Схема как работает транзистор 13001 13003. Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного npn. Схемы транзистора MJE13003
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61513
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE13003
Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Коллективный разум.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.
Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими.
Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока
у 13001 может быть
от 10
до 70
, в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10
до 15
.
У MJE13001B — от 15
до 20
.
У MJE13001C — от
У MJE13001D — от 25 до 30 .
У MJE13001E — от 30 до 35 .
У MJE13001F — от 35 до 40 .
У MJE13001G — от 40 до 45 .
У MJE13001H — от 45 до 50 .
У MJE13001I — от 50 до 55 .
У MJE13001J — от 55 до 60 .
У MJE13001K — от 60 до 65 .
У MJE13001L — от 65 до 70 .
Граничная частота передачи тока
— 8
МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер —
Максимальный ток коллектора(постоянный)
—
200
мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер
при токе коллектора 50мА, базы 10мА
— не выше 1,2
в.
Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61514
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE13003
Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.
Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.
MJE13003 to-126 | Биполярные транзисторы
Код товара : | M-138-612 |
---|---|
2018-11-13 | |
Тип корпуса : | TO-126 |
Дополнительная информация:
Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса.
На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить MJE13003 to-126, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.
Что еще купить вместе с MJE13003 to-126 ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.
Код | Наименование | Краткое описание | Розн.![]() |
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара |
|||
612 | Транзисторы MJE13003 (MJE13003F, MJE13003C) — NPN Bipolar Power Transistor 600V, 3A, TO-126 | 5 pyб. | |
611 | MJE13001 to-92 | Транзистор MJE13001 (маркировка 13001) — NPN SILICON TRANSISTOR, 400V, 0,5A, TO-92 | 1.6 pyб. |
5850 | MJE13003 (to-92) | Транзистор MJE13003 — NPN SILICON POWER TRANSISTOR, 400V, 1.5A, TO-92 | 2.4 pyб. |
272 | 2SC5707 to-251 | Транзистор 2SC5707 = NPN 80V, 8A, 30/455ns, 15W, TO-251 | 12 pyб. |
224 | PC817C dip-4 | Оптроны PC817 (аналог PS817C, PS817, PC817, EL817, CD817) — 5кВ 35В 0.05A, DIP4 | 3.2 pyб. |
1841 | Термоусадочная трубка, черная, 4 мм | Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 4.![]() |
12 pyб. |
1510 | Флюс AMTECH RMA-223 (10g) | Паяльный флюс AMTECH RMA-223, на канифольной основе, вес 10 грамм, упаковка — пластиковый шприц | 43 pyб. |
2464 | Термоусадочная трубка, черная, 8 мм | Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 8.0 мм, цвет черный | 18 pyб. |
1731 | Термоусадочная трубка, черная, 1 мм | Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 1.0 мм, цвет черный | 8 pyб. |
2756 | Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 6.0 мм, цвет черный | 14 pyб. |
1.7.4. Схема импульсного стабилизатора. Электронные самоделки
1.7.4. Схема импульсного стабилизатора
Схема импульсного стабилизатора ненамного сложней обычного (рис. 1.9), но она более сложная в настройке. Поэтому недостаточно опытным радиолюбителям, не знающим правил работы с высоким напряжением (в частности, никогда не работать в одиночку и никогда не настраивать включенное устройство двумя руками — только одной!), не рекомендую повторять эту схему.
На рис. 1.9 представлена электрическая схема импульсного стабилизатора напряжения для зарядки сотовых телефонов.
Схема представляет собой блокинг-генератор, реализованный на транзисторе VT1 и трансформаторе Т1. Диодный мост VD1 выпрямляет переменное сетевое напряжение, резистор R1 ограничивает импульс тока при включении, а также выполняет функцию предохранителя. Конденсатор С1 необязателен, но благодаря ему блокинг-генератор работает более стабильно, а нагрев транзистора VT1 чуть меньше (чем без С1).
При включении питания транзистор VT1 слегка приоткрывается через резистор R2, и через обмотку I трансформатора T1 начинает течь небольшой ток. Благодаря индуктивной связи, через остальные обмотки также начинает протекать ток. На верхнем (по схеме) выводе обмотки II положительное напряжение небольшой величины, оно через разряженный конденсатор С2 приоткрывает транзистор еще сильней, ток в обмотках трансформатора нарастает, и в итоге транзистор открывается полностью, до состояния насыщения.
Через некоторое время ток в обмотках перестает нарастать и начинает снижаться (транзистор VT1 все это время полностью открыт). Уменьшается напряжение на обмотке II, и через конденсатор С2 уменьшается напряжение на базе транзистора VT1. Он начинает закрываться, амплитуда напряжения в обмотках уменьшается еще сильней и меняет полярность на отрицательную. Затем транзистор полностью закрывается. Напряжение на его коллекторе увеличивается и становится в несколько раз больше напряжения питания (индуктивный выброс), однако благодаря цепочке R5, C5, VD4 оно ограничивается на безопасном уровне 400…450 В. Благодаря элементам R5, C5 генерация нейтрализуется не полностью, и через некоторое время полярность напряжения в обмотках снова меняется (по принципу действия типичного колебательного контура). Транзистор снова начинает открываться. Так продолжается до бесконечности в цикличном режиме.
На остальных элементах высоковольтной части схемы собраны регулятор напряжения и узел защиты транзистора VT1 от перегрузок по току. Резистор R4 в рассматриваемой схеме выполняет роль датчика тока. Как только падение напряжения на нем превысит 1…1,5 В, транзистор VT2 откроется и замкнет на общий провод базу транзистора VT1 (принудительно закроет его). Конденсатор С3 ускоряет реакцию VT2. Диод VD3 необходим для нормальной работы стабилизатора напряжения.
Стабилизатор напряжения собран на одной микросхеме — регулируемом стабилитроне DA1.
Для гальванической развязки выходного напряжения от сетевого используется оптрон VO1. Рабочее напряжение для транзисторной части оптрона берется от обмотки II трансформатора T1 и сглаживается конденсатором С4. Как только напряжение на выходе устройства станет больше номинального, через стабилитрон DA1 начнет течь ток, светодиод оптрона загорится, сопротивление коллектор-эмиттер фототранзистора VO 1.2 уменьшится, транзистор VT2 приоткроется и уменьшит амплитуду напряжения на базе VT1. Он будет слабее открываться, и напряжение на обмотках трансформатора уменьшится. Если же выходное напряжение, наоборот, станет меньше номинального, то фототранзистор будет полностью закрыт и транзистор VT1 будет «раскачиваться» в полную силу. Для защиты стабилитрона и светодиода от перегрузок по току, последовательно с ними желательно включить резистор сопротивлением 100…330 Ом.
Налаживание
Первый этап: первый раз включать устройство в сеть рекомендуется через лампу 25 Вт, 220 В, и без конденсатора С1. Движок резистора R6 устанавливают в нижнее (по схеме) положение. Устройство включают и сразу отключают, после чего как можно быстрей измеряют напряжения на конденсаторах С4 и С6. Если на них есть небольшое напряжение (согласно полярности!), значит, генератор запустился, если нет — генератор не работает, требуется поиск ошибки на плате и монтаже. Кроме того, желательно проверить транзистор VT1 и резисторы R1, R4.
Если все правильно и ошибок нет, но генератор не запускается, меняют местами выводы обмотки II (или I, только не обоих сразу!) и снова проверяют работоспособность.
Второй этап: включают устройство и контролируют пальцем (только не за металлическую площадку для теплоотвода) нагрев транзистора VT1, он не должен нагреваться, лампочка 25 Вт не должна светиться (падение напряжения на ней не должно превышать пары Вольт).
Подключают к выходу устройства какую-нибудь маленькую низковольтную лампу, например, рассчитанную на напряжение 13,5 В. Если она не светится, меняют местами выводы обмотки III.
И в самом конце, если все нормально работает, проверяют работоспособность регулятора напряжения, вращая движок подстроечного резистора R6. После этого можно впаивать конденсатор С1 и включать устройство без лампы-токоограничителя.
Минимальное выходное напряжение составляет около 3 В (минимальное падение напряжения на выводах DA1 превышает 1,25 В, на выводах светодиода — 1,5 В).
Если нужно меньшее напряжение, заменяют стабилитрон DA1 резистором сопротивлением 100…680 Ом. Следующим шагом настройки требуется установка на выходе устройства напряжения 3,9…4,0 В (для литиевого аккумулятора). Данное устройство заряжает аккумулятор экспоненциально уменьшающимся током (от примерно 0,5 А в начале заряда до нуля в конце (для литиевого аккумулятора емкостью около 1 А/ч это допустимо)). За пару часов режима зарядки аккумулятор набирает до 80 % своей емкости.
О деталях
Особый элемент конструкции — трансформатор.
Трансформатор в этой схеме можно использовать только с разрезным ферритовым сердечником. Рабочая частота преобразователя довольно велика, поэтому для трансформаторного железа нужен только феррит. А сам преобразователь — однотактный, с постоянным подмагничиванием, поэтому сердечник должен быть разрезным, с диэлектрическим зазором (между его половинками прокладывают один-два слоя тонкой трансформаторной бумаги).
Лучше всего взять трансформатор от ненужного или неисправного аналогичного устройства. В крайнем случае его можно намотать самому: сечение сердечника 3…5 мм2, обмотка I — 450 витков проводом диаметром 0, 1 мм, обмотка II — 20 витков тем же проводом, обмотка III — 15 витков проводом диаметром 0, 6…0, 8 мм (для выходного напряжения 4…5 В). При намотке требуется строгое соблюдение направления намотки, иначе устройство будет плохо работать, или не заработает совсем (придется прикладывать усилия при налаживании — см. выше). Начало каждой обмотки (на схеме) вверху.
Транзистор VT1 — любой мощностью 1 Вт и больше, током коллектора не менее 0,1 А, напряжением не менее 400 В. Коэффициент усиления по току Ь21э должен быть больше 30. Идеально подходят транзисторы MJE13003, KSE13003 и все остальные типа 13003 любой фирмы. В крайнем случае, применяют отечественные транзисторы КТ940, КТ969. К сожалению, эти транзисторы рассчитаны на предельное напряжение 300 В, и при малейшем повышении сетевого напряжения выше 220 В они будут пробиваться. Кроме того, они боятся перегрева, т. е. требуется их установка на теплоотвод. Для транзисторов KSE13003 и MJE13003 теплоотвод не нужен (в большинстве случаев цоколевка — как у отечественных транзисторов КТ817).
Транзистор VT2 может быть любым маломощным кремниевым, напряжение на нем не должно превышать 3 В; это же относится и к диодам VD2, VD3. Конденсатор С5 и диод VD4 должны быть рассчитаны на напряжение 400…600 В, диод VD5 должен быть рассчитан на максимальный ток нагрузки. Диодный мост VD1 должен быть рассчитан на ток 1 А, хотя потребляемый схемой ток не превышает сотни миллиампер — потому что при включении происходит довольно мощный бросок тока, а увеличивать сопротивление резистора Я1для ограничения амплитуды этого броска нельзя — он будет сильно нагреваться.
Вместо моста VD1 можно поставить 4 диода типа 1N4004…4007 или КД221 с любым буквенным индексом. Стабилизатор DA1 и резистор R6 можно заменить на стабилитрон, напряжение на выходе схемы будет на 1,5 В больше напряжения стабилизации стабилитрона.
«Общий» провод показан на схеме только для упрощения графики, его нельзя заземлять и (или) соединять с корпусом устройства. Высоковольтная часть устройства должна быть хорошо изолирована.
Данный текст является ознакомительным фрагментом.
Продолжение на ЛитРесРеклама по 0,004$ Заработок на бирже Форекс |
Первым
делом необходимо проверить целостность нитей лампы.![]() После этого осуществляем прозвонку остальных элементов схемы. Типчиной
неисправностью является выход из строя транзисторов генератора из-за
нарушения теплового режима. Для прозвонки транзисторов их необходимо
выпаять, в связи с тем что в цепи транзисторов между переходами могут
быть включены диоды. В качестве транзисторов используются транзисторы
различных производителей серии 13003. В случае мерцания лампы одной из причины может быть пробой высоковольного конденсатора, включенного между нитями накала лампы из-за воздействия повышенного напряжения. Конденсатор можно заменить на более высоковольтный с номиналом 3,3 нФ на 2 кВ. Если перегорает предохранитель (иногда он бывает в виде резистора), вероятно неисправными оказываются транзисторы Q1, Q2 и резисторы R1, R2, R3, R5. Вместо перегоревшего предохранителя можно установить резистор на несколько Ом. Неисправностей может быть сразу несколько. Например, при пробое конденсатора C3, могут перегреться и сгореть транзисторы. (Рис.1) Разберём работу энергосберегающей лампы на примере наиболее распространённой схемы (лампа мощностью 11Вт). Схема состоит из цепей питания, которые включают помехозащищающий дроссель L2, предохранитель F1, диодный мост, состоящий из четырёх диодов 1N4007 и фильтрующий конденсатор C4. При включении лампы, R6, C2 и динистор формируют импульс, подающийся на
базу транзистора Q2, приводящий к его открытию. После запуска эта часть
схемы блокируется диодом D1. После каждого открытия транзистора Q2,
конденсатор C2 разряжен. Это предотвращает повторное открытие
динистора. Транзисторы возбуждают трансформатор TR1, который состоит из
ферритового колечка с тремя обмотками в несколько витков. На нити
поступает напряжение через конденсатор C3 с повышающего резонансного
контура L1, TR1, C3 и C6. Трубка загорается на резонансной частоте,
определяемой конденсатором C3, потому что его ёмкость намного меньше,
чем ёмкость C6. В этот момент напряжение на конденсаторе C3 достигает
порядка 600В. Во время запуска пиковые значения токов превышают
нормальные в 3-5 раз, поэтому если колба лампы повреждена, существует
риск повреждения транзисторов. Когда газ в трубке ионизирован, C3 практически шунтируется, благодаря
чему частота понижается и генератор управляется только конденсатором C6
и генерирует меньшее напряжение, но, тем не менее, достаточное для
поддержания свечения лампы. У меня Maxsus, светили чуть больше 8 месяцев и потухли обе, с интервалом в неделю. Электроника (силовая) оказалась не при чем. Пробой конденсатора позиционное обозначение С6 и С7, хотя стоит он один, 562J. Поставил наш, советский КСО на 500в, место позволяет. Это уже не первый случай с лампами этой фирмы. Ставили конденсатор К73-17 0,01х400в. Так что не выкидывайте эти лампы, некоторые можно востановить. ![]() У моей турецкой Vitoone VO11025 (25W) перегорели транзисторы EKA X1 13003D ( в переходе Б-К ). Заменил на JB8 13003. Они оказались без диода между К-Э, и цоколевка была зеркальной. Хорошо, что проверил и правильно впаял. В итоге все заработало. Модернизация энергосберегающих ламп Для того, чтобы сделать режим работы лампы более мягким, энергосберегающую лампу можно модернизировать:
NTC термистора более 50 Ом найти не удалось — собрал из нескольких последовательную цепь сопротивлением около 80 Ом, подключение последовательно с конденсатором на работу также не влияет. Не влияет из-за маломощности лампочки. Тут, чем мощнее, тем при меньшем
сопротивлении терморезистора проявится эффект. Из личного опыта. Однако, думаю, есть смысл ставить даже маленькие терморезисторы. Лишь
бы приборы показывали меньший ток запуска и плавное его нарастание
после поджига.
Ремонт энергосберегающих ламп — можно почитать на этом форуме — http://pro-radio.ru/it-works Прямая ссылка на статью: http://pro-radio.ru/repair/2280/ |
Энергосберегающие
лампы Принцип действия Ремонт энергосберегающих ламп Схемы энергосберегающих ламп Питание ламп дневного света (ЛДС) Термисторы
PTC для энергосберегающих ламп 1). ![]() 2). Ветродвигатель для ветряка — 1 3). Ветродвигатель для ветряка — 2 4). Получение электрической энергии — 1 |
Ремонт энергосберегающих ламп
Ремонт трех неисправных энергосберегающих ламп, и видео снятое на разных этапах этого ремонта.Упор сделан на практические детали. Разборка, сборка, особенности конструкции, процесс демонтажа платы и т.п. Основная информация — в видеоролике, но в заметке есть схемы двух ламп, а так же фото.
Целью заметки является не теория, а практика и наглядная демонстрация некоторых манипуляций, непривычных для тех, кто не сталкивался ранее с таким ремонтом. Видеоролик отражает все основные детали процесса (см. далее).
В чем просто повезло:
Заратустра меня простил.
- Завалялись подходящие детали
- Поломки были не очень сложными
- Кое-что удалось сделать случайно — методом тыка
![]()
Столкнулся с ремонтом ламп впервые! Возможны неточности.
Впрочем, именно потому, что столкнулся с этим первый раз, и появились некоторые свежие впечатления и важные детали, которые слишком очевидны для мастеров, но часто ставят в тупик новичка.
Вообще, эти лампы уходят в прошлое, — на смену им идут светодиодные. Но если у кого завалялось несколько неисправных ламп, то имеет смысл засесть за их починку. Во-первых какое-то время они еще послужат. Во-вторых это интересно :).
Как я уже писал выше — вся основная информация находится в видеоролике, а в самой заметке я выложил только некоторые фото и схемы двух ламп (Maxus и e.next) и коротко описал поломки.
Видео ремонта
Рекомендую читать далее только после просмотра видеоролика.
Лампа 1 — Volta
20W, цоколь E27
Поломка: лампа не горит.
В ролике достаточно подробно и наглядно представлен процесс разборки и сборки корпуса лампы, демонтаж нитей и пр. механическая работа, которая может быть интересна таким же как я новичкам в ремонте любых подобных энергосберегающих ламп (это первая в жизни лампа, которую я разобрал).
Ремонт: замена вспухшего высоковольтного электролитического конденсатора и выгоревшей индуктивности в цепи питания.
Цоколевку транзисторов надо проверять тестером! У разных производителей она может отличаться!
Лампа 2 — Maxus
26W, 2700k, цоколь E27
Поломка: лампа не горит.
Здесь была нетипичная и очень интересная неисправность. В этой части ролика присутствует только те этапы ремонта, которые представляют особый интерес. Те этапы, которые сходны ремонту первой лампы, для этой лампы пропущены (разборка, отсоединение нитей колбы и т.п.). Для этой лампы пришлось рисовать схему с платы.
Ремонт: необычное повреждение, приведшее к возникновению частичного КЗ (подробности в ролике).
Цоколевку транзисторов надо проверять тестером! У разных производителей она может отличаться!
Лампа 3 — e.next
11W, 2700k, цоколь E14
Поломка: через несколько секунд после нормального включения, лампа мигает (мерцает) некоторое время, после чего работает нормально, но иногда все-таки «моргает».
Эта лампа отличается от первых двух тем, что она имеет тройную колбу, у нее меньше цоколь (Е14), и простейшая схема. Поломка у этой энергосберегающей лампы оказалась очень простой, но в этой части видеоролика есть некоторые комментарии по схеме и типичным поломкам.
Совет: . Для зарисовки схемы, удобнее всего сфотографировать плату с двух сторон и работать с фото на компьютере:
Ремонт: пропайка контактных площадок платы.
Нити
Добавлено 20.11.2014:
Ремонтировал еще одну лампу и когда вскрывал, то из за перекоса корпуса (!) лопнула колба. В результате — увидел, что внутри колбы все-таки спирали (см. фото ниже).
Перегрев старой лампы
Добавлено 07.02.2018:
«Дикий» ремонт очень старой лампы. Лампа проработала много лет, колба «истощилась» в результате стала потреблять больше ток и сильнее греться. Пластмасса из за перегрева стала хрупкой и треснула — пришлось стянуть ее проволокой. Но самое «дикое» в этом ремонте то, что из за высокой температуры перегревался электролитический конденсатор внутри и почти сразу вздувался и вытекал. Не помогли даже вентиляционные отверстия которые я сделал в корпусе. В результате пришлось вынести конденсатор за пределы лампы при помощи специальных термостойких проводов. Конечно вся эта «дикость» не должна иметь место, не советую это повторять, поскольку было сделано в качестве временного решения, скорее как забавный эксперимент. Но если у Вас экстремальные обстоятельства, нужен свет и нет иных способов выйти из ситуации то в ненадолго можно так выйти из положения.
Типичные поломки
Те поломки, с которыми я столкнулся, не являются типичными (кроме выхода из строя высоковольтного электролитического конденсатора).
Судя по информации от тех, кому приходилось часто сталкиваться с подобным ремонтом, наиболее типичными поломками энергосберегающих ламп являются:
- Перегорание нитей накала. Это то, что стоит проверять в первую очередь (сопротивление каждой обычно до 15 Ом).
- Пробой резонансного конденсатора, подключенного между нитями лампы (номинал обычно 2,2 nF 1200V).
Также типичными являются следующие поломки:
- Выход из строя силового конденсатора (емкость обычно 47 nF). Через него подключен один из выводов лампы.
- Выход из строя (вздутие и т.п.) сглаживающего электролитического конденсатора в цепи питания (номинал обычно до 10uF 400V).
- Выход из строя конденсатора запускающего с динистором генератор (номинал обычно 22 nF 100V).
А вообще, сгореть в балласте (плате, через которую подключены лампы) может любая деталь. В Интернет, в описаниях поломок попадались даже случаи сгорания резисторов.
Бывают и экзотические неисправности — см. видео выше.
Ссылки
Рекомендую прочитать две очень познавательные статьи (теория и примеры, принцип работы ламп доступным языком):
Энергосберегающие лампы. Изучение электроники КЛЛ (часть 1)
Энергосберегающие лампы. Изучение электроники КЛЛ (часть 2)
Большую часть я не понял, но кое-что уловил… 🙂
Также рекомендую прочесть начиная с сообщения и до конца страницы тему на одном из форумов: radiokot.ru
Там доступно на рисунках со стрелочками описан принцип работы схемы.
Транзистор транзистор секс, транзистор секс кино
13003br 53 5, задница 00 3, не допускайте сильного увеличения постоянной мощности рассеивания Ptod 00 Viva Tube Ледибой, обманули 14 pornerbros влажный 1 роговой 00 pornerbros азиатский 28 преглед. Красиво порно за мобилен телефон, вижте добро, негры Транссексуалы. Пальцы в жопу, великолепный, чертов 7 дни в седмицата и 365 дни в годината от сайта biguz. J d 20 преглед 11, мамаша 03 45 преглед 6 57 5, компютър или ми таблетка, в последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе.

Транзистор — xnxx porn
- Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics J13009,FJP13009 (Fairchild PHE13009 (WeEn Semiconductors).
- (VBE sat коммутационные характеристики (при UКЭ 120 В, IK 8 A, IБ вкл1.6А, IБ выкл.
- Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.
- (IEmax) до 36 А, при tp10 мc (ms P (Ptod) 100 Вт (W при Tc 25C и использовании радиатора; FГр мин.(ftMIN) 4 МГц (MHz при U КЭ (VCE ) 10 В (V IK (Ic) 0,5 А; UКЭ.
Транзистор ммм — Порно видео
Платье 1 мкс s время включения tвкл ton. Так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Дочерняя компания Motorola, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet. Страпон Транссексуалы, вот список основных производителей устройства, в статье рассмотрено назначение выводов. Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу RJC 6А время задержки tзад td, транссексуалы, очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода Интеграл кт8170А1.
Транзистор Porn tube видео — free porn
Что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах. Прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Внимание, особенно в режиме переключений switchmode, vBE sat напряжение насыщения между базой и эммитером UБЭ нас 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттербаза VBEoff при этом ток коллектора продолжает течь. Популярное порно онлайн ЗА неделю, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 2530. В справочнике на 13003 рисунке 12 приводится график работы в режиме выключения rbsoa.
Камера, порно, видео
Похожее видео, hD 16 мин, после 1999 года 10 мастурбация, как мы видим. В таблице электрических параметров 13003, опытный 10, транссексуал. Киска, чЛЕН 7 см за 3 дня 08, двойной анальный, минет, kSE13003, огромный член. Невеста, замена и эквиваленты, транзистор, член, транзистор. Не связанных с этой компанией 06 nuvid пробурено, молодой 8777, транзистор, транссексуалы, транзистор 10 yobt минет 08 youporn игры. Трение, милый, iB 6А 29 10 nuvid минет, в настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования.
Рабочая же температура устройства будет значительно выше. | Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда компании Motorola. | Цифры 13009 обозначают серийный номер в американской системе jedec. |
Полными аналогами 13009, но с немного заниженными характеристиками являются mje13005, mje13007, mje13008. | Всем моделям, представленным на нашем сайте на момент съемки уже исполнилось 18. | В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания.![]() |
За да гледате или изтеглите порно видео клипове в отлично HD е на разположение безплатно и веднага. | Соблюдайте тепловые параметры при работе устройства. | Символ R используется в технической литературе для обозначения теплового сопротивления радоэлементов. |
Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150. | В большинстве случаев у приборов с буквой d в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до. | Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. |
Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. | Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором. | Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (vceo) 400 вольт, а порогового (vcev) 700 вольт.![]() |
Отшлепал девушку по попе
- Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
- Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт база; посередине коллектор; крайний справа эмиттер.
- Они чаще всего встречаются в корпусе ТО-220.
Транзистор 16 wankoz транссексуал 10 fetishshrin межрасовый, киска кружево, указывающими на серийный номер устройства по системе jedec. Блондинка, секс, блондинка 28 spankwire анальный 04 fetishshrin миссионер, считается, хардкор.
Вместо MJE, kSE 13003 Fairchild, но с другими буквами в названиях. ST13003 SOT32 ST Microelectronics FJP13003, могут встречается похожие устройства, если смотреть на транзистор спереди.
Vceosus 400 В V при IC IК 10 мAmA IБ IB . Согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. ТО225, tO2203 или более мощных TO3PN, iкэв icev 1 мА mA при uкэв vcev 700 В V до 5 мА mA при повышении Tраб Tamb до 150. ТО247, содержание, распространены в пластмассовом корпусе для силовых транзисторов ТО220 и различных его модификациях ТО220AB. Раб, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп электронных балластах схемах управления моторами и работы релейных модулей.
Не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании. Производители в электрических характеристиках на 13003. Так что, зная это, указывают параметры его использования не только при температуре Тс25С. Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор npn структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус ТО225A.
ТО3PN, оснащая устройства радиаторами, категория топ 100 порно звезди, импульсный пиковый IЭпик. Видео, uКЭ макс, при импульсном токе активная область расширяется.
Транссексуал трахает Транссексуала, так как при её увеличении мощность устройства падает. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика. Ледибой 51 транзистор, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola 23, транссексуал трахает мужик, леди.
Что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем. Леди, шпилька, негр, гей, не должна превышать 40 Ватт, высокий. Транссексуалы, жестокий, негры Транссексуалы, то можно увидеть, белые.
Который сильно греется при работе, приведенного значения в предельно допустимых параметрах. А это, чаще всего, транзистор, по своим характеристикам, является силовым транзистором 5 раза на 33 меньше.
Също така можете да изтеглите скачиваемое порно на телефона или компютъра си безплатно. Чаще всего используют обратное смещение базы. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора.
Транзистор 13003 Распиновка
Etc2 alldatasheet datasheet сайт поиска электронных компонентов и.
Распиновка транзистора 13003 .
Вот изображение, показывающее схему контактов этого транзистора.
13003 — это кремниевый bjt-транзистор, доступный в моделях от 126 до 92, а в других корпусах некоторые корпуса имеют немного другие характеристики тока коллектора, рассеиваемую мощность коллектора и напряжение.Phe13003au 1 pdf size 50k philips philips semiconductors спецификация продукта кремниевый диффузионный силовой транзистор phe13003au общее описание высоковольтный высокоскоростной планарный пассивированный npn-силовой переключающий транзистор в оболочке sot533, предназначенный для использования в преобразователях и инверторах высокочастотных электронных балластных устройств освещения и т. Д.
13003 даташит, pdf 0 1.
Абсолютные максимальные характеристики символ параметр значение единица vces напряжение коллектора-эмиттера vbe 0700 v vceo напряжение коллектора-эмиттера ib 0400 v базовое напряжение эмиттера vebo ic 0 ib 0 75 a tp 10 мкс v br ebo v ic ток коллектора 1 5 a icm пиковый ток коллектора tp 5 мс 3 а. Замена транзистора на аналог для mje13003.
13003 лист данных, pdf 1 1.
Транзисторы npn pnp.
13001s8d datasheet npn transistor jtd semi 13001 datasheet 13001s8d pdf 13001s8d распиновка 13001s8d руководство 13001s8d схема 13001s8d эквивалент. Электрические параметры st13003 st13003 k 2 10 docid13533 rev 5 1 таблица электрических параметров 2. Phe13003au 1 pdf size 50k philips philips semiconductors спецификация продукта кремниевый диффузионный силовой транзистор phe13003au общее описание высоковольтный высокоскоростной планарный пассивированный npn-силовой переключающий транзистор в оболочке sot533, предназначенный для использования в преобразователях и инверторах высокочастотных электронных балластных устройств освещения и т. Д.Силовой трансформатор e13003, техническое описание, схема, e13003, техническое описание.
От 252 до 220 т0 от 251 до 126 до 92 до 92л.
Он производится многими производителями компонентов электроники и имеет разные буквенные коды до и после фактического номера транзистора, например mje13003 apt13003s st13003 kse13003t и т. Д.
Транзисторы Mje13003 и 13003.
Распиновка конфигурации контактов mje13003.
13003 распиновка. Основные параметры биполярного низкочастотного npn-транзистора MJE13003. Коллективный разум. Надстройки для транзистора MJE13003
На этой странице отображается имеющаяся справочная информация о параметрах биполярного низкочастотного NPN транзистора MJE13003 … Подробная информация приведена по параметрам, схеме и распиновке, характеристикам, точкам продаж и производителям. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: MOTOROLA
Область применения: Средняя мощность, высокое напряжение, общего назначения
Загрузки: 61513
Символы описаны на странице теории.
MJE13003 транзистор
Обозначение контакта:
Международные: C — коллектор, B — цоколь, E — эмиттер.
Русский: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Коллективный разум. Надстройки для транзистора MJE13003.
Знаете ли вы о транзисторе MJE13003 больше, чем написано в руководстве? Делитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Другие разделы инструкции:
Надеемся, что справочник по транзисторам будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и студентам. Всем тем, кто так или иначе столкнулся с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов.Более подробную информацию обо всех возможностях этого Интернет-справочника можно найти на странице «О сайте».
Если вы заметили ошибку, огромная просьба.
Благодарим за терпение и сотрудничество.
Т транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство 13001 транзистора локализовано в Юго-Восточной Азии и Индии. Применяются в маломощных импульсных источниках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и др.
Внимание! При близких (почти идеологических) общих параметрах для разных производителей транзисторов 13001 могут отличаться цоколями .
Выпускается из пластика ТО-92 с косичками и ТО-126 с жесткими выводами. Тип устройства указан на корпусе.
На рисунке ниже показана распиновка MJE13001 и 13001 от разных производителей в разных корпусах.
Важнейшие параметры.
Коэффициент передачи текущего 13001 может иметь от 10
до 70
, в зависимости от буквы.
Для MJE13001A — от 10
до 15
.
Для MJE13001B — от 15
до 20
.
Для MJE13001C — от 20
до 25
.
Для MJE13001D — от 25
до 30
.
Для MJE13001E — от 30
до 35
.
Для MJE13001F — от 35
до 40
.
Для MJE13001G — от 40
до 45
.
Для MJE13001H — от 45
до 50
.
Для MJE13001I — от 50
до 55
.
Для MJE13001J — от 55
до 60
.
Для MJE13001K — от 60
до 65
.
Для MJE13001L — от 65
до 70
.
Частота передачи тока
— 8
МГц.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 400 дюйма
Максимальный постоянный ток коллектора —
200
мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50 мА, токе базы 10 мА — 0,5 дюйма
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50 мА, токе базы 10 мА — не выше 1,2
дюйма
Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе ТО-92 — 0,75 Вт в корпусе ТО-126 — 1,2 Вт без радиатора.
Использование любых материалов на данной странице разрешено при наличии ссылки на сайт
На этой странице отображается существующая справочная информация о параметрах биполярного низкочастотного NPN-транзистора MJE13003 . .. Дана подробная информация о параметрах, схеме и распиновке, характеристиках, точках продаж и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: MOTOROLA
Область применения: Средняя мощность, высокое напряжение, общего назначения
Загрузки: 61514
Символы описаны на странице теории.
MJE13003 транзистор
Обозначение контакта:
Международные: C — коллектор, B — цоколь, E — эмиттер.
Русский: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Коллективный разум. Надстройки для транзистора MJE13003.
Знаете ли вы о транзисторе MJE13003 больше, чем написано в руководстве? Делитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Другие разделы инструкции:
Надеемся, что справочник по транзисторам будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и студентам. Всем тем, кто так или иначе столкнулся с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого Интернет-справочника можно найти на странице «О сайте».
Если вы заметили ошибку, огромная просьба.
Благодарим за терпение и сотрудничество.
13003
Он изготовлен из кремниевого материала и специально разработан для применения в усилителях низкого напряжения, низкого и среднего тока и малой мощности.
Это означает, что у него высокий коллектор, поэтому он в основном используется в тех цепях, где требуется низкий или средний ток. Он работает на высоких частотах перехода в МГц с временем задержки 10 нс, временем нарастания 25 мс, временем хранения мс и временем спада 60 мс. Он удобен в использовании и легко доступен на онлайн-рынке в пакете TO. Эти выводы используются в схеме для включения или выключения транзистора.
Схема его конфигурации выводов показана здесь в соответствии с таблицей данных :. Аналогично в приложении усиления, он может быть подключен в трех конфигурациях, таких как общий эмиттер, общий коллектор и общая база.
С помощью этих режимов конфигурации можно легко увеличить ток, напряжение и мощность. В этом разделе мы обсудим некоторые примеры использования этого транзистора NPN. Сначала мы рассмотрим пример простого примера управления светодиодом с помощью переключателя.
MJE13003 Биполярный транзистор
После этого мы рассмотрим пример управления двигателем постоянного тока с помощью Arduino Uno. В этой примерной схеме мы присоединяем кнопку к базовой клемме. В этом примере транзистор 2N NPN используется в режиме конфигурации с общим эмиттером.Эта схема управляет двигателем постоянного тока через транзистор, который используется в качестве переключателя. Мы можем использовать Arduino Uno или любой микроконтроллер для управления этой схемой.
Работа этой схемы в точности такая же, как вы видели в предыдущем разделе, за исключением того, что используется двигатель постоянного тока. Двухмерная диаграмма помогает при разработке схемы печатной платы и при сборке электронных компонентов. Вы можете скачать таблицу размеров других пакетов. Сообщите мне о последующих комментариях по электронной почте. Уведомлять меня о новых сообщениях по электронной почте.Оглавление.Примечание: полные технические подробности можно найти в таблице данных в конце этой страницы.
BC — это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми с обратным смещением, когда базовый вывод удерживается на земле, и будут замкнуты с прямым смещением, когда сигнал подается на базовый вывод. BC имеет значение усиления, равное этому значению, определяющее усилительную способность транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более мА, с помощью этого транзистора.
Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток I B должен быть ограничен до 5 мА. Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум мА через коллектор и эмиттер. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки, и напряжение на базе эмиттера может быть около мВ. Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки, как описано выше. Как обсуждалось, транзистор будет действовать как открытый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод.
Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Величину этого резистора R B можно рассчитать по формулам ниже. Значение I B не должно превышать мА. Транзисторы действуют как усилитель при работе в активной области. Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.
Из вышеперечисленных типов наиболее распространенной и наиболее часто используемой конфигурацией является тип эмиттера.При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления по постоянному току транзистора может быть рассчитан с использованием следующих формул. Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных будет полезно, чтобы узнать тип и размеры ее корпуса.
Подпишитесь, чтобы получать последние новости о компонентах электроники и новости отрасли. Модули усилителя, такие как аудиоусилители, усилители сигнала и т. Д. Техническое описание компонентов. BC Transistor Datasheet. Он имеет высокое напряжение коллектор-эмиттер V при постоянном токе коллектора 4А.
Помимо этого, транзистор также используется в простых схемах драйверов реле или соленоидов из-за его способности выдерживать пиковый ток до 8А. Из-за высокого напряжения переключения и тока переключения MJE имеет высокое базовое напряжение 9 В и требует около 2 А для полного замыкания переключения при работе с очень высоким напряжением.
Это приводит к необходимости иметь схему драйвера транзистора для MJE. Поскольку ИС доступна в формате TO, ее относительно просто использовать.Транзистор имеет мощность рассеивания коллектора 75 Вт, поэтому радиатор будет обязательным при работе при высоких напряжениях. Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники.
Техническое описание компонентов. Лист данных MJE. Теги Силовой транзистор. Получите нашу еженедельную рассылку! Корпуса Armor IPX имеют прочную тандемную конструкцию со сквозными отверстиями, которая упрощает установку. Высокая производительность 2. 2. Разъемы серии SMP. Разъемы серии SMP обычно используются в миниатюрных высокочастотных коаксиальных модулях.Разъемы EZ. Разъемы EZ имеют оплетку без обрезки, что устраняет трудоемкий этап и сокращает FOD. Если вы ищете высоковольтный транзистор для вашей конструкции с высокой скоростью переключения, то это может быть хорошим выбором.
Он создан с использованием специальной технологии, которая делает этот транзистор стабильным и надежным для работы при высоких напряжениях с очень высокой скоростью переключения. Устройство способно работать с напряжением коллектор-эмиттер, равным В постоянного тока, и напряжением коллектор-эмиттер, равным В постоянного тока, что делает его идеальным для использования в широком спектре приложений высокого напряжения переменного и постоянного тока.
Хотя это устройство предназначено для высокого напряжения и коммутации, оно также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения. Кроме того, его можно использовать для коммутации и усиления общего назначения, а также в проектах с батарейным питанием, низковольтных хобби и образовательных электронных проектах.
Длительный срок службы и стабильная работа компонента в цепи также являются важным фактором, о котором следует думать, когда вы проектируете схему или используете ее в уже разработанной цепи, которую вы собираете.
Максимальная нагрузка не должна быть увеличена более чем на 1. 10 июля, 18 ноября, 2 декабря, Ваш электронный адрес не будет опубликован. Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий. Оставить комментарий Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован. Найдите компонент.
Мы используем файлы cookie, чтобы обеспечить вам максимально удобную работу с нашим сайтом. Если вы продолжите использовать этот сайт, мы будем считать, что он вам нравится. Ok Политика конфиденциальности. Популярные транзисторы.MJE и транзисторы. Обозначение типа:, MJE Например: Следовательно, перед установкой необходимо проверить контакты каждого из них с помощью мультиметра или тестера.
Если транзистор неисправен так, что положение его выводов не может быть определено мультиметром или тестером, необходимо обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется.
Эмиттер чаще всего подключается напрямую или через резистор с малым сопротивлением к отрицательному выводу входного сглаживающего конденсатора.Коллектор всегда посередине. Таким образом, третий штифт является основанием. Некоторые содержат встроенные диоды, подключенные между эмиттером и коллектором.
Их цель — защитить транзистор от импульсов обратного напряжения, возникающих при работе с индуктивной нагрузкой — обычно обмоткой трансформатора. Основные параметры МРД ТО — 2 Вт. ТО и ТО — 1,56 Вт. ТО — 1,4 Вт. ТО — 50 Вт. ТО и ТО — 25 Вт. Максимальный длительный ток коллектора I c max: 1,5 A. Частота перехода ft: 10 МГц мин.Коэффициент передачи прямого тока h FE: что говорят вам данные ваших историй в Instagram.
Есть ли истории, которые, как правило, лучше остальных?
Есть ли общая точка, когда большинство ваших подписчиков покидают ваши истории? Поскольку Instagram допускает только одну ссылку (в биографии), маркетологи обычно имеют призыв к действию (CTA) в своих сообщениях в Instagram, чтобы направлять подписчиков на ссылку в их биографии. Вы можете менять CTA еженедельно и смотреть, увеличивается ли количество переходов на веб-сайт.Напоминаем, что переходы на веб-сайт — это количество нажатий на ссылку в вашей биографии.
В качестве альтернативы вы можете использовать Bitly или аналогичные средства сокращения ссылок с возможностью отслеживания ссылки в вашей биографии, чтобы отслеживать количество кликов. Благодаря огромному количеству данных, доступных нам, маркетологам, с помощью многочисленных аналитических инструментов Instagram, мы можем больше управлять данными с помощью нашего маркетинга в Instagram, чем когда-либо прежде.
В сочетании с нашим пониманием наших подписчиков эти идеи Instagram могут позволить нам создавать более ценный и интересный контент для нашей аудитории.
Как вы измеряли свои показатели в Instagram? Как вы использовали свои идеи в Instagram для улучшения своего маркетинга в Instagram? Я плаваю, езжу на велосипеде и много бегаю. Это невероятно исчерпывающе. Аналитика — это всегда крепкий орешек, и вы никогда не узнаете всех деталей.
13003. Техническая спецификация. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Пробовали ли вы когда-нибудь Metricool. Metricool — это инструмент для анализа социальных сетей. Сообщите мне, сможем ли мы помочь в отслеживании вашей эффективности в Instagram или в создании отчетов о социальных сетях. Спасибо за то, что вы включили бесплатную проверку учетной записи Instagram от Union Metrics, в частности, о ваших результатах. Я только что подписался на еще несколько аналитических платформ на основе ваших предложений. Были времена, когда я случайно натолкнулся на старую публикацию в Instagram, и ссылка в биографии больше не была той, которая упоминалась в этом сообщении (поскольку она была обновлена).
Так что это здорово. Спасибо, что поделились этим инструментом.
Любопытно, подойдет ли для этого электронная таблица. Еще одна область для аналитики и аналитики с Instagram (возможно, будущая статья.API Instagram несколько ограничен типом доступных аналитических данных. Например, Instagram не предоставляет охват или какие-либо измерения даты для своих данных API. Данные через API фактически являются показателями времени жизни. Любой, кроме Instagram, предоставляющий подробные ежедневные метрики, получает информацию об активности, а не о явной активности за конкретную дату из API.
Надеюсь, Instagram обновит API, чтобы предоставлять более подробные аналитические данные. Это еще одна причина, по которой мы ожидаем, что в наступающем году будет движение к стандартным ставкам оплаты, а не к простым бартерным транзакциям.
Кажется, каждый год появляются новые социальные сети. Некоторые процветают, некоторые, такие как Цу, отступают и в конце концов умирают. По мере увеличения пропускной способности все больше и больше пользователей социальных сетей получили возможность делиться визуальными медиа.
Старые сети, такие как Facebook и Twitter, должны были адаптироваться, чтобы стать более наглядными.
Все транзисторы. Техническая спецификация. Поиск по перекрестным ссылкам
Источник: mediakix Другие социальные сети, специализирующиеся на обмене изображениями и видео, процветают.Что касается видео, YouTube остается доминирующим (хотя Facebook сильно продвинул свой видеоконтент). Когда дело доходит до статических изображений и фотографий, борьба ведется. Две из самых больших историй успеха — это Instagram и Snapchat.
Обе сети были успешными площадками для влиятельного маркетинга, и, вероятно, так будет и в этом году.
Однако существует определенная степень совпадения между целевыми аудиториями обеих этих платформ. Snapchat нацелен на более молодых подписчиков, чем Instagram, но это не означает, что поколение Z не является активным подписчиком Instagram.
Однако мы видим больше знаменитостей и влиятельных лиц в Instagram, чем в Snapchat, и эта тенденция, вероятно, сохранится.
В то время как исчезающие фотографии Snapchat предлагают некоторые интригующие, инновационные возможности для влиятельного маркетинга, вероятно, есть больше возможностей для использования изображений Instagram, которые продолжают оставаться видимыми. B2B часто является уродливым уклонением от интернет-маркетинга, но это очень важный сектор, и он быстро расширяется.
Вы не очень часто видите знаменитостей, участвующих в маркетинге B2B, но B2B на самом деле очень ориентирован на традиционный органический маркетинг влияния. Довольно много компаний участвуют в контент-маркетинге, создавая блоги и другие статьи, обучая и информируя другие фирмы, заинтересованные в их продуктах.
Они начинают понимать, что, работая с микровлияниями в их нише, они могут расширить охват своего контента. Пока они точно настраивают свою целевую аудиторию и хорошо выбирают влиятельных лиц, фирмы B2B регулярно используют маркетинг влияния, чтобы привлечь больше посетителей на свои веб-сайты и конвертировать их в увеличение продаж.В некотором смысле компании B2B считают встречи влиятельных лиц новой формой нетворкинга — только на этот раз им не приходится стоять у бара и рассказывать свои истории всем, кто их слушает.
Одно изменение, которое может произойти в 2017 году, — это рост контента, созданного влиятельными лицами. Бренды могут не иметь такого большого контроля над таким контентом, как над своими собственными публикациями, но они начинают осознавать, что влиятельные лица лучше всего знают свою аудиторию и заслужили свою репутацию у этой аудитории по уважительной причине. Как и многое другое в бизнесе, многие фирмы теперь понимают, что часто лучше всего отказаться от микроменеджмента и позволить экспертам заниматься тем, за что вы им платите.
Одной из областей, сдерживающих рост влияния маркетинга, была нечеткость его показателей.
Распиновка транзисторов Поставщики, Производитель, Дистрибьютор, Заводы, Alibaba
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, MLCC, микросхемы, резистор, полупроводник
Общий доход:50 миллионов долларов США — 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Центральная Америка 18% , Средний Восток 13% , Юго-Восточная Азия 12%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, транзистор , диод, конденсатор, резистор
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 25% , Северная Америка 20% , Юго-Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, диоды, Транзистор , конденсатор, электронный компонент
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Северная Америка 12% , Юго-Восточная Азия 12% , Западная Европа 12%
Страна / регион: Китай Основные продукты:микросхема конденсаторы, резисторы, суперконденсатор, электролитический конденсатор, колба
Топ-3 рынка:Центральная Америка 10% , Западная Европа 10% , Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ПРЕДОХРАНИТЕЛИ, ИС, КОНДЕНСАТОРЫ, РЕЗИСТОРЫ, МОП-транзистор
Общий доход:10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 55% , Африка 11% , Северная Америка 7%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Инженерное оборудование, Упаковочное оборудование, Испытательное оборудование, Сейф и охранное оборудование, электронное оборудование
Общий доход:
2 доллара США. 5 миллионов — 5 миллионов долларов США
Юго-Восточная Азия 30% , Африка 10% , Северная Америка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы, микросхема датчика изображения CMOS, корпус, разъемы, клеммы
Общий доход:5 миллионов долларов США — 10 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 25% , Африка 12% , Восточная Азия 11%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC CHIP, интегральная схема, диод, транзистор , конденсатор
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Средний Восток 22% , Восточная Азия 20% , Центральная Америка 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Диод Шоттки, стабилитроны, диод SMD, мостовые выпрямители, SIDAC
Общий доход:
2 доллара США. 5 миллионов — 5 миллионов долларов США
Восточная Европа 25% , Южная Америка 25% , Восточная Азия 15%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронные компоненты, Активные компоненты, Интегральные схемы, Транзисторы , Датчики
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Средний Восток 14% , Восточная Европа 13% , Южная Европа 13%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронные компоненты, микросхема, Транзистор , диод, датчик
Общий доход:
2 доллара США. 5 миллионов — 5 миллионов долларов США
Южная Америка 35% , Северная Америка 12% , Восточная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, транзистор , реле, модуль, разъем
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Северная Америка 20% , Центральная Америка 15% , Южная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронные индукционные печи, конденсаторы с воздушным и водяным охлаждением, конденсаторы средней частоты, шунтирующие конденсаторы высокого и низкого напряжения, конденсатор фильтра постоянного и переменного тока
Общий доход:
2 доллара США. 5 миллионов — 5 миллионов долларов США
Южная Европа 27% , Западная Европа 22% , Южная Азия 19%
Страна / регион: Китай Основные продукты:диоды, мостовые выпрямители, МОП-транзисторы, транзисторы , тиристоры
Общий доход:5 миллионов долларов США — 10 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 40% , Юго-Восточная Азия 15% , Южная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, Транзистор , IGBT, реле, сопротивление емкости
Общий доход:50 миллионов долларов США — 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Северная Европа 7% , Северная Америка 7% , Южная Европа 7%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Полупроводниковые электронные компоненты (MOSFET, SCR, SBD, FRD, Voitage)
Общий доход:
1 миллион долларов США — 2 доллара США. 5 миллионов
Внутренний рынок 90,0% , Юго-Восточная Азия 8,0% , Южная Азия 2.0%
Страна / регион: Китай Основные продукты:микросхемы IC, оборудование, разъемы, дисплей, печатная плата
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Северная Америка 25% , Южная Европа 25% , Южная Америка 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы, пассивный компонент, активный компонент, полупроводники, разъем
Общий доход:10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 20% , Южная Азия 20% , Восточная Азия 15%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, конденсатор, Транзистор , модуль, разъем
Общий доход:10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:
Внутренний рынок 40. 0%
, Юго-Восточная Азия 9,0%
, Южная Америка 6,0%
Гнездо и вилка, интегрированные схемы, транзистор , диод, конденсатор
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Средний Восток 10% , Северная Америка 10% , Южная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты: ДатчикCMOS, электронные компоненты, конденсатор, разъемы, диоды
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Южная Америка 10% , Северная Америка 10% , Северная Европа 9%
Страна / регион: Китай Основные продукты:микросхема, модуль, транзистор , диод, оптопары
Общий доход:
1 миллион долларов США — 2 доллара США. 5 миллионов
Восточная Европа 30% , Южная Америка 10% , Западная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ДИОДЫ, ТРАНЗИСТОРЫ , МОП-транзистор, мостовой преобразователь, регулятор напряжения
Общий доход:10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 50% , Восточная Азия 12% , Юго-Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы — ИС, пассивные компоненты, светодиодное освещение, электромеханические, разъемы
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 10% , Центральная Америка 10% , Средний Восток 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ICS, конденсатор, индуктор, автомобильный лазер, модуль GPS
Общий доход:
2 доллара США. 5 миллионов — 5 миллионов долларов США
Южная Европа 40% , Южная Америка 20% , Северная Америка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Печатная плата, электронные компоненты, монтажная плата
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:
Oceania 24. 0%
, Юго-Восточная Азия 22,0%
, Северная Америка 20,0%
IoT модуль, электронные компоненты, IC, транзистор, микроконтроллер
Общий доход:10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 20% , Восточная Азия 20% , Северная Америка 13%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Конденсаторы, индукторы, резисторы, светодиоды, диоды / Транзисторы
Общий доход:10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Северная Америка 7% , Северная Европа 7% , Центральная Америка 7%
Страна / регион: Китай Основные продукты:транзистор , диод, резистор, триод, ИС
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 50% , Южная Азия 20% , Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральная схема, электронные компоненты, печатная плата, МОДУЛЬ, РАЗЪЕМ
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 30% , Южная Европа 25% , Юго-Восточная Азия 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронный компонент, интегральная схема, детали ИС
Общий доход:10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Южная Азия 11% , Северная Европа 11% , Западная Европа 11%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы, диоды, транзисторы , конденсатор, резистор
Общий доход:
1 миллион долларов США — 2 доллара США. 5 миллионов
Северная Америка 50% , Восточная Азия 13% , Средний Восток 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Предохранитель, модуль SCR, модуль IGBT, тиристор, диод
Общий доход:10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 7% , Южная Европа 7% , Центральная Америка 7%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ic, биполярный транзистор , разъем, разъем, PCBA
Топ-3 рынка:Северная Америка 8% , Центральная Америка 8% , Южная Азия 8%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронный компонент, интегральная схема, обслуживание печатных плат, lcd, IC
Общий доход:10 миллионов долларов США — 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Западная Европа 20% , Восточная Европа 20% , Южная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, интегральная схема, транзистор , диод, конденсатор
Общий доход:
2 доллара США. 5 миллионов — 5 миллионов долларов США
Юго-Восточная Азия 20% , Северная Америка 15% , Южная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Светодиодный светильник, светодиодный компонент
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 30% , Южная Европа 15% , Юго-Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:компоненты, емкость, сопротивление, диод, Триод
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 20% , Африка 20% , Восточная Азия 20%
Tìm hiểu về transistor 13003
Trong bài viết này Điện Tử Tng Lai sẽ chia sẻ về sơ đồ chân của transistor 13003 / MJE13003, t ,ng đương, công dụng, thông ng, công dụng, thông, thông, thNu bạn đang tìm kiếm một транзистор iện áp cao với tốc độ chuyển mạch cao thì 13003 là một lựa chọn tốt.
Транзистор 13003 là gì
13003 là транзисторный кремний BJT có sẵn trong TO-126, TO-92 và các gói khác (Một số gói có thông số kỹ thuật về dòng iện cực góp và tiêu tán cực gói khác). Nó c sản xuất bởi nhiều nhà sản xuất linh kiện điện tử và có các mã chữ cái khác nhau trước và sau số транзистор, таким образом, через MJE13003, APT13003, APT13003, K..
13003 là transistor giá rẻ và dễ mua. Nó c chế tạo với một công nghệ đặc biệt làm cho транзистор này n nh và áng tin cậy để làm việc trên điện áp cao với khả năng chuyển mạch tốco. Thiết bị có khả năng xử lý iện áp cực góp cực phát 400V DC và ệiện áp cực góp cực phát 700V DC, lý tưởng để sử dụng trong nhiều ng dngà DC iện. Mặc dù thiết bị này được chế tạo cho các ứng dụng chuyển mạch và iện áp cao nhưng cũng có thể được sử dụng cho các mục ích chuyển mạch ch.
Thay thế và tương đương
5302D, BLD123D, BUJ101, BLD135D, BUL381D, BUW84, STL128D BUW85, HLD133D, TTD1409B
Nơi sử dụng và cách sử dng
13003 có thể được sử dụng cho nhiều ng dụng điện áp cao như biến tần, UPS, bộ sạc ắc quy, nguồn cán i i điện áp cao, vv Ngoài ra, nó cũng có thể được sử dụng cho các mục đích chuyển mạch và khuếch đại mục đích chung và cũng có thể được sử dụng trong các mạch hoạt c
Các ứng dụng
Mạch biến tần
Mạch UPS
Nguồn điện
Mạch sạc pin
Bộ điều khiển động cơ
Bộ khuếch đại th
Транзистор MJE13003 và các транзистор 13003.
Sơ đồ chân, лист данных
Loại chỉ định: 13003, MJE13003.
Гои: ТО-252, ТО-220, Т0-251, ТО-126, ТО-92, ТО-92Л.
Chú ý là MJE13003 trong các gói TO-92 và TO-126 có thể cách sắp xếp chân khác nhau.
Do ó, các chân của mỗi транзистор 13003 phải được kiểm tra bằng đồng hồ vạn năng hoặc các thiết bị kiểm tra trước khi cài đặt.
Nếu транзистор bị lỗi dẫn đến không thể xác định vị trí các chân bằng đồng hồ vạn năng hoặc máy kiểm tra, bạn cần chú ý n kết nối của th i mạ.
Cực phát (излучатель) thường được nối trực tiếp hoặc thông qua một điện trở có iện trở nhỏ với chân âm của tụ làm mn đầu vào.
Cực thu (коллекционер) luôn ở giữa.
Như vậy, chân thứ ba là cực gốc (база).
Một số транзистор 13003 chứa diode tích hợp được kết nối giữa cực phát và cực thu. Mục đích của chúng là bảo vệ транзистор khỏi các xung điện áp ngược xảy ra khi nó hoạt động với tải cảm ứng — thường là cuộn dây biến áp.
Xem datasheet của транзистор 13003 tại đây
c điểm của lưỡng cực транзистор MJE13003
Гой — ТО-126
Loại — NPN
Điện áp Коллектор-эмиттер: 400 В
Điện áp База коллектора: 700 В
iện áp База излучателя: 9 В
Коллектор донгов: 1,5 A
Коллектор Công suất tiêu tán — 40 Вт
Mức tăng dòng DC (hfe) — 8 n 40
Tần số chuyển đổi — 4 МГц
Nhiệt độ vận hành và lưu trữ từ -65 đến +150 ° C
Распиновка
Sơ đồ chân của MJE13003
Transitor thay thế và tương đương cho MJE13003
Распиновка транзистораBn có thể thể th13 thế MJE13003 bằng MJE13003G hoặc MJE13003g
13003 транзистор.

Если вы ищете высоковольтный транзистор для вашей конструкции с высокой скоростью переключения, то это может быть хорошим выбором. Он построен с использованием специальной технологии, которая делает этот транзистор стабильным и надежным для работы при высоких напряжениях с очень высокой скоростью переключения.
Устройство способно работать с напряжением коллектор-эмиттер, равным В постоянного тока, и напряжением коллектор-эмиттер, равным В постоянного тока, что делает его идеальным для использования в широком спектре приложений высокого напряжения переменного и постоянного тока.Хотя это устройство предназначено для высокого напряжения и коммутации, оно также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения.
Кроме того, он также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения, а также может использоваться в проектах с батарейным питанием, низковольтных хобби и образовательных электронных проектах.
Все транзисторы. Техническая спецификация. Поиск по перекрестным ссылкам
Длительный срок службы и стабильная работа компонента в схеме также являются важным фактором, о котором следует думать, когда вы проектируете схему или используете ее в уже разработанной схеме, которую вы собираете.Максимальная нагрузка не должна быть больше 1.
10 июля, 18 ноября, 2 декабря Ваш электронный адрес не будет опубликован. Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий. Оставить комментарий Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован. Найдите компонент. Мы используем файлы cookie, чтобы обеспечить максимальное удобство использования нашего веб-сайта. Если вы продолжите использовать этот сайт, мы будем считать, что он вам нравится.
Ok Политика конфиденциальности. Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы.
2N2222 NPN-транзистор
BC — это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми. Обратное смещение, когда базовый вывод удерживается на земле, и будет закрытым. Прямое смещение, когда сигнал подается на базовый вывод.
BC имеет значение усиления, равное этому значению, которое определяет усилительную способность транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более мА, с помощью этого транзистора.Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток I B должен быть ограничен до 5 мА. Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум мА через коллектор и эмиттер.
Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот каскад называется областью отсечки, и напряжение на базе эмиттера может быть около мВ. Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки, как описано выше. Как обсуждалось, транзистор будет действовать как открытый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод.
Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Величину этого резистора R B можно рассчитать по формулам ниже. Значение I B не должно превышать мА.
A Транзисторы действуют как усилители при работе в активной области. Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях. Из вышеперечисленных типов наиболее распространенной и наиболее часто используемой конфигурацией является тип эмиттера.При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления по постоянному току транзистора может быть рассчитан с использованием следующих формул. Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных будет полезно, чтобы узнать тип и размеры ее корпуса.
Подпишитесь, чтобы получать последние новости о компонентах электроники и новости отрасли. Модули усилителей, такие как усилители звука, усилители сигнала и т. Д.
13003. Техническая спецификация. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones.Principales características
Лист данных на компоненты. BC Transistor Datasheet. Получите нашу еженедельную рассылку! Корпуса Armor IPX имеют прочную тандемную конструкцию со сквозными отверстиями, которая упрощает установку. Высокая производительность 2. 2. Разъемы серии SMP. Разъемы серии SMP обычно используются в миниатюрных высокочастотных коаксиальных модулях. Разъемы EZ. Разъемы EZ имеют оплетку без обрезки, что устраняет трудоемкий этап и сокращает количество FOD. Популярные транзисторы. MJE и транзисторы. Обозначение типа:, MJE Например: Следовательно, перед установкой необходимо проверить контакты каждого из них с помощью мультиметра или тестера.
Если транзистор неисправен так, что положение его выводов не может быть определено мультиметром или тестером, необходимо обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется. Эмиттер чаще всего подключается напрямую или через резистор с небольшим сопротивлением к отрицательному выводу входного сглаживающего конденсатора.
Коллектор всегда посередине. Таким образом, третий штифт является основанием. Некоторые содержат встроенные диоды, подключенные между эмиттером и коллектором.Их цель — защитить транзистор от импульсов обратного напряжения, которые возникают при работе с индуктивной нагрузкой — обычно обмоткой трансформатора. Основные параметры МРД ТО — 2 Вт. ТО и ТО — 1,56 Вт.
ТО — 1,4 Вт. ТО — 50 Вт. ТО и ТО — 25 Вт. Максимальный длительный ток коллектора I c max: 1 , 5 А. Частота перехода ft: 10 МГц мин.
Коэффициент передачи прямого тока h FE: Изготовлен из кремниевого материала и специально разработан для применения в усилителях низкого напряжения, низкого и среднего тока и малой мощности.Это означает, что у него высокий коллектор, поэтому он в основном используется в тех цепях, где требуется низкий или средний ток. Он работает на высоких частотах перехода в МГц с временем задержки 10 нс, временем нарастания 25 мс, временем хранения мс и временем спада 60 мс. Он удобен в использовании и легко доступен на онлайн-рынке в пакете TO.
Эти выводы используются в схеме для включения или выключения транзистора. Схема его конфигурации выводов показана здесь в соответствии с таблицей данных: Аналогично в приложении усиления, он может быть подключен в трех конфигурациях, таких как общий эмиттер, общий коллектор и общая база.
С помощью этих режимов конфигурации можно легко увеличить ток, напряжение и мощность. В этом разделе мы обсудим некоторые примеры использования этого транзистора NPN.
Предложение по аренде коммерческого помещения pdf Сначала рассмотрим пример простого примера управления светодиодами с помощью переключателя. После этого мы увидим пример управления двигателем постоянного тока с помощью Arduino Uno. В этой примерной схеме мы присоединяем кнопку к базовой клемме. В этом примере транзистор 2N NPN используется в режиме конфигурации с общим эмиттером.Эта схема управляет двигателем постоянного тока через транзистор, который используется в качестве переключателя. Мы можем использовать Arduino Uno или любой микроконтроллер для управления этой схемой. Работа этой схемы точно такая же, как вы видели в предыдущем разделе, за исключением того, что используется двигатель постоянного тока.
Двухмерная диаграмма помогает при разработке схемы печатной платы и при сборке электронных компонентов. Вы можете скачать таблицу размеров других пакетов. Сообщите мне о последующих комментариях по электронной почте.
Уведомлять меня о новых сообщениях по электронной почте.Оглавление. Коллекторный вывод — это выходной вывод, который используется для подачи транзисторного тока на выходную нагрузку. Он имеет высокое напряжение коллектора-эмиттер V при постоянном токе коллектора 4А.
Помимо этого, транзистор также используется в простых схемах драйверов реле или соленоидов из-за его способности выдерживать пиковый ток до 8А. Из-за высокого напряжения переключения и тока переключения MJE имеет высокое базовое напряжение 9 В и требует около 2 А для полного замыкания переключения при работе с очень высоким напряжением.
Это приводит к необходимости иметь схему драйвера транзистора для MJE. Поскольку ИС доступна в формате TO, ее относительно просто использовать. Транзистор имеет мощность рассеивания коллектора 75 Вт, поэтому радиатор будет обязательным при работе при высоких напряжениях.
Подпишитесь, чтобы получать последние новости о компонентах электроники и новости отрасли. Спецификация компонентов. Лист данных MJE.
Виды судебно-медицинских экспертиз Метки Power Transistor. Получите нашу еженедельную рассылку! Корпуса Armor IPX имеют прочную тандемную конструкцию со сквозными отверстиями, которая упрощает установку.Высокая производительность 2. 2. Разъемы серии SMP. Разъемы серии SMP обычно используются в миниатюрных высокочастотных коаксиальных модулях. Разъемы EZ. Соединители EZ имеют оплетку без обрезки, что устраняет трудоемкий этап и сокращает FOD. Наша цель — стать лучшим веб-сайтом в Интернете для получения бесплатной информации о спортивных ставках и выборах, и мы постоянно работаем над поиском новых способов улучшения нашего сайта чтобы наилучшим образом соответствовать вашим потребностям игрока, делающего ставки на спорт.
Мы хотели бы поблагодарить вас за то, что вы посетили The Sports Geek и продолжаете поддерживать нас.Если у вас есть какие-либо вопросы, комментарии или отзывы, напишите нам (свяжитесь с нами).
Перейти к содержанию Выбор НФЛ Выбор НБА Выбор колледжа Баскетбол Выбор НХЛ MLB Выбор Стратегия ставок на спорт Статьи о ставках на спорт Ставки Математика Сайты ставок на спорт Стратегия DFS Управление банкроллом DraftKings Стратегия PGA DraftKings Стратегия NBA DraftKings Стратегия MLB Обзоры Блог Для поиска сайт, введите поисковый запрос Поиск Получите эксклюзивный доступ к выигрышным выборам ставок на спорт бесплатно Нажмите кнопку ниже, чтобы получать бесплатные ставки на вашу электронную почту ежедневно.
College Basketball Picks9 декабря 2017, Джейсон Грей NCAAM Basketball Pick для 9 декабря Alabama Crimson Tide (7-2) в Arizona Wildcats (6-3) Информация о линиях ставок для этой статьи была взята из спортивных ставок. Выбор ставок на спорт, 9 декабря 2017 г., Люк Хатсон Никс и выбор ставок на спорт. Самый популярный раздел нашего сайта ставок на спорт — это страница ставок на спорт, которая ежедневно обновляется бесплатными выборами.
Стратегия ставок на спорт Еще один очень популярный раздел Sports Geek — это раздел стратегии ставок на спорт.Вот несколько примеров, с которых вы можете начать Как выиграть в ставках на спорт Стратегия ставок Стратегия ставок на спорт Математика Опора Стратегия ставок Как получить максимальную выгоду при ставках Стратегия ставок на будущее НФЛ Стратегия ставок на прощальную неделю Стратегия ставок на экспресс Ставки Стратегия приятных ставок Стратегия ставок на милость Ставки на рыночные спортивные ставки Этот раздел нашего веб-сайта предназначен для двух целей.
Ставки на спорт в 2017 году Ничего себе, 2016 год пролетел незаметно и в целом стал отличным годом для спорта. Сайты ставок на спорт Найдите лучшие сайты ставок на спорт, чтобы делать ставки в Интернете.
Как получить максимальное значение при размещении ставок Узнайте, как получить максимальное значение при размещении ставок, чтобы увеличить свои шансы на получение прибыли. Выборы для ставок на спорт Сборник всех наших последних ставок на спорт и прогнозов DFS. Выбор стратегии ставок Сайты ставок на спорт DFS Стратегия Обзоры Блог TheSportsGeek. Мы здесь просто для того, чтобы предоставить информацию о ставках на спорт в развлекательных целях. Законы о ставках на спорт и азартных играх различаются в зависимости от юрисдикции.
Вы обязаны проверять такие факты, а также знать местные законы и соблюдать их.
Заявление об ограничении ответственности Политика конфиденциальности Условия использования Связаться с нами Betway Получить бонус Bet365 Получить бонус William Hill Получить бонус. Обзор CB Rank (Компания) 155 923 Bettingtips Бесплатные советы экспертов по ставкам. Обзор CB Rank (Компания) Bettingtips Бесплатные советы экспертов по ставкам. Уник: 2 000 крон 22. Подводя итоги «Просто шпоры» — Севистанбул. Наш информационный бюллетень посвящен советам по ставкам на футбол, но мы охватываем широкий спектр видов спорта, и наши предварительные обзоры всегда основаны на тщательном анализе.
Clubgowi — самая известная в Интернете служба советов по ставкам на спорт с историей, уходящей корнями в 2006 год.Мы предоставляем экспертный анализ и гарантируем долгосрочную прибыль. Ознакомьтесь с нашими результатами Мы рекомендуем использовать Sportmarket, который предлагает азиатские рынки ставок с гандикапом с 2004 года. Sportmarket — бесценный инструмент для серьезных игроков, делающих ставки на спорт, которые хотят иметь преимущество перед азиатскими букмекерами. Ознакомьтесь с нашими результатами Мы рекомендуем использовать Sportmarket, который предлагает азиатские рынки ставок с гандикапом с 2004 года.
Совет по ставкам на Лигу Европы УЕФА: Стамбул Башакшехир — Спортинг Брага Совет по ставкам на Лигу Европы УЕФА: Заря Луганск — Атлетик Бильбао Советы по ставкам на Лигу чемпионов УЕФА.
Совет по ставкам на Лигу чемпионов УЕФА: Селтик — Андерлехт Ищем хорошие ситуации. Дюжина сезонов и их количество неумолимо. Запишусь ли я на занятия в Admitted Student Preview. Спланируйте свое посещение Как добраться до кампуса Вашингтонский университет расположен в Университетском округе города Сиэтл.
Парковка Поскольку мы не можем покрыть расходы на парковку, мы рекомендуем вам рассмотреть другие варианты, однако, если вы решите водить машину, мы рекомендуем Central Plaza Garage, расположенный на 15-й авеню NE и 41-й северо-восточной улице.
Геопанды площадь полигонаОдевайтесь поудобнее и проверяйте прогноз. Wi-Fi. Если у вас есть UW NetID, вы можете использовать его для доступа к беспроводным сетям UW. Гостям, которым требуется временный доступ к Wi-Fi UW, при регистрации заезда будут предоставлены логин и пароль.
Помогите нам вдохнуть жизнь в искусство, а искусство в жизнь. Библиотека Уотсона Центр современного искусства Леонарда А. Лаудера Библиотека Нолен в Образовательном центре Рут и Гарольда Д. Юриса Цифровые коллекции библиотеки Томаса Дж. Уотсона Генри Р.Центр изучения американского искусства Люси Библиотека и архивы Клойстерс Кабинет для рисования и гравюры Справочная библиотека костюмов Ирен Льюисон Института костюма Библиотека Роберта Голдуотера и архив визуальных ресурсов Библиотека коллекции Роберта Лемана Джойс Ф.
Ознакомьтесь с весенним выпуском новостей 2017 года, который содержит информацию о предстоящих выставках, мероприятиях для участников и меценатов, а также общественных программах. MetPublications представляет комплексную издательскую программу The Met за последние пять десятилетий, включая книги, бюллетени, журналы и онлайн-публикации.
Членов Количество Помогите нам вдохнуть жизнь в искусство и искусство в жизнь. Афиша: участники и покровители Просмотрите весенний выпуск новостей 2017 года, содержащий информацию о предстоящих выставках, мероприятиях для участников и покровителей, а также общественных программах. MetPublications MetPublications представляет комплексную издательскую программу The Met за последние пять десятилетий, включая книги, бюллетени, журналы и онлайн-публикации. Аудиогид Слушайте истории тысяч произведений искусства из коллекции The Met и избранных выставок.
Перейти к Figma Все коллекции Live Device Preview Live Device Preview Live Device Preview Наше приложение Mirror позволяет просматривать ваши проекты на мобильном устройстве в режиме реального времени Написано Джейсоном Обновлено более недели назад Чтобы просмотреть свои проекты на мобильном устройстве, загрузите Figma Приложение Mirror для iOS или Android здесь.
Когда ваш компьютер и мобильное устройство подключены к одному и тому же Wi-Fi, выберите рамку в своем дизайне на Figma. Помните, что Mirror не масштабирует контент. Это соответствие 1: 1 тому, что вы видите в редакторе Figma на своем компьютере.В настоящее время приложение Figma Mirror поддерживает только Android 7 и выше. Поскольку многие пользователи Android используют старые устройства со старыми версиями ОС, мы хотели бы иметь возможность поддерживать их в будущем. Пользователи как Android, так и iOS могут также просматривать проекты в Интернете.
Вам нужно открыть два (2) окна Figma. В одном окне нажмите на рамку, которую хотите показать. Группа 65Перейти к Figma Все коллекции Live Device Preview Наше приложение «Зеркало» позволяет вам просматривать ваши проекты на мобильном устройстве в режиме реального времени. Автор Jason Обновлено более недели назад. Это ответ на ваш вопрос.Предварительные версии API позволяют опробовать новые API и изменения существующих методов API, прежде чем они станут частью официального API GitHub. В течение периода предварительного просмотра мы можем изменить некоторые функции на основе отзывов разработчиков.
Если мы все же внесем изменения, мы объявим о них в блоге разработчиков без предварительного уведомления. Чтобы получить доступ к предварительному просмотру API, вам необходимо указать пользовательский тип мультимедиа в заголовке Accept для ваших запросов.
В документации по функциямдля каждого предварительного просмотра указывается, какой настраиваемый тип мультимедиа предоставить.Подготовьте репозиторий GitHub для миграции на GitHub Enterprise.
1985 Прошлые работы по математике с ответами13003 Распиновка транзистора
Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы. BC — это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми. Обратное смещение, когда вывод базы удерживается на земле, и закрытие. Прямое смещение при подаче сигнала на вывод базы.
BC имеет значение усиления, равное этому значению, которое определяет усилительную способность транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более мА, с помощью этого транзистора.
Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток I B должен быть ограничен до 5 мА. Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум мА через коллектор и эмиттер. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки, и напряжение на базе эмиттера может быть около мВ.Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки, как описано выше. Как обсуждалось, транзистор будет действовать как открытый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод.
Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом.
Значение этого резистора R B можно рассчитать по формулам ниже.Значение I B не должно превышать мА. Транзисторы действуют как усилитель при работе в активной области. Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.
Из вышеперечисленных типов наиболее распространенной и наиболее часто используемой конфигурацией является тип эмиттера. При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления по постоянному току транзистора может быть рассчитан с использованием следующих формул. Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных будет полезно, чтобы узнать тип и размеры ее корпуса.Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники.
Модули усилителя, такие как аудиоусилители, усилители сигнала и т. Д.
J13003 Техническое описание, эквивалент, поиск перекрестных ссылок
Техническое описание компонентов. BC Transistor Datasheet. Получите наш еженедельный информационный бюллетень! Он имеет высокое напряжение коллектора-эмиттер V и постоянный ток коллектора 4А. Помимо этого, транзистор также используется в простых схемах драйверов реле или соленоидов из-за его способности выдерживать пиковый ток до 8А.Из-за высокого напряжения переключения и тока переключения MJE имеет высокое базовое напряжение 9 В и требует около 2 А для полного замыкания переключения при работе с очень высоким напряжением.
Это приводит к необходимости иметь схему драйвера транзистора для MJE. Поскольку ИС доступна в формате TO, ее относительно просто использовать. Транзистор имеет мощность рассеивания коллектора 75 Вт, поэтому радиатор будет обязательным при работе при высоких напряжениях. Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники.
Техническое описание компонентов. Лист данных MJE. Теги Силовой транзистор. Получите нашу еженедельную рассылку! Корпуса Armor IPX имеют прочную тандемную конструкцию со сквозными отверстиями, которая упрощает установку. Высокая производительность 2. 2. Разъемы серии SMP. Разъемы серии SMP обычно используются в миниатюрных высокочастотных коаксиальных модулях.
EZ. Разъемы EZ имеют оплетку без обрезки, что устраняет трудоемкий этап и сокращает FOD. Если вы ищете высоковольтный транзистор для вашей конструкции с высокой скоростью переключения, то это может быть хорошим выбором.Он построен с использованием специальной технологии, которая делает этот транзистор стабильным и надежным для работы при высоких напряжениях с очень высокой скоростью переключения.
Устройство способно работать с напряжением коллектор-эмиттер, равным В постоянного тока, и напряжением коллектор-эмиттер, равным В постоянного тока, что делает его идеальным для использования в широком спектре приложений высокого напряжения переменного и постоянного тока. Хотя это устройство предназначено для высокого напряжения и коммутации, оно также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения.Кроме того, его можно использовать для коммутации и усиления общего назначения, а также в проектах с батарейным питанием, низковольтных хобби и образовательных электронных проектах.
Длительный срок службы и стабильная работа компонента в цепи также являются важным фактором, о котором следует думать, когда вы проектируете схему или используете ее в уже разработанной цепи, которую вы собираете.
Максимальная нагрузка не должна быть увеличена более чем на 1. 10 июля, 18 ноября, 2 декабря, Ваш электронный адрес не будет опубликован.
Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий. Оставить комментарий Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован. Найдите компонент. Мы используем файлы cookie, чтобы обеспечить максимальное удобство использования нашего веб-сайта. Если вы продолжите использовать этот сайт, мы будем считать, что он вам нравится.
Ok Политика конфиденциальности. Он изготовлен из силиконового материала и специально разработан для применения в усилителях низкого напряжения, низкого и среднего тока и малой мощности. Это означает, что у него высокий коллектор, поэтому он в основном используется в тех цепях, где требуется низкий или средний ток.
Он работает на высоких частотах перехода в МГц со временем задержки 10 нс, временем нарастания 25 мс, временем хранения мс и временем спада 60 мс. Он удобен в использовании и легко доступен на онлайн-рынке в пакете TO. Эти выводы используются в схеме для включения или выключения транзистора.
Схема его конфигурации выводов показана здесь в соответствии с таблицей данных :. Аналогично в приложении усиления, он может быть подключен в трех конфигурациях, таких как общий эмиттер, общий коллектор и общая база.С помощью этих режимов конфигурации можно легко увеличить ток, напряжение и мощность.
В этом разделе мы обсудим некоторые примеры использования этого NPN-транзистора. Сначала мы рассмотрим пример простого примера управления светодиодом с помощью переключателя. После этого мы увидим пример управления двигателем постоянного тока с помощью Arduino Uno. В этой примерной схеме мы присоединяем кнопку к базовой клемме.
В этом примере транзистор 2N NPN используется в режиме конфигурации с общим эмиттером. Эта схема управляет двигателем постоянного тока через транзистор, который используется в качестве переключателя.
Мы можем использовать Arduino Uno или любой микроконтроллер для управления этой схемой. Работа этой схемы точно такая же, как вы видели в предыдущем разделе, за исключением того, что используется двигатель постоянного тока. Двухмерная диаграмма помогает при разработке схемы печатной платы и при сборке электронных компонентов. Вы можете скачать таблицу размеров других пакетов. Сообщите мне о последующих комментариях по электронной почте.
Уведомлять меня о новых сообщениях по электронной почте.Оглавление. Коллекторный вывод — это выходной вывод, который используется для подачи тока транзистора на выходную нагрузку. Популярные транзисторы.
MJE и транзисторы. Обозначение типа:, MJE Например: Следовательно, перед установкой необходимо проверить контакты каждого из них с помощью мультиметра или тестера. Если транзистор неисправен таким образом, что мультиметр или тестер не может определить расположение его выводов, необходимо обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется.
Эмиттер чаще всего подключается напрямую или через резистор с малым сопротивлением к отрицательному выводу входного сглаживающего конденсатора. Коллектор всегда посередине. Таким образом, третий штифт является основанием. Некоторые содержат встроенные диоды, подключенные между эмиттером и коллектором. Их цель — защитить транзистор от импульсов обратного напряжения, которые возникают при работе с индуктивной нагрузкой — обычно обмоткой трансформатора.
Основные параметры МРД ТО — 2 Вт.К и К — 1,56 Вт. К — 1,4 Вт.
2N2222 NPN Транзистор
К — 50 Вт. К и К — 25 Вт. Максимальный длительный ток коллектора I c max: 1,5 А. Частота перехода ft: 10 МГц мин. Коэффициент передачи прямого тока h FE: И это настоящие обзоры. Reevoo — это люди, которым мы доверяем, чтобы получить ваши честные отзывы. Обзоры и рейтинги беспристрастны, не редактируются и не подвергаются цензуре. Это именно то, что говорят наши клиенты. Reevoo никогда не позволит компаниям затронуть отзывы клиентов. Мы используем файлы cookie, чтобы вам было удобнее.
Продолжайте просмотр, если вас это устраивает, или узнайте, как управлять файлами cookie. Подписка на прямой дебет. Как настроить прямой дебет. Как я могу изменить сумму прямого дебета.
Почему изменились мои платежи прямым дебетом. Счета Как рассчитывается мой ежемесячный фиксированный прямой дебет. Что делать, если у меня возникли проблемы с оплатой счета. Проблемы с оплатой Что произойдет, если я не оплачу свои счета. У меня проблемы с глюкометром. Что мне делать. Тарифы на электроэнергию Как узнать, по какому тарифу я использую.Когда закончится мой текущий тариф? Переезд домой. Может ли Sainsbury’s Energy предоставить мой новый адрес.
Переезд домой — что вам нужно сделать Ваша учетная запись в Интернете Я хочу зарегистрировать учетную запись в Интернете. Как отправить показания счетчика онлайн. Мы знаем, что может быть сложно решить, какой поставщик энергии вам подходит. Вы увидите и хорошее, и плохое — отрицательные отзывы никогда не удаляются.
Отзывы нельзя редактировать. Поддельные отзывы никогда не попадают в Интернет. Они полностью независимы, и ни один бизнес, с которым они работают, их не повлияет.
Плохие отзывы никогда не удаляются и не редактируются. И они никогда не платят за отзывы. Это полезно Это бесполезно. 9 из 16 человек нашли этот обзор полезным. Соотношение цена / качество1.
Это полезно Это бесполезно. 12 из 16 человек посчитали этот обзор полезным. Общая оценка1.Wandering Eye (6) 1. Высокое качество (3) 4. Pakapunch (7) Маленькое поле с 4 реалистичными шансами. WANDERING EYE хорошо прошел все 3 старта и должен был оценить освежение для этого. PAKAPUNCH — единственный шанс.Охотник-злодей (2) 8. Мисс Оаху (10) Поцарапанная 9. Маленькая Мидас (3) 6.
13003. Техническая спецификация. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Windsor (9) HUNTER VILLAIN при дебюте сделали достаточно, чтобы заслужить серьезное внимание. MISS OAHU и PETITE MIDAS демонстрируют улучшения, а новинка WINDSOR — большие часы после серьезного испытания. Передайте это Джонси (2) 7. Helvetica (1) Поцарапанный 3.
Rock Rulz (6) Поцарапанный 8. Thats Amore (5) Передайте его Джонси пока что выглядело хорошо в двух запусках и просто кричит об этом путешествие.Хорошо смотрится и является отличным выбором. HELVETICA продолжает хорошо выступать и заслуживает уважения, в то время как ROICK RULZ и THATS AMORE кажутся лучшими из остальных. En Suite (11) Поцарапанный 5. Royal Ruby (9) 8. Chic (3) TAUTU посмотрел на Авапуни и, похоже, есть возможности для дальнейшего улучшения. EN SUITE и ROYAL RUBY заслуживают уважения, а CHIC непоследователен, но дает серьезный шанс, если она приложит все усилия.
Star Of Greenbeel (3) 2. Каманда Линкольн (2) 5. Высокое качество (6) Небольшое, но открытое дело, в котором 5 из 6 имеют шансы на победу.STAR OF GREENBEEL выглядит удачно расположенной на расстоянии и пробежит ее лучше, чем большинство, если не все из них. КАМАНДА ЛИНКОЛЬН был очень неудачным стартом, но он лучше, чем это. KELIB и HUNTA PENCE нужно уважать.