Транзистор c9014: S9014C , , datasheet, , ,

Содержание

S9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (H

FE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R

s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация HFE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

S9014 Datasheet (PDF)

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.5. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B

1.6. ss9014.pdf Size:47K _samsung

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW

STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso

1.8. s9014.pdf Size:253K _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co

1.9. s9014t.pdf Size:130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)

1.10. s9014w.pdf Size:263K _secos

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80

1.11. s9014.pdf Size:821K _htsemi

S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun

1.12. s9014w.pdf Size:458K _htsemi

S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20

1.13. s9014.pdf Size:241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX

S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit

S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co

1.16. s9014.pdf Size:824K _wietron

S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage

1.17. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000

1.18. s9014.pdf Size:280K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0.45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter

1.19. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng

 深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units (符号) (参数名称) (额定值) (单位) VCBO Collector-Base Vo

1.20. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

1.21. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR( NPN ) FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

Транзисторы 2SD2499(D2499)

Т ранзисторы 2SD2499(D2499) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Разработаны фирмой Toshiba Semiconductor первоначально, для блоков развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем — применялись в целом ряде, самых различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка 2SD2499(D2499).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи токаот 8 до 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — 5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — не выше 1,3в.

Граничная частота передачи тока.2МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер600 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 6 А.

Максимальный импульсный ток коллектора12 А.

Рассеиваемая мощность коллектора50 Вт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — 95 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 200 мА.

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора S9014:

↓ Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Hfe  Caps
2SC1623-L6  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 5,00  0.1 150,00 250,00 200,00  SOT23
2SC1623-L7  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 5,00  0.1 150,00 250,00 300,00  SOT23
2SC1623SLT1  Si  NPN  0.3 60,00 50,00 7,00  0.15 150,00 180,00 270,00  SOT23
2SC2412-S  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 7,00  0.15 150,00 180,00 270,00  SOT23
2SC2412KSLT1  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 7,00  0.15 150,00 180,00 270,00  SOT23
2SC945LT1  Si  NPN  0.23 60,00 50,00 5,00  0.15 150,00 150,00 200,00  SOT23
2SD1501  Si  NPN 1,00 70,00 1,00 150,00 250,00  SOT23
2SD1938  Si  NPN 1,00 50,00  0.3 150,00 1000,00  SOT23
2STR1160  Si  NPN  0.5 60,00 60,00 5,00 1,00 150,00 250,00  SOT23
3DG847B  Si  NPN  0.33 50,00 45,00 6,00  0.2 150,00 250,00 200,00  TO92 SOT23 TO18
50C02CH-TL-E  Si  NPN  0.7 60,00 50,00 5,00  0.5 150,00 500,00 300,00  SOT23
9014RLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
9014SLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 300,00  SOT23
BC817-40  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 5,00  0.5 150,00 200,00 250,00  SOT23
BC817-40LT1  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.5 150,00 200,00 250,00  SOT23
BC846BLT1  Si  NPN  0.3 80,00 60,00 6,00  0.1 150,00 300,00 290,00  SOT23
BC846BR  Si  NPN  0.31 80,00 65,00 6,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
BC847BLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 6,00  0.1 150,00 300,00 290,00  SOT23
BC847BR  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 6,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
BC847C  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 6,00  0.1 150,00 300,00 520,00  SOT23
BC847CLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 6,00  0.1 150,00 300,00 520,00  SOT23
BC847CR  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 6,00  0.1 150,00 300,00 420,00  SOT23
BC850  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
BC850A  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 290,00  SOT23
BC850B  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 290,00  SOT23
BC850BLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 290,00  SOT23
BC850BR  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
BC850C  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 520,00  SOT23
BC850CLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 520,00  SOT23
BC850CR  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 420,00  SOT23
BCF81  Si  NPN  0.35 50,00 45,00 5,00  0.1 175,00 300,00 420,00  SOT23
BCF81R  Si  NPN  0.35 50,00 45,00 5,00  0.1 175,00 300,00 420,00  SOT23
BCV47  Si  NPN  0.36 80,00 60,00 10,00  0.5 150,00 170,00 10000,00  SOT23
BCV72  Si  NPN  0.35 80,00 60,00 5,00  0.1 175,00 300,00 200,00  SOT23
BCV72R  Si  NPN  0.35 80,00 60,00 5,00  0.1 175,00 300,00 200,00  SOT23
BCW66KH  Si  NPN  0.5 75,00 45,00 5,00  0.8 170,00 250,00  SOT23
BCW72L  Si  NPN  0.225 45,00  0.1 200,00  SOT23
BCW72LT1G  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
BCW72R  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
BCW81  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 200,00 420,00  SOT23
BCW81R  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 200,00 420,00  SOT23
BCW82B  Si  NPN  0.225 60,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 240,00  SOT23
BRY61  Si  PNPN  0.25 70,00 70,00 70,00  0.175 150,00 1000,00  SOT23
BSP52T1  Si  NPN  1.5 100,00 80,00 5,00  0.5 150,00 150,00 5000,00  SOT23
BSP52T3  Si  NPN  1.5 100,00 80,00 5,00  0.5 150,00 150,00 5000,00  SOT23
BTD2150N3  Si  NPN  0.225 80,00 50,00 6,00 4,00 150,00 175,00 270,00  SOT23
BTN6427N3  Si  NPN  0.225 100,00 60,00 12,00  0.5 150,00 10000,00  SOT23
CMPT3820  Si  NPN  0.35 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 200,00  SOT23
CMPT491E  Si  NPN  0.35 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 200,00  SOT23
DMBT9014  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
DNLS160  Si  NPN  0.3 60,00 1,00 150,00 200,00  SOT23
DTD123  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00  0.5 150,00 200,00 250,00  SOT23
ECG2408  Si  NPN  0.2 60,00 65,00  0.3 150,00 300,00 300,00  SOT23
FMMT493A  Si  NPN  0.5 60,00 1,00 150,00 500,00  SOT23
FMMTL619  Si  NPN  0.5 50,00  1.25 180,00 300,00  SOT23
INC5006AC1  Si  NPN  0.2 100,00 50,00 7,00 3,00 150,00 250,00 400,00  SOT23
KC817A-40  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 5,00  0.5 150,00 170,00 250,00  SOT23
KST9014  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
KST9014-D  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 300,00  SOT23
KTC9014SC  Si  NPN  0.35 80,00 50,00 8,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
L2SC1623SLT1G  Si  NPN  0.225 60,00 50,00 7,00  0.15 150,00 250,00 270,00  SOT23
L2SC2412KSLT1G  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 7,00  0.15 150,00 180,00 270,00  SOT23
L9014RLT1G  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 200,00  SOT23
L9014SLT1G  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00  SOT23
L9014TLT1G  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 400,00  SOT23
MMBT2484L  Si  NPN  0.225 60,00  0.1 250,00  SOT23
MMBT2484LT1G  Si  NPN  0.225 60,00 60,00 6,00  0.1 150,00 250,00  SOT23
MMBT945-H  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 5,00  0.15 150,00 150,00 200,00  SOT23
MMS9014-H  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 450,00  SOT23
MMS9014-L  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
MSD601  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 7,00  0.1 150,00 210,00  SOT23
PBSS4041NT  Si  NPN  0.3 60,00 60,00 5,00  3.8 150,00 175,00 300,00  SOT23
PBSS4160T  Si  NPN  0.3 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 250,00  SOT23
PDTC114TT  Si  Pre-Biased-NPN  0.25 50,00 50,00 5,00  0.1 150,00 200,00  SOT23
PDTC143TT  Si  Pre-Biased-NPN  0.25 50,00 50,00 5,00  0.1 150,00 200,00  SOT23
S9014  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
SBCW72LT1G  Si  NPN  0.23 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
SSTA28  Si  NPN  0.2 80,00 80,00 12,00  0.3 150,00 200,00 10000,00  SST3 SOT23
TBC850  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
UN2210R  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 210,00  SOT23 SC59
UN2210S  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 290,00  SOT23 SC59
UN2215R  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 210,00  SOT23 SC59
UN2215S  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 290,00  SOT23 SC59
UN2216R  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 210,00  SOT23 SC59
UN2216S  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 290,00  SOT23 SC59
UN2217R  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 210,00  SOT23 SC59
UN2217S  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 290,00  SOT23 SC59
ZXTN07045EFF  Si  NPN  1.5 45,00 4,00 150,00 400,00  SOT23F
ZXTN19100CFF  Si  NPN  1.5 100,00  4.5 150,00 200,00  SOT23F
ZXTN25050DFH  Si  NPN  1.25 50,00 4,00 200,00 240,00  SOT23
ZXTN25100DFH  Si  NPN  1.25 100,00  2.5 175,00 300,00  SOT23

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  • Корпус транзистора: SOT23

Транзистор S9014 можно заменить на KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, KTC9014, MPSA42, MPSA43, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, SS9014

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц.

У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2SC1623-L6

  • Маркировка: L6
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623-L7

  • Маркировка: L7
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623SLT1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT-23

Наименование производителя: 2SC2412-S

  • Маркировка: BS
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC2412KSLT1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT-23

Автор: Редакция сайта

C9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор S9014C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014C

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: TO92

S9014C Datasheet (PDF)

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

5.4. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B

5.5. ss9014.pdf Size:47K _samsung

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW

STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso

5.7. s9014.pdf Size:253K _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co

5.8. s9014t.pdf Size:130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)

5.9. s9014w.pdf Size:263K _secos

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80

5.10. s9014.pdf Size:821K _htsemi

S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun

5.11. s9014w.pdf Size:458K _htsemi

S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20

5.12. s9014.pdf Size:241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX

S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit

S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co

5.15. s9014.pdf Size:824K _wietron

S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage

5.16. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000

5.17. s9014.pdf Size:280K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0.45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter

5.18. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng

 深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units (符号) (参数名称) (额定值) (单位) VCBO Collector-Base Vo

5.19. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

5.20. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR( NPN ) FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация HFE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .

S9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация HFE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

S9014 Datasheet (PDF)

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.5. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B

1.6. ss9014.pdf Size:47K _samsung

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW

STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso

1.8. s9014.pdf Size:253K _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co

1.9. s9014t.pdf Size:130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)

1.10. s9014w.pdf Size:263K _secos

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80

1.11. s9014.pdf Size:821K _htsemi

S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun

1.12. s9014w.pdf Size:458K _htsemi

S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20

1.13. s9014.pdf Size:241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX

S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit

S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co

1.16. s9014.pdf Size:824K _wietron

S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage

1.17. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000

1.18. s9014.pdf Size:280K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0.45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter

1.19. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng

 深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units (符号) (参数名称) (额定值) (单位) VCBO Collector-Base Vo

1.20. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

1.21. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR( NPN ) FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

Транзисторы 2SD2499(D2499)

Т ранзисторы 2SD2499(D2499) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Разработаны фирмой Toshiba Semiconductor первоначально, для блоков развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем — применялись в целом ряде, самых различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка 2SD2499(D2499).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи токаот 8 до 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — 5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — не выше 1,3в.

Граничная частота передачи тока.2МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер600 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 6 А.

Максимальный импульсный ток коллектора12 А.

Рассеиваемая мощность коллектора50 Вт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — 95 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 200 мА.

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Br9014c S9014 9014 Npn Транзистор Низкой Мощности

   

 

В1: какая у вас компания хороша в продаже?

 

Ответ: наша компания Хорошо Продает электронные компоненты в PCBA, включая интегральную схему (IC), диод, транзистор, конденсатор, резистор,Индуктор, реле, разъем, IGBT Moudle, предохранитель и так далее!

 

 

Q2:Какое у вас преимущество?

 

Ответ: наша компания уже много лет продает электронные компоненты, у нас очень большой склад,

Большинство товаров в наличии, и наша цена очень конкурентоспособная, конечно, наши товары 100% новые и

Оригинал и хорошее качество 100%, Лучшая цена, хорошее качество и в наличии товаров-наше лучшее преимущество!

 

 

В3: если наш список BOM имеет так много видов товаров, как долго я могу получить предложение?

 

Ответ: наша компания имеет очень профессиональную команду продаж, для любого требования к списку спецификации, мы можем убедитьсяЕсли вы хотите заказать товар в течение 24 часов, мы можем заказать товар в течение 3 часов!

 

 

 

 В4: каково качество товара вашей компании? Как долго вы можете сделать гарантию на ваши товары?

 

Ответ: наша компания только что продает новые и оригинальные товары, наш товар 100% хорошего качества, конечно, мы можем сделать гарантию в течение 90 дней после отгрузки, любая проблема качества, мы можем гарантировать возврат или замену, вам не нужноБеспокоитесь об этом!

 

 

В5: какое время выполнения заказа?

 

Ответ:Для большинства товаров, у нас есть в наличии,TНет времени на доставку товаров в наличии,

После проверкиОплата, мы отправим вам в течение 2-3 дней!

 

 

В6: какой процесс сделать заказ?

 

Ответ:

(1) Вы должны показать нам ваши требования, и мы будем цитировать для вашего первого!

(2) если наше qoutation нормально для вас, и вы планируете заказать, вы должны отправить нам ваше имя компании,

Адрес доставки, номер телефона и контактное лицо, чтобы мы могли сделать предварительный счет, включая

Плата за доставку и банковский сбор для вас!

(3) после оплаты, пожалуйста, дайте нам знать, чтобы проверить оплату, тогда мы отправим для васВ соответствии с проформой счета, затем показать вам номер отслеживания!  

 

Послепродажное обслуживание:

 

1. Мы несем ответственность за все товары от нас. Если у вас есть какие-либо вопросы о товарах, вы можете свободно связаться с нами в любое время.
2. Мы можем помочь нашим клиентам организовать/купить комбинированную доставку товаров или другие товары, которые они хотят здесь, Китай.
3. Все, что вам нужно, мы просто здесь для вас.

Характеристики транзистора

S9014 и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа.Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C, D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (H FE ) . Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимально допустимая мощность в коллекторе не более 200 мВ (мВт), а в остальном предельные характеристики схожи с включенными устройствами в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25 ° С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F Ш ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов.Значение F Ш определяет при заданном сопротивлении модуля источника сигнала (R с ) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах многих производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H FE . Выбрать транзистор с усилением усиления можно по классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240.Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистором с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярных транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса «S». Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретиться с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014.Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом «j6».

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронным таймерам, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускаются предельно допустимые значения эксплуатационных параметров устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке.Ниже некоторые производители данного устройства с документацией.

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0,2 Вт

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 В

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 В

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 А

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 ° C

Граничная частота коэффициента передачи тока (фут): 150 МГц

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

S9014 Лист данных (PDF)

MCC S9014-B Коммерческие микрокомпоненты TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Коммерческие микрокомпоненты CA 91311 Телефон: (818) 701-4933 S9014-D Факс: (818) 701-4939 Характеристики • Транзисторы TO-92 в пластиковом корпусе • Возможен 0.4 Вт (Tamb = 25OC) рассеиваемой мощности. Кремний NPN • Ток коллектора 0,1 А • Напряжение коллектор-база 50 В Транзисторы • Рабочие и

GSTS9014LT1 NPN-транзистор общего назначения Описание продукта Характеристики Это устройство разработано как универсальный коллектор-эмиттер. Напряжение: усилитель и переключатель 45 В. Ток коллектора: 100 мА Без свинца (Pb) Комплекты и назначение контактов SOT-23 Описание контактов 1 База 2 Эмиттер 3 Информация о маркировке коллектора P / N Номер в упаковке Маркировка детали GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.5. ss9014.pdf Размер: 38K _fairchild_semi

SS9014 Предварительный усилитель, низкий уровень и низкий уровень шума — Высокая общая рассеиваемая мощность. (PT = 450 мВт) � Высокий фторэтилен и хорошая линейность � Дополняет SS9015 TO-92 1 1. Эмиттер 2. База 3. Коллекторный NPN-эпитаксиальный кремниевый транзистор Абсолютные максимальные характеристики Ta = 25 ° C, если не указано иное Символ Параметр Номинальные значения Единицы VCBO Collector- Базовое напряжение 50 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 В VEBO Emitter-B

1,6. ss9014.pdf Размер: 47K _samsung

SS9014 NPN-ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ПРЕДУСИЛИТЕЛЬ, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ И НИЗКИЙ ШУМ TO-92 — Высокая общая рассеиваемая мощность.(PT = 450 мВт) � Высокий hFE и хорошая линейность � Дополнение к АБСОЛЮТНЫМ МАКСИМАЛЬНЫМ РЕЙТИНГАМ SS9015 (T = 25) Характерный символ Номинальный ток Единица В Напряжение коллектор-база VCBO 50 В Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 45 В Напряжение эмиттер-база VEBO 5 мА Ток коллектора IC 100 мВт

STS9014 Кремниевый транзистор NPN Описание Контактное соединение • Применение общего назначения C • Применение переключения Характеристики B • Превосходная линейность hFE: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.) • Низкий уровень шума: NF = 10 дБ (макс.) при f = 1 кГц E • Дополнительная пара с STS9015 TO-92 Информация для заказа Тип NO. Маркировка Код упаковки STS9014 STS9014 TO-92 Abso

1,8. s9014.pdf Размер: 253 КБ _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, продукт с низким уровнем шума и низким уровнем шума. Продукт соответствует требованиям RoHS. Суффикс «-C» указывает на ОСОБЕННОСТИ SOT-23 коллектора? Дим Мин. Макс. 3 3? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Рассеиваемая мощность 1 1? C 0,890 1,110 2 Базовый PCM: 0,2 Вт D 0.370 0,500 Ток коллектора G 1,780 2,040 2 ICM: 0,1 A A Излучатель H 0,013 0,100 л Co

1.9. s9014t.pdf Размер: 130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, продукт с низким уровнем шума и низким уровнем шума, соответствующий требованиям RoHS Суффикс «-C» обозначает ХАРАКТЕРИСТИКИ TO-92, не содержащие галогена и свинца 4,55 ± 0,2 3,5 ± 0,2? Рассеяние мощности ? PCM: 0,4 Вт Коллекторный ток ICM: 0,1 A Напряжение коллектор-база V (BR) CBO: 50 В 0,43 + 0,08 –0,07 46 + 0,1 0. –0,1 Температура спая при работе и накоплении (1.27 Тип.)

1.10. s9014w.pdf Размер: 263 КБ _secos

S9014W Транзистор NPN в силиконовой пластиковой капсуле Elektronische Bauelemente RoHS-совместимый продукт Суффикс «-C» обозначает ФУНКЦИЮ SOT-323, не содержащую галогенов и свинец. Дополняет S9015W AL 3 3 Вид сверху CB 1 1 2 2 KE ИНФОРМАЦИЯ ОБ УПАКОВКЕ Вес: 0,0074 г D Коллектор HJFG 3 миллиметра миллиметра REF. ПОЗ. Мин. Максимум. Мин. Максимум. КОД МАРКИРОВКИ 1 A 1.80

1.11. s9014.pdf Размер: 821К _хцеми

S901 4 ТРАНЗИСТОРА (NPN) СОТ-23 1.ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2. ЭМИТЕР, дополняющий S9015 3. МАРКИРОВКА КОЛЛЕКТОРА: J6, если не указано иное) МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TA = 25? Символ Параметр Значение Единицы VCBO Напряжение коллектор-база 50 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 В VEBO Напряжение эмиттер-база 5 В Ток коллектора IC — непрерывный 0,1 A Рассеиваемая мощность коллектора ПК 0,2 Вт Tj июн

1.12. s9014w.pdf Размер: 458K _htsemi

S901 4W ТРАНЗИСТОР (NPN) ОСОБЕННОСТИ SOT – 323? Дополняет S9015W? Малый корпус для поверхностного монтажа МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (Ta = 25 °, если не указано иное) Символ Параметр Значение Единица 1.BASE V Напряжение коллектор-база 50 В CBO 2. ЭМИТТЕР V Напряжение коллектор-эмиттер 45 В CEO 3. КОЛЛЕКТОР V Напряжение эмиттер-база 5 В EBO IC Ток коллектора 100 мА P Рассеиваемая мощность коллектора 20

1.13. s9014.pdf Размер: 241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. GM9014 ОСОБЕННОСТИ ¦ОСОБЕННОСТИ ?? ХАРАКТЕРИСТИКИ Превосходная линейность HFE. HFE (0,1 мА) / hFE (2 мА) = 0.95 (Тип.) Высокий HFE? HFE: HFE = 200? 700 низкий уровень шума. NF = 1 дБ (тип.), 10 дБ (макс.). Дополняет GM9015? GM9015 ?? МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (Ta = 25) ¦MAX

S9014 (NPN) TO-92 Биполярные транзисторы TO-92 1. ЭМИТТЕР 2. БАЗА 3. КОЛЛЕКТОР Характеристики Высокая общая рассеиваемая мощность. (PC = 0,45 Вт) Высокое hFE и хорошая линейность Дополняют МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ S9015 (TA = 25? иначе указано) Символ Параметр Значение Единицы VCBO Напряжение коллектор-база 50 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 В Размеры в дюймах и (миллиметрах) VEBO Emit

S9014 Транзистор СОТ-23 (НПН) СОТ-23 1.ОСНОВА 2. ЭМИТТЕР 3. Характеристики КОЛЛЕКТОРА, дополняющие МАРКИРОВКУ S9015: J6 Размеры в дюймах и (миллиметрах) МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TA = 25?, Если не указано иное) Символ Параметр Значение Единицы VCBO Напряжение коллектор-база 50 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 В VEBO Напряжение эмиттер-база 5 В IC Ток коллектора — непрерывный 0,1 A PC Co

1.16. s9014.pdf Размер: 824K _wietron

S9014 NPN транзисторы общего назначения TO-92 1. ЭМИТТЕР 1 2 2. БАЗА 3 3. АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ КОЛЛЕКТОРА (Ta = 25 C) Номинальное обозначение Значение Единица Напряжение коллектор-эмиттер В CEO 45 В постоянного тока Напряжение коллектор-база VCBO 50 В постоянного тока Эмиттер -Базовое напряжение VEBO 5.0 В постоянного тока Ток коллектора IC 100 мА пост. Тока PD 0,4 Полное рассеиваемое устройством T = 25 C Вт A Температура перехода T 150 Дж C от -55 до +150 Хранение

1.17. s9014lt1.pdf Размер: 191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5,0 100 225 1,8 556 S9014QLT1 = 14Q S9014RLT1 = 14R S9014SLT1 = 14S S9014TLT1 = 14T 0,1 45 50100100 u 0,1 40 0,1 u 3,0 WEITRON 1/28 апреля 2011 г. http : //www.weitron.com.tw S9014LT1 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TA = 25 C, если не указано иное) (Счетчик) Характеристики Символ Макс. единица Мин. ХАРАКТЕРИСТИКИ Коэффициент усиления постоянного тока hFE 1000

1.18. s9014.pdf Размер: 280K _can-sheng

Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92 ХАРАКТЕРИСТИКИ Высокая общая рассеиваемая мощность (PC = 0,45 Вт) TO-92 Высокий коэффициент теплового сопротивления и хорошая линейность Дополняет S9015 МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TA = 25 ℃, если не указано иное) МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ 1. Обозначение EMITTER Параметр

1.19. s9014 sot-23.pdf Размер: 317K _can-sheng

深圳 市 灿 升 实业 发展 有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co., ООО www.szcansheng.com SOT-23 Транзисторы в пластиковом корпусе ТРАНЗИСТОР S9014 (NPN) ХАРАКТЕРИСТИКИ Соответствует S9015 МАРКИРОВКА: J6 МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TA = 25 ℃, если не указано иное) Символ Параметр Значение Единицы () (参数 名称) (额定值) (单位) Коллекторная база VCBO Vo

1.20. s9014.pdf Размер: 347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе Транзистор S9014 (NPN) TO-92 ОСОБЕННОСТИ 1. ЭМИТТЕР 2. БАЗА Рассеиваемая мощность 3.КОЛЛЕКТОР PCM: 0,4 Вт (Tокр. = 25 ℃) Ток коллектора ICM: 0,1 A 1 2 3 Напряжение коллектор-база V (BR) CBO: 50 В Диапазон рабочих и накопительных температур перехода TJ, Tstg: от -55 ℃ до + 150 ℃

1.21. s9014lt1.pdf Размер: 588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Транзисторы в пластиковом корпусе Транзистор S9014LT1 (NPN) ОСОБЕННОСТИ · Высокая общая рассеиваемая мощность. если не указано иное Обозначение Параметр Значение Единицы VCBO Напряжение коллектор-база 50 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 В VEBO Emitt

Транзисторы 2SD2499 (D2499)

Т ранзисторы 2SD2499 (D2499) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — н-п-н.Используется фирмой Toshiba Semiconductor, используются блоки развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем — применяются в целом ряде различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка 2SD2499 (D2499).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока от 8 до 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — 5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — не выше 1,3 в.

Граничная частота передачи тока. 2 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер 600 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 6 А.

Максимальный импульсный ток коллектора 12 А.

Рассеиваемая мощность коллектора 50 Вт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — 95 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 200 мА.

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности.Корпус пластиковый ТО-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху.
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10 дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25 в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50 в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45 в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1 A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается использование каких-либо ссылок на сайт «Электрика это просто».

.Характеристики транзистора

C9014 и его российские аналоги

Биполярный транзистор S9014C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014C

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0,4 Вт

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 В

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 В

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 А

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 ° C

Граничная частота коэффициента передачи тока (фут): 150 МГц

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: TO92

S9014C Лист данных (PDF)

MCC S9014-B Коммерческие микрокомпоненты TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Коммерческие микрокомпоненты CA 91311 Телефон: (818) 701-4933 S9014-D Факс: (818) 701-4939 Характеристики • Транзисторы TO-92 в пластиковом корпусе • Возможен 0.4 Вт (Tamb = 25OC) рассеиваемой мощности. Кремний NPN • Ток коллектора 0,1 А • Напряжение коллектор-база 50 В Транзисторы • Рабочие и

GSTS9014LT1 NPN-транзистор общего назначения Описание продукта Характеристики Это устройство разработано как универсальный коллектор-эмиттер. Напряжение: усилитель и переключатель 45 В. Ток коллектора: 100 мА Без свинца (Pb) Комплекты и назначение контактов SOT-23 Описание контактов 1 База 2 Эмиттер 3 Информация о маркировке коллектора P / N Номер в упаковке Маркировка детали GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

5.4. ss9014.pdf Размер: 38K _fairchild_semi

SS9014 Предварительный усилитель, низкий уровень и низкий уровень шума — Высокая общая рассеиваемая мощность. (PT = 450 мВт) � Высокий фторэтилен и хорошая линейность � Дополняет SS9015 TO-92 1 1. Эмиттер 2. База 3. Коллекторный NPN-эпитаксиальный кремниевый транзистор Абсолютные максимальные характеристики Ta = 25 ° C, если не указано иное Символ Параметр Номинальные значения Единицы VCBO Collector- Базовое напряжение 50 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 В VEBO Emitter-B

5.5. ss9014.pdf Размер: 47K _samsung

SS9014 NPN-ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ПРЕДУСИЛИТЕЛЬ, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ И НИЗКИЙ ШУМ TO-92 — Высокая общая рассеиваемая мощность.(PT = 450 мВт) � Высокий hFE и хорошая линейность � Дополнение к АБСОЛЮТНЫМ МАКСИМАЛЬНЫМ РЕЙТИНГАМ SS9015 (T = 25) Характерный символ Номинальный ток Единица В Напряжение коллектор-база VCBO 50 В Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 45 В Напряжение эмиттер-база VEBO 5 мА Ток коллектора IC 100 мВт

STS9014 Кремниевый транзистор NPN Описание Контактное соединение • Применение общего назначения C • Применение переключения Характеристики B • Превосходная линейность hFE: hFE (IC = 0,1 мА) / hFE (IC = 2 мА) = 0,95 (тип.) • Низкий уровень шума: NF = 10 дБ (макс.) при f = 1 кГц E • Дополнительная пара с STS9015 TO-92 Информация для заказа Тип NO. Маркировка Код упаковки STS9014 STS9014 TO-92 Abso

5.7. s9014.pdf Размер: 253 КБ _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, продукт с низким уровнем шума и низким уровнем шума. Продукт соответствует требованиям RoHS. Суффикс «-C» указывает на ОСОБЕННОСТИ SOT-23 коллектора? Дим Мин. Макс. 3 3? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Рассеиваемая мощность 1 1? C 0,890 1,110 2 Базовый PCM: 0,2 Вт D 0.370 0,500 Ток коллектора G 1,780 2,040 2 ICM: 0,1 A A Излучатель H 0,013 0,100 л Co

5.8. s9014t.pdf Размер: 130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, продукт с низким уровнем шума и низким уровнем шума, соответствующий требованиям RoHS Суффикс «-C» обозначает ХАРАКТЕРИСТИКИ TO-92, не содержащие галогена и свинца 4,55 ± 0,2 3,5 ± 0,2? Рассеяние мощности ? PCM: 0,4 Вт Коллекторный ток ICM: 0,1 A Напряжение коллектор-база V (BR) CBO: 50 В 0,43 + 0,08 –0,07 46 + 0,1 0. –0,1 Температура спая при работе и накоплении (1.27 Тип.)

5.9. s9014w.pdf Размер: 263 КБ _secos

S9014W Транзистор NPN в силиконовой пластиковой капсуле Elektronische Bauelemente RoHS-совместимый продукт Суффикс «-C» обозначает ФУНКЦИЮ SOT-323, не содержащую галогенов и свинец. Дополняет S9015W AL 3 3 Вид сверху CB 1 1 2 2 KE ИНФОРМАЦИЯ ОБ УПАКОВКЕ Вес: 0,0074 г D Коллектор HJFG 3 миллиметра миллиметра REF. ПОЗ. Мин. Максимум. Мин. Максимум. КОД МАРКИРОВКИ 1 A 1.80

5.10. s9014.pdf Размер: 821К _хцеми

S901 4 ТРАНЗИСТОРА (NPN) СОТ-23 1.ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2. ЭМИТЕР, дополняющий S9015 3. МАРКИРОВКА КОЛЛЕКТОРА: J6, если не указано иное) МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TA = 25? Символ Параметр Значение Единицы VCBO Напряжение коллектор-база 50 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 В VEBO Напряжение эмиттер-база 5 В Ток коллектора IC — непрерывный 0,1 A Рассеиваемая мощность коллектора ПК 0,2 Вт Tj июн

5.11. s9014w.pdf Размер: 458K _htsemi

S901 4W ТРАНЗИСТОР (NPN) ОСОБЕННОСТИ SOT – 323? Дополняет S9015W? Малый корпус для поверхностного монтажа МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (Ta = 25 °, если не указано иное) Символ Параметр Значение Единица 1.BASE V Напряжение коллектор-база 50 В CBO 2. ЭМИТТЕР V Напряжение коллектор-эмиттер 45 В CEO 3. КОЛЛЕКТОР V Напряжение эмиттер-база 5 В EBO IC Ток коллектора 100 мА P Рассеиваемая мощность коллектора 20

5.12. s9014.pdf Размер: 241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. GM9014 ОСОБЕННОСТИ ¦ОСОБЕННОСТИ ?? ХАРАКТЕРИСТИКИ Превосходная линейность HFE. HFE (0,1 мА) / hFE (2 мА) = 0.95 (Тип.) Высокий HFE? HFE: HFE = 200? 700 низкий уровень шума. NF = 1 дБ (тип.), 10 дБ (макс.). Дополняет GM9015? GM9015 ?? МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (Ta = 25) ¦MAX

S9014 (NPN) TO-92 Биполярные транзисторы TO-92 1. ЭМИТТЕР 2. БАЗА 3. КОЛЛЕКТОР Характеристики Высокая общая рассеиваемая мощность. (PC = 0,45 Вт) Высокое hFE и хорошая линейность Дополняют МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ S9015 (TA = 25? иначе указано) Символ Параметр Значение Единицы VCBO Напряжение коллектор-база 50 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 В Размеры в дюймах и (миллиметрах) VEBO Emit

S9014 Транзистор СОТ-23 (НПН) СОТ-23 1.ОСНОВА 2. ЭМИТТЕР 3. Характеристики КОЛЛЕКТОРА, дополняющие МАРКИРОВКУ S9015: J6 Размеры в дюймах и (миллиметрах) МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TA = 25?, Если не указано иное) Символ Параметр Значение Единицы VCBO Напряжение коллектор-база 50 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 В VEBO Напряжение эмиттер-база 5 В IC Ток коллектора — непрерывный 0,1 A PC Co

5.15. s9014.pdf Размер: 824K _wietron

S9014 NPN транзисторы общего назначения TO-92 1. ЭМИТТЕР 1 2 2. БАЗА 3 3. АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ КОЛЛЕКТОРА (Ta = 25 C) Номинальное обозначение Значение Единица Напряжение коллектор-эмиттер В CEO 45 В постоянного тока Напряжение коллектор-база VCBO 50 В постоянного тока Эмиттер -Базовое напряжение VEBO 5.0 В постоянного тока Ток коллектора IC 100 мА пост. Тока PD 0,4 Полное рассеиваемое устройством T = 25 C Вт A Температура перехода T 150 Дж C от -55 до +150 Хранение

5.16. s9014lt1.pdf Размер: 191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5,0 100 225 1,8 556 S9014QLT1 = 14Q S9014RLT1 = 14R S9014SLT1 = 14S S9014TLT1 = 14T 0,1 45 50100100 u 0,1 40 0,1 u 3,0 WEITRON 1/28 апреля 2011 г. http : //www.weitron.com.tw S9014LT1 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TA = 25 C, если не указано иное) (Счетчик) Характеристики Символ Макс. единица Мин. ХАРАКТЕРИСТИКИ Коэффициент усиления постоянного тока hFE 1000

5.17. s9014.pdf Размер: 280K _can-sheng

Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92 ХАРАКТЕРИСТИКИ Высокая общая рассеиваемая мощность (PC = 0,45 Вт) TO-92 Высокий коэффициент теплового сопротивления и хорошая линейность Дополняет S9015 МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TA = 25 ℃, если не указано иное) МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ 1. Обозначение EMITTER Параметр

5.18. s9014 sot-23.pdf Размер: 317K _can-sheng

深圳 市 灿 升 实业 发展 有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co., ООО www.szcansheng.com SOT-23 Транзисторы в пластиковом корпусе ТРАНЗИСТОР S9014 (NPN) ХАРАКТЕРИСТИКИ Соответствует S9015 МАРКИРОВКА: J6 МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TA = 25 ℃, если не указано иное) Символ Параметр Значение Единицы () (参数 名称) (额定值) (单位) Коллекторная база VCBO Vo

5.19. s9014.pdf Размер: 347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе Транзистор S9014 (NPN) TO-92 ОСОБЕННОСТИ 1. ЭМИТТЕР 2. БАЗА Рассеиваемая мощность 3.КОЛЛЕКТОР PCM: 0,4 Вт (Tокр. = 25 ℃) Ток коллектора ICM: 0,1 A 1 2 3 Напряжение коллектор-база V (BR) CBO: 50 В Диапазон рабочих и накопительных температур перехода TJ, Tstg: от -55 ℃ до + 150 ℃

5.20. s9014lt1.pdf Размер: 588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Транзисторы в пластиковом корпусе Транзистор S9014LT1 (NPN) ОСОБЕННОСТИ · Высокая общая рассеиваемая мощность. если не указано иное Обозначение Параметр Значение Единицы VCBO Напряжение коллектор-база 50 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 В VEBO Emitt

Эпитаксиальный биполярный транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры.Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C, D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (H FE ) . Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимально допустимая мощность в коллекторе не более 200 мВ (мВт), а в остальном предельные характеристики схожи с включенными устройствами в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25 ° С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F Ш ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F Ø определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R s ) на частоте генерации 1 кГц.У s9014 коэффициент шума, в параметрах многих производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H FE .Выбрать транзистор с усилением усиления можно по классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистором с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярных транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса «S». Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретиться с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом «j6».

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений.Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронным таймерам, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускаются предельно допустимые значения эксплуатационных параметров устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров.Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже некоторые производители данного устройства с документацией.

Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь возможностью приведенной ниже схемы или ссылками для быстрого поиска (лист данных) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта.

.

Br9014c S9014 9014 Npn Транзистор Низкой Мощности

В1: какая у вас компания хороша в продаже?

Ответ: компания Хорошо продает электронные компоненты в нашу PCBA, включая интегральную схему (IC), диод, транзистор, конденсатор, резистор, Индуктор, реле, разъем, IGBT Moudle, предохранитель и так далее!

Q2: Какое у вас преимущество?

Ответ: наша компания уже много лет продает электронные компоненты, у нас очень большой склад,

Большинство товаров в наличии, и наша цена очень конкурентоспособная, конечно, наши товары 100% новые и

Оригинал и хорошее качество 100 %, Лучшая цена, хорошее качество и в наличии товаров-наше лучшее преимущество!

В3: если наш список BOM имеет так много видов товаров, как долго я могу получить предложение?

Ответ: компания имеет очень профессиональную команду продаж, для любого требования к списку спецификации, мы можемЕсли вы хотите заказать товар в течение 24 часов, мы можем заказать товар в течение 3 часов!

В4: каково качество товара вашей компании? Как долго вы можете сделать гарантию на ваши товары?

Ответ: наша компания только что продает новые и оригинальные товары, наш товар 100% хорошего качества, конечно, мы можем сделать гарантию в течение 90 дней после отгрузки, любую проблему качества, мы можем вернуться или замену, вам не нужноБеспокоитесь об этом!

В5: какое время выполнения заказа?

Ответ: Для международных товаров, у нас есть в наличии, TНет времени на доставку товаров в наличии,

После проверкиОплата, мы отправим вам в течение 2-3 дней!

В6: какой процесс сделать заказ?

Ответ:

(1) Вы должны показать нам ваши требования, и мы будем цитировать для вашего первого!

(2), если наше qoutation нормально для вас, и вы планируете заказать, вы должны отправить нам ваше имя компании,

Адрес доставки, номер телефона и контактное лицо, чтобы мы могли сделать предварительный счет, включая

Плата за доставку и банковский сбор для вас!

(3) после оплаты, пожалуйста, дайте нам знать, чтобы проверить оплату, тогда мы отправим для васВ соответствии с проформой счета, затем показать вам номер установлен!

Послепродажное обслуживание:

1.Мы несем ответственность за все товары от нас. Если у вас есть какие-либо вопросы о товарах, вы можете свободно связаться с нами в любое время.
2. Мы можем помочь нашим клиентам организовать / купить комбинированную доставку товаров, которые они хотят здесь, Китай.
3. Все, что вам нужно, мы просто здесь для вас.

.

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора S9014:

↓ Тип Мат Struct ПК Ucb Усе Ueb Ic Tj Ft Hfe Колпачки
2SC1623-L6 Si НПН 0.2 60,00 50,00 5,00 0,1 150,00 250,00 200,00 СОТ23
2SC1623-L7 Si НПН 0,2 60,00 50,00 5,00 0,1 150,00 250,00 300,00 СОТ23
2SC1623SLT1 Si НПН 0.3 60,00 50,00 7,00 0,15 150,00 180,00 270,00 СОТ23
2SC2412-S Si НПН 0,2 60,00 50,00 7,00 0,15 150,00 180,00 270,00 СОТ23
2SC2412KSLT1 Si НПН 0.2 60,00 50,00 7,00 0,15 150,00 180,00 270,00 СОТ23
2SC945LT1 Si НПН 0,23 60,00 50,00 5,00 0,15 150,00 150,00 200,00 СОТ23
2SD1501 Si НПН 1,00 70,00 1,00 150,00 250,00 СОТ23
2SD 1938 Si НПН 1,00 50,00 0.3 150,00 1000,00 СОТ23
2STR1160 Si НПН 0,5 60,00 60,00 5,00 1,00 150,00 250,00 СОТ23
3DG847B Si НПН 0,33 50,00 45,00 6,00 0,2 150,00 250,00 200,00 ТО92 СОТ23 ТО18
50C02CH-TL-E Si НПН 0.7 60,00 50,00 5,00 0,5 150,00 500,00 300,00 СОТ23
9014RLT1 Si НПН 0,3 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 200,00 СОТ23
9014SLT1 Si НПН 0.3 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 300,00 СОТ23
BC817-40 Si НПН 0,31 50,00 45,00 5,00 0,5 150,00 200,00 250,00 СОТ23
BC817-40LT1 Si НПН 0.225 50,00 45,00 5,00 0,5 150,00 200,00 250,00 СОТ23
BC846BLT1 Si НПН 0,3 80,00 60,00 6,00 0,1 150,00 300,00 290,00 СОТ23
BC846BR Si НПН 0.31 80,00 65,00 6,00 0,1 150,00 300,00 200,00 СОТ23
BC847BLT1 Si НПН 0,3 50,00 45,00 6,00 0,1 150,00 300,00 290,00 СОТ23
BC847BR Si НПН 0.31 50,00 45,00 6,00 0,1 150,00 300,00 200,00 СОТ23
BC847C Si НПН 0,2 50,00 45,00 6,00 0,1 150,00 300,00 520,00 СОТ23
BC847CLT1 Si НПН 0.3 50,00 45,00 6,00 0,1 150,00 300,00 520,00 СОТ23
BC847CR Si НПН 0,31 50,00 45,00 6,00 0,1 150,00 300,00 420,00 СОТ23
BC850 Si НПН 0.2 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 150,00 200,00 СОТ23
BC850A Si НПН 0,2 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 290,00 СОТ23
BC850B Si НПН 0.2 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 290,00 СОТ23
BC850BLT1 Si НПН 0,3 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 290,00 СОТ23
BC850BR Si НПН 0.31 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 200,00 СОТ23
BC850C Si НПН 0,2 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 520,00 СОТ23
BC850CLT1 Si НПН 0.3 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 520,00 СОТ23
BC850CR Si НПН 0,31 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 420,00 СОТ23
BCF81 Si НПН 0.35 50,00 45,00 5,00 0,1 175,00 300,00 420,00 СОТ23
BCF81R Si НПН 0,35 50,00 45,00 5,00 0,1 175,00 300,00 420,00 СОТ23
BCV47 Si НПН 0.36 80,00 60,00 10,00 0,5 150,00 170,00 10000,00 СОТ23
BCV72 Si НПН 0,35 80,00 60,00 5,00 0,1 175,00 300,00 200,00 СОТ23
BCV72R Si НПН 0.35 80,00 60,00 5,00 0,1 175,00 300,00 200,00 СОТ23
BCW66KH Si НПН 0,5 75,00 45,00 5,00 0,8 170,00 250,00 СОТ23
BCW72L Si НПН 0,225 45,00 0.1 200,00 СОТ23
BCW72LT1G Si НПН 0,225 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 200,00 СОТ23
BCW72R Si НПН 0,2 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 150,00 200,00 СОТ23
BCW81 Si НПН 0.2 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 200,00 420,00 СОТ23
BCW81R Si НПН 0,2 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 200,00 420,00 СОТ23
BCW82B Si НПН 0.225 60,00 50,00 6,00 0,1 150,00 150,00 240,00 СОТ23
BRY61 Si ПНПН 0,25 70,00 70,00 70,00 0,175 150,00 1000,00 СОТ23
BSP52T1 Si НПН 1.5 100,00 80,00 5,00 0,5 150,00 150,00 5000,00 СОТ23
BSP52T3 Si НПН 1,5 100,00 80,00 5,00 0,5 150,00 150,00 5000,00 СОТ23
BTD2150N3 Si НПН 0.225 80,00 50,00 6,00 4,00 150,00 175,00 270,00 СОТ23
BTN6427N3 Si НПН 0,225 100,00 60,00 12,00 0,5 150,00 10000,00 СОТ23
CMPT3820 Si НПН 0.35 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 200,00 СОТ23
CMPT491E Si НПН 0,35 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 200,00 СОТ23
DMBT9014 Si НПН 0.225 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 150,00 200,00 СОТ23
DNLS160 Si НПН 0,3 60,00 1,00 150,00 200,00 СОТ23
DTD123 Si Pre-Biased-NPN 0,2 50,00 0.5 150,00 200,00 250,00 СОТ23
ЭКГ 2408 Si НПН 0,2 60,00 65,00 0,3 150,00 300,00 300,00 СОТ23
FMMT493A Si НПН 0,5 60,00 1,00 150,00 500,00 СОТ23
FMMTL619 Si НПН 0.5 50,00 1,25 180,00 300,00 СОТ23
INC 5006AC1 Si НПН 0,2 100,00 50,00 7,00 3,00 150,00 250,00 400,00 СОТ23
KC817A-40 Si НПН 0,31 50,00 45,00 5,00 0.5 150,00 170,00 250,00 СОТ23
КСТ9014 Si НПН 0,2 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 150,00 200,00 СОТ23
KST9014-D Si НПН 0,2 50,00 45,00 5,00 0.1 150,00 150,00 300,00 СОТ23
KTC9014SC Si НПН 0,35 80,00 50,00 8,00 0,1 150,00 150,00 200,00 СОТ23
L2SC1623SLT1G Si НПН 0,225 60,00 50,00 7,00 0.15 150,00 250,00 270,00 СОТ23
L2SC2412KSLT1G Si НПН 0,2 60,00 50,00 7,00 0,15 150,00 180,00 270,00 СОТ23
L9014RLT1G Si НПН 0,225 50,00 45,00 5,00 0.1 150,00 200,00 СОТ23
L9014SLT1G Si НПН 0,225 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 300,00 СОТ23
L9014TLT1G Si НПН 0,225 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 400,00 СОТ23
ММБТ2484L Si НПН 0.225 60,00 0,1 250,00 СОТ23
MMBT2484LT1G Si НПН 0,225 60,00 60,00 6,00 0,1 150,00 250,00 СОТ23
MMBT945-H Si НПН 0,2 60,00 50,00 5,00 0.15 150,00 150,00 200,00 СОТ23
MMS9014-H Si НПН 0,2 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 150,00 450,00 СОТ23
MMS9014-L Si НПН 0,2 50,00 45,00 5,00 0.1 150,00 150,00 200,00 СОТ23
MSD601 Si НПН 0,2 60,00 50,00 7,00 0,1 150,00 210,00 СОТ23
PBSS4041NT Si НПН 0,3 60,00 60,00 5,00 3,8 150,00 175,00 300,00 СОТ23
PBSS4160T Si НПН 0.3 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 250,00 СОТ23
PDTC114TT Si Pre-Biased-NPN 0,25 50,00 50,00 5,00 0,1 150,00 200,00 СОТ23
PDTC143TT Si Pre-Biased-NPN 0.25 50,00 50,00 5,00 0,1 150,00 200,00 СОТ23
S9014 Si НПН 0,2 50,00 45,00 5,00 0,1 150,00 150,00 200,00 СОТ23
SBCW72LT1G Si НПН 0,23 50,00 45,00 5,00 0.1 150,00 300,00 200,00 СОТ23
SSTA28 Si НПН 0,2 80,00 80,00 12,00 0,3 150,00 200,00 10000,00 SST3 SOT23
TBC850 Si НПН 0,2 50,00 45,00 5,00 0.1 150,00 150,00 200,00 СОТ23
UN2210R Si Pre-Biased-NPN 0,2 50,00 50,00 6,00 0,1 150,00 150,00 210,00 СОТ23 СК59
UN2210S Si Pre-Biased-NPN 0,2 50,00 50,00 6,00 0.1 150,00 150,00 290,00 СОТ23 СК59
UN2215R Si Pre-Biased-NPN 0,2 50,00 50,00 6,00 0,1 150,00 150,00 210,00 СОТ23 СК59
UN2215S Si Pre-Biased-NPN 0,2 50,00 50,00 6,00 0.1 150,00 150,00 290,00 СОТ23 СК59
UN2216R Si Pre-Biased-NPN 0,2 50,00 50,00 6,00 0,1 150,00 150,00 210,00 СОТ23 СК59
UN2216S Si Pre-Biased-NPN 0,2 50,00 50,00 6,00 0.1 150,00 150,00 290,00 СОТ23 СК59
UN2217R Si Pre-Biased-NPN 0,2 50,00 50,00 6,00 0,1 150,00 150,00 210,00 СОТ23 СК59
UN2217S Si Pre-Biased-NPN 0,2 50,00 50,00 6,00 0.1 150,00 150,00 290,00 СОТ23 СК59
ZXTN07045EFF Si НПН 1,5 45,00 4,00 150,00 400,00 SOT23F
ZXTN19100CFF Si НПН 1,5 100,00 4,5 150,00 200,00 SOT23F
ZXTN25050DFH Si НПН 1.25 50,00 4,00 200,00 240,00 СОТ23
ZXTN25100DFH Si НПН 1,25 100,00 2,5 175,00 300,00 СОТ23

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Вт
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 В
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 В
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0,1 А
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 ° C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (фут): 150 МГц
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  • Корпус транзистора: SOT23

Транзистор S9014 можно заменить на KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, KTC9014, MPSA42, MPSA43, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, SS9014

3

Предусмотренный режим эксплуатации

375 Предусмотрены следующие режимы эксплуатации.

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25 ° С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ сигнала определяется при заданном сопротивлении (Rs) на частоте генерации 1 кГц.

У s9014 коэффициент шума, в параметрах широко производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим.Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Маркировка

SS9014 это один из популярных транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса «S». Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретиться с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014.Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом «j6».

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2SC1623-L6

  • Маркировка: L6
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0,2 Вт
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 В
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 В
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 А
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 ° C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (фут): 250 МГц
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623-L7

  • Маркировка: L7
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Вт
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 В
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 В
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0,1 А
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 ° C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (фут): 250 МГц
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623SLT1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Вт
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 В
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 В
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 В
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0,15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 ° C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (фут): 180 МГц
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: СОТ-23

Наименование производителя: 2SC2412-S

  • Маркировка: BS
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Вт
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 В
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 В
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 В
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0,15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 ° C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (фут): 180 МГц
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC2412KSLT1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Вт
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 В
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 В
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 В
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0,15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 ° C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (фут): 180 МГц
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: СОТ-23

Автор: Редакция сайта

.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *