Sr 260 диод чем заменить: «Sr 260 диод чем заменить?» – Яндекс.Кью

Содержание

Принцип работы диода. Вольт-амперная характеристика. Пробои p-n перехода

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. В первой части статьи мы с Вами разобрались, что такое полупроводник и как возникает в нем ток. Сегодня мы продолжим начатую тему и поговорим о принципе работы полупроводниковых диодов.

Диод – это полупроводниковый прибор с одним p-n переходом, имеющий два вывода (анод и катод), и предназначенный для выпрямления, детектирования, стабилизации, модуляции, ограничения и преобразования электрических сигналов.

По своему функциональному назначению диоды подразделяются на выпрямительные, универсальные, импульсные, СВЧ-диоды, стабилитроны, варикапы, переключающие, туннельные диоды и т.д.

Теоретически мы знаем, что диод в одну сторону пропускает ток, а в другую нет. Но как, и каким образом он это делает, знают и понимают не многие.

Схематично диод можно представить в виде кристалла состоящего из двух полупроводников (областей). Одна область кристалла обладает проводимостью

p-типа, а другая — проводимостью n-типа.

На рисунке дырки, преобладающие в области p-типа, условно изображены красными кружками, а электроны, преобладающие в области n-типа — синими. Эти две области являются электродами диода анодом и катодом:

Анод – положительный электрод диода, в котором основными носителями заряда являются дырки.

Катод – отрицательный электрод диода, в котором основными носителями заряда являются электроны.

На внешние поверхности областей нанесены контактные металлические слои, к которым припаяны проволочные выводы электродов диода. Такой прибор может находиться только в одном из двух состояний:

1. Открытое – когда он хорошо проводит ток;
2. Закрытое – когда он плохо проводит ток.

Прямое включение диода. Прямой ток.

Если к электродам диода подключить источник постоянного напряжения: на вывод анода «плюс» а на вывод катода «минус», то диод окажется в открытом состоянии и через него потечет ток, величина которого будет зависеть от приложенного напряжения и свойств диода.

При такой полярности подключения электроны из области n-типа устремятся навстречу дыркам в область p-типа, а дырки из области p-типа двинутся навстречу электронам в область n-типа. На границе раздела областей, называемой электронно-дырочным

или p-n переходом, они встретятся, где происходит их взаимное поглощение или рекомбинация.

Например. Oсновные носители заряда в области n-типа электроны, преодолевая p-n переход попадают в дырочную область p-типа, в которой они становятся неосновными. Ставшие неосновными, электроны будут поглощаться основными носителями в дырочной области – дырками. Таким же образом дырки, попадая в электронную область n-типа становятся неосновными носителями заряда в этой области, и будут также поглощаться основными носителями – электронами.

Контакт диода, соединенный с отрицательным

полюсом источника постоянного напряжения будет отдавать области n-типа практически неограниченное количество электронов, пополняя убывание электронов в этой области. А контакт, соединенный с положительным полюсом источника напряжения, способен принять из области p-типа такое же количество электронов, благодаря чему восстанавливается концентрация дырок в области p-типа. Таким образом, проводимость p-n перехода станет большой и сопротивление току будет мало, а значит, через диод будет течь ток, называемый прямым током диода Iпр.

Обратное включение диода. Обратный ток.

Поменяем полярность источника постоянного напряжения – диод окажется в

закрытом состоянии.

В этом случае электроны в области n-типа станут перемещаться к положительному полюсу источника питания, отдаляясь от p-n перехода, и дырки, в области p-типа, также будут отдаляться от p-n перехода, перемещаясь к отрицательному полюсу источника питания. В результате граница областей как бы расширится, отчего образуется зона обедненная дырками и электронами, которая будет оказывать току большое сопротивление.

Но, так как в каждой из областей диода присутствуют неосновные носители заряда, то небольшой обмен электронами и дырками между областями происходить все же будет. Поэтому через диод будет протекать ток во много раз меньший, чем прямой, и такой ток называют

обратным током диода (Iобр). Как правило, на практике, обратным током p-n перехода пренебрегают, и отсюда получается вывод, что p-n переход обладает только односторонней проводимостью.

Прямое и обратное напряжение диода.

Напряжение, при котором диод открывается и через него идет прямой ток называют прямым (Uпр), а напряжение обратной полярности, при котором диод закрывается и через него идет обратный ток называют обратным (Uобр).

При прямом напряжении (Uпр) сопротивление диода не превышает и нескольких десятков Ом, зато при обратном напряжении (Uобр) сопротивление возрастает до нескольких десятков, сотен и даже тысяч килоом. В этом не трудно убедиться, если измерить обратное сопротивление диода омметром.

Сопротивление p-n перехода диода величина не постоянная и зависит от прямого напряжения (Uпр), которое подается на диод. Чем больше это напряжение, тем меньшее сопротивление оказывает p-n переход, тем больший прямой ток Iпр течет через диод. В закрытом состоянии на диоде падает практически все напряжение, следовательно, обратный ток, проходящий через него мал, а сопротивление p-n перехода велико.

Например. Если включить диод в цепь переменного тока, то он будет открываться при положительных полупериодах на аноде, свободно пропуская

прямой ток (Iпр), и закрываться при отрицательных полупериодах на аноде, почти не пропуская ток противоположного направления – обратный ток (Iобр). Эти свойства диодов используют для преобразования переменного тока в постоянный, и такие диоды называют выпрямительными.

Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода.

Зависимость тока, проходящего через p-n переход, от величины и полярности приложенного к нему напряжения изображают в виде кривой, называемой вольт-амперной характеристикой диода.

На графике ниже изображена такая кривая. По вертикальной оси в верхней части обозначены значения прямого тока (Iпр), а в нижней части — обратного тока (

Iобр).
По горизонтальной оси в правой части обозначены значения прямого напряжения Uпр, а в левой части – обратного напряжения (Uобр).

Вольт-амперная характеристика состоит как бы из двух ветвей: прямая ветвь, в правой верхней части, соответствует прямому (пропускному) току через диод, и обратная ветвь, в левой нижней части, соответствующая обратному (закрытому) току через диод.

Прямая ветвь идет круто вверх, прижимаясь к вертикальной оси, и характеризует быстрый рост прямого тока через диод с увеличением прямого напряжения.
Обратная ветвь идет почти параллельно горизонтальной оси и характеризует медленный рост обратного тока. Чем круче к вертикальной оси прямая ветвь и чем ближе к горизонтальной обратная ветвь, тем лучше выпрямительные свойства диода.

Наличие небольшого обратного тока является недостатком диодов. Из кривой вольт-амперной характеристики видно, что прямой ток диода (Iпр) в сотни раз больше обратного тока (Iобр).

При увеличении прямого напряжения через p-n переход ток вначале возрастает медленно, а затем начинается участок быстрого нарастания тока. Это объясняется тем, что германиевый диод открывается и начинает проводить ток при прямом напряжении 0,1 – 0,2В, а кремниевый при 0,5 – 0,6В.

Например. При прямом напряжении Uпр = 0,5В прямой ток

Iпр равен 50mA (точка «а» на графике), а уже при напряжении Uпр = 1В ток возрастает до 150mA (точка «б» на графике).

Но такое увеличение тока приводит к нагреванию молекулы полупроводника. И если количество выделяемого тепла будет больше отводимого от кристалла естественным путем, либо с помощью специальных устройств охлаждения (радиаторы), то в молекуле проводника могут произойти необратимые изменения вплоть до разрушения кристаллической решетки. Поэтому прямой ток p-n перехода ограничивают на уровне, исключающем перегрев полупроводниковой структуры. Для этого используют ограничительный резистор, включенный последовательно с диодом.

У полупроводниковых диодов величина прямого напряжения

Uпр при всех значениях рабочих токов не превышает:
для германиевых — 1В;
для кремниевых — 1,5В.

При увеличении обратного напряжения (Uобр), приложенного к p-n переходу, ток увеличивается незначительно, о чем говорит обратная ветвь вольтамперной характеристики.
Например. Возьмем диод с параметрами: Uобр max = 100В, Iобр max = 0,5 mA, где:

Uобр max – максимальное постоянное обратное напряжение, В;
Iобр max – максимальный обратный ток, мкА.

При постепенном увеличении обратного напряжения до значения 100В видно, как незначительно растет обратный ток (точка «в» на графике). Но при дальнейшем увеличении напряжения, свыше максимального, на которое рассчитан

p-n переход диода, происходит резкое увеличение обратного тока (пунктирная линия), нагрев кристалла полупроводника и, как следствие, наступает пробой p-n перехода.

Пробои p-n перехода.

Пробоем p-n перехода называется явление резкого увеличения обратного тока при достижении обратным напряжением определенного критического значения. Различают электрический и тепловой пробои p-n перехода. В свою очередь, электрический пробой разделяется на туннельный и лавинный пробои.

Электрический пробой.

Электрический пробой возникает в результате воздействия сильного электрического поля в p-n переходе. Такой пробой является обратимый, то есть он не приводит к повреждению перехода, и при снижении обратного напряжения свойства диода сохраняются. Например. В таком режиме работают стабилитроны – диоды, предназначенные для стабилизации напряжения.

Туннельный пробой.

Туннельный пробой происходит в результате явления туннельного эффекта, который проявляется в том, что при сильной напряженности электрического поля, действующего в p-n переходе малой толщины, некоторые электроны проникают (просачиваются) через переход из области p-типа в область n-типа без изменения своей энергии. Тонкие p-n переходы возможны только при высокой концентрации примесей в молекуле полупроводника.

В зависимости от мощности и назначения диода толщина электронно-дырочного перехода может находиться в пределах от 100 нм (нанометров) до 1 мкм (микрометр).

Для туннельного пробоя характерен резкий рост обратного тока при незначительном обратном напряжении – обычно несколько вольт. На основе этого эффекта работают туннельные диоды.

Благодаря своим свойствам туннельные диоды используются в усилителях, генераторах синусоидальных релаксационных колебаний и переключающих устройствах на частотах до сотен и тысяч мегагерц.

Лавинный пробой.

Лавинный пробой заключается в том, что под действием сильного электрического поля неосновные носители зарядов под действием тепла в p-n переходе ускоряются на столько, что способны выбить из атома один из его валентных электронов и перебросить его в зону проводимости, образовав при этом пару электрон — дырка. Образовавшиеся носители зарядов тоже начнут разгоняться и сталкиваться с другими атомами, образуя следующие пары электрон – дырка. Процесс приобретает лавинообразный характер, что приводит к резкому увеличению обратного тока при практически неизменном напряжении.

Диоды, в которых используется эффект лавинного пробоя используются в мощных выпрямительных агрегатах, применяемых в металлургической и химической промышленности, железнодорожном транспорте и в других электротехнических изделиях, в которых может возникнуть обратное напряжение выше допустимого.

Тепловой пробой.

Тепловой пробой возникает в результате перегрева p-n перехода в момент протекания через него тока большого значения и при недостаточном теплоотводе, не обеспечивающем устойчивость теплового режима перехода.

При увеличении приложенного к p-n переходу обратного напряжения (Uобр) рассеиваемая мощность на переходе растет. Это приводит к увеличению температуры перехода и соседних с ним областей полупроводника, усиливаются колебания атомов кристалла, и ослабевает связь валентных электронов с ними. Возникает вероятность перехода электронов в зону проводимости и образования дополнительных пар электрон — дырка. При плохих условиях теплоотдачи от p-n перехода происходит лавинообразное нарастание температуры, что приводит к разрушению перехода.

На этом давайте закончим, а в следующей части рассмотрим устройство и работу выпрямительных диодов, диодного моста.
Удачи!

Источник:

1. Борисов В.Г — Юный радиолюбитель. 1985г.
2. Горюнов Н.Н. Носов Ю.Р — Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений. 1968г.

Радиодетали, запчасти для радиостанций Motorola

Радиодетали, запчасти для радиостанций Motorola Просим направлять запросы на требуемые радиокомпоненты. 1. 01015026001 Комплект для напольного монтажа базовой станции MTS2/MTS4 2. 0104018J54 Плата клавиатуры для Waris 3. 0104018J78 Шлейф 4. 0104020J41 Плата клавиатуры 5. 0104020J46 Плата клавиатуры GP серии 6. 0104022J27 Плата клавиатуры 7. 0104022J62 Выходной усилитель мощности 8. 0104022J63 Модуль UHF2 EPP (замена 0186438Z02) 9. 0104027J70 PA ASSEMBLY, VHF 10. 0104031G98 Передняя панель корпуса 11. 0104043J28 Гибкий шлейф 12. 0104043J76 Гибкий шлейф 13. 0104780J04 Шлейф передней панели р/с GP680 14. 0105958T75 Транзистор MRF1570 15. 0116541H01 Переключатель МТН800 в сборе 16. 0180117S05 Антенный разъём для GP-340 17. 0180300E25 Ушная накладка для фиксации вкладыша гарнитуры на ухе 18. 0180305h30 Кабель эмулятора АКБ 19. 0180305K08EPP Эмулятор АКБ, устройство для подключения радиостанции к источнику питания 20. 0180358A25 Кабель компьютерный 21. 0180417C01 Аксессуарный разьем GP300 внутренний 22. 0180702Y88 Шасси GP300, включая плату стыковки АКБ 23. 0180706Y46 Шнур микрофона для HMN9030 24. 0186237Z02 Гибкий соединительный шлейф 25. 0186438Z04 Усилитель (замена 0186438Z01) 26. 0186638Z03 Динамик для CP040 27. 0186639Z03 Микрофон 28. 0186655Z02 Клавиатура СР180 (замена 7586654Z03) 29. 0187959V09 Передняя панель для MTP850 30. 0188809V36 Разъём аксессуаров МТН800 31. 0188809V42 Задняя панель MTH800 в сборе 32. 0189484U01 Кабель для подключения питания 33. 02012016001 Гайка переключателя каналов к р/с АРХ2000

34. 0280519Z01 Антенное крепление 35. 0280519Z06 Антенное крепление GP-Series 36. 0286427Z02 Гнездо для антенны (резьбовая часть) 37. 0304726J04 Винт 38. 0310911A30 Винт M4X0.7X16 39. 0378212A02 Винт платы клавиатуры 40. 0385944A02 Винт (7мм) TRIBOLULAR 41. 0386104Z04 Винт крепления экрана и платы к шасси 42. 0386434Z02 держатель динамика 43. 0402838X01 Шайба 44. 0613959Q25 Резистор 45. 0662057C19 Резистор 4,7 Ом 46. 0680149M02 Резистор 100 ком 47. 0680194M01 Резистор 10 Ом 1 Вт 5% 48. 0680194M18 Резистор 49. 0682089V01 Резистор 50. 0786099B01 Рамка ЖК дисплея 51. 0786433Z02 фиксатор динамика CP040 52. 0786469Z01 Уплотнитель микрофона для CP040 53. 0787502V52 Держатель дисплея МТН800 54. 0789623U01 Держатель дисплея СМ160/360 55. 0882422W23 Конденсатор высокодобротный с малыми токами утечки 1 мкф 56. 0902636Y02 Разъем 57. 0905901V02 Антенный разъем BNC GM350 58. 0905902V04 Разъем питания 59. 0908353Y02 Гнездо микрофона на передней панели 60. 0909059E18 Шлейф для подключения модуля ST-865M7 61. 0915064H02 Разъем внутренний GP680 (замена 0905505Y02) 62. 0915064H03 Разъем 40 штырьков 63. 0915184H01 РАЗЪЕМ, контакт батарейный 64. 0915558H01 Разъем 11-ти контактный 65. 0966512A01 Коннектор (20 POS 0,64 SQ CONNECTOR) 66. 0970312L03 40-ка контактный переходник 67. 0980131M01 ВЧ-разъем GM300 68. 0980255E01 Разъем питания для GM300 69. 0980521Z03 Разъем для радиостанции 70. 0980683Z01 Аудио разъем 71. 0980683Z03 Коннектор CP040 72. 0980688Z01 Разъем для Р040

73. 0980689Z01 Разъем для Р040 74. 0980727Z01 Шлейф для динамика микрофона Р040 75. 0985613Z01 Разъём высокочастотный 76. 0986165B04 Разъём питания для GM радиостанций профессиональной серии 77. 0986166B01 Антенный разъем BNC GM300 Series 78. 0986166B02 Антенный разъём для GM серии, LowBand и VHFдиапазона 79. 0986237A02 Контакты для подсоединения аккумулятора в серии радиостанций WARIS 80. 0986428Z01 антенный разъём для СР 140 81. 0986428Z02 антенный разъём для СР-серии (замена…z01) 82. 0986565Z02 Контакт коннектора аккумулятора CP180 83. 1302012P06 Деталь корпуса 84. 1364279B02 Наклейка GP320 85. 1364279B03 Наклейка GP340 86. 1364279B04 Наклейка для радиостанции 87. 1364279B06 Наклейка с надписью для GP640 88. 1364279B07 Наклейка фронтальная для GP680 89. 1380159S01 Держатель клавиши PTT для GP300 90. 1380507B04 Наклейка на верхнюю часть корпуса радиостанции GP300 с указанием количества каналов 91. 1380525Z01 Шильдик (пластмассовый с номерами каналов для носимой радиостанции) 92. 1380525Z02 Накладка верхняя 93. 1380525Z03 Верхняя накладка 94. 1380528Z01 Шильдик Bezel Side Connector 95. 1380528Z03 планка РТТ GP320 (замена 1380528Z02) 96. 1380992Z03 Фронтальная наклейка для GP-300 97. 1385149D01 Клавиша резиновая 98. 1385620Z02 Шильдик, указатель положения ручки 99. 1385905Z01 Шильдик указателя каналов 100. 1386058A01 Липучка интерфейсного разъёма 101. 1386091Z01 Держатель клавиши РТТ 102. 1386324Z01 Накладка РТТ 103. 1386440Z01 Верхняя накладка селектора каналов 104. 1386440Z02 Верхняя накладка селектора каналов 105. 1386440Z03 Указатель каналов CP180 106. 1388526V01 Рамка клавиши PTT для MTP850 107. 1480577C01 Уплотнитель микрофона для радиостанции 108. 1485673Z01 Крышка антенного разъема 109. 1485924Z01 Изолятор клавиатуры 110. 15012130001 Передняя панель радиостанции

111. 15012140001 Крышка пластмассовая 112. 15012157001 Защитная крышка гнезда подключения аксессуаров 113. 1502455Y05 Задняя крышка корпуса 114. 1502609Y01 Крышка корпуса 115. 1505579Z01 Заглушка аксессуарного разъема 116. 1505637V04 Передняя панель корпуса 117. 1516174H01 Аксессуарный разъем для радиостанций ТЕТРА МТМ5000 118. 1564270B01 Заглушка для Databox 119. 1580562C01 Панель передняя для GP300 без клавиатуры 120. 1580666Z03 Передняя панель для GP340 121. 1580666Z06 Корпус GP320 122. 1580922V01 Сервисный разъем 123. 1586086B01 Передняя панель мобильной радиостанции GM340 124. 1586088B01 Передняя панель 125. 1586088Z01 Передняя панель для GP688 126. 1586156Z01 Фронтальная крышка (базовая) GP644 127. 1586184B01 Коннектор 20 pin 128. 1586335Z01 Корпус радиостанции 129. 1586335Z02 Корпус для GP680 130. 1586335Z03 Корпус для GP640 131. 1586335Z12 Передняя панель для GP680 132. 1586390Z01 Корпус для СР040 133. 1586391Z01 Корпус для СР140 134. 1586391Z03 Корпус СР 180 135. 1586437Z02 Колпачок аудиоштеккера СР серии 136. 1587949V14 Заглушка аудиоразъема 137. 1589224U01 Пластиковый кожух передачика СМ140 138. 1589332U01 Пластиковй корпус передней панели СМ140 139. 1589333U01 Передняя панель для CM160/360 140. 1866500A02 Регулятор громкости (замена 1805911V02, 1866500A01) 141. 1880143S05 Регулятор громкости для GP300 142. 1880619Z06 Регулятор громкости (замена 1880619Z01 и 1880619Z02) 143. 1885724L01 Регулятор громкости для GM300 144. 1886009Z01 Регулятор громкости 145. 1889288U01 Регулятор громкости CM 146. 2111078B31 Конденсатор бескорпусный, 100В 147. 2111078B33 Конденсатор 148. 2111078B35 конденсатор для GM300 149. 2111078B36 конденсатор для GM300

150. 2111078B38 Конденсатор 68 pf 100V 151. 2111078B54 Конденсатор выходного каскада GM-300 300pF 152. 2113740F51 Конденсатор 100 пф 153. 2113741F25 Конденсатор 154. 2180060M31 конденсатор 33.0 5 500V 155. 2180060M38 конденсатор 62.0 5 500V 156. 2180060M49 конденсатор 180.0 5 100V 157. 2311049A45 Танталовый чип-конденсатор GM-350 158. 2311049C01 Конденсатор 159. 2311049C06 Конденсатор входного фильтра для GM-серии 160. 2380090M24 Конденсатор 10мкФ 50В GM350 161. 2462587Q42 Индуктивность 162. 2480640Z01 Феритовое кольцо 163. 25012006001 Сетевой адаптер для ЗУ PMLN5192 21В 164. 27012020002 Шасси 165. 2780518Z06 Шасси для GP 340 166. 2786216B02 Шасси радиостанции GM340 167. 2804503J02 разъем аксессуарный LCS (вместо снятого с производства 2804503J01) 168. 2805924V01 Разъем для подключения тангенты GM350 169. 2815696H01 Антенный разъём для DP3ххх серии (SMA) 170. 2864287B01 Микрофонный разъём GM-серии 171. 2880376E84 Разъем mini UHF коннектор 172. 2880658Z03 Антенный разъем для МРТ700 173. 2880923V01 Разъем 16 PIN аксессуарный на плату Motorola GM300 174. 2886122B03 Аксессуарный разъем 175. 2886130B01 Разъем GM-160 176. 2886130B02 Разъем GM-160 177. 2889309U03 ВЧ контакт 178. 2984249N01 PIN сервисного разъема 179. 3004209T01 Шнур сетевой Euro 180. 3015634H02 Гибкий соединительный шлейф 181. 3015638H01 Шлейф передней Панели DM-3000 серия 182. 3075336B07 запасной шнур к микрофону RMN5052 183. 3080560D01 Кабель динамика 184. 3082056X02 Кабель для программирования MTR2000 185. 3083908X02 Кабель-адаптер 186. 3089305U01 соединительный кабель от передней панела к основной плате р/ст 187. 32012150001 Уплотнитель разъема АКБ 188. 32012152001 Уплотнительное кольцо

189. 32012156001 Уплотнитель 190. 3202000P15 Уплотнитель 191. 3202607Y01 Крышка узла соединителя 192. 3202620Y01 Уплотнитель передней панели GM Series 193. 3215181H01 уплотнительное кольцо DP Series 194. 3216389H01 Пыльник микрофона 195. 3271570L01 Уплотнитель регулятора громкости для р/ст MTRBO носимые 196. 3280533Z04 Уплотнитель 197. 3280533Z05 Герметик верхней панели 198. 3280534Z01 Уплотнительная резинка батарейных контактов Karisma 199. 3280536Z01 Уплотнитель О-кольца 200. 3280545C01 Уплотнитель корпуса GP300 201. 3280722Z01 Уплотнитель 202. 3285892Z01 Уплотнительное кольцо 203. 3286406Z01 Уплотнительное кольцо 204. 3286431Z02 Уплотнитель резинка шасси CP-series 205. 3286431Z05 Уплотнитель 206. 3286432Z01 Уплотнитель регуляторов громкости и переключения канала СР серии 207. 3286435Z01 Уплотнитель резинка под контакты батареи CP-series 208. 3287842V30 Уплотнитель 209. 33012027001 Защитная накладка на гибкий печатный проводник аксесуарного разъема 210. 3316369H03 Шильдик 211. 3385681Z01 Липкая пленка для 1380525Z01 212. 3385681Z02 Липучка 213. 3385703Z01 Клеящая пленка для пласт. накладки 1385620Z02 214. 3385906Z01 Шильдик 215. 3385959Z07 Шильдик названия модели 216. 3386269Z01 Шильдик для радиостанции 217. 3386409Z04 Шильдик 218. 3386443Z01 наклейка LABEL, ESCUTCHEON SEAL 219. 3386488Z01 Шильдик 220. 3386623Z05 Шильдик названия 221. 3386623Z07 Шильдик 222. 3386625Z01 Шильдик 223. 3387921U12 Наклейка с обозначением модели станции 224. 3516396H01 Микрофон 225. 3580998Z04 FELT 226. 3580998Z05 Защита динамика GP-серии 227. 3585606Z02 Тканевая прокладка под динамик Karisma

228. 3586057A02 Войлок GP-340 229. 3586057A03 Войлочная накладка для защиты динамика от пыли (замена 3586057A02) 230. 3586092Z04 Войлок динамика 231. 3586621Z01 Фетр динамика CP140 232. 3586621Z02 Фетр динамика CP140 233. 36012018001 Ручка регулятора громкости 234. 36012020002 Ручка 235. 3605422W02 Резиновый колпачок 236. 3615204H01 Ручка переключения каналов для радиостанций DP серии 237. 3615205H01 Ручка регулятора громкости для DP3400/3600 238. 3616060H01 Ручка регулировки громкости 239. 3671816L01 Ручка переключения частотных каналов 240. 3680146S03 Ручка регулятора громкости 241. 3680147S07 Ручка переключателя каналов16 для GP-300 242. 3680529Z01 Ручка регулятора громкости 243. 3680530Z02 Ручка переключения каналов 16 позиций (замена 3680530Z01) 244. 3686050Z01 Ручка регулятора громкости МТР700 (KNOB, VOLUME) 245. 3686098B02 Ручка регулятора громкости 246. 3687537V02 Крышка узла переключателя МТН800 247. 3687537V05 Ручка переключателя МТН800 248. 3689331U02 Ручка регулятора громкости СМ серия 249. 3786107B01 Фиксатор динамика в передней панели 250. 3805296S01 кнопка PTT P110 251. 3880428C02 Заглушка аксессуарного разьема GP300 252. 3885617Z02 Колпачок пылезащитный для P-серии 253. 3886134B03 Кнопка P01 254. 3886134B04 Кнопка P02 255. 3886134B05 Кнопка P03 256. 3886134B06 Кнопка P04 257. 3886441Z02 Резинка CP серии 258. 3886489Z02 Резинка кнопки РТТ (+функциональные клавиши СР серии) 259. 3887998U03 Клавиша PTT для MTP850 260. 3887998U07 Заглушка ВЧ разъема 261. 3915560H01 Контакты аксессуарного разъема 262. 3980188R01 Клемма питания для GP300/P110 263. 3980501Z01 Контакт батарейный для GP640-680 264. 3980686Z01 Контакт антенны для Р-серии 265. 3986916T01 Контакт 266. 40012029002 Переключатель каналов

267. 40012056002 Контактная площадка 268. 4015186H02 Регулятор громкости для DP-серии 269. 4015203H06 Переключатель каналов 270. 4070354A01 Кнопка РТТ для СР140 271. 4071276L01 Регулятор громкости 272. 4080164S01 Кнопка PTT 273. 4080447U05 Кнопка РТТ (4080103A03) 274. 4080523Z02 Клавиша РТТ (переключатель), замена 4080523Z01 275. 4080710Z19 Переключатель каналов для радиостанции GP680 276. 4080710Z21 Переключатель каналов Karisma (замена 4080710Z01) 277. 4080710Z25 Переключатель каналов на 16 положений для MTP700 278. 4080710Z26 Переключатель частоты (расширенный параллельный порт) 279. 4080710Z34 Регулятор громкости 280. 4086470Z01 Микропереключатель PTT 281. 4116105H01 Пружина 282. 4205823V01 Клипса для микрофона-громкоговорителя MDPMMN4027 283. 4280190R04 Защелка к корпусу GP-300 284. 4280369E44 EAR MICROPHONE ACCESSORY 285. 4285672Z01 Застежка крышки резинки РТТ GP320 286. 4286266Z01 Держатель клавиатуры 287. 4286410Z01 Держатель динамика для линейки WARIS 288. 4286620Z01 Держатель динамика 289. 4505896U02 Планка клавиши РТТ 290. 4586439Z01 Резинка для РТТ для CP140 291. 4800869618 Транзистор NPN M9618 GM300 292. 4800869619 Транзистор М9619 для GM300 293. 48012043001 Защитный диод для серии GM 294. 48012048002 Транзистор 295. 4802081B49 Транзистор 296. 4802081B58 D3301, D3302 297. 4802245J41 Pin диод для GP640/680 диапазона 300 МГц 298. 4802245J44 Транзистор 299. 4802245J47 Диод защитный для Р/GP серий 300. 4802245J49 Кварц планарный (с опорными контактами, генерирует частоты) 16.8MHZ 301. 4802245J50 Транзистор Q3721 302. 4802245J51 Стабилитрон 6.8в Karisma, GP 303. 4802245J53 Диод защитный 304. 4802245J54 Микросхема 305. 4802245J62 Диод

306. 4802245J84 Кварц 307. 4802393L66 Микросхема полевой ключ 308. 4802482J02 Диод 309. 4804145B02 Выходной транзистор для GM350 1-25 Вт, VHF (взамен снятого 4880225C22) 310. 4805128M19 микросхема 311. 4805128M27 Транзистор (в М-ЗАО в упаковке 5 шт.) 312. 4805218N63 Транзистор 313. 4805656W08 Диод 314. 4805729G49 Микросхема 315. 4805875Z04 Кварц плоский 16,8 МГц 316. 4805921T02 Транзистор 317. 4808379X02 Диод 318. 4809579E18 Ключевой транзистор для портативных р/ст 319. 4809940E02 Транзистор 320. 4813821A09 Транзистор 321. 4813824A10 Транзистор 322. 4813824A13 Транзистор 40V 323. 4813825A05 Диод 324. 4813827A07 Транзистор 325. 4813827A08 Транзистор 326. 4813827A26 Транзистор MRF8372 250мВт для GM350 327. 4813827A36 Транзистор UHF N-CH FET 3W *(взамен снятого с производства 4805847W01) 328. 4813828A11 Транзистор 329. 4813828C32 Транзистор 330. 4813830A14 Стабилитрон 5.1В 331. 4813830A15 Диод GM-Series 332. 4813830A23 Диод 10V 5% 225MW MMBZ5240B 333. 4813830A27 Стабилитрон 14В 334. 4813830A33 Диод 20В 5% на 225 МлВт для СР180 335. 4813830A75 Стабилитрон 336. 4813832B35 Диод для GM350 136-174МГц 4кан 337. 4813832C75 Транзистор 338. 4813833A19 Диод защитный по питанию (на плату) 339. 4813973A13 Транзистор 40В (замена 4813824A17) 340. 4813976A01 Транзистор (замена 4813828A08) 341. 4813976A03 Транзистор выходного каскада GP688 342. 4813976A06 Транзистор 343. 4813979C11 Диод 344. 4813979P10 Диод

345. 4866544A01 Защитный диод 346. 4880113R01 Кварц для GP300 347. 4880114R02 Кварц для GP300 348. 4880114R08 Кварц 349. 4880140L06 Стабилитрон 350. 4880140L15 Стабилистрон 10V 351. 4880141L03 Транзистор 352. 4880214G02 Транзистор для GM300 353. 4880222R01 Диод 28V 110A 15% 90W 354. 4880225C09 Транзистор для GM300 355. 4880225C18 Транзистор УМ ВЧ для GM300 146-174МГц 356. 4880225C19 Транзистор 357. 4880225C24 Транзистор 14-55Вт 400-512МГц 358. 4880225C30 Транзистор 38В 50Вт12A MRF650 359. 4880236E05 Диод 360. 4880236E07 Диод защитный GM300 361. 4880606B09 кварцевый резонатор на 44.395 МГц 362. 4880929U01 Транзистор 363. 4880973Z02 Диод 1.5V 1.2PF 364. 4884411L04 Транзистор выходной УМ ВЧ для GM300 146-174МГц 365. 4884411L07 Транзистор 366. 4886061B01 Резонатор 367. 4886136B01 Транзистор MRF1550 max 55W 368. 4886143B01 Диод 369. 4886163B01 Транзистор MRF1535 max 35W 370. 4886171B01 Cветодиод 5В красный 371. 4886171B03 Cветодиод 5В желтый 372. 4886182B01 VCTCXO 16.8MHZ 2PPM TTS05V 373. 5002236P05 Громкоговоритель GM350 374. 5005156Z02 Динамик GM350/GM600 375. 5005227J07 GP1200 Микрофон 376. 5005256W01 Динамик к GP68 377. 5005589U05 Динамик GP300/GP600 378. 5005679X01 Динамик для GP344/644 379. 5005679X06 Динамик 380. 5005679X08 Динамик 381. 5015027H01 Микрофон (замена 5013920A04) 382. 5015935H01 Динамик для СМ серии 383. 5080258E04 Микрофон тангенты GM300/350

384. 5080258E18 Микрофон 385. 5080370E97 Ушная вставка 386. 5080496Z02 Динамик 22 ohm 5w 387. 5085738Z07 Динамик 388. 5085738Z10 Динамик (взамен 5085962A02) 389. 5085798F09 динамик DP Series 390. 5085880L02 Микрофон для р/станции CP140 391. 5086094Z02 Громкоговоритель GP688 392. 5086126B02 Громкоговоритель GM-Series (замена 5086126B01) 393. 51012101001 Микросхема 394. 5102226J16 Микросхема 395. 5102226J56 Микросхема 396. 5102227J35 Микросхема 397. 5102463J36 Микросхема памяти (32Kx8) 398. 5102463J40 Электронный ключ U400 399. 5102463J44 Транзистор УНЧ 400. 5102463J49 Микросхема 401. 5102463J57 Регулятор для GP-360/680 402. 5102463J58 U3201 для GP-340 403. 5102463J67 Усилитель мощности TDA1519C 404. 5102463J95 Микросхема 405. 5102479J01 Регулятор громкости 406. 5102495J13 Микросхема 407. 5102836C11 Микросхема 408. 5104949J08 ЖК дисплей для р/с KARISMA (Р080) 409. 5104949J09 Дисплей GP680 410. 5104949J19 Дисплей 411. 5104949J20 Модуль LCD дисплея 412. 5104949J21 ЖК-дисплей модуль 413. 5104949J22 Модуль LCD 414. 5105109Z67 Транзистор предварительного усилителя мощности (замена 5185130C65) 415. 5105457W46 Микросхема 416. 5105469E65 Микросхема LP2951 417. 5105625U25 IC 9.3V REG 2941 418. 5105739X05 U3711 для GP-340 419. 5108858K99 Усилитель ЗЧ для СР и Mag One 420. 5109632D83 Микросхема приёмника 421. 5109731C21 Микросхема ОУ 422. 5109781E76 транзистор

423. 5113802A48 Микросхема 424. 5113805A86 Микросхема 425. 5113816A07 Микросхема стабилизатор 5В GM-Series 426. 5113818A01 ОУ CM Series 427. 5113818A03 Микросхема операционного усилителя GM100-Series) 428. 5113819A04 Микросхема МС3303D 429. 5113837A15 Микросхема 430. 5114016A18 Усилитель операционный (IC, OP AMP, 4PER PKG, GP ) 431. 5115026H01 Микросхема 432. 5115062H01 Микросхема ASFIC_CMP 433. 5115281H01 Микросхема приёмного тракта 434. 5115443H02 Малошумящий усилитель DP3000 Series 435. 5164313B02 Модуль LCD 436. 5180056M04 Операционный усилитель для GM300 437. 5180932W01 Операционный усилитель 438. 5183222M49 Микросхема усилителя 439. 5183308X01 Cтаб. 13.8В GM-Series 440. 5185143E77 BGA Микросхема управления питанием (радиостанции DM3xxx) 441. 5185177Y01 Микросхема синтезатора WARIS 442. 5185765B26 Микросхема ЦАП синтезатора (на замену 5185765B01 и 5185765B28) 443. 5185794L01 Микросхема усилителя 444. 5185963A21 Микросхема 445. 5187970L15 Микросхема 446. 54012241001 Шильдик 447. 5486278T02 наклейка 448. 5580438B01 LATCH 449. 5580577B01 Защелка для батареи p/c P110 450. 5586445Z03 Металлическая планка CP-Series (замена для…z02) 451. 5886750Z01 Антенный разъем СМ серия Mini UHF 452. 5886751Z01 Антенный разъем BNC для СМ140 453. 6071520M01 Аккумулятор встроенный LiIon 3В к р/с АРХ2000 454. 6180527Z01 Световод для GP-340 455. 6180968Y01 Световод для P-110 456. 6185621Z01 Световод 457. 6186158Z01 Световод 458. 6186446Z02 Световод 459. 6189339U06 Защитное стекло дисплея СМ160 460. 6503566D15 Предохранитель 461. 6505214E01 Предохранитель 2A

462. 6505663R04 Предохранитель для GP300 463. 6515076H01 Предохранитель SMT TR/1608FF (замена 6515076H01 и 6580542Z01) 464. 6583049X05 Предохранитель на 5А для MTR2000 465. 6686119B01 Съемное приспособление 466. 6686533Z01 Инструмент для открывания шасси радиостанций СР серии 467. 72012000001 Дисплей 468. 72012015001 Модуль дисплея 469. 7202421h44 Дисплей 470. 7215182H02 Модуль LCD дисплея DP36xx в сборе 471. 7215559H01 Ж.К. Дисплей DM-3000 серия 472. 7264052H05 Дисплей для XTL-2500 473. 7266501A03 Дисплей MTM700/800 (замена 7266501A01) 474. 7286104B01 Жидкокрситаллический индикатор для рст GM360 475. 75012114003 Клавиатура ( (Модель 2) 476. 7502615Y01 Клавиатура GM600 VER P K3 477. 7502615Y02 Клавиатура 478. 7564314B01 Клавиатура 479. 7564314B03 Клавиатура 480. 7571162L01 Клавиатура резиновая 481. 7580437C01 Клавиша PTT для GP300 482. 7580532Z01 Клавиатура PTT резиновая для GP340/640 483. 7580532Z03 Клавиатура PTT резиновая для GP320 *(взамен — 7580532Z02) 484. 7580532Z08 Боковая клавиатура (резинка) 485. 7580556Z02 Термопрокладка 486. 7580952Y01 Клавиатура для GP300 487. 7585680Z05 резиновая клавиатура для Waris (MPT/Sel5) 488. 7585774L01 резиновая клавиатура 489. 7585778Z01 Боковая клавиатура из резины для P040/080 (взамен 7585618Z01) 490. 7585942Z01 Клавиатура для Р080 (взамен 7585623Z01) 491. 7585959C01 Клавиша PTT 492. 7586089B01 Резиновая клавиатура GM340 493. 7586090Z01 Резиновая клавиша РТТ 494. 7586091B01 клавиатура к р/ст Motorola GM360 495. 7586091B02 Резиновая клавиатура GM360 496. 7586096Z02 Клавиатура 497. 7586187B01 Силиконовая прокладка с токопроводящим напылением для GM140 498. 7586265Z05 Клавиатура (PREF FULL MPT/5T) 499. 7586436Z02 Термопрокладка 500. 7586477Z01 Уплотнительная подушечка корпуса MTH800

501. 7586481Z01 Уплотнительная подушечка 502. 7587835V05 Резиновая накладка клавиши PTT для MTP850 503. 7587835V26 Клавиатура кириллическая для MTP850 504. 7589340U01 Резиновая клавиатура CM160/CM360 505. 84012217003 Шлейф 506. 84012231001 Гибкая печатная плата 507. 8402618Y01 Шлейф передней панели 508. 8404056G02 Плата цифровой клавиатуры 509. 8404078G03 Соединительный кабель RF-части с контроллером 510. 8404079G05 Гибкий шлейф 511. 8405310W04 Шлейф передней панели GP1200 512. 8415157H01 Гибкий соединительный кабель 513. 8415169H01 Шлейф динамика и микрофона для GP-серии, замена 8480549Z01 514. 8415764H02 Гибкий шлейф для CM/CP серий для поключения клавиатуры (замена 8486617Z01) 515. 8415909H01 коннектор FLEX UNIVERSAL CONNECTOR 516. 8464346B02 Шлейф 24 POS STD WM 517. 8466543A01 Гибкий шлейф МТМ800 518. 8480475Z03 Шлейф контроллер/клавиатура 519. 8480574Z05 Плата клавиатуры 520. 8485615Z02 Клавиатура для контроллера 521. 8486127B01 12-ти контактный плоский кабель 522. 9116854H01 Фильтр кварцевый DP3000 Series 523. 9166510B11 Преселектор MTS4 524. 9166512B11 Дуплексер MTS4 525. 9166516A09 Дуплексер MTS2 526. 9180022M11 Фильтр 44.85MHZ 527. 9180468V04 фильтр 455 КНц 528. 9180468V05 Фильтр 529. 9180468V06 Фильтр 530. 9180469V03 Фильтр 531. 9180469V05 Фильтр 532. 9186145B02 Кварцевый резонатор 533. 9186153B01 Кварцевый фильтр 45,1 534. 9880384V83 Компакт-диск «Motorola R56 manual» — «Standards and Guidelines for Communications Sites» 535. AA0180305G54 Эмулятор батареи для радиостанции Motorola 536. CLN1201 Управляющий модуль к MTR2000 537. CLN1206 Плата к MTR2000 FRU AUX I/O BOARD

538. CLN1226 Блок усилителя мощности для MTR2000 539. CLN8506-OEM Модуль управления и контроля MTR3000 540. DLN6467 Переходная плата процессорного модуля 541. DLN6525 Процессорная плата 542. DLN6701-OEM Усилитель мощности MTR3000 403-470 МГц 543. DLN6703-OEM Возбудитель усилителя мощности MTR3000 403-470 МГц 544. DLN6705-OEM Приёмник MTR3000 403-470 МГц 545. DLN6707-OEM Источник питания MTR3000 546. DLN6710 Блок усилителя мощности передатчика для ремонта MTR3000D100W1361 547. DS1M001170 Дисплей для P020 548. DS1M001190 Динамик 549. DSM6189003 Резиновая клавиша РТТ P-020 550. DSVR010008 POTENTIOMETER 551. GCN6105 Передняя панель для GM350 128 кан. 552. GLN7350 Контрольная панель 553. GLN7361 Плата передней панели GM1280/GM380 554. GMDN4012 Сервер DL360G8 2X300 12GB SERVER-1A 555. HLN8075 Плата индикатора дисплея с пассивными элементами 556. NNTN7616 Автомобильное зарядное устройство IMPRES для DP3000 557. PMDN4014 Ручка громкости 558. PMDN4015 Ручка переключения каналов 559. PMDN4016 Регулятор громкости для МР-300 560. PMDN4017 регулятор переключения каналов (c гайкой крепления) 561. PMDN4030 Заглушка 562. PMDN4034 Кронштейн антенны для МР300 563. PMDN4035 Микропереключатель РТТ 564. PMDN4038 Приспособление для разборки шасси радиостанции 565. PMDN4056 Микропереключатель 566. PMDN4067 Динамик MagOne для MP300 567. PMDN4077 Кабель для программирования радиостанций P100 серии 568. PMHN4038 Передняя панель МТР700 в сборе. 569. PMLN4216 Корпус для GP340 (в собранном виде) 570. PMLN4304 Корпус для GP680 (в собранном виде) 571. PMLN4353 Корпус для Р080 572. PMLN4552 Корпус для CP040 в сборе (пластмассовый корпус) 573. PMLN4601 Пластмассовый корпус для CP140 574. PMLN4623 Набор для установки опциональной платы: гибкий шлейф и винты 575. PMLN4646 Передняя панель с дисплеем и клавиатурой DP3600 576. PMLN4922 Передняя панель DP3400 в сборе

577. PMLN4958 Кабель подключения выносного пульта управления ПУ 03 для автомоб. р/с типа MOTOROLA APX6500 578. PMLN5269 Дополнительная плата ретранслятора MOTOTRBO DR3000 для RDAC приложения 579. PMLN5644 Набор для сервисных центров: плата внешних соединений DR3000 580. PMLN5907 Передняя панель АРХ2000 в сборе 581. PMLN6154 РЧ-переходник для радиостанции DP2000/DP4000 582. PMLN6155 Держатель РЧ-переходника для DP4000 583. PMLN6201 Держатель РЧ-переходника для DP2000 584. PMLN6208 Ключ для основания и регуляторов DP4000 585. PMLN6345 Корпус для DP1400 586. PMNN4076 Адаптер аккумуляторной батареи 587. PMNN4428 Эмулятор аккумулятора 588. RLN5925 Шнур манипулятора СР-серии 589. RRDN6080 Батарейный адаптер 590. RVN4185 ПО для программирования и настройки р/с MOTOROLA ASTRO 591. WALN4339 Контроллер сайта для MTS4 592. WALN4381 Блок вентиляторов БС 593. WALN5077 Жесткий диск 300 Гб для сервера DL360 594. WALN5107 жесткий диск (НЖМД) 300GB HDD FOR DL360 GEN8 595. WAPN4335 Блок питания, 220В 900Вт 596. WATX4341A Примопередатчик базовой станции MTS4, 380-470МГц 40Вт U3401 597. 5105109Z67 LDMOS DRIVER VHF/UHF (замена 5185130С65) 598. Интегральный стабилизатор U 7815 599. Интегральный стабилизатор U7815 600. Интегральный стабилизатор U7824 601. Интегральный стабилизатор U7915 602. Предохранитель 15 A Motorola

Тиристор ку202г аналог чем заменить

Тиристор КУ202Н принадлежит к группе триодных устройств со структурой p — n — p — n . Переходы созданы путем планарной-диффузии кремния. Тиристор предназначен для осуществления коммутации больших напряжений при помощи небольших уровней посредством дополнительного вывода. В зависимости от схемы включения он может открываться или закрываться, обеспечивая требуемые режимы работы устройства. Он применяется в системах блокировки, защиты, следящих приводах, дистанционно управляемых коммутационных системах, зарядных устройствах в качестве коммутатора или регулятора тока заряда.

Тиристор КУ 202Н купить можно еще во многих местах, потому что он является достаточно распространенным компонентом. Тем более его цена намного ниже, чем импортные аналоги. Также его можно найти во многих советских устройствах, начиная от блоков питания, заканчивая коммутационными приборами.

Конструкция

Конструктивно тиристор КУ202Н и вся серия выполнены в металлическом корпусе из медного сплава с покрытием, который имеет выводы под резьбу и два вывода под пайку различной толщины и высоты. Размер резьбового отвода или анода (А) составляет М6 под гайку. Выводы выполнены жесткими путем заливки эпоксидной смолой, но при выполнении монтажа не следует применять усилия более 0,98 Н.

При выполнении пайки силового вывода (К) необходимо соблюдать минимальное расстояние до стекла не менее 7 мм , так как высокой температурой его целостность может нарушиться. При выполнении подключения управляющего вывода (УЭ) следует выдержать расстояние до стекла не менее 3,5 мм по той же причине. При этом общее время удерживания паяльника не рекомендуется превышать более 3 с. Эффективная температура жала паяльного инструмента не должна превышать +260 градусов.

Схема подключения

Существует стандартная схема включения ку202н которой нужно придерживаться. Согласно ей между катодом и управляющим электродом подключается шунтирующий резистор сопротивлением 51 Ом. Отклонение от номинального значения не должно превышать 5 %.

Чтобы тиристор не вышел из строя не допускается подача управляющего тока, если напряжение на аноде отрицательное. Это может привести к выходу из строя устройства без возможности восстановления.

Особенности монтажа

К катоду и управляющему электроду нельзя прилагать усилие, большее 0,98 Н. Во время крепления прибора к теплоотводу усилие затяжки не должно быть выше 2,45 Нм.

Нельзя паять катод на расстоянии ближе 7 мм. от стеклянного корпуса. Для управляющего электрода допустимое расстояние для пайки 3,5 мм. Температура паяльника не должна быть выше +2600С. Время пайки не более 3 с.

Особенности схемного подключения

Тиристор предназначен для коммутации напряжения в различных устройствах. Но при этом имеется стандартная схема его подключения, которую нарушать крайне не рекомендуется. Например, между катодом (вывод под пайку) и управляющим электродом необходимо подключить резистор в качестве шунтирующего компонента. Благодаря его присутствию управляющая цепь замыкается и обеспечивается насыщение перехода. Его сопротивление должно быть не более и не менее 51 Ом.

Если на аноде присутствует напряжение отрицательной полярности, то управляющий ток должен быть равен нулю. Иначе произойдет электрический пробой перехода, что приведет к неисправности всего устройства в целом. Дальнейшая его работа невозможна, как и обратное восстановление.

КУ202 : предельные характеристики тиристоров

Напряжение в закрытом состоянии (постоянное):
КУ202А, КУ202Б25 В
КУ202В, КУ202Г50 В
КУ202Д, КУ202Е, 2У202Д, 2У202Е100 В
КУ202Ж, КУ202И, 2У202Ж, 2У202И200 В
КУ202К, КУ202Л, 2У202К, 2У202Л300 В
КУ202М, КУ202Н, 2У202М, 2У202Н400 В
Обратное напряжение тиристоров КУ202
(постоянное):
КУ202Е, 2У202Е100 В
КУ202И, 2У202И200 В
КУ202Л, 2У202Л300 В
КУ202Н, 2У202Н400 В
Обратное напряжение управления (постоянное)10 В
Прямое напряжение управления (постоянное)10 В
Скорость нарастания напряжения5 В/мкс
Постоянный ток в открытом состоянии при Тк ≤ +70°C10 A
Импульсный ток в открытом состоянии при tи ≤ 10 мс, Iос,ср ≤ 5 А и Тк ≤ +70°C:30 A
Прямой ток управления (постоянный)200 мА
Прямой ток управления (импульсный):
При Тк ≤ +70°C300 мА
При tи ≤ 50 мкс и Тк ≤ +70°C500 мА
Обратный ток управления (постоянный)5 мА
Рассеиваемая мощность (средняя)
при Тк ≤ +70°20 Вт
при Тк = Тк, макс1,5 Вт
Рассеиваемая мощность управления (импульсная):
tи ≤ 10 мкс, Uу, от, и ≤ 20 В и Тк ≤ +70°C20 Вт
tи ≤ 50 мкс и Тк ≤ +70°2,5 Вт
Температура корпуса тиристоров КУ202 :
КУ202А — КУ202Н+85°C
2У202Д — 2У202Н+110°C
Рабочая температура:
КУ202А — КУ202Н-60…+75°C
2У202Д — 2У202Н-60…+100°C

При эксплуатации тиристоров КУ202 между катодом и управляющим электродом должен быть включён шунтирующий резистор сопротивлением 51 Ом. При отрицательном напряжении на аноде тиристора подача тока управления не допускается.

Технические параметры тиристора

Тиристор КУ202Н относится к группе высоковольтных устройств, предназначенных для работы при напряжении до 400 В с максимально допустимым прямым током в открытом состоянии не более 10 А. Всего в линейке имеется 12 моделей тиристоров с различными напряжениями в закрытом состоянии. Поэтому при выборе основным параметром является именно оно.

Для использования в цепях с напряжением от 300 и выше вольт предназначены тиристоры с буквенными обозначениями от К до Н. Что касается остальных параметров, то они остаются теми же. Довольно часто новички радиолюбители сталкиваются с такими проблемами, что приводит к дополнительным растратам.

Эти тиристоры довольно часто применяются в построении регуляторов мощности нагрузкой не более 2 кВт. Но крайне не рекомендуется его эксплуатировать в критических режимах. Следует пропускать через устройство ток не более 7-8 А, что будет обеспечивать наиболее эффективные и щадящие режимы.

Электроузел — ресурс, связанный с электричеством.

Тиристоры КУ202Н, КУ202Г, КУ202Е, КУ202М, КУ202Л, КУ202А, КУ202В, КУ202К, КУ202И, КУ202Д, КУ202Б, КУ202Ж кремниевые планарно-диффузионные p-n-p-n. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в схемах автоматики и в управляемых выпрямителях. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жёсткими выводами. Анодом является основание.

Масса тиристора не более 14 гр.


Чертёж тиристора КУ202Н, КУ202Г, КУ202Е, КУ202М, КУ202Л, КУ202А, КУ202В, КУ202К, КУ202И, КУ202Д, КУ202Б, КУ202Ж

Электрические параметры.

Постоянное напряжение в открытом состоянии при Iо с=10 А, не более
Тк=25°С1,5 В
Тк=-60°С2,0 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Uа с=10 В, Iу, от=0,2 А, Тк=-60°С, не более7,0 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uа с=Uзс макс, Тк=Тк макс, не менее0,2 В
Постоянный ток в закрытом состоянии при Uа с=Uзс макс, Rу=∞, Тк=Тк макс, не более10 мА
Ток удержания при Uз с=10 В для КУ202, не более0,2 А
Постоянный обратный ток при Uобр=Uобр макс, Rу=∞, Тк=Тк макс, не более10 мА
Отпирающий постоянный ток управления при Uз с=10 В, Iо с=10 А, Тк=-60°С, не более0,2 А
Неотпирающий постоянный ток управления при Uз с=Uас макс, Тк=Тк макс, не менее2,5 А
Время включения при Uз с=25 В для КУ202А и КУ202Б, Uз с=50 В для остальных типономиналов, Iо с=10 А, Iу,пр, и=0,2 А, Тк=Тк макс, не более10 мкс
Время выключения при Uа с, и=Uзс макс, duз с=/dt=5 В/мкс, Iо с=10 А, Тк=Тк макс, не более100 мкс

Предельные эксплуатационные данные.

Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии
КУ201А, КУ202Б25 В
КУ202В, КУ202Г50 В
КУ202Д, КУ202Е100 В
КУ202Ж, КУ202И200 В
КУ202К, КУ202Л300 В
КУ202М, КУ202Н400 В
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
КУ202Б25 В
КУ202Г50 В
КУ202Е100 В
КУ202И200 В
КУ202Л300 В
КУ202Н400 В
КУ202А, КУ202В, КУ202Д, КУ202Ж, КУ202К, КУ202МНе нормируется
Максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии5,0 В/мкс
Максимально допустимое прямое постоянное напряжение управления10 В
Максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии при Тк=50°С для КУ20210 А
Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии при Iо с, ср=5 А, τи=10 мс30 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при τи=50 мкс50 А
Максимально допустимый прямой постоянный ток управления0,3 А
Максимально допустимый прямой импульсный ток управления при ty=50 мкс0,5 А
Максимально допустимый обратный постоянный ток управления5,0 мА
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность
Тк=50°С для КУ20220 Вт
Тк=85°С для КУ20210 Вт
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность управления
Uу, пр, и=20 В, ty=10 мкс, Тк=50°С для КУ20220 Вт
Uу, пр, и=10 В, ty=50 мкс, Тк=50°С для КУ2022,5 Вт
Температура окружающей средыОт -60 до Тк=85°С

Указания по монтажу и эксплуатации.

При эксплуатации тиристоров между катодом и выводом управления должен быть включён резистор сопротивления 51 Ом±5%. При Ry>51 Ом норма на неотпирающий ток управления не гарантируется. При отрицательном напряжении на аноде тиристора подача прямого тока управления не допускается. Время пайки выводов при температуре припоя до 260°С не должно превышать 3 с. Пайка допускается на расстоянии не ближе 7 мм для катодного вывода и 3,5 мм для вывода управления от стеклянного изолятора. Закручивающий момент не более 2,45 Н•м.

Проверка тиристора

Многих интересует, тиристор КУ202Н как проверить и как правильно включить в устройстве для проверки его работоспособности. Дело в том, что довольно часто он оказывается неисправен по различным причинам. Притом дефекты встречаются и у новых изделий.

Проверить тиристор можно несколькими способами:

  • Использовать специальное устройство, которое анализирует параметры всех переходов.
  • Применить мегомметр для проверки состояния основного перехода в обоих направлениях. В обратном направлении должен прозваниваться как обычный диод, в прямом включении он закрыт, в идеальном состоянии его сопротивление должно быть равно бесконечности.

Второй способ применим только к серии устройств с буквенным индексом М и Н. При этом можно устанавливать напряжение прозвонки до 400 В. Устройства с буквами К и Л только до 300 В, Ж и И – до 200 В и так далее. Прежде чем проверять таким способом изделие, необходимо сверить его технические характеристики со справочной таблицей. Иначе можно повредить устройство, даже не использовав его по назначению.

Менее мощные тиристоры могут быть проверены обычным мультиметром в режиме прозвонки (значок диода и звукового сигнала). В обратном направлении он звонится как диод, в прямом – бесконечность.

Важно! При осуществлении проверки тиристора в режиме диода, необходимо УЭ объединить с А.

КУ202 : цоколёвка

Ток в закрытом состоянии (постоянный) при Uзс = Uзс макс, Т = +25°C и Тк = Тк, макс, не более4 мА
Обратный ток при Uобр = Uобр макс, Т = +25°C и Тк = Тк, макс, не более4 мА
Ток удержания про Uзс = 10 В, не более300 мА
Время включения тиристоров КУ202, не более10 мкс
Время выключения, не более150 мкс
Ёмкость КУ202 (общая), не более800 пФ

Аналоги КУ202Н

Как и любые другие устройства, отечественный тиристор КУ202 имеет зарубежный аналог, который по своим параметрам относится к той же категории компонентов. Зарубежные производители давно ушли от производства такого форм-фактора по мощности тиристоров в металлическом корпусе. На рынке будут доступны только элементы в корпусе транзистора ТО220. Поэтому в любом случае придется внести конструктивные изменения в плату и монтажное место в частности.

К зарубежным аналогам тиристора КУ202Н относятся устройства:

Параметры незначительно отличаются от вышеописанного компонента, и средний ток в том числе, равен 7,5 А. Также можно применить в схемах более новый российский элемент Т112-10. Он имеет также металлический корпус с резьбовым отводом, но его размеры будут несколько меньше.

Характеристики

Все его параметры можно разделить на два типа предельные и электрические. Давайте разберем их подробнее. Обратите внимание, что на указанных ниже предельных значениях устройство работать долгое время не может, это пиковые показатели которое он выдержит за очень маленький период.

Электрические параметры ку202н характеризуют работу тиристора в рабочих условиях. Ниже приведены их значения:

Регулятор мощности

В схеме реализован принцип частотно-импульсного регулирования угла отпирания тиристоров за счет синхронизации с сетью. Такое управление является наиболее эффективным и надежным, так как тиристор работает в нормальных режимах без завышения своих возможностей.

В схеме имеется генератор, который формирует импульсы управления и сдвигает их относительно фронтов импульсов при переходе сетевого напряжения через ноль. Управляющая последовательность импульсов подается на УЭ и К. Напряжение в нагрузке выпрямляется при помощи двухполупериодного выпрямителя. Использование емкостей в схеме в качестве фильтров недопустимо, так как они будут нарушать главный принцип работы устройства. Такой регулятор мощности можно применить для управления температурой жала паяльника путем изменения напряжения его питания. Но если потребуется организоваться управления первичными цепями трансформатора, придется включить нагрузку перед диодным мостом. Ток регулирования должен быть не более 7,5 А.

Схема аналога тиристора (диодного и триодного) на транзисторах. Расчет параметров он-лайн. (10+)

Транзисторный аналог тиристора

В маломощных пороговых и нестандартных схемах транзисторные аналоги диодного (динистора) и триодного (тринистора) тиристоров применяются даже чаще, чем элементы, выполненные в одном кристалле. Причина в том, у серийных тиристоров высокий разброс параметров, а некоторые из очень важных для перечисленных схем параметров вообще не нормируются. А аналог можно изготовить со строго заданными параметрами.

Важнейшими параметрами тиристоров в пороговых и нестандартных схемах являются: ток отпирания (Io

), напряжение отпирания или отпирающее напряжение (
Uo
), ток удержания (
Ih
), напряжение запирания или напряжение насыщения при токе удержания (
Uc
). Смотри вольт-амперную характеристику тиристора.

В силовых схемах аналоги не применяются потому, что сила тока базы каждого транзистора в тиристорном аналоге равна половине всего тока через схему. А у транзисторов, как правило, сила тока базы ограничена довольно небольшой величиной.

Вашему вниманию подборка материалов:

Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам

Принципиальная схема

Вывод (A)

соответствует аноду,
(K)
– катоду,
(C)
– управляющему электроду. Вольт-амперная характеристика схемы соответствует приведенной выше, так что ее (схему) можно считать аналогом триодного тиристора (тринистора). Если управляющий электрод не подключать, то получится аналог диодного тиристора (динистора).

В схеме применяются комплиментарные пары транзисторов. У них одинаковые напряжения насыщения база – эмиттер и коллектор – эмиттер. Мы чаще всего используем КТ502, КТ503. Резисторы R2 и R3 равны между собой.

Расчет

Конечно, приведенные формулы дают приблизительный результат, так как параметры транзисторов имеют конструктивный разброс и зависят от температуры. Но эти расчеты позволяют получить начальную точку, с которой осуществляется тонкий подбор.

[Ток отпирания, мА

] = [
Напряжение насыщения база – эмиттер транзистора, В
] / [
Сопротивление R2, кОм
] – [
Ток управляющего электрода, мА
]

Для аналога динистора ток управляющего электрода принимаем равным нулю.

[Отпирающее напряжение, В

] = ([
Ток отпирания, мА
] + [
Ток управляющего электрода, мА
]) * [
Сопротивление R2, кОм
] + [
Ток отпирания, мА
] * ([
Сопротивление R1, кОм
] + [
Сопротивление R3, кОм
])

[Ток удержания, мА

] = 2 * [
Напряжение насыщения база – эмиттер транзистора, В
] / [
Сопротивление R2, кОм
] – [
Ток управляющего электрода, мА
]

[Напряжение запирания, В

] = [
Напряжение насыщения база – эмиттер транзистора, В
] + [
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер транзистора, В
]

Эквивалент лавинного транзистора и динистора

Лавинный транзистор — полупроводниковый прибор, работающий в режиме лавинного пробоя. Такой пробой обычно возникает при напряжении, превышающем предельно допустимое значение.

Не допустить теплового пробоя (необратимого повреждения) транзистора можно при ограничении тока через транзистор (подключением высокоомной нагрузкой).

Лавинный пробой транзистора может наступать в «прямом» и «инверсном» включении транзистора. Напряжение лавинного пробоя при инверсном включении (полярность подключения полупроводникового прибора противоположна общепринятой, рекомендованной) обычно ниже, чем для «прямого» включения.

Вывод базы транзистора часто не используется (не подключается к другим элементам схемы). В ряде случаев базовый вывод соединяют с эмиттером через высокоом-ный резистор (сотни кОм — ед. МОм). Это позволяет в некоторых пределах регулировать величину напряжения лавинного пробоя.

На рис. 1 приведена схема равноценной замены «лавинного» транзистора интегрального прерывателя К101КТ1 ее дискретными аналогами. Интересно отметить, что при ближайшем рассмотрении эта схема тождественна эквивалентной схеме динистора (рис. 1), тиристора (рис. 2) и однопереходного транзистора (рис. 4).

Отметим попутно, что и вид вольт-амперных характеристик всех этих полупроводниковых приборов имеет общие характерные особенности. На их вольт-амперных характеристиках имеется S-образный участок, участок с так называемым «отрицательным» динамическим сопротивлением. Благодаря такой особенности вольт-амперной характеристики перечисленные приборы могут использоваться для генерации электрических колебаний.

Рис. 1. Аналог лавинного транзистора и динистора.

Эквивалент тиристора

Тиристоры, динисторы и им подобные элементы способны при весьма незначительных внутренних потерях управлять большими мощностями, подводимыми к нагрузке.

Тиристоры — приборы, обладающие двумя устойчивыми состояниями: состоянием низкой проводимости (проводимость отсутствует, прибор заперт) и состоянием высокой проводимости (проводимость близка к нулю, прибор открыт). Представители класса тиристоров [Вишневский А.И]:

  • диодные тиристоры (динисторы, диаки), имеющие два вывода (анод и катод), управляемые путем подачи на электроды напряжения с высокой скоростью его нарастания или повышения приложенного напряжения до величины, близкой к критической;
  • триодные тиристоры (тринисторы, триаки), трехэлектродные элементы, управляющий электрод которых служит для перевода тиристора из закрытого состояния в открытое;
  • тетродные тиристоры, имеющие два управляющих электрода;
  • симметричные тиристоры — симисторы, имеющие пятислой-ную структуру. Иногда этот полупроводниковый прибор называют семистором.

Диодные тиристоры (динисторы), ассортимент которых не столь велик, различаются, главным образом, максимально допустимым постоянным прямым напряжением в закрытом состоянии.

Так, для динисторов типов КН102А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И (2Н102А — И) значения этих напряжений составляют, соответственно, 5, 7, 10, 14, 20, 30, 40, 50 В при обратном токе не более 0,5 мА. Максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии для этих полупроводниковых приборов равен 0,2 А при остаточном напряжении в открытом состоянии 1,5 В.

На рис. 1 приведена эквивалентная схема низковольтного динистора. Если принять R1=R3=100 Ом, можно получить динистор с управляемым (с помощью резистора R2) напряжением переключения от 1 до 25 В [Войцеховский Я., Р 11/73-40, Р 12/76-29]. При отсутствии этого резистора и при условии R1=R3=5,1 кОм напряжение переключения составит 9 Б, а при R1=R3=3 кОм —12 В.

Аналог тиристора р-п-р-п-структуры, описанный в книге Я. Войцеховского, показан на рис. 2. Буквой А обозначен анод; К — катод; УЭ — управляющий электрод. В схемах (рис. 1, 2) могут быть использованы транзисторы типов КТ315 и КТ361.

Необходимо лишь, чтобы подводимое к полупроводниковому прибору или его аналогу напряжение не превышало предельных паспортных значений. В таблице (рис. 2) показано, какими величинами R1 и R2 следует руководствоваться при создании аналога тиристора на основе германиевых или кремниевых транзисторов.

DataSheet


Цоколевка тиристора КУ202

Описание

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные p—n—p—n. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в схемах автоматики и в управляемых выпрямителях. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе. Масса не более 14 г.

Указания по монтажу

При эксплуатации тиристоров между катодом и выводом управления должен быть включен резистор сопротивления 51 Ом+ 5%. При Rу>51 Ом норма на неотпирающий ток управления не гарантируется. При отрицательном напряжении на аноде тиристора подача прямого тока управления не допускается. Время пайки выводов при температуре припоя до 260 °С не должно превышать 3 с. Пайка допускается на расстоянии не ближе 7 мм для катодного вывода и 3,5 мм для вывода управления от стеклянного изолятора. Закручивающий момент не более 2,45 Н·м.
Параметры тиристора КУ202

ПараметрОбозначениеМаркировкаЗначениеЕд. изм.
АналогиКУ202А1N4202, NAS4443, NASB
КУ202Б1N4202, NAS4443, NASB
КУ202В1N4202, NAS4443, NASB
КУ202Г1N4202, NAS4443, NASB
КУ202Д1N4202, NAS4443, NASB
КУ202Е1N4202, NAS4443, NASB
КУ202Ж1N4202, NAS4443, NASB
КУ202И1N4202, NAS4443, NASB
КУ202К1N4202, NAS4443, NASB
КУ202Л1N4202, NAS4443, NASB
КУ202М1N4202, NAS4443, NASB
КУ202НBTX32S100, h20T15CN, 1N4202
Повторяющееся импульсное напряжение — наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.Uобр,п, U*обр,maxКУ202АВ
КУ202Б25*
КУ202В
КУ202Г50*
КУ202Д
КУ202Е100*
КУ202Ж
КУ202И200*
КУ202К
КУ202Л300*
КУ202М
КУ202Н400*
Повторяющиеся импульсное напряжение в закрытом состоянии — наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.Uзс,п, U*зс, maxКУ202А25*В
КУ202Б25*
КУ202В50*
КУ202Г50*
КУ202Д100*
КУ202Е100*
КУ202Ж200*
КУ202И200*
КУ202К300*
КУ202Л300*
КУ202М400*
КУ202Н400*
Постоянный импульсный ток в открытом состоянии — наибольшее значение тока в открытом состоянии.Iос, иКУ202А30А
КУ202Б30
КУ202В30
КУ202Г30
КУ202Д30
КУ202Е30
КУ202Ж30
КУ202И30
КУ202К30
КУ202Л30
КУ202М30
КУ202Н30
Cредний ток в открытом состоянии — среднее за период значение тока в открытом состоянии.Iос, ср, I*ос, пКУ202А10*А
КУ202Б10*
КУ202В10*
КУ202Г10*
КУ202Д10*
КУ202Е10*
КУ202Ж10*
КУ202И10*
КУ202К10*
КУ202Л10*
КУ202М10*
КУ202Н10*
Импульсное напряжение в открытом состоянии — наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значенияUoc, и, U*ocКУ202А≤1.5*В
КУ202Б≤1.5*
КУ202В≤1.5*
КУ202Г≤1.5*
КУ202Д≤1.5*
КУ202Е≤1.5*
КУ202Ж≤1.5*
КУ202И≤1.5*
КУ202К≤1.5*
КУ202Л≤1.5*
КУ202М≤1.5*
КУ202Н≤1.5*
Неотпирающее постоянное напряжение управления — наибольшее постоянное напряжение на управляющем электроде, вызывающее переключение тринистора из закрытого состояния в открытое.Uу, нотКУ202А≥0.2В
КУ202Б≥0.2
КУ202В≥0.2
КУ202Г≥0.2
КУ202Д≥0.2
КУ202Е≥0.2
КУ202Ж≥0.2
КУ202И≥0.2
КУ202К≥0.2
КУ202Л≥0.2
КУ202М≥0.2
КУ202Н≥0.2
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии — импульсный ток в закрытом состоянии, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии.Iзс, п, I*зсКУ202А≤4*мА
КУ202Б≤4*
КУ202В≤4*
КУ202Г≤4*
КУ202Д≤4*
КУ202Е≤4*
КУ202Ж≤4*
КУ202И≤4*
КУ202К≤4*
КУ202Л≤4*
КУ202М≤4*
КУ202Н≤4*
Повторяющийся импульсный обратный ток — обратный ток, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжениемIобр, п, I*обрКУ202А≤4*мА
КУ202Б≤4*
КУ202В≤4*
КУ202Г≤4*
КУ202Д≤4*
КУ202Е≤4*
КУ202Ж≤4*
КУ202И≤4*
КУ202К≤4*
КУ202Л≤4*
КУ202М≤4*
КУ202Н≤4*
Отпирающий постоянный ток управления — наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора (из закрытого состояния в открытое)Iу, от, I*у, з, иКУ202А≤200мА
КУ202Б≤200
КУ202В≤200
КУ202Г≤200
КУ202Д≤200
КУ202Е≤200
КУ202Ж≤200
КУ202И≤200
КУ202К≤200
КУ202Л≤200
КУ202М≤200
КУ202Н≤200
Постоянное отпирающее напряжение управления — напряжение между управляющим электродом и катодом тринистора, соответствующее отпирающему постоянному току управленияUy, от, U*y, от, иКУ202А≤7В
КУ202Б≤7
КУ202В≤7
КУ202Г≤7
КУ202Д≤7
КУ202Е≤7
КУ202Ж≤7
КУ202И≤7
КУ202К≤7
КУ202Л≤7
КУ202М≤7
КУ202Н≤7
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянииdUзc/dtКУ202А5В/мкс
КУ202Б5
КУ202В5
КУ202Г5
КУ202Д5
КУ202Е5
КУ202Ж5
КУ202И5
КУ202К5
КУ202Л5
КУ202М5
КУ202Н5
Время включения тиристора — интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим током.t вклКУ202А≤10мкс
КУ202Б≤10
КУ202В≤10
КУ202Г≤10
КУ202Д≤10
КУ202Е≤10
КУ202Ж≤10
КУ202И≤10
КУ202К≤10
КУ202Л≤10
КУ202М≤10
КУ202Н≤10
Время выключения — наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизится до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение проходит через нулевое значение без переключения тиристораtвыклКУ202А≤100мкс
КУ202Б≤100
КУ202В≤100
КУ202Г≤100
КУ202Д≤100
КУ202Е≤100
КУ202Ж≤100
КУ202И≤100
КУ202К≤100
КУ202Л≤100
КУ202М≤100
КУ202Н≤100

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров тиристоров.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Эквивалент инжекционно-полевого транзистора

Инжекционно-полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с S-образной ВАХ. Подобные приборы широко используют в импульсной технике — в релаксационных генераторах импульсов, преобразователях напряжение-частота, ждущих и управляемых генераторах и т.д.

Такой транзистор может быть составлен объединением полевого и обычного биполярного транзисторов (рис. 5, 6). На основе дискретных элементов может быть смоделирована не только полупроводниковая структура.

Рис. 5. Аналог инжекционно-полевого транзистора п-структуры.

Рис. 6. Аналог инжекционно-полевого транзистора р-структуры.

КУ202 : электрические параметры

Напряжение в открытом состоянии при Iос = 10 А, не более:
При Т = +25°C1,5 В
При Т = -60°C2 В
Отпирающее напряжение управления (постоянное) при Uзс = 10 В, Iу,от = 200 мА, Uзс = 10 В и Т = -60°C, не более7 В
Неотпирающее напряжение управления (постоянное) при Uзс = Uзс, макс, и Тк = Тк, макс, не менее0,2 В
Отпирающий ток управления (постоянный) при Uзс = 10 В, Iос = 10 А и Т = -60°C, не более200 мА
Неотпирающий ток управления (постоянный) при Uзс = Uзс, макс, и Тк = Тк, макс, не менее2,5 мА

Эквивалент низковольтного газового разрядника

На рис. 7 показана схема устройства, эквивалентного низковольтному газовому разряднику [ПТЭ 4/83-127]. Этот прибор представляет собой газонаполненный баллон с двумя электродами, в котором возникает электрический межэлектродный пробой при превышении некоторого критического значения напряжения.

Напряжение «пробоя» для аналога газового разрядника (рис. 7) составляет 20 В. Таким же образом, может быть создан аналог, например, неоновой лампы.

Рис. 7. Аналог газового разрядника – схема эквивалентной замены.

Эквивалентная замена лямбда-диодов

Совершенно особым видом ВАХ обладают полупроводниковые приборы типа лямбда-диодов, туннельных диодов. На вольт-амперных характеристиках этих приборов имеется N-об-разный участок.

Лямбда-диоды и туннельные диоды могут быть использованы для генерации и усиления электрических сигналов. На рис. 8 и рис. 9 показаны схемы, имитирующие лямбда-ди-од [РТЕ 9/87-35].

Практически в генераторах чаще используют схему, представленную на рис. 9 [ПТЭ 5/77-96]. Если между стоками полевых транзисторов включить управляемый резистор (потенциометр) либо транзистор (полевой или биполярный), то видом вольт-амперной характеристики такого «лямбда-диода» можно управлять в широких пределах: регулировать частоту генерации, модулировать колебания высокой частоты и т.д.

Рис. 8. Аналог лямбда-диода.

Рис. 9. Аналог лямбда-диода.

Эквивалентная замена туннельных диодов

Рис. 10. Аналог туннельного диода.

Туннельные диоды также используют для генерации и усиления высокочастотных сигналов. Отдельные представители этого класса полупроводниковых приборов способны работать до мало достижимых в обычных условиях частот — порядка единиц ГГц. Устройство, позволяющее имитировать вольт-амперную характеристику туннельного диода, показано на рис. 10 [Р 4/77-30].

SR260 Выпрямительный диод Шоттки 2A 60V Осевые электронные кремниевые диоды 8 шт .: Amazon.com: Industrial & Scientific


В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
  • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
  • Название продукта: выпрямительный диод; Модель оправы: SR260.
  • Размер кабеля: 0,7 мм / 0,03 дюйма; размер корпуса: 6 x 3 мм / 0,24 дюйма x 0,12 дюйма (Д * Д).
  • ДА: 2 А; VRRM: 60 В.
  • Общая длина (каждый): 58 мм / 2,28 дюйма.
  • Содержимое упаковки: 8 шт. X выпрямительный диод
]]>
Характеристики данного продукта
Фирменное наименование Неизвестный
Ean 6436562608950
Материал Пластик
Кол-во позиций 1
Номер детали ZRCAN-B07JLZC1X4
Код UNSPSC 32111500

Как работают диоды Шоттки | ОРЕЛ

Как и другие диоды, диод Шоттки управляет направлением тока в цепи.Эти устройства действуют как улица с односторонним движением в мире электроники, позволяя току проходить только от анода к катоду. Однако, в отличие от стандартных диодов, диод Шоттки известен своим низким прямым напряжением и возможностью быстрого переключения. Это делает их идеальным выбором для радиочастотных приложений и любых устройств с низким напряжением. Диод Шоттки имеет множество применений, в том числе:

  • Выпрямитель мощности. Диоды Шоттки могут использоваться в приложениях с большой мощностью благодаря низкому прямому падению напряжения.Эти диоды потребляют меньше энергии и могут уменьшить размер радиатора.
  • Несколько источников питания. Диоды Шоттки также могут помочь разделить питание в системе с двумя источниками питания, например, с сетью и батареей.
  • Солнечные элементы. Диоды Шоттки могут помочь максимизировать эффективность солнечных элементов благодаря низкому прямому падению напряжения. Они также помогают защитить ячейку от обратных зарядов.
  • Зажим. Диоды Шоттки также могут использоваться в качестве фиксаторов в транзисторных схемах, например, в логических схемах 74LS или 74S.

( Источник изображения )

Преимущества и недостатки диода Шоттки

Одним из основных преимуществ использования диода Шоттки перед обычным диодом является их низкое прямое падение напряжения. Это позволяет диоду Шоттки потреблять меньше напряжения, чем стандартному диоду, используя только 0,3-0,4 В на его переходах. На графике ниже вы можете видеть, что прямое падение напряжения примерно на 0,3 В начинает значительно увеличивать ток в диоде Шоттки.Это увеличение тока не вступит в силу до 0,6 В для стандартного диода.

( Источник изображения )

На изображениях ниже представлены две схемы, иллюстрирующие преимущества более низкого прямого падения напряжения. Схема слева содержит обычный диод, справа — диод Шоттки. Оба питаются от источника постоянного тока 2 В.

( Источник изображения )

Обычный диод потребляет 0.7 В, оставив только 1,3 В. для питания нагрузки. Благодаря более низкому прямому падению напряжения диод Шоттки потребляет всего 0,3 В, оставляя 1,7 В для питания нагрузки. Если бы наша нагрузка требовала 1,5 В, тогда только диод Шоттки подойдет.

Другие преимущества использования диода Шоттки по сравнению с обычным диодом:

  • Более быстрое время восстановления . Небольшой заряд, накопленный в диоде Шоттки, делает его идеальным для приложений с высокоскоростным переключением.
  • Меньше шума .Диод Шоттки будет производить меньше нежелательных шумов, чем обычный диод с p-n переходом.
  • Лучшая производительность . Диод Шоттки потребляет меньше энергии и может легко удовлетворить требования низковольтных приложений.

Диоды Шоттки имеют ряд недостатков. Диод Шоттки с обратным смещением будет испытывать более высокий уровень обратного тока, чем традиционный диод. При обратном подключении это приведет к большей утечке тока.

Диоды Шоттки

также имеют более низкое максимальное обратное напряжение, чем стандартные диоды, обычно 50 В или меньше. Как только это значение будет превышено, диод Шоттки выйдет из строя и начнет проводить большой ток в обратном направлении. Однако даже до достижения этого обратного значения диод Шоттки будет пропускать небольшой ток, как любой другой диод.

Как работает диод Шоттки

Типичный диод объединяет полупроводники p-типа и n-типа для образования p-n перехода.В диоде Шоттки металл заменяет полупроводник p-типа. Этот металл может варьироваться от платины до вольфрама, молибдена, золота и т. Д.

Когда металл соединяется с полупроводником n-типа, образуется переход m-s. Это соединение называется барьером Шоттки. Поведение барьера Шоттки будет отличаться в зависимости от того, находится ли диод в несмещенном, прямом или обратном смещении.

( Источник изображения )

Беспристрастное состояние

В несмещенном состоянии свободные электроны будут перемещаться от полупроводника n-типа к металлу, чтобы установить баланс.Этот поток электронов создал барьер Шоттки, где встречаются отрицательные и положительные ионы. Свободным электронам потребуется большая подводимая энергия, чем их встроенное напряжение, чтобы преодолеть этот барьер.

( Источник изображения )

Состояние с опережением

Подключение положительной клеммы батареи к металлической и отрицательной клеммы к полупроводнику n-типа создаст состояние с прямым смещением. В этом состоянии электроны могут пересекать переход от n-типа к металлу, если приложенное напряжение больше 0.2 вольта. Это приводит к протеканию тока, типичному для большинства диодов.

( Источник изображения )

Состояние с обратным смещением

Подключение отрицательной клеммы батареи к металлу и положительной клеммы к полупроводнику n-типа создаст состояние с обратным смещением. Это состояние расширяет барьер Шоттки и предотвращает прохождение электрического тока. Однако, если обратное напряжение смещения продолжает увеличиваться, это может в конечном итоге разрушить барьер.Это позволит току течь в обратном направлении и может повредить компонент.

( Источник изображения )

Производство диодов Шоттки и параметры

Существует множество методов изготовления диода Шоттки. Самый простой способ — подключить металлический провод к поверхности полупроводника, это называется точечным контактом. Некоторые диоды Шоттки до сих пор производятся с использованием этого метода, но он не известен своей надежностью.

( Источник изображения )

Самый популярный метод — это использование вакуума для осаждения металла на поверхность полупроводника. Этот метод представляет проблему разрушения металлических краев из-за воздействия электрических полей вокруг полупроводниковой пластины. Чтобы исправить это, производители будут защищать полупроводниковую пластину оксидным защитным кольцом. Добавление этого защитного кольца помогает улучшить порог обратного пробоя и предотвращает физическое разрушение соединения.

( Источник изображения )

Параметры диода Шоттки

Ниже вы найдете список параметров, которые следует учитывать при выборе диода Шоттки для вашего следующего электронного проекта:

Примеры диодов Шоттки

Это помогает увидеть, как эти параметры обычно указаны на веб-сайте производителя или в техническом описании. Вот два примера:

Диод Шоттки 1N5711 — это сверхбыстрый переключающийся диод с высоким уровнем обратного пробоя, низким прямым падением напряжения и защитным кольцом для защиты перехода.

Диод Шоттки 1N5828 представляет собой стержневой диод, используемый для выпрямления мощности.

Управляйте потоком

Планируете работать с ВЧ или силовым приложением, требующим работы от низкого напряжения? Диоды Шоттки — это то, что вам нужно! Эти диоды известны своим низким прямым падением напряжения и быстрой скоростью переключения. Независимо от того, используются ли они в солнечных элементах или в выпрямлении энергии, вы не сможете превзойти низкое падение напряжения 0,3 В и дополнительную эффективность.Autodesk EAGLE уже включает в себя массу бесплатных библиотек диодов Шоттки, готовых к использованию. Не нужно делать свое собственное. Загрузите Autodesk EAGLE бесплатно сегодня!

(PDF) Диодный лазер — может ли он заменить электрический ток, используемый при эндоскопической диссекции подслизистой оболочки? (с видео)

8

Вклад авторов

Концептуализация: Юнхо Чжон, Гван Хо Байк, Веон Джин Ко, Джу Ён

Чо

Курирование данных: YJ, GHB, WJK, Bong Min Ko, Seong Hwan Kim, Jin Seok

Jang, Jae-Young Jang, Wan-Sik Lee, Young Kwan Cho, Sun Gyo Lim,

Hee Seok Moon, In Kyung Yoo, JYC

Формальный анализ: YJ

Расследование: BMK, SHK, JSJ , JYJ, WSL, YKC, SGL, HSM, IKY

Методология: JYC

Администрация проекта: GHB, JYC

Ресурсы: WJK, JYC

Написание оригинального черновика: YJ, JYC

Написание и редактирование: GHB

ORCID

Юнхо Юнг: https: // orcid.org / 0000-0002-7760-0050

Gwang Ho Baik: https://orcid.org/0000-0003-1419-7484

Weon Jin Ko: https://orcid.org/0000-0002-3796- 8539

Бон Мин Ко: https://orcid.org/0000-0002-0635-4454

Сон Хван Ким: https://orcid.org/0000-0002-1276-3334

Джин Сок Чан: https : //orcid.org/0000-0001-8067-4598

Джэ-Ён Чан: https://orcid.org/0000-0002-7930-1468

Ван-Сик Ли: https://orcid.org / 0000-0002-8021-6228

Молодой Кван Чо: https: // orcid.org / 0000-0001-8042-3828

Сан Гё Лим: https://orcid.org/0000-0003-2045-5099

Хи Сок Мун: https://orcid.org/0000-0002-8806- 2163

Ин Кён Ю: https://orcid.org/0000-0003-0909-339X

Дополнительные материалы

Видео 1. Эндоскопическая диссекция подслизистой кишки Ex vivo с использованием волоконно-оптической диодной лазерной системы

(https: / /doi.org/10.5946/ce.2020.229.v001).

Видео 2. Эндоскопическая диссекция подслизистой оболочки желудка in vivo с использованием диодной лазерной системы с оптоволоконным проводом

(https: // doi.org / 10.5946 / ce.2020.229.v002).

СПРАВОЧНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

1. Бхатт А., Абэ С., Кумаравел А., Варго Дж., Сайто Ю. Показания и методы

методики для эндоскопической диссекции подслизистой оболочки. Ам Дж. Гастроэнтерол

2015; 110: 784-791.

2. Бельдербос Т.Д., Лендерс М., Мунс Л.М., Сирсема П.Д. Местный рецидив

после эндоскопической резекции слизистой оболочки непопеданных колоректальных образований

: систематический обзор и метаанализ. Эндоскопия 2014; 46: 388-402.

3.Ко БМ. История и развитие принадлежностей для эндоскопической субму-

диссекции кости. Clin Endosc 2017; 50: 219-223.

4. Хорикава Ю., Фусими С., Сато С. Контроль кровотечения во время желудка

Эндоскопическая диссекция подслизистой оболочки: методы с использованием открытых ножей.

JGH Open 2020; 4: 4-10.

5. Goto O, Fujishiro M, Oda I, et al. Многоцентровое обследование тактики ведения после эндоскопической диссекции подслизистой оболочки желудка по поводу послеоперационного кровотечения

.Dig Dis Sci 2012; 57: 435-439.

6. Пак Й.М., Чо Э, Кан Х.Й., Ким Дж. М.. Эффективность и безопасность эндоскопической резекции подслизистой оболочки

по сравнению с эндоскопической резекцией слизистой оболочки

при раннем раке желудка: систематический обзор и метаанализ.

Эндоскопическая хирургия 2011; 25: 2666-2677.

7. Jang JS, Choi SR, Graham DY, et al. Факторы риска немедленного и

отсроченного кровотечения, связанного с эндоскопическим расслоением подслизистой оболочки

опухолевых поражений желудка.Сканд Дж. Гастроэнтерол 2009; 44: 1370-1376.

8. Reumkens A, Rondagh EJ, Bakker CM, Winkens B, Masclee AA, San-

duleanu S. Постколоноскопические осложнения: систематический обзор, тенденции времени

и метаанализ популяционных исследований. Am J Gastroen-

terol 2016; 111: 1092-1101.

9. Кихлер А., Янг С. Эндоскопический гемостаз при неварикозном кровотечении верхних отделов желудочно-кишечного тракта

кишечное кровотечение: новые рубежи. Clin Endosc 2019; 52: 401-406.

10.Ногучи Т., Хазама Х., Нишимура Т., Морита Ю., Авазу К. Улучшение

безопасности и эффективности колоректальной эндоскопической диссекции подслизистой оболочки

с использованием CO2-лазера. Лазеры Med Sci 2020; 35: 421-427.

11. Обата Д., Морита Ю., Кавагути Р. и др. Эндоскопическое подслизистое удаление —

разрез с использованием углекислотного лазера с введенным подслизистым лазером раствор абсорбера

(модель свиньи). Surg Endosc 2013; 27: 4241-4249.

12. Saccomandi P, Quero G, Costamagna G, Diana M, Marescaux J.Эффекты

лазера Nd: YAG для контролируемого и локализованного лечения ранних газоинтестинальных опухолей

: предварительное исследование in vivo. Annu Int Conf IEEE Eng

Med Biol Soc 2017; 2017: 4533-4536.

13. Cho JH, Cho JY, Kim MY, et al. Эндоскопическая диссекция подслизистой оболочки с использованием тулиевого лазера

: предварительные результаты нового метода лечения

неоплазии эпителия желудка. Эндоскопия 2013; 45: 725-728.

14. Тан Дж, Йе С, Джи Х, Ли Дж, Лю Ф.Сравнение синхронного двухволнового диодного лазера длиной

и обычными эндоножами для эндоскопической диссекции подслизистой оболочки

: исследование на животных. Surg Endosc

2018; 32: 5037-5043.

15. Танака С., Кашида Х., Сайто Ю. и др. Япония Гастроэнтерологическая эндоскопия —

ру Общества рекомендации по колоректальной эндоскопической диссекции подслизистой оболочки /

эндоскопическая резекция слизистой оболочки. Dig Endosc 2020; 32: 219-239.

16. Като М., Громски М., Юнг Й, Чуттани Р., Маттес К.Кривая обучения

для эндоскопической диссекции подслизистой оболочки в установленных экспериментальных условиях

. Surg Endosc 2013; 27: 154-161.

17. Йошида М., Какусима Н., Мори К. и др. Кривая обучения и клинические результаты

эндоскопической диссекции подслизистой оболочки желудка, выполненные

стажерами-операторами. Surg Endosc 2017; 31: 3614-3622.

18. Rönnow CF, Uedo N, Toth E, Thorlacius H. Эндоскопическая подслизистая диссекция

рассечение 301 большой колоректальной неоплазии: результат и обучение —

кривая из специализированного центра в Европе.Endosc Int Open

2018; 6: E1340-E1348.

19. Iacopini F, Saito Y, Bella A, et al. Колоректальное эндоскопическое подслизистое поражение

раздел: предикторы и градиенты сложности, связанные с новообразованиями. Endosc

Int Open 2017; 5: E839-E846.

20. Ока С., Танака С., Канеко И. и др. Преимущество эндоскопической диссекции подслизистой оболочки

по сравнению с ЭМИ при раннем раке желудка. Гастроинтест

Endosc 2006; 64: 877-883.

21. Чжан Дж., Ли Дж., Ван Х, Ши Си, Ту М, Ши Дж.Эффективность и безопасность диодной лазерной энуклеации предстательной железы 1470–

нм у лиц с доброкачественной гиперплазией предстательной железы

, непрерывно принимающих пероральные антикоагулянты или

антитромбоцитарных препаратов. Урология 2020; 138: 129-133.

22. Актас А.Р., Челик О, Озкан У и др. Сравнение 1470- и 980-нм диодных лазеров

для эндовенозной абляции. Lasers Med Sci 2015; 30: 1583-

1587.

23. Канг К., Ким Х., Ким Дж. Х. и др. Возможность применения диодного лазера 1940 нм в тонзиллэктомии

.Медицинские лазеры 2016; 5: 77-82.

24. Ходер В.Й., Срока Р., Зигерт С., Штиф К.Г., Беккер А.Дж.. Результат la-

сер-ассистированной лапароскопической частичной нефрэктомии без ишемии при

опухолях периферической почки. Всемирный журнал Урол 2012; 30: 633-638.

25. Гуней М., Тунк Б., Гулсой М. Исследование эффективности абляции тулиевого волоконного лазера

1940 нм для интраоральной хирургии. Int J Oral Maxillofac

Surg 2014; 43: 1015-1021.

MBR20100CT — Импульсные выпрямители мощности

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj / Title (MBR20100CT — Импульсные выпрямители мощности) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > транслировать application / pdf

  • ON Semiconductor
  • MBR20100CT — Импульсные выпрямители мощности
  • В этой серии используется принцип барьера Шоттки с металлическим барьером из платины.
  • 2015-01-13T11: 33: 15 + 01: 00BroadVision, Inc.2020-09-01T12: 46: 56 + 02: 002020-09-01T12: 46: 56 + 02: 00Acrobat Distiller 9.0.0 (Windows) uuid: 15ca535e-661e-4db1-adff-1a5191a6a964uuid: a9b9cdb3-8110-4227-9395-47620c6ab625Печать конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > транслировать HTMO @ z = 9 & Yv [AK =

    Business & Industrial 50PCS SR260 2A 60V диод Шоттки Электрооборудование и принадлежности

    50PCS SR260 2A 60V диод Шоттки


    50PCS SR260 2A 60V диод Шоттки

    Наше видение: Создавать модно.От выбора высококачественных материалов до выработки строгой производственной политики. Обтянутый блочный каблук 6 дюймов (40 мм). и молодежных размеров и бывают разных цветов. US X-Large = Китай 2X-Large: Длина: 29, 42389) Тормозной шланг: Шланги — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках. Они изготовлены из уретана высокой плотности, что придает каждому изделию уникальные детали, имитирующие традиционные детали из гипса и дерева. Чувствительность (младший бит / г): — 16384 (± 2 г) ~ 4096 (± 8 г). Это усиливает предвидение и внутреннее знание.Сверхпрочная проволока для лучшей защиты. Irwin Tools 61132 Сверло по камню из карбида вольфрама. Тунец из стерлингового серебра 35 мм с 7, УДОБНО: Одежда высшего качества, У нас самый большой выбор сменных линз для солнцезащитных очков в мире, и мы обслужили их более 100, Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата, \ r \ n-Пожалуйста, выберите Большой размер, если у вас действительно сильные ноги. Купите мужской вязаный повседневный пуловер с длинным рукавом и другие пуловеры Heless Mens с круглым вырезом стандартного размера и другие пуловеры в, Комплект прокладок впускного коллектора содержит прокладку (и) коллектора, необходимую для замены впускного коллектора.Механический срок службы реле: ≥400. Сборка подходит для людей старше 14 лет и требует около 2 дней. Купите 14KY KY Small State Earring Travel и другие серьги в. Kobalt 0459008 6-Pack Torx 2-дюймовые насадки для винтов T15 T20 T25, 50PCS SR260 2A 60V диод Шоттки . Объем 1000 мл (упаковка из 24 шт.): Бутылки для СМИ в научной лаборатории: промышленные и научные. СТИЛЬ ДИЗАЙНА: эти носки выше колена с эластичными лентами в верхней части носков не дадут вам почувствовать дискомфорт.Причина в том, что время доставки зависит и предоставляется почтовой службой, лозу для волос можно носить как заднюю часть для волос или переднюю часть для волос с завязанной сзади лентой или отдельно, ваш новый браслет прочный, поэтому, если ваш браслет действительно соприкасался с любой из вышеперечисленных или более толстых тканей) через фиксированную ставку приоритета USPS в США. Этот фартук подойдет большинству людей и имеет очень лестный стиль, на ярд — 55 дюймов / 140 см в ширину, ____________________________________________________________________________. ПОСЛЕ того, как ваш заказ был размещен, на верхнюю часть сумки можно добавить сообщение по вашему выбору.Серебро 925 пробы Наша гарантия _______________ Полный год на качество изготовления Наша гарантия _____________ Абсолютно безусловная 30-дневная гарантия), и она распространяется как на новые, так и на синие. В этом списке представлена ​​1 винтажная закрепка для галстука, полученная из высококлассного магазина мужской одежды, который был закрыт в начале 1980-е годы. Он подходит для детей от 1 года и до взрослого. Обычно я отправляю заказы в течение 1-3 рабочих дней. Шрифт смешанный, размер 36 пт. Очень длинный размер: идеально подходит для детских кроваток или детей младшего школьного возраста. *** Это набор для цифровых альбомов.Белый свет с коричневым шнуром, увенчанный звездой из березы. — Кристаллы Swarovski®: круглый рубин диаметром 6 и 8 мм. 50PCS SR260 2A 60V диод Шоттки , пожалуйста, имейте в виду, что этому изделию около 35 лет, — 5 x 5 дюймов, сохраните карту даты — Размер письма США с 2 карточками, спортивная одежда наверняка будет соответствовать всем требованиям, Купить ОВЕН B2885 85-дюймовые овальные черные алюминиевые кронштейны для ручек Nerf продаются отдельно: ступенчатые поручни — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при определенных покупках. Firewalla Red: брандмауэр Cyber ​​Security для дома и бизнеса, сделанный из высококачественной полимерной смолы, с зарядкой через USB, позволит вам прикрыть сварной шов для создания внедорожного вида. Игра станет доступной где угодно.Мы стараемся сделать так, чтобы у вас были приятные впечатления от покупок у нас или для развлечения праздничных толп на вашей следующей праздничной вечеринке. придавая элегантный вид любой ванной или спальне, длина светодиодной ленты RGB: 30 см. Технические характеристики. Если вы ищете наклейки высокого качества. BularyUK 2PCS Автомобильная подставка для удочки для внедорожников / MVP / RV / Minivan Стойка для удочки для удочки Универсальный ремешок для удочки: кухня и дом, легко чистить в микроволновой печи и мыть в посудомоечной машине, черный шип из нержавеющей стали для уличного сада с шипом IP54 Регулируемый шип GU10 Шип длиной 440 мм: Освещение, ★ Играйте с друзьями или участвуйте в битвах на турнирах, чтобы проверить свои навыки.И если вы хотите иметь уникальные отношения со своим автомобилем. Затем отрегулируйте высоту, которую хотите, * Длина шланга для кальяна (измеренная от конца до конца) — 144, это определенно отличные поделки. Просто нанесите пронумерованные цвета на заготовки с тем же номером на холст, чтобы создать свой собственный шедевр, 50PCS SR260 2A 60V диод Шоттки . идеальный материал для рукоделия для мастеров-любителей.

    Business & Industrial SR260 Выпрямительный диод Шоттки 2A 60V Осевые электронные кремниевые диоды 8 шт. Диодов

    Бизнес и промышленность SR260 Выпрямительный диод Шоттки 2A 60V Осевые электронные кремниевые диоды 8шт.
    1. Дом
    2. Бизнес и промышленность
    3. Электрооборудование и принадлежности
    4. Электронные компоненты и полупроводники
    5. Полупроводники и активные элементы
    6. Диоды
    7. Другие диоды
    8. SR260 Выпрямительный диод Шоттки 2A 60V Осевой диод 9 В 2 900 В, 2 А, 60 В, 8 В, осевой диод. Осевые электронные кремниевые диоды 8 шт. SR260 Выпрямительный диод Шоттки, осевой вывод с покрытием, паяемый, однофазный, полуволновой, резистивная или индуктивная нагрузка, Технические характеристики: Название продукта: Выпрямительный диод Модель: SR260IF: 2AVRRM: 60V Вывод: Осевой вывод с покрытием: 0,7 мм / 0 , 03 дюйма Размер корпуса: 6 x 3 мм / 0,24 x 0,12 дюйма (D * L) каждая Общая длина: 58 мм / 2,28 дюйма Вес: 5 г Содержание упаковки: 8 шт. X выпрямительный диод, Описание: Характеристики: литой пластик, дать Вам больше выбора, 100% удовлетворение гарантировано, приобретайте лучшие бренды по конкурентоспособным ценам! Диоды 8шт SR260 Выпрямительный диод Шоттки 2A 60V Axial Electronic Silicon, SR260 Schottky Rectifier Diode 2A 60V Осевые электронные кремниевые диоды 8шт.





      См. Все определения условий: Торговая марка:: uxcell, Однофазный, См. Подробную информацию в списке продавца, полуволна, 03 дюйма Размер корпуса: 6 x 3 мм / 0. Технические характеристики: Название продукта: Выпрямительный диод Модель: SR260IF: 2AVRRM: 60 В Вывод: Осевые выводы с покрытием Размер провода: 0. D * L, неиспользованный, неповрежденный товар в оригинальной упаковке. резистивная или индуктивная нагрузка, если применима упаковка. Осевой вывод с покрытием, например, коробка без надписи или пластиковый пакет. EAN:: 714998267665, Описание: Характеристики: пластик, полученный методом литья под давлением.Общая длина: 58 мм / 2, выпрямительный диод Шоттки SR260, 2 А, 60 В, осевые электронные кремниевые диоды, 8 шт. 714998267665, в закрытом виде, если товар не был упакован производителем в не розничной упаковке. MPN:: Не применяется: UPC:: 714998267665, Состояние :: Новое: Совершенно новый, 12-дюймовый, паяемый, упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине. 24 x 0,7 мм / 0, 28 дюймов Вес: 5 г Содержание упаковки: 8 шт. X выпрямительный диод.

      [contact-form-7 title = «Form liên hệ 1»]

      SR260 Выпрямительный диод Шоттки 2A 60V Осевые электронные кремниевые диоды 8 шт.


      yokonihongo.edu.vn Осевой вывод с покрытием, под пайку, Однофазный, полуволновый, резистивная или индуктивная нагрузка, Технические характеристики: Название продукта: Выпрямительный диод Модель: SR260IF: 2AVRRM: 60 В Вывод: Осевые выводы с покрытием Размер провода: 0,7 мм / 0,03 дюйма Размер корпуса: 6 x 3 мм / 0,24 x 0,12 дюйма (D * L) каждая Общая длина: 58 мм / 2,28 дюйма Вес: 5 г Содержание упаковки: 8 шт. X выпрямительный диод, Описание: Особенности: литой пластик, дает вам больше выбора, 100% удовлетворение Гарантированно, приобретайте лучшие бренды по конкурентоспособным ценам! .

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *