Транзистор 3904: 2N3904 , , datasheet, , ,

Содержание

характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

2N3904 — кремниевый NPN планарно-эпитаксиальный транзистор общего назначения или для переключающих схем. Конструктивное исполнение ТО-92.

Корпус и цоколевка

Характерные особенности

  • Низкие токи утечки: ICEX = 50 нА, IBL = 50 нА при UCE = 30 В, UEB = 3 В.
  • Высокая линейность коэффициента усиления по току.
  • Низкие напряжения насыщения: UCE(sat) = 0,3 В при IC = 50 мА, IB = 5 мА.
  • Низкое значение выходной емкости: Cob = 4 pF при UCB = 5 В.
  • Комплементарная пара — транзистор 2N3906.

Предельные эксплуатационные характеристики

При температуре окружающей среды 25°C.

ХарактеристикаОбознач.Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO60
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO6
Ток коллектора, АIC0,2
Рассеиваемая мощность, ВтПри температуре окружающей среды Ta = 25°CPC0,625
При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C1,5
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Типовые термические характеристики

ХарактеристикаОбознач.Величина
Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA200
Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтRƟJC83,3

Электрические характеристики

Значения в таблице действительныпри температуре внешней среды Ta = 25°C.

ХарактеристикаОбознач.Параметры при измеренияхЗначения
Характеристики включенного / выключенного состояния ٭
Ток коллектора выключения, нАICEXVCE = 30 В, VEB = 3 В≤ 50
Ток базы выключения, нАIBLVCE = 30 В, VEB = 3 В≤ 50
Напряжение пробоя коллектор – база, ВV(BR)CBOIC = 10мкА, IE = 0≥ 60
Напряжение пробоя коллектор – эмиттер, ВV(BR)CEOIC = 1,0мА, IB = 0≥ 40
Напряжение пробоя эмиттер – база, ВV(BR)EBOIE = 10мкА, IC = 0≥ 6
Статический коэффициент усиления по токуhFE(1)VCE = 1 В, IC = 0,1 мА≥ 40
hFE(2)VCE = 1 В, IC = 1 мА≥ 70
hFE(3)VCE = 1 В, IC = 10 мА100…300
hFE(4)VCE = 1 В, IC = 50 мА≥ 60
hFE(5)VCE = 1 В, IC = 100 мА≥ 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, ВVCE(sat)1IC = 10 мА, IB = 1 мА≤ 0,2
VCE(sat)2IC = 50 мА, IB = 5 мА≤ 0,3
Напряжение насыщения база-эмиттер, ВVBE(sat)1IC = 10 мА, IB = 1 мА≤ 0,85
VBE(sat)2IC = 50 мА, IB = 5 мА≤ 0,95
Характеристики в режиме малого сигнала
Частота среза, МГцfT VCE = 20 В, IC = 10 мА, f =100 МГц≥ 300
Выходная емкость коллектора, pFCobVCB = 5 В, IE = 0, f = 1 МГц≤ 4,0
Входная емкость, pFCibVBE = 0,5 В, IС = 0, f = 1 МГц≤ 8,0
Входной импеданс, кОмhieVCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 1 кГцОт 1,0 до10
Коэффициент обратной связи по напряжению, × 10-4hreОт 0,5 до 8
Коэффициент усиления при малом сигналеhfeОт 100 до 400
Выходная проводимость, мкСмhoeОт 1 до 40
Коэффициент шума транзистора, dBNFVCE = 5В, ICE = 0,1мА, RS = 1кОм, f = 1,0 кГц≤ 5,0
Характеристики режима переключений
Времена режима переключенияВремя задержки, нсtdUCC = 3,0 В, UBE = 0,5 В, IC = 10 мА, IB1 = 1,0 мА ≤ 35
Время нарастания, нсtr≤ 35
Время рассасывания, нсtstg (ts)UCC = 3,0 В, IC = 10 мА, IB1 = IB2 = 1,0 мА ≤ 200
Время спада, нсtf≤ 50

٭Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 2 %.

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (fT, Сobo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

Заметная разница возникает лишь в случаях, когда производитель применяет другие конструкции корпусов, отличные от ТО-92. Изменение теплового сопротивления на участках контакта п/п структуры с корпусом и корпуса с внешней средой приводит к заметным изменениям предельной допустимой мощности рассеивания при сохранении допустимой температуры нагрева. Данные, полученные по материалам сайта alltransistors.com приведены в таблице модификаций транзисторов 2N3904.

МодельТип корпусаPCДругие параметрыПроизводитель
2N3904TO-920,625Tj = от -55°C до +150°CMotorola
2N3904 SSOT-230,35Tj = от -55°C до +150°CKEC (Korea Electronics)
2N3904 EESM0,1
2N3904 UUSM
2N3904 VVSM
2N3904 SSOT-230,225FS (First Silicon)
2N3904 USOT-3230,15
2N3904 NTO-92N0,4AUK Semiconductor
MMBT 3904SOT-230,35Fairchild Semiconductor
PZT 3904SOT-2231
2N3904 – T18TO-180,31Tj = от -63°C до +200°CSEME LAB

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, общего назначения и для переключающих схем.

Российское производство.

МодельPCfTUCBOUEBOIChFEКорпус
2N39040,6253006060,2От 30 до 300ТО-92
КТ375 А/Б0,2≥ 25060/3050,1100/280То-92
КТ3117 А/Б0,5≥ 20060/7540,4300То-92 и КТ1-7
КТ6137 А0,6253006060,2300ТО-92
КТ3102 А/Б0,25≥ 1505050,1200/500
КТ660 А/Б0,5≥ 20050/3050,8450

Зарубежное производство.

Все представленные транзисторы выполненны в корпусе ТО-92.

МодельPCfTUCBOUEBOICTjhFE
2N39040,6253006060,2150300
2SC24740,6٭6060,2150150
2SC24750,66060,6200
2SC24770,66060,6150
2SC61360,560080,7100
2SD13880,72006061250
2SD14900,758070614000
2SD16420,71006240
2SD16980,7510080,810000
2SD17010,75170080,810000
2SD18530,78061,52000
3DG39040,6253006060,2100
BTN3904A30,6253006060,2100
C2660,8256010217545
ECG123AP0,53007560,8200
ECG23410,83008011502000
h3N39040,6253006060,2100
HEPS00150,31300600,6135200
HEPS00250,35300600,6150100
HSE4240,314006080
KN39030,6253006060,250
KN39040,6253006060,2100
KN44010,352506060,6100
KSC10720,86080,740
KSP80970,6256060,2250
KTC32450,62540060,350
NTE460,625100120,510000
P2N2222A0,6253007560,6100

٭ — пустые ячейки таблицы – информация отсутствует.

Примечание: параметры аналогов взяты из даташип производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Нормализованная зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от коллекторной нагрузки IC при различных значениях температуры коллекторного p-n перехода Tj.

Рис. 2. Области насыщения транзистора. Зависимость изменения напряжения коллектор-эмиттер UCE от управляющего тока базы IB [мА] при различных коллекторных нагрузках IC.

Рис. 3. Изменение напряжений насыщения база-эмиттер UBE(sat)и коллектор-эмиттер UCE(sat) в зависимости от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 4. Зависимость коэффициентов температурных изменений напряжений насыщения UBE(sat) и UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 5. h-параметр «Коэффициент усиления по току» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 6. h-параметр «Входной импеданс» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 7. h-параметр «Обратная связь по напряжению коллектора» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 8. h-параметр «Выходная проводимость» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 9. Зависимость входной емкости Cibo и выходной емкости Cobo от величин обратного смещения p-n переходов транзистора UR.

Рис. 10. Зависимости коэффициента шума NF транзистора от частоты работы f при различных значениях коллекторного тока IC. Кривые сняты для значений сопротивления источника сигнала (source resistance) 200 Ом, 500 Ом и 1,0 кОм.

Рис. 11. Зависимость коэффициента шума NF транзистора от сопротивления источника сигнала RS при различных значениях коллекторной нагрузки IC.

Рис. 12. Зависимости времени задержки td и времени нарастания tr от коллекторной нагрузки IC при различных напряжениях питания UCC и соотношении токов коллектора и базы как 10:1.

 

Рис. 13. Зависимость времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC при разных температурах:

сплошная линия – Tj = 25°C;

прерывистая линия — Tj = 125°C.

Рис. 14. Зависимость времени рассасывания ts неосновных носителей зарядов в p-n структуре от величины коллекторного тока IC.   

Сплошные линии — Tj = 25°C.

Прерывистые линии — Tj = 125°C.

Рис. 15. Зависимости времени спада tf импульса от коллекторной нагрузки IC при разных отношениях тока коллектора IC к току управления (базы) IB.

Сплошные линии — Tj = 25°C.

Прерывистые линии — Tj = 125°C.

Диаграммы

Рис. 16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности (duty cycle) = 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (ts) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности (duty cycle) = 2%.

CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

Что такое транзистор 2N3904?

Транзистор 2N3904 — это биполярный отрицательно-положительно-отрицательный (NPN) транзистор, что означает, что он обычно применим к отрицательной схеме заземления. Он может использоваться как для аудиосигналов, так и для среднескоростных переключений. Этот небольшой транзистор является аналогом транзистора 2N3906, который является положительно-отрицательно-положительным (PNP) транзистором. Путем инжекции небольшого базового тока в транзистор 2N3904 можно получить больший ток коллектора.

Этот транзистор имеет три клеммы, называемые эмиттером, базой и коллектором. Эмиттер и коллектор являются основными клеммами транзистора 2N3904. В зависимости от конфигурации цепи нагрузка или эквивалент нагрузки могут быть подключены либо к эмиттеру, либо к коллектору.

Один из различных параметров транзистора 2N3904 известен как бета, или коэффициент усиления по току, который представляет собой отношение тока коллектора к току базы. При усилении тока 100 изменение базового тока на 0,001 А (А) приводит к изменению на коллекторе 0,1 А. Это говорит о том, как транзистор 2N3904 может стать усилителем. Небольшое изменение тока базы приводит к изменению тока коллектора в сто раз, что может привести к изменению напряжения или мощности. Создавая каскадные каскады, можно создавать усилители, переключатели и генераторы для различных применений.

Смещение относится к токам холостого хода на клеммах транзистора. Как правило, для транзистора 2N3904 требуется прямое смещение на базе для эмиттера, что означает, что на базе имеется положительный потенциал относительно эмиттера. Следует отметить, что основа представляет собой материал положительного (P) типа, а излучатель — материал отрицательного (N) типа. Количество прямого смещения должно контролироваться в зависимости от конкретного применения. Слишком большое прямое смещение обычно вызывает чрезмерный ток коллектора, что обычно приводит к насыщению.

Когда имеется обратное смещение на переходе база-эмиттер, ток коллектора обычно близок к нулю. Это приводит к отключению, или состоянию, которое происходит, когда ток коллектора почти равен нулю. В коммутационных и радиочастотных применениях операции вблизи отсечки используются для отключения тока нагрузки на коллекторе. Для радиочастотных применений работа вблизи отсечки позволяет «пульсировать» специальную цепь, известную как цепь резервуара, которая резонирует подобно тому, как качается маятник, когда ему дают толчок.

ДРУГИЕ ЯЗЫКИ

2N3904 транзистор (3904 NPN 0040V 0200mA TO-92 2N3904 Fairchild)

  1. Продукция
  2. Транзистори
  3. …2N…

Производитель: Fairchild

Код товара: Т0000009473

Маркировка: 2N3904

Количество приборов:

Параметры
Наименование Значение Единица измерения Режим изменения
Проводимость NPN
Функциональное назначение выводов 1=C 2=B 3=E
Напряжение коллектор-эмиттер 40 V
Напряжение коллектор-база 60 V
Напряжение эмиттер-база 6 V
Ток коллектора max 200 mA
Мощность 625 mW
Обратный ток коллектора
50
nA
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ 100…300 @[email protected]=1V
Граничная частота 300 MHz @[email protected]=20V
Температура рабочая -55…+150 *C

MMBT3904 (транзистор биполярный NPN) ON от 0.45 грн

MMBT3904
Код товара: 160582
Производитель: Yangjie
ТранзисторыБиполярные NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h31: 300
Монтаж: SMD
152 шт — склад Киев
5+ 1 грн
10+ 
0.8 грн
100+ 0.65 грн
MMBT3904
Код товара: 176831
Производитель: JINGDAO
ТранзисторыБиполярные NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h31: 300
Монтаж: SMD
1395 шт — склад Киев
475 шт — РАДИОМАГ-Киев
466 шт — РАДИОМАГ-Одесса
130 шт — РАДИОМАГ-Днепр
5+ 1 грн
10+ 0.9 грн
100+ 0.7 грн
MMBT3904
Производитель: import
NPN 200mA 40V 330mW 300MHz PMBT3904,215 MMBT3904 MMBT3904 RF MMBT3904 RFG MMBT3904,215 MMBT3904-13-F Trans. MMBT3904 SOT23 TMMBT3904 c
количество в упаковке: 500 шт
под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: import
NPN 200mA 40V 330mW 300MHz PMBT3904,215 MMBT3904 MMBT3904 RF MMBT3904 RFG MMBT3904,215 MMBT3904-13-F Trans. MMBT3904 SOT23 TMMBT3904 c
количество в упаковке: 500 шт
под заказ 6000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: Diotec Semiconductor
Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; hFE = 100/300 @ 10; Р, Вт = 0,25 Вт; SOT-23-3
под заказ 98 шт
срок поставки 2-3&nbspдня (дней)
1482+ 0.39 грн
1600+ 0.36 грн
1667+ 0.35 грн
MMBT3904
Производитель: DIOTEC
NPN 40V 0.2A MMBT3904 RF , MMBT3904 RFG Trans. MMBT3904 SOT23 DIOTEC TMMBT3904 DIOTEC
количество в упаковке: 500 шт
под заказ 1700 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: DIOTEC
количество в упаковке: 3000 шт
под заказ 46390 шт
срок поставки 18-28&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: FAIRCHILD
NPN 40V 0.2A MMBT3904 RF Trans. MMBT3904 SOT23 FAIRCHILD TMMBT3904 FAI
количество в упаковке: 500 шт
под заказ 3000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: ON Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Transistor Type: NPN
Current — Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current — Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Power — Max: 350mW
Frequency — Transition: 270MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Base Part Number: MMBT
под заказ 45000 шт
срок поставки 7-22&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: MDD
Description: Transistor SOT-23 NPN 60V 0.1A
Supplier Device Package: SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency — Transition: 300MHz
Power — Max: 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current — Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: NextGen Components
под заказ 5646000 шт
срок поставки 7-22&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency — Transition: 300MHz
Power — Max: 350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current — Collector (Ic) (Max): 200mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bag
Manufacturer: NTE Electronics, Inc
под заказ 32141 шт
срок поставки 7-22&nbspдня (дней)
25+ 4.43 грн
50+ 4.18 грн
100+ 3.69 грн
MMBT3904
Производитель:
Транзистор
под заказ 95 шт
срок поставки 3-5&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Part Status: Obsolete
Packaging: Digi-Reel® (Дополнительная плата за катушку в размере $7)
Base Part Number: MMBT3904
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency — Transition: 300MHz
Power — Max: 350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current — Collector (Ic) (Max): 200mA
Transistor Type: NPN
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Base Part Number: MMBT3904
Power — Max: 350mW
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency — Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current — Collector (Ic) (Max): 200mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current — Collector (Ic) (Max): 200mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
Base Part Number: MMBT3904
Supplier Device Package: SOT-23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency — Transition: 300MHz
Power — Max: 350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: MMBT3904-YAN NPN SMD transistors
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: MMBT3904-DIO NPN SMD transistors
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Rectron
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-23
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: STMicroelectronics
Bipolar Transistors — BJT NPN General Purpose
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors — BJT SOT-23 NPN GEN PUR
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors — BJT 0.2A NPN transistor
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Rectron
Bipolar Transistors — BJT SOT23 NPN 0.2A 40V G enPur
под заказ 10186 шт
срок поставки 8-21&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors — BJT SOT-23 NPN GEN PUR
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Rectron
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-23
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Rectron
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-23
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Rectron
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-23
под заказ 1 шт
срок поставки 9-28&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: Good-Ark
NPN Small Signal Transistor
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: ONSEMI
Description: ONSEMI — MMBT3904 — Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: NPN
Product Range:
Power Dissipation Pd: 350
DC Current Gain hFE: 300
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 — Unlimited
Automotive Qualification Standard:
DC Collector Current: 200
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: 300
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: ONSEMI
Description: ONSEMI — MMBT3904 — Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: NPN
Product Range:
Power Dissipation Pd: 350
DC Current Gain hFE: 30
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 — Unlimited
Automotive Qualification Standard:
DC Collector Current: 200
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: 300
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: ONSEMI
Description: ONSEMI — MMBT3904 — Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: NPN
Product Range:
Power Dissipation Pd: 350
DC Current Gain hFE: 300
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 — Unlimited
Automotive Qualification Standard:
DC Collector Current: 200
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: 300
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
MMBT3904
Производитель: FAIRCHILD
05+ROHS
под заказ 1566 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: FAIRCHILD
0906+ROHS SOT-23
под заказ 15000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
MMBT3904
Производитель: FAIRCHILD
05+ SOT-23
под заказ 9000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора 2N3904

Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Cc  Hfe  Caps
2N3904  Si  NPN  0.31 60 40 6  0.2 135 300 4 40  TO92
2N3904A  Si  NPN  1.5 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
2N3904C  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
2N3904G  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 100  TO92
2N3904N  Si  NPN  0.4 60 40 6  0.2 150 300 3 100  TO92N
2SC2474  Si  NPN  0.6 60 6  0.2 150 150  TO92
2SC2475  Si  NPN  0.6 60 6  0.6 150 200  TO92
2SC2477  Si  NPN  0.6 60 6  0.6 150 150  TO92
2SC4145  Si  NPN  1.2 80 2 150 200  TO92
2SC6136  Si  NPN  0.5 600 285 8  0.7 150 100  TO92
2SD1015  Si  NPN  0.9 140 50 50 2 150 150  TO92
2SD1209  Si  NPN  0.9 60 1 150 4000  TO92
2SD1388  Si  NPN  0.7 60 1 150 250  TO92
2SD1490  Si  NPN  0.75 70 1 150 60  TO92
2SD1642  Si  NPN  0.7 100 2 150 40  TO92
2SD1698  Si  NPN  0.75 100  0.8 150 10000  TO92
2SD1701  Si  NPN  0.75 1700  0.8 150 10000  TO92
2SD1853  Si  NPN  0.7 80 60 6  1.5 150 2000  TO92
2SD1929  Si  NPN  1.2 60 2 150 5000  TO92
2SD1930  Si  NPN  1.2 100 2 150 5000  TO92
2SD1931  Si  NPN  1.2 60 2 150 10000  TO92
2SD1978  Si  NPN  0.9 120  1.5 150 10000  TO92
2SD1981  Si  NPN 1 100 80 6 2 150 24000  TO92
2SD2068  Si  NPN 1 60 1 150 18000  TO92
2SD2206A  Si  NPN  0.9 120 2 2000  TO92MOD
2SD2213  Si  NPN  0.9 150 80 8  1.5 150 1000  TO92MOD
2STL2580  Si  NPN  1.5 800 400 9 1 150 60  TO92MOD
3DG3904  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
3TE440  Si  NPN 10 80  1.5 150 350 40  TO92
3TE450  Si  NPN 5 80  0.5 150 350 40  TO92
BFX152  Si  NPN  0.83 100  0.3 175 500 75  TO92
BTN3904A3  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
C266  Si  NPN  0.825 60 10 2 175 45  TO92
CE1N2R  Si  NPN 1 60 60 15 2 150 1000  TO92
CE2F3P  Si  NPN 1 60 60 15 2 150 1000  TO92
ECG123AP  Si  NPN  0.5 75 40  0.8 175 300 200  TO92
ECG2341  Si  NPN  0.8 80 1 150 2000  TO92
h3N3904  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
HEPS0015  Si  NPN  0.31 60 40  0.6 135 300 200  TO92
HEPS0025  Si  NPN  0.35 60 40  0.6 150 300 100  TO92
HIT667  Si  NPN  0.9 120 100 6 1 150 140  TO92MOD
HSE424  Si  NPN  0.31 60 40 150 400 80  TO92
KN3903  Si  NPN  0.625 40  0.2 50  TO92
KN3904  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 300 4 100  TO92
KN4400  Si  NPN  0.625 40  0.6 50  TO92
KN4401  Si  NPN  0.625 40  0.6 100  TO92
KSC1072  Si  NPN  0.8 60 45 8  0.7 150 40  TO92
KSP8097  Si  NPN  0.625 60 40 6  0.2 150 4 250  TO92
KTC1006  Si  NPN 1 80  0.8 175 100  TO92
KTC1027  Si  NPN 1 120  0.8 175 80  TO92
KTC3227  Si  NPN 1 80  0.4 175 70  TO92
KTC3228  Si  NPN 1 160 1 175 60  TO92
KTC3245  Si  NPN  0.625 400 350 6  0.3 150 50  TO92
NTE2341  Si  NPN 1 100 80 7 1 2000  TO92
NTE46  Si  NPN  0.625 100 100 12  0.5 10000  TO92
NTE48  Si  NPN 1 60 50 12 1 25000  TO92
P2N2222A  Si  NPN  0.625 40  0.6 300 100  TO92
SK3854  Si  NPN  1.2 75 40 6  0.8 300 200  TO92
STX0560  Si  NPN  1.5 800 600 7 1 150 70  TO92
TSC873CT  Si  NPN 1 600 400 9  0.3 150 80  TO92

Биполярный транзистор 2N3904 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты

Наименование производителя: 2N3904

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
  • Корпус транзистора: TO92

Автор: Редакция сайта

Датчик для устройства наведения на солнце.


На предыдущей странице мы выяснили, что хорошей основой для устройства слежения за солнцем является драйвер от процессорного вентилятора. Достаточно заменить датчик Холла на датчик освещенности и система «готова к бою». Вопрос только в датчике.

Следующий сенсор, и все из чего он будет состоять, на фотографии ниже. Для увеличения тока светодиоды включены по 3 «в паралель». Одна сторона на землю, вторая на входы микросхемы. Переменный резистор — на будущее.

Диаметр платы подогнан под размер полупрозрачного колпака. В сборе это выглядит очень презентабельно.

Чуда не случилось. Этот датчик работает лучше, но так же паршиво. Он унаследовал все недостатки, хоть и в меньших масштабах. Теперь, он удовлетворительно работает с полдня до 2 часов дня, рыскает в пределах 5 градусов и редко зависает.

Окончательная схема

Не надо быть гением, что бы понять что нам не хватает уровня сигнала. Его надо просто усилить.
Логично предположить, что для усиления сигнала дифференциального датчика необходим дифференциальный усилитель. В простейшем варианте это два транзистора работающие на общий эмиттерный резистор. Увеличение тока через один транзистор приводит к уменьшению тока через другой и наоборот.
Необходимый коэффициент усиления определяется диапазоном уровней освещенности. Ниже 1000 Lux. ничего не работает, а больше 130000 Lux., в природе, не бывает. Отношение, приблизительно, 1:100. Таким образом, коэффициент усиления 100, это самое оно.

На схеме дифференциальный, инвертирующий усилитель. Выходы подключены ко входам LB1962M (вместо датчика Холла). Если после первого включения траккер поворачивается в противоположную сторону, то поменяйте из местами.


В итоге транзисторы 3904 были заменены на S9014, так как последние имеют больший коэффициент усиления (150-350). Вместо одного эмиттерного резистора R3 200 Ом, два по 470 Ом, параллельно. Светодиоды установлены через 60 градусов. Монтаж, фото.

Тут все сложилось. К 7 утра солнечая панель уже развернута в направлении солнца. В пасмурный день и в тени траккер отрабатывает направление наибольшей освещенности.

Осталась последняя проблема.

При питании от батарей система никогда не останавливается. Днем — рыскает вправо влево относительно положения максимальной освещенности, расходуя энергию батарей (аккумуляторов). Ночью — медленно поворачивается в одном направлении, что то же бесполезно.

Проблема ночи снимается, если запитать схему от солнечной батареи. Проблема бесполезной траты энергии — если дополнительная солнечная панель будет вырабатывать ровно столько энергии, сколько необходимо что бы повернуть основную солнечную панель с востока на запад и обратно.

Устройства, которые позволяют работать электродвигателю от миниатюрных солнечных батарей, хорошо известны под названием ”Solar Motor”. Чаше всего они подогнаны под определенные электродвигатели и солнечные батареи.

По ряду причин мне проще разработать свою схему, под элементную базу, которая у меня уже есть.
О том, что получилось — на следующей странице.

Число 3904 – Значение цифр в числе 3904 по ангельской нумерологии

Что зашифровано в числе 3904?


3904=3+9+4=16, 1+6=7

Послание закодированное в числе 3904 относится к сфере развития личности и творчества и говорит о том, что ваш личностный рост, выражающийся в умении чувствовать и понимать людей, набирает обороты. Не исключено, что в обозримом будущем это умение станет вашей второй специальностью (психология, духовное наставничество). Причем специальностью, не представляющей для вас материального интереса. Все, что вы будете делать, вы будете делать исключительно ради блага ближних. И единственным «доходом» станет их благодарность.

Ищете значение даты рождения?


Значения отдельных цифр

Число 3904 представляет собой спектр вибраций цифры 3, цифры 9, четверки (4)

Тройка в сообщении ангелов, скорее всего, является обычной констатацией факта: вы все делаете правильно, но «в полноги». Вам следует активней использовать свои дарования, чтобы получить более ощутимые результаты. Включите воображение, и вы сумеете увидеть возможности для самореализации, на которые прежде не обращали внимания. Возможно, настало время расширить свои горизонты.

Девятка, фигурирующая в знаках небес, должна подвигнуть вас к пониманию того, что идеализм не является равноценной заменой практичности. Не исключено, что в вашей жизни скоро произойдет событие, которое заставит вас пожалеть о времени, проведенном в ожидании «лучшего будущего». Постарайтесь хоть немного укрепить свои позиции, чтобы не чувствовать себя беспомощным перед лицом меняющихся обстоятельств.

Четверка в послании ангелов указывает на то, что вы неправильно понимаете выражение «заслужить свое счастье». Предрасположенность к труду – ценнейшее достоинство человека. Но работа – отнюдь не единственная составляющая жизни, так же, как размер зарплаты – не единственный критерий оценки человеческой личности. Ищите другие ориентиры.

Подробный анализ числа 3904

Вы добьетесь успеха там, где спасовали другие. И получите заслуженную награду. Но в каждой бочке меда есть ложка дегтя – вы наживете себе врагов, и причиной этой вражды станет банальная зависть. Если вам тяжело переносить негатив ее воздействия, постарайтесь дать понять завистникам, что вы не умнее других. Что вам просто повезло.

Сочетание четверки и девятки – уведомление на случай, если уровень вашего достатка неожиданно повысится. Это будет даром ангелов, и вам следует «вернуть» его дарителям: помочь нуждающимся знакомым, исполнить желания близких. Иначе может случиться, что этот знак расположения небес станет последним в вашей жизни.

А вы знаете, что нумерологический профиль человека состоит из более чем 50 цифр,
каждая из которых описывает определенный аспект его личности ?


Значения других чисел

Значения цифр от 0 до 9

Значения двузначных чисел от 10 до 99

Значения трехзначных чисел от 100 до 999

Значения четырехзначных чисел от 1000 до 9999

2N3904 VS 2N2222 Различия между NPN-транзисторами, технические характеристики и выводы

2N3904 и 2N2222 — два самых популярных биполярных переходных NPN-транзистора на рынке электроники. Кроме того, 2N3904 и 2N2222 похожи внешне.

Поэтому у некоторых могут возникнуть вопросы: почему 2N3904 так популярен, а 2N2222 не всегда используется? Если вам интересно, какой из них использовать или что лучше, что лучше? В этом блоге мы сравним характеристики микросхем и схемы контактов этих двух транзисторов.

Сравнение транзисторов не является подробным, потому что важны только несколько полезных параметров. Это сравнительная таблица транзисторов, которая объясняет значение всего в таблице.

Каталог


I Различия между 2N3904 и 2N2222

2N3904

2N2222

Тип БЮТ

НПН

НПН

Тип транзистора

Биполярный переходной транзистор (BJT)

Биполярный переходной транзистор (BJT)

Максимальное напряжение, которое может выдержать коллектор транзистора

(напряжение коллектор-эмиттер, VCEO)

200 мА

1A

Максимальный ток, который транзистор может выдержать от эмиттера до коллектора

(называется током коллектора, Ic)

40 В

40 В

И 2N3904, и 2N2222 идентичны с точки зрения обработки напряжений между коллектором и эмиттером, и оба могут работать с напряжениями до 40 В.Проще говоря, это фактически означает, что 40 В — это максимальное напряжение, с которым может работать транзистор, за вычетом падения напряжения на нагрузке, подключенной к коллектору. Например, предположим, что мы подаем 70 В на коллектор транзистора, и нагрузка будет потреблять 20 В, это означает, что оставшееся напряжение будет падать на транзистор, который составит 70 В — 20 В = 50 В. это было бы неприемлемо, потому что оно превышает максимальное значение VCEO. Поскольку 2N3904 и 2N2222 имеют одинаковое максимальное напряжение VCEO, разницы в этом отношении нет.

Они отличаются тем, что 2N2222 может выдерживать большие рабочие токи коллектора. Коллекторный ток — это усиленный ток, который течет от эмиттера к коллектору для питания нагрузки, которая может быть подключена к транзистору. 2N3904 может выдерживать ток до 200 мА (миллиампер), протекающий от эмиттера к клемме коллектора. 2N2222 может обрабатывать до 5 раз больше тока, так как он может выдерживать ток до 1 А (ампер), протекающий от эмиттера к коллектору для питания нагрузки.


II 2N3904 Основы транзистора NPN

2N3904 Транзистор NPN

2N3904 — это обычный NPN-транзистор с биполярным переходом, который используется для усиления или коммутации малой мощности общего назначения. Он разработан для работы с низким током и малой мощностью, средним напряжением и умеренными скоростями.


2.1 Технические характеристики микросхемы драйвера двигателя 2N2222

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы — биполярные (БЮТ) — одиночные

Mfr

ON Semiconductor

серии

Пакет

Лоток

Статус детали

Вышло из употребления

Тип транзистора

НПН

Vce Saturation (макс.) @ Ib, Ic

300 мВ при 5 мА, 50 мА

Ток — отключение коллектора (макс.)

50нА

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

100 при 10 мА, 1 В

Частота — переход

300 МГц

Рабочая температура

-55 ° C ~ 150 ° C (ТДж)

Тип крепления

Сквозное отверстие

Упаковка / ящик

ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА)

Ток — коллектор (Ic) (макс.)

200 мА

Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.)

40 В

Мощность — Макс.

625 мВт

Производитель

ON Semiconductor

Категория продукта

Биполярные транзисторы — BJT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Упаковка / ящик

ТО-92-3

Полярность транзистора

НПН

Конфигурация

Одноместный

Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Max

40 В

Коллектор — базовое напряжение VCBO

60 В

Эмиттер-база напряжения VEBO

6 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 В

Максимальный постоянный ток коллектора

0,2 ​​А

Pd — рассеиваемая мощность

625 МВт

Продукт усиления полосы пропускания fT

270 МГц

Минимальная рабочая температура

— 65 С

Максимальная рабочая температура

+ 150 К

Высота

5.33 мм

Длина

5,2 мм

Технологии

Si

Ширина

4,19 мм

Марка

ON Semiconductor

Постоянный ток коллектора

0.2 А

Коллектор постоянного тока / базовое усиление hfe мин.

60

Тип продукта

БЮТ — Биполярные транзисторы

Подкатегория

Транзисторы

BJTs — Транзисторы биполярные


2.2 2N3904 Назначение выводов транзистора NPN


Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Излучатель

Ток утечки через эмиттер

2

База

Управляет смещением транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор

** Прочтите эту подробную статью, чтобы узнать больше о транзисторе 2N3904: 2N3904: техническое описание, эквивалент, распиновка [видео]


III 2N2222 Основы транзисторов NPN

2N3904 Транзистор NPN

2N2222 — это обычный биполярный транзистор NPN (BJT), используемый для усиления или коммутации малой мощности общего назначения.Он разработан для работы с низким и средним током, малой мощностью и средним напряжением на умеренных скоростях. Изначально использовались металлические банки ТО-18, как показано на рисунке.

2N2222 считается очень распространенным транзистором и используется в качестве примера транзистора NPN. Его часто используют в качестве транзистора с малым сигналом, и он все еще остается маленьким транзистором общего назначения.


3.1 Технические характеристики микросхемы драйвера двигателя 2N2222

Макс.отключение токосъемника

10нА (ICBO)

Коэффициент усиления постоянного тока hFE Min Ic Vce

100 при 150 мА, 10 В

Макс.мощность

500 мВт

Частотный переход

300 МГц

Тип крепления

Сквозное отверстие

Чемодан в упаковке

TO-206AA, TO-18-3 Металлическая банка

Комплект поставки устройства

ТО-18

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Полярность транзистора

НПН

Конфигурация

Одноместный

Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Max

40 В

Напряжение базы коллектора VCBO

75 В

Базовое напряжение эмиттера VEBO

6 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный постоянный ток коллектора

0.8 А

Продукт усиления полосы пропускания fT

300 МГц

Максимальная рабочая температура

+ 150 К

Базовое усиление коллектора постоянного тока hfe Min

35

Минимальная рабочая температура

— 65 С

Рассеиваемая мощность Pd

0.4 Вт

Псевдонимы частей

BK


3.2 Распиновка транзистора 2N2222 NPN

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

База

Управляет смещением транзистора

2

Коллектор

Ток протекает через коллектор

3

Излучатель

Ток утечки через эмиттер

** Прочтите этот подробный блог, чтобы узнать больше о 2N2222: 2N2222 NPN-транзисторе: распиновка, техническое описание, схема [FAQ]

2N3904

2N3904 — это малосигнальный NPN-транзистор общего назначения.Это один из самых дешевых транзисторов общего назначения, доступных в настоящее время на рынке, и он хорошо сравнивается с линейкой NPN-транзисторов BC.

Этот транзистор также доступен в версиях для сквозных отверстий TO-92 Bulk и Ammopack. Версия SMD — MMBT3904 в корпусе SOT-23. Он также называется PZT3904 и доступен в SMD-корпусе SOT-223.

Имеет множество современных применений и применений. Он часто используется в предусилителях малых сигналов, генераторах и даже в радиосхемах.

Его можно использовать в качестве переключателя для управления небольшими нагрузками до 200 мА. Он может управлять светодиодами, цепями датчиков температуры NTC, двигателями малой мощности и миниатюрными реле.


эквивалентный транзистор

2N3904 имеет максимальный ток коллектора 200 мА и рассеиваемую мощность 625 мВт. Это хорошо сравнимо с транзисторами общего назначения BC547, BC548 и BC549, которые имеют пиковую мощность коллектора 200 мА и рассеиваемую мощность 500 мВт.

2N3904 по сравнению с BC547

Его электрические свойства намного лучше отличаются от BC547, где Vcbo = 50 В, Vces = 50 В, Vceo = 45 В, Vebo = 6 В.Это аналогично характеристикам 2N3904, где Vcbo = 60 В, Vceo = 40 В, Vebo = 6 В.

Однако BC550 является еще более подходящим вариантом с Vcbo = 50 В, Vceo = 45 В, Vebo = 5 В.

Для некритичных низковольтных систем часто можно произвести прямую замену в некоторых цепях; Если у вас есть хобби-проект, чтобы зажечь пару светодиодов или управлять небольшим реле, то это нормально.

Однако обратите внимание, что расположение выводов на двух транзисторах разное.Распиновка 2N3904 — это эмиттер, база, коллектор, а для диапазона BC — коллектор, база, эмиттер. Таким образом, замещающий транзистор BC должен быть направлен в противоположном направлении.

Распиновка транзистора

Конфигурация выводов этого транзистора очень проста. Как вы можете видеть на изображении выше, когда плоская сторона обращена к вам, выводы являются эмиттером, базой, коллектором. Это очень простая ориентация.

Символ

Вот символ транзистора NPN.

hFE Значение

Коэффициент усиления по постоянному току этого транзистора также находится в том же диапазоне, что и диапазон BC NPN-транзисторов общего назначения. Максимальное значение 300 может быть достигнуто при Ic = 10 мА и Vce = 1 В.

Базовое напряжение

Диапазон напряжения насыщения база-эмиттер составляет минимум 0,65 В и максимум 0,95 В. Предполагая, что базовый ток Ib равен 5 мА, ток коллектора Ic будет 50 мА.


Стоимость

2n3904 — один из самых дешевых транзисторов общего назначения.Его можно найти во многих магазинах электроники. Ваш местный магазин Maplin продаст один примерно за 49 пенсов. Код заказа: QR40T.

Текущая рыночная цена на eBay составляет около двух фунтов за 100 штук у продавцов в Китае. Или два фунта за 20 штук у британских продавцов.

Это один из многих транзисторов общего назначения, доступных в настоящее время, и в обозримом будущем цены должны оставаться низкими.

2N3904 Распиновка, особенности и применение транзистора

Распиновка, особенности и применение транзистора 2N3904

2N3904 — это в основном транзистор NPN, изготовленный из кремниевого материала.Он используется для переключателя общего назначения и усилителя. Он поддерживает ток до 100 мА, когда действует как переключатель, и поддерживает частоту до 100 МГц, действуя как усилитель. 2N2222A также является транзистором NPN и очень похож на 2N3904.

2N3904 — это биполярный транзистор NPN, предназначенный для переключения при 100 мА и в качестве усилителя на частоте 100 МГц. Он поставляется в корпусе TO-92 и используется в широком спектре приложений. Его можно использовать в телевизорах, мы можем использовать его в бытовой технике, можно использовать как небольшой переключатель нагрузки, а также как усилитель.

2N3904 Конфигурация выводов транзистора:

Подробная информация о конфигурации контактов этого транзистора приведена ниже

.
    • Эмиттер обычно обозначается E
    • База обозначена цифрой B.
    • Коллектор обозначен цифрой C.

Характеристики 2N3904
  • Биполярный NPN-транзистор: Тип
  • Доступный пакет: К-92
  • Напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
  • Непрерывный ток коллектора (IC): 200 мА
  • Напряжение базы-эмиттера (VBEO): 6 В
  • Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 В
  • Рассеиваемая мощность: 625 мВт
  • Рабочая температура (To): -55-155C

2N3904 Эквивалентные NPN транзисторы:

BC548, BC547 BC636, BC639, 2N2222A, 2N2222, 2N2369, 2N3055, 2n3906, 2SC5200 являются эквивалентами этого транзистора.

Комплимент транзисторов 2n3904:

BC557, BC556, A1015 — лучший (PNP) комплимент

SMD транзистора 2N3904

Описание контактов SMD приведено ниже

2N3904 в качестве переключателя:

Когда он используется в качестве переключателя, он работает в области насыщенности и отсечки. Транзистор 2N3904 действует как разомкнутый переключатель во время переадресации смещения и действует как замкнутый переключатель во время обратного смещения. Максимальный ток смещения должен составлять 5 мА. Более 5 мА приведет к повреждению транзистора, поэтому резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом транзистора.Номинал резистора можно рассчитать по формулам ниже.

RB = VBE / IB

Значение VBE должно быть 5 В, а базовый ток (IB зависит от тока коллектора. Значение IB не должно превышать мА.

2N3904 Транзистор в качестве усилителя:

Транзистор действует как усилитель при работе в активной области. Транзистор 2n3904 может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях, указанных ниже.

  • Усилитель с общей базой
  • Излучатель-усилитель
  • Коллекторный усилитель

Тип с общим эмиттером — это популярная конфигурация при использовании усилителя, формула использования которого приведена ниже.

Коэффициент усиления постоянного тока = ток коллектора (IC) / базовый ток (IB)

Приложения 2N3904:
  • Используется в небольших переключателях нагрузки, имеющих низкое напряжение насыщения и высокое усиление.
  • Его также можно использовать на телевидении.
  • Мы также можем использовать его в цепях бытовой техники.
  • Также используется в усилителях до частоты 100 МГц.

2N3904 и 2N3906:

Основное различие между 2N3904 и 2N3906 — единственный тип транзистора.Транзистор 3904 является транзистором NPN, а 3906 — транзистором PNP, как показано ниже на рисунке.

3904 NPN транзистор

3906 Транзистор PNP
  • Тип: биполярный NPN транзистор
  • Напряжение базы коллектора (VCB) составляет 40 В
  • Тип: биполярный NPN транзистор
  • Напряжение коллектор-база (VCB) 60 В

2N3904 Лист данных транзистора

Подробное описание транзистора 2N3904 приведено по ссылке

.

Похожие сообщения

2N3904 NPN Транзистор общего назначения (упаковка из 10)

Описание

2N3904 — хороший NPN-транзистор общего назначения для маломощного усиления и коммутации.

В ПАКЕТ:

  • Кол-во 10 — 2N3904 Транзисторы общего назначения NPN

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ 2N3904 NPN:
  • Конструкция из биполярного кремния NPN
  • Распиновка стандартная EBC в корпусе TO-92
  • Коллектор-эмиттер до 40 В и коллектор-база до 60 В
  • Ток до 200 мА
  • Скорость переключения 100 МГц

2N3904 — это хороший недорогой NPN-транзистор общего назначения для маломощного усиления и коммутации, который должен быть частью каждой корзины для запчастей.

Это может быть очень удобно, когда вам нужно увеличить выходной сигнал пина uC, чтобы управлять чем-то, что он не может управлять напрямую. Транзисторы NPN обычно используются в коммутационных устройствах низкого уровня, где они подключаются между нагрузкой и землей.

Вот простой пример схемы. У нас есть светодиодный индикатор, который мы хотим водить. Индикатор состоит из 3 светодиодов, каждый из которых потребляет ток 20 мА.

Вывод микроконтроллера может легко управлять светодиодом при токе 20 мА, но для этой схемы потребуется 60 мА, что выходит за пределы диапазона типичных возможностей привода микроконтроллера.Вы можете использовать 3 контакта на микроконтроллере для управления 3 светодиодами, но это пустая трата контактов, если у вас нет свободных контактов. Эта простая схема позволяет подключать все три светодиода к одному выводу uC.

Резистор 4,7 кОм на базе предназначен для ограничения тока на выводе uC до безопасных уровней, и значение не является слишком критическим. Также подойдет 1K или 10K.

Резистор 50 Ом устанавливает общий ток для 3 светодиодов. Это значение может немного отличаться в зависимости от того, какие светодиоды используются.В примере предполагается, что падение напряжения на светодиодах составляет 2 В, поэтому R = (5 В — Vled) / 60 мА = 50 Ом. Мощность через этот резистор составляет P = 60 мА * 3 В = 180 мВт, поэтому резистор 1/4 Вт будет работать, хотя 1/2 Вт будет лучшим выбором для длительного использования. Другим подходом было бы параллельное соединение двух резисторов на 100 Ом 1/4 Вт.

Если вам нужен более мощный NPN-транзистор, обратите внимание на наш PN2222, который может поддерживать до 600 мА, а если вам нужно больше, обратите внимание на наш транзистор Дарлингтона TIP120, который может выдерживать до 5 А.

Примечания:

  1. Эти транзисторы могут поставляться с прямыми или сформованными выводами.

Технические характеристики

Максимальные характеристики
V Генеральный директор Напряжение коллектор-эмиттер 40 В
В CBO Напряжение коллектор-база 60 В
Я С Ток коллектора 200 мА
Упаковка К-92
Тип корпуса Пластмасса, 3-выводная, сквозное отверстие
Производитель Fairchild / ПО Semi
Лист данных 2N3904

2N3904 npn-транзистор, дополнительный pnp, замена, распиновка, конфигурация выводов, замена, маркировка 2N 3904, модель spice, аналог smd, даташит

Характеристики транзистора 2N3904

  • Тип — NPN
  • Напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
  • Напряжение коллектор-база: 60 В
  • Напряжение эмиттер-база12: 909 9709 Ток коллектора: 0.2 A
  • Рассеиваемая мощность коллектора — 0,625 Вт
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h fe ) — 100 до 300
  • Частота перехода — 300 МГц
  • Уровень шума 570
  • Рабочий диапазон температур соединения и хранения от -55 до +150 ° C
  • Упаковка — TO-92

Распиновка 2N3904

2N3904 изготовлен в пластиковом корпусе TO-92.Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, три вывода, выходящие из транзистора, слева направо — это выводы эмиттера, базы и коллектора.
Вот изображение, показывающее схему выводов этого транзистора.

Дополнительный транзистор PNP

2N3906 представляет собой дополнительный транзистор PNP для 2N3904.

Версия SMD 2N3904

2SC1623 (SOT-23), 2SC2712 (SOT-23), 2SC4116 (SOT-323), 2SC4738 (SOT-23), FJX3904 (SOT-323), FJX945 (SOT-323) , FMMT3904 (SOT-23), KN3904S (SOT-23), KSC1623 (SOT-23), KST3904 (SOT-23), KTC3875 (SOT-23), KTC3875S (SOT-23), MMBT3904 (SOT-23), MMBT3904L (SOT-23), MMBT3904LT1 (SOT-23), MMBT3904LT1G (SOT-23), MMBT3904LT3 (SOT-23), MMBT3904LT3G (SOT-23), MMBT3904T (SOT-523904), MMBT3904T (SOT-523904), MMBT3904T (SOT-523904) (SOT-416), MMBT3904WT1 (SOT-323), MMBT3904WT1G (SOT-323), MMST3904 (SOT-323), PMBS3904 (SOT-23), PMBT3904 (SOT-23), PMST3904 (SOT-32390), PMST3904 (SOT-32390) SOT-223) и TMBT3904 (SOT-23) — это SMD-версия транзистора 2N3904.

2N3904 Транзистор в корпусе TO-92

KN3904 — это версия 2N3904 в корпусе TO-92.

Замена и аналог 2N3904

Вы можете заменить 2N3904 на 2N4401, 2SC1008, 2SC1210, 2SC1211, 2SC815, BC537, BC538, KN2222A, KN3904, KSC1008, KSC815, KSP022, KSP022, K228022 MPS2222A, MPS2222AG, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS8098, MPS8098G, MPS8099, MPS8099G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSW P220, MPSW5G06, MPSW02, PN22, MPSW02 PN2222A, PN3569, PN4033 или ZTX450.

2N3904 Spice Модель

 .MODEL 2N3904 PNP (
+ IS = 1.26532e-10
+ BF = 206,302
+ NF = 1,5
+ VAF = 1000
+ IKF = 0,0272221
+ ISE = 2.30771e-09
+ NE = 3,3 · 1052
+ BR = 20,6302
+ NR = 2,89609
+ VAR = 9,39809
+ ИКР = 0,272221
+ ISC = 2.30771e-09
+ NC = 1,9876
+ RB = 5,8376
+ IRB = 50,3624
+ RBM = 0,634251
+ RE = 0,0001
+ RC = 2,65711
+ XTB = 0,1
+ XTI = 1
+ EG = 1,05
+ CJE = 4.64214e-12
+ VJE = 0,4
+ MJE = 0.256227
+ TF = 4.19578e-10
+ XTF = 0,

7 + VTF = 8,75418 + ITF = 0,0105823 + CJC = 3,76961e-12 + VJC = 0,4 + MJC = 0,238109 + XCJC = 0,8 + FC = 0,512134 + CJS = 0 + VJS = 0,75 + MJS = 0,5 + TR = 6.82023e-08 + ПТФ = ​​0 + KF = 0 + AF = 1)

Качество 3904 npn-транзистор для электронных проектов Бесплатный образец сейчас

О продуктах и ​​поставщиках:
 Alibaba.com предлагает большой выбор.  3904 Транзистор npn  на выбор для удовлетворения ваших конкретных потребностей.  3904 Транзистор npn  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  3904 npn-транзистор , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и работать очень хорошо. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.

3904 Транзистор npn изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. 3904 npn-транзистор включает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. 3904 npn-транзистор скрывает низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. 3904 npn-транзистор для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. 3904 npn-транзистор на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки, благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. 3904 npn-транзистор для любого проекта включают в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. 3904 транзистор npn на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Качественный транзистор 2n3904 для электронных проектов Бесплатный образец сейчас

О продуктах и ​​поставщиках:
 Alibaba.com предлагает большой выбор.  транзистор 2n3904  на выбор для удовлетворения ваших конкретных потребностей.. Транзистор  2n3904  являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  транзистор 2n3904 , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет качественным и работать очень хорошо. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов. Транзистор 

2n3904 изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи.Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзистор 2n3904 охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. Транзистор 2n3904 скрывает низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзистор 2n3904 для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения.Файл. Транзистор 2n3904 на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки, благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *