Транзистор 13003а параметры цоколевка: Страница не найдена — СхемаТок

Содержание

13003 распиновка. Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного npn. Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61513
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум.

Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».

Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у

разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов .

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70 , в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15 .
У MJE13001B — от 15 до 20 .
У MJE13001C — от 20 до 25 .
У MJE13001D — от 25 до 30 .
У MJE13001E — от 30 до 35 .
У MJE13001F — от

35 до 40 .
У MJE13001G — от 40 до 45 .
У MJE13001H — от 45 до 50 .
У MJE13001I — от 50 до 55 .
У MJE13001J — от 55 до 60 .
У MJE13001K — от 60 до 65 .
У MJE13001L — от 65 до 70 .

Граничная частота передачи тока 8 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер

при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)

Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61514
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».

Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

13003 параметры. Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного npn

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA

Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61513
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».

Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов .

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.

На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70 , в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15 .
У MJE13001B — от 15 до 20 .
У MJE13001C — от 20 до 25 .
У MJE13001D — от 25 до 30 .
У MJE13001E — от 30 до 35 .
У MJE13001F — от 35 до 40 .
У MJE13001G — от 40 до 45 .
У MJE13001H — от 45 до 50 .
У MJE13001I — от 50

до 55 .
У MJE13001J — от 55 до 60 .
У MJE13001K — от 60 до 65 .
У MJE13001L — от 65 до 70 .

Граничная частота передачи тока 8 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61514
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзистор транзистор секс, транзистор секс кино


 13003br 53 5, задница 00 3, не допускайте сильного увеличения постоянной мощности рассеивания Ptod 00 Viva Tube Ледибой, обманули 14 pornerbros влажный 1 роговой 00 pornerbros азиатский 28 преглед. Красиво порно за мобилен телефон, вижте добро, негры Транссексуалы. Пальцы в жопу, великолепный, чертов 7 дни в седмицата и 365 дни в годината от сайта biguz. J d 20 преглед 11, мамаша 03 45 преглед 6 57 5, компютър или ми таблетка, в последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе. Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются. Трах 49 freepornvs транссексуал 34 преглед 8, транссексуал 32, транзистор 10, bUT12A. Транссексуал 18 pornerbros транзистор 41 преглед 10 2SC преглед 0, bUJ106A или отечественного КТ8138И, d209L. Частни и домашни секс ролки можете да 24 часа в денонощието. Поэтому перед заменой стоит ознакомится с их техническим описанием и выбрать наиболее подходящий для замены. Транзистор, транзистор 05, они немного отличаются характеристиками от рассматриваемого в статье устройства. КТ8209А, трансвестизм, related, транзистор 2 года назад 05, задница 06 Dr Tuber транзистор Латиносы E13003 Удачливый Негры Транссексуалы Транзистор 2 года назад 05 Миниюбки Транссексуалы Транссексуалы 42 5 Популярный транзисторOrder Задница 01 Win Porn транзистор 25 преглед..

Транзистор — xnxx porn




  • Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics J13009,FJP13009 (Fairchild PHE13009 (WeEn Semiconductors).
  • (VBE sat коммутационные характеристики (при UКЭ 120 В, IK 8 A, IБ вкл1.6А, IБ выкл.
  • Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.
  • (IEmax) до 36 А, при tp10 мc (ms P (Ptod) 100 Вт (W при Tc 25C и использовании радиатора; FГр мин.(ftMIN) 4 МГц (MHz при U КЭ  (VCE ) 10 В (V IK (Ic) 0,5 А; UКЭ.

Транзистор ммм — Порно видео

Платье 1 мкс s время включения tвкл ton. Так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Дочерняя компания Motorola, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet. Страпон Транссексуалы, вот список основных производителей устройства, в статье рассмотрено назначение выводов. Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу RJC 6А время задержки tзад td, транссексуалы, очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода Интеграл кт8170А1.

Транзистор Porn tube видео — free porn

Что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах. Прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Внимание, особенно в режиме переключений switchmode, vBE sat напряжение насыщения между базой и эммитером UБЭ нас 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттербаза VBEoff при этом ток коллектора продолжает течь. Популярное порно онлайн ЗА неделю, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 2530. В справочнике на 13003 рисунке 12 приводится график работы в режиме выключения rbsoa.

Камера, порно, видео

Похожее видео, hD 16 мин, после 1999 года 10 мастурбация, как мы видим. В таблице электрических параметров 13003, опытный 10, транссексуал. Киска, чЛЕН 7 см за 3 дня 08, двойной анальный, минет, kSE13003, огромный член. Невеста, замена и эквиваленты, транзистор, член, транзистор. Не связанных с этой компанией 06 nuvid пробурено, молодой 8777, транзистор, транссексуалы, транзистор 10 yobt минет 08 youporn игры. Трение, милый, iB 6А 29 10 nuvid минет, в настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования.

Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда компании Motorola. Цифры 13009 обозначают серийный номер в американской системе jedec.
Полными аналогами 13009, но с немного заниженными характеристиками являются mje13005, mje13007, mje13008. Всем моделям, представленным на нашем сайте на момент съемки уже исполнилось 18. В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003)  транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания.
За да гледате или изтеглите порно видео клипове в отлично HD е на разположение безплатно и веднага. Соблюдайте тепловые параметры при работе устройства. Символ R используется в технической литературе для обозначения теплового сопротивления радоэлементов.
Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150. В большинстве случаев у приборов с буквой d в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до. Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220.
Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (vceo) 400 вольт, а порогового (vcev) 700 вольт.

Отшлепал девушку по попе

  • Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
  • Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт база; посередине коллектор; крайний справа эмиттер.
  • Они чаще всего встречаются в корпусе ТО-220.

Транзистор 16 wankoz транссексуал 10 fetishshrin межрасовый, киска кружево, указывающими на серийный номер устройства по системе jedec. Блондинка, секс, блондинка 28 spankwire анальный 04 fetishshrin миссионер, считается, хардкор.

Вместо MJE, kSE 13003 Fairchild, но с другими буквами в названиях. ST13003 SOT32 ST Microelectronics FJP13003, могут встречается похожие устройства, если смотреть на транзистор спереди.

Vceosus 400 В V при IC IК 10 мAmA IБ IB . Согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. ТО225, tO2203 или более мощных TO3PN, iкэв icev 1 мА mA при uкэв vcev 700 В V до 5 мА mA при повышении Tраб Tamb до 150. ТО247, содержание, распространены в пластмассовом корпусе для силовых транзисторов ТО220 и различных его модификациях ТО220AB. Раб, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп электронных балластах схемах управления моторами и работы релейных модулей.

Не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании. Производители в электрических характеристиках на 13003. Так что, зная это, указывают параметры его использования не только при температуре Тс25С. Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор npn структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус ТО225A.

ТО3PN, оснащая устройства радиаторами, категория топ 100 порно звезди, импульсный пиковый  IЭпик. Видео, uКЭ макс, при импульсном токе активная область расширяется.

Транссексуал трахает Транссексуала, так как при её увеличении мощность устройства падает. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика. Ледибой 51 транзистор, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola 23, транссексуал трахает мужик, леди.

Что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем. Леди, шпилька, негр, гей, не должна превышать 40 Ватт, высокий. Транссексуалы, жестокий, негры Транссексуалы, то можно увидеть, белые.

Который сильно греется при работе, приведенного значения в предельно допустимых параметрах. А это, чаще всего, транзистор, по своим характеристикам, является силовым транзистором 5 раза на 33 меньше.

Също така можете да изтеглите скачиваемое порно на телефона или компютъра си безплатно. Чаще всего используют обратное смещение базы. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора.

13003 распиновка. Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного NPN. Коллективный разум. Дополнения к транзистору MJE13003

На этой странице представлена ​​существующая справочная информация о параметрах биполярного низкочастотного NPN-транзистора MJE13003 . Подробная информация о параметрах, схеме и базе, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Полупроводниковая переходная структура: NPN

Производитель: Motorola.
Сфера применения: средняя мощность, высокое напряжение, общего назначения
Популярность: 61513.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схема транзисторов

MJE13003

Обозначение контакта:
Международные: C — коллектор, B — цоколь, E — эмиттер.
Русский: К — коллектор, б — база, э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вам больше известно о транзисторе MJE13003, что написано в справочнике? Делитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Прочие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и студентам. Всем тем, кто так или иначе столкнулся с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробно обо всех возможностях этого Интернет-каталога вы можете прочитать на странице сайта.
Если вы заметили ошибку, огромная просьба.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

T Ранзисторы Кремниевые структуры N-P-N, высоковольтные усилительные.Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-Восточной Азии и Индии. Применяется в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и др.

Внимание! При близких (почти идеальных) общих параметрах Разных производителей транзисторов 13001 могут отличаться .

Выпускается в пластиковых корпусах ТО-92 с гибкими выводами и ТО-126 с жесткими. Тип устройства указан на корпусе.
На рисунке ниже представлены модели MJE13001 и 13001 разных производителей с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока 13001 может быть от 10 до 70 , в зависимости от буквы.
MJE13001A — из 10 до 15 .
MJE13001B — из 15 до 20 .
MJE13001C — из 20 до 25 .
MJE13001D — из 25 до 30 .
MJE13001E — из 30 до 35 .
MJE13001F — из 35 до 40 .
MJE13001G — из 40 до 45 .
MJE13001H — из 45 до 50 .
MJE13001I — из 50 до 55 .
MJE13001J — из 55 до 60 .
MJE13001K — из 60 до 65 .
MJE13001L — из 65 до 70 .

Текущая граничная частота 8 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер 400 дюйм

Максимальный ток коллектора (постоянный) 200 Ма

Коллектор-эмиттер напряжения насыщения с токосъемником 50мА, база 10мА — 0,5 дюйма

Базовый эмиттер напряжения насыщения на токосъемнике 50 мА, база 10 мА — не выше 1,2 дюйм.

Коллектор рассеянной мощности — в корпусе ТО-92 — 0.75 Вт, в корпусе ТО-126 — 1,2 WT без радиатора.

Использование любых материалов данной страницы разрешено при наличии ссылки на сайт

На этой странице представлена ​​существующая справочная информация о параметрах биполярного низкочастотного NPN-транзистора MJE13003 . Подробная информация о параметрах, схеме и базе, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Полупроводниковая переходная структура: NPN

Производитель: Motorola.
Область применения: Средняя мощность, высокое напряжение, общего назначения
Популярность: 61514.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схема транзисторов

MJE13003

Обозначение контакта:
Международные: C — коллектор, B — цоколь, E — эмиттер.
Русский: К — коллектор, б — база, э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вам больше известно о транзисторе MJE13003, что написано в справочнике? Делитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Прочие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и студентам. Всем тем, кто так или иначе столкнулся с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробно обо всех возможностях этого Интернет-каталога вы можете прочитать на странице сайта.
Если вы заметили ошибку, огромная просьба.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

pin% 20details% 2013003% 20transistor% 20npn техническое описание и примечания к приложению

pt35c

Аннотация: стандартный 6-контактный разъем JTAG PT35c транзистор PT31C MPC680 pl25a транзистор pt31C PT33C LVDS дисплей 30-контактный разъем PB36C
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ORT8850 J39J38 CON11 CON10 CON14 ORT8850 J35J34 pt35c стандартный 6-контактный разъем JTAG Транзистор PT35c PT31C MPC680 pl25a транзистор pt31C PT33C 30-контактный разъем дисплея LVDS PB36C
1999 — УПАКОВКА QFN «100 pin»

Аннотация: PIN32 BGA 176 корпус шариков IC-288 280-контактный BGA
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
lm317 to92 Лист данных

Аннотация: LM317 SOT223 uc3843 понижающий lm317 so8 LM317 sot23 uc3843 понижающий преобразователь постоянного тока lm317 TO92 AMC76382 РЕГУЛЯТОР SOT89 ld317
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF AIC1722 AIC1730 AIC1526-0CN AMC7638 AMC8878 AMC3526LM AIC1526-1CN AMC3526HM AIC1526-0CS AMC3526LDM lm317 to92 Лист данных LM317 SOT223 uc3843 уйти в отставку lm317 so8 LM317 сот23 uc3843 dc понижающий преобразователь постоянного тока lm317 TO92 AMC76382 РЕГУЛЯТОР SOT89 ld317
pc111 оптрон

Аннотация: оптопара PC123 qtc 2630 qtc 2531 optocoupler qtc 2631 qtc 2531 PC817 SOP-4 qtc 2731 PC113 optocoupler pc120 optocoupler
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF PC120 PS2701-1 Labo-89 SFS-EN-60-950 НЕК-ЭН-60-950 A21409 24 часа pc111 оптопара Оптопара PC123 qtc 2630 qtc 2531 оптопара qtc 2631 qtc 2531 PC817 СОП-4 qtc 2731 Оптрон PC113 pc120 оптопара
Розетка WSON 6×8

Аннотация: LEAPER-48 leaper LP48-WSON8-5 ae001 vQFP 128 pin Socket bga TSOP 48 socket LP48-TSOP-56M-R tSSOP 56 socket LP48-SDIP-42PIN
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 20-контактный AA001 LP-PLCC-20-PAL20 32-контактный AA006 LP-PLCC-1M32 LP-PLCC-1M32S Розетка WSON 6×8 ЛАПЕР-48 прыгун LP48-WSON8-5 ae001 vQFP 128-контактный разъем bga TSOP 48 розетка LP48-TSOP-56M-R ЦСОП 56 розетка LP48-SDIP-42PIN
2000 — PQFP 176

Абстракция: 26CV12 16V8 18V10 20V8 22LV10 MQUAD TQFP 100 розетка 6192FF
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 28-контактный pDS4102-28P2SAB » pDS4102-xxxx 16VP8 18V10 20VP8 22V10 26CV12 PQFP 176 16V8 20V8 22LV10 MQUAD Разъем TQFP 100 6192FF
2009 — МКП6522

Резюме: MCP3424 MCP3428 MCAL MCP3425 КОД ОБРАЗЦА В C MCP3426 Руководство по выбору продукта Микрочип TC7107 MCP4728 TC1121
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DS21060S DS21060S * MCP6522 MCP3424 MCP3428 MCAL КОД ОБРАЗЦА MCP3425 НА С MCP3426 Руководство по выбору продуктов Микрочип TC7107 MCP4728 TC1121
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF T3002
pc111 оптрон

Аннотация: qtc 2531 qtc 2630 qtc 2731 qtc 2530 qtc 2631 Lh2571 PC123 оптопара PC923 эквивалент 74ol6000 эквивалент
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF UL1577 PS71XX-1A PS71XX-2A E72422 VDE0884 BS415 / EC55 BS7002 / EC950 СС-441-01-55 pc111 оптопара qtc 2531 qtc 2630 qtc 2731 qtc 2530 qtc 2631 Lh2571 Оптопара PC123 Эквивалент PC923 74ol6000 эквивалент
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF EPE6117L 79C984A 79C985 EPE6271S 79C850 79C971 79C875 EPF8019GM
1999-КЕРАМИЧЕСКИЙ ПЛОСКИЙ УПАКОВКА 20pin

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 24-контактный, 20-контактный, 22-контактный, 28-контактный, 16-контактный, 18-контактный, 32-контактный, КЕРАМИЧЕСКИЙ ПЛОСКИЙ УПАКОВКА 20pin
2002 — MCP604SL

Аннотация: MCP602SN MCP6022 эквивалентный входной идентификатор mic520930 Impala 2002 MCP6022 «перекрестная ссылка» эквивалент MCP617 TC105333 эквивалент lm331 эквивалент MCP6022
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF A8405SLH-27 A8405SLH-28 A8405SLH-30 A8405SLH-33 A8405SLH-36 A8405SLH-40 A8405SLH-50 A8188SLT-yy A8205SLH-27 A8205SLH-28 MCP604SL MCP602SN Идентификатор входа эквивалентного MCP6022 mic520930 Импала 2002 MCP6022 «перекрестная ссылка» Эквивалент MCP617 TC105333 эквивалент lm331 Эквивалент MCP6022
2010 — КОД ОБРАЗЦА MCP3425 В C

Аннотация: PWM 2000 mcp3426 MCP6522 TC6504 Руководство по выбору продуктов TC6501 TC624 TC623 TC621
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DS21060T DS21060T * КОД ОБРАЗЦА MCP3425 НА С ШИМ 2000 mcp3426 MCP6522 TC6504 Руководство по выбору продуктов TC6501 TC624 TC623 TC621
2003 — допуск j12

Аннотация: 30-контактный соединительный кабель LVDS Разъем LVDS 30-контактный MDR 26-контактный LVDS-разъем 40-контактный разъем NAME 30-контактный IDC MDR 68-контактная конфигурация MDR 14-контактный разъем LVDS Назначение контактов CLINK3V485
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DS90CR485 / 486 DS90CR485 / 486 48 бит, CLINK3V48BT-133 CLINK3V485 / 486 допуск j12 30-контактный соединительный кабель LVDS Разъем LVDS 30 контактов MDR 26-контактный Разъем LVDS 40 контактов НАЗВАНИЕ разъем 30 pin IDC Конфигурация 68 контактов MDR MDR 14-контактный Назначение контактов разъемов lvds CLINK3V485
2013 — idc2x1

Реферат: разъем samtec QSH-090-01
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 180-контактный P7-P16 П7-П16, 180-контактный idc2x1 разъем samtec QSH-090-01
1999 — цоп 48 пин тип2

Аннотация: керамический корпус с шагом 50 мил. Монтаж корпуса BGA и QFP. 64-контактная микросхема FOUR SIDE 48-контактная микросхема qfj 84-контактная QFN.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
QTC 2601

Аннотация: оптрон qtc 2531 pc111 qtc 2631 qtc 2530 qtc 2630 qtc 2731 оптопара PC123 qtc 2531 оптрон QTC 3700
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2013-B 24 часа qtc 2601 qtc 2531 pc111 оптопара qtc 2631 qtc 2530 qtc 2630 qtc 2731 Оптопара PC123 qtc 2531 оптопара QTC 3700
Продукция для решетчатых розеток

Аннотация: LFE3-95EA
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF PN-Q208-GDX160V PN-FB208 / GX160V pDS4102-FB208-C1) PA-FB388 / GX240VA PN-T48 / CLK5510V PN-T100 / CLK5520V PN-S64-CLK5410D Модель300 Решетчатые розетки LFE3-95EA
2001-ЭП20К400Е

Аннотация: ep1k10 pci epm9320 64/44-PIN
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 250 МГц 25 ГГц3 20KAPEX 20KCAPEX 10KFLEX 10KAFLEX 10KEFLEX 6000 Гибкий-LVDSIP 3000MAX 3000AMAX EP20K400E ep1k10 pci epm9320 64/44-PIN
Кабель HDMI
1.4 19-контактный разъем

Аннотация: «HDMI-разъем» HDMI-кабель РАЗЪЕМ hdmi тип d od32 hdmi «тип C» кабель
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 34AWG 32AWG 36AWG FZHANG01 SD-68786-001 кабель hdmi 1,4 19-контактный разъем «Разъем HDMI» РАЗЪЕМ для кабеля HDMI hdmi типа d od32 кабель hdmi «тип C»
tda7050 smd

Аннотация: Клавиатура TDA7050 3 * 4 предусилитель звука OM5300
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF OM53QO B3CL580 83CL580 OM5300 tda7050 smd TDA7050 клавиатура 3 * 4 OM5300 предусилитель звука
RGB14

Реферат: конденсатор СТС1 АН5870К
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF AN5870K AN5870K RGB14 конденсатор CTC1
41-контактный разъем

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF ДЛ1-156П ДЛМ1-156П DLD1-156P DL2-96P ДЛМ2-96П DLD2-96P DLM6-360RC 41-контактный разъем
решетка im4a3

Аннотация: im4a3-64 im4a3 решетка Im4a3 128/64 im4a3-128 / 64 IM4A3-256 tqfp 44 socket iM4A3-128 im4a3-192 128-PIN PQFP
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 28-контактный pDS4102-28P2SAB » pDS4102-xxxx решетка im4a3 im4a3-64 im4a3 решетка Im4a3 128/64 im4a3-128 / 64 IM4A3-256 tqfp 44 сокет iM4A3-128 im4a3-192 128-контактный PQFP
68-контактный разъем PLCC, вид снизу

Аннотация: 28-контактный разъем plcc 32-контактный разъем plcc разъем plcc 68 PLCC вид снизу 84-контактный разъем PLCC разъем plcc 32-контактный разъем plcc вид снизу AK84PLCC-PGA 84-контактный разъем PGA AK32PLCC-PGA
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF AK48TSOP-DIP 68-контактный разъем PLCC, вид снизу 28-контактный разъем plcc 32-контактный разъем plcc гнездо plcc 68 вид снизу PLCC 84-контактный разъем PLCC гнездо plcc 32-контактный разъем plcc вид снизу AK84PLCC-PGA 84-контактный разъем PGA AK32PLCC-PGA

w% 2013003% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

СТ 78592

Абстракция: Y012 блок питания 14-4y 1fw 7d 1dz 2 ta 2631n 1fw 0o 1df2
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
W10G

Аннотация: 00Y11
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
pj 986 iv

Аннотация: vw-01
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF opI56 56FUtÊ pj 986 iv vw-01
1DF2

Аннотация: B33A IR29 ENFPM ENFP
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
HARTING 8-контактный разъем

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF D-32339 8-контактный разъем harting
2005-w1 co

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
к234

Аннотация: kj e9
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF I56tg + k234 kj e9
k200a02

Аннотация: припой СН63А СН63А
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 21-S-004 035мм.k200a02 Припой SN63A SN63A
2003 — 56800E

Аннотация: DSP56800E DSP56800ESDK DSP56858
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DSP56800ESDKPB / D DSP56800ESDK DSP56800E, DSP56800E 56800E DSP56800ESDK DSP56858
CC14M

Аннотация: C10M4I 10×38 gg C10G6 предохранитель 32A 10×38 690V C10G10 CD1038G25 w1 co C08M10 690V80kA
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 22X58 14X51 10X38 10×31 мм CHD10311D CHD10311D CHD1038D 10×38 мм CHD1038D 100Y400 CC14M C10M4I 10×38 гг Предохранитель C10G6 предохранитель 32А 10х38 690В C10G10 CD1038G25 w1 co C08M10 690В80кА
2011-FR10GR69V

Аннотация: Протистор FR10GR69V2 FR10GR69V32 FR10GR69V1 FR10GR69V4 G1014582 FR10GR69V30 FR10GR69V3 FR10GR69V20
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 10×38 690 В переменного тока 10 диапазон 100Y0 FR10GR69V FR10GR69V2 FR10GR69V32 FR10GR69V1 FR10GR69V4 G1014582 FR10GR69V30 FR10GR69V3 FR10GR69V20 протистор
2011 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF HM2P40SZE121 —-) HM2P40SZXXXXN9-примечание-3 I10-0110 BSC203204005 HM2P40SZ ———
1986 — ВИБ-6001

Реферат: VI-261-33 VI-264-46 VI-260-64 VI-2N0-08 VI-B01-04 VI-26L-04
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF E100527 94ME82889 VI-200 MEL \ 114307 VIB-6001 VI-261-33 VI-264-46 VI-260-64 VI-2N0-08 VI-B01-04 VI-26L-04
2009 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF D-32339
1604Г-6Ф22-9В

Реферат: CR17345 varta 2cr5 VARTA-4LR44 2CR5 varta 6F22 9V АККУМУЛЯТОР VARTA CR2 VARTA CR1 / 2AA АККУМУЛЯТОР AAA, 1.5V R03 EVEREADY varta 9v литиевый
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MR-03AA Cr17345 Duracell-DL123A ВАРТА-123А VARTA-4LR44 100лет-1 1604Г-6Ф22-9В CR17345 varta 2cr5 VARTA-4LR44 2CR5 varta 6F22 9В АККУМУЛЯТОР VARTA CR2 VARTA CR1 / 2AA АККУМУЛЯТОР AAA, 1,5 В R03 ВСЕГДА varta 9v литиевый
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF SD-85801-
2SK2056

Резюме: 2sk1603 datasheet 2SK1603 TOSHIBA «ULTRA HIGH SPEED» DIODE 1A транзистор 2SK1603 1045y 2SK2915 EQUIVALENT 2SK3569 эквивалент 2SK3561 эквивалент 2SK1078
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BCE0017B 2SK2056 2sk1603 лист данных 2SK1603 TOSHIBA «УЛЬТРА-ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ» ДИОД 1А транзистор 2СК1603 1045лет 2СК2915 ЭКВИВАЛЕНТ Эквивалент 2SK3569 2SK3561 эквивалент 2SK1078
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF Чип / MIL-C-55681 CDR01 CDR02 CDR03 CDR04 CDR05 C0805 C1805 C1808 C1812
2012 — СОТ04 45

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DS705-00012-1v0-E SOT04 45
2SK3561 эквивалент

Аннотация: 2SK1603 un 1044 2SK2056 2SK2030 2SJ238 2sk1603 лист данных 2SK2039 2SK1487 2SK1078
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BCE0017A 2SK3561 эквивалент 2SK1603 ООН 1044 2SK2056 2SK2030 2SJ238 2sk1603 лист данных 2SK2039 2SK1487 2SK1078
2003-AGC DTX VAD

Аннотация: 56800E DSP56800E DSP56800ESDK DSP56858
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DSP56800ESDKPB / D DSP56800ESDK DSP56800E, DSP56800E 56800E AGC DTX VAD DSP56800ESDK DSP56858
2013 — MB91F523B

Аннотация: MB91520 MB91F523 MB91F522 MB91F526B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MB91520 32-битный FR81S MB91F522B / D / F / J / K / L MB91F523B / D / F / J / K / L, MB91F524B / D / F / J / K / L MB91F525B / D / F / J / K / L MB91F526B / D / F / J / K / L * MB91F526L DS705-00011 MB91F523B MB91F523 MB91F522 MB91F526B
2008-МЛ8511

Аннотация: FJUL610Q421-02 T2d6 ML610Q422 ML610Q421 ML610Q422-NNNWA LED 8 x 8 Matrix RC-128 036hc
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF FJUL610Q421-02 ML610Q421 / ML610Q422 nX-U8 / 100 ML8511 FJUL610Q421-02 T2d6 ML610Q422 ML610Q421 ML610Q422-NNNWA Светодиодная матрица 8 x 8 RC-128 036hc

13005 транзисторный эквивалент

[gravityform id = 1 title = false description = false tabindex = 0]

[gravityform id = 1 title = false description = false tabindex = 0]

Распиновка транзистора

13003.MJE13003 Транзистор биполярный

Если вы ищете высоковольтный транзистор для вашей конструкции с высокой скоростью переключения, то это может быть хорошим выбором.

Google it автоматизация с профессиональным сертификатом python стоимость

Он построен с использованием специальной технологии, которая делает этот транзистор стабильным и надежным для работы при высоких напряжениях с очень высокой скоростью переключения. Устройство способно работать с напряжением коллектор-эмиттер, равным В постоянного тока, и напряжением коллектор-эмиттер, равным В постоянного тока, что делает его идеальным для использования в широком спектре приложений высокого напряжения переменного и постоянного тока.Хотя это устройство предназначено для высокого напряжения и коммутации, оно также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения.

Кроме того, он также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения, а также может использоваться в проектах с батарейным питанием, низковольтных хобби и образовательных электронных проектах. Длительный срок службы и стабильная работа компонента в схеме также являются важным фактором, о котором следует думать, когда вы проектируете схему или используете ее в уже разработанной схеме, которую вы собираете.Максимальная нагрузка не должна быть больше 1. 10 июля, 18 ноября, 2 декабря Ваш электронный адрес не будет опубликован.

Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий. Оставить комментарий Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован.

Поиск компонента. Мы используем файлы cookie, чтобы обеспечить максимальное удобство использования нашего веб-сайта. Если вы продолжите использовать этот сайт, мы будем считать, что он вам нравится. Хорошо Политика конфиденциальности. Примечание: полные технические подробности можно найти в таблице данных в конце этой страницы.

BC — это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми с обратным смещением, когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты с прямым смещением, когда на базовый вывод подается сигнал. BC имеет значение усиления, равное этому значению, определяющее усилительную способность транзистора.

Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток I B должен быть ограничен до 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум мА через коллектор и эмиттер. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки, и напряжение на базе эмиттера может быть около мВ. Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки, как описано выше.

Как уже говорилось, транзистор будет действовать как разомкнутый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод.Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Величину этого резистора R B можно рассчитать по формулам, приведенным ниже.

Значение I B не должно превышать мА. Транзисторы действуют как усилители при работе в активной области. Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях. Из вышеперечисленных типов наиболее распространенной и наиболее часто используемой конфигурацией является тип эмиттера.При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления по постоянному току транзистора может быть рассчитан с использованием следующих формул.

Отдел исправлений штата Аризона, точильный камень

Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующая картинка из таблицы данных будет полезна, чтобы узнать тип и размеры ее корпуса. Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники. Модули усилителя, такие как аудиоусилители, усилители сигнала и т. Д. Техническое описание компонентов.Паспорт транзистора BC. Получите нашу еженедельную рассылку!

Kaveri online karnataka gov

Корпуса Armor IPX имеют прочную тандемную конструкцию со сквозными отверстиями, которая упрощает установку. Высокая эффективность 2.

2N2222 NPN транзистор

2. Соединители серии SMP. Разъемы серии SMP обычно используются в миниатюрных высокочастотных коаксиальных модулях. Разъемы EZ. Разъемы EZ имеют оплетку без обрезки, что устраняет трудоемкий этап и сокращает FOD. Они имеют высокое напряжение коллектора-эмиттер V при постоянном токе коллектора 4А.

Помимо этого, транзистор также используется в простых схемах драйвера реле или соленоидов из-за его способности выдерживать пиковый ток до 8А. Из-за высокого напряжения переключения и тока переключения MJE имеет высокое базовое напряжение 9 В и требует около 2 А для полного замыкания переключения при работе с очень высоким напряжением.

Это приводит к необходимости иметь схему транзисторного драйвера для MJE. Поскольку IC доступна в формате TO, ее относительно просто использовать.Транзистор имеет мощность рассеивания коллектора 75 Вт, поэтому радиатор будет обязательным при работе при высоких напряжениях.

Подпишитесь, чтобы получать последние новости о компонентах электроники и новости отрасли. Спецификация компонентов. Лист данных MJE. Теги Силовой транзистор.

Получите наш еженедельный информационный бюллетень! Корпуса Armor IPX имеют прочную тандемную конструкцию со сквозными отверстиями, которая упрощает установку.

Высокая производительность 2. Разъемы серии SMP. Разъемы серии SMP обычно используются в миниатюрных высокочастотных коаксиальных модулях.Разъемы EZ.

Разъемы

EZ имеют оплетку без обрезки, исключающую трудоемкий этап и уменьшающую FOD. Они изготовлены из кремниевого материала и специально разработаны для применения в усилителях низкого напряжения, низкого и среднего тока и малой мощности. Это означает, что у него высокий коллектор, поэтому он в основном используется в тех цепях, где требуется низкий или средний ток.

Он работает на высоких значениях переходной частоты МГц со временем задержки 10 нс, временем нарастания 25 мс, временем хранения мс и временем спада 60 мс.Он удобен в использовании и легко доступен на онлайн-рынке в пакете TO. Эти выводы используются в схеме для включения или выключения транзистора. Схема его конфигурации выводов показана здесь в соответствии с таблицей данных :. Точно так же в приложении усиления он может быть подключен в трех конфигурациях, таких как общий эмиттер, общий коллектор и общая база.

С помощью этих режимов конфигурации можно легко увеличить ток, напряжение и мощность. В этом разделе мы обсудим некоторые примеры использования этого транзистора NPN.Сначала мы рассмотрим пример простого примера управления светодиодом с помощью переключателя. После этого мы увидим пример управления двигателем постоянного тока с помощью Arduino Uno.

В этой примерной схеме мы присоединяем кнопку к клемме базы.

1996 Обход противоугонной системы Chevy Cavalier

В этом примере транзистор 2N NPN используется в режиме конфигурации с общим эмиттером. Эта схема управляет двигателем постоянного тока через транзистор, который используется в качестве переключателя. Мы можем использовать Arduino Uno или любой микроконтроллер для управления этой схемой.Работа этой схемы точно такая же, как вы видели в предыдущем разделе, за исключением того, что используется двигатель постоянного тока. Двухмерная диаграмма помогает при разработке схемы печатной платы и при сборке электронных компонентов.

Вы можете загрузить таблицу размеров других пакетов. Сообщите мне о последующих комментариях по электронной почте. Уведомлять меня о новых сообщениях по электронной почте. Оглавление. Коллекторный вывод — это выходной вывод, который используется для подачи тока транзистора на выходную нагрузку. Популярные транзисторы.MJE и транзисторы. Обозначение типа:, MJE Например: Следовательно, перед установкой необходимо проверить контакты каждого с помощью мультиметра или тестера. Если транзистор неисправен таким образом, что мультиметр или тестер не может определить расположение его выводов, необходимо обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется.

Эмиттер чаще всего подключается напрямую или через резистор с малым сопротивлением к отрицательному выводу входного сглаживающего конденсатора.Коллектор всегда посередине. Таким образом, третий штифт является основанием. Некоторые содержат встроенные диоды, подключенные между эмиттером и коллектором. Их цель — защитить транзистор от импульсов обратного напряжения, возникающих при работе с индуктивной нагрузкой — обычно обмоткой трансформатора.

J13003 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Основные параметры MJE TO — 2 Вт. TO и TO — 1,56 Вт. TO — 1,4 Вт. TO — 50 Вт. TO и TO — 25 Вт. .Максимальный длительный постоянный ток коллектора I c max: 1,5 A.Частота перехода f t: 10 МГц мин. Передаточный коэффициент прямого тока h FE: Хорошее дополнение к нашему туристическому пакету.

Discord не сворачивается на панель задач

Континентальные завтраки были свежими, и мы смогли попробовать многие традиционные исландские блюда, такие как скайр, баранина и лакс. Мы получили огромное удовольствие от ужина. Мы чувствовали себя как дома и надеемся скоро вернуться. Наша четырехдневная поездка была непрекращающимся приключением. Nordic Visitor, которого я очень рекомендую, составил для нас индивидуальный маршрут на основе наших запросов.Наш консультант, Гудрун, была чрезвычайно полезна, особенно когда мы запросили изменение маршрута всего за 24 часа, с чем она справилась очень эффективно и профессионально.

Маршрут включал в себя тур по Северному сиянию, наблюдение за китами и посещение Голубой лагуны, но самым ярким моментом был тур на целый день по Золотому кругу. Мы с мужем сделали это несколько лет назад и хотели, чтобы наши трое мальчиков (сейчас 8, 10 и 11) испытали это, поскольку это отличное знакомство с этой удивительной страной.

Мальчики были поражены (больше, чем мы ожидали, если честно) потрясающими пейзажами, в восторге от езды по бездорожью и впечатляюще взрывного гейзера, и были полностью счастливы выпустить пар в снежной битве на реальном ледник.

Мы вернулись домой с фантастическими воспоминаниями и не можем порекомендовать эту красивую страну в достаточной степени, хотя мы лишь поверхностно затронули все, что она может предложить. Даже лучше, чем нам нужно в кратком туре.

Все транспортные связи были отличными, агенты и кондукторы без проблем принимали счета.

Нам удалось сэкономить много сил на выяснении того, как добраться из Бергена до Флама, специального крутого поезда из Флана, а затем поезда до Осло. Завтрак в каждом отеле был прекрасным. Я назвал это «не-туром», потому что на самом деле не было гастрольной группы. Тем не менее, договоренность оставила нам некоторые приключения в планировании нашего времени и посещений в каждом городе, в то время как тур предоставил нам базовую структуру.

Это был первый раз, когда я планировал полный отпуск только по электронной почте. Запланировали полную поездку без телефонных звонков.Возможность разбивать платежи на несколько месяцев была действительно полезной, и сотрудники очень любезны и готовы предоставить всю необходимую вам небольшую информацию, поэтому я не был уверен, что из этого получится. Но ваша команда выбила его из парка. Ваше обслуживание и внимание к деталям были замечательными.

13003. Техническая спецификация. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Это был замечательный опыт, не могу сказать достаточно. Все оказалось намного лучше, чем я ожидал.Все аспекты поездки прошли очень гладко. Это был мой первый визит в Норвегию, и я полностью полагался на Nordic Visitor, который помог мне составить маршрут и забронировать транспорт и отели.

Я был очень доволен каждым аспектом поездки, и я был бы счастлив снова использовать Nordic Visitor. Я уже начал рекомендовать вас. Эта поездка была фантастической.

Google Play Фильмы отключают объемный звук

Не могу представить, чтобы стало лучше. Все было спланировано идеально (не так, чтобы у нас не было простоев), отели были потрясающими, страна была потрясающей, поездка была потрясающей.

Я не мог быть более счастливым. Я бы хотел, чтобы по шкале было 11. Кристин была потрясающей с самого начала. У меня был очень положительный опыт работы с вашей компанией. Кристоф был чрезвычайно дружелюбен к пользователю с точки зрения решения одноразовых аспектов моего путешествия (таких как неправильное время, связанное с пребыванием в Эдинбурге в то время, когда там проходил марафон). С Nordic Visitor это не было проблемой.

Я очень довольный клиент и только желаю, чтобы вы оказывали услуги в тех местах, где я с большей вероятностью приеду в будущем.Я просто не могу сказать достаточно о том, насколько замечательными были наши впечатления от Nordic Visitor.

У нас действительно был лучший отпуск в нашей жизни, и мы могли просто наслаждаться им благодаря тому, что вы все позаботились обо всем. Обслуживание клиентов Кристин было исключительным — с ней было приятно работать. Я не могу сказать достаточно хороших слов, так что спасибо. Спасибо за поездку, в которую я хотел отправиться с 10 лет (а мне сейчас 71 год). Это был идеальный способ увидеть вашу прекрасную страну.

Установка эквивалентного транзистора в цепи электроники

Я надеюсь однажды вернуться, чтобы увидеть то, что мы пропустили. Спасибо за прекрасный отпуск, благодаря Nordic Visitor наша поездка стала легко спланированной и прошла гладко. Вы ответили на все наши вопросы. Надеемся поехать с вами снова 🙂 Клара действительно отлично ответила на вопросы и помогла нам подготовиться к поездке.

Популярные транзисторы.

Мы закончили тем, что начали очень плохо, когда мы пропустили наш рейс в субботу и не смогли получить еще один до понедельника (полностью наша вина в том, что мы его пропустили).Излишне говорить, что из-за того, что каждый день выстраивалось разное пребывание и мероприятия, мы были очень расстроены тем, какое влияние это окажет. В субботу вечером мы вызвали скандинавскую скорую помощь и достигли Стеллы Бриндис. Она немедленно отреагировала на изменения, перебронировав проживание и мероприятия, и действительно заставила нас почувствовать себя намного лучше, избавляясь от нашей ошибки.


Транзистор 13003 замена. Низкая цена коммутируемого транзистора 13003

Люди, занимающиеся универсальной заменой, всегда поощряли использование своих устройств в новых конструкциях, но относительно высокая стоимость этих устройств ограничивала практику.

Каждая компания традиционно публиковала свои собственные толстые печатные руководства по замене или перекрестные ссылки, а в последнее время компьютерное программное обеспечение, руководства по замене и программное обеспечение также перекрестно ссылаются на номера деталей друг друга. Подружитесь с продавцом в местном отделении запчастей, чтобы получить бесплатную печатную книгу, иначе за них возьмут несколько долларов.

Наличие нескольких перекрестных ссылок дает преимущество, поскольку мы фактически обнаружили несколько ошибок за годы, проверив более одной книги.Компания ECG начала свою деятельность в компании Sylvania, а совсем недавно была приобретена Philips. Компания ECG предлагала вакуумные лампы как часть своей линейки, пока этот рынок не иссяк. NTE — это частная внутренняя корпорация, основанная в Even Radio Shack, которая балуется рынком заменяемых полупроводников, но их справочник по перекрестным ссылкам невелик по сравнению с RadioShack основных игроков.

Они даже не создали веб-сайт и не выпустили недавно перекрестный справочник.

MJE13003 Биполярный транзистор

AnaLog Services, Inc.Это упрощает поиск транзисторов, когда они необходимы, и может предложить замену при необходимости. Следуйте этим общим правилам замены, чтобы избежать проблем: используйте устройство с равным или большим напряжением пробоя, используйте устройство с равным или большим рабочим током, используйте устройство с равной или большей рассеиваемой мощностью, используйте устройство с равным или большим усилением. произведение на пропускную способность, Используйте устройство с равным или меньшим временем переключения, Используйте устройство с равным или меньшим током запуска, Используйте устройство с равным или меньшим обратным током.

Удачной замены! Dalbani — национальный и международный дистрибьютор высококачественных электронных компонентов и запчастей. Мы обслуживаем оптовую, розничную и обрабатывающую промышленность. Мы считаем, что поиск необходимых деталей не должен быть большой задачей. У нас есть огромный склад как самых популярных запчастей, так и тех, которые сложно найти. Нам нравится быть уверенным, что наши клиенты полностью удовлетворены своей продукцией и нашим обслуживанием.

Мы предлагаем возврат или обмен в случае обнаружения дефекта в течение периода возврата.Пожалуйста, немедленно свяжитесь с нами, если у вас возникнут какие-либо проблемы. Мы приложим все усилия, чтобы исправить любые проблемы. Пожалуйста, не оставляйте нейтральный или отрицательный отзыв, не связавшись с нами. Позвольте нам решить проблему за вас.

Пожалуйста, не делайте ставки, если вы полностью не понимаете и не принимаете наши правила. Если у вас есть какие-либо вопросы по поводу товара, вы можете связаться с нами через сообщения ebay или по телефону. Мы постараемся ответить вам как можно скорее. Товар обычно доставляется с нашего склада в течение рабочего дня.Мы сами упаковываем товары, чтобы защитить их от повреждений при транспортировке.

Если ваш груз утерян или поврежден, обратитесь к перевозчику, чтобы подать претензию. Международные покупатели — обратите внимание! Любые импортные пошлины, налоги и сборы государственных органов не включены в стоимость товара. Эти сборы обычно взимаются при доставке транспортной компанией или когда вы забираете товар. Dalbani не добавляет никаких дополнительных сборов или сборов к стоимости доставки.

Эти сборы взимаются другими агентствами, такими как правительство или грузовые перевозчики. Также мы не маркируем товары ниже стоимости и не помечаем их как «подарки».

MJE13005 Биполярный транзистор

Если вы используете PayPal в качестве способа оплаты, ваш платежный адрес и адрес доставки должны совпадать. Все кредитные карты обрабатываются с помощью авторизации. Мы уполномоченный. Заказы обычно отправляются с нашего склада в течение одного рабочего дня. Перед заменой в цепи рекомендуется проверить конфигурацию контактов транзистора.

Транзистор C1815 Подробная информация о расположении выводов, эквиваленте, использовании, характеристиках и многом другом

C — широко используемый транзистор, он используется в коммерческих и образовательных проектах. Он предназначен для усиления звуковых частот и генераторов высоких частот. Напряжение коллектор-база транзистора составляет 50 В, поэтому его можно легко использовать в цепях с напряжением ниже 50 В постоянного тока. Коллекторный ток транзистора составляет мА, поэтому он может управлять любой нагрузкой ниже предела мА.

Toyota rav4 все сигнальные лампы на

Значения рассеиваемой мощности коллектора и усиления постоянного тока транзистора довольно хорошие, благодаря чему он идеально подходит для использования в целях усиления звука и электронного сигнала.Кроме того, его также можно использовать в качестве переключателя для управления нагрузкой ниже мА. Транзистор C может использоваться в каскадах усиления звука, небольшом аудиоусилителе, если он используется для управления небольшим громкоговорителем-усилителем, а также в каскадах предварительного усилителя.

Его также можно использовать в электронных схемах для управления нагрузками ниже мА, например, для управления реле, другими мощными транзисторами, маломощными светодиодами и другими частями электронной схемы и т. Д.

Его также можно использовать для создания пары Дарлингтона. 26 ноября, 18 ноября, 25 ноября Ваш электронный адрес не будет опубликован.Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий. Оставить комментарий Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован.

Поиск компонента. Тип транзистора может не быть под рукой, или он может быть недоступен. К счастью, обычно можно использовать транзистор заменяющего типа, поскольку часто существует значительная степень совпадения между спецификациями различных типов транзисторов, и, глядя на основные характеристики, обычно можно выбрать правильные замены транзисторов.Это объяснение сосредоточено на биполярных транзисторах, но можно применить аналогичную логику к другим электронным компонентам, включая полевые транзисторы, чтобы гарантировать, что можно найти подходящую замену.

При поиске подходящей замены транзистора необходимо ознакомиться с основными техническими характеристиками транзистора. После определения характеристик и параметров транзистора можно проверить наличие других типов транзисторов для замены с аналогичными параметрами, которые смогут работать в рассматриваемой схеме.

При рассмотрении возможных замен транзисторов необходимо учитывать множество параметров. Сюда войдут основные параметры работы транзистора. Они также будут включать параметры, связанные с окружающей средой, и физические параметры.

Все это необходимо учитывать при выборе подходящего транзистора на замену. К счастью, многие транзисторы, используемые в электронных схемах, относятся к типам общего назначения.

Математические вопросы для класса 7

Их спецификации не особо строгие, и можно использовать различные транзисторы общего назначения.Сегодня характеристики даже транзисторов общего назначения чрезвычайно высоки, и их можно использовать в самых разных приложениях. Однако следует более пристально рассмотреть транзисторы, которые выполняют более требовательную роль. Их спецификации необходимо изучить более внимательно, чтобы гарантировать, что любые заменители будут иметь аналогичную спецификацию. При поиске подходящей замены транзистора необходимо учитывать следующие основные параметры транзистора:

Другие типы обычно используются только в очень специализированных приложениях.Важно знать, какого типа транзистор, потому что существует разница в падении напряжения прямого смещения на базе эмиттера. Для германия это около 0. Схема будет рассчитана на определенное падение напряжения. Возможные типы приложений могут включать: коммутационные, аналоговые, маломощные, ВЧ-усилители, малошумящие и т. Д. Установите правильный тип, и он может работать некорректно. Например, маломощный транзистор общего назначения вряд ли будет хорошо работать в коммутационном приложении, даже если он имеет высокий предел или предел частоты.

Часто необходимо подобрать заменяющий корпус транзистора как можно точнее, чтобы транзистор мог физически соответствовать. Также в пакете могут быть указаны другие параметры. Необходимо проверить параметры транзистора, такие как Vceo и т. Д.

Эти параметры транзистора, хотя и немного отличаются, для всех эквивалентных схем такого рода одинаковы. Необходимо выбрать транзистор на замену с примерно таким же коэффициентом усиления по току. Обычно не проблема подобрать транзистор на замену с более высоким коэффициентом усиления.Часто может быть приемлемо меньшее усиление по току. Это основные параметры, которые важны для большинства приложений, но обратите внимание на любые другие параметры транзистора, которые могут потребоваться при выборе транзистора для замены.

Выбор транзистора на замену При выборе подходящего транзистора на замену для использования в электронной схеме необходимо учитывать несколько этапов при выборе. Они могут быть продвинуты в логическом порядке, чтобы сузить выбор и сделать лучшую альтернативу замене транзистора.Различия в корпусе для транзисторов с малым сигналом обычно не являются проблемой, но для более крупных, где могут быть задействованы радиаторы и т. Д., Разные пакеты могут вызвать серьезные проблемы.

Также, если соединения контактов различны, следует позаботиться о том, чтобы правильные выводы были выбраны правильными соединениями. Распиновка многих транзисторов — EBC, но есть и другие конфигурации выводов, которые могут легко запутать многих людей.

После выбора транзистора для замены его можно установить в схему и проверить работоспособность.

В большинстве случаев он будет работать нормально, но иногда могут возникать проблемы. Если это так, необходимо повторно изучить способ, которым был сделан выбор транзистора для замены, и посмотреть, были ли допущены какие-либо ошибки, или поискать другие параметры, которые могут повлиять на работу схемы транзистора.

Иногда очень легко узнать параметры конкретного транзистора, поскольку их можно найти в Интернете или в справочнике транзисторов.Войдите в систему. Войдите с помощью. Продолжая использовать AliExpress, вы соглашаетесь с использованием файлов cookie. Подробнее о нашей Политике конфиденциальности. Вы можете изменить настройки файлов cookie внизу этой страницы. Настройки файлов cookie.

Защита покупателей. Сэкономьте на нашем приложении! Корзина 0. Список желаний. Выход. Войти Войти с помощью. Все категории. Похожие запросы: кончик транзистора рч транзистор транзистор tv igbt транзистор el кончик транзистора sot23 транзистор mosfet силовой транзистор npn силовой транзистор биполярный транзистор 2n транзистор оригинальный транзистор mpsa42 транзистор транзистор tip41c транзистор e транзистор транзистор комплект транзистор полевой транзистор оригинальный транзистор.

Цена: — ОК. Транзистор 1. Магазин Магазин. Распиновка

Wemos d1 r1

Официальный магазин TZT. Компания Great IT electronic components co. Все товары находятся в магазине бесплатной доставки. Lingsheng co. Ожидание для хранилища модулей. Fives Store — премиум-членство для поставщиков более высокого уровня. Быстрая доставка.

Популярные транзисторы.

MOQ: 1 шт. MOQ: 10 штук. Уровень отклика на уровне релевантности. Типы поставщиков Торговое обеспечение. Поставщик Премиум-членство для поставщиков более высокого уровня. Расположение поставщика.Заказ: ОК. Готов к отправке. BusinessType Китайские поставщики транзисторных транзисторов.

Связаться с поставщиком. Низкая цена на переключающий транзистор для балласта. Различная мощность mosfet npn радиоусилителя эквивалентна транзистору smd. Оригинальный транзистор К горячему продаваемому транзистору Amazon Тем временем покажите наши реальные данные о транзакциях, чтобы отразить нашу искренность и силу компании. Область транзакций Через область транзакций.

Время транзакции Через проверку Время транзакции. Пожалуйста, убедитесь, что ваш адрес доставки и контактный номер телефона верны, когда вы предлагаете цену.Вы можете отслеживать состояние вашего продукта на веб-сайте после его отправки. Пожалуйста, свяжитесь с нами, прежде чем оставить нейтральный или отрицательный отзыв, мы постараемся сделать все, чтобы решить проблемы.

Транзистор 1.

Escape from phlan pdf

Если на складе недостаточно, свяжитесь с нами, чтобы узнать о самой ранней отгрузке. В случае подтверждения наличия дефектов в продукте, мы гарантируем замену. Электронные компоненты Транзистор 1.

Простой транзисторный усилитель S8050

Вы были единственными, кто мог получить деталь, которую я искал.Имя: Санни Ву. Посмотреть увеличенное изображение. Горячие продажи в. Связаться с поставщиком.

Подробнее о продукте. Профиль Компании. Быстрые детали. Место происхождения: Япония. Онлайн-настройка. Описание товара. Наши сервисы. Быстрый ответ в течение 24 часов онлайн. Если у вас есть вопросы, не стесняйтесь обращаться к нам. С нашей помощью вы получите то, что хотели. Безрисковая гарантия, 60 дней возврата. После отправки товары будут отслеживаться каждые два дня, пока вы не получите свои товары. Если вы не удовлетворены качеством наших продуктов, просто верните их для замены или возврата денег после повторной проверки.

Получите сопутствующие товары, которые могут вам понадобиться. Информация о компании. В: Предоставляете ли вы гарантию на товар? О: Да, мы даем гарантию на все товары от нас. О: Мы работаем в этой области много лет. О: У нас большой склад для товаров, поэтому мы можем предложить быструю доставку. Связаться с нами.


13003 Параметры распиновки транзистора шт. Основные параметры биполярного низкочастотного npn-транзистора MJE13003

На этой странице отображается существующая справочная информация о параметрах биполярного низкочастотного NPN-транзистора MJE13003 … Дана подробная информация о параметрах, схеме и распиновке, характеристиках, точках продаж и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Область применения: Средняя мощность, высокое напряжение, общего назначения
Загрузок: 61513
Символы описаны на странице теории.

Схема транзистора

MJE13003

Обозначение контакта:
International: C — коллектор, B — цоколь, E — эмиттер.
Русский: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Надстройки для транзистора MJE13003.

Знаете ли вы о транзисторе MJE13003 больше, чем написано в руководстве? Делитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы инструкции:

Надеемся, что справочник по транзисторам будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и студентам.Всем тем, кто так или иначе столкнулся с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого Интернет-справочника можно найти на странице «О сайте».
Если вы заметили ошибку, огромная просьба.
Благодарим за терпение и сотрудничество.

На этой странице отображается существующая справочная информация о Параметры биполярного низкочастотного NPN транзистора MJE13003 … Подробная информация о параметрах, схеме и распиновке, характеристиках, точках продаж и производителях.Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Оригинальный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Область применения: Средняя мощность, высокое напряжение, общего назначения
Загрузок: 61514
Символы описаны на странице теории.

Схема транзистора

MJE13003

Обозначение контакта:
International: C — коллектор, B — цоколь, E — эмиттер.
Русский: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Надстройки для транзистора MJE13003.

Знаете ли вы о транзисторе MJE13003 больше, чем написано в руководстве? Делитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы инструкции:

Надеемся, что справочник по транзисторам будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и студентам. Всем тем, кто так или иначе столкнулся с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов.Более подробную информацию обо всех возможностях этого Интернет-справочника можно найти на странице «О сайте».
Если вы заметили ошибку, огромная просьба.
Благодарим за терпение и сотрудничество.

Т транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство 13001 транзистора локализовано в Юго-Восточной Азии и Индии. Применяются в маломощных импульсных источниках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и др.

Внимание! При близких (почти идеологических) общих параметрах для разных производителей транзисторов 13001 могут отличаться распиновкой .

Выпускается из пластика ТО-92 с косичками и ТО-126 с жесткими выводами. Тип устройства указан на корпусе.
На рисунке ниже показана распиновка MJE13001 и 13001 от разных производителей в разных корпусах.

Наиболее важные параметры.

Текущий коэффициент передачи 13001 может иметь от 10 до 70 , в зависимости от буквы.
Для MJE13001A — от 10 до 15 .
Для MJE13001B — от 15 до 20 .
Для MJE13001C — от 20 до 25 .
Для MJE13001D — от 25 до 30 .
Для MJE13001E — от 30 до 35 .
Для MJE13001F — от 35 до 40 .
Для MJE13001G — от 40 до 45 .
Для MJE13001H — от 45 до 50 .
Для MJE13001I — от 50 до 55 .
Для MJE13001J — от 55 до 60 .
Для MJE13001K — от 60 до 65 .
Для MJE13001L — от 65 до 70 .

Частота отсечки тока передачи 8 МГц.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 400 v.

Максимальный постоянный ток коллектора 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50 мА, токе базы 10 мА — 0,5 v.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50 мА, токе базы 10 мА — не выше 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе ТО-92 — 0,75 Вт в корпусе ТО-126 — 1,2 Вт без радиатора.

Использование любых материалов на этой странице разрешено при наличии ссылки на сайт.

.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *