BSP295 smd
    n 2 RTR020N05 smd
    n 4 NTR4170NT1G smd
    n 5 PMV60EN smd
    n 6 BSP100 smd
КП921А TO-220 n 10    
КП954Г TO-220 n 20    
    n 34 BUZ11 TO-220
2П7160А TO-258 n 46(75) IRF2804 TO-220
    n 100 IRF1104 TO-220
    n 162 IRF1404 TO-220
    n 210 IRF2204 TO-220
    n 350 IRFP4004 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 60-75В:
    n 0. 2
0.5
2N7000
BS170
TO-92
TO-92
КП804А ТО-39 n 1 IRFL014 smd
КП505 А-Г ТО-92 n 1.4
 
 
КП961Г ТО-126 n 5    
КП965Г ТО-126 n 5    
КП801 (А,Б) ТО-3 n 5    
КП739 (А-В) ТО-220 n 10 IRF520 ТО-220
КП740 (А-В) ТО-220 n 17    
КП7174А ТО-220 n 18    
КП784А ТО-220 p 18    
КП954 В,Д ТО-220 n 20    
2П912А ТО-3 n 25    
КП727(А,Б)
 
ТО-220
 
n
p
30
31
 
IRF5305
ТО-220
КП741 (А,Б) ТО-220 n 50 IRFZ44 TO-220
КП723(А-В) ТО-220
n
50    
КП812(А1-В1) ТО-220 n 50    
2П7102Д ТО-220 n 50    
КП775(А-В) ТО-220 n 50    
КП742(А,Б)
ТО-218
n
n
n
p
80
80
82
74
SPB80N08
IRF1010
IRF2807
IRF4905
smd
ТО-220
ТО-220
ТО-220
    n 140
169
IRF3808
IRF1405
ТО-220
ТО-220
    n 210 IRFB3077 ТО-220
    n 350 IRFP4368 ТО-247
Полевые транзисторы на напряжение до 100-150В:
КП961В ТО-126 n 5    
КП965В ТО-126 p 5(6.8) IRF9520 ТО-220
КП743 (А1-В1) ТО-126 n 5.6    
КП743 (А-В) ТО-220 n 5.6 IRF510 ТО-220
КП801В ТО-3 n 8    
КП744 (А-Г) ТО-220 n 9.2 IRF520 TO-220
КП922 (А,Б) ТО-3 n 10 BUZ72 TO-220
КП745 (А-В) ТО-220 n 14 IRF530
ТО-220
КП785А ТО-220 p 19 IRF9540 ТО-220
2П7144А ТО-220 p 19    
КП954Б ТО-220 n 20    
2П912А ТО-3 n 20    
КП746(А-Г) ТО-220 n 28 IRF3315 ТО-220
2П797Г ТО-220 n 28
IRF540
ТО-220
КП769 (А-Г) ТО-220 n 28    
КП150 ТО-218 n 38(34) IRF540NS
BUZ22
smd
TO-220
КП771(А-Г) ТО-220 n 40(47) PHB45NQ10
IRF1310
smd
ТО-220
КП7128А,Б ТО-220 p 40 IRF5210 ТО-220
    n 57 STB40NF10
IRF3710
smd
ТО-220
    n 72 IRFP4710 ТО-247
    n 171 IRFP4568 ТО-247
    n 290 IRFP4468 ТО-247
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402А ТО-92 p 0.15 BSS92 TO-92
КП508А ТО-92 p 0.15    
КП501А ТО-126
n
0.18 BS107 TO-92
КП960В ТО-126 p 0.2    
КП959В ТО-126 n 0.2    
КП504В ТО-92 n 0.2 BS108 ТО-92
КП403А ТО-92 n 0.3    
КП932А ТО-220 n 0.3    
КП748 (А-В) ТО-220 n 3.3 IRF610 ТО-220
КП796В ТО-220 p 4.1 BUZ173 TO-220
КП961А ТО-126 n 5    
КП965А ТО-126 p 5    
КП749 (А-Г) ТО-220 n 5.2    
КП737 (А-В) ТО-220 n 9 IRF630 ТО-220
КП704 (А,Б) ТО-220 n 10    
КП750 (А-В) ТО-220 n 18 IRF640
IRFB17N20
TO-220
КП767 (А-В) ТО-220 n 18    
КП813А1,Б1 ТО-220 n 22 BUZ30A TO-220
КП250 ТО-218 n 30    
2П7145А,Б КТ-9 n 30    
КП7177 А,Б ТО-218 n 50    
    n 130 IRFP4668 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960А ТО-126 p 0.2    
КП959А ТО-126 n 0.2    
КП796Б ТО-220 p 3.7    
2П917А ТО-3 n 5    
КП768 ТО-220 n 10    
КП934Б ТО-3 n 10    
КП7178А ТО-218
ТО-3
n 40    
Полевые транзисторы на напряжение до 400В:
КП502А ТО-92 n 0.12    
КП511А,Б ТО-92 n 0.14    
КП733А ТО-220 n 1.5    
КП731 (А-В) ТО-220 n 2 IRF710 ТО-220
КП751 (А-В) ТО-220 n 3.3 BUZ76
IRF720
ТО-220
TO-220
КП931 В ТО-220 n 5 IRF734 ТО-220
КП768 ТО-220 n 5.5 IRF730 ТО-220
КП707А1 ТО-220 n 6    
КП809Б ТО-218
ТО-3
n 9.6    
КП934А ТО-3 n 10 IRF740 ТО-220
КП350 ТО-218 n 14 BUZ61 TO-220
2П926 А,Б ТО-3 n 16.5    
КП707А ТО-3 n 25    
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В) ТО-220 n 2.5 IRF820 ТО-220
КП770 ТО-220 n 8 IRF840 TO-220
КП809Б,Б1 ТО-218
ТО-3
n 9.6 2SK1162 ТО-3Р
КП450 ТО-218 n 12 IRFP450 TO-247
КП7182А ТО-218 n 20 IRFP460 ТО-247
КП460 ТО-218 n 20(23) IRFP360 TO-247
КП7180А,Б ТО-218
ТО-3
n 26(31) IRFP31N50 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:
КП7129А ТО-220 n 1.2 SPP02N60 TO-220
КП805 (А-В) ТО-220 n 4(3) SPP03N60 TO-220
КП709(А,Б) ТО-220 n 4 IRFBC30 ТО-220
КП707Б1 ТО-220 n 4 SPP04N60 ТО-220
КП7173А ТО-220 n 4    
КП726 (А,Б) smd
ТО-220
n 4.5    
КП931Б
 
ТО-220
 
n 5(6.2)
7
IRFBC40
SPP07N60
TO-220
TO-220
КП809В ТО-218
ТО-3
n 9.6 IRFB9N65A TO-220
2П942В ТО-3 n 10 SPP11N60 ТО-220
КП953Г ТО-218 n 15    
КП707Б ТО-3 n 16.5 SPP20N60 ТО-220
КП973Б ТО-218 n 30    
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1 ТО-220 n 3    
КП728 (Г1-С1) ТО-220 n 3.3    
КП810 (А-В) ТО-218 n 7    
КП809Е ТО-218
ТО-3
n 9.6    
2П942Б ТО-3 n 10    
КП707В ТО-3 n 12.5    
КП953В ТО-218 n 15    
КП973А ТО-218 n 30    
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
    n 1.5 BUZ78
IRFBE20
ТО-220
TO-220
КП931А ТО-220 n 5 IRFBE30 ТО-220
КП705Б,В ТО-3 n 5.4 SPP06N80 ТО-220
КП809Д ТО-218
ТО-3
n 9.6    
2П942А ТО-3 n 10    
КП7184А ТО-218 n 15 SPP17N80 ТО-220
КП953А,Б,Д ТО-218 n 15    
КП971Б ТО-218 n 25    
Полевые транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б   n 4.5(3.1) IRFBG30 TO-220
КП705А ТО-3 n 5.4(8) IRFPG50
2SK1120
TO-247
TO-218
КП971А ТО-218 n 25    

Транзисторы справочник онлайн | gnivc.bitballoon.com

Здесь можно скачать документацию в pdf на отечественные и импортные компоненты. На большинство элементов приведено подробное описание с графиками.

Каждому компоненту соответствует свой pdf- файл с описанием. Часть справочников создана сканированием, а что-то взято с сайтов производителей.

Краткое содержание справочников по электронике.

В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице.

Справочник smd транзисторов.

Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах.

Справочник транзисторов маломощных биполярных.

В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы.

Справочник отечественных транзисторов биполярных средней мощности.

В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117.

Справочник по отечественным мощным транзисторам.

В справочники по транзисторам кт. включена подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов (КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор — эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В pdf документации описана типичная область применения транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт. где используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока коллектора ( h31 э может изменяться на порядок), зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса. Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике выделены цветом. Их также можно найти по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500.

Справочник по импортным мощным транзисторам.

Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар.

Справочник по отечественным полевым транзисторам.

В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора.

Справочник по импортным полевым транзисторам.

В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045.

Справочник IGBT транзисторов.

В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов.

Справочник выпрямительных и высоковольтных диодов.

В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя.

Справочник импортных и отечественных диодов Шоттки.

В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей.

Справочник по радиолампам отечественным.

В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов.

Справочник тиристоров отечественных.

В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность.

Справочник стабилитронов отечественных.

В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы.

Отечественные постоянные резисторы. Справочник.

В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов. Калькулятор цветовой маркировки резисторов.

Отечественные переменные резисторы. Справочник.

Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх.

Справочник конденсаторов электролитических, керамических и металлопленочных.

В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики.

Отечественные операционные усилители. Справочник.

В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets . Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле.

Справочник стабилизаторов напряжения интегральных.

В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем.

КМОП цифровые микросхемы. Справочник.

В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы.

Справочник по ШИМ-контроллерам для источников питания.

Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания

Справочник по отечественным реле.

В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры.

Справочник по разъемам низкочастотным.

Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов.

Отечественные оптроны. Справочник.

В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки.

Справочник по светодиодам отечественным

В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов.

Импортные диодные мосты. Справочник.

В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии.

Справочник детских учреждений
Справочник профессий специалистов

Справочник полевые транзисторы

Справочник

Пары и сборки полевых транзисторов

2П101 — КПС203

 КП301 — КП312

 КП313 — 3П330

 3П331 — КП350

 3П351 — КП364

 КП501 — КП698

 КП150 — КП640 (транзисторы мощные)

 КП701 — КП730

 КП731 — КП771

 КП801 — КП840

 КП901 — 3П930

 КП931 — КП948

 КП951 — КП973

 

Цветовая маркировка полевых транзисторов

Цоколевка полевых транзисторов 1-12

КП101, КП314, КП333, КП102, КП103, КП308-9, КПС104, КП201,КПС202, КПС203, КП301, КП302, КП601, КП914, КП303, КП307, КП310, КП337, КП304

Цоколевка полевых транзисторов 13−24

КП305, КП306, КП350, КП312, КП341, КП313, КПС315, КП322, КП323-2, 2П335-2 , 3П324-2, 3П325-2, 3П343-2, 3П344-2, 3П320-2, 3П321-2, 3П326-2, 3П330-2, 3П331-2, 3П339-2, 3П605-2, 3П328-2…

Цоколевка полевых транзисторов 25−36

2П338-1, 3П345-2, 3П602-2, 3П910-2, 3П603-2, 3П604-2, 3П606-2, 3П608-2, 3П927-2,  2П103-9, КП346-9, 2П347-2, 2П601-9, 2П607-2, КП327, КП103-1

Цоколевка полевых транзисторов 37−48

КПС316, КП901, КП902, КП903, КП904, KP905, KP907, KP908, 2П909, 2П911, 2П913, КП705, КП801, КП802, КП912, КП921, КП926, КП934, КП937, 2П918, 2П923, 2П941, 3П915-2, 3П925-2, 2П920, 2П928, 3П930-2

Цоколевка полевых транзисторов 49−60

2П933, 2П701, 2П702, 2П703, 2П803, КП921, КП931, КП704, КП707-1, КП922-1, КП946, КП948, КП932, КП707, 504НТ1 — 504НТ4, КР504НТ1 — КР504НТ4, 2П706, КП150…

транзисторы китайские

 
        

радиоприемник на транзисторах

Транзистор (от

полевые транзисторы импортные справочник

англ.

мдп транзистор

transfer —

генератор на полевом транзисторе

переносить

транзистор цена

и

даташит транзисторы

resistance

подбор транзистора

изготовление транзисторов

сопротивление

диоды транзисторы

или

полевых транзисторов

transconductance

применение полевых транзисторов

включение полевых транзисторов

активная

транзисторы китайские

межэлектродная проводимость

простые схемы на транзисторах

и

типы транзисторов

varistor

радио транзистор

как прозванивать транзисторы

переменное

транзисторы микросхемы

сопротивление)

параметры транзисторов

— электронный

как проверить транзистор мультиметром

прибор

полевые транзисторы

из

транзистор 2т

полупроводникового материала,

применение полевого транзистора

обычно с

изготовление транзисторов

тремя

транзисторы справочник

выводами,

стабилизатор напряжения на транзисторе

позволяющий входным

усилитель на транзисторах

сигналам

полевые транзисторы справочник

управлять

расчет радиатора для транзистора

током

схема полевого транзистора

в

как сделать транзистор

электрической

3205 транзистор

цепи.

усилитель на транзисторах

Обычно

маркировка полевой транзистор

используется

блок питания на полевых транзисторах

для

маркировка smd транзисторов

усиления,

принцип работы полевых транзисторов

генерирования

ключ полевой транзистор

и преобразования

замена транзисторов

электрических

коллектор транзистора

сигналов.

транзисторы китайские


        

преобразователь напряжения на транзисторах

Управление

транзисторы большой мощности

током

n канальный транзистор

в

скачать транзисторы

выходной

транзистор pnp

цепи

как проверить транзистор мультиметром

осуществляется

полевой транзистор схема

за

подключение транзистора

счёт

стабилизатор напряжения на транзисторе

изменения

справочник зарубежных транзисторов скачать

входного напряжения

коммутатор транзистор

или тока.

устройства на полевых транзисторах

Небольшое

цветовая маркировка транзисторов

изменение

скачать транзисторы

входных

работа биполярного транзистора

величин

транзистор кт315

может приводить к

зарубежные транзисторы

существенно

вч транзисторы

большему

поиск транзисторов

изменению

стабилизатор тока на полевом транзисторе

выходного

производители транзисторов

напряжения

транзисторы микросхемы

и

транзисторы высоковольтные

тока. Это

замена транзисторов

усилительное

транзисторы справочник

свойство транзисторов

строчные транзисторы

используется

свч транзисторы

в

полевой транзистор принцип работы

аналоговой

транзистор москва

технике

315 транзистор

(аналоговые

работа биполярного транзистора

ТВ, радио, связь

полевой транзистор схема

и т.

планарные транзисторы

п.).

транзисторы китайские


        

купить транзисторы

В

транзистор 2т

настоящее время

как прозвонить транзистор

в аналоговой технике

транзисторы bu

доминируют

транзистор 2т

биполярные

цоколевка полевых транзисторов

транзисторы

транзистор 2т

(БТ)

усилитель на полевом транзисторе

(международный

режимы работы транзистора

термин

современные транзисторы

коллектор транзистора

BJT,

полевые транзисторы импортные справочник

bipolar

технические характеристики транзисторов

junction transistor).

транзистор кт

Другой

коммутатор транзистор

важнейшей

транзисторы справочник

отраслью

где купить транзисторы

электроники

315 транзистор

является

транзистор москва

цифровая

подключение транзистора

техника (логика, память,

малошумящие транзисторы

процессоры,

современные транзисторы

компьютеры,

транзистор 9014

цифровая

транзисторы справочник

связь

усилитель на полевом транзисторе

и

транзистор 9014

т.

аналоги импортных транзисторов

п.),

защита транзистора

где,

биполярный транзистор принцип работы

напротив, биполярные

p канальный транзистор

транзисторы

транзистор 3102

почти полностью

эмиттер транзистора

вытеснены

полевые транзисторы характеристики

полевыми.

транзисторы китайские


        

ножки транзистора

Вся

производство транзисторов

современная

маркировка полевой транзистор

цифровая техника построена, в

схема подключения транзистора

основном,

транзисторы большой мощности

на полевых

технические характеристики транзисторов

МОП

цветовая маркировка транзисторов

(металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ),

полевой транзистор управление

как

полевые транзисторы

более экономичных,

работа полевых транзисторов

по

стабилизатор напряжения на транзисторе

сравнению

реле на транзисторе

с

преобразователь на полевом транзисторе

БТ,

характеристики полевых транзисторов

элементах.

транзисторы китайские

Иногда

справочник аналогов транзисторов

их

bully транзисторы

называют

горит строчный транзистор

МДП

принцип транзистора

(металл-диэлектрик-полупроводник)-

продажа транзисторы

транзисторы.

рабочая точка транзистора

Международный термин

транзисторы philips

блок питания на полевом транзисторе

MOSFET

усилитель звука на транзисторах

(metal-oxide-semiconductor

скачать бесплатно справочник по транзисторам

field

маркировка транзисторов

effect

p канальный транзистор

transistor).

схемы генераторов на транзисторах

Транзисторы

маркировка импортных транзисторов

изготавливаются

таблица транзисторов

в

простой усилитель на транзисторах

рамках

справочник зарубежных транзисторов скачать

интегральной

биполярные транзисторы справочник

технологии

обозначение выводов транзистора

на

13003 транзистор

одном

свч транзисторы

кремниевом кристалле

работа биполярного транзистора

(чипе)

s8050 транзистор

и

таблица транзисторов

составляют

простой усилитель на транзисторах

элементарный «кирпичик» для

полевые транзисторы параметры

построения

транзисторы pdf

микросхем

транзистор это просто

логики,

генератор на транзисторе

памяти,

расчет радиатора для транзистора

процессора

схема ключа на транзисторе

и

выводы транзистора

т.

мдп транзистор

п.

реле на транзисторе

Размеры

умзч на транзисторах

современных МОПТ

1 транзистор

составляют

биполярный транзистор принцип работы

от

найти транзистор

90

работа полевого транзистора

до 32

типы транзисторов

нм[источник

3205 транзистор

не

где купить транзисторы

указан

транзистор это просто

134

применение полевых транзисторов

дня].

корпуса транзисторов

На

стабилизатор тока на полевом транзисторе

одном

транзистор затвор сток исток

современном

однопереходный транзистор

чипе

транзистор затвор сток исток

(обычно

даташит транзисторы

размером

подбор транзисторов по параметрам

1—2 см?)

маркировка полевой транзистор

размещаются

испытатель транзисторов

несколько

стабилизатор тока на полевом транзисторе

(пока

коллектор транзистора

единицы)

цоколевка импортных транзисторов

миллиардов

планарные транзисторы

МОПТ.

однопереходный транзистор

На

полевой транзистор справочник

протяжении

характеристики полевых транзисторов

60

таблица транзисторов

лет

цветовая маркировка транзисторов

происходит

принцип транзистора

уменьшение

унч на транзисторах

размеров

принцип действия транзистора

(миниатюризация) МОПТ и

как проверить полевые транзисторы

увеличение

изготовление транзисторов

их

полевые транзисторы параметры

количества

транзистор кт3102

на

цветовая маркировка транзисторов

одном

полевые транзисторы

чипе

металлоискатель на транзисторах

(степень

свч транзисторы

интеграции),

устройство транзистора

в

транзисторы philips

ближайшие

транзисторы резисторы

годы

составной транзистор

ожидается

радио транзистор

дальнейшее

мощные полевые транзисторы

увеличение степени интеграции

биполярные транзисторы справочник

транзисторов

транзисторы китайские

на

транзистор 2т

чипе

преобразователь напряжения на транзисторах

(см. Закон

6822 транзистор

Мура).

маркировка полевых транзисторов

Уменьшение

транзистор процессор

размеров МОПТ приводит

импульсный транзистор

также

полевые транзисторы параметры

к

транзистор светодиод

повышению быстродействия

транзистор d1555

процессоров.

транзисторы китайские


        

схема унч на транзисторах

Первые патенты

типы корпусов транзисторов

на

mosfet транзисторы

принцип работы

транзисторы резисторы

полевых транзисторов

составной транзистор

были

выводы транзистора

зарегистрированы

усилитель на полевом транзисторе

в Германии

стабилизатор напряжения на транзисторе

в 1928

диоды транзисторы

году

мосфет транзисторы

параметры биполярных транзисторов

Канаде,

полевой транзистор принцип работы

22 октября

транзистор светодиод

1925

зарубежные транзисторы и их аналоги

года)

транзистор 3102

на

цифровой транзистор

имя

маркировка smd транзисторов

австро-венгерского физика Юлия

работа полевых транзисторов

Эдгара

высокочастотные транзисторы

Лилиенфельда.[источник не

c945 транзистор

указан

проверка транзисторов

107

транзисторы тиристоры

дней] В

цифровой транзистор

1934

технические характеристики транзисторов

году

ключи на полевых транзисторах

немецкий физик

описание транзисторов

Оскар

пробой транзистора

Хейл

справочник зарубежных транзисторов скачать

запатентовал полевой

сгорает строчный транзистор

транзистор.

mosfet транзисторы

Полевые

стабилизатор тока на транзисторе

транзисторы

генераторы на полевых транзисторах

(в частности,

стабилизатор тока на транзисторе

МОП-транзисторы)

транзисторы irf

основаны

транзистор кт3102

на

транзистор полевой схема включения

простом

применение полевого транзистора

электростатическом

транзисторы tip

эффекте

производители транзисторов

поля, по

транзисторы tip

физике

транзистор с общим эмиттером

они

как работает транзистор

существенно

параметры полевых транзисторов

проще биполярных

взаимозаменяемость транзисторов

транзисторов,

как проверить полевой транзистор

и

регулятор на полевом транзисторе

поэтому

скачать бесплатно справочник по транзисторам

они

транзистор полевой схема включения

придуманы

чип транзисторы

и

применение полевых транзисторов

запатентованы

d209l транзистор

задолго

схемы включения полевых транзисторов

до

транзистор d2499

биполярных

справочник по зарубежным транзисторам

транзисторов.

включение биполярного транзистора

Тем

триггер на транзисторах

не менее,

усилительный каскад на транзисторе

первый

стабилизатор напряжения на транзисторе

МОП-транзистор,

полевой транзистор

составляющий

таблица транзисторов

основу

биполярный транзистор

современной

умзч на транзисторах

компьютерной

3205 транзистор

индустрии,

обозначение транзисторов

был

биполярный транзистор принцип работы

изготовлен позже биполярного

полевые транзисторы импортные справочник

транзистора,

импульсный транзистор

в

коды транзисторов

1960

коллектор транзистора

году.

стабилизатор на полевом транзисторе

Только в

тесла на транзисторах

90-х годах XX

транзистор москва

века МОП-технология

цоколевка полевого транзистора

стала доминировать

маркировка импортных транзисторов

над

использование транзисторов

биполярной.

транзисторы китайские

транзисторы китайские

Импортные транзисторы справочник — teehohhew.bloomingtonradio.org

Импортные транзисторы справочник — teehohhew.bloomingtonradio.org

Импортные транзисторы справочник

© 2011-2018 г. Магнитогорск, Мусин Марат При использовании материалов сайта на других ресурсах. Справочник по импортным биполярным транзисторам. Интернет магазин Dalincom предлагает большой ассортимент транзисторов. Низкие цены. Скидки ! Оптом и в розницу. Отправка почтой в любой город России. 16 авг 2012 Основные характеристики импортных транзисторов. Для просмотра распакуйте архив и запустите файл itranz.html. Размер архива. Справочные материалы.Транзисторы,микросхемы,диоды,резисторы,конденсаторы,smd-корпуса. 2 апр 2013 Маркировка полевых SMD транзисторов · Маркировка биполярных SMD транзисторов · Импортные транзисторы. Справочник. В этой рубрике вы можете найти справочные данные по радиоэлектронным компонентам. Книги вошедшие в справочник по импортным транзисторам: Маркировка SMD компонентов. «Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги». Цоколевка отечественных биполярных транзисторов Цветовая и кодовая маркировка полевых. библиотека. Справочники по микросхемам и транзисторам зарубежного производства. Функциональный состав, пульты, шасси, эквиваленты импортных телевизоров Справочник Зарубежные микросхемы и транзисторы. Транзисторы серии c945 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор c945o имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, c945y — в диапазоне от 120 до 240, c945gr — в диапазоне от 200 до 400, c945bl — в диапазоне Справочник по импортным транзисторам. (основные параметры). Транзисторы биполярные типа 2SA. проводимости p-n-p: Страница 1 — 2SA12. Патроны для предохранителей ПТ и ПН и ПЭН и ПЭ и ПКБ и ПЖ и К и ИО и ИОР и ИОС и ИОСК 3-35кВ. каталог№3 биполярных импортных транзисторов(. Транзисторы импортные. Книги вошедшие в справочник по импортным транзисторам:. На данном информационном сайте представлена самая полная информация по радиодеталям с содержанием драгоценных металлов и покупаемых на лом в скупке. Включая фото радиодеталей, реальные рыночные, а не завышенные. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные. Покупка радиодеталей, куплю радиодетали. Справочник. Справочник содержания драгоценных металлов в различных приборах (золото, серебро, платина, палладий). 24 дек 2017 В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности. В таблице. Работоспособность сайта проверена в браузерах: IE8.0, Opera 9.0, Netscape Navigator 7.0, Mozilla Firefox. 2011-2018 г. Магнитогорск, Мусин Марат При использовании материалов сайта на других ресурсах. Интернет магазин Dalincom предлагает большой ассортимент транзисторов. Низкие цены. Скидки. Справочные материалы.Транзисторы,микросхемы,диоды,резисторы,конденсаторы,smd-корпуса. Транзисторы серии c945 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор c945o. На данном информационном сайте представлена самая полная информация по радиодеталям. Покупка радиодеталей, куплю радиодетали. Справочник Справочник содержания драгоценных. Усилитель с hi-end качеством звучания. Автор: Сергей Кузьменко Опубликовано 17.04.2012. Если вы заподозрили, что кто-то подобрал ключи к вашей квартире и у вас иногда стали. Наименование: Аналог: PDF: Тип: Imax, A: Umax, В: h31e max: Краткое описание транзисторов, вошедших. Читать все новости Иногда в радиолюбительском деле нужен генератор с изменяемым. Рассмотрены схемы приемников КВ, УКВ, ФМ диапазона, и несколько простых схем приемника Бесплатные книги, журналы, схемы, сервис-мануалы, справочники, руководства пользователя.

Links to Important Stuff

Links

  • Справочник — RadioLibrary.
  • Транзисторы купить оптом и в розницу.
  • Справочник Электрические схемы.
  • Справочные материалы.
  • Отечественные транзисторы Электрические схемы.
  • C945 транзистор характеристики, аналоги, datasheet.
  • Интернет-магазин электроинструмента.
  • Скупка радиодеталей. Покупаем радиодетали по высоким.
  • Покупка радиодеталей, куплю радиодетали. Справочник.
  • РадиоКот :: Усилитель с HI-END качеством звучания.

© Untitled. All rights reserved.

Справочник транзисторов основные параметры. Справочники электронных компонентов

Для радиолюбителей, скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD компонентам отечественного и импортного производства.

Справочник «микросхемы современных телевизоров». В этом справочном пособии собраны данные о наиболее распространенных интегральных микросхемах, которые применяются в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных фирм-производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,29Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «микросхемы для современных мониторов». Данная книга является справочным пособием по микросхемам для современных LCD и CRT мониторов. В ней приведена исчерпывающая информация о 150 микросхемах ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов.

Формат книги DjView. Размер архива – 5,77Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры». В этом справочнике представлена полная информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов!

Формат книги DjView. Размер архива – 16,4Mb СКАЧАТЬ

Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD компонентам. Книга 1 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от A до R . Приводятся характеристики, цоколевка, аналоги и производители компонентов.

Размер файла – 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 2 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z .

Размер файла – 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 3 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9 .

Размер файла – 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник по активным SMD компонентам. Приводятся SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена.

Размер архива — 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.

Формат книги DjView. Размер архива – 6,19Mb СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 2. Во втором томе справочника приводится информация по низкочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.

Формат книги DjView. Размер архива – 5,62Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе приводится справочная информация по полевым и высокочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.

Формат книги DjView. Размер архива – 6,28Mb . СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей» том 1. В книге приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD). Приведены рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.

Формат книги DjView. Размер архива – 8Mb СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, установочных и коммутационных изделий и много другой полезной информации.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,95Mb СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей». В книге описана система маркировки отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индуктивностей, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем. Описаны особенности тестирования электронных компонентов.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,60Mb СКАЧАТЬ

Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. В книге на Русском языке приводятся структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, применяемых в европейских и восточно-азиатских цветных телевизорах. Описание каждого прибора сопровождается функциональными диаграммами и характеристиками.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 16Mb СКАЧАТЬ

Справочник по микросхемам для аудио и радиоаппаратуры: генераторы, ключи и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами. В книге представлены основные особенности, цоколевки, структурные схемы и типовые схемы применения свыше 300 типов микросхем для аудиотехники.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 10,7Mb СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам для промышленной электронной аппаратуры. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,68Mb СКАЧАТЬ

Лучший в Европе справочник по УНЧ . В нем обобщены и систематизированы сведения о большинстве ИМС УНЧ в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены наиболее важные характеристики микросхем, типы корпусов, цоколевка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение .

Формат книги DjWiev. Размер архива – 19,9Mb СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам для телевидения. В книге дан обзор интегральных микросхем, применяемых в современных телевизионных приемниках, видео- и аудиотехнике. Приведены основные параметры и характеристики микросхем, блок-схемы внутренней структуры и типовые схемы их включения.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,30Mb СКАЧАТЬ

24
янв
2014

Год выпуска: 2014
Жанр: Справочник
Разработчик: LordGray
Сайт разработчика: http://rc-db.ru
Язык интерфейса: Русский + Английский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows XP, 7
Системные требования: 70 Мб ОЗУ, 11 Гб на диске
Описание: Электронный справочник со следующими характеристиками:

Биполярные транзисторы: 13541 шт
Полевые транзисторы: 35661 шт
IGBT: 2893 шт
Диоды: 17330 шт
Стабилитроны: 52 шт

В нем 38554 спецификации (datasheets), 131 производитель, 12909 моделей проверены.
В программе есть сортировка, фильтрация, редактирование и ввод новых моделей, обновление по интернету и из файла. Обновления базы выходят каждое воскресение, вечером.

18
июл
2018

Сергей , г. Екатеринбург

|

18-07-2018 09:16:09

03
янв
2010

Электронный восточный гороскоп гороскоп по 2031 год Rus 2.0

Год выпуска: 2009
Жанр: гороскоп
Разработчик: dekan
Сайт разработчика: www.dekan.ru
Язык интерфейса: Русский
Платформа: Windows: XP , 2003 , Vista , 2008 , 7
Системные требования:
Оперативная память: 128 Мб
Видеокарта: 32 Мб
Описание: Электронный гороскоп по 2031 год Rus Если вы любите гороскопы и хотите гороскоп на ближайшие дни или узнать о характере человека то Электронный гороскоп поможет Вам приоткрыть эти тайны! В наши дни практически каждый человек просматривает астрологические прогнозы, чтобы сверить свою жизнь с ритмами планет. Влияние планет на человека настолько велико, что лю…

23
янв
2014

Год выпуска: 2013
Жанр: охрана труда
Разработчик: Форум Медиа
Сайт разработчика: http://www.forum-media.ru
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows (XP)
Системные требования: офисная конфигурация компьютера
Описание: В обязанности инженера по охране труда входит подготовка огромного количества разнообразных документов. Наличие и правильность составления документов гарантируют, что ваша организация будет готова к проверкам контролирующих органов, избежит штрафов и других санкций. Электронный набор документов на компакт-диске поможет вам ор…

29
сен
2010

Xrumer 3.0.165.347, 4.0.165.410, 5.0.0.747

Год выпуска: 2010
Жанр: Массовая рассылка
Разработчик: Botmaster Labs
Сайт разработчика: http://www.botmasterru.com
Язык интерфейса: Русский + Англиский
Платформа: Windows 2000, XP, XP x64, Vista, Vista x64, 7, 7 x64
Системные требования: Intel or AMD Cpu 800Mhz или выше RAM 512Mb или больше Свободного места на диске ~210Mb Файлы в комплекте: Xrumer 3, 4, 5 База форумов 1500000 Denwer 3.0 Файлы необходимые для сервера(папка botmaster.ru)
Описание: XRumer — программа, в автоматическом режиме размещающая Ваши обьявления на форумах, гостевых книгах, досках обьявлений и каталогах ссылок (а так…

24
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 21.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер

Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit

29
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 28.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер
Разработчик: http://www.kmplayer.com/
Сайт разработчика: The KMPlayer
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Описание: The KMPlayer — это универсальный проигрыватель, который способен проигрывать практически любые форматы медиафайлов, например: VCD, DVD, AVI, MKV, Ogg Theora, OGM, 3GP, MPEG-1/2/4, WMV, RealMedia, QuickTime и другие. Также программа понимает cубтитры на DVD дисках и способна записывать звук, видео или картинки из любой части проигрываем…

03
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 02.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер
Разработчик: http://www.kmplayer.com/
Сайт разработчика: The KMPlayer
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Системные требования: — 50 МБ свободного дискового пространства
Описание: The KMPlayer — это универсальный проигрыватель, который способен проигрывать практически любые форматы медиафайлов, например: VCD, DVD, AVI, MKV, Ogg Theora, OGM, 3GP, MPEG-1/2/4, WMV, RealMedia, QuickTime и другие. Также программа понимает cубтитры на DVD дисках и способн…

24
янв
2018

Acronis Disk Director 11 Home 11.0.2343 Update 2 (Официальная русская версия) 11.0

Год выпуска: 2013
Жанр: Работа с жёстким диском
Разработчик: Acronis International GmbH
Сайт разработчика: acronis.ru
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows (2000), Windows (XP), Windows (2003), Windows (Vista), Windows (2008), Windows (7), Windows (8), Windows (10)
Системные требования:
Загрузочный модуль: На основе BIOS*
Основной процессор: Современный процессор с тактовой частотой не менее 800 МГц
Оперативная память: 256 Мбайт
Разрешение экрана: 800×600 пикселей Место для установки: 150 Мбайт
Другое: Мышь * Не поддерживаются машины…

30
янв
2010

ScrenSaver девушки моют ваш монитор 3.4.0.0

Год выпуска: 2010
Жанр: Скринсейвер
Количество файлов: 1
Разработчик: sergunas
Сайт разработчика: http://sergunas.ru/
Язык интерфейса: Только английский
Платформа: Windows/Vista
Системные требования:
Операционная система: Windows 2000/XP/2003/Vista
Процессор: Pentium
Память: 128МБ
Видеокарта: 16 бит Свободное место на
ЖД: 126 мб
Таблэтка: Присутствует
Описание: Интересный скринсейвер. Безумно сексуальные и влекущие, полураздетые девушки моют ваш монитор. Девушка-блондинка очень тщательно вымоет экран монитора с обратной стороны. И мыть она его будет очень эротично, отчасти собой. Оригинальная…

10
авг
2013

Freemake Video Converter 4.0.3.0

Год выпуска: 2013
Жанр: Видео конвертер
Разработчик: Ellora Assets Corporation
Сайт разработчика: http://www.freemake.com/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7, 8
Системные требования: Microsoft .NET Framework 4
Описание: Freemake Video Converter — это бесплатный видео конвертер для Microsoft Windows с предустановленным.NET Framework, разработанный «Ellora Assets Corporation». Утилита предназначена для конвертирования видео, прожига и риппинга DVD, прожига Blu-ray, создания слайд-шоу фотог…

31
мая
2011

Электронный словарь Ожегова и Шведовой 2.00 Portable

Год выпуска: 2009
Жанр: Словарь
Разработчик: Kertvin
Сайт разработчика: http://www.inetio.org/otherdic.html
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Portable
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows 95, 98, Me, 2000, XP, 2003, Vista, 2008, 7
Описание: Толковый словарь русского языка С. И. Ожегова и Н. Ю. Шведовой. Однотомный толковый словарь русского языка содержит 80000 слов и фразеологических выражений. Слова и фразеологизмы, заключенные в словаре, относятся к общелитературной лексике, а также к взаимодействующим с ней специальным сферам языка; в словаре широко представлена также про…

24
мар
2011

NetLimiter Pro 3.0.0.11 32-bit/64-bit

Год выпуска: 2011
Жанр: Управление трафиком
Разработчик: Locktime Software s.r.o.
Сайт разработчика: http://netlimiter.com
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Платформа: Windows XP, ХР х64, Vista, Vista х64, 7, 7 х64
Системные требования: Интернет соединение
Описание: NetLimiter Pro — программа, решающая проблему контроля сетевого трафика. NetLimiter следит за деятельностью каждого приложения, использующего доступ к Интернету, а также активно управляет трафиком, контролируя скорость потока данных. Вы можете самостоятельно настроить скорость загрузки и отправки информации для…

03
фев
2010

Год выпуска: 2009
Жанр: Запись дисков
Разработчик: Nero AG
Сайт разработчика: http://www.nero.com/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Платформа: Windows XP, Vista, 7
Описание: Nero 9 — это набор программного обеспечения цифрового мультимедиа и домашнего центра развлечений следующего поколения, которое пользуется наибольшим доверием в мире. Его характеризует передовая функциональность, благодаря которой наслаждаться цифровым мультимедиа так просто. Этот простой в использовании, но мощный набор мультимедиа дает вам свободу создавать, считывать, копировать, записывать, редактир…

19
авг
2013

HTMLPad 11.4.0.133

Год выпуска: 2011
Жанр: Редактор веб-страниц
Разработчик: Blumentals Solutions SIA
Сайт разработчика: http://www.blumentals.net/ru/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Описание: HTMLPad — функциональный и одновременно компактный веб-редактор, имеющий удобную панель инструментов для быстрого форматирования текста, создания форм, таблиц, вставки тэгов, причем не только HTML, но также JavaScript, ASP и SSI. Основные возможности программыСамый полный редактор HTML и XHTML на сегодня Расширенный…

20
авг
2015

Highscreen Zera_S (rev.a) 4.4.2 V1.0.2.2014.12.11

Год выпуска: 2014
Жанр: Прошивка
Разработчик: Highscreen
Сайт разработчика: http://highscreen.ru/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Платформа: Android
Системные требования: 1 ГБ внутренний памяти, 1 ГБ оперативной памяти
Описание: Обновлённая версия прошивки для Highscreen Zera_S (rev.a) Установка прошивки1. Скачайте утилиту для прошивки https://yadi.sk/d/Dim7kjZePPcie 2. Скачайте и установите драйвер PreLoader USB VCOM Driver https://yadi.sk/d/ZLbie_WQPPcxE 3. Запустите SP Flash Tool, в поле Scatter-loading выберите файл MT6582_Android_scatter.txt, который находится в па…

Подборка справочных данных на отечественные биполярные транзисторы малой, средней и большой мощности. В основном производства советского союза

Полупроводниковые приборы малой мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе до 0,3 Вт . (Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделяемая на коллекторном переходе полупроводника) Отвод тепла от коллекторного перехода к корпусу у них происходит вдоль тонкой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. Рассчитываются для работы без специальных теплоотводящих устройств (радиаторов).Все внешние выводы расположены по диаметру донышка и в обычно средний вывод является базовым, а эмиттерный расположен чкть ближе к базовому, чем коллекторный.

К этим полупроводникам относят приборы с рассеиваемой мощностью в интервале от 0,3 до 1,5 Вт

Для транзисторов большой мощности рассеиваемая мощность превышает 1,5 Вт.

Типы корпусов зарубежных и отечественных транзисторов

Корпус — это основная и самая габаритная часть конструкции абсолютно любого транзистора, выполняющая защитную функцию от внешних воздействий и используемая также для соединения с внешними схемами с помощью металлических выводов. Типы корпусов зарубежных транзисторов стандартизованы для простоты процесса изготовления и применения изделий в радиолюбительской практике. Число типовых транзисторов в настоящее время исчисляется сотнями.


Каждый полупроводниковый прибор, в том числе и транзистор, имеет свое уникальное обозначение, по которой можно его идентифицировать из кучи других радиокомпонентов и деталей.

Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является монокристалл полупроводника типа п или р, в котором с помощью примесей созданы три области с электронной и дырочной электропроводимостью, разделенные двумя p-n переходами (смотри рисунок в верхней части страницы). Если средняя область имеет электронную проводимость типа п, а две крайние дырочную типа р, то такой транзистор имеет структуру р-п-р в отличие от транзисторов п-р-п, имеющих среднюю область с дырочной, а крайние области с электронной проводимостями.

Средняя область 1 кристалла полупроводника с n-проводимостью называется базой. Одна крайняя область 2 с р-проводимостью, инжектирующая (эмиттирующая) неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, осуществляющая экстракцию (выведение) носителей заряда из базы, — коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным 4 и коллекторным 5 р-п-переходами. От базы 1, эмиттера 2 и коллектора 3 сделаны металлические выводы (Б, Э, К), которые проходят через изоляторы в дне корпуса.

Транзисторы изготовляют в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, а также без корпусов. Бескорпусные транзисторы защищены от влияния внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизируются совместно с устройством, в котором они предварительно монтируются. настоящее время большинство транзисторов, в том числе транзисторы интегральных схем, выполняют на основе кремния с плоскостным типом перехода. Применение точечных переходов из-за нестабильности работы ограничено. Базовая область транзисторов выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 25 мкм). Различна степень легирования областей. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора.

В рабочем режиме к электродам транзисторов подключают постоянные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений, к электродам подводят сигналы, подлежащие преобразованию. В связи с этим различают входную цепь, в которую подводят сигнал, и выходную, в которой с нагрузки снимают сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК. В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной — цепь коллектора. В схеме с ОЭ входной является цепь базы, а выходной- цепь коллектора. В схеме с ОК входной является цепь базы, а выходной — цепь эмиттера.


Физические процессы, протекающие в транзисторах со структурой р-п-р и п-р-п, одинаковы. В транзисторах п-р-п в отличие от транзисторов р-п-р подается напряжение обратной полярности и токи имеют противоположное направление.

В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различают активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы включения транзистора.

Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается прямое, а на коллекторный- обратное напряжение. В активном режиме эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию (выведение) неосновных носителей из базовой области.

В режиме отсечки к обоим переходам подводятся обратные напряжения, при которых ток через транзистор ничтожно мал. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в обоих переходах происходит инжекция носителей; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт.

В режимах отсечки и насыщения обычно используется транзистор в схемах электронных переключателей. В инверсном режиме меняют функции эмиттера и коллектора, подключив к коллекторному переходу прямое, а к эмиттерному—обратное напряжение. Однако из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в областях коллектора и эмиттера инверсное включение транзистора неравноценно его нормальному включению в активном режиме.

  • 20.09.2014

    Общие сведения об электропроводках Электропроводкой называется совокупность проводов и кабелей с относящимися к ним креплениями, поддерживающими и защитными конструкциями. Скрытая электропроводка имеет ряд преимуществ перед открытой: она более безопасна и долговечна, защищена от механических повреждений, гигиенична, не загромождает стен и потолков. Но она дороже, и ее труднее заменить при необходимости. …

  • 27.09.2014

    На основе К174УН7 можно собрать не сложный генератор с 3 под диапазонами: 20…200, 200…2000 и 2000…20000Гц. ПОС определяет частоту генерируемых колебаний, она построена на элементах R1-R4 и С1-С6. Цепь отрицательной ОС уменьшающая нелинейные искажения сигнала и стабилизирующая его амплитуду образована резистором R6 и лампой накаливания Н1. При указных номиналах схемы …

  • 23.09.2014

    Назначение: на основе предложенной схемы можно собрать уст-во которое будет считать прохожих, включать свет при проходе через дверь, охранную сигнализацию и тому подобное. Излучатель ИК VD4 на АЛ147А (он установлен в пультах ДУ ТВ типа 4-УСЦТ) излучает сигнал промодулированный импульсами 1000Гц. Генератор — источник импульсов выполнен на VT2 VT3. Частота …

  • 05.10.2014

    Источник вырабатывает двух полярное напряжение от 5 до 17В при токе нагрузке до 20А, при этом уровень пульсации 1 В при 17В установленном напряжении и токе на нагрузке 20А. Напряжение с трансформатора поступает на однополупериодные выпрямители на VD1-VD3 и С1-С3. Параллельное включение 3-х диодов необходимо для уменьшения рассеивающей мощности. Конденсаторы …

  • 27.01.2017

    KA78RXXC — линейка стабилизаторов с выходными напряжениями 3,3В, 5В, 9В, 12В и 15В и выходным током до 1 А. Стабилизаторы имеют малое падение напряжения 0,5 В и функцию отключения. Технические характеристики: Выходное напряжение (мин. / номин. / макс.): KA78R33C — 3.22 / 3.3 / 3.38 В KA78R05C — 4.88 / …

Facebook

Twitter

Вконтакте

Одноклассники

Google+

Справочник транзисторов основные параметры и характеристики. Справочники электронных компонентов

Справочник содержит Техническую документацию в формате.PDF на более чем 3500 типов микросхем памяти. Вся техническая документация на микросхемы памяти отсортирована по фирмам производителям микросхем памяти. Каждый файл можно скачать отдельно. Скачать файл содержания всех архивов 86 КБ, формат.xls Фирмы производители: ALLIANCE — размер файла 16 МБ. AMD — размер файла 15 МБ. ATMEL — размер файла 30 МБ. CATALYST — размер файла 2, 8 МБ. CROSSLINK — размер файла 5, 3 МБ. CYPRESS — размер файла 44 МБ.

Приведены технические характеристики действующего и нового электрооборудования: трансформаторов, электродвигателей, коммутационных аппаратов, кабельных и воздушных линий и т. д. Даны сведения по электрическим измерениям, электротехническим материалам, режимам нейтрали, нормам качества электроэнергии, осветительным устройствам и т. д. Книга предназначена для инженеров, техников и мастеров, работающих по эксплуатации систем электроснабжения как в промышленности, так и в сельском хозяйстве.

В первом томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов — выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков модулей и матриц. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей.

Данная книга посвящена маркировке микросхем, тиристоров, приборов индикации, звуковой сигнализации, коммутации и защиты электрических цепей. Помимо сведений по маркировке приведены типовые схемы включения, установочные размеры, логотипы и буквенные сокращения при маркировке микросхем ведущих зарубежных производителей. Представлена полезная информация, которая в целом поможет определить тип и назначение элемента, подобрать ему замену с учетом площади, определенной ему на плате. Книга предназначена для специалистов по ремонту радиоэлектронной аппаратуры, а также широкого круга радиолюбителей.

При практической работе, связанной в первую очередь с ремонтом электронной техники, возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение выводов, принять решение о прямой замене или использовании аналога. В большинстве существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпонентов (транзисторы, диоды и т. д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением к таким книгам служит данное справочное пособие. Представляемая читателю книга по маркировке электронных компонентов содержит в отличие от издававшихся ранее подобных изданий, больший объем информации.

В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики зарубежных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные размеры корпусов указаны в российском стандарте, с указанием допусков по данным фирм изготовителей. В справочнике имеются также зарубежные аналоги транзисторов (причем помещены также аналоги приборов снятых с производства) и перечень фирм изготовителей. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов приборов, по которому читатель с невероятной легкостью найдет необходимый ему прибор.

Во втором томе справочного издания приводятся данные по элект рическим параметрам габаритным размерам, предельным эксплуата ционным характеристикам сведения по основному функциональному назначению отечественных силовых тиристоров Приводятся динами-ческие импульсные частотные температурные зависимости парамет ров а также описываются особенности применения тиристоров в ра диоэлектронной аппаратуре Для инженерно-технических рабогникои занимающихся разработ кой эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры Год выпуска: 2002

Приведены данные по зарубежным аналогам микросхем со ветского производства применяемым в бытовой радиоаппара туре, включая конструктивное исполнение и функциональное назначение. Содержит информацию по более чем 600 наиме нований микросхем. Для специалистов по ремонту импортной бытовой радиоап паратуры, а также широкого круга радиолюбителей. Год выпуска: 1992 Автор: Пирогов Е.В. Жанр: Справочник Издательство: М.: БИАР Формат: DjVu Размер: 1, 4 МБ Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 48 Скачать книгу >>> Отечественные аналоги зарубежных микросхем для бытовои радиоаппара туры: Справочник Программа для чтения книги: DjVuReader СОДЕРЖАНИЕ Предисловие Фирменные знаки и сокращенные обозначен фирм изготовителей микросхем 1.

В справочнике содержится подробная информация по современным логическим ИС; быстродействующим маломощным ТТЛШ микросхемам серии КР1533 и быстродействующим КМОП микросхемам серии КР1554 Серия КР1533 Маломощные быстродействующие цифровые интегральные микросхемы серии KPJ53S предназначены для орга низации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации, вре менного и электрического согласования сигналов в вычислительных системах. Микросхемы серии КР1533 по сравне нию с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минималь ным значением произведения быстро действия на рассеиваемую мощность.

Цель издания настоящего справочника из серии «Ин тегральные микросхемы» — предоставить разработчи кам и техническим специалистам наиболее полную ин формацию по всему спектру микросхем АЦП и ЦАП, уст ройств выборки и хранения (УВХ), систем сбора данных, а также преобразователей напряжение — частота (ПНЧ) и частота — напряжение (ПЧН). По сравнению с первым выпуском справочника «Мик росхемы для аналого-цифрового преобразования и средств мультимедиа», вышедшим в 1996 году, в котором были представлены микросхемы АЦП серий 572 и 1175, а также их аналоги, настоящее издание существенно рас ширено.

Подборка справочных данных на отечественные биполярные транзисторы малой, средней и большой мощности. В основном производства советского союза

Полупроводниковые приборы малой мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе до 0,3 Вт . (Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделяемая на коллекторном переходе полупроводника) Отвод тепла от коллекторного перехода к корпусу у них происходит вдоль тонкой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. Рассчитываются для работы без специальных теплоотводящих устройств (радиаторов).Все внешние выводы расположены по диаметру донышка и в обычно средний вывод является базовым, а эмиттерный расположен чкть ближе к базовому, чем коллекторный.

К этим полупроводникам относят приборы с рассеиваемой мощностью в интервале от 0,3 до 1,5 Вт

Для транзисторов большой мощности рассеиваемая мощность превышает 1,5 Вт.

Типы корпусов зарубежных и отечественных транзисторов

Корпус — это основная и самая габаритная часть конструкции абсолютно любого транзистора, выполняющая защитную функцию от внешних воздействий и используемая также для соединения с внешними схемами с помощью металлических выводов. Типы корпусов зарубежных транзисторов стандартизованы для простоты процесса изготовления и применения изделий в радиолюбительской практике. Число типовых транзисторов в настоящее время исчисляется сотнями.


Каждый полупроводниковый прибор, в том числе и транзистор, имеет свое уникальное обозначение, по которой можно его идентифицировать из кучи других радиокомпонентов и деталей.

Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является монокристалл полупроводника типа п или р, в котором с помощью примесей созданы три области с электронной и дырочной электропроводимостью, разделенные двумя p-n переходами (смотри рисунок в верхней части страницы). Если средняя область имеет электронную проводимость типа п, а две крайние дырочную типа р, то такой транзистор имеет структуру р-п-р в отличие от транзисторов п-р-п, имеющих среднюю область с дырочной, а крайние области с электронной проводимостями.

Средняя область 1 кристалла полупроводника с n-проводимостью называется базой. Одна крайняя область 2 с р-проводимостью, инжектирующая (эмиттирующая) неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, осуществляющая экстракцию (выведение) носителей заряда из базы, — коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным 4 и коллекторным 5 р-п-переходами. От базы 1, эмиттера 2 и коллектора 3 сделаны металлические выводы (Б, Э, К), которые проходят через изоляторы в дне корпуса.

Транзисторы изготовляют в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, а также без корпусов. Бескорпусные транзисторы защищены от влияния внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизируются совместно с устройством, в котором они предварительно монтируются. настоящее время большинство транзисторов, в том числе транзисторы интегральных схем, выполняют на основе кремния с плоскостным типом перехода. Применение точечных переходов из-за нестабильности работы ограничено. Базовая область транзисторов выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 25 мкм). Различна степень легирования областей. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора.

В рабочем режиме к электродам транзисторов подключают постоянные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений, к электродам подводят сигналы, подлежащие преобразованию. В связи с этим различают входную цепь, в которую подводят сигнал, и выходную, в которой с нагрузки снимают сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК. В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной — цепь коллектора. В схеме с ОЭ входной является цепь базы, а выходной- цепь коллектора. В схеме с ОК входной является цепь базы, а выходной — цепь эмиттера.


Физические процессы, протекающие в транзисторах со структурой р-п-р и п-р-п, одинаковы. В транзисторах п-р-п в отличие от транзисторов р-п-р подается напряжение обратной полярности и токи имеют противоположное направление.

В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различают активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы включения транзистора.

Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается прямое, а на коллекторный- обратное напряжение. В активном режиме эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию (выведение) неосновных носителей из базовой области.

В режиме отсечки к обоим переходам подводятся обратные напряжения, при которых ток через транзистор ничтожно мал. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в обоих переходах происходит инжекция носителей; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт.

В режимах отсечки и насыщения обычно используется транзистор в схемах электронных переключателей. В инверсном режиме меняют функции эмиттера и коллектора, подключив к коллекторному переходу прямое, а к эмиттерному—обратное напряжение. Однако из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в областях коллектора и эмиттера инверсное включение транзистора неравноценно его нормальному включению в активном режиме.

Для радиолюбителей, скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD компонентам отечественного и импортного производства.

Справочник «микросхемы современных телевизоров». В этом справочном пособии собраны данные о наиболее распространенных интегральных микросхемах, которые применяются в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных фирм-производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,29Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «микросхемы для современных мониторов». Данная книга является справочным пособием по микросхемам для современных LCD и CRT мониторов. В ней приведена исчерпывающая информация о 150 микросхемах ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов.

Формат книги DjView. Размер архива – 5,77Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры». В этом справочнике представлена полная информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов!

Формат книги DjView. Размер архива – 16,4Mb СКАЧАТЬ

Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD компонентам. Книга 1 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от A до R . Приводятся характеристики, цоколевка, аналоги и производители компонентов.

Размер файла – 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 2 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z .

Размер файла – 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 3 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9 .

Размер файла – 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник по активным SMD компонентам. Приводятся SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена.

Размер архива — 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.

Формат книги DjView. Размер архива – 6,19Mb СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 2. Во втором томе справочника приводится информация по низкочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.

Формат книги DjView. Размер архива – 5,62Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе приводится справочная информация по полевым и высокочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.

Формат книги DjView. Размер архива – 6,28Mb . СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей» том 1. В книге приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD). Приведены рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.

Формат книги DjView. Размер архива – 8Mb СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, установочных и коммутационных изделий и много другой полезной информации.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,95Mb СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей». В книге описана система маркировки отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индуктивностей, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем. Описаны особенности тестирования электронных компонентов.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,60Mb СКАЧАТЬ

Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. В книге на Русском языке приводятся структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, применяемых в европейских и восточно-азиатских цветных телевизорах. Описание каждого прибора сопровождается функциональными диаграммами и характеристиками.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 16Mb СКАЧАТЬ

Справочник по микросхемам для аудио и радиоаппаратуры: генераторы, ключи и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами. В книге представлены основные особенности, цоколевки, структурные схемы и типовые схемы применения свыше 300 типов микросхем для аудиотехники.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 10,7Mb СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам для промышленной электронной аппаратуры. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,68Mb СКАЧАТЬ

Лучший в Европе справочник по УНЧ . В нем обобщены и систематизированы сведения о большинстве ИМС УНЧ в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены наиболее важные характеристики микросхем, типы корпусов, цоколевка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение .

Формат книги DjWiev. Размер архива – 19,9Mb СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам для телевидения. В книге дан обзор интегральных микросхем, применяемых в современных телевизионных приемниках, видео- и аудиотехнике. Приведены основные параметры и характеристики микросхем, блок-схемы внутренней структуры и типовые схемы их включения.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,30Mb СКАЧАТЬ

Справочные данные биполярных транзисторов

От составителя

Настоящий справочник является попыткой совместить в одном издании полноту охвата приборов, компактность представления информации, а также удобство ее использования.

Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей.

В справочнике представлены основные электрические параметры биполярных транзисторов. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, а также типовая область применения биполярных транзисторов. Описанный подход позволил создать компактный, удобный и недорогой справочник, который принесет практическую пользу его владельцу.

В справочнике собраны параметры биполярных транзисторов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.
Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.

Как появился этот справочник? В середине 70-х годов, составитель справочника столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.

1. Большая избыточность:

А) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;
б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;
в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.

2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.

3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по таким критериям как мощность рассеивания, рабочая частота, тип перехода. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался по аналогичным принципам. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.

4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.

Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.

Справочник составлен в 1993 году, переведен в HTML в 2000 году.

Составитель: Козак Виктор Романович, email: kozak @ inp.nsk.su

24
янв
2014

Год выпуска: 2014
Жанр: Справочник
Разработчик: LordGray
Сайт разработчика: http://rc-db.ru
Язык интерфейса: Русский + Английский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows XP, 7
Системные требования: 70 Мб ОЗУ, 11 Гб на диске
Описание: Электронный справочник со следующими характеристиками:

Биполярные транзисторы: 13541 шт
Полевые транзисторы: 35661 шт
IGBT: 2893 шт
Диоды: 17330 шт
Стабилитроны: 52 шт

В нем 38554 спецификации (datasheets), 131 производитель, 12909 моделей проверены.
В программе есть сортировка, фильтрация, редактирование и ввод новых моделей, обновление по интернету и из файла. Обновления базы выходят каждое воскресение, вечером.

18
июл
2018

Сергей , г. Екатеринбург

|

18-07-2018 09:16:09

03
янв
2010

Электронный восточный гороскоп гороскоп по 2031 год Rus 2.0

Год выпуска: 2009
Жанр: гороскоп
Разработчик: dekan
Сайт разработчика: www.dekan.ru
Язык интерфейса: Русский
Платформа: Windows: XP , 2003 , Vista , 2008 , 7
Системные требования:
Оперативная память: 128 Мб
Видеокарта: 32 Мб
Описание: Электронный гороскоп по 2031 год Rus Если вы любите гороскопы и хотите гороскоп на ближайшие дни или узнать о характере человека то Электронный гороскоп поможет Вам приоткрыть эти тайны! В наши дни практически каждый человек просматривает астрологические прогнозы, чтобы сверить свою жизнь с ритмами планет. Влияние планет на человека настолько велико, что лю…

23
янв
2014

Год выпуска: 2013
Жанр: охрана труда
Разработчик: Форум Медиа
Сайт разработчика: http://www.forum-media.ru
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows (XP)
Системные требования: офисная конфигурация компьютера
Описание: В обязанности инженера по охране труда входит подготовка огромного количества разнообразных документов. Наличие и правильность составления документов гарантируют, что ваша организация будет готова к проверкам контролирующих органов, избежит штрафов и других санкций. Электронный набор документов на компакт-диске поможет вам ор…

29
сен
2010

Xrumer 3.0.165.347, 4.0.165.410, 5.0.0.747

Год выпуска: 2010
Жанр: Массовая рассылка
Разработчик: Botmaster Labs
Сайт разработчика: http://www.botmasterru.com
Язык интерфейса: Русский + Англиский
Платформа: Windows 2000, XP, XP x64, Vista, Vista x64, 7, 7 x64
Системные требования: Intel or AMD Cpu 800Mhz или выше RAM 512Mb или больше Свободного места на диске ~210Mb Файлы в комплекте: Xrumer 3, 4, 5 База форумов 1500000 Denwer 3.0 Файлы необходимые для сервера(папка botmaster.ru)
Описание: XRumer — программа, в автоматическом режиме размещающая Ваши обьявления на форумах, гостевых книгах, досках обьявлений и каталогах ссылок (а так…

24
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 21.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер

Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit

29
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 28.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер
Разработчик: http://www.kmplayer.com/
Сайт разработчика: The KMPlayer
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Описание: The KMPlayer — это универсальный проигрыватель, который способен проигрывать практически любые форматы медиафайлов, например: VCD, DVD, AVI, MKV, Ogg Theora, OGM, 3GP, MPEG-1/2/4, WMV, RealMedia, QuickTime и другие. Также программа понимает cубтитры на DVD дисках и способна записывать звук, видео или картинки из любой части проигрываем…

03
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 02.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер
Разработчик: http://www.kmplayer.com/
Сайт разработчика: The KMPlayer
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Системные требования: — 50 МБ свободного дискового пространства
Описание: The KMPlayer — это универсальный проигрыватель, который способен проигрывать практически любые форматы медиафайлов, например: VCD, DVD, AVI, MKV, Ogg Theora, OGM, 3GP, MPEG-1/2/4, WMV, RealMedia, QuickTime и другие. Также программа понимает cубтитры на DVD дисках и способн…

24
янв
2018

Acronis Disk Director 11 Home 11.0.2343 Update 2 (Официальная русская версия) 11.0

Год выпуска: 2013
Жанр: Работа с жёстким диском
Разработчик: Acronis International GmbH
Сайт разработчика: acronis.ru
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows (2000), Windows (XP), Windows (2003), Windows (Vista), Windows (2008), Windows (7), Windows (8), Windows (10)
Системные требования:
Загрузочный модуль: На основе BIOS*
Основной процессор: Современный процессор с тактовой частотой не менее 800 МГц
Оперативная память: 256 Мбайт
Разрешение экрана: 800×600 пикселей Место для установки: 150 Мбайт
Другое: Мышь * Не поддерживаются машины…

30
янв
2010

ScrenSaver девушки моют ваш монитор 3.4.0.0

Год выпуска: 2010
Жанр: Скринсейвер
Количество файлов: 1
Разработчик: sergunas
Сайт разработчика: http://sergunas.ru/
Язык интерфейса: Только английский
Платформа: Windows/Vista
Системные требования:
Операционная система: Windows 2000/XP/2003/Vista
Процессор: Pentium
Память: 128МБ
Видеокарта: 16 бит Свободное место на
ЖД: 126 мб
Таблэтка: Присутствует
Описание: Интересный скринсейвер. Безумно сексуальные и влекущие, полураздетые девушки моют ваш монитор. Девушка-блондинка очень тщательно вымоет экран монитора с обратной стороны. И мыть она его будет очень эротично, отчасти собой. Оригинальная…

10
авг
2013

Freemake Video Converter 4.0.3.0

Год выпуска: 2013
Жанр: Видео конвертер
Разработчик: Ellora Assets Corporation
Сайт разработчика: http://www.freemake.com/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7, 8
Системные требования: Microsoft .NET Framework 4
Описание: Freemake Video Converter — это бесплатный видео конвертер для Microsoft Windows с предустановленным.NET Framework, разработанный «Ellora Assets Corporation». Утилита предназначена для конвертирования видео, прожига и риппинга DVD, прожига Blu-ray, создания слайд-шоу фотог…

31
мая
2011

Электронный словарь Ожегова и Шведовой 2.00 Portable

Год выпуска: 2009
Жанр: Словарь
Разработчик: Kertvin
Сайт разработчика: http://www.inetio.org/otherdic.html
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Portable
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows 95, 98, Me, 2000, XP, 2003, Vista, 2008, 7
Описание: Толковый словарь русского языка С. И. Ожегова и Н. Ю. Шведовой. Однотомный толковый словарь русского языка содержит 80000 слов и фразеологических выражений. Слова и фразеологизмы, заключенные в словаре, относятся к общелитературной лексике, а также к взаимодействующим с ней специальным сферам языка; в словаре широко представлена также про…

24
мар
2011

NetLimiter Pro 3.0.0.11 32-bit/64-bit

Год выпуска: 2011
Жанр: Управление трафиком
Разработчик: Locktime Software s.r.o.
Сайт разработчика: http://netlimiter.com
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Платформа: Windows XP, ХР х64, Vista, Vista х64, 7, 7 х64
Системные требования: Интернет соединение
Описание: NetLimiter Pro — программа, решающая проблему контроля сетевого трафика. NetLimiter следит за деятельностью каждого приложения, использующего доступ к Интернету, а также активно управляет трафиком, контролируя скорость потока данных. Вы можете самостоятельно настроить скорость загрузки и отправки информации для…

03
фев
2010

Год выпуска: 2009
Жанр: Запись дисков
Разработчик: Nero AG
Сайт разработчика: http://www.nero.com/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Платформа: Windows XP, Vista, 7
Описание: Nero 9 — это набор программного обеспечения цифрового мультимедиа и домашнего центра развлечений следующего поколения, которое пользуется наибольшим доверием в мире. Его характеризует передовая функциональность, благодаря которой наслаждаться цифровым мультимедиа так просто. Этот простой в использовании, но мощный набор мультимедиа дает вам свободу создавать, считывать, копировать, записывать, редактир…

19
авг
2013

HTMLPad 11.4.0.133

Год выпуска: 2011
Жанр: Редактор веб-страниц
Разработчик: Blumentals Solutions SIA
Сайт разработчика: http://www.blumentals.net/ru/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Описание: HTMLPad — функциональный и одновременно компактный веб-редактор, имеющий удобную панель инструментов для быстрого форматирования текста, создания форм, таблиц, вставки тэгов, причем не только HTML, но также JavaScript, ASP и SSI. Основные возможности программыСамый полный редактор HTML и XHTML на сегодня Расширенный…

20
авг
2015

Highscreen Zera_S (rev.a) 4.4.2 V1.0.2.2014.12.11

Год выпуска: 2014
Жанр: Прошивка
Разработчик: Highscreen
Сайт разработчика: http://highscreen.ru/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Платформа: Android
Системные требования: 1 ГБ внутренний памяти, 1 ГБ оперативной памяти
Описание: Обновлённая версия прошивки для Highscreen Zera_S (rev.a) Установка прошивки1. Скачайте утилиту для прошивки https://yadi.sk/d/Dim7kjZePPcie 2. Скачайте и установите драйвер PreLoader USB VCOM Driver https://yadi.sk/d/ZLbie_WQPPcxE 3. Запустите SP Flash Tool, в поле Scatter-loading выберите файл MT6582_Android_scatter.txt, который находится в па…

Руководство по электронным схемам на диодных транзисторах pdf

Руководство по схемам электронных схем на диодных транзисторах pdf

Полевые транзисторы — это устройства с тремя выводами: исток, затвор и сток. case 29– 05 to– 226ae 1– ватт (to– 92) case 29–04 to– 226aa (to– малосигнальные транзисторы, полевые транзисторы и диоды 5. В книгу также включены схемы и практические схемы. другим типом транзисторов является полевой транзистор) транзистор с эффектом (fet) .Однако схемы с усилением по току и напряжению все еще могут быть спроектированы, и аналогичные форматы схем принимаются.перекрестная ссылка ic перекрестная ссылка ci stk перекрестная ссылка ci tda перекрестная ссылка ci резкая перекрестная ссылка Hitachi аудио IC перекрестная ссылка и схемы приложения SMD перекрестная ссылка и эквивалент Мы прилагаем все усилия, чтобы обеспечить точность материалов на этом сайте, однако мы не гарантируем или заявляем, что информация бесплатна. 4 входной ток смещения 15. Существует два основных типа: npn-тип (с p-типом в центре) и pnp-тип (с n-типом в центре). Эта работа в первую очередь представляет собой иллюстрированное руководство по схемам, основанным на дискретных полупроводниковых компонентах, таких как диоды, транзисторы, полевые транзисторы и связанные с ними устройства.

вида: учебно-справочная, литература и художественная литература, детские книги. Этот раздел содержит бесплатные электронные книги и руководства по схемам mosfet, некоторые ресурсы в этом разделе можно просмотреть в Интернете, а некоторые из них можно загрузить. 3 линейных регулятора напряжения 14. просмотрите онлайн, запросите ценовое предложение! диоды и транзисторы (pdf 28p) в этой заметке рассматриваются следующие темы: основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов с большим сигналом, модель смещенных диодов, транзисторы, модель bjt с большим сигналом, анализ линий нагрузки, малые модель сигнала и усиление транзистора.официальный дистрибьютор. полевые транзисторы в теории и на практике введение существует два типа полевых транзисторов, переходные полевые транзисторы (jfet) и полевые транзисторы «металлооксидные полупроводники» (mosfet), или полевые транзисторы с изолированным затвором. (igfet). 4 транзистора 14 цепей питания 14. Как пользоваться руководством по радиочастотам Этот документ представляет собой ресурс, который позволяет вам изучить наше портфолио радиочастот. 3 входное напряжение смещения 15.

двухполупериодный выпрямитель с центральным ответвлением и мостовой диодный транзистор Электронные схемы с ручным выпрямителем в формате PDF.2 шунтирующих конденсатора 14. Испытание основывается на том факте, что биполярный транзистор можно рассматривать как состоящий из двух встречных диодов, и путем выполнения теста диодов между базой и коллектором и базой и эмиттером транзистора с использованием аналогового мультиметра. , можно проверить большую часть основной целостности транзистора. причина, по которой я пошел на 5. текст предназначен для использования на первом или втором курсе по полупроводникам на уровне ассоциированного или бакалавриата.

com за последний месяц посетили более 10 тысяч пользователей.при включении ток составляет около 30 мА при постоянном напряжении 9 В. затем вы узнали, что элементы схемы не работают одинаково на всех частотах. • pn-диодный транзистор и электрические схемы с ручным переходом pdf-диод формируется путем соединения кремния n-типа и p-типа. • определить vtc этих ворот. Основные сведения о транзисторах • переход эмиттер-база смещен в прямом направлении (обычно) • переход коллектор-база имеет обратное смещение (обычно) • транзисторы — это устройства, работающие от тока, поэтому сначала следует применить kcl: — i e = i c + i b.установите e на 0 вольт и измерьте напряжение на диоде, которое транзистору требуется для усиления сигналов.

6-вольтный стабилитрон должен компенсировать 0.5 npn-транзистора с коэффициентом усиления по высокочастотному или постоянному току 100, который фактически «умножает» 1 мА в цепи стабилитрона до 100 мА. для этого есть две причины: 1. он предназначен для использования инженерами-конструкторами, техниками, студентами-электронщиками и любителями.n изучить методы, используемые для анализа цепей, содержащих более одного диода. схемы ограничения и ограничения диодов. как только e превышает напряжение излома, все e (за вычетом приблизительно. полевые транзисторы (полевые транзисторы) являются униполярными устройствами и имеют некоторые большие преимущества перед биполярными транзисторами.

7 вольт) падают на r. Теоретические основы 1. Техническая документация по транзисторам и диодам texas instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 и транзисторов от 2n117 на acrobat.Основное различие между диодом и транзистором состоит в том, что диод представляет собой устройство с двумя выводами, которое позволяет схемам с токовым диодом и транзистором вручную pdf только в одном направлении от анода к катоду. Экономьте на профессиональных деловых, промышленных и научных принадлежностях! Полевые элементы управляют потоком тока, прикладывая напряжение к затвору, которое, в свою очередь, изменяет проводимость между стоком и истоком. 8 вольт для наиболее часто используемых кремниевых диодов.

Диод

и транзистор считаются основой электронных устройств и схем.цикл экспериментов. выводы этого устройства известны как затвор (g), исток (и) и сток (d). 5 усиление — произведение пропускной способности.

Рисунок 5 иллюстрирует работу npn-транзистора. RCA — американская радиокорпорация: брошюра по RCA-транзисторам и полупроводниковым диодам 1957 года содержит введение в физику полупроводников, а также подробные спецификации германиевых pnp-транзисторов и нескольких полупроводниковых диодов (1n34-a, 1n38-a, 1n54-a и 1n58. — а), габаритные размеры, каталог взаимозаменяемости и примеры схем.В этой серии из четырех частей подробно рассматриваются полевые приводы, их основные принципы работы и практические способы их использования. Литий-ионный аккумулятор 7 В последовательно. Фет принципы и схемы.

полевой транзистор (fet) — это тип транзистора, который использует электрическое поле для управления протеканием тока. в настоящее время любой инженер-электронщик может разумно и рационально работать с нашими продуктами, такими как каталоги данных и онлайн-база данных. магазин + 13 миллионов книг · магазин + 13 миллионов книг. поскольку компания Turuta Electronics World является ведущим мировым издателем электронных сборников данных по полупроводниковой информации, такой как транзисторы, диоды, триисторы, интегральные схемы.принципы, на которых работают эти устройства (управление током. Введение в ee100 до сих пор вы видели аналоговые схемы. Он развивается от основных диодов через биполярные и полевые транзисторы. 1 с использованием r = 1 кОм. (другой вид транзисторов — это переходное поле транзистор с эффектом jfet. купить тестер транзисторов, тестер конденсаторов транзисторов drok mosfet, mega328 npn pnp транзистор диод резистор емкость индуктивность mos scr esr meter автоматический проверочный детектор: lcr meter — amazon.

В отличие от биполярного транзистора, который является устройством с контролем тока, полевой транзистор управляется напряжением. руководство пользователя тестера транзисторов питание : тестер транзисторов может питаться от 6. 4 переключающих преобразователя постоянного тока 15 понимание спецификаций операционного усилителя 15. площадь основного диода такая же, как площадь МОП-транзистора или фредфет-транзистора, а площадь диода дискретный диод для той же функции может быть намного меньше и, следовательно, иметь гораздо меньший заряд восстановления. хороший прямой диод показывает падение напряжения от 0.установите e на 0 вольт и измерьте напряжение обоих диодов. com за последний месяц посетило более 1 млн пользователей. Постройте схему, показанную на рисунке 1. 1 основные принципы источника питания 14. 1 диапазон источника питания 15. n примените нелинейные характеристики диодов для создания схем формирования волны, известных как ограничители и фиксаторы.

символ цепи, всегда показывающий направление «обычного протекания тока» между выводом базы и выводом эмиттера. но на этом сходство между этими важными устройствами в области электроники заканчивается.отсканировано artmisa с использованием планшетного ПК canon dr2580c +. 2 диапазон входного и выходного напряжения 15. для любого положительного значения е диод должен быть смещен в прямом направлении.

n разбирается в принципах работы и характеристиках специализированных фотодиодных и светодиодных схем. Этого можно добиться с помощью многослойной батареи на 9 В. транзисторы, интерфейсы gps, lnas для беспроводной инфраструктуры, спутниковые каналы, удвоители мощности CATV, силовые транзисторы из литого пластика (omp), усилители мощности gan и маломощные беспроводные микроконтроллеры.) напомним, что диод состоит из легированного (или избыточного).

теория и маркировка клемм немного отличаются для jfet. 1-2 Motorola master selection guide. аналоговые схемы mosfet в этом руководстве мы изучаем низкочастотные свойства основных канонических схемных ячеек, которые лежат в основе активных аналоговых интегральных схем, реализованных в виде падения напряжения 6 В через b-e переход q1. Показание ol указывает на то, что диод работает как разомкнутый переключатель. все статьи в этой серии: fet (полевой транзистор) основы.диоды и транзисторы 1. вы начали с простых резистивных цепей, затем динамических систем (цепей с конденсаторами и катушками индуктивности), а затем операционных усилителей. таким образом, с увеличением е увеличивается и ток диода. — диод пропускает ток только в одном направлении. некоторые германиевые диоды имеют падение напряжения в диапазоне от 0,

бывших в употреблении книг, начиная с 3 долларов США. Перекрестные ссылки на полупроводники (транзисторы, диоды, микросхемы). схема диодного регулятора напряжения. аналоговые электронные схемы лабораторное руководство p a g e | 4 кафедра электроники и техники связи состав: сл.прочтите pdf Руководство по эксплуатации транзисторов 2879 Руководство по использованию транзисторов 2879, как открыть бесплатные электронные книги. Формирование диодов и транзисторов, в формате PDF на 32 страницах с бесплатным зарядным устройством. Руководство по схемам диодов, транзисторов и транзисторов представляет собой справочник схем, основанных на дискретных полупроводниковых компонентах, таких как диоды, транзисторы и полевые транзисторы. это приводит к тому, что конструкция схем fet сильно отличается от схемы схем на биполярных транзисторах. конфигурации биполярных транзисторов. Требования к управлению затвором удовлетворяются дополнительной схемой эмиттерного повторителя, показанной на рисунке 2, которая должна быть сконструирована с транзисторами, обладающими q-charge (nc) v g s-ga t e source v e (v olts) gate charge v.\ / span> \ «@ en \ / a>; \ u00a0 \ u00a0 \ u00a0 schema: description \ / a> \» Руководство по схемам диода, транзистора и извлечения представляет собой справочник схем, основанных на дискретных полупроводниковых компонентах, таких как диоды, транзисторы. , и фетс.

мультиметр показывает ol, когда исправный диод имеет обратное смещение. биполярный транзистор (в отличие от полевого транзистора, описанного ниже) состоит из центра p-типа или n-типа, зажатого между внешними поверхностями n-типа или p-типа. Обзор лаборатории аналоговой электроники.Цель эксперимента 3: диодно-резисторная логика (DRL) • ознакомиться с работой логических схем диодно-резисторной логики.

логика диод-резистор: логические схемы диод-резистор состоят только из диодов и резистора, логические функции. Если вы загружаете бесплатную электронную книгу прямо с Amazon для Kindle или Barnes & Noble для Nook, эти книги будут автоматически загружены в вашу электронную книгу или приложение для чтения электронных книг по беспроводной сети. Бесплатная доставка доступна. Следовательно, требуется высокоскоростной, способный к большому току (хотя и не обязательно большой мощности) буфер.специальные диодные схемы; схемы на стабилитронах. прочтите pdf Руководство по эксплуатации транзисторов 2879 Руководство по использованию транзисторов 2879, как открыть бесплатные электронные книги.

текст, как следует из его названия, предназначен для того, чтобы позволить читателю стать опытным в анализе и проектировании схем, использующих дискретные полупроводниковые устройства. Направление стрелки всегда указывает от положительной области p-типа к отрицательной области n-типа для обоих типов транзисторов, в точности как диодные транзисторные электронные схемы в формате pdf, как и для стандартного символа диода.com возможна бесплатная доставка для подходящих покупок. В книге описаны основные и специальные характеристики диодов, схемы тепловых выпрямителей, трансформаторы, конденсаторы фильтров и выпрямители.

Интегральные схемы

часто состоят из сотен транзисторов, диодов и. просто войдите в ту же учетную запись, которая использовалась для покупки книги. базовый биполярный транзистор или bjt — это два диода, построенные спиной к спине на куске кремния. Диод • Диод — это двухпроводной полупроводник, который действует как односторонний затвор для электронного потока.• на практике, когда выращивается кристалл si n-типа, процесс резко изменяется, чтобы вырастить кристалл si p-типа. Чтобы обойти ограничения мощности, мы используем транзистор с последовательным проходом. корпусный диод МОП-транзистора. диода примерно в пять раз больше, чем если бы использовался дискретный диод с быстрым восстановлением.

прочитайте больше

Kia Sedona: Процедуры ремонта полевого транзистора (DATC) — Вентилятор — Отопление, вентиляция и кондиционирование воздуха

Kia Sedona: Полевой транзистор (DATC) Процедуры ремонта — Вентилятор — Отопление, вентиляция и кондиционирование воздуха — Kia Sedona YP Service Manual
1.

Включите зажигание.

2.

Вручную приведите в действие переключатель управления и измерьте напряжение электродвигателя вентилятора.

4.

Если измеренное напряжение не соответствует спецификации, замените его заведомо исправным полевым транзистором и проверьте правильная работа.

5.

Замените полевой транзистор, если будет доказано, что с ним возникла проблема.

1.

Отсоедините отрицательный (-) полюс аккумуляторной батареи.

2.

Снять корпус перчаточного ящика.

(см. Кузов — «Корпус перчаточного ящика»)

4.

Устанавливайте в порядке, обратном снятию.

Сопротивление нагнетателя (руководство) Процедуры ремонта
Осмотр 1. Измерьте сопротивление между выводами. 2. Если измеренное сопротивление не в пределах спецификации, резистор вентилятора необходимо заменить (после удаления резистора). Заменить …
Дополнительная информация:

Датчик для определения расстояния до впереди идущего автомобиля
Датчик определяет расстояние до впереди идущего автомобиля. Если датчик покрыт грязью или другим посторонним предметом, от транспортного средства к транспортному средству дистанционное управление может работать некорректно.Всегда держите …

Дневные ходовые огни
Дневные ходовые огни (ДХО) могут помочь другим увидеть переднюю часть автомобиля. ваш автомобиль в течение дня. ДХО могут быть полезны в самых разных условиях вождения, и это особенно полезно для …

Авторские права © www.kisedona.com 2016-2021

Тестирование однослойных полевых транзисторов MoS2 и WS2

Различия между устройствами в однослойных MoS

2 и WS 2 полевых транзисторов

Чтобы понять различия в характеристиках полевого транзистора во всем 1 × 1 см 2 подложек, а также для изучения влияния масштабирования длины канала на характеристики полевого транзистора, были измерены 230 полевых транзисторов MoS 2 (23 структуры TLM) и 160 WS 2 полевых транзисторов (16 структур TLM).На рисунке показаны передаточные характеристики всех измеренных полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 соответственно для различных L CH , которые использовались для извлечения ключевых параметров устройства. Для каждого параметра указываются среднее значение, медиана, стандартное отклонение, минимальное и максимальное значения. Наконец, для сравнительного анализа используются медианные значения, поскольку они отражают центральную тенденцию даже при наличии выбросов в данных и обеспечивают более высокую точность в случае искаженного распределения.Устройства с лучшим номером для данного параметра называются устройствами-чемпионами.

Статистика масштабируемых устройств.

Всего было изготовлено 230 MoS 2 полевых транзисторов и 160 WS 2 полевых транзисторов с использованием 23 и 16 структур TLM с длиной канала от L CH = 100 нм до L CH = 5 мкм для a MoS 2 и b WS 2 соответственно, чтобы проанализировать изменение от устройства к устройству и влияние масштабирования на производительность устройства.Соответствующие передаточные характеристики, то есть I DS по сравнению с V GS , для V DS на 1 В показаны в логарифмической шкале.

Пороговое напряжение

Пороговое напряжение извлекается с использованием трех различных методов: линейной экстраполяции (Vtlin), Y-функции (VtY) и метода постоянного тока (Vtcc). Дополнительный рис. 2a – c описывает извлечение Vtlin, VtY и Vtcc, дополнительный рис. 2d, e показывают их соответствующие медианные значения как функцию от L CH и дополнительный рис. 2f, g показывают их распределения по всем устройствам для MoS 2 и WS 2 соответственно. В дополнительном примечании 1 и в дополнительной таблице 1 приведены различия между устройствами. Было обнаружено, что пороговое напряжение не зависит от длины канала для полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 . На рисунке показаны распределения Vtlin для всех измеренных полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 соответственно. Медиана Втлин 2.9 В со стандартным отклонением σVt = 0,8 В получено для MoS 2 , а медианное значение Vtlin 6,4 В при σVt = 0,8 В получено для WS 2 . Пороговое напряжение оказалось более положительным для полевых транзисторов WS 2 по сравнению с полевыми транзисторами из MoS 2 , что можно отнести к более высокому собственному легированию MoS 2 n-типа либо из-за специфической природы примеси, присутствующей в MOCVD выращенная пленка MoS 2 или из-за поверхностного переноса заряда, вызванного легированием из-за лежащего в основе ALD, выращенного Al 2 O 3 .Этот перенос заряда соответствует более высокому смещению зоны проводимости между MoS 2 и Al 2 O 3 по сравнению с WS 2 и Al 2 O 3 31 .

Отклонение рабочих характеристик в выключенном состоянии.

Гистограммы, показывающие изменение порогового напряжения, извлеченного с помощью линейной экстраполяции ( V t, lin ) для a MoS 2 и b WS 2 полевых транзисторов.Средние значения для этих извлеченных пороговых напряжений оказались более положительными для полевых транзисторов WS 2 по сравнению с полевыми транзисторами из MoS 2 из-за более высокого внутреннего легирования MoS 2 n-типа. Гистограммы SS, извлеченные через 4 порядка изменения тока стока (SS 4 ) для c MoS 2 и d WS 2 полевых транзисторов. Отклонение SS от идеального 60 мВ.dec −1 соответствует наличию интерфейсных ловушек.Гистограммы плотности захвата интерфейса ( D IT ) для e MoS 2 и f WS 2 полевых транзисторов, рассчитанных по SS 4 . Гистограммы максимального и минимального отношения тока ( I max / I min ) для г MoS 2 и h WS 2 полевых транзисторов.

Изменение порогового напряжения широко используется для тестирования новых устройств на основе новых материалов 25 .Обратите внимание, что медиана Vtlin зависит от работы выхода металла затвора и непреднамеренного / собственного легирования 2D-материала, и что как Vtlin, так и σVt зависят от толщины оксида затвора. Следовательно, для честного сравнения мы используем SσVt, который определяется как прогнозируемое изменение порогового напряжения при масштабированной эффективной толщине оксида (SEOT), полученное с использованием уравнения. ( 1 ). Мы используем SEOT = 0,9 нм для сравнения с другими литературными результатами.

Это уравнение предполагает линейное масштабирование изменения порогового напряжения относительно EOT.Однако для сверхмасштабируемых устройств можно ожидать отклонения от линейного масштабирования из-за повышенного эффекта гранулярности с металлическим затвором 32 . Для наших полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 мы прогнозируем SσVt = 33 мВ, что аналогично значению, прогнозируемому для полевых транзисторов MoS 2 из монослоя, выращенного методом CVD, о котором сообщили Smithe et al. 25 . Мы также использовали этот метод в других отчетах о монослое MoS 2 полевых транзисторов с верхним стробированием и в масштабе пластины и извлекли SσVt = 45 мВ для 26 и SσVt = 11 мВ для 12 соответственно.Недавно Smets et al. 7 продемонстрировали σVt = 44 мВ для EOT 1,9 нм, что соответствует SσVt = 20 мВ для однослойных полевых транзисторов MoS 2 полевых транзисторов с длиной канала, уменьшенной до 30 нм. Эти результаты сравниваются с современными UTB SOI и Si FinFET (таблица). Размеры каналов включены в таблицу, поскольку было обнаружено, что σVt обратно пропорционально площади канала в сверхмасштабированных устройствах, что показано с использованием графиков Пелгрома 32 , 33 .Однако мы не наблюдали такой тенденции из-за относительно больших площадей каналов в полевых транзисторах MoS 2 и WS 2 . Обнадеживает тот факт, что однослойные 2D полевые транзисторы показывают SσVt, сравнимое с современными кремниевыми полевыми транзисторами, несмотря на на порядок меньшую толщину корпуса. Обратите внимание, что ожидается, что полевые транзисторы UTB Si FET столкнутся с проблемами, связанными с точным контролем толщины, случайными флуктуациями примеси и вредными эффектами квантового ограничения за пределами толщины тела 5 нм 34 , 35 , что маловероятно для 2D монослоев.В то же время дальнейшее улучшение изменения порогового напряжения может быть достигнуто для двумерных полевых транзисторов за счет оптимизации роста монослоя и улучшения технологического процесса изготовления (дальнейшее обсуждение см. В дополнительном примечании 2 ). Следовательно, 2D-материалы предлагают альтернативу для реализации полевых МОП-транзисторов UTB. Показанная в этой работе небольшая вариация от устройства к устройству, которую можно отнести к равномерному и свободному от загрязнений MOCVD-росту однослойных TMD и чистому процессу изготовления устройств, может ускорить внедрение 2D-полевых транзисторов в будущие технологии VLSI.

Таблица 1

Сравнительный анализ изменения порогового напряжения между устройствами.

σVt (В) Диэлектрик затвора SσVt (В) при SEOT = 0,9 нм Размеры канала (мкм)
25 45– 1,05 30 нм SiO 2 33 × 10 −3 W = 11,6, L CH = 4–8.6
26 —MoS 2 1 сплошной слой 0,25 30 нм HfO 2 45 × 10 −3 W = -, L CH = 30
26 —MoS 2 1 слой + ML 0,1 30 нм HfO 2 19 × 10 −3 W = -, L CH = 30
12 —MoS 2 0.17 30 нм Al 2 O 3 11 × 10 −3 W = 30, L CH = 4
7 —Mo 2 44 × 10 −3 4 нм HfO 2 20 × 10 −3 W = 1, L CH = 0,1
Наша работа -MoS 2 , WS 2 0.8 50 нм Al 2 O 3 33 × 10 −3 W = 5, L CH = 0,1, 0,2, 0,3, 0,4, 0,5, 1, 2 , 3, 4, 5
33 —UTB SOI 24,5 × 10 −3 EOT = 1,65 нм 13 × 10 −3 W = 0,060, L CH = 0,025
32 —FinFET 10 × 10 −3 EOT = 0.8 нм 11 × 10 −3 W = 0,0075, L CH = 0,034
Наклон подпорога

Наклон подпорога (SS) извлекается больше 1 (SS 1 ), 2 (SS 2 ), 3 (SS 3 ) и 4 (SS 4 ) порядка изменения в I DS для MoS 2 и WS 2 полевых транзисторов соответственно . На дополнительном рисунке 3a, b показаны медианные значения для SS 1 , SS 2 , SS 3 и SS 4 в зависимости от L CH и дополнительного рисунка. 3c, d показывают распределения для SS 1 и SS 4 для всех устройств MoS 2 и WS 2 соответственно. Дополнительная таблица 2 суммирует изменение SS от устройства к устройству. Для полевого транзистора с омическими контактами ожидается, что SS 1 = SS 2 = SS 3 = SS 4 . Однако для полевого транзистора с барьером Шоттки (SB) SS может увеличиваться при извлечении для изменения более высоких порядков величины в I DS .Большее увеличение может быть связано с более высокой высотой SB на границе раздела металл / полупроводник, что не только ограничивает ток включения, но и влияет на характеристики выключенного состояния. В существующей литературе по двумерным полевым транзисторам есть тенденция сообщать значение SS без упоминания порядка изменения величины в I DS , по которым оно оценивается. Это приводит к значительным расхождениям и несправедливым сравнениям. Фактически, большинство значений SS сообщается только для одного или двух порядков величины тока стока, тогда как для работы схемы требуется, по крайней мере, четыре порядка величины отношения ВКЛ / ВЫКЛ, чтобы быть технологически значимыми.

Мы обнаружили, что медианные значения SS не зависят от L CH для полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 (дополнительный рисунок 3a, b ). На рис. Показаны распределения SS 4 для всех измеренных полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 соответственно. Медиана SS 4 , равная 431,9 мВ.dec −1 со стандартным отклонением σ SS = 138,1 мВ.dec −1 , получена для MoS 2 , а медиана SS 4 из 541.4 мВ.dec −1 с σ SS = 41,8 мВ.dec −1 получается для WS 2 . Медианные значения SS 4 показывают небольшое увеличение по сравнению с соответствующими значениями медианы SS 1 327,1 мВ.dec −1 и 438,2 мВ.dec −1 для MoS 2 и WS 2 , соответственно ( Дополнительная таблица 2 ). Однако значительных различий в значениях стандартного отклонения для SS 1 и SS 4 не обнаружено.Обратите внимание, что «чемпион» MoS 2 FET демонстрирует SS 1 = 93,3 мВ.dec -1 и SS 4 = 166 мВ.dec -1 , а «чемпион» WS 2 FET демонстрирует SS 1 = 295,6 мВ.dec -1 и SS 4 = 452,8 мВ.dec -1 . Отклонение SS от идеального значения 60 мВ.dec -1 даже для «чемпионских» устройств можно объяснить с помощью уравнения. ( 2 ).

SS = mkBTqln10; m = 1 + CSCOX + CITCOX; CIT = qDIT

2

Здесь k B — постоянная Больцмана, T — температура, q — заряд электрона, m — коэффициент заполнения, C S — емкость полупроводника, C IT — емкость ловушки интерфейса, C OX — емкость оксида и D IT плотность ловушки интерфейса.Для полностью истощенных полевых транзисторов UTB, таких как однослойные полевые транзисторы MoS 2 и WS 2 , C S = 0. В случае чистого интерфейса оксид-полупроводник, CIT≪COX, гарантируя, что м = 1 и SS = 60 мВ. Уб −1 . Очевидно, что в наших полевых транзисторах MoS 2 и WS 2 значение m > 1 указывает на наличие интерфейсных ловушек на границе раздела 2D / диэлектрик (конечное значение C IT ).

Интерфейсные ловушки

Чтобы оценить качество интерфейса, мы извлекли D IT , используя уравнение.( 2 ) и соответствующие распределения показаны на рис. Для полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 соответственно. Медиана D IT из 6,2 × 10 12 эВ −1 см −2 и 8 × 10 12 эВ −1 см −2 были получены для MoS 2 и WS 2 соответственно. Различия между устройствами в D IT показаны в дополнительной таблице 2 . Для полностью обедненных кремниевых МОП-транзисторов UTB с Si толщиной 35 нм и длиной затвора 110 нм, SS = 80 мВ.dec −1 для EOT = 4 нм, что соответствует D IT = 1,5 × 10 12 эВ −1 см −2 36 . Обратите внимание, что, хотя значения D IT для наших однослойных 2D полевых транзисторов сравнимы с современными кремниевыми полевыми транзисторами, более толстый EOT = 22 нм приводит к меньшим C OX и, следовательно, более высоким медианным значениям для SS для полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 .Для честного сравнения мы проецируем масштабированный SS (SSS) для EOT 0,9 нм с использованием D IT . Мы обнаружили, что SSS составляет 76 мВ.dec −1 и 80 мВ.dec −1 для MoS 2 и WS 2 , соответственно, и 64 мВ.dec −1 для UTB Si MOSFET в исх. 36 . Аналогичное упражнение было выполнено для других отчетов о полевых транзисторах MoS 2 из литературы, и результаты суммированы в таблице. Влияние более высокого D IT на интерфейс TMD / Al 2 O 3 может быть уменьшено либо путем масштабирования EOT (т.е., увеличивая C OX ) 37 или улучшая интерфейс (т.е. уменьшая D IT ). Известно, что наличие структурных дефектов, таких как вакансии серы, приводит к появлению участков-ловушек, которые вносят вклад в D IT . Было обнаружено, что D IT можно уменьшить с помощью различных методов пассивации поверхности 38 , 39 . Кроме того, остатки фоторезиста от литографии и / или процесса влажного переноса могут вызвать увеличение D IT .Следовательно, можно уменьшить D IT за счет дальнейшей оптимизации роста, обработки после выращивания и улучшения технологического процесса изготовления.

Таблица 2

Сравнительный анализ медианного наклона подпорогового значения для L CH = 100 нм.

1 12

2
SS (мВ.дек −1 ) EOT (нм) Диэлектрик затвора D IT (10 12 eV −1 см ) SSS (мВ.дек −1 ) при SEOT = 0,9 нм
7 —MoS 2 80 1,9 4 нм HfO 2 3,7152 70
7 —MoS 2 160 2,7 8 нм HfO 2 1,3 × 10 13 93
—MoS 2 200 3.8 12 нм HfO 2 1,3 × 10 13 93
7 —MoS 2 1350 50 5040 2 нм SiO6 9,2 × 10 12 83
Наша работа — MoS 2 450 22 50 нм Al 2 O 3 6,3 × 10 12 76
Наша работа-WS 2 550 22 50 нм Al 2 O 3 8 × 10 12 80
36 90UTB КНИ 80 4 4 нм SiO 2 1.8 × 10 12 64
Отношение тока ВКЛ / ВЫКЛ

На рис. Показано распределение отношения максимального тока к минимальному ( I max / I min ) по все полевые транзисторы MoS 2 и WS 2 соответственно. Здесь I max — это максимальный ток, полученный из передаточных характеристик для V DS = 1 В и I min — средний уровень шума.Обратите внимание, что истинный ток устройства в выключенном состоянии выходит за пределы диапазона измерения прибора. См. Дополнительный рисунок 4a, b для распределения I max и I min , дополнительный рисунок 4c, d для распределения I max / I мин. для разных L CH для MoS 2 и WS 2 полевых транзисторов и Дополнительная таблица 3 для сводной информации об изменениях между устройствами в I макс. / I мин .Среднее и стандартное отклонение для I max / I min оказались равными 2,1 × 10 7 и 5,5 × 10 7 для полевых транзисторов MoS 2 и 2,1 × 10 7 и 2,6 × 10 7 для полевых транзисторов WS 2 . Эти значения на порядок выше, чем I max / I min 1,3 × 10 6 для UTB Si MOSFET 36 . I max / I min сравнивается с литературными отчетами для L CH = 100 нм, как показано в дополнительной таблице 4 .Обратите внимание, что ключевые показатели производительности в выключенном состоянии, то есть пороговое напряжение, SS, D IT и I max / I min , в большинстве случаев не зависят от L СН . Даже для L CH = 100 нм не наблюдается вредных короткоканальных эффектов, которые ожидаются и могут быть приписаны атомарно-тонкой природе однослойных TMD, а также использованию тонких и высококалорийных Al. 2 O 3 в качестве диэлектрика затвора с EOT = 22 нм.

Полевая подвижность и контактное сопротивление

Полевая подвижность ( μ FE ) — важный параметр устройства, который сильно влияет на характеристики полевого транзистора в открытом состоянии. Хотя внутренняя подвижность является параметром, связанным с материалом, μ FE определяется внешними эффектами, такими как контактное сопротивление ( R c ), и часто зависит от того, как оно извлекается из характеристик устройства. Три популярных метода извлечения μ FE : пиковая крутизна (мкг), Y-функция ( μ Y ) 40 и TLM ( μ ) как TLM описана в дополнительном примечании 3 .На рисунке показано распределение и соответствующие медианные значения для мкг в зависимости от L CH для полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 соответственно. Дополнительно отмечены 25-й и 75-й процентили распределения. Очевидно, что мкгм демонстрирует сильную зависимость от L CH , при этом медианное значение варьируется от 23,9 см 2 V −1 с −1 до 3,6 см 2 V −1 с −1 для MoS 2 и 29 см 2 V -1 с -1 до 2.7 см 2 V −1 с −1 для WS 2 , поскольку устройства масштабируются от L CH = 5 мкм до L CH = 100 нм. На дополнительном рисунке 5a, b показан аналогичный анализ μ Y для полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 , соответственно, а в дополнительной таблице 5 приведены различия между устройствами в мкгм. и мкм Y .И мкгм, и мкм Y , извлеченные из устройств с более короткими каналами, показывают значительное снижение их медианных значений, что указывает на доминирующую роль R c в масштабированных 2D полевых транзисторах 6 . Контактное сопротивление видно как результат закрепления уровня Ферми на границе раздела металл / TMD, что приводит к конечной высоте SB 30 . Для дальнейшего исследования мы использовали структуру TLM, показанную на рис., Чтобы извлечь R c и оценить его влияние на масштабирование L CH , как показано на рис.. Мы использовали формулу. ( 3 ) для извлечения R c .

RT = 2Rc + Rch; Rch = LCHμTLMCOX (VGS − Vtlin) = LCHqnSμTLM; nS = COX (VGS − Vtlin) q

3

Здесь R T — полное измеренное сопротивление FET и R ch — сопротивление канала, которое прямо пропорционально L CH и обратно пропорционально плотности несущих ( n S ), когда полевой транзистор измеряется в линейном режиме работы.Тем не менее, R c не зависит от L CH и, следовательно, может быть извлечен из пересечения по оси y графиков R T в сравнении с графиками L CH , как показано на рис. Для MoS 2 и WS 2 , соответственно, для разных n S 41 (см. Дополнительное примечание 4 для дальнейшего обсуждения извлечения n S ). На рисунке показано распределение соответствующих извлеченных R c в зависимости от n S .Неуклонное уменьшение R c с увеличением n S объясняется явлением контактного стробирования в глобальной геометрии полевого транзистора с обратным затвором, поскольку ширина SB на интерфейсе металл / 2D модулируется обратной стороной напряжение затвора 30 . Меньшая ширина SB позволяет упростить туннелирование носителя, уменьшая R c . Для полевого транзистора MoS 2 медианное значение R c оказалось равным 9,2 кОм − мкм, что соответствует n S = 1 × 10 13 см −2 .Однако для WS 2 , n S был ограничен 4,4 × 10 12 см 2 из-за более положительного значения Vtlin, что привело к более высокому среднему значению R c = 29,2 кОм − мкм. Для случая одинаковой концентрации носителей n S = 2,7 × 10 12 см 2 , аналогичные медианы R c получены значения 33 кОм − мкм и 39,4 кОм − мкм. для MoS 2 и WS 2 соответственно.Разницу в R c между MoS 2 и WS 2 можно объяснить тем фактом, что уровень нейтральности заряда ближе к зоне проводимости для MoS 2 , чем для WS 2 , что приводит к более высокой высоте SB на контактном интерфейсе Ni / WS 2 по сравнению с контактным интерфейсом Ni / MoS 2 42 .

Изменение полевой подвижности и контактного сопротивления от устройства к устройству.

Распределение подвижности, извлеченное с использованием пиковой крутизны (мкг) для каналов разной длины для a MoS 2 и b WS 2 полевых транзисторов. Также обозначены медиана, 25-й процентиль и 75-й процентиль. Общее сопротивление ( R T ) по сравнению с L CH для c MoS 2 и WS 2 для различных концентраций носителей ( n S ), извлеченных с использованием репрезентативного TLM структура.Распределение контактного сопротивления ( R c ) по множеству структур TLM, извлеченное из пересечений по оси y в c и d , как функция от n S для e MoS 2 и f WS 2 соответственно. Относительный вклад R c и сопротивления канала ( R ch ) в общее сопротивление для g, MoS 2 и h WS 2 для разных L CH .В масштабируемых устройствах, поскольку R ch масштабируется с длиной канала, вклад R c (обратите внимание, что R c не зависит от L CH ), т. Е. 2 ​​ R c / R T , является более значимым по сравнению с R ch , т.е. R ch / R T .

Относительный эффект R c оценивается для различных L CH .На рисунке показан вклад R c и R ch в общее сопротивление R T с использованием гистограмм с накоплением в зависимости от L CH для MoS 2 и WS 2 соответственно. Понятно, что для L CH ≤ 1 мкм контактные эффекты значительны, поскольку 2 R c > R ch . Это объясняет, почему извлеченные мкг зависят от L CH и сильно занижены более чем на 80% как для MoS 2 , так и для WS 2 при извлечении из масштабированных устройств с L CH = 100 нм.Поскольку извлечение мкг ограничено R c , извлечение мкм TLM в соответствии с уравнением. ( 3 ) больше подходит для устройств с коротким каналом. На дополнительном рисунке 5c, d показано распределение μ TLM по структурам MoS 2 и WS 2 TLM, соответственно, а в дополнительной таблице 6 приведены различия между различными структурами TLM. Извлеченное медианное значение для μ TLM оказалось равным 27 см 2 V −1 с −1 и 16 см 2 V −1 с −1 для MoS 2 и WS 2 полевых транзисторов соответственно.Устройства с длинным каналом менее уязвимы для R c , и соответствующие значения в мкг являются более точным представлением внутренней подвижности канала, хотя и с некоторыми проблемами, описанными Nasr et al. 43 . Тем не менее, наши «чемпионы» с длинными каналами MoS 2 и WS 2 полевых транзисторов с L CH = 5 мкм продемонстрировали μgm = 30 см 2 V −1 s −1 и 33 см 2 V −1 s −1 соответственно.Аналогично, «чемпион» MoS 2 и WS 2 TLM-структуры продемонстрировали μ TLM = 46 см 2 V −1 s −1 и 33 см 2 V −1 с −1 соответственно.

В таблице показаны результаты тестирования наших «чемпионов» с лучшими отчетами из литературы с использованием μ FE (мкгм для устройств с более длинным каналом и μ TLM для устройств с более коротким каналом) и R c для MoS 2 и WS 2 .Мы также включили медианные / средние значения, где это применимо. Обратите внимание, что в то время как более высокие значения μ FE были зарегистрированы на основе «чемпионского» расслоенного и выращенного CVD MoS 2 полевых транзисторов 7 , 12 , 24 , 25 , 44 46 , наш отчет является статистически более значимым, поскольку он демонстрирует различия между несколькими структурами TLM. Для WS 2 , μ FE = 33 см 2 V −1 s −1 является самым высоким значением, 1.В 5 раз лучше, чем в предыдущем отчете по синтетическому WS 2 47 . Более высокие значения μ FE , указанные для WS 2 , относятся либо к отслоившимся материалам при комнатной температуре 48 и низких температурах 49 , либо для материалов, выращенных методом химического осаждения из паровой фазы с контактной инженерией с использованием многослойного графена. в качестве прослоек 50 . Что еще более интересно, полевые МОП-транзисторы UTB с Si толщиной 0,9 нм показывают μ FE ≈ 6 см 2 V −1 s −1 51 , что более чем на 2 порядка меньше по сравнению с из-за подвижности объемного Si и в первую очередь объясняется флуктуацией толщины UTB Si.

Таблица 3

Тестирование производительности во включенном состоянии при В DS = 1 В (лучшие значения сравниваются со средними / средними значениями, указанными в скобках).

CH = 1,5 13
μ (см 2 V −1 s −1 ) R c (кОм − мкм)

I I мкм −1 )
n S (см −2 )
25 —MoS 2 мкгм = 42 (34.2) 0,73 (1) 22, L CH = 5,4 мкм 1,3 × 10 13
22 —MoS 2

μ TLM = 20
6,5 270, L CH = 80 нм 1 × 10 13
12 —MoS 2 мкгм = 80 (≈40) 2,4 13, L CH = 4 мкм 6.6 × 10 12
65 —MoS 2 μ TLM = 30 1,7 260, L CH = 4,7 нм 900 10 13
7 —MoS 2 μ TLM = 15 1 250, L CH = 1,5
26 —MoS 2 μ 4 точки ≈ 75 (70) 14
4 Наша работа 2 MoS 4 μ TLM = 47 (27) 3 (9.2) 73 (54), L CH = 100 нм 1 × 10 13
64 —WS 2 мкгм = 11 25, L CH = 4 мкм 2,1 × 10 13
47 —WS 2 мкгм = 20,4 CH 0,6, L 90 = 1 мкм 2,5 × 10 12
50 —WS 2 мкгм = 5 ≈0.05, L CH = 10 мкм ≈7,2 × 10 12
50 —WS 2 (графеновый контакт) мкгм = 50 (27) ≈1,1, L CH = 10 мкм ≈7,2 × 10 12
Наша работа-WS 2 μ TLM = 33 (16) 2,1 ( 29) 26 (17), L CH = 100 нм 4.4 × 10 12
51 —UTB SOI μ 4-точечный = 6 ≈35 * 10 −3 , L CH CH = 100 мкм ≈9 × 10 12

Сопротивление контактов металл / 2D сравнительно высокое даже для устройств «чемпион» с R c = 3 кОм − мкм и R c = 2,1 кОм − мкм для MoS 2 и WS 2 , соответственно, по сравнению с R c = 0.1 кОм-мкм обычно указывается для современных кремниевых полевых транзисторов. Тем не менее, были разработаны различные методы, чтобы уменьшить влияние ограниченного SB переносом носителя в 2D TMD 52 , например, разработка работы выхода для уменьшения высоты SB 30 , введение промежуточных слоев, таких как графен, для разделения интерфейс металл / 2D для уменьшения закрепления на уровне Ферми 53 , 54 и достижения более высокой концентрации носителей под или рядом с контактами металл / 2D за счет легирования с замещением или поверхностным переносом заряда для уменьшения ширины SB 42 , 55 .Тем не менее, наши монослойные полевые транзисторы MoS 2 , выращенные методом MOCVD, демонстрируют R c , аналогичные значениям, указанным в литературе 7 , 22 , 25 , 56 . Тестирование «чемпионов» представлено в таблице. Насколько нам известно, это первый отчет о R c для синтетического WS 2 . Кроме того, наша работа знаменует собой первое исследование по извлечению контактного сопротивления из нескольких структур TLM как для MoS 2 , так и для WS 2 .Smithe et al. 25 продемонстрировали анализ псевдо-TLM, в котором для извлечения распределения R T использовались независимые устройства с разной длиной и шириной каналов. Анализ TLM выполняется на устройствах между 10-м и 90-м процентилями 25 . Наша демонстрация включает извлечение контактного сопротивления из отдельных структур TLM и обнаружение вариаций в этих структурах TLM, и анализ не ограничивается процентильным пределом.

Управляющий ток и скорость насыщения

Наконец, высокопроизводительные полевые транзисторы тестируются с использованием управляющего тока ( I ON ), достижимого для данного напряжения питания ( В DS = В DD ). Более высокие значения I ON обеспечивают более быструю работу схемы, поскольку собственная задержка полевого транзистора пропорциональна CV DD / I ON , где C — емкость нагрузки.В цифровой электронике более высокий I ON допускает большее разветвление. На рисунке показаны выходные характеристики полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 , соответственно, для каналов разной длины, которые использовались для оценки характеристик устройств во включенном состоянии. При высоких напряжениях смещения высокая плотность тока приводит к самонагреву, что приводит к отрицательному дифференциальному сопротивлению (NDR). Это обычное явление, наблюдаемое в полевых транзисторах с ультратонкими корпусами, включая полевые транзисторы с КНИ 57 , полевые транзисторы с нанопроволокой 58 , графеновые полевые транзисторы 59 и, в последнее время, расслоенные многослойные полевые транзисторы MoS 2 60 и выращенный методом CVD монослой MoS 2 полевые транзисторы 61 .Снизить или исключить эффект самонагрева можно с помощью импульсных измерений с длительностью импульса менее 100 мкс 60 .

Характеристики однослойных полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 в открытом состоянии.

Выходные характеристики для каналов длиной от L CH = 100 нм до L CH = 5 мкм, полученные из типичной измерительной структуры линии передачи для a MoS 2 и b WS 2 полевых транзисторов.Насыщение по току достигается в устройствах с более коротким каналом для полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 .

На рисунке показано медианное значение для I ON как функция от L CH для V DS = 1 В и В DS = 5 В для MoS 2 и 2 полевых транзисторов, соответственно, извлеченных из их соответствующих выходных характеристик. Для обоих TMD при низком уровне В DS = 1 В, т.е.е., в линейной области ожидается, что I ON продемонстрирует обратную зависимость длины канала в соответствии с формулой. ( 4 ).

IONW = IDS, LINW = qnSμgmVDSLCH

4

Управляющий ток и скорость насыщения.

Медиана тока привода ( I ON ) как функция от 1/ L CH для a MoS 2 и b WS 2 полевых транзисторов при V DS DS напряжения 1 В, соответствующего линейной области полевых транзисторов, и c MoS 2 и d WS 2 полевых транзисторов при В DS 5 В, соответствующего области насыщения полевых транзисторов.Они извлекаются при концентрациях носителей ( n S ) 1 × 10 13 см −2 и 4,4 × 10 12 см −2 для MoS 2 и WS 2 , соответственно. . Ток насыщения ( I DS, SAT ) для e MoS 2 и f WS 2 , извлеченный из их соответствующих устройств с более коротким каналом ( L CH <1 мкм) как функция n S .Наклон показывает скорость насыщения ( v SAT ). Распределение v SAT для g MoS 2 и h WS 2 короткоканальных полевых транзисторов.

Эта тенденция наблюдается как для полевых транзисторов MoS 2 , так и для полевых транзисторов WS 2 на рис., Соответственно, при длине канала L CH ≥ 1 мкм. Однако для устройств с длиной канала L CH <1 мкм обратная зависимость длины канала скрывается за счет R c .Аналогичная линейная зависимость наблюдается для I ON в устройствах с более длинными каналами ( L CH ≥ 1 мкм) при V DS = 5 В для обоих MoS 2 и WS 2 полевых транзисторов. на рис., соответственно, следуя формуле. ( 5 ).

IONW = IDS, SATW = COXμgm (VGS − Vtlin) 22LCH = q2μgmCOXnS22LCH

5

Эти результаты соответствуют классическим характеристикам длинноканального полевого транзистора (т.е. при низком смещении стока устройство работает в линейном режиме ( Уравнение( 4 )), тогда как для VDS≥VGS-Vtlin канал перекрывается, что приводит к насыщению по току). Ток насыщения следует квадратичной зависимости от напряжения перегрузки и, следовательно, от n S (уравнение ( 6 )) 62 . В устройствах с более коротким каналом ( L CH <1 мкм), когда поперечное электрическое поле (ξ≈VDSLCH) становится больше, чем критическое электрическое поле ( E C ), скорость носителя достигает скорости насыщения ( v SAT ).Это приводит к насыщению тока, причем ток насыщения не зависит от L CH , как описано уравнением. ( 6 ) 62 .

IONW = IDS, SATW = COXvSATVGS-Vtlin = qnSvSAT

6

Однако, чтобы наблюдать насыщение тока из-за насыщения скорости, смещение стока должно соответствовать критерию, заданному формулой. ( 7 ).

LCHvSATμgm

7

Например, как показано на рис., насыщение тока достигается при В DS = 4 В для 100 нм MoS 2 FET и WS 2 FET, что намного ниже, чем соответствующие VGS-Vtlin, равные 11,6 В и 6,7 В, соответственно. Это объясняет, почему ток возбуждения в полевых транзисторах MoS 2 и WS 2 с более коротким каналом практически не зависит от длины канала для высокого смещения стока ( В, DS = 5 В), как показано на рис. . Тем не менее, масштабированные полевые транзисторы MoS 2 и WS 2 с длиной канала 100 нм демонстрируют высокие медианные токи возбуждения I ON = 54 мкА.мкм -1 и I ON = 17 мкА мкм -1 соответственно для V DS = 1 В и I ON = 146 мкА мкм -1 и I ON = 30 мкА мкм −1 , соответственно, для V DS = 5 В. Кроме того, I ON при V DS = 5 В может достигать достигает 161 мкА мкм -1 и 53 мкА мкм -1 в полевых транзисторах «чемпион» MoS 2 и WS 2 соответственно.Распределение I ON для V DS = 1 В и V DS = 5 В в зависимости от L CH показано на дополнительном рисунке 6 и соответствующие вариации от устройства к устройству приведены в дополнительной таблице 7 для полевых транзисторов MoS 2 и WS 2 . Более высокий ток возбуждения, наблюдаемый для полевых транзисторов MoS 2 по сравнению с полевыми транзисторами WS 2 , является прямым следствием более низкого Vtlin, что позволяет использовать более высокие значения n S в каналах MoS 2 .Дальнейшее улучшение управляющего тока масштабированных 2D полевых транзисторов может быть достигнуто за счет уменьшения R c . Обратите внимание, что, хотя есть сообщения о более высоком I ON в пленках MoS 2 , выращенных на большой площади, ни одно из более ранних исследований не дает обширной статистики устройства 22 , 63 65 . I ON для UTB Si MOSFET составляет 35 нА мкм -1 для Si толщиной 0,9 нм 51 . Тестирование «чемпионов» представлено в таблице.В дополнительной таблице 8 показан сравнительный анализ нашего статистического исследования полевых транзисторов MoS 2 с использованием полевой подвижности и управляющего тока (при В, DS = 2 В) с аналогичными статистическими исследованиями, зависящими от длины канала, из литературы. Среднее и стандартное отклонение сравнивается с зависимостью L CH и отображается на дополнительном рисунке 7 . Лучшая производительность видна в нашем исследовании зависимости длины канала по сравнению с исх. 66 как для тока привода, так и для мобильности.

Наконец, скорость насыщения ( v SAT ) — еще один ключевой параметр материала, который определяет I ON в масштабированных полевых транзисторах. Это связано с тем, что при низком боковом электрическом поле ( ξ ) средняя скорость дрейфа электронов линейно увеличивается через подвижность (vd = μFEξ), но при больших электрических полях, которые легко достижимы в субмикронных полевых транзисторах, скорость носителей насыщается.Таким образом, I ON становится менее зависимым от μ FE и вместо этого пропорционально v SAT , согласно уравнению. ( 6 ). Кроме того, для более быстрого переключения требуется высокий v SAT 11 . На рисунке показано извлечение v SAT и распределение v SAT для MoS 2 и WS 2 соответственно. Линейная зависимость тока насыщения ( I DS, SAT ) от n S согласно формуле.( 6 ), используется для извлечения v SAT . Медиана v Значения SAT 6,4 × 10 5 см −1 и 4 × 10 5 см −1 и «чемпион» v Значения SAT 1,1 × 10 6 см-с −1 и 6,9 × 10 5 см-с −1 получены для MoS 2 и WS 2 соответственно. Соответствующие вариации от устройства к устройству приведены в дополнительной таблице 9 .Значения v SAT значительно ниже по сравнению с массивным Si с v SAT ≈ 10 7 см. С −1 67 , 68 . Nathawat et al. сообщили о более высоких v SAT ≈ 6 × 10 6 см / с −1 в выращенном CVD монослое MoS 2 69 . Однако их измерения проводились с использованием импульсов наносекундного диапазона, чтобы уменьшить влияние самонагрева и захвата горячих носителей глубокими оксидными ловушками.Для WS 2 это первый отчет v SAT .

Туннельные полевые транзисторы для чувствительного терагерцового обнаружения

  • 1.

    Дьяконов М. и Шур М. Обнаружение, смешивание и умножение частоты терагерцового излучения двумерной электронной жидкостью. IEEE Trans. Электрон. Dev. 43 , 380–387 (1996).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 2.

    Knap, W. et al. Полевые транзисторы для обнаружения терагерцового диапазона: физика и первые приложения для получения изображений. J. Инфракрасные миллиметровые терагерцовые волны 30 , 1319–1337 (2009).

    CAS Google Scholar

  • 3.

    Boppel, S. et al. КМОП интегрированные полевые транзисторы с антенной связью для регистрации излучения от 0,2 до 4,3 ТГц. IEEE Trans. Теория СВЧ. 60 , 3834–3843 (2012).

    ADS Статья Google Scholar

  • 4.

    Hou, H., Liu, Z., Teng, J., Palacios, T. и Chua, S. Высокотемпературные терагерцовые детекторы, реализованные на GaN-транзисторе с высокой подвижностью электронов. Sci. Отчетность 7 , 46664 (2017).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 5.

    Viti, L. et al. Термоэлектрические графеновые фотоприемники с субнаносекундным временем отклика на терагерцовых частотах. Нанофотоника 10 , 89–98 (2020).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 6.

    Муравьев В.М., Соловьев В.В., Фортунатов А.А., Цыдынжапов Г., Кукушкин И.В. О времени отклика плазмонных детекторов терагерцового диапазона. Письма в ЖЭТФ. 103 , 792–794 (2016).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 7.

    Румянцев С., Лю X., Качоровский В., Шур М. Гомодинный фазочувствительный терагерцовый спектрометр. Заявл. Phys. Lett. 111 , 121105 (2017).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 8.

    Glaab, D. et al. Детектирование терагерцовых гетеродинов с помощью кремниевых полевых транзисторов. Заявл. Phys. Lett. 96 , 042106 (2010).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 9.

    Vitiello, M. S. et al. Детекторы терагерцового диапазона для комнатной температуры на основе полевых полупроводниковых нанопроволок. Nano Lett. 12 , 96–101 (2012).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 10.

    Vicarelli, L. et al. Графеновые полевые транзисторы как детекторы терагерцового диапазона при комнатной температуре. Нат. Матер. 11 , 865–871 (2012).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 11.

    Viti, L. et al. Фотоприемники терагерцового диапазона с черным фосфором. Adv. Матер. 27 , 5567–5572 (2015).

    CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 12.

    Исобе, Х., Сюй, С.-Й. И Фу Л. Высокочастотное выпрямление с помощью киральных блоховских электронов. Sci. Adv. 6 , eaay2497 (2020).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 13.

    Olbrich, P. et al. Терагерцовые храповые эффекты в графене с боковой сверхрешеткой. Phys. Ред. B 93 , 075422 (2016).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 14.

    Walsh, E. D. et al. Детектор одиночных фотонов на джозефсоновском переходе на основе графена. Phys. Rev. Appl. 8 , 024022 (2017).

    ADS Статья Google Scholar

  • 15.

    Auton, G. et al. Обнаружение и визуализация терагерцового диапазона с использованием графеновых баллистических выпрямителей. Nano Lett. 17 , 7015–7020 (2017).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 16.

    Принципи А., Бандурин Д., Ростами Х. и Полини М. Уравнения псевдо-Эйлера из нелинейной оптики: фотодетектирование с помощью плазмонов за пределами гидродинамики. Phys. Ред. B 99 , 075410 (2019).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 17.

    Castilla, S. et al. Быстрое и чувствительное обнаружение терагерцового диапазона с использованием графена со встроенной антенной p n перехода. Nano Lett. 19 , 2765–2773 (2019).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 18.

    Муравьев В.М., Кукушкин И.V. Плазмонный детектор-спектрометр субтерагерцового излучения на основе двумерной электронной системы со встроенным дефектом. Заявл. Phys. Lett. 100 , 082102 (2012).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 19.

    Bandurin, D.A. et al. Детектирование резонансного терагерца с использованием графеновых плазмонов. Нат. Commun. 9 , 5392 (2018).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 20.

    Хавронин, М., Петров, А., Казанцев, А., Никулин, Э., Бандурин, Д. Детектирование терагерцового диапазона с усилением сингулярности в полевых транзисторах с высокой подвижностью. Phys. Rev. Appl. 13 , 064072 (2020).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 21.

    Sakowicz, M. et al. Терагерцовая чувствительность полевых транзисторов в зависимости от их статической проводимости канала и эффектов нагрузки. J. Appl.Phys. 110 , 054512 (2011).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 22.

    Ионеску, А. М. и Риель, Х. Туннельные полевые транзисторы как энергоэффективные электронные переключатели. Природа 479 , 329–337 (2011).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 23.

    Sarkar, D. et al. Субтермионный туннельный полевой транзистор с атомарно тонким каналом. Природа 526 , 91–95 (2015).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 24.

    Лу, Х. и Сибо, А. Туннельные полевые транзисторы: современное состояние. IEEE J. Electron. Dev. Soc. 2 , 44–49 (2014).

    Артикул Google Scholar

  • 25.

    Emboras, A. et al. Плазмонный переключатель атомного масштаба. Nano Lett. 16 , 709–714 (2016).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 26.

    Баски, А., Альбрехт, Т. и Кват, К. Туннельный акселерометр. J. Microsc. 152 , 73–76 (1988).

    Артикул Google Scholar

  • 27.

    Саркар, Д., Госснер, Х., Ханш, В. и Банерджи, К. Датчик газа на основе туннельного полевого транзистора: введение в обнаружение газа с помощью квантово-механического преобразователя. Заявл. Phys. Lett. 102 , 023110 (2013).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 28.

    Саркар, Д. и Банерджи, К. Предложение по туннельному полевому транзистору в качестве сверхчувствительных биосенсоров без меток. Заявл. Phys. Lett. 100 , 143108 (2012).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 29.

    Гао, А., Лу, Н., Ван, Ю. и Ли, Т. Надежный сверхчувствительный туннельный биосенсор на полевых транзисторах для диагностики в местах оказания медицинской помощи. Sci. Отчетность 6 , 22554 (2016).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 30.

    Yang, Q. et al. Оценка характеристик туннельного полевого транзистора при обнаружении терагерцового диапазона. 2018 Китайская международная конференция по полупроводниковым технологиям (CSTIC) , Шанхай, 1–3 (2018).

  • 31.

    Окамото, Т., Фудзимура, Н., Креспи, Л., Кодера, Т. и Кавано, Ю. Обнаружение терагерцового диапазона с помощью антенно-связанной высоколегированной кремниевой квантовой точки. Sci. Респ. 9 , 18574 (2019).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 32.

    Ринзан, М., Дженкинс, Г., Дрю, Х. Д., Шафранжук, С. и Барбара, П. Квантовые точки из углеродных нанотрубок как высокочувствительные спектрометры с терагерцовым охлаждением. Nano Lett. 12 , 3097–3100 (2012).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 33.

    Лю, Л., Рахман, С. М., Цзян, З., Ли, В. и Фэй, П. Усовершенствованные системы терагерцового зондирования и визуализации на основе интегрированных устройств межполосного туннелирования III-V. Proc. IEEE 105 , 1020–1034 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 34.

    Kang, T. et al. Терагерцовое выпрямление в кольцевых квантовых барьерах. Нат. Commun. 9 , 4914 (2018).

    ADS PubMed PubMed Central Статья CAS Google Scholar

  • 35.

    Nishida, Y. et al. Когерентный приемник терагерцового диапазона с одним резонансным туннельным диодом. Sci. Репутация 9 , 18125 (2019).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 36.

    Шарма А., Сингх В., Бугер Т. Л. и Кола Б. А. Оптическая ректенна из углеродных нанотрубок. Нат. Nanotechnol. 10 , 1027–1032 (2015).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 37.

    Davids, P. S. et al. Инфракрасное выпрямление в туннельном диоде металл-оксид-полупроводник с наноантенной связью. Нат. Nanotechnol. 10 , 1033–1038 (2015).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 38.

    Уорд, Д. Р., Хюзер, Ф., Паули, Ф., Куэвас, Дж. К. и Нательсон, Д. Оптическое выпрямление и усиление поля в плазмонной нанощели. Нат. Nanotechnol. 5 , 732–736 (2010).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 39.

    Ariyoshi, S. et al. Терагерцовая визуализация с помощью прямого детектора на сверхпроводящих туннельных переходах. Заявл. Phys. Lett. 88 , 203503 (2006).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 40.

    Vischi, F. et al. Электронное охлаждение с помощью туннельных переходов графен-диэлектрик-сверхпроводник для приложений в быстрой болометрии. Phys. Rev. Appl. 13 , 054006 (2020).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 41.

    Lee, G.-H. и другие. Микроволновый болометр на джозефсоновском переходе на основе графена. Природа 586 , 42–46 (2020).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 42.

    Чакраборти, А. и Саркар, А. Исследование аналоговых / радиочастотных характеристик полевых транзисторов с туннельным туннелированием на основе нанопроволок. Микроструктура сверхрешеток. 80 , 125–135 (2015).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 43.

    Рыжий В., Шур М.С. Резонансный детектор терагерцового диапазона, использующий плазменные колебания в двумерной электронной системе с боковым переходом Шоттки. Jpn. J. Appl. Phys. 45 , L1118 – L1120 (2006).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 44.

    Макканн Э., Фалько В. И. Вырождение уровня Ландау и квантовый эффект Холла в бислое графита. Phys. Rev. Lett. 96 , 086805 (2006).

    ADS PubMed Статья CAS Google Scholar

  • 45.

    Zhang, Y. et al. Прямое наблюдение широко настраиваемой запрещенной зоны в двухслойном графене. Природа 459 , 820–823 (2009).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 46.

    Banszerus, L. et al. Заданные затвором двойные электронно-дырочные точки в двухслойном графене. Nano Lett. 18 , 4785–4790 (2018).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 47.

    Eich, M. et al. Связанные квантовые точки в двухслойном графене. Nano Lett. 18 , 5042–5048 (2018).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 48.

    Eich, M. et al. Спиновые и долинные состояния в квантовых точках двухслойного графена, заданных затвором. Phys. Ред. X 8 , 031023 (2018).

    CAS Google Scholar

  • 49.

    Кретинин А.В. и др. Электронные свойства графена, заключенного в различные двумерные атомные кристаллы. Nano Lett. 14 , 3270–3276 (2014).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 50.

    Зибров А.А. и др.Перестраиваемые взаимодействующие составные фермионные фазы на наполовину заполненном уровне Ландау двухслойного графена. Природа 549 , 360–364 (2017).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 51.

    Spirito, D. et al. Высокопроизводительные детекторы терагерцового диапазона на двухслойном графене. Заявл. Phys. Lett. 104 , 061111 (2014).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 52.

    Bandurin, D.A. et al. Двойное происхождение фотоотклика суб-терагерцового диапазона при комнатной температуре в графеновых полевых транзисторах. Заявл. Phys. Lett. 112 , 141101 (2018).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 53.

    Райх М., Рузин И. Флуктуации прозрачности случайно-неоднородных барьеров конечной площади. Сов. Phys. ЖЭТФ 65 , 1273–1282 (1987).

    Google Scholar

  • 54.

    Алымов Г., Вюрков В., Рыжий В., Свинцов Д. Резкое переключение тока в двухслойных туннельных графеновых транзисторах, вызванное особенностями Ван Хова. Sci. Отчетность 6 , 24654 (2016).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 55.

    Петросян С., Шик А. Ю. Контактные явления в низкоразмерных электронных системах. Ж. Эксп. Теор. Физ. 69 , 1261 (1989).

    Google Scholar

  • 56.

    Смит А. Д., Тинкхэм М. и Скочпол В. Дж. Новый термоэлектрический эффект в туннельных переходах. Phys. Ред. B 22 , 4346–4354 (1980).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 57.

    Bauer, M. et al. Высокочувствительный терагерцовый детектор AlGaN / GaN HEMT со встроенной широкополосной антенной-бабочкой. IEEE Trans.Terahertz Sci. Technol. 9 , 430–444 (2019).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 58.

    Санчес А., Дэвис К. Ф., Лю К. С. и Джаван А. Туннельный диод MOM: теоретическая оценка его характеристик в микроволновом и инфракрасном диапазонах. J. Appl. Phys. 49 , 5270–5277 (1978).

    ADS Статья Google Scholar

  • 59.

    Kim, S. et al. Туннельный полевой транзистор с черным фосфором с регулируемой толщиной для маломощных переключателей. Нат. Nanotechnol. 15 , 203–206 (2020).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 60.

    Gandhi, R., Chen, Z., Singh, N., Banerjee, K. & Lee, S. Вертикальные Si-нанопроволоки n туннельные полевые транзисторы типа с низким подпороговым размахом (≤ 5 0 м V / d e c a d e ) при комнатной температуре. IEEE Electron. Dev. Lett. 32 , 437–439 ​​(2011).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 61.

    Шукла Н. и др. Крутой транзистор на основе резкого электронного фазового перехода. Нат. Commun. 6 , 1–6 (2015).

    Google Scholar

  • 62.

    Si, M. et al. Крутая отрицательная емкость без гистерезиса MoS 2 транзисторов. Нат. Nanotechnol. 13 , 24–28 (2018).

    ADS CAS PubMed Статья Google Scholar

  • 63.

    Datta, S. Электронный транспорт в мезоскопических системах (Cambridge University Press, 1997).

  • 64.

    Castro, E. V. et al. Электронные свойства смещенного бислоя графена. J. Phys. Конденс. Дело 22 , 175503 (2010).

    ADS PubMed Статья CAS Google Scholar

  • 65.

    Максвелл, Дж. К. Трактат об электричестве и магнетизме , Vol. 1, ст. 202 (Clarendon Press, 1873).

  • Справка по назначению полевых транзисторов (FET) и Справка по домашнему заданию по полевым транзисторам (FET)

    Знать процессы электропроводности с функциями полевого транзистора

    Очень важно отметить, что в области электронной техники определенные машины, проводящие электричество, играют огромную роль.Это в первую очередь потому, что все расчеты, сделанные на этих машинах, важны, и, следовательно, качество этих машин должно быть очень высоким.

    Для студентов, которые хотят узнать больше об этой области машиностроения и ее потребностях, важно, чтобы они следовали руководству, которое помогло бы им создавать более качественный продукт. В этом отношении лучше всего проверить Полевой транзистор Homework Help (FET) , чтобы получить представление о работе этой машины и ее различных эффектах.

    Использование этого станка:

    Униполярные транзисторы, также известные как полевые транзисторы, представляют собой машины, которые используют электрическое поле для управления формой этого поля и, таким образом, электрической проводимостью канала, в котором только один тип заряда переносится в материале, представляющем собой полу- проводник электричества. Этот транзистор используется в ряде экспериментов, проводимых в этой области электротехники.

    Особая осторожность при изготовлении этой машины:

    Следовательно, можно очень хорошо видеть, что он обычно несет электрический заряд одного типа, гарантируя отсутствие шанса разрыва электрических зарядов.Следовательно, при создании этого типа транзистора студенты должны быть очень осторожны с различными материалами, которые будут использоваться, и с тем, как весь этот процесс осуществляется.

    Чтобы упростить эту работу, можно, конечно, проверить Справка по назначению полевых транзисторов (FET) , которая поможет в предоставлении подробного отчета об этом процессе его создания и его работе.

    Проблемы, связанные с этим:

    Студенты обычно застревают в том, как проводится весь этот процесс.Те студенты, которые хотят получить лучшее представление, должны следовать руководству, чтобы преодолеть серьезные препятствия.

    С помощью руководств, таких как Полевой транзистор Помощь по домашнему заданию (FET) , можно не только решить их проблемы, связанные с недостатком знаний об обслуживании этой машины, но и помочь им в дальнейшем развитии знаний в этой области.

    Обязательно, чтобы учащиеся, желающие заняться этим предметом, должны были получить представление из справки по назначению полевых транзисторов (FET) (FET) относительно внутренних аспектов этой машины, процесса, для которого она будет использоваться, как весь этот производственный процесс должен принимать во внимание.Следовательно, перед тем, как сделать решительный шаг, студенты хорошо подготовлены.

    Наши услуги:

    Мы в myhomeworkhelp.com следим за тем, чтобы наши руководства и услуги всегда были рядом, чтобы помочь студентам на каждом этапе.

    • Наши руководства подготовлены обученными профессионалами, которые следят за тем, чтобы каждая деталь была хорошо объяснена. С помощью справки по домашнему заданию (FET) на полевом транзисторе , можно быть уверенным, что учащиеся могут получить разъяснения по всем их вопросам, и, следовательно, они могут получить новое понимание этого предмета.
    • Наши учителя работают круглосуточно и без выходных, чтобы помочь студентам ответить на все их вопросы.
    • Мы известны своей своевременной доставкой и безошибочной работой.
    • Наши услуги чрезвычайно доступны.

    Таким образом, с помощью руководства, такого как Справка по назначению полевых транзисторов (FET) с сайта myhomeworkhelp.com, можно, несомненно, получить полное удовлетворение.

    Kia Soul: Проверка полевого транзистора (FATC) — воздуходувка

    1.

    Включите зажигание.

    2.

    Вручную поверните переключатель управления и измерьте напряжение вентиляторный двигатель.

    3.

    Выберите контрольный переключатель, чтобы поднять напряжение до высокой скорости.

    Сегмент
    Напряжение ручного вентилятора (В)
    КОНДИЦИОНЕР ВКЛ
    Кондиционер ВЫКЛ.
    1
    3.8
    3,4
    2
    4,5
    4,5
    3
    5,8
    5,8
    4
    7,0
    7,0
    5
    8,6
    8,6
    6
    9.8
    9,8
    7
    11,3
    11,3
    8
    Аккумулятор (+)

    1.

    Если измеренное напряжение не соответствует спецификации, замените с заведомо исправным полевым транзистором и проверьте правильность работы.

    2.

    Замените полевой транзистор, если будет установлено, что проблема с этим.

    См. Также:

    Выбор режима
    Кнопка выбора режима управляет направлением воздушного потока через вентиляционная система. Выходное отверстие для воздушного потока преобразовано следующим образом: См. Рисунок в «Руководстве по …

    Требования к топливу
    Ваш новый автомобиль Kia предназначен для использования только неэтилированного бензина с октановым числом в насосе. номер ((R + M) / 2) 87 (октановое число по исследованиям 91) или выше.Ваш новый автомобиль разработан для достижения максимальной производительности …

    Технические характеристики
    Головное устройство AVN Элемент Спецификация Источник питания 14,4 В постоянного тока отрицательное заземление Темный ток Максимум. 0,5 мА (только головное устройство) (Когда AC …

    Mazda 3 Service Manual — Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (Power Mos Fet) Снятие / установка [Полностью автоматический кондиционер]

    Mazda 3 Service Manual / HVAC / A / C / Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (Power Mos Fet) Снятие / установка [Полностью автоматический кондиционер]

    1.Отсоедините отрицательный провод аккумуляторной батареи.

    2. Снимите нижнюю крышку панели приборов.

    3. Отсоедините разъем.

    4. Выверните винт.

    5. Снимите силовой МОП-транзистор.

    6. Установите в порядке, обратном снятию.

    Снятие / установка ресивера / осушителя
    МЗР 2,0, МЗР 2,5, SKYACTIV-G 2,0 1. Отсоедините отрицательный провод аккумуляторной батареи. 2. Слейте хладагент. 3. Снимите аэродинамическую нижнюю крышку No.2 .. 4. Снимите аэродинамическую нижнюю крышку № …
    Другие материалы:

    Снятие / установка Проверки передней двери
    1. Полностью закройте стекло передней двери. 2. Отсоедините отрицательный провод аккумуляторной батареи. 3. Снимите внутреннюю отделку .. 4. Снять обшивку передней двери. 5. Снимите динамик передней двери. 6. Выверните болт A. 7. Снимите болты B. 8. Вытащить шашку передней двери из переднего динамика …

    Стеклоочиститель заднего стекла и Шайба
    Зажигание должно быть включено для использования дворник.Стеклоочиститель заднего стекла Включите дворник, повернув задний переключатель стеклоочистителя / омывателя Омыватель заднего стекла Чтобы распылить омывающую жидкость, поверните задний стеклоочиститель / переключатель омывателя в положение. После выключатель отпущен, шайба остановится. Если бы …

    Снятие / установка накладки на наружное зеркало
    1. Отсоедините отрицательный провод аккумуляторной батареи. 2. Снимите стекло наружного зеркала с внешнего зеркала. 3. Сожмите видимый конец выступа и отпустите выступ, нажав по направлению к передней части автомобиля (3 точки).4. Возьмитесь за верхнюю часть декоративной накладки наружного зеркала и снимите ее …

    .

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *