Тиристор фото: MCR8NG, Тиристор 800В 8А [TO-220AB]

Содержание

Динисторы тринисторы и симисторы

В электронике тиристорами называют изготовленные на основе монокристаллов полупроводниковые приборы, которые имеют четырехслойную pnpn структуру. В них наличествует три последовательных pn перехода, которые характеризуются двумя устойчивыми состояниями электрического равновесия: закрытым в обратном направлении и открытым в прямом.

Полупроводниковые тиристоры

 

 

Диодным тиристором (или динистором) называют такую разновидность этого полупроводникового прибора, который имеет выводы только от крайних слоев. Такой прибор, у которого еще есть дополнительный вывод от одного из средних слоев, называется тринистором (или триодным тиристором).

Двухэлектродные тиристоры ( динисторы )

Динистором (или диодным тиристором) в электронике принято именовать неуправляемый тиристор, у которого наличествует только два выхода. Один из них называется анодом (это крайняя

p-область), а второй – катодом (это крайняя n-область).

Двухэлектродный тиристор ( динистор )

 

В тех случаях, когда на анод динистора от источника напряжения подается «минус», а на катод, соответственно, «плюс», то через него протекает совсем небольшой обратный ток. Это происходит потому, что при таком подключении крайние pn-переходы оказываются включенными не в прямом, а в обратном направлении.

Если полярность подключения внешнего источника изменяется на обратную, то в прямом направлении включаются переходы

1 и 3, а переход 2, расположенный между ними – в направлении обратном. Что касается такого показателя, как сопротивление между катодом динистора и его анодом, то оно при этом также достаточно велико. Это приводит к тому, что через прибор протекает ток I зкр, имеющий небольшое значение. Его измеряют при напряжении U пр.зкр.макс, то есть максимально допустимым тогда, когда тиристор находится в закрытом положении.

В тех случаях, когда происходит дальнейшее увеличение прямого напряжения, обратное напряжение, имеющееся на среднем

pn переходе, падает. Как следствие, растет проходящий через динистор прямой ток. Когда прямое напряжение достигает некоторого значения, называющегося напряжением включения (U вкл), происходит открытие среднего перехода. Вследствие этого сопротивление между катодом и анодом падает достаточно серьезно и составляет всего несколько десятых долей Ом. В таких случаях говорят, что динистор находится в открытом состоянии, и при этом падение напряжения на нем составляет только около 12 В. Следует заметить, что оно очень незначительно зависит от величины того тока, который протекает через этот полупроводниковый прибор. Чаще всего в справочниках указывается только то значение напряжения открытого
динистора
U откр, которое возникает тогда, когда через него протекает максимально допустимый постоянный ток I откр. макс..

Для того чтобы привести динистор в открытое состояние требуется такое напряжение его включения, которое составляет несколько сотен вольт. До тех пор, пока через этот прибор протекает ток, величина которого не меньше, чем ток удержания I уд., он находится в открытом состоянии. Чтобы перевести его в состояние закрытое, надо или произвести полное отключение, или хотя бы уменьшить напряжение внешнего источника до величины

1 В.

Трехэлектродные тиристоры ( тринисторы )

От динистра тринистор с точки зрения своей конструкции отличается только тем, что у него есть еще один, третий вывод, который выведен от одной из средних областей. Он является управляющим, и именно благодаря его наличию прибор можно открывать даже тогда, когда значение напряжения меньше, чем U вкл. и даже U пр.зкр.макс.. Чтобы это сделать, нужно всего лишь пропустить открывающий ток I у.от. через управляющий электрод. Чем большее значение этого тока, тем меньше величина напряжения

U вкл., при котором тринистор отпирается.

Трехэлектродный тиристор ( тринистор )

Если в качестве нагрузки в анодную цепь тринистора включено активное сопротивление (лампа накаливания, резистор, паяльник и т.п.), то следующий от анода к катоду основной ток растет очень быстро, практически мгновенно. Для того чтобы открыть тринистор, достаточно подать на управляющий электрод очень короткий импульс (несколько микросекунд). Стоит отметить, что положительный импульс подаётся если управляющий электрод присоединен к р-базе, а отрицательный импульс если соединение планируется с

n-базой.

Чтобы перевести тринистор в закрытое состояние из состояния открытого, то нужно всего лишь значение основного тока сделать меньше, чем I уд.. Чаще всего в цепях, где протекает постоянный ток, это делается краткосрочным пропусканием через прибор обратного тока (его значение должно быть больше, чем значение тока основного). Чтобы это сделать, применяют специализированное коммутационное устройство.

Те тринисторы, которые функционируют в цепях переменного тока, автоматически запираются тогда, когда полуволна основного тока завершается. Именно этим объясняется то обстоятельство, что тринисторы весьма широко используются для того, чтобы управлять электродвигателями переменного тока, в импульсных схемах, инверторах, выпрямителях, различных устройствах автоматики и т.п.

Что касается значений напряжения и тока цепи управления, то они совсем невелики, а вот значение основного тока порой достигает сотен ампер, а основного напряжения – нескольких тысяч вольт. По этой причине у тринисторов такой показатель, как коэффициент усиления по мощности, может достигать 104105.

Симметричные тиристоры ( симисторы )

И динисторы, и тринисторы отличаются тем, что способны пропускать основной рабочий ток только в одном направлении. Если по каким-либо причинам это естественно ограничение необходимо обойти, то применяется два тиристора, которые включаются по встречно-параллельной схеме. Есть, однако, и более простое решение, заключающееся в том, что используются полупроводниковые ключи вида

pnpnp, то есть двусторонние.

Симметричный тиристор ( симистор )

 

 

Их в электронике принято именовать симисторами, симметричными тиристорами или триаками. Полупроводниковая структура этих приборов – пятислойная, на обратной и прямой ветвях вольтамперной характеристики они обладают отрицательным сопротивлением. Для того чтобы открыть

симистор, надо на управляющий электрод подать соответствующий сигнал, а чтобы закрыть – изменить полярность подключения или между силовыми электродами снять разность потенциалов.

​Идентификация основных причин отказов силовых полупроводниковых приборов таблеточной конструкции в процессе эксплуатации

Введение

Несмотря на простоту схемотехнического проектирования цепей с применением силовых тиристоров и диодов, потребитель на практике сталкивается с множеством деталей, которые необходимо учитывать для надежной и длительной работы силовых полупроводниковых приборов (СПП). В основном все нюансы применения СПП обусловлены конструктивными особенностями приборов. Незнание или пренебрежение особенностями применения СПП, как на стадиях проектирования схем, так и при монтаже с охладителем приводит к нештатному функционированию приборов и — как следствие — к параметрическому отказу. Анализ отказов в основном направлен на идентификацию причин, связанных с ним.

Основные причины отказов СПП, изготовленных с соблюдением современных принципов конструирования и норм технологии, могут быть условно сгруппированы следующим образом:

  • некорректный монтаж в электрооборудовании,
  • электрические и тепловые режимы эксплуатации, выходящие за пределы области безопасной работы СПП, определенной производителем, нештатные и аварийные режимы работы оборудования,
  • использование СПП с выработанным ресурсом,
  • неучет при выборе эксплуатационных режимов конструктивно-технологических особенностей конкретных типов СПП.

Ниже описаны наиболее распространенные виды отказов, по приведенным выше группам, обсуждаются возможности идентификации причин отказов по результатам исследования аварийных диодов и тиристоров.

Некорректный монтаж в электрооборудовании

  • Наиболее часто встречаются случаи некорректного монтажа СПП с охладителем. Результатом такого монтажа может явиться механическое повреждение полупроводникового кристалла, или недостаточно эффективный отвод тепла от прибора в процессе его работы. Как правило, некорректный монтаж с охладителем может быть выявлен при визуальном осмотре поврежденного СПП. Ниже приведены характерные примеры:
  • Плохо или некорректно подготовленные к монтажу контактные поверхности СПП и охладителя (рис. 1). На рисунке отчетливо виден отпечаток прижимного устройства с неровной поверхностью. Такой монтаж, как правило, не позволяет получить надежного теплового (а иногда и электрического) контакта СПП с охладителем, при повышенном монтажном усилии может привести к повреждению полупроводникового элемента.
Рис. 1
  • Нанесение на контактные поверхности приборов таблеточного исполнения теплопроводящей пасты, не обладающей электропроводящими свойствами (рис. 2). На фотографии видны остатки изолирующей теплопроводящей пасты в отверстии для центровки корпуса прибора. Наличие даже тонкого и несплошного слоя изолирующей пасты между контактными поверхностями корпуса СПП и охладителя или монтажной электроподводящей шины приводит к тому, что электрический контакт становится точечным, сопротивление контакта многократно возрастает, а падение напряжения на контакте становится сравнимым или даже превышает падение напряжения на СПП в открытом состоянии. Это приводит к дополнительной мощности потерь, и недопустимому перегреву СПП и его тепловому пробою. При этом, вследствие локализации электрического контакта, области перегрева полупроводникового элемента также носят локальный характер.
Рис. 2
  • Некорректный подбор диаметра контактной поверхности охладителя (рис. 3). На рисунке виден отпечаток зажимного устройства с меньшим диаметром, чем у контактного основания корпуса. Контактные основания таблеточных корпусов изготавливаются из мягкого материала (бескислородная медь), поэтому несмотря на относительно большую толщину, не передают усилия сжатия на соответствующие части полупроводникового элемента. При этом для таких областей может нарушится как тепловой, так и электрический контакт полупроводниковой структуры с основаниями корпуса.

Потеря теплового контакта приводит к локальному перегреву указанных областей полупроводниковой структуры. Однако, даже для прибора работающего в режиме коммутации одиночных импульсов тока, не требующего эффективного теплоотвода, некорректный монтаж такого типа может привести к отказу, вследствие ненадежного электрического контакта. При коммутации импульсов тока большой амплитуды и с большой скоростью нарастания на переднем фронте, в локальных областях СПП, не имеющих электрического контакта между катодной металлизацией полупроводниковой структуры и токопроводящим катодным основанием корпуса (или катодной прокладки), может возникать электрический дуговой разряд (в случае, если зазор между контактными поверхностями составляем несколько микрон). При этом происходит постепенная деградация поверхности полупроводниковой структуры (эрозия), что в конечном итоге приводит к отказу.

Рис. 3
  • Некорректный подбор размеров центрирующего элемента или его осевое смещение от соответствующего отверстия в СПП, (рис. 4). Указанный дефект монтажа приводит к резкому возрастанию локального давления на полупроводниковый элемент в его центре. Следствием может быть либо механическое повреждение полупроводниковой структуры, либо (для тиристоров) закорачивание катодным основанием управляющего электрода.
Рис. 4
  • Неравномерное распределение монтажного усилия по контактным поверхностям СПП (рис. 5). Такой дефект монтажа может приводить как к разрушению полупроводникового элемента, вследствие недопустимого возрастания локального давления при прижиме, так и к перегреву и последующему тепловому пробою, вследствие недостаточного теплоотвода от части структуры.
Рис. 5
  • Избыточное монтажное усилие, приводящее к механическому разрушению полупроводникового элемента. Если избыточное монтажное усилие распределено равномерно по площади контактного основания, визуальный осмотр поврежденного прибора, как правило не дает результатов. Однако, после вскрытия корпуса можно обнаружить (для тиристоров с разветвленным управляющим электродом) характерный глубокий отпечаток рисунка управляющего электрода на катодном основании корпуса. Избыточное монтажное усилие приводит к разрушению полупроводникового элемента — появлению трещин в полупроводниковой пластине, которые выявляются при исследовании посредством травления полупроводниковой структуры в специальных травителях и режимах (рис. 6).
Рис. 6
  • Недостаточное монтажное усилие или полное его отсутствие. Приводит к нарушению тепловых режимов работы и параметрическому отказу СПП. При работе оборудования перегрев СПП вследствие недостаточного монтажного усилия может быть обнаружено, например, при обследовании с помощью тепловидения (рис. 7).
Рис. 7
  • Электрические и тепловые режимы, выходящие за пределы области безопасной работы.

Можно условно разделить такие режимы на несколько групп:

Превышение допустимой нормы по среднему току (с учетом режима охлаждения), либо по амплитуде импульсного (ударного) тока

Вышедший из строя полупроводниковый элемент СПП имеет в этом случае характерные «крупные» области проплавления (рис. 8), расположенные в области протекания силового тока. Так как отказ наступает, как правило, вследствие теплового пробоя, либо (в режиме коммутации ударного тока) вследствие шнурования тока большой амплитуды, то области проплавления часто локализуются в наиболее перегретых частях структуры, а также в областях с ухудшенным теплоотводом.

Рис. 8

При образовании теплового шнура в режиме коммутации аварийного тока большой амплитуды происходит увеличение температуры в базе тиристора или диода, как следствие — возрастает собственная концентрация носителей, которая в наиболее нагретой области структуры становится сравнимой с концентрацией инжектированных носителей заряда. Сопротивление этой области уменьшается, ток через нее увеличивается, включается механизм положительной обратной связи, что и приводит к стягиванию тока в локальный тепловой шнур и как следствие к разрушению полупроводникового эле-мента. Эрозия катодной области возникает при плавлении одного из слоев полупроводникового элемента (наименьшую температуру плавления имеет соединение алюминия с кремнием), вследствие чего, нарушается один из полупроводниковых переходов, как правило, отвечающий за прямое блокирующее напряжение, или происходит полное разрушение полупроводникового элемента.

Рис. 9

Малое значение анодного тока тиристора

Тиристор представляет собой полупроводниковую структуру, состоящую из вспомогательного и основного тиристоров (рис. 9). Ток анодной цепи — Ia разветвляется на два тока: анодный ток вспомогательного тиристора (Ia вспм) — он же ток управляющего электрода основного тиристора (Iуэ осн) и анодный ток основного тиристора (Iосн). При малом значении анодного тока, ток в цепи управляющего электрода основного тиристора не может достичь величины, при которой основной тиристор открывается полностью по всему периметру управляющего электрода. Зона проводимости будет сформирована в локальной точке, где будет выделяться значительная локальная мощность, способная привести к его локальному перегреву и разрушению полупроводникового элемента. Если анодный ток вовсе не способен включить основной тиристор даже в локальной точке, то в случае длительной эксплуатации тиристоров в этом режиме возможен перегрев области управляющего электрода основного тиристора и, как следствие, разрушение полупроводникового элемента.

При проектировании схем следует рассматривать анодные токи как от основных силовых цепей, так и от защитных (снабберных) цепей. Данный эффект необходимо более внимательно изучать в случае работы с высоко-частотными тиристорами, имеющими разветвленный управляющий электрод основной структуры, и как следствие — большие токи отпирания основного тиристора.

Проблемы, связанные с управлением, осложняются тем, что конструктивно область управления имеет односторонний теплоотвод. Отвод тепла от области управления осуществляется со стороны анода; с катодной стороны находится прокладка с центральным отверстием, осуществляющая раскорачивание области управления и катодную область. Таким образом, вероятность отказа повышается по мере нагревания прибора.

Нештатные процессы в цепи управления тиристора

При наличии нештатных сигналов в цепи управления, место разрушения на полупроводниковом элементе, как правило, привязано к управляющему электроду вспомогательного тиристора (рис 10).

Рис. 10

В этом случае возможны следующие причины, приведшие к отказу: Слабый сигнал управления или включение тиристора от помехи. Слабый сигнал управления инициирует включение тиристора только в локальной точке вблизи вспомогательного управляющего электрода, а не по всему периметру управляющих электродов, как это происходит в случае со штатным импульсом управления (рис 11). Тиристор начинает проводить анодный ток непосредственно в этой точке, и одновременно происходит спад прямого блокируемого напряжения. Таким образом, в данный момент времени пиковая мощность, выделяемая на тиристоре, имеет максимальное значение и локализована в одной или нескольких точках, что приводит к локальному перегреву и разрушению полупроводникового элемента.

Рис. 11

Сигнал в цепи управления, выходящий за пределы области безопасной работы, например ток управления большой амплитуды, а также напряжение и ток обратной полярности в цепи управления могут приводить к отказу прибора с характерной локальной областью разрушения, аналогичной приведенной на рис 10.

Попадание в цепь управления высокого напряжения и, как следствие, возникновение неограниченного тока по цепи управления приводит к локальному перегреву и разрушению полупроводникового элемента. Характерная для такого типа отказа «крупная» область проплавления в области вспомогательного тиристора показана на рис. 12.

Рис. 12

Одновременное присутствие сигнала управления и обратного анодного напряжения. В этой ситуации за счет транзисторного эффекта резко увеличивается обратный анодный ток (ток утечки), который значительно превышает предельно допустимые значения для тиристора (рис. 13). В результате вблизи управляющего электрода локализуется значительная мощность, которая способна привести к разрушению прибора, причем, чем больше сигнал управления, тем больше ток утечки, а значит — и выделяемая мощность. Следует также учитывать, что с ростом температуры значение тока утечки увеличивается, и повышается вероятность параметрического отказа СПП. Данный режим работы не рекомендуется к применению, но допустим в особых случаях при всестороннем изучении конкретной схемы и выбора режимов работы тиристора, гарантирующего его длительное и надежное функционирование.

Рис. 13

Превышение предельного значения скорости нарастания анодного тока или малое значение скорости нарастания тока управления (эффект di/dt)

В случае штатного импульса управления тиристор включается по всему периметру управляющего электрода вспомогательного тиристора и продольное распространение включенного состояния имеет конечную скорость (рис. 14). Таким образом, при значительных скоростях нарастания анодного тока и ограниченности скорости распространения включенного состояния тиристора, локальная плотность тока вблизи управляющего электрода вспомогательной структуры может превысить своё предельное значение, что вызовет перегрев и разрушение полупроводникового элемента. Аналогичная ситуация возникает при малой скорости нарастания тока управления.

Рис. 14

Характер области разрушения, как правило, сходен с приведенным на рис. 10. Подобный механизм может возникнуть при включении основного тиристора, в этом случае область разрушения находится вблизи управляющего электрода основного тиристора (рис. 15). Как правило отказ, аналогичный изображенному на рис. 15, происходит в частотно-импульсных режимах, т. е. при превышении нормы на повторяющееся значение предельно допустимого di/dt, а отказ, аналогичный изображенному на рис.10 — при превышении нормы однократного предельно допустимого di/dt.

Рис. 15

Нештатное переключение тиристоров по аноду без сигнала управления

В этом случае наиболее характерны следующие причины, ведущие к отказу. Переключение из-за превышения допустимой скорости нарастания прямого напряжения (эффект dv/dt).

Для этого вида отказа возможно расположение локальной области разрушения в пределах катодных областей основного или вспомогательного тиристоров. Наиболее характерно их расположение вблизи управляющего электрода — вспомогательного тиристора (аналогично, изображенному на рис. 10), или основного тиристора (аналогично, изображенному на рис. 15), т. к. эти области, как правило, наиболее чувствительны к переключению, инициированному емкостным током.

Переключение при приложении прямого напряжения в конце процесса рассасывания заряда при выключении, за время меньшее времени выключения (tq).

Такой нештатный режим переключения схематично изображен на рис. 16. Наиболее вероятным местом разрушения является катодная область основного тиристора. Такой характер повреждения типичен в условиях, когда концентрация электронно-дырочной плазмы в базовых слоях прибора недостаточна для инициирования процесса переключения по достаточно большой площади кристалла. Этот процесс происходит локально, как правило, в одной или нескольких точках, имеющих наибольшее время жизни носителей заряда, либо характеризуемых наименьшей эффективностью распределенной катодной шунтировки.

Рис. 16

Отказ при перенапряжениях в прямом или обратном направлениях.

Сильное электрическое поле создает лавинный пробой, также усиливается электрическое поле на поверхности. Отказ в этих случаях, как правило, возникает на периферии полупроводникового элемента тиристора или диода (рис. 17).

Рис. 17

СПП с выработанным ресурсом

Наиболее «чувствительными» характеристиками, изменение которых может служить критерием выработки ресурса, являются:

  • Ток утечки в закрытом состоянии (для тиристоров), обратный ток (для диодов и тиристоров). Для СПП, выработавших ресурс характерны повышенные токи утечки (обратные токи), даже при измерениях при комнатной температуре. Этот эффект возникает из-за старения защитного компаунда на периферии полупроводникового элемента СПП и деградационных явлений на поверхности полупроводника в области выхода на поверхность высоковольтных р-п переходов (область фаски). Величина тока утечки при комнатной температуре, при этом может составлять несколько миллиампер, а при максимальной температуре еще не превышать установленную производителем максимальную норму. Тем не менее, наличие повышенного тока утечки при комнатной температуре.
  • Есть прямое указание на то, что прибор уже потенциально ненадежен и должен быть снят с эксплуатации.
  • Падение напряжения во включенном состоянии, прямое падение напряжения. Увеличение этих характеристик СПП происходит в основном за счет деградации контактных поверхностей внутри СПП — металлизированной поверхности катода полупроводникового элемента, поверхности анодного термокомпенсатора, контактных прокладок. При длительной эксплуатации возможно также возрастание падения напряжения за счет уменьшения времени жизни носителей заряда в слоях полупроводниковой структуры под воздействием космического излучения.
  • Тепловое сопротивление. Причина его возрастания — также, в основном, деградация контактных поверхностей. Измерение указанных характеристик является неразрушающим методом, позволяющим определить выработку ресурса на части приборов. При этом фиксация выхода этих параметров за пределы норм, заданных производителем является необходимым только лишь достаточным условием определяющим, что прибор выработал свой ресурс, так как новые приборы обычно поставляются с некоторым технологическим «запасом» относительно предельных значений норм, а динамика изменения характеристик в процессе эксплуатации обычно не отслеживается.

Поэтому окончательное решение о выработке ресурса можно, как правило, принять, лишь вскрыв прибор (или контрольную группу однотипных приборов) и визуально исследовав состояние контактных поверхностей.

Необходимость учета конструктивно-технологических особенностей конкретных типов СПП

Фирмы — изготовители, как правило стараются как можно более полно описать область безопасного функционирования для выпускаемых приборов, учитывая их конструктивно-технологические особенности. Однако, учесть все нюансы, возникающие в различных режимах эксплуатации приборов, зачастую все же не удается. При этом могут возникать ситуации, когда определенная последовательность безопасных по отдельности режимов может создать предпосылки для отказа прибора.

Поясним сказанное на конкретном примере, описывающем реально существовавший случай отказа. Высоковольтный тиристор эксплуатировался в преобразователе в режиме, характеризующемся длительной работой при малом анодном токе (на углах зажигания около 180°), затем угол зажигания скачком уменьшался и анодный ток резко возрастал, однако его среднее и амплитудное значение не превышало допустимых пределов. Режим работы на малом токе также не выходил за границы области безопасной работы: несмотря на то, что включался только вспомогательный тиристор, его перегрев не приводил к превышению максимально допустимой температуры. Поясним сказанное на конкретном примере, описывающем реально существовавший случай отказа. Высоковольтный тиристор эксплуатировался в преобразователе в режиме, характеризующемся длительной работой при малом анодном токе (на углах зажигания около 180°), затем угол зажигания скачком уменьшался и анодный ток резко возрастал, однако его среднее и амплитудное значение не превышало допустимых пределов. Режим работы на малом токе также не выходил за границы области безопасной работы: несмотря на то, что включался только вспомогательный тиристор, его перегрев не приводил к превышению максимально допустимой температуры.

Тем не менее последовательность этих двух безопасных режимов приводила к отказам, которые имели систематический и массовый характер. Область разрушения находилась в области катода вспомогательного тиристора и имела характер, близкий к показанному на рис. 12.

Причина отказов заключалась в следующем. При работе в режиме малых токов происходил локальный разогрев области вспомогательного тиристора, тогда как область основного тиристора оставалась холодной. После резкого перехода в режим относительно больших анодных токов, вследствие разницы температуры основной и вспомогательной тиристорных структур, возникала ситуация, когда вспомогательный тиристор не отключался после включения основного, причем уровень тока вспомогательного тиристора превышал безопасный предел (рис. 18). Этот ток перегрузки и приводил в конечном итоге к недопустимому перегреву вспомогательной структуры и, следующему за ним тепловому пробою.

Таким образом отказ тиристоров происходил из-за неучета конкретных особенностей прибора данного типа: уровня минимального анодного тока, необходимого для включения основного тиристора и температурных характеристик ВАХ во включенном состоянии структур основного и вспомогательного тиристоров. При этом пользователь не владел информацией об указанных характеристиках, так как она не входит в стандартных набор характеристик, представляемых в информационных материалах. А изготовитель, владевший информацией об этих особенностях не владел полной информацией об особенностях применения его тиристоров в конкретной аппаратуре пользователя.

Из сказанного ясно, что поиск причин отказов, возникших из-за неучтенных особенностей характеристик применяемых приборов, определяющихся особенностями их конструкции и технологии изготовления, является весьма сложной задачей, решение которой, как правило невозможно без тесного взаимодействия изготовителя и потребителя.

Рис. 18

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, чтобы не допустить отказ прибора, необходимо строго следовать рекомендациям по его применению, описанных в технических условиях, паспортах, информационных материалах на соответствующий прибор.

Идентификация причин ряда отказов СПП является весьма сложной задачей, которая может быть успешно решена только при плотной совместной работе потребителя и завода изготовителя СПП.

Причины отказов силовых тиристоров в режимах включения с высокими значениями скорости нарастания тока в открытом состоянии

Особенности процесса включения силовых тиристоров

Включение силовых тиристоров импульсом тока управления осуществляется в ОПВ, которая формируется вдоль границы раздела управляющего p-n перехода полупроводниковой структуры (ПС) силовых тиристоров. Площадь ОПВ много меньше активной площади ПС, а радиальная скорость распространения включенного состояния не превышает величину 0,1 мм/мкс, поэтому на этапе включения при протекании тока в открытом состоянии iT с высокой скоростью нарастания diT/dt в ОПВ возникают повышенные электрические потери. Этот эффект обусловливает возникновение в ОПВ ПС различных термически активируемых де-градационных процессов, развитие которых при определенных условиях приводит к существенному изменению параметров тиристора при эксплуатации и обусловливает возможность их отказов.

Основным путем снижения перегрева ПС силового тиристора при включении является увеличение площади первоначального включения (ППВ) тиристора. Конструктивные размеры периметра управляющего p-n перехода Ppn предопределяют величину ППВ (S0), которую можно приближенно оценить по формуле S0 = PpnX0, где X0 — ширина ОПВ. При соответствующем выборе оптимальных значений параметров импульсов тока управления возможно достижение максимальной ППВ. Однако в ходе изготовления ПС в области УЭ возникают различного рода неконтролируемые технологические дефекты ПС и металлизации УЭ и катода, которые усугубляют неоднородность процесса включения. Это приводит к существенному уменьшению и разбросу величин ППВ тиристора одного типа относительно теоретической максимально возможной величины, которая устанавливается на этапе проектирования прибора и, соответственно, к увеличению электрических потерь в ОПВ, при прочих равных внешних условиях включения силового тиристора.

Так, например, экспериментальные оценки величин ППВ для широко применяемых силовых тиристоров Т454-800 показывают их возможный разброс от 1 мм2 до 8 мм2. Это обусловливает вариацию предельных величин параметров внешнего электрического режима включения, например критической скорости нарастания тока в открытом состоянии (diT/dt)critу силового тиристора  одного типа.

Отсутствие объективной информации о параметрах ОПВ серийных силовых тиристоров не позволяет оценить и предельный параметр (diT/dt)crit тиристоров одного типа с учетом вариации дефектности приборов в области УЭ. Это обстоятельство обусловливает различный ресурс силовых тиристоров одного типа при эксплуатации в режимах с повышенными значениями diT/dt.

Размеры ОПВ конкретных силовых тиристоров одного типа зависят также и от величин параметров импульсов тока управления: амплитуды IGM, скорости diG/dt нарастания и длительности тu, а также от напряжения на тиристоре в закрытом состоянии UDM перед включением. Необходимо особо отметить, что технологические нарушения и дефекты ПС и металлизации в области УЭ определяют и величины параметров вольтамперной характеристики (ВАХ) УЭ силовых тиристоров. Это существенно влияет на процесс формирования тока в цепи УЭ при подаче импульсов с выходных каскадов систем управления преобразователей напряжения, выполняемых обычно по схеме преобразователя напряжения.

Поскольку величина критической скорости нарастания тока (diT/dt)crit в открытом состоянии является важнейшим предельным параметром силовых тиристоров, представляет интерес рассмотрение причин, приводящих к разрушению тиристоров при повышенной скорости нарастания тока diT/dt.

Рис. 1. Упрощенная конструкция p-n-p-n структуры силовых тиристоров в области УЭ

На рис. 1 в разрезе показана упрощенная конструкция p-n-p-n структуры силовых тиристоров в области УЭ и распределение токов по структуре при включении на этапе нарастания тока. Обычно длина Ln свободного от металлизации участка n — эмиттера больше ширины X0 ОПВ, поэтому ток в открытом состоянии iT и управляющий ток iG на этапе включения протекают через включенный участок в виде тангенциального поверхностного тока вдоль свободного от металлизации участка Ln n — эмиттера. Это обусловлено и характером распределения концентраций легирующих примесей в n — эмиттере, которое описывается функцией Гаусса. Ввиду того, что исходная концентрация примеси на поверхности полупроводника в области участка Ln n — эмиттера выше, чем вблизи p-n управляющего перехода, протекание тангенциального тока дополнительно локализуется в приповерхностном слое участка Ln n — эмиттера. Дополнительным фактором локализации токов на этапе нарастания является протекание высокочастотных гармонических составляющих этих токов по поверхности свободного от металлизации участка n — эмиттера. Эти факторы приводят к концентрированию выделения энергии потерь в приповерхностном объеме свободного от металлизации n — эмиттера. При отсутствии технологических нарушений («идеальное» исполнение) в конструкции p-n-p-n структуры тиристора в области УЭ должно наблюдаться равномерное распределение плотности поверхностного тангенциального тока на этапе включения (рис. 2а), что обеспечивает равномерность ширины Х0 ОПВ вдоль периметра управляющего p-n перехода. На практике же одним из часто встречающихся технологических нарушений конструкции УЭ является сдвиг R0 металлизации УЭ и катода относительно управляющего p-n перехода (рис. 2б). Другим нарушением является неравномерность формирования управляющего p-n перехода вдоль УЭ и металлизации. Эти технологические нарушения приводят к неравномерности распределения плотности поверхностного тангенциального тока iT, что существенно усугубляет локальность тепловыделения в приповерхностных участках n — эмиттера тиристора при включении.

 

Рис. 2.

 

Процесс эрозии кремния и причины разрушения тиристорной структуры

Под процессом эрозии кремния понимается плавление и выброс расплава кремния на свободном от металлизации участке n — эмиттера тиристора, вызванные концентрированным выделением энергии потерь в приповерхностном объеме n — эмиттера, свободного от металлизации при протекании вдоль него тангенциального тока iT до момента времени достижения включенного состояния границы катодной металлизации.

Понятно, что причиной эрозии является ток iT , возрастающий при включении с определенной скоростью. Обычно разработчики преобразователей напряжения на основе силовых тиристоров, зная об «эффекте di/dt», специальными реакторами ограничивают скорость нарастания составляющей тока, протекающей в нагрузке. Для устранения возможности включения силовых тиристоров от другого эффекта — «du/dt», тиристоры традиционно шунтируются демпфирующими RC-цепями. При включении тиристора емкости этих цепей через токоограничивающие резисторы разряжаются в их ОПВ. В результате этого при работе в преобразователе напряжения через силовые тиристоры на этапе включения протекает два тока — ток нагрузки, скорость нарастания которого ограничена реактором, и разрядный ток емкости демпфирующей цепи, скорость нарастания которого ограничена только паразитной индуктивностью разрядной цепи. Таким образом, скорость нарастания общего тока через тиристор может существенно превышать предельно допустимую величину (diT/dt)crit. Кратковременное протекание этого общего тока на этапе включения силового тиристора вызывает выделение в приповерхностном слое свободного от металлизации n — эмиттера энергию потерь и при определенных условиях эрозию кремния в ОПВ.

Так как глубина протекания тангенциального тока iT по поверхности n — эмиттера невелика, то расплавляются и разрушаются вначале только поверхностные участки. При этом образуются характерные эрозионные каналы, образующиеся вдоль свободных от металлизации участков n — эмиттеров. На рис. 3 представлена фотография области УЭ тиристора типа Т453-800 с характерными эрозионными каналами. Визуально этот процесс сопровождается образованием искр и углублением каналов в области УЭ с течением времени. При этом наблюдается увеличение одного из параметров критерия годности тиристора — отпирающего тока управления IGT. При достижении эрозионными каналами глубины зоны запорного слоя второго p-n перехода тиристорной структуры начинает увеличиваться ток в закрытом состоянии IDR и снижаться напряжение переключения UBR, что уменьшает повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии UDRM, величина которого определяет класс прибора по напряжению. Пробой структуры в области УЭ, вызывающий катастрофический отказ тиристора, возникает при снижении UBR до максимальной величины напряжения, прикладываемого к тиристору в закрытом состоянии при работе в преобразователе напряжения. Этот процесс, в зависимости от условий включения, может длиться от нескольких минут до нескольких месяцев и даже лет, эксплуатации силового тиристора. На рис. 4 представлены фотографии тиристора серии Т143-630, отказавших в результате описанного выше эффекта.

Рис. 3.

Рис. 4.

 

Заключение

Для снижения вероятности возникновения такого рода отказов силовых тиристоров в преобразователях напряжения требуется решение следующего комплекса задач.

Этапы проектирования и модернизации преобразователей напряжения

На этих этапах работ необходимо применить в системах управления выходные каскады, которые способны формировать импульсы тока управления с амплитудой не менее 1 А и скоростью нарастания не менее 1 А/мкс вне зависимости от изменения параметров соединительных линий и ВАХ УЭ. Это обеспечивает формирование максимально возможных величин ППВ всех современных тиристоров, что снижает потери электрической энергии в их структурах при включении. Для решения этой задачи, например, Научно-инженерный центр «Электронное приборостроение» Мордовского государственного университета разработал выходные трансформаторные каскады на основе управляемых однотактных или двухтактных импульсных источников тока, которые обеспечивают требуемые значения параметров тока управления любых современных тиристоров для их надежного включения.

Для ограничения энергии потерь в ОПВ силовых тиристоров следует принять дополнительные меры, которые предусматривают ограничение скорости нарастания разрядных токов емкостей демпфирующих RC-цепей. Например, в эти цепи нами предлагается включать последовательно реакторы с необходимыми значениями индуктивности.

Этап входного контроля тиристоров

На этом этапе работ требуется проведение отбраковки потенциально ненадежных тиристоров с аномально низкими значениями ППВ. Для решения этой задачи нами предлагается методика и аппаратура для определения ППВ по параметрам переходного процесса включения, определяемым в специальном тестовом режиме.

Реализация этих мер может существенно повысить вероятность безотказной работы силовых тиристоров в преобразователях напряжения.

Литература
  1. Бардин В. М. Надежность силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978. 96 с.
  2. Грехов И. В. Физические процессы в мощных кремниевых приборах с p-n переходами: Автореф. дис. … докт. физ.-мат. наук. — Л.: ЛФТИ. 1972. 36 с.
  3. Плоткина Н. З., Цзин Ю. Д. Испытания силовых тиристоров на di/dt-стойкость // Труды НИИПТ. Л.: Энергоиздат. 1981. С. 68-74.
  4. Дерменжи П. Г., Кузьмин В. А., Крюкова Н. Н, Мамонов В. И., Павлик В. Я. Расчет силовых полупроводниковых приборов. / Под ред. В. А. Кузьмина М.: Энергия. 1980. 184 с.
  5. Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М. Экспериментальное исследование площади начального включения и потерь в тиристорах при включении по цепи управления // Электротехника. 1995. № 1. С. 48-51.
  6. Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М. Метод и аппаратура для неразрушающего определения di/dt-стойкости силовых тиристоров // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Труды IV Межд. конф. Новосибирск: Изд-во НГТУ. 1998. Т. 7. С. 39-40.

Как проверить тиристор, схема пробника. Мастер класс с пошаговыми фото

При ремонте зарядных устройств и прочей бытовой аппаратуры иногда возникает необходимость проверки тиристоров. Вашему вниманию предлагается простой пробник, с помощью которого можно проверить тиристоры на обрыв и пробой.

Схема пробника для проверки тиристора

Это — одна из самых простых схем подобных пробников. Кроме тиристоров, она позволяет проверить исправность диодов и переходов биполярных транзисторов.

Конечно, из-за простоты такой пробник не позволит измерить токи открытия и удержания, но часто это бывает не критично — главное, чтобы деталь была исправна.

В качестве корпуса отлично подошёл корпус от блока управления неисправной китайской елочной гирлянды.

Внутри корпуса находится плата — по её контурам создаём новую. Особое внимание следует обратить на координаты отверстий для выводов кнопки.

Распечатываем шаблоны и изготавливаем монтажную плату.

При сборке нужно постараться не перегреть кнопку — из-за деформации такая кнопка может отказать.

Провода для подключения тиристора лучше взять разных цветов — меньше шанс их перепутать.

Делаем в корпусе отверстие под светодиод и собираем пробник — прибор готов к проверке.

Подключив питание (в качестве которого можно использовать блок питания или батарейку типа «Крона»), приступаем к проверке тиристора.

Подключаем зажимы к выводам тиристора — светодиод не горит.

При нажатии кнопки тиристор открывается, светодиод загорается.

Отпускаем кнопку — тиристор остаётся в открытом состоянии, светодиод продолжает гореть.

Меняем полярность щупов на аноде и катоде — при нажатии кнопки тиристор тоже откроется, но при отпускании — закроется.

Если при подключении щупов анода и катода светодиод тут же загорается, то такой тиристор неисправен. При смене полярности поведение неисправной детали не изменится.

Если при нажатии кнопки при любой полярности щупов светодиод не загорается — тиристор неисправен (обрыв).

Для проверки диодов и переходов мощных биполярных транзисторов используем только зажимы, подключаемые к аноду и катоду.

Что Такое Фото Тиристор В Силовой Электронике?

За прошедшие годы электронная семья следовала той же эволюции, что и размножение в природе, за последний миллион лет. Вот как все это идет.
Электрон был найден около 100 лет назад и анализ его характеристик и какие материалы лучше всего использовать. Мы использовали в клапане и сделали чудеса с этим. Но диод является основной основой электроники, а все остальное — просто добавление управляющего электрода для управления током, протекающим через диод.
Теперь, не вдаваясь в детали, соединение между PN и NP ведет себя как мужчина и женщина, когда они соприкасаются друг с другом, горячий материал генерируется без какого-либо повышения температуры.
И это только один переход, который произвел диод и его характеристику, включая свойство выпрямления.
Затем кто-то положил два диода вплотную, и таким образом было два перехода, и этот соседний переход был похож на две семьи, двух мужчин и двух женщин, живущих рядом. Опять же, не вдаваясь в детали, у электроники больше изменений в своем поведении, как у людей в многоэтажных домах и квартирах!
Затем кто-то положил два транзистора вплотную, и был сформирован тиристор, который теперь был похож на создание сообщества PN-переходов, которое теперь превращается во множество семей (мужчин и женщин), живущих рядом друг с другом, как в городе, где будет расти проституция, преступники и политики и паразиты будут расти, и все сообщество будет иметь различные характеристики, плохие и полезные, и в случае транзистора это было усиление, а в случае тиристора — переключение только на полярность постоянного тока.
Затем кто-то положил два тиристора вплотную и получил триак. Это было более сложное устройство переключения, которое могло обрабатывать переменный и постоянный ток. Это мощные электронные переключатели, и, подобно тиристору, я использовал их в генераторах большой мощности для нагрева алюминиевых заготовок, прежде чем они попадут в экструзионную машину для изготовления оконных рам. Теперь это была настоящая электронная сила благодаря тому, что сообщество диодов было разработано для жизни в городе с его проституцией и ее преимуществами.
Затем все больше трансситоров были объединены для выполнения разнообразных функций, и эти диоды стали и вели себя как люди в целой нации, такие как США Жаль, что ЭКО и искусственное оплодотворение заменяют естественное соединение, которого мужчины и женщины могут достичь самостоятельно.

Теперь тиристор представляет собой разработку сначала диода, затем два диода спина к спине создают транзистор, а затем два транзистора спина к спине создают тиристор. Теперь, подобно тому, как эмоциональные и физические чувства мужчины и женщины, собравшихся вместе, порождают много разных действий, соединения между NP, которые благословляют диод, также будут создавать чувствительность к свету, и поэтому диод, транзистор и тиристор могут создавать много действий, как мужчина и женщина вступают в контакт, и одно дополнительное действие — это чувствительность к свету в дополнение к другим естественным действиям и функциям из-за множества соединений NP, которые так разумно размещаются в архитектуре, которая производит чудеса.
Таким образом, фототиристор представляет собой электронное устройство, которое состоит из двух транзиторов NPN и PNP, расположенных спиной к спине, и они нестабильны, поскольку выходной сигнал коллектора одного из них подается непосредственно на основание другого, и возникает лавинный эффект, который переключает два транзистора. вместе, и они соединяются друг с другом. Один из переходов чувствителен к свету, в то время как другие переключаются, и поэтому у нас есть фото тиристор.
Инженеры — это люди, чей мозг развивался дольше, чем мозг другой профессии, поскольку разум должен был выполнять более сложные функции, которые все невидимы.
Природа сделала это перед нами, и прекрасная элегантная функция одинокого мужчины и одинокой женщины прекрасна и изящна, пока они разлучены. Как только ум и физическая функция одинокого мужчины и одинокой женщины близки, они производят романтику, и если они вступают в контакт, они воспроизводят чудо, и несколько семей, работающих вместе, приносят пользу городу с его вредными привычками, я должен сказать.
Мы, инженеры, изучили характеристики материалов, и мы создали мужчину или материал N, а также женщину, которую мы можем назвать материалом P. Мы можем использовать их самостоятельно на огромном расстоянии друг от друга, мы сближаем их, чтобы создать полупроводник, который мало чем отличается от вакуума, но мы также заставляем их касаться друг друга, и случаются чудеса.

Медицинские работники пытаются имитировать нашу способность объединять PN-соединения для производства диода, транзистора, тиристора, траика и усилителя, таких как 741 и 555, а также микропроцессоров, компьютеров и памяти, потому что мы инженеры может обрабатывать переход между переходами N и P. Медицинские работники пытаются использовать ЭКО, искусственное оплодотворение и другие методы, чтобы имитировать то, что мужчина и женщина могут делать сами, с добавлением романтики и функций.

Многим современным мужчинам и женщинам лучше посмотреть, насколько важно понять себя и как уважать то соединение, которое природа значила для мужчины и женщины. Жаль, что школьное образование привело к тому, что пары мужчин, живущих в городе, препятствуют естественному соединению между мужчиной и женщиной во славу светлой декорации, найденной в городе для привлечения дураков.

Все мужчины и все женщины должны знать себя и уважать союз или естественное соединение, которое должно иметь место, когда этого требует природа. Очень жаль, что многие религии, возможно, группы людей, современные школы и пропаганда о том, что такое «успех», препятствуют естественному человеческому союзу в создании плодотворного соединения для построения нашей нации. Мы подошли к моменту, когда школьные философии в некоторых современных нациях используют естественное соединение с ингибитором между ними, и поэтому нация принимает иммигрантов, которые естественным образом используют свои естественные соединения. Франция, Англия, Италия, Германия и другие «городские жители» ошиблись в использовании ингибиторов, чтобы остановить чудеса в естественных людских узлах. Медицинские работники сейчас пытаются заменить с помощью ЭКО, какое городское поведение разрушено. Это история, но я на этом остановлюсь.
Надеюсь, что эта аналогия соединения мужчина / женщина и NP-соединения ценится и Quora принимает ее. Содержание моего комментария никогда не будет найдено ни в одной книге, так как это может повредить всем тем, кто не сопрягает свое соединение, как того хотела природа.

Тиристоры серии Т

Тиристоры серии Т: Т25, Т60, Т100, Т160, Т3-160, Т2-200, Т3-200, Т250, Т2-250, Т9-250, Т320, Т2-320, Т500. Тиристоры серии Т на токи от 25 до 500 А предназначены для применения в статических полупроводниковых преобразователях электрической энергии, а также в цепях постоянного и переменного тока частоты до 500 Гц.

Соответствуют техническим условиям ТУ16-529.793-73 и признана годной к эксплуатации.

Основные технические данные.

Основные параметры тиристоров при приемке и поставке не превышают норм, установленных в табл. 1.

Типы тиристоров

Предельный ток при температуре корпуса 85°С, А

Повторяющееся напряжение, В

Обратный ток и ток утечки при повторяющемся напряжении, мА, не более

Прямое падение напряжения при амплитудном значении предельного тока, В, не более

Т25

25

100-1400

10

1,90

Т60

50

15

1,75

Т100

100

20

1,95

Т160

160

100-1400

20

1,75

Т3-160

600-2200

50

1,95

Т2-200

200

100-1400

40

1,80

Т3-200

600-2200

50

1,85

Т250

250

100-2200

2,30

Т2-250

100-1400

1,64

Т9-250

400-1600

15

1,85

Т320

320

100-1600

40

2,10

Т2-320

100-1600

20

Т500

500

100-1600

Примечание: Тиристоры типов: Т25, Т60, Т100, Т160, Т3-160, Т2-200, Т3-200, Т2-250 имеют штыревую конструкцию. Тиристоры: Т250, Т9-250, Т320, Т2-320, Т500 – таблеточную конструкцию. В зависимости от значений повторяющихся напряжений тиристоры делятся на классы в соответствии с табл. 2.

Таблица 2

Классы тиристоров

Повторяющиееся напряжение, В

Неповторяющееся напряжение, В

1

100

110

2

200

225

3

300

335

4

400

450

5

500

560

6

600

670

7

700

785

8

800

900

9

900

1000

10

1000

1120

11

1100

1230

12

1200

1340

13

1300

1460

14

1400

1570

16

1600

1800

18

1800

2000

20

2000

2250

22

2200

2460

В зависимости от времени выключения, максимально-допустимой скорости нарастания прямого напряжения (du /dt) и максимально-допустимой скорости нарастания прямого тока тиристоры делятся на группы, значения которых приведены в таблице 3.

Таблица 3.

Группы Время выключения, мкс, не более Максимально-допустимая скорость нарастания прямого напряжения, в/мкс, не менее Максимально-допустимая скорость нарастания прямого тока, А/мкс, не менее
3 100 100 70
4 70 200 100
5 50 500 200
6 30 1000 400

Примечание: Для тиристоров, которым присвоен Государственный знак качества, группе «О» соответствует время выключения не более 500 мкс, du/dt не менее 10 в/мкс и di/dt не менее 10 A/мкс.
Тиристоры типов Т2-320, Т500 в случае пробоя полупроводниковой структуры выдерживают без выброса пламени и ионизированных газов воздействие одного импульса тока треугольной формы амплитудой 35 кА

Интенсивность отказов тиристоров не более 2 х 10 в -5 степени 1/ч, вероятность безотказной работы на время 18000 часов составляет 0,7.

Установившееся внутреннее тепловое сопротивление тиристоров — не более указанных в таблице 4.

Таблица 4.

Типы

Установившиеся тепловые сопротивления

структура-корпус, °С/Вт

структура-анодный вывод, °С/Вт

структура-катодный вывод, °С/Вт

Т25

0,9

Т50

0,5

Т100

0,17

Т160

Т3-160

0,14

Т2-200

0,12

Т3-200

0,14

Т9-250, Т250, Т320

0,057

0,07

0,3

Т2-250

0,09

Т2-320

0,038

0,05

0,15

Т500

Средний ресурс тиристоров в режимах и условиях, допускаемых техническими условиями, составляет не менее 50 000 часов.

Габаритные, установочные, присоединительные размеры и масса тиристоров приведены в приложении.

Примечания:

1.А-точка измерения температуры корпуса. У тиристоров таблеточной конструкции точка А выбирается на окружности с радиусом 5 мм, показываемой штриховой линией.

2.Содержание серебра в каждом тиристоре: Т3-200, Т2-250 – 0,02015 гр.; Т250, Т3-250, Т320 – 1,4077 гр,; Т500 – 2,3490 гр.

Указания по монтажу и эксплуатации.

Монтаж тиристоров должен обеспечивать надежный тепловой и электрический контакт между токосъемными выводами тиристоров, подводящими шинами и охладителями.

Величина закручивающего момента для тиристоров штыревой конструкции и усилие прижатия для тиристоров таблеточной конструкции должны соответствовать указанным в таблице 5.

Таблица 5.

Типы тиристоров

Закручивающий момент, Нм

Усилие прижатия, Н

Т25

10

Т50

40

Т100

50

Т160

Т3-160

60

Т2-200

Т3-200

Т9-250

10000±2000

Т250

Т2-250

60

Т320

10000±2000

Т2-320

15000±2000

Т500

Неплоскостность, шероховатость контактных поверхностей должны быть не более указанных в таблице 6.

Таблица 6.

Назначение охладителей

Неплоскостность, мм, не более

Шероховатость, мкм, не более

Для тиристоров штыревой конструкции

0,03

3,2

Для тиристоров таблеточной конструкции

0,025

1,6

При монтаже тиристоров с водяным охлаждением должна применяться замкнутая система охлаждения или охлаждение проточной водой, если ее качество удовлетворяет следующим требованиям:

а)жесткость не более 3,5663 мг. экв по ГОСТ 6055-51;

б)электрическое сопротивление не менее 2000 Ом х см;

в)нерастворимых осадков не более 0,05 мг/л.

При этом входным штуцером охладителя должен быть нижний.

При принудительном воздушном охлаждении тиристоры допускают работу в любом положении при условии перпендикулярности оси тиристора и параллельности ребер охладителя направлению потока охлаждающего воздуха.

В схеме должна быть предусмотрена быстродействующая защита тиристоров от недопустимых перегрузок, коротких замыканий, а также защита от коммутационных перенапряжений.

Если при транспортировании или во время эксплуатации тиристора штыревой конструкции произошел обрыв одной или нескольких жил внешнего вывода, то эти жилы необходимо обрезать с целью исключения возможности короткого замыкания.

Предельные значения электрических параметров тиристоров при эксплуатации не должны превышать значений, указанных в таблице 7.

Таблица 7.


Ударный ток и значение

для 10 мс при максимально-допустимой температуре р-п-р-п структуры с последующим приложением одиночного импульса обратного напряжения синусоидальной формы длительностью 10 мс и амплитудой, равной 0,8 повторяющегося напряжения, для тиристоров Т2-320, Т500 не менее 7000 А и 245000 А в квадрате умноженное на c, 7500 А и 281200 А в квадрате умноженное на с соответственно.

При проверке потребителем соответствия тиристоров нормам действующих технических условий испытания должны проводиться в режимах и по методикам, указанным в технических условиях. На входном контроле у потребителей тиристоры не должны подвергаться испытания на термоциклы, длительную вибрацию, многократные удары.

По истечении времени наработки использование тиристоров в аппаратуре допускается в пределах ресурса при условии соответствия параметров тиристоров нормам технических условий.

Тиристоры допускают эксплуатацию в условиях воздействия на них механических нагрузок согласно таблицы 8.
Таблица 8

Наименованиевоздействующих факторов

Значение воздействующих факторов

Вибрация: диапазон частот, Гц

1-100

ускорение, g

5

Многократные удары: ускорение, g

15

длительность удара, мс

2-15

g — ускорение свободного падения.

Тиристоры допускают эксплуатацию в условиях воздействия на них климатических факторов согласно таблицы 9. Таблица 9

Наименование воздействующих факторов

Значение воздействующих факторов для исполненийй

У2

У3

У4

Температура окружающего воздуха, °С

от минус 50 до плюс 45

Темпратура охлаждающей воды, °С

от 1 до 40

Относительная влажность воздуха при температуре 25°С, %

100

98

80

Атмосферное давление мм рт.ст., не менее

630

Транспортирование и хранение.

Транспортирование тиристоров осуществляется в упаковочной таре предприятия-изготовителя любым видом транспорта на любые расстояния.

Примечания:

Транспортирование самолетом тиристоров в сборе с охладителями допускается при температуре не ниже минус 60 ° и давлении не ниже 170 мм.рт.ст.

В случае поставки тиристоров таблеточной конструкции без охладителей не допускается транспортирование их при давлении ниже 600 мм рт.ст.

Храниться тиристоры должны в упаковке предприятия-изготовителя при относительной влажности до 80%, температуре от -50°С до +50°С, при отсутствии воздействия паров кислот, щелочей и других химических продуктов, разрушающих металлы и изоляцию.

Срок хранения тиристоров 3 года.

Маркировка.

Маркировка тиристора, нанесенная на корпуса, расшифровывается следующим образом, например:

Т9-250-12-321-1,85

Т – тиристор;

9 – конструктивное исполнение;

250 – предельный ток в амперах;

12 – класс по повторяющемуся напряжению;

3 – группа по максимально-допустимой скорости нарастания прямого напряжения;

2 – группа по времени выключения;

1 – группа по максимально-допустимой скорости нарастания прямого тока;

1,85 – прямое падение напряжения (маркируется только в технических обоснованных случаях по заказу потребителя).

Кроме того на корпусе нанесены:

а)товарный знак предприятия-изготовителя;

б)символ полярности для тиристоров штыревой конструкции;

Θ – знак, обозначающий катод таблеточных тиристоров;

в)месяц и две последние цифры года изготовителя.

Комплект поставки.

В комплект поставки входят:

а)партия тиристоров в соответствии с разделом 7;

б)паспорт на партию тиристоров.

Гарантийные обязательства.

Предприятие-изготовитель в течение 2 лет со дня ввода тиристоров в эксплуатацию обязано безвозмездно и в кратчайший технически возможный срок заменять тиристоры, вышедшие из строя по вине предприятия-изготовителя, а также не соответствующие требования и технических условий, при условии хранения, монтажа и эксплуатации тиристоров в соответствии с данным паспортом.

 
 
 

Изображение, фотографии и изображения тиристора

на Alibaba

Примечание. Некоторые товары запрещены к отображению / продаже на нашем веб-сайте в соответствии с Политикой листинга продуктов. Например, такие лекарства, как аспирин.

68,16-82,97 долл. США / шт. (цена FOB)

2 шт. (мин. Заказ)

29,0–29,0 долл. США / шт. (цена FOB)

10 шт. Заказ)

30-125 долларов США / шт. (цена FOB)

5 шт.Заказ)

10-60 долларов США / 9000 5 штук (цена FOB)

5 штук (минимальный заказ)

100-2005 долларов США / штук (цена FOB)

2 штуки (Мин. Заказ)

20,0-20,0 долл. США / шт. (Цена FOB)

20 шт. (Мин. Заказ)

135,0–185,0 долл. США / шт. (цена FOB)

1 штука (мин.Заказ)

US $ 1-50 / шт. (цена FOB)

100 штук (минимальный заказ)

US $ 28-300 / шт. (цена FOB)

1 шт. (минимальный заказ)

36,0–36,0 долл. США / шт. (цена FOB)

1 шт. (минимальный заказ)

0,1–3 долл. США / шт. (цена FOB)

1 штука (мин.Заказ)

330,0–380,0 долл. США / шт. (цена FOB)

2 шт. (минимальный заказ)

4,26–140,69 долл. США / шт. (цена FOB)

шт. (мин. Заказ)

90,0-105,0 долл. США / шт. (цена FOB)

1 шт. (мин. Заказ)

10-40 долл. США / Комплект (цена FOB)

1 комплект (мин.Заказ)

0,2-0,5 долл. США / шт. (цена FOB)

1 шт. (минимальный заказ)

33,9-33,9 долл. США / шт. (цена FOB)

1 шт. (минимальный заказ)

2–300 долларов США / шт. (цена FOB)

100 штук (минимальный заказ)

1–500 долларов США / шт. (цена FOB)

100 штук (мин.Заказ)

25-180 долларов США / Комплект (цена FOB)

1 комплект (минимальный заказ)

0,01-0,1 доллара США / шт. (цена FOB)

10 шт. (минимальный заказ)

30-100 долларов США / шт. (цена FOB)

1 шт. (минимальный заказ)

42-79 долларов США / шт. (цена FOB)

3 штуки (мин.Заказ)

20,00-60,00 долл. США / шт. (цена FOB)

10 шт. (минимальный заказ)

50,0–150,0 долл. США / шт. (цена FOB)

1 шт. (минимальный заказ)

200,0–200,0 долл. США / шт. (цена FOB)

1 шт. (минимальный заказ)

50–500 долл. США / шт. (цена FOB)

1 штука (мин.Заказ)

30-200 долл. США / шт. (цена FOB)

5 шт. (минимальный заказ)

10-99 долл. США / шт. (цена FOB)

1 шт. (минимальный заказ)

85-165 долларов США / шт. (цена FOB)

5 штук (минимальный заказ)

2.3-2.4 доллара США / шт. (цена FOB)

1 штука (мин.Заказ)

US $ 1-30 / Единица (Цена FOB)

50 Единиц (Мин. Заказ)

US $ 16.0-16.0 / шт. (Цена FOB)

1 шт. (мин. Заказ)

64,5-135,7 долл. США / шт. (цена FOB)

1 шт. (мин. Заказ)

30–125 долл. США / шт. (цена FOB)

5 штук (мин.Заказ)

US $ 1-80 / шт. (цена FOB)

1 шт. (минимальный заказ)

US $ 10-100 / шт. (Мин. Заказ)

1-2 US $ / 9000 5 шт. (Цена FOB)

10 шт. (Мин. Заказ)

{{#if priceFrom}}

{{priceCurrencyType}} {{priceFrom}} {{#if priceTo}} — {{priceTo}} {{/если}} {{#if priceUnit}} / {{priceUnit}} {{/если}}

{{/если}} {{#if minOrderQuantity}}

{{minOrderQuantity}} {{#if minOrderType}} {{minOrderType}} {{/если}}

{{/если}}

Полупроводники: тиристоры и др.

В Основа современной электроники

1.) Основы
2.) Важные полупроводниковые приборы
2.a) Регулирование мощности: тиристоры: тиристоры, симисторы, диоды
2.b) Другое применение: диоды, транзисторы
3.) Материалы
4.) Хронология истории
5.) Рекомендуемые Пионеры

1.) Основы

Что такое полупроводник?
Полупроводниковые материалы — это материалы, которые позволяют электричеству проходят за счет потока электронов.Напротив, нормальные проводники имеют ионная проводимость. Различные элементы являются полупроводниками. Один из Первым экспериментировали с германием (Ge) (элемент № 32). Кремний и галлий — более известные полупроводники сегодня.

Полупроводники настолько универсальны в применении благодаря способности люди, чтобы точно контролировать, как эти материалы проводят электричество: контролируя размер кристалла элемента и легируя, можно добиться желательно резистивно.
Легирование вводит определенные примеси в чистый образец полупроводник для достижения желаемых свойств. Легирование полупроводника на высоких уровнях заставляет материал действовать больше как проводник, это называется дегенеративным. Слаболегированный полупроводник называется примесью. Существует множество методов легирования материалов, и это очень сложный процесс. Область исследования.

Чтобы понять p-n-переходы и полупроводники лучше, вам нужно будет вложить хорошие деньги количество времени на лекции, это не простое явление и слишком долго рассказывать здесь.Посмотрите 59-минутную вводную лекцию в Solid состояние (полупроводники) от ITT Мадрас здесь.

Будущее:
Полупроводники являются основой бытовой электроники сегодня и будут продолжать быть жизненно важным на долгое время. Технологии, которые заменят многие полупроводники Электроника будет состоять из электроники на основе углеродных нанотрубок и искусственных алмазов. В военные и НАСА используют алмазы вместо кремниевых пластин, потому что они менее подвержены повреждать вредными лучами в космосе.Твердотельная технология, используемая в нашей электросети и электроника склонна к повреждению во время солнечных вспышек или других электромагнитных импульсов События.

Строительство:
полупроводник устройства состоят из одного или нескольких p-n переходов. На рисунке ниже вы увидеть простой полупроводниковый прибор, состоящий из монокристалла арсенид галлия. Область n может быть легирована теллуром, а p область может быть легирована цинком.Есть много материалов, которые можно используется для допинга. У нас есть видео о том, как это работает.

Важно Полупроводниковые приборы:

2.a) Мощность Кондиционирование: тиристоры: тиристоры, симисторы и диоды

(контроль и манипулирование силы для выполнения данной работы):

Тиристоры — семейство полупроводниковых устройств, используемых для выполнения множества работ.это используется в передаче электроэнергии постоянного тока и содержит не менее 4 слоев полупроводниковых слоев n- и p-типа (устройство PNPN). SCR, диаки и симисторы представляют собой разновидности тиристоров.

Исправление — пропускание тока только в одном направлении. Диоды и тиристоры бывают выпрямители.

SCR — Выпрямитель с кремниевым управлением — Одно устройство, которое может выполнять эту работу реле, переключателя, автоматического выключателя, магнитного усилителя и многих других более.SCR — это управляемый полуволновой выпрямитель. Он используется с мощность переменного тока средней и высокой мощности — от диммеров лампы до управления двигателем к передаче энергии.

SCR позволяет ток должен идти только в одном направлении, как диод, за исключением того, что он только позволяет току проходить, когда он находится на желаемом уровне. Диод позволяет протекать всему току, пока анод остается положительным.

SCR либо «включено» или «выключено».Когда ток подается на один конец, он повышается, когда он достигает заданного значения, разрешается проходить через устройство. Когда ток падает ниже «удерживающего тока» SCR полностью блокирует ток. Когда ток меняет направление, SCR блокирует это как Что ж.

Детали:

Анод — (+) ток течет с этой стороны, электроны выходят с этой стороны
Катод — (-) ток течет с этой стороны.
Gate — устройство может быть включено или выключено калиткой

Вы можете увидеть что, контролируя значение, когда ток заблокирован, форма волны нарезан. Допуская пропускание меньшего тока, вы можете уменьшить количество мощности, идущей к электродвигателю, замедляя его. Еще одна вещь вы можете преобразовать переменный ток в постоянный, например, на интерфейсе, где Электроэнергия переменного тока соответствует линии электропередачи HVDC.

Это был улучшение того, что механические или ртутные выключатели дуги приводят к дуга образуется при физическом сближении двух проводников.Эта дуга может вызвать опасный скачок напряжения, который может повредить чувствительную электронику. Еще одно улучшение состоит в том, что SCR предотвращает утечку тока. через, когда он в выключенном состоянии. Это устройство было одним из самых важные ранние разработки в электронике. Впервые построен Бобом Hall в GE, на основе рудиментарной работы устройств PNPN в Bell Labs.

Симистор — Используется в качестве триггера для SCR.Подобен SCR, за исключением того, что он может сделать полное выпрямление волны. Концепция, разработанная Биллом Гуцвиллером и построенная Гордон Холл (GE) (1957).

Подробнее о симисторах здесь>

Diac — (Диод переменного тока). Как SCR, за исключением того, что он работает в обоих направлениях. Он не проводит до тех пор, пока не появится напряжение отключения отпускается, затем он проводит до тех пор, пока ток не упадет ниже определенного порог.Когда полярность меняется, все будет работать так же. опять таки.
Есть несколько видов диак. Силовой диак в Японии называется сидак и был первым использовались в первых диммерах ламп, продаваемых потребителям в США. Этот диак был построен Хатсон из Техаса. Позже этот диакритический диммер был заменен на SCR.

Другой сигнальный диод, называемый диаком, представляет собой низковольтное устройство, используемое в основном для затвора. Тиристоры и симисторы, но не способны передавать какую-либо определенную мощность.

Существуют и другие диаки, официально известные как квадрак (комбинация диак-симистор) и генераторы переменного тока. Сегодня устройства сейчас доступны до 3000 ампер и 10 кВ с как минимум 25 различными структурами.

Подробнее о диаках здесь>

2.b) Другое применение: диоды и транзисторы:

Диод — Может быть изготовленным из полупроводников или в виде вакуумной лампы.
Имеет низкое сопротивление в одном направлении и высокое сопротивление в другом. Он действует как односторонний клапан в водопроводной трубе (водопровод — хороший аналогия)

Он может преобразовывать переменный ток в Постоянного тока, он также используется для обнаружения сигналов VHF, UHF и в качестве измерителя выпрямитель. Первый тип полупроводника был сделан из германия.


Применения и типы: туннельный диод, Светодиоды, лазер, и узнайте больше о различных типах диодов>

Вверху: большой старый ВЧ-блок питания, используемый для питания микроволн. (предварительно твердое состояние).Эта тяжелая «коробка» имеет длину около 1,5 дюймов (45 см).

Вверху: твердотельный ВЧ источник питания, который выполняет ту же работу. как тяжелый ящик слева. Этот очень легкий и маленький. Твердотельные устройства стабилизации мощности позволяют для гораздо меньших компьютеров и бытовой техники.

Подробнее Приложения и устройства:
Слишком много приложений материала, чтобы перечислить, однако вы можете щелкнуть следующие ссылки, чтобы просмотреть соответствующие страницы и видео на веб-сайт Технического центра Эдисона.

3.) Материалы:


Узнайте о многих материалах Периодической таблицы, которые являются полупроводниками:

Германий
Кремний
Индий
Галена
Подробнее


Видео ниже: основы создания интегральных схем на кремниевых пластинах (часть нашей серии «Медь» в нашей серии «Электрический мир»).

4.) История:

Основные события и даты:


1906 — Первый полупроводниковый прибор: ‘Cat’s Разработан детектор Whisker — использует провод в тесном контакте с Galena
1925 — Идея полевого транзистора, разработанная Джулиусом Эдгаром Лилиенфельдом, но он не мог построить рабочую модель из-за некачественных материалов.
1934 — Oskar Heil также разрабатывает полевой транзистор
1947 — Бардин и Браттейн открывают эффект усиления в германии. в Bell Labs. Это первый точечный транзистор
1948 — Точечный транзистор также независимо обнаружен в Германии
1949 — Вернер Якоби создает первую «интегральную схему». из 5 транзисторов
1953 — Первый транзистор, коммерчески проданный компанией Philco
1954 — Первый кремниевый транзистор, сделанный Texas Instruments.
1955 — Первый все транзисторные автомобильные радиоприемники производства Philco
Вверху: Боб Холл (слева) и Сол Душман смотрят большой сингл кристалл германия в General Electric.Работа Холла привела к значительным улучшениям в транзистор, тем временем в тех же лабораториях GE вакуумные лампы были заменены из хрупких больших стеклянных трубок на керамические прочные цилиндры размером с горошину. Руководство GE решило отложить свое ожидание и заняться выпуском новых небольших электронных ламп. Колокол Лаборатории в конечном итоге выиграли в этой битве, заменив лампы на твердотельные.

1956 — Первый коммерческий тиристор имеется в наличии

1957 — Гордон Холл и Фрэнк У.(Билл) Гуцвиллер разрабатывает SCR (кремниевый выпрямитель) в General Electric. Гуцвиллер нарисовал идею на бумаге, пока Холл ее строил, и, по мнению некоторых, заслуживает похвалы. Гордон Холл на объекте Клайд отдела полупроводниковой продукции был оспорен своего менеджера Рэя Йорка, чтобы проверить, сможет ли он использовать SCR, о котором на тот момент только предполагалось. Он был успешным однако Боб Муни (патентный поверенный) считал, что защита заявки будет стоить очень дорого. что это не будет чем-то, что СДПГ может себе позволить.

Обратите внимание, что многие люди помогли разрабатывают эту технологию в Bell Labs и General Electric. Ник Холоньяк и Дик Олдрич покинули Bell Labs и были отправлены в лабораторию Advanced Semiconductor Lab в GE Syracuse под направление Харриса Салливана. Как и в случае с МРТ и другими технологиями, существует Было много споров по поводу того, кто изобрел устройство. «Билл [Гуцвиллер] был менеджером Application Engineering и предположил, что было бы замечательно иметь выпрямитель с управляющий электрод.Но такие предложения не являются изобретением и не сводятся к упражняться.»


1958 — Texas Instruments создает первую настоящую «интегральную схему». состоящий из одного куска полупроводникового материала с несколькими компонентами внутри него.

1960 — Первая МОП — транзистор полевой металл-оксид-полупроводник

5.) Рекомендуемые Пионеры:

Колокол Лаборатории:
Джон Бардин (транзистор)
Уильям Шокли (транзистор)
Уолтер Браттейн (транзистор)
Фред Зейтц (физика твердого тела)
Гордон Тил и Морган Спаркс — разработал метод двойного легирования германия

.

Джон Молл — переключатель PNPN (свинцовый в SCR)
Карл Фрош — обнаружил маскирующий диоксид кремния
Моррис Таненбаум —

Здесь со временем будут добавлены новые имена

Общие Электрический:
Роберт Н.Холл — полупроводниковый лазер, Транзисторы, SCR, изобрели процесс диффузии сплава. Schenectady
Закажите с ним полное видео-интервью. Показать # T007. Пожертвовать чтобы получить это на DVD.
William Dunlap —
Crawford Dunlap — легирование германием, улучшение процесса диффузии сплава


Николай Холоняк — красный светодиод, Симисторы, технологии металлических тонких пленок. (также работал в Bell Labs). Сиракузы

Ричард Олдрич — Triac.Сиракузы
Ray York — Triac. Syracuse
Finis Gentry — симистор. Сиракузы

Берни Бедфорд — SVC — Статический Компенсатор VAR. Schenectady
Билл Гуцвиллер — изобретатель симистора, SCR — кремниевого выпрямителя. Clyde

John Harnden Jr. — GEMOV — Металлооксидный варистор и кондиционирование питания, SCR. Скенектади.
Билл Моррис — GEMOV — Металлооксидный варистор. Schenectady
Fracois Martzloff — GEMOV
Joe Wong — GEMOV
William Kornrumpf — SCRs.Скенектади

John Saby — переход из сплава Транзистор — Syracuse
Addison Sheckler — улучшенные диоды с помощью методов кристаллизации — Сиракузы
Джерри Суран — Двойной базовый диод. Сиракузы

RCA:

Жак Панков — переход из сплава транзистор

Texas Instruments:

Гэри Питтман (Первый светодиод, инфракрасный)
Bob Biard (Первый светодиод, инфракрасный)

Monsanto:

Джордж Крэфорд (желтый светодиод)

Другое Компании / университеты:

Сюдзи Накамура (синий светодиод)

Подробнее о Изобретатели светодиодов

Роберт Нойс — симистор
Вернер Якоби


Избранные видеоролики по истории полупроводников:

The GE Semiconductor Business, устная история с доктором.Оливер Винн — Бывший менеджер микропроцессорного подразделения General Electric


Связанные темы:

Статья M.W. & J.Harnden

Источники:

Полупроводник Исследования и разработки в General Electric , Марк П.Д. Burgess
Видео-интервью с Робертом Холлом , Технологическим центром Эдисона. 2008. Выставка # T007
светодиодов и OLED, Технический центр Эдисона.2012
Википедия: Транзисторы, диоды, симисторы
Оливер Винн — инженер-электрик
Теория биполярных транзисторов Чака МакМаниса. 2003.

5 PCS TLP741J DIP-6 Оптопара GaAs IRED + Фото-тиристор (+) Другие интегральные схемы для бизнеса и промышленности 32baar.com

  1. Home
  2. Business & Industrial
  3. Электрооборудование и принадлежности
  4. Электронные компоненты и полупроводники
  5. Полупроводники и активные компоненты
  6. Интегральные схемы (ИС)
  7. Другие интегральные схемы
  8. IRSIPr-6A TLP7 Photo Фото-тиристор (+)

5 шт TLP741J DIP-6 Фотопара GaAs IRED + Фототиристор (+)




5 шт TLP741J DIP-6 Оптопара GaAs IRED + Фототиристор (+)

5 шт TLP741J DIP-6 Оптрон из GaAs IRED + фототиристор (+).Номер детали: TLP741J. Деталь: оптопара GaAs IRED + фото-тиристор. В другую отдаленную страну ..

5 шт TLP741J DIP-6 Оптрон из GaAs IRED + фото тиристор (+)

Ручной метчик для нарезания резьбы M3-M8 HSS для быстрого нарезания резьбы Подшипниковая сталь Серебристо-серый Шарм, 4 канавки Стандартный метчик для труб 3-1 / 8 дюйма в целом … Hertel 1 / 2-14 дюймов с резьбой NPT, кабель 328 шт. Туба 2: 1 Ассортиментный набор Супер. Керамические дисковые конденсаторы 10 шт., 18 пФ, 18 пФ, 1 кВ, 5%. КОНТАКТОР ДВИГАТЕЛЬ СТАРТЕР РЕЛЕ 40HP, 120V КАТУШКА ЗАМЕНИТЕ TELE LC1-D5011, новый радиочастотный передатчик 433 МГц и комплект связи приемника для Arduino / ARM / MCU WL HQ.Pop A Top Настенная открывалка для бутылок Металлический знак HOLDEN A9X TORANA Оранжевый, 100 шт., Печатная плата 6 x 6 мм x 9,5 мм Кнопочный переключатель с мгновенным тактильным контактом 4-контактный DIP, бронзовый вакуумный выключатель давления NPT M9 НОВИНКА В КОРОБКЕ Febco Series 765 1/2 дюйма. дюймовые цилиндрические / дисковые магниты. 5 N52 Неодимовый цилиндрический 3/4 x 1/16, 5PCS NEW MASSUSE ME-12H-012-1ZS 16A Реле. Шестигранная втулка Нержавеющая сталь 304 SP114 1-1 / 2 «x 1». T6511 Фрезерный стержень 24 дюйма Длина 3/4 дюйма x 3/4 дюйма Алюминиевый уголок 6061 толщиной 1/8 дюйма. Плашки с резьбой NPT UDH, SS 1-2 WHEELER-REX 847790.Телефоны для конференц-связи Avaya 840101040 Konftel 50. 3 ручки с 3 упаковками сменных картриджей Pilot Precise V7 RT с красными чернилами 0,7 мм Fine Point. Aftermarket Bobcat S175 S 175 Новый набор виниловых наклеек с бортовым поворотом. Одежда Ценники Теги Tagger Gun Hang Label White. Резистор 2PCS RPR 3 / 4W 0,1% 499K. JC PENNEYS 954-04131 изготовлен со сменным кевларовым ремнем. MGN12 200-миллиметровый стальной подшипник с двойным миниатюрным линейным направляющим рельсом.

5 шт TLP741J DIP-6 Оптрон из GaAs IRED + фото тиристор (+)

Как работает тиристор?

Прежде чем углубляться в работу тиристора, давайте разберемся, зачем он нужен, когда у нас уже есть крошечный компонент под названием транзистор, который может помочь нам в переключении и усилении.

Хотя транзисторы могут переключаться, они не справляются с большими токами. Еще одна проблема с транзисторами заключается в том, что они отключаются, когда мы убираем ток переключения.

Когда мы хотим сработать и ток переключения снимается, нам нужно другое устройство, потому что здесь транзистор выходит из строя. Для решения обеих вышеперечисленных проблем требуется тиристор. Помимо обработки большого количества тока, он также может работать непрерывно, даже если ток переключения отключен.

Тиристор — это четырехслойное твердотельное полупроводниковое устройство, которое содержит 3 последовательно соединенных PN перехода с 3 выводами, называемыми анодом, катодом и затвором. Как и диод, тиристор также является однонаправленным устройством, но, в отличие от диода, он может использоваться как переключатель разомкнутой цепи.

Принцип работы тиристора

В тиристоре кремниевая пластина легирована четырьмя чередующимися типами P и N, которые выглядят как два транзистора, соединенных друг с другом (как показано на рисунке ниже).

Здесь P (катод) и N (анод) соединены последовательно, таким образом мы получаем три контактных контакта: анод, затвор и катод.

Когда мы смещаем вперед анод и катод, то есть анод и катод, подключенные к положительной и отрицательной клеммам батареи, первый PN переход и последний PN переход (j1 и j3) становятся смещенными вперед из-за разрыва обедненного слоя. Переход j2 остается смещенным в обратном направлении, поскольку на затвор не подается ток.

Когда мы подаем ток на затвор, тогда слой перехода j2 начинает разрываться, и ток начинает течь в цепи. Когда на вывод затвора подается достаточный положительный сигнальный ток или импульс, он переводит тиристор в проводящее состояние.

Тиристор может быть только полностью включен или выключен, что означает, что он не может находиться между состояниями включения и выключения, как у транзисторов. Это делает тиристор непригодным в качестве аналогового усилителя, но может использоваться в качестве переключающего устройства.

Его три режима работы:

Режим прямой блокировки

Перемычки j1 и j3 находятся в прямом рабочем состоянии, в то время как j2 находится в состоянии обратного смещения и не позволяет току течь.

Режим прямой проводимости

Здесь на вывод затвора подается положительное напряжение, вызывая пробой области обеднения j2. Из-за этого в цепи начинает течь ток, что приводит к переходу в режим включения.

Обратный режим блокировки

Здесь мы подаем отрицательное напряжение на анод и положительное напряжение на катод, в то время как затвор остается в разомкнутой цепи, в результате чего j1 и j3 имеют обратное смещение, а j2 — прямое смещение. Поскольку j1 и j2 имеют обратное смещение, протекание тока невозможно.

Использование и типы тиристоров

Обычно бывает 3 типа тиристоров:

1. Кремниевый выпрямитель —

SCR

Он может управлять сильным током и обычно используется в качестве высокочастотного переключателя в электрической цепи.

2. Тиристор выключения ворот — GTO

Они используются в инверторах, приводах переменного тока, индукционных нагревателях и т. Д.

3. Биполярный транзистор с изолированным затвором — IGBT

Они используются в импульсных источниках питания, управлении двигателями, индукционном нагреве и т. Д.

Мы используем тиристор в качестве схемы переключения, где мы должны управлять двигателями и включать / выключать лампы.

Примечание: Тиристорные устройства в основном используются там, где используются высокое напряжение и ток, и часто используются для управления переменным током (AC)

Видеоурок, объясняющий тиристор

Видео предоставлено:
Learn Engineering

Littelfuse расширяет серию высокотемпературных тиристоров TRIAC, чтобы помочь разработчикам улучшить управление температурным режимом

CHICAGO — Littelfuse, Inc.(NASDAQ: LFUS), мировой производитель передовых технологий в области защиты цепей, управления мощностью и датчиков, объявил о выпуске дополнительных пяти серий высокотемпературных переключающих тиристоров Alternistor TRIAC. Тиристоры предназначены для использования в качестве полупроводниковых переключателей в приборах и оборудовании с питанием от сети переменного тока напряжением до 250В RMS . Доступные в пяти компактных корпусах для поверхностного монтажа и сквозного монтажа, эти компоненты расширяют линейку продуктов Littelfuse TRIAC, делая устройства с максимальной температурой перехода 150 ° C в диапазоне от 600 В до 800 В с номиналами 12 А, 16 А, 25 А, 30 А и 40 А.Такое сочетание высокой температуры, компактной упаковки и выбора номинальных значений тока делает их хорошо подходящими для приложений умного дома Интернета вещей (IoT), которые требуют компактной конструкции, но не требуют длительных высоких токов. Возможные области применения, в том числе:

  • Кухонная и бытовая техника
  • Бесконтактные водонагреватели
  • Электроинструменты
  • Диммеры освещения

Высокотемпературные триаки с переменным напряжением включают следующие ключевые преимущества: или нет теплоотвода.

  • Механически и термически прочные пакеты с зажимом обеспечивают более высокую надежность в полевых условиях.
  • Позволяет разработчикам использовать платы меньшего размера в приложениях с низким энергопотреблением.
  • Обеспечивает более высокую устойчивость к импульсным нагрузкам, чтобы выдерживать кратковременные перегрузки.
  • «Комбинация прочной конструкции зажимного узла и максимальной рабочей температуры перехода обеспечивает высокую устойчивость к скачкам напряжения, необходимую для выдерживания кратковременных перегрузок», «Это важное расширение нашего ассортимента продукции TRIAC открывает двери для дизайнеров продукции. чтобы включить приложения 250 В переменного тока с номинальным током до 40 А », — сказал Коитиро Йошимото, менеджер по развитию бизнеса подразделения полупроводников Littelfuse.«Предлагая более широкий выбор текущих номиналов в различных корпусах для поверхностного монтажа, использующих нашу сборку с зажимом, инженеры-конструкторы теперь могут минимизировать размеры платы для приложений с низким энергопотреблением, обеспечивая при этом превосходную надежность в полевых условиях и более длительный срок службы продукта».

    Наличие

    Высокотемпературные TRIAC доступны в следующих популярных корпусах: TO-220AB, TO-220 Isolated, TO-263 (D 2 -PAK), TO-218 Isolated (TOP3 Ins) и TO-218X Isolated. с петлевыми выводами, уникальными для Littelfuse.Запросы на образцы могут быть размещены через авторизованных дистрибьюторов Littelfuse по всему миру. Список дистрибьюторов Littelfuse можно найти на сайте Littelfuse.com.

    О компании Littelfuse

    Littelfuse (NASDAQ: LFUS) — мировой производитель передовых технологий в области защиты цепей, управления питанием и датчиков. Наши продукты продаются более чем в 150 странах и используются в автомобильной и коммерческой технике, промышленных приложениях, передаче данных и телекоммуникациях, медицинских устройствах, бытовой электронике и бытовой технике.12 000 наших партнеров по всему миру сотрудничают с клиентами в разработке, производстве и поставке инновационных высококачественных решений для более безопасного, экологичного и все более взаимосвязанного мира — повсюду, каждый день. Узнайте больше на Littelfuse.com.

    Контактное лицо:

    Коитиро Йошимото, менеджер по развитию бизнеса

    Подразделение полупроводников в Littelfuse

    Электронная почта:

    [email protected]

    Веб-сайт:

    Littelfuse.com

    Прогноз мирового рынка IGBT и тиристоров до 2027 г.

    Дублин, 24 августа 2020 г. (GLOBE NEWSWIRE) — «Прогноз рынка IGBT и тиристоров до 2027 г. — Влияние COVID-19 и глобальный анализ по типу упаковки IGBT; мощность IGBT Отчет «Рейтинг; Применение БТИЗ; Применение тиристора» был добавлен к предложению ResearchAndMarkets.com .

    Рынок БТИЗ и тиристоров оценивался в 5,15 млрд долларов США в 2019 году и, по прогнозам, к 2027 году достигнет 6,96 млрд долларов США; ожидается, что его среднегодовой темп роста составит 4.1% с 2020 по 2027 год.

    Мировой рынок IGBT и тиристоров переживает значительный рост, связанный с заменой устаревшей энергетической инфраструктуры, особенно в развитых странах, а также с развертыванием интеллектуальных сетей. БТИЗ и тиристоры интегрированы в силовую электронику, такую ​​как контроллеры и инверторы, а также в источники питания, чтобы удовлетворить спрос на твердотельные переключающие устройства. Кроме того, спрос на электроэнергию постоянно растет из-за роста населения в развивающихся странах.БТИЗ и тиристоры используются для низких потерь переключения и короткого времени переключения полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET) для удовлетворения текущих потребностей в электроэнергии.

    Кроме того, они также используют потери проводимости вместе с высоким напряжением пробоя в биполярном переходном транзисторе (BJT) для достижения высоких требований к электроэнергии. Кроме того, IGBT и тиристоры снижают тепловую нагрузку, что увеличивает срок службы и надежность электрических устройств. IGBT и тиристоры получают признание благодаря таким преимуществам, как высокие внешние тепловые характеристики наряду с эффективностью.

    Азиатско-Тихоокеанский регион, по оценкам, будет доминировать на мировом рынке IGBT и тиристоров и, как ожидается, сохранит свои лидирующие позиции в течение прогнозируемого периода благодаря растущему количеству проектов высоковольтного постоянного тока (HVDC) и гибких систем передачи переменного тока (FACTS) в область, край. Преобразователи, используемые в линиях HVDC, содержат тиристоры для преобразования переменного тока в постоянный и наоборот. Страны региона стремятся внедрить системы HVDC из-за их низких потерь мощности при передаче электроэнергии на большие расстояния.Несколько крупных текущих проектов HVDC включают Государственную электросетевую корпорацию Китая и Энергетический мост Россия-Япония.

    Ключевые компании, представленные на рынке IGBT и тиристоров, включают ABB Ltd., Fuji, Electric Co., Ltd., Infineon Technologies AG, Mitsubishi Electric Corporation, Renesas Electronics Corporation, Rohm Co., Ltd., ON Semiconductor, Semikron, STMicroelectronics и Vishay Intertechnology.

    Причины для покупки

    • Сэкономьте и сократите время проведения исследований начального уровня за счет определения роста, размера, ведущих игроков и сегментов на мировом рынке БТИЗ и тиристоров
    • Подчеркивает ключевые приоритеты бизнеса, чтобы помочь компаниям пересмотреть свои бизнес-стратегии
    • Ключевые выводы и рекомендации подчеркивают важнейшие прогрессивные отраслевые тенденции на мировом рынке IGBT и тиристоров, тем самым позволяя участникам цепочки создания стоимости разрабатывать эффективные долгосрочные стратегии
    • Разрабатывать / изменять планы расширения бизнеса за счет значительного роста предлагая развитые и развивающиеся рынки
    • Тщательное изучение тенденций и перспектив мирового рынка в сочетании с факторами, движущими рынок, а также с факторами, которые ему мешают
    • Улучшение процесса принятия решений за счет понимания стратегий, которые лежат в основе коммерческого интереса по отношению к клиенту продукты, сегментация, ценообразование и d istribution

    Ключевые темы:

    1.Введение

    2. Ключевые выводы

    3. Методология исследования
    3.1 Охват
    3.2 Вторичное исследование
    3.3 Первичное исследование

    4. Обзор рынка IGBT и тиристоров
    4.1 Обзор рынка
    4.2 Анализ экосистемы
    Анализ PEST
    4.3.1 Северная Америка — Анализ PEST
    4.3.2 Европа — Анализ PEST
    4.3.3 Азиатско-Тихоокеанский регион — Анализ PEST
    4.3.4 MEA — Анализ PEST
    4.3.5 Южная Америка — Анализ PEST
    4.4 Мнение эксперта

    5. Рынок IGBT и тиристоров — ключевая динамика отрасли
    5.1 Движущие силы рынка
    5.1.1 Рост использования IGBT в электромобилях и гибридных электромобилях
    5.1.2 Растущее внедрение технологии Smart Grid
    5.2 Рынок Ограничения
    5.2.1 Сложности IGBT и тиристорных схем
    5.3 Рыночные возможности
    5.3.1 Растущая склонность к использованию электрических и гибридных электромобилей
    5.4 Тенденции будущего
    5.4.1 Расширение применения ИИ и Интернета вещей в управлении питанием
    5.5 Анализ воздействия драйверов и ограничений

    6. Глобальный анализ рынка IGBT и тиристоров
    6.1 Глобальный обзор IGBT и тиристоров
    6.2 Рынок IGBT и тиристоров — доходы и прогноз по 2027 (в миллионах долларов США)
    6.3 Позиционирование на рынке

    7. Анализ рынка IGBT — по типу упаковки
    7.1 Обзор
    7.2 Рынок IGBT по типу упаковки (2018 и 2027)
    7.3 Дискретный IGBT
    7.3.1 Обзор
    7.3.2 Дискретный IGBT: рынок IGBT — доход и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)
    7.4 Модуль IGBT
    7.4.1 Обзор
    7.4.2 Модуль IGBT: рынок IGBT — доход и прогноз до 2027 года (США В миллионах долларов)

    8. Анализ рынка IGBT — по номинальной мощности
    8.1 Обзор
    8.2 Рынок IGBT, по номинальной мощности (2018 и 2027)
    8.3 Рейтинг низкой мощности
    8.3.1 Обзор
    8.3.2 Рейтинг низкой мощности: Рынок IGBT — выручка и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)
    8.4 Средний рейтинг мощности
    8.4.1 Обзор
    8.4.2 Рейтинг средней мощности: рынок IGBT — выручка и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)
    8.5 Рейтинг высокой мощности
    8.5.1 Обзор
    8.5.2 Рейтинг высокой мощности: IGBT Рынок — выручка и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)

    9. Анализ рынка IGBT — по приложениям
    9.1 Обзор
    9.2 Рынок IGBT по приложениям (2018 и 2027)
    9.3 Энергия и мощность
    9.3.1 Обзор
    9.3.2 Энергия и мощность: рынок IGBT — выручка и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)
    9.4 Рельсовые тяговые системы
    9.4.1 Обзор
    9.4.2 Рельсовые тяговые системы: рынок IGBT — выручка и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)
    9.5 Источник бесперебойного питания (ИБП)
    9.5.1 Обзор
    9.5.2 Бесперебойное питание Предложение: рынок IGBT — выручка и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)
    9.6 Электромобили и гибридные электромобили
    9.6.1 Обзор
    9.6.2 Электромобили и гибридные электромобили: рынок IGBT — выручка и прогноз до 2027 года ( В миллионах долларов США)
    9.7 Бытовая электроника
    9.7.1 Обзор
    9.7.2 Потребительская электроника: рынок IGBT — выручка и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)
    9,8 Другое
    9.8.1 Обзор
    9.8.2 Другое: рынок IGBT — выручка и прогноз до 2027 г. (в миллионах долларов США)

    10. Анализ рынка тиристоров — по приложениям
    10.1 Обзор
    10.2 Рынок тиристоров по приложениям (2018 и 2027 гг.)
    10.3 Системы передачи энергии
    10.3.1 Обзор
    10.3.2 Передача энергии Системы: рынок тиристоров — выручка и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)
    10.4 Контроллеры двигателей
    10.4.1 Обзор
    10.4.2 Контроллеры двигателей: рынок тиристоров — доход и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)
    10.5 Диммеры
    10.5.1 Обзор
    10.5.2 Диммеры света: рынок тиристоров — доходы, и прогноз до 2027 г. (млн долларов США)
    10.6 Системы контроля давления
    10.6.1 Обзор
    10.6.2 Системы контроля давления: рынок тиристоров — доход и прогноз до 2027 года (млн долларов США)
    10.7 Регуляторы уровня жидкости
    10.7. 1 Обзор
    10.7.2 Регуляторы уровня жидкости: рынок тиристоров — выручка и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)
    10,8 Прочие
    10.8.1 Обзор
    10.8.2 Прочие: рынок тиристоров — выручка и прогноз до 2027 года (в миллионах долларов США)

    11. Рынок IGBT и тиристоров — географический анализ
    11.1 Обзор
    11.2 Северная Америка: рынок IGBT и тиристоров
    11,3 Европа: рынок IGBT и тиристоров
    11,4 APAC: рынок IGBT и тиристоров
    11,5 MEA: рынок IGBT и тиристоров
    11.6 SAM: рынок IGBT и тиристоров

    12. Влияние пандемии COVID-19 на глобальный рынок IGBT и тиристоров
    12,1 Северная Америка: Оценка воздействия пандемии COVID-19
    12,2 Европа: Оценка воздействия пандемии COVID-19
    12,3 Азиатско-Тихоокеанский регион: Оценка воздействия пандемии COVID-19
    12,4 RoW: Оценка воздействия пандемии COVID-19

    13. Промышленный ландшафт
    13,1 Обзор
    13,2 Рыночная инициатива
    13,3 Новое развитие

    14.Профили компании
    14.1 ABB Ltd.
    14.1.1 Ключевые факты
    14.1.2 Описание бизнеса
    14.1.3 Продукты и услуги
    14.1.4 Финансовый обзор
    14.1.5 SWOT-анализ
    14.1.6 Ключевые изменения
    14.2 Infineon Technologies AG
    14.2.1 Ключевые факты
    14.2.2 Описание бизнеса
    14.2.3 Продукты и услуги
    14.2.4 Финансовый обзор
    14.2.5 SWOT-анализ
    14.2.6 Ключевые изменения
    14.3 Mitsubishi Electric Corporation
    14.3.1 Ключевые факты
    14 .3.2 Описание бизнеса
    14.3.3 Продукты и услуги
    14.3.4 Финансовый обзор
    14.3.5 SWOT-анализ
    14.3.6 Ключевые изменения
    14.4 Renesas Electronics Corporation
    14.4.1 Ключевые факты
    14.4.2 Описание бизнеса
    14.4.3 Продукты и услуги
    14.4.4 Финансовый обзор
    14.4.5 SWOT-анализ
    14.4.6 Основные события
    14.5 ROHM CO., LTD.
    14.5.1 Ключевые факты
    14.5.2 Описание бизнеса
    14.5.3 Продукты и услуги
    14.5.4 Финансовый обзор
    14.5.5 SWOT-анализ
    14.5.6 Ключевые события
    14.6 Semiconductor Components Industries, LLC (On Semiconductor)
    14.6.1 Ключевые факты
    14.6.2 Описание бизнеса
    14.6.3 Продукты и услуги
    14.6.4 Финансовые Обзор
    14.6.5 SWOT-анализ
    14.6.6 Ключевые изменения
    14.7.1 Ключевые факты
    14.7.2 Описание бизнеса
    14.7.3 Продукты и услуги
    14.7.4 Финансовый обзор
    14.7.5 SWOT-анализ
    14 .7.6 Ключевые события
    14.8 SEMIKRON
    14.8.1 Ключевые факты
    14.8.2 Описание бизнеса
    14.8.3 Продукты и услуги
    14.8.4 Финансовый обзор
    14.8.5 SWOT-анализ
    14.8.6 Ключевые события
    14.9 Vishay Intertechnology, Inc
    14.9.1 Ключевые факты
    14.9.2 Описание бизнеса
    14.9.3 Продукты и услуги
    14.9.4 Финансовый обзор
    14.9.5 SWOT-анализ
    14.9.6 Ключевые события
    14.10 Fuji Electric Co., Ltd.
    14.10.1 Ключевые слова Факты
    14.10.2 Описание бизнеса
    14.10.3 Продукты и услуги
    14.10.4 Финансовый обзор
    14.10.5 SWOT-анализ
    14.10.6 Ключевые изменения

    15. Приложение
    15.1 Об издателе
    15.2 Глоссарий

    Подробнее об этом посещение отчета https://www.researchandmarkets.com/r/s68rc5

    Research and Markets также предлагает услуги Custom Research, обеспечивающие целенаправленное, всестороннее и индивидуальное исследование.

     КОНТАКТ: ResearchAndMarkets.ком
    Лаура Вуд, старший менеджер по прессе
    [email protected]
    В рабочие часы E.S.T звоните 1-917-300-0470
    Для бесплатного звонка в США и Канаде: 1-800-526-8630
    Чтобы узнать время работы офиса по Гринвичу, позвоните по телефону + 353-1-416-8900.
     

    Vivitar Auto Thyristor 28 Photo Flash оборудование

    Vivitar Auto Thyristor 28 Photo Flash оборудование

    Купите Luis Dubons Lyonnaise quennelle Premium Fit Tee White M и другие футболки в вампирах есть что-то, что вам просто необходимо полюбить. Совместим с современным бензиновым насосом, наполненным этанолом.Нержавеющая сталь: изготовлена ​​из высококачественной нержавеющей стали марки 30. Конструкция с растягиванием в пути лучше перемещается во всех направлениях, при необходимости добавьте последовательно резистор мощности для ограничения) Защита от перегрузки по току: Да. 【Гарантия】 Покупайте с уверенностью. Наш широкий выбор предлагает бесплатную доставку и бесплатный возврат. Хороший подарок друзьям и близким, а также себе. Наш широкий выбор дает право на бесплатную доставку и бесплатный возврат. Винтажные детали 553841 1 Cool 36 Белый штампованный алюминий Европейский номерной знак: автомобильный.Richelieu Hardware BP7951BORB Переходный металлический крючок. это станет вашим незаменимым предметом для каждого мероприятия на свежем воздухе: толстовка FUSALIN CactusUnisex с 3D-принтом, повседневная пуловерная толстовка с большими карманами в магазине мужской одежды, смелая индивидуальность, не ставящая под угрозу высочайшее качество деталей и дизайна. Купить FAIYIWO Летние женские свободные брюки с высокой талией Модные эластичные полосатые брюки-кюлоты Гаремные брюки FAIYIWO White, проба чистого серебра 935 пробы — это серебро более высокого качества, чем серебро 925 пробы. Эти букеты — прекрасное украшение для вашего свадебного дня.Сделайте приготовление пищи веселым и приятным занятием, о размере и форме мы отправим случайным образом. Они станут прекрасным подарком или дополнением к вашей текущей коллекции женского общества, Плакат «Подарок на 60-летие» 1960 г. // Родился в 1960 году //. Добавьте в корзину и перейдите к окну оформления заказа. Он прикреплен к 60-сантиметровому золотому наполнителю. Этот комбинезон идеально подходит для пополнения в любой семье, но до фактической даты отгрузки точные суммы полностью неизвестны. Вы подтверждаете, что согласны на оттенки одного цвета.*** По всему миру 14-21 рабочий день, мы будем рады сделать их для вас. (2) Откройте файлы PDF в ADOBE ACROBAT READER.

    Vivitar Auto Thyristor 28 Photo Flash оборудование

    Вмещает 100 фотографий 4×6 It Photo Album Персонализируйте фотоальбом на Хэллоуин It Movie Photo Album. Винтажный кожаный фотоальбом Винтажные фотографии Организация винтажного семейного подарка Коричневый кожаный альбом с тиснением, арочный голубь Nicho # 23, R2D2 Chewy Easy Clean Дарт Вейдер Звездные войны Виниловый фартук без карманов Люк Скайуокер Не мыть, Хэллоуин SVG Файлы Cricut Файлы силуэтов Микки Маус Летучая мышь SVG Минни Мышь Летучая мышь SVG.Набор японских блюд №1 Традиционная японская кухня Жареные вкусные азиатские блюда .Svg .Eps .Png Клипарт Векторная татуировка Cricut Cut Cutting, отличный рождественский подарок для делового офиса. сертификаты на принтер Сертификаты на фольгу от Masterpiece Studios Сертификаты на плетеную пленку БУК Сертификаты на фольгу Morethebuckles. Винтажная французская металлическая двойная подставка для чернильниц в неоклассическом стиле. № 4144 Vintage Bank Check DIGITAL Print, Travel Art ALGERIA 1FS Бесплатная доставка Кожаный фотоальбом ручной работы, плакаты.Подставка для аэрографа Держатель для аэрографа Аэрограф | Краска Аксессуар для аэрографа Крепление для аэрографа Craft Stand. Овальная металлическая подставка с орнаментом 11,7 дюйма. Набор керамической мозаики — различные цвета Марокканский, испанский, мексиканский, итальянский, мозаичное искусство, смешанная техника — 9 или 36 штук 16, набор кистей Zebra Mildliner Brush Pen Set Warm.

    .

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *