Транзистор irfp260n параметры: IRFP260n характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Содержание

Транзистор IRFP260N полевой N-канальный 200V 49A корпус TO-247AC

Описание товара Транзистор IRFP260N полевой N-канальный 200V 49A корпус TO-247AC
  • Тип транзистора: N-канальный;
  • Максимальный ток «сток»-«исток»: 49A;
  • Максимальный напряжение «сток»-«исток»: 200V;
  • Тип корпуса: TO-247AC.
Отличительные особенности и преимущества транзистора IRFP260N полевой N-канальный 200V 49A корпус TO-247AC

Транзистор IRFP260N полевой N-канальный 200V 49A корпус TO-247AC выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.

Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода («сток» и «исток»), а управляющий электрод – затвор.

Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор.

Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе.

Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

Транзистор IRFP260N полевой N-канальный 200V 49A корпус TO-247AC допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.

Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.

Основные параметры транзистора IRFP260N полевого

При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.

Максимальный ток для полевого транзистора IRFP260N составляет 49A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.

Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током «исток»-«сток».

Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами «сток» и «исток». При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для рассматриваемой модели напряжение составляет 200V.

Также транзистор IRFP260N характеризуется напряжением отсечки на участке «затвор»-«исток». Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.

От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.

Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.

При проектировании схем с применением полевого транзистора IRFP260N следует учитывать:

  • чувствительность к перегреву;
  • высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.

В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.

Предпочтительный вариант — пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.

Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.

Купить транзистор IRFP260N полевой N-канальный 200V 49A корпус TO-247AC в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.

Автор на +google

Качество транзисторы irfp260n для электронных проектов Free Sample Now

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. транзисторы irfp260n на выбор в соответствии с вашими потребностями. транзисторы irfp260n являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзисторы irfp260n, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

транзисторы irfp260n состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзисторы irfp260n охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзисторы irfp260n скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзисторы irfp260n для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзисторы irfp260n на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзисторы irfp260n для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. транзисторы irfp260n на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

1.​​Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева

Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары). После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.

2. Сократите запрос

Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.

3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы

Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.

4. Не допускайте ошибок в названиях, используйте​​всегда​​оригинальное наименование​​продукта

Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».

5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски

Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская. Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».

6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!

Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!

7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке

Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.

характеристики, фото и отзывы покупателей

90оценок131заказ

5pcs IRFP260N IRFP260 IRFP260 new original

Фото от продавца

Реальные отзывы с фото (18)

4 10 ноября 2019

3 04 ноября 2019

Посылка пришла быстро, отслеживалась. Качество товара внешне хорошее, но параметры отвратительны, кристал 1*2 мм , две подложки , между основной подложкой и маленькой изолятор из пластика что негативно влияет на охлаждение кристалла. Открыл спор, продавец честно его принял, за что и звезда . Остальное на фото .

5 02 июня 2020

Разочарованный заказом на 10 штук, 3 сломанных.

5 03 июня 2020

5 01 января 1970

Заказ получил, продавец формирует и отправляет быстро, заказывал сразу несколько позиций.

5 01 января 1970

Заказом доволен.Пришло очень вовремя.Рекомендую продавца!Спасибо!

5

5

Разочарован заказом на 10 штук 3 сломаны.

5

Заказом доволен.Пришло очень вовремя.Рекомендую продавца!Спасибо!

5

Заказ получил, продавец формирует и отправляет быстро, заказывал сразу несколько позиций.

5

всё отлично спасибо большое за доставку

5

Доставка за 2 недели. Подложка и выводы тонковаты, если сравнивать с оригиналом. Проверю дополню.

5

В Питер за 38 дней в объединённой посылке. Транзисторы новые, судя по всему оригинальные. Внешний вид оригинальных — проверил все размеры штангенциркулем на соответствие даташиту. Единственное отличие по внешнему виду — выводы крайних ножек идут не по центру, а выровнены по краю. Плюс попробовал протереть корпус диода ваткой, смоченной в растворителе 646 — ничего не смывается, ни маркировка, ни чёрная краска. Параметры по транзистортестеру на картинке. Немного заниженное пороговое напряжение — 1.8V (должно быть 2-4V). Ёмкость 4.4nF, а даташите указана только типовая 4 nF, так что это придирки. В общем, решайте сами, оригинал или нет. Взял на замену в электронную нагрузку, если там сдохнет. Рекомендую.

5

На тестере транзисторов проверил. Все исправны.

5

спасибо продавцу, все отлично.

4 21 января 2021

заказывал 5 штук.

5

Продавец объединил две посылки. Добралась посылка за 17 дней. Продавца можно рекомендовать. Качество и параметры транзисторов на фото. Материал выводов медный сплав с покрытием, не магнитятся. Буду проверять работу транзисторов на стендах и под нагрузкой.

5

Отлично за транзисторы.Спасибо!

Анализ динамических процессов в однотактных преобразователях

В настоящее время с целью повышения коэффициента полезного действия (КПД) импульсных преобразователей все чаще производится замена классических кремниевых полупроводниковых элементов на более современные материалы, такие как арсенид галлия (GaAs), карбид кремния (SiC), а также нитрид галлия (GaN). Последний является наиболее перспективным материалом, т. к. обладает наименьшей величиной паразитных параметров [1, 2]. Тем не менее стоимость указанных элементов значительно превышает кремниевые аналоги, а в таких устройствах, как система электропитания космических аппаратов, их применение затруднено, поскольку еще не проведено достаточное количество испытаний, которые бы подтвердили их стойкость к излучению, возникающему в космическом пространстве. Исходя из этого можно сделать вывод, что реализация мягкого переключения при использовании классических кремниевых элементов остается актуальной задачей.

Существует множество решений, позволяющих производить включение и выключение преобразователей в нуле тока и напряжения [3–5], но не каждое из них действительно позволяет избежать потерь настолько, чтобы КПД значительно возрос. Некоторые из них приводят лишь к перераспределению мощности потерь на элементы снабберных цепей, что не только не позволит увеличить КПД, но также может привести к его снижению. В рамках данной статьи рассматриваются общие принципы формирования безопасной траектории переключения и производится оценка потерь мощности, которые возникают при использовании того или иного схемотехнического решения.

Принцип работы однотактных преобразователей без гальванического разделения схож, и динамические потери в них напрямую зависят от взаимодействия диода и транзистора, поэтому для анализа процессов достаточно выбрать любой из четырех видов преобразователей (понижающий, повышающий, инвертирующий, схема Кука). Остановим внимание на понижающем (НПН1) и повышающем (НПН2) преобразователях (рис. 1) как на наиболее распространенных при проектировании вторичных источников электропитания.

Рис. 1. Однотактные преобразователи напряжения без гальванического разделения:
а) НПН1;
б) НПН2

В классических схемах НПН (непосредственный преобразователь напряжения) потери возникают в процессе включения и выключения силового транзистора. В момент его отпирания возникает кратковременное короткое замыкание, вызванное наличием емкости «сток–исток» MOSFET (наиболее распространенный на сегодня тип транзисторов), а также барьерной емкости силового диода. Величина этих емкостей и будет определять динамику НПН [6].

Для оценки потерь необходимо произвести выбор силовых элементов — транзистора и диода. Для этого примем следующие условия:

  • мощность преобразователя составляет 400 Вт;
  • напряжение питания 50 В;
  • частота преобразования 100 кГц;
  • скважность 50%.

Учет статических потерь на дросселе и конденсаторе проводиться не будет, т. к. во всех режимах (мягкая и жесткая коммутация) они будут идентичны и не представляют интереса. Параметры элементов приведены в таблице 1.

Таблица 1. Параметры силовых элементов

Транзистор IRFP260N

Сопротивление канала, мОм

40

Максимальное напряжение «сток–исток», В

200

Время, нс

нарастания

60

спада

48

Входная емкость, пФ

4057

Диод HFA50PA60C

Максимальное обратное напряжение, В

600

Максимальный прямой ток, А

50

Время обратного восстановления, нс

23

При указанных параметрах потери в режиме жесткой коммутации приведены в таблице 2.

Таблица 2. Результаты расчета ПН в режиме жесткой коммутации

 

НПН1

НПН2

Статические потери, Вт

Транзистор

5

1,3

Диод

14

7

Динамические потери, Вт

3,2

7,5

КПД, %

94,7

95,6

На величину статических потерь можно повлиять, только заменив элементную базу, в то время как проблема динамических потерь решается формированием безопасной траектории переключения полупроводниковых приборов [7].

Алгоритм работы всех последующих схем рассматривается поверхностно, внимание акцентируется на динамических потерях, возникающих при использовании снабберных цепей. Все выводы получены на основании моделирования, макетирования, а также математических расчетов. Более детально с алгоритмом работы каждой из схем можно ознакомиться по ссылкам, указанным в списке использованных источников.

 

Пассивная снабберная цепь

Наиболее простым решением, позволяющим произвести включение силового транзистора в нуле тока, а выключение — в нуле напряжения, является пассивная снабберная цепь, один из вариантов формирования которой приведен на рис. 2 [8].

Рис. 2. НПН1 с пассивной снабберной цепью

Принцип работы указанной цепи достаточно прост: при отпирании силового транзистора VT1 нарастание тока происходит с задержкой, которая определяется величиной снабберного дросселя La, через который происходит заряд снабберных конденсаторов Ca и Cb. При запирании происходит разряд этих емкостей, что приводит к плавному нарастанию напряжения. Таким образом, в идеальном случае динамические потери должны полностью отсутствовать.

Тем не менее, при рассмотрении рис. 2 видно, что на схеме присутствуют снабберные диоды VDa, VDb и VDc, которые также обладают паразитными параметрами, а именно — барьерной емкостью. Эта емкость определяет потери в момент отпирания силового транзистора VT1. В данном случае в схеме возникает короткозамкнутый контур Cin-VT1-VDa-VDb-VDc-Cin. Предполагается, что диоды снабберной цепи обладают лучшими динамическими характеристиками, чем силовой диод, но на сегодня характеристики маломощных и силовых диодов достаточно близки, если речь идет о мощностях, не превышающих 1–1,5 кВт, поэтому в источниках электропитания низкой и средней мощности данная цепь не даст желаемого эффекта. Более того, КПД схемы снизится по отношению к режиму жесткой коммутации, т. к. возникнут потери в снабберном дросселе La, ток в котором примерно равен току через силовой транзистор VT1.

В данном случае общие потери будут определяться статическими потерями на силовом транзисторе и диоде, а также динамическими потерями в снабберной цепи. В качестве снабберных лучше всего выбирать быстродействующие диоды, т. к. они обладают наилучшими динамическими характеристиками (табл. 3).

Таблица 3. Параметры быстродействующего диода SF56

Снабберные диоды SF56

Максимальное обратное напряжение, В

400

Максимальный прямой импульсный ток, А

150

Время обратного восстановления, нс

35

По данным таблицы 3 можно понять, что даже быстродействующий диод имеет время обратного восстановления несколько худшее, чем тот же параметр для силового диода, при этом найти диод с лучшими характеристиками не удалось. Очевидно, это приводит к увеличению динамических, а также к незначительному росту статических потерь (табл. 4).

Таблица 4. Потери в НПН1 с пассивной снабберной цепью

Статические потери, Вт

Транзистор

5

Диод

14

Динамические потери, Вт

4,2

КПД, %

94,5

Практические результаты показали, что даже применение SiC-диодов в снабберной цепи не позволяет повысить КПД. Хотя, согласно технической документации, эти диоды имеют время обратного восстановления, равное 0, паразитная емкость все же существует и сквозной ток возникает.

Существуют различные способы реализации пассивных цепей, но каждый из них подразумевает наличие дросселя, накопительных конденсаторов, которые могли бы перехватить энергию в момент коммутации, и диодов, обеспечивающих сброс накопленной энергии [8]. Потери в каждом из этих способов примерно одинаковы.

 

Снабберная цепь с дополнительным транзистором

Вариант реализации данной схемы на основе НПН2 представлен на рис. 3 [4]. Данный способ интересен тем, что позволяет отпирать силовой транзистор в нуле напряжения, то есть паразитная емкость «сток–исток» к моменту открытия ключа VT1 полностью разряжена, что исключает возникновение короткого замыкания, а также разряд емкости на сопротивление канала транзистора. Транзистор VTдоп открывается до VT1, в этом случае ток протекает через обратный диод силового транзистора, и паразитная емкость «сток–исток» разряжается. Амплитуда тока в дросселе La, а также время открытого состояния VTдоп определяются параметрами резонансной цепи LaCa. Так как в схеме присутствует дополнительный ключ VTдоп, который также обладает паразитными параметрами, короткое замыкание возникает через него. Он отпирается в нуле тока, т. е. при заряженной емкости «сток–исток».

Рис. 3. Повышающий преобразователь с активной снабберной цепью

Дополнительный транзистор выбирается исходя из минимальной паразитной емкости и максимального импульсного тока. На первый взгляд, трудностей возникать не должно, но очень многое определяет диапазон регулирования НПН, т. е. максимальное и минимальное значение скважности, при котором преобразователь функционирует. В крайних режимах работы наличие снабберной цепи вносит ограничения, поскольку протекание резонансного процесса требует времени, которое во многом определяется величиной снабберного дросселя. При малом значении индуктивности значительно расширяется диапазон регулирования, но возрастает величина импульсного тока. Чем больше этот ток, тем меньше должно быть сопротивление канала снабберного транзистора, а значит, возрастает величина паразитной емкости.

Для оценки потерь необходимо произвести выбор дополнительного транзистора. Рассмотрим два случая:

  • транзистор обладает достаточно большим сопротивлением канала 0,2 Ом, но малым временем включения — 18 нс;
  • параметры дополнительного и силового транзисторов идентичны — 60 нс/40 мОм.

Потери мощности, возникающие при импульсном токе порядка 30 А, что соответствует длительности переходного процесса в резонансной цепи около 300 нс, приведены в таблице 5.

Таблица 5. Потери мощности при использовании снабберной цепи с дополнительным транзистором

 

Дополнительный транзистор, нс/мОм

18/200

60/40

Статические
потери, Вт

Силовой транзистор

1,3

Дополнительный транзистор

6,2

1,3

Диод

7

Динамические потери, Вт

8,4

10,1

КПД, %

94,2

95,4

Как показано в таблице, при использовании транзистора с малым сопротивлением канала КПД будет выше, т. е. определяющими являются статические потери. Введение снабберной цепи не только не принесло значимых положительных результатов, но и снизило КПД, поскольку статические потери значительно возросли, при этом сохранились динамические потери. Динамические потери примерно в пять раз выше статических (10,1 Вт к 1,3 Вт), т. е., исключив из схемы снабберные диоды, можно получить прирост КПД примерно на 0,9%.

 

Снабберная цепь с дополнительным транзистором и последовательным резонансным контуром

В данном случае (рис. 4) снабберные диоды отсутствуют, а контур подключается до отпирания основного транзистора VT1, в результате силовой ключ отпирается в нуле напряжения (как и в предыдущей схеме). И хотя дополнительный ключ отпирается в нуле тока, в схеме отсутствуют снабберные диоды, которые бы обеспечили возникновение короткозамкнутого контура. То есть динамические потери определяются разрядом паразитной емкости на сопротивление канала дополнительного ключа, в этом случае потери составляют единицы-десятки милливатт, и ими можно пренебречь.

Рис. 4. НПН2 с дополнительным транзистором и последовательным резонансным контуром

Результаты расчета потерь схемы на рис. 4 приведены в таблице 6.

Таблица 6. Потери мощности при использовании снабберной цепи с дополнительным транзистором и последовательной резонансной цепью

Статические потери, Вт

Силовой транзистор

1,3

Дополнительный транзистор

1,1

Диод

7

КПД, %

97,7

Особенностью данной цепи является то, что она может применяться как в повышающем, так и в понижающем преобразователе без внесения каких-либо изменений.

Хотя схема, приведенная на рис. 4, показала наилучшие результаты по КПД, тем не менее она также не лишена недостатков. Выбор транзистора затруднен значительно возросшим напряжением, прикладываемым к дополнительному ключу. В зависимости от величины индуктивности оно может достигать 3–4Vs (voltage source), что недопустимо при высоком питающем напряжении.

Анализируя принцип работы множества схем, обеспечивающих мягкую коммутацию, можно прийти к выводу, что для достижения наилучших показателей транзисторы необходимо коммутировать исключительно в нуле напряжения, когда их паразитная емкость «сток–исток» разряжена.

 

Квазидвухтактная схема

Схема на рис. 5 является одновременно понижающим и повышающим преобразователем (buck-boost converter), но алгоритм работы ключей сформирован таким образом, что обеспечивается коммутация в нуле напряжения для всех четырех ключей. Подробно алгоритм работы данной схемы рассмотрен в [9].

Рис. 5. Buck-boost converter

Такого рода преобразователь можно условно назвать квазидвухтактным, т. к. он работает как однотактный, но создается дополнительный контур, который позволяет току беспрепятственно циркулировать, не обрываясь.

В этом преобразователе динамические потери стремятся к нулю, поэтому КПД будет определяться статическими потерями, но, в отличие от предыдущих схем, на четырех транзисторах. Потери будут меняться в зависимости от того, какой режим необходимо получить. Ограничимся рассмотрением режима повышающего преобразователя. Тогда суммарные потери составят порядка 20 Вт, что примерно равно потерям в схеме с дополнительным транзистором и последовательным резонансным контуром. То есть КПД будет равен 97,5%, но, в отличие от предыдущей схемы, на транзисторах не будет возникать перенапряжения.

 

Заключение

В статье рассмотрены базовые принципы построения снабберных цепей, большинство существующих схем работают в соответствии с рассмотренными алгоритмами, а потому имеют практически идентичные характеристики.

Подводя итоги, можно сказать, что применение однотактных схем с мягкой коммутацией зачастую не приносит положительного эффекта. При низкой мощности преобразователя применяются MOSFET, которые обладают хорошим быстродействием, в этом случае статические потери преобладают над динамическими, и даже если динамические потери удается устранить, КПД возрастает незначительно.

Схемы мягкой коммутации в однотактных НПН разрабатываются для частных случаев и больше подходят для мощных преобразователей (свыше 5 кВт), где применяются IGBT-модули с плохими динамическими характеристиками. В этом случае применение быстрых MOSFET или же быстродействующих диодов в качестве элементов снабберных цепей значительно повысит КПД устройства.

В отличие от однотактных схем квазидвухтактная может применяться для любых мощностей, при этом прирост КПД будет иметь место. Тем не менее она также имеет недостатки. Как и любая схема, обеспечивающая мягкое переключение транзисторов, квазидвухтактная имеет ограниченный диапазон регулирования, поскольку в первую очередь ток должен протекать через обратные диоды транзисторов, что требует небольшой задержки при переключении, и, как следствие, повышение частоты ограничено дискретизацией системы управления, т. е. минимальным шагом при регулировании ШИМ. В настоящий момент наилучшими характеристиками обладают программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС), что делает разработку системы управления непростой задачей

Литература
  1. В. Гавриков. Мощные нитрид-галлиевые транзисторы (GaN) от EPC — конец эры кремния? // Новости электроники. 2015. № 7.
  2. Д. Меджахед, Д. Цветков. «Идеальные диоды» от компании STMicroelectronics // Новости электроники. № 14.
  3. Bodur H. A new ZVT-ZCT-PWM DC-DC converter // IEEE Trans. Power Electron. 2010. Vol. 25. № 8.
  4. Altintas N. A Novel ZVT-ZCT-PWM Boost Converter // IEEE Transactions on Power Electronics. Vol. 29. № 1.
  5. Мелешин В. И. Управление транзисторными преобразователями электроэнергии. М.: Техносфера, 2011.
  6. Воронин П. А. Силовые полупроводниковые ключи. Семейства, характеристики, применение. М.: Изд. дом Додэка–ХХ1, 2001.
  7. А. Н. Селяев, И. Е. Гребенев, А. Н. Лапин, В. В. Шкоркин. Электромагнитная совместимость устройств промышленной электроники. Руководство к организации самостоятельной работы. Томск: ТУСУР, 2007.
  8. Bodue, A. Faruk Bakan. An improved ZCT-PWM DC-DC Converter for high-power and frequency applications // IEEE Transactions on industrial electronics. 2004. Vol. 51, № 1.
  9. Waffler, J. W. Kolar. A novel low-loss modulation strategy for high-power bidirectional buck+boost converters // IEEE Trans. Power Electron. 2009. Vol. 24. № 6.

характеристики, аналоги, цоколевка и datasheet

В данном разделе приведём технические характеристики MOSFET транзистора IRF510. Разработан данный полевик специально для использования там, где важна высокая скорость переключения. Например, его можно встретить в импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями постоянного и переменного тока и в других импульсных схемах. Этим устройством можно управлять напрямую от интегральных микросхем или микроконтроллеров.

Цоколевка

Большинство компаний занимающихся выпуском данного прибора изготавливают его в корпусе ТО-220АВ. На рисунке ниже изображена цоколевка IRF510 (расположение ножек) транзистора. Здесь цифрой 1 обозначен затвор, 2 – сток, 3 – исток. Этот прибор в других корпусах не производится.

Технические характеристики IRF510

  • предельно допустимое напряжение между стоком и истоком VDS = 100 В;
  • допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком VGS = ±20 В;
  • максимально возможный постоянный ток стока при температуре +25ОС ID = 5,6 А;
  • предельно возможный пиковый (импульсный) ток стока I = 20 А;
  • максимальная рассеиваемая мощность (PD) — 43 Вт;
  • температура хранения от — — 55 до +175 °C;
  • максимальная температура кристалла – +175 °C;

Кроме рассмотренных выше максимально допустимых параметров, разработчику нужно также знать и электрические характеристики используемого прибора. Фирмы, выпускающие рассматриваемое нами устройство размещают их сразу после предельно допустимых. Значения, приведённые в таблице ниже, были измерены при температуре +25ОС. Значения остальных физических величин, при которых производились измерения, приведены в отдельном столбце.

В документации от производителей можно также найти тепловые характеристики. Их нужно учитывать при выборе системы охлаждения для проектируемого устройства.

Аналоги

Транзисторы считающиеся полными аналогами IRFP260N, это те, которые подходят как по своим предельно допустимым и электрическим характеристикам, так и по расположению выводов:

  • D84BL1;
  • D84BL2;
  • MTP4N08;
  • MTP4N10.

Существуют также приборы, у которых расположение ножек полностью идентично, но имеются незначительные различия в электрических величинах. Прежде чем использовать такие устройства нужно определить в какой схеме, и для каких целях будет использоваться устройство. Список ближайших аналогов:

  • RFP6P08;
  • RFP6P10;
  • STP7NE10.

В случае, если найти один из перечисленных выше устройств проблематично, можно попытаться заменить его на функциональный аналог. В этом случае транзисторы входят в одну функциональную группу и обладают похожими характеристиками. В таком случае, при замене, может потребуется изменить положение элемента на монтажной плате. Перечислим данные приборы:

  • 2SK2399;
  • RFP2N08;
  • RFP2N08L;
  • RFP2N10;
  • RFP2N10L;
  • 2SK2399.

Отечественная промышленность также выпускает похожие изделия: КП510 и КП743А.

Производители

Ниже представлен список компаний производителей и их datasheet на IRF510:

На Российском рынке можно встретить продукцию таких зарубежных фирм:

IRFP260N Infineon Technologies

200V 50A/25°C 35A/100°C 40mO *S , Rthjc

Основная информация:

Маркировка изготовителяIRFP260NPBF 
Type of casing:THT 
Kейс:TO-247AC-3 
KategorieFET N-Channel 
Тип компонента:THT 
Конфигурация:single Transistor 
Тип материала:!_si-silicon_! 
RoHSДа 
REACHHет 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Упаковка и вес:

Единица:штук 
Вес:7.2 [g]
Тип упаковки:TUBE 
Малый пакет (количество единиц):25 
Большой пакет (коробка):
Поддон (количество единиц):

Электрофизические параметры:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)50 [A]
Idc max(Tc/Ta=25°C)50 [A]
Idc max(Tc/Ta=100÷109°C)35 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)300  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)40 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)268 [ns]
Qg (Total Gate Charge)234 [nC]
Cin/CL Load Capacitance4057 pF

Тепловые и механические параметры:

Tmin (mинимальная рабочая температура)-55 [°C]
Tmax (mаксимальная рабочая температура)175 [°C]
Rthjc (case)0.5 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]
Number of Pins
ПИН-Размеры выводов0.00 [mm]
Техническое описание

IRFP260N — Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым транзистором на 200 В в TO-247AC

10DL2C48A : высокоэффективный диодный стек кремниевого эпитаксиального типа.

2SB1027 : Кремниевый PNP эпитаксиальный. Приложение Элемент Напряжение от коллектора к базе Напряжение от коллектора к эмиттеру Напряжение от эмиттера к базе Коллекторный ток Пиковый ток коллектора Рассеиваемая мощность коллектора Температура перехода Температура хранения Символ VCBO VCEO VEBO IC iC (пиковая) * * Tj Tstg Примечания: PW 10 мс, рабочий цикл 20% 2 .Значение на глиноземно-керамической плите мм) Позиция Коллектор до поломки основания.

2SK2647-01MR : N-канальный MOSFET.

2SK3430-Z : Импульсный N-канальный силовой полевой МОП-транзистор для промышленного использования. 2SK3430 — это N-канальный МОП-полевой транзистор, предназначенный для коммутации больших токов. Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии: 7,3 м МАКС. (VGS 15 м MAX. (VGS = 40 A) Встроенный защитный диод затвора Сток к напряжению источника От затвора к напряжению источника Ток утечки (DC) Ток стока (импульс) Общая рассеиваемая мощность (TC = 25C) Общая рассеиваемая мощность.

95SQ015 : от 5 до 100 ампер. Дискретный диод Шоттки 15В 9А в корпусе DO-204AR. IF (AV) Прямоугольная форма волны VRRM IFSM 5 с синусоидальный @ 9 Apk, = 75 ° C, диапазон C Осевой выпрямитель Шоттки 95SQ015 был оптимизирован для сверхнизкого прямого падения напряжения специально для соединения параллельных источников питания. Запатентованная барьерная технология обеспечивает надежную работу при температуре перехода 100 ° C. Типичные приложения работают параллельно.

CV7775-O : Доступны варианты досмотра = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = TO39 (TO205AD) ;; Vceo = 40V ;; IC (продолжение) = 1A ;; HFE (мин) = 20 ;; HFE (макс.) = 60 ;; @ Vce / ic = 10 В / 150 мА ;; FT = — ;; PD = 5Вт.

DCR1475SV : 2805a Тиристор с дисковым управлением фазой, 2800 В. КЛЮЧЕВЫЕ ПАРАМЕТРЫ VDRM IT (AV) ITSM dVdt * dI / dt 1000V / s 300A / s Для получения дополнительной информации см. Детали пакета. Рис. 1 Схема корпуса Номер детали Повторяющиеся пиковые напряжения VDRM VRRM DCR1475SV30 3000 Tvj до 125C. IDRM = IRRM = 250 мА. VDRM, VRRM 10 мс 1/2 синус. VDSM и VRSM = VDRM и VRRM + 100 В соответственно. Условия При заказе выберите необходимую деталь.

HN3G01J : N-канальный полупроводниковый кремниевый NPN эпитаксиальный транзистор переходного типа.

SBR60150 : Выпрямитель Шоттки, упаковка: DO-5.

SPP80N06S2-07 : например, OptiMOS®. Характеристика Режим улучшения 175 ° C рабочая температура Номинальный dv / dt Максимальные номинальные характеристики, = 25 ° C, если не указано иное Символ SPI80N06S2-07 SPP80N06S2-07, SPB80N06S2-07 Тепловые характеристики Параметр Характеристики Тепловое сопротивление, переход — корпус Тепловое сопротивление, переход — окружающая среда, Версия с выводами SMD, устройство на плате: электрическое.

TP2535 : MOSFET режима расширения (включает MOSFET с низким порогом).TP2535 TP2540 Низкопороговые вертикальные полевые транзисторы DMOS в режиме расширения P-канала BVDSS / BVDGS -350V -400V RDS (ON) (макс.) 25 VGS (th) (max) -2,4V ID (ON) (min) -0,4A Номер для заказа / Упаковка TO-243AA * TP2540N8 Die TP2540ND Продукт поставляется на барабанах с несущей лентой по 2000 штук. Доступен визуальный контроль MIL. Нижний порог -2,4 В макс. Высокое входное сопротивление Низкая входная емкость.

CDLL5955B : 1,5 Вт, КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ, DO-213AB. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ.

FA0h204Z : КОНДЕНСАТОР, ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ, 5,5 В, 100000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Технология: ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ; Приложения: общего назначения; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 100000 мкФ; Допуск емкости: 80 (+/-%); WVDC: 5,5 вольт; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

NE650R479A-T1-A : S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET. s: Полярность: N-канал; Тип корпуса: 79А, 4 контакта; Количество блоков в ИС: 1.

PA0801 : ВЧ ТРАНСФОРМАТОР 0,2 МГц — 0,7 МГц. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: RF; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -40 до 125 C (от -40 до 257 F).

RSD100N10TL : 10 А, 100 В, 0,147 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 100 вольт; rDS (вкл.): 0,1470 Ом; Тип корпуса: CPT3, SC-63, 3 контакта; Количество блоков в ИС: 1.

WF08P1000FT : РЕЗИСТОР, 0.25 Вт, 1%, 100 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0805. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0805, CHIP; Диапазон сопротивления: 100 Ом; Допуск: 1 +/-%; Номинальная мощность: 0,2500 Вт (3,35E-4 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока: 150 вольт; Рабочая температура: от -55 до 155 C (от -67 до 311 F).

334SML050M : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 50 В, 0,33 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 0.3300 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Ток утечки: 3 мкА; СОЭ: 703340 миллиом; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

933932320215 : 500 мА, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: пластик, SST3, SMD, 3 контакта.

Как читать лист данных силового полевого МОП-транзистора

Одна из моих любимых досад — когда мои коллеги-инженеры неверно истолковывают спецификации компонентов. В последнее время это происходило несколько раз в отдельных случаях, и все они были связаны с силовыми полевыми МОП-транзисторами.Так что пора мне заняться своей мыльницей. Послушай!

Я собирался опубликовать статью о том, как вообще читать таблицы компонентов. Но МОП-транзисторы — хорошее место для начала, и они немного более конкретны. Я не первый, кто пишет что-то о том, как читать таблицы данных; вот еще несколько хороших статей:

Что такое лист данных?

Это может показаться глупым вопросом, но что такое таблица данных? Это документ, описывающий поведение, внешний вид, производительность и ограничения компонента, заявленные производителем.

Хорошо, что это значит?

Ну, вы действительно должны прочитать мелкий шрифт. Информация в техническом описании — например, что IRFP260N R DS (on) имеет максимум 0,04 Ом при V GS = 10 В, I D = 28 A при температуре перехода 25 ° C, — иск , иск . Это , а не гарантия или гарантия , если производитель не говорит об этом, и для такого рода вещей (a) вы должны прочитать мелкий шрифт, и (b) Я не юрист, поэтому не принимайте мои советы как евангелие, ищите своего собственного юриста.У каждого производителя полупроводников есть свой мелкий шрифт, например, вот выдержки из некоторых из них:

Фэирчайлд:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ОСТАВЛЯЕТ ЗА ПРАВО ВНЕСЕНИЕ ИЗМЕНЕНИЙ БЕЗ ДАЛЬНЕЙШЕГО УВЕДОМЛЕНИЯ В ЛЮБЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ ЗДЕСЬ НАДЕЖНОСТЬ, ФУНКЦИЯ ИЛИ ДИЗАЙН. FAIRCHILD НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВОЗНИКАЮЩЕЙ ИЗ ПРИЛОЖЕНИЯ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЛЮБОГО ИЗДЕЛИЕ ИЛИ ЦЕПЬ, ОПИСАННЫЕ ЗДЕСЬ; ОН НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ НА СВОИ ПАТЕНТНЫЕ ПРАВА, ИЛИ ИНЫЕ ПРАВА.ДАННЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НЕ РАСШИРЯЮТ СРОКИ И УСЛОВИЯ FAIRCHILD ДЛЯ ВСЕМИРНЫХ УСЛОВИЙ, В частности, ГАРАНТИЮ. ТАМ, КОТОРЫЕ РАСПРОСТРАНЯЮТСЯ ДАННЫМИ ПРОДУКТАМИ.

NXP:

Общие сведения — Информация в этом документе считается точной и надежный. Однако NXP Semiconductors не делает никаких заявлений или гарантии, выраженные или подразумеваемые, в отношении точности или полноты таких информации и не несет ответственности за последствия использования такой Информация.

Вишай:

Vishay не несет никакой ответственности, возникающей в связи с использованием или применением любого продукта, описанного здесь, или любого информация, предоставленная здесь, в максимальной степени, разрешенной законом. Технические характеристики продукта не расширяются и не иным образом изменять условия покупки Vishay, включая, помимо прочего, выраженную гарантию в них, которые относятся к этим продуктам.

TI:

TI гарантирует производительность своих компонентов в соответствии со спецификациями, действующими на момент продажи, в соответствии с гарантией, изложенной в условиях продажи полупроводниковой продукции TI.Испытания и другие методы контроля качества используются в той степени, в которой TI считает необходимым для поддержки данной гарантии. За исключением случаев, предусмотренных действующим законодательством, тестирование всех параметров каждого компонента не обязательно выполняется

Микрочип:

Информация об устройстве, содержащаяся в данной публикации. приложения и тому подобное предоставляется только для вашего удобства и могут быть заменены обновлениями. Вы обязаны убедитесь, что ваше приложение соответствует вашим спецификациям.МИКРОЧИП НЕ ДАЕТ НИКАКИХ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ ИЛИ ЛЮБЫЕ ГАРАНТИИ, ЯВНЫЕ ИЛИ ЯВНЫЕ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ, ПИСЬМЕННЫЕ ИЛИ УСТНЫЕ, ЗАКОННЫЕ ИЛИ В противном случае, ОТНОСИТЕЛЬНО ИНФОРМАЦИИ, ВКЛЮЧАЯ, НО НЕ ОГРАНИЧИВАЯСЬ ​​ЕГО СОСТОЯНИЕМ, КАЧЕСТВО, РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ТОВАРНАЯ ЦЕННОСТЬ ИЛИ ПРИГОДНОСТЬ ДЛЯ ЦЕЛЕЙ.

И в технических характеристиках IR ничего не сказано, кроме «Данные и спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления».

Так что же делать инженеру? Лучшее, что я могу понять в этом — и опять же, я , а не юрист — это то, что таблица данных по сути является уверенным утверждением информации об устройстве, но без каких-либо юридических гарантий, подтверждающих ее, по крайней мере, не на основе таблицы данных. .

Например, IR уверен, что если вы поднимете напряжение затвора на 10 В выше напряжения источника IRFP260N и позволите току 28 А от стока к истоку при температуре перехода 25 ° C, то сопротивление в открытом состоянии будет не более 0,04 Ом. На практике это означает, что производитель выполняет характеристики и испытания, иногда для каждого компонента, который он производит, иногда нет. Это дает им гистограммы рабочих характеристик устройств, которые они производят.Если они проверяют каждое устройство и находят одно, превышающее установленные ограничения, от него отказываются. У производителя достаточно информации, так что со статистической точки зрения вероятность того, что устройство будет иметь характеристики, превышающие технические характеристики, очень мала. Они не скажут вам эту вероятность. Но он маленький; возможно, одно из миллиарда устройств может превышать спецификации.

Если вам нужна юридическая гарантия, она должна быть частью условий продажи, когда вы покупаете детали у производителя.Если вы крупная компания и покупаете детали на миллионы долларов у производителя полупроводников, возможно, вам удастся договориться о гарантии. Остальным из нас (а чаще всего мы даже не покупаем напрямую у производителя, мы покупаем у дистрибьюторов) просто нужно доверять производителям. Фуи.

С другой стороны, производители полупроводников действительно хотят отстаивать свой фирменный стиль, поэтому, если вы обнаружите деталь, не отвечающую его спецификациям, они захотят узнать, чтобы понять, почему, и убедиться в этом. больше не повторится.Но есть вероятность, что вы не соблюдали все правила, указанные в таблице; возможно, вы перегрели устройство или поразили его электростатическим разрядом. И в этом случае все ставки отключены — как только вы превысите рейтинг, нет никакой гарантии, что устройство будет работать. Я готов поспорить, что вы обедаете в любой день недели, что деталь соответствует спецификациям в техническом описании.

Ладно, хватит юридической чуши. Помните, я не юрист.

Несколько примеров

Просто для чего-то более осязаемого, давайте взглянем на несколько таблиц данных MOSFET.Все это N-канальные устройства:

  • IRFP260N (200 В 40 мОм TO-247AC), International Rectifier (теперь часть Infineon)
  • FQA70N15 (150 В 28 мОм TO-3PN), Fairchild Semiconductor
  • SUP85N15 (150 В 21 мОм TO-220AB), Vishay Siliconix
  • PSMN035-150P (150 В 35 мОм TO-220AB), NXP
  • MCP87130 (25 В 13,5 мОм 5×6-PDFN), Microchip Technology
  • CSD18542KCS (60 В 3,3 мΩ TO-220), Texas Instruments

Первые три из этих документов соответствуют «классическому» формату таблицы данных MOSFET, который компания International Rectifier представила в 1980-х годах в своей линейке устройств HEXFET.Техническое описание IR MOSFET представляет собой 8-страничный документ, который описывает почти с литургической регулярностью всю информацию, которую производитель хочет, чтобы вы знали о конкретном устройстве.

Пирог Jesu Domine
R dson — семь Ом ….

Таблица данных MOSFET от IR содержит эти разделы в следующем порядке:

  1. Общее описание, включая напряжение, сопротивление в открытом состоянии, номинальные токи и информацию об упаковке
  2. Таблица абсолютных максимальных значений
  3. Таблица параметров термического сопротивления
  4. Таблица электрических характеристик
  5. Рисунки, в том числе
    • Графики типовых характеристик
    • Схемы испытательных цепей
  6. Информация о пакете

Большинство производителей MOSFET следовали этой организации.8-страничная таблица данных — это неплохо, потому что, если у вас есть любимые компоненты, вы можете распечатать их как двухсторонние двусторонние документы на двух страницах бумаги и поместить их в папку с тремя кольцами. Зовите меня олдскулом, но мне легче читать таблицу на бумаге, чем на экране компьютера.

Затем Philips Semiconductor (ныне NXP) нарушил условность и сделал свое дело. То же самое и в таблицах данных NXP, но в другом порядке, и поэтому их не так легко сравнивать бок о бок, если вы пытаетесь выбрать полевой МОП-транзистор.Фуей на них.

Спецификация игры

Хорошо, теперь пора сыграть в Спецификационную игру.

В таблице данных есть несколько типов информации. Некоторые из них не связаны со спецификациями производительности, поэтому мы не будем о них здесь говорить:

  • информация о нумерации деталей : например, суффикс TR номера детали может указывать на ленту и катушку, а суффикс Q может означать, что используется для автомобилей.
  • информация о пакете : например, это пакет TO-247AC, отмеченный определенным образом.
  • поведенческие характеристики : Микроконтроллеры полны этих характеристик; например, адреса 0x4000 и 0x4002 содержат 16-битные регистры TMRFOO и TMRBAZ , которые определяют периоды таймеров для таймеров FOO и BAZ. Таблицы данных MOSFET не содержат таких спецификаций; вместо этого MOSFET — это абстрактное понятие, которое имеет определенные общие особенности. Производители стараются поддерживать такое поведение и часто публикуют о них отдельные заметки по применению.Например:
    • IR AN1084 Power MOSFET Basics
    • IR AN936 Что можно и чего нельзя делать при использовании МОП-транзисторов
    • IR AN937 Характеристики привода затвора и требования для силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET®
    • IR AN941 МОП-транзисторы для параллельной работы
    • IR AN944 Использование заряда затвора для разработки схемы управления затвором для силовых MOSFET и IGBT
    • IR AN947 Общие сведения о коммутационных характеристиках HEXFET®
    • IR AN949 Текущие рейтинги силовых полупроводников и теплового оборудования
    • IR AN957 Измерение характеристик полевого МОП-транзистора HEXFET®
    • IR AN976 Понимание и использование данных о надежности силовых MOSFET
    • IR AN1005 Power MOSFET Руководство по проектированию лавинных полевых транзисторов
    • IR AN1012 Рекомендации по монтажу для Power Semiconductor Packages International Rectifier
    • IR Моделирование системы AN1040 с использованием квазидинамической модели силового полевого МОП-транзистора
    • Fairchild AN558 Введение в силовые полевые МОП-транзисторы и их приложения
  • информация о приложении : Таблицы данных National Semiconductor содержат, вероятно, лучшие примеры информации о приложениях — небольшие фрагменты образцов схем для операционных усилителей и регуляторов напряжения.Посмотрите на стр. 15-23 таблицы данных LM358, например. В таблицах данных MOSFET их нет.
  • юридическая информация
  • контактная информация (адрес производителя / телефон / сайт производителя)
  • маркетинговый мусор ( ”HEXFET пятого поколения от International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы HEXFET for, предоставляет разработчикам чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.”)

Остальные биты информации попадают в одну из четырех категорий. Я покажу пример каждого из них из таблицы данных IRFP260N:

  • маркетинговое резюме
  • абсолютный максимум
  • технические характеристики
  • графики характеристик

Добро пожаловать в игру по спецификациям! Сначала вы увидите маркетинговую сводку. Маркетинговая сводка — это то, что отображается в верхней части таблицы.Он содержит несколько ключевых выдержек из подробных спецификаций, упомянутых ниже. Не доверяйте ничему, что перечислено здесь, , если вы не можете проверить это в более поздних спецификациях.

Это неофициальные заявления. Это спецификации , а не , потому что здесь недостаточно информации, чтобы сказать, что они говорят. Например, «V DSS = 200V» означает, что напряжение пробоя сток-исток составляет минимум 200 В при заданном токе и температуре, но вы не найдете этих подробностей, если не посмотрите в спецификации. .Некоторые производители указывают типовые значения, некоторые — минимальные или максимальные.

В следующем разделе рассматриваются абсолютные максимальные характеристики устройства.

Это таблица, в которой указано, чего нельзя делать, если вы ожидаете, что устройство будет работать. Если вы превысите любое из этих значений в любое время, Game Over. В этом случае производитель не дает никаких гарантий относительно поведения устройства в любое время после превышения абсолютных максимальных значений. МОП-транзистор может быть поврежден.Это может сработать. Это может работать с пониженной производительностью. Он может стать зеленым или начать танцевать, шепча «Бутон розы!», Хотя это маловероятно. Вы просто не знаете. В случае IRFP260N имеется 13 позиций. Я рассмотрю их более подробно позже в этой статье.

Итак, чтобы играть в игру со спецификациями, вы должны быть готовы удостовериться, что максимальные рейтинги никогда не превышаются. НИКОГДА.

И даже в этом случае могут быть обстоятельства, при которых устройство не будет соответствовать остальным характеристикам: например, при воздействии радиации, химических веществ, электростатического разряда или повышенной влажности.

Следующий раздел — самый важный — таблица или таблицы спецификаций.

Таблицы спецификаций

содержат три важных элемента:

  • описание (символ и имя) параметра
  • числовая спецификация, включая единицы
  • условия, при которых спецификация действительна.

Описание сообщает вам, что это за параметр, и если вы что-то знаете о полевых МОП-транзисторах, они имеют более или менее стандартные значения.

Числовая спецификация говорит вам об одном из трех. Если это минимум или максимум, это заявленный предел, и если вы доверяете производителю (в большинстве случаев должны) и оставались в пределах всех абсолютных максимальных оценок, то вы можете ожидать, что поведение вашего устройства будет выше или ниже указанный предел. Большой!

Если числовая спецификация представляет собой типичное значение , это мало что вам говорит, просто нечеткое число, которое производитель предлагает использовать в некоторых случаях, потому что вы не получите ничего лучшего.(Извините.) В некоторых случаях это среднее значение из характеристических данных, но производители редко говорят об этом. Значения, отмеченные как «типовые», не представляют собой пределов, и для любого конкретного устройства значения могут отличаться от типичных. Например, посмотрите на значения индуктивности стока и истока, которые обычно составляют 5,0 нГн и 13 нГн. Если вы хотите сделать некоторые приблизительные оценки поведения устройства, используйте эти значения. Если вам приходится зависеть от индуктивности стока и источника, не повезло — вам придется как-то измерить эти значения самостоятельно; одно устройство может иметь индуктивность стока 2 нГн, а другое — 11 нГн.Мы просто не знаем. Если у вас хорошие отношения с производителем (то есть вы покупаете или планируете покупать много их продуктов), то, возможно, вы сможете убедить их предоставить вам копию некоторых данных о характеристиках, которые у них есть … возможно, они протестировали 50 устройств и среднее значение индуктивности стока составляло 5,0 нГн, а для всех устройств — от 4,5 до 5,5 нГн. Мы не знаем, и производитель решил не делать никаких заявлений о минимальной или максимальной индуктивности. Скорее всего, это просто потому, что тестировать на каждом устройстве слишком дорого.

Последняя важная вещь в спецификации — это набор условий, при которых эта спецификация действительна. Это требования для числовой спецификации. Например, предел 0,04 Ом для R DS (on) не гарантируется , если вы не соблюдаете условия спецификации: температура перехода T J должна быть 25 ° C (это типично для большинства спецификаций) напряжение затвор-исток должно быть 10 В, а ток стока — 28 А. Если провести в устройство 29А, все ставки отключены; то же самое, если температура перехода составляет 30 ° C или если напряжение затвор-исток равно 9.5В. Во всех трех случаях сопротивление при включении будет выше.

Наконец, техническое описание включает раздел, полный хороших графиков характеристик:

Они показывают всевозможную полезную информацию, но вам нужно помнить, что, если не указано иное, это всегда ТИПИЧНЫЙ . Они действительно , а не представляют собой какую-либо спецификацию. Вы можете использовать их только для изучения общего качественного поведения. Если вам нужно что-то определенное, вы, , не можете, полагаться на них.Они могут представлять собой среднее значение для большого количества образцов устройств. Они могут представлять собой измерения только одного конкретного образца , того самого, который инженер-испытатель Боб случайно имел на своем столе в тот день, когда его начальник сказал, что им нужны характеристические данные для таблицы данных.

Спасибо за игру в спецификацию! Помните, что маркетинговые сводки не имеют значения, типовые спецификации не имеют значения, диаграммы характеристик не имеют значения … имеют значение только минимальные и максимальные характеристики, если вы выполняете все условия и не превышаете абсолютные максимальные рейтинги.

Практические особенности таблиц данных

Ух ты. Звучит цинично. Я не могу доверять половине того, что в таблице данных? Действительно?!

Уловка состоит в том, чтобы узнать, когда следует полагаться на информацию в таблице данных и как ее использовать для каких целей. По сути, , если число не является частью минимальной или максимальной спецификации , вы не можете использовать его, не выполнив собственную независимую проверку.

Например, возьмите нормированный график зависимости сопротивления во включенном состоянии от температуры.

Вот странная вещь. Вы знаете, что мы таскали с собой номер R DS (on) , 0,04 Ом? Это максимальная спецификация в таблице данных. Но у него температура перехода 25 ° C. И почти никто не использует полевой МОП-транзистор с температурой перехода 25 ° C. Возможно, вы используете его при комнатной температуре, но устройство будет нагреваться, и обычно температура перехода выше 25 ° C. Допустим, я знаю, что температура перехода составляет 100 ° C. Я использую цифру 4, чтобы решить, что при 100 ° C сопротивление в открытом состоянии будет множителем 1.В 8 раз больше или 0,072 Ом. Вероятно, это верно … но если мне нужно на это полагаться, мне нужно провести собственные измерения, чтобы подтвердить это.

Иногда на собственном опыте вы узнаете, какие параметры устройства имеют много вариаций от детали к детали, а какие из них имеют тенденцию плотно сгруппироваться вокруг среднего значения. Это не то, что будет указано в таблице данных; чтобы сделать такие выводы, вам нужно будет прочитать заявления производителей, связаться с их отделом приложений или провести собственные тесты.

Важная информация: характеристики полевого МОП-транзистора, которые необходимо знать

В таблицах абсолютных максимумов и спецификаций много цифр. Вот те, которые вы, , на самом деле, должны знать в первую очередь.

  • Диапазон рабочих температур спая и хранения . Это самый важный пункт в списке абсолютного максимума рейтинга. С большинством других предметов вы никогда не столкнетесь. Для IRFP260N это от -55 до +175 ° C. Если вы не работаете с аэрокосмическими проблемами, вам, вероятно, не придется беспокоиться о пределе -55 ° C.Остается +175 ° C. Большинство полевых МОП-транзисторов рассчитаны на максимальную температуру перехода + 150 ° C или + 175 ° C. Сделайте свой тепловой расчет правильно и оставьте некоторый запас, и вы можете убедиться, что вы соответствуете этому требованию.
  • Термическое сопротивление переход-корпус R θJC . Тепловое сопротивление 0,50 ° C / Вт означает, что на каждый ватт мощности, рассеиваемой в переходе, температура перехода повышается на 0,5 ° C по сравнению с температурой корпуса. Другими словами, \ (T_J = T_C + R _ {\ theta JC} P_J \), где \ (P_J \) — мощность, рассеиваемая в переходе.
  • Напряжение пробоя сток-исток . МОП-транзистор можно использовать управляемым образом ниже напряжения пробоя. В этой спецификации сказано, что до тех пор, пока я поддерживаю напряжение между стоком и истоком ниже 200 В, ток стока не будет превышать 250 мкА. Как только я поднимаюсь выше 200 В, все ставки прекращаются. На практике, поскольку полевые МОП-транзисторы используются в качестве динамических переключателей, мы обычно не используем полевые МОП-транзисторы на 200 В до его полного номинального напряжения; вместо этого мы используем какое-то снижение номинальных характеристик, чтобы убедиться, что индуктивные выбросы во время переходных процессов не превышают напряжение пробоя.Снижение номинальных характеристик в диапазоне 60–70% кажется нормой; если бы я хотел использовать систему с постоянным напряжением до 48 В, я бы использовал полевые МОП-транзисторы с номинальным напряжением пробоя не менее 75 В. MOSFET на 60 В не имеет достаточного конструктивного запаса для обработки индуктивных выбросов от источника 48 В.
  • Статическое сопротивление между стоком и источником в открытом состоянии R DS (вкл.) . Обычно это наиболее важная характеристика производительности. В конце концов, вы используете устройство в качестве переключателя и хотите убедиться, что падение напряжения на переключателе является приемлемым при заданном уровне тока.Помните, что напряжение затвор-исток V GS и ток стока являются условиями спецификации. Для большинства «обычных» силовых полевых МОП-транзисторов указано напряжение 10 В GS ; некоторые полевые МОП-транзисторы с логическим уровнем рассчитаны на напряжение 4,5 В или 5 В GS ; иногда вы можете встретить низковольтные полевые МОП-транзисторы, указанные в диапазоне 1,8–3,3 В GS . Если вы используете полевой МОП-транзистор в качестве переключателя и не можете соответствовать требованиям по сопротивлению во включенном состоянии, не используйте его !!! Это означает, что если у вас есть выход логического уровня из 3.В системе с напряжением 3 В вы должны НЕ использовать полевые МОП-транзисторы, рассчитанные на 4,5 В. Напряжения недостаточно, чтобы гарантировать полное включение. Не забывайте, что использование логики «5 В» не означает, что высокое выходное напряжение будет 5 В. Вот почему полевые МОП-транзисторы с логическим уровнем обычно указываются при напряжении 4,5 В, gs , чтобы вы могли убедиться, что высокий выходной уровень превышает этот порог. Я видел эту ошибку снова и снова. Если вы не можете выполнить требования спецификации V gs , сопротивление сток-исток обычно будет выше, чем у R DS (on) .Он может вообще не вести себя резистивным образом; при более низких уровнях V gs MOSFET ведет себя как сток с постоянным током, при этом точное значение тока сильно зависит от межчастичных колебаний и температуры перехода.
  • Пороговое напряжение затвора В GS (th) . Это важно только потому, что вы должны знать, что означает , а что не означает . Пороговое напряжение затвора составляет , а не , какое-то магическое напряжение, выше которого полевой МОП-транзистор считается включенным.Это напряжение, при котором полевой МОП-транзистор едва начинает проводить. IRFP260N показывает 2,0–4,0 В при токе стока 250 мкА. Если вы посмотрите на эту спецификацию и придете к выводу, что V GS на 4,5 В достаточно для включения устройства, вы НЕПРАВИЛЬНО . Вам нужны полные 10В. Однако для чего полезно пороговое напряжение затвора, так это обеспечение того, чтобы устройство было от . В идеале вы хотите, чтобы нулевое напряжение между затвором и истоком удерживало MOSFET в выключенном состоянии. Но ни один драйвер ворот не идеален в этом отношении.Он имеет статические и динамические характеристики, которые будут иметь небольшое ненулевое падение напряжения над его возвратной шиной питания. Поэтому, если я использую логическую микросхему, которая может опускаться до 0,5 В или даже 1,5 В, это может быть приемлемо для отключения MOSFET, потому что он ниже минимального порога затвора 2,0 В, и, следовательно, будет течь ток менее 250 мкА. . Обратите внимание, что для силовых приложений это может быть нормально, но для сигнальных приложений 250 мкА — это большое число, и большинство полевых МОП-транзисторов плохо работают, оставаясь полностью выключенными.
  • Заряд ворот . Эти характеристики действительно важные числа. Затворы MOSFET являются емкостными, а его характеристические емкости очень нелинейны с напряжением, но вы можете использовать заряд для расчета времени переключения наихудшего случая. Заряд затвора определяет, как быстро полевой МОП-транзистор будет переключаться из состояния ВКЛ в ВЫКЛ и обратно. Если вам известен ток драйвера затвора, просто разделите общий заряд затвора на ток. Если у меня драйвер затвора 1A, 234nC потребуется до 234ns для полного включения или выключения.Заряд затвор-сток («Миллера») примерно говорит мне, как быстро полевой МОП-транзистор будет проходить через свою линейную область, а его напряжение стока будет расти или падать. Этому драйверу затвора 1А потребуется до 110 нс для зарядки или разрядки емкости затвор-сток с максимальной спецификацией 110 нКл. Характеристики заряда затвора, как правило, гораздо более полезны, чем характеристики емкости (вход / выход / обратный перенос), поскольку последние обычно типичны и обычно измеряются только при нулевом напряжении затвор-исток, а это очень нелинейные емкости.
  • Время включения, подъема, выключения и спада . Они полезны только для понимания минимального времени переключения. Обычно ваша схема управления затвором и так не переключается так быстро, как эти числа, поэтому они полезны, но только в качестве приблизительной системы отсчета.

Вот и все! Остальные спецификации предназначены для более сложных расчетов, и вы, вероятно, не будете их использовать.

Например, рейтинг «Прямая крутизна» g fs — это то, что я никогда не использовал за 20 лет работы с полевыми МОП-транзисторами.Прямая крутизна — это линейная зависимость тока стока от напряжения затвора; минимум 27S = 27A / V при I D = 28A и V DS = 50V означает, что, когда напряжения затвор-исток едва достаточно для поддержки напряжения стока 28A, тогда, если вы увеличите напряжение затвора на дополнительно на 1 мВ ток стока увеличивается как минимум на 27 мА. Хорошо. Конечно. Что бы ни. Просто эта спецификация имеет место в линейной области, при этом 1400 Вт рассеивается в устройстве. Таким образом, он расскажет вам кое-что о том, как изменяется ток стока во время переключения, когда напряжение затвора увеличивается выше порогового напряжения, но спецификация относится только к одной конкретной рабочей точке, поэтому на практике это действительно бесполезно.

Если в таблице данных есть спецификация, которая вас интересует или кажется полезной, но которую я не рассмотрел, я хотел бы услышать об этом!

Графики важных характеристик

Мы уже видели рисунки 1 и 2:

Они представляют типичное поведение устройства при 25 ° C и 175 ° C. Для заданного напряжения затвор-исток полевые МОП-транзисторы имеют четыре важных области работы, две из которых здесь не показаны.

  • Если напряжение сток-исток отрицательное, внутренний диод проводит.
  • Если напряжение сток-исток положительное, но достаточно низкое, МОП-транзистор действует как резистор. На логарифмическом графике это отображается в виде линий с наклоном 1. (на рис.1 это показано для V GS = 4,5 В примерно до 1,1 В В DS ; для V GS ≥ 8,0 В это правда примерно до 10 В DS )
  • Если напряжение сток-исток высокое, но ниже напряжения пробоя, полевой МОП-транзистор действует как приемник постоянного тока. На графиках это отображается в виде горизонтальных линий.
  • Если напряжение сток-исток выше напряжения пробоя, может случиться что угодно; MOSFET, скорее всего, будет проводить.

Рисунок 2 просто показывает, как все может измениться при повышенных температурах. Не забывайте: Это типичные графики, и вы не можете полагаться на них, чтобы решить: «О, ну, у меня есть драйвер затвора, который может выдавать только 8 В, этого достаточно». Убедитесь, что вы соответствуете спецификации R DS (on) , обеспечив достаточное напряжение !!! Если в спецификации указано, что вам нужно 10 В, вам нужно 10 В.

Я уже упоминал рисунок 4, который дает нормированное сопротивление в открытом состоянии в зависимости от температуры. Умножьте этот коэффициент на значение R DS (on) при 25 ° C, и вы сможете вычислить приблизительное сопротивление в открытом состоянии при повышенных температурах. Вогнутость графика вверх означает, что в некоторых случаях полевые МОП-транзисторы, которые видят нагрузки с постоянным током (или используются для регулирования постоянного тока), могут видеть тепловое отклонение: повышенная температура перехода вызывает повышенное сопротивление в открытом состоянии, что увеличивает рассеиваемую мощность, что увеличивает переход температура дальше.Ой. Будь осторожен.

Рисунки 5 и 6 относятся к емкости затвора:

На рис. 5 показано нелинейное уменьшение емкостей с увеличением напряжения сток-исток.

На рисунке 6 показан типичный график зависимости заряда затвора от напряжения затвор-исток. Левый наклон графика представляет начальный оборот до достижения порога ворот. Плато на графике показывает, когда тока стока достаточно, чтобы начать понижать напряжение на выводе стока.Это плато, потому что оно остается примерно при постоянном токе стока (= постоянном напряжении затвор-исток), в то время как напряжение на выводах стока уменьшается. Затем, когда напряжение стока упало до минимума и полевой МОП-транзистор был полностью включен, дальнейшее увеличение заряда затвора соответствует увеличению напряжения затвор-исток. Опять же, не полагается на этот график, чтобы определить, достаточно ли напряжений затвор-исток. Если бы я сделал это, я бы пришел к выводу, что 5В достаточно. Это может быть верно для одного конкретного образца, но не для всех устройств.Используйте спецификацию R DS (on) , чтобы обеспечить достаточное напряжение затвор-исток.

На рисунке 7 показана типичная характеристика диода для обратных токов стока.

Рисунок 8 очень важен для выявления неисправностей. В отличие от других графиков, это , а не — типичный характеристический график. Этот график представляет собой максимальную безопасную рабочую зону (SOA) одиночного импульса. В любой момент времени полевой МОП-транзистор должен оставаться в пределах области, отмеченной пунктирными линиями.Если у меня есть импульс тока 10 А в течение 10 мс с 10 В между стоком-истоком, это в пределах SOA. Если бы у меня было 100 А в течение 10 мс с 10 В через сток-исток, это было бы слишком много. Во время статической проводимости вы не увидите таких состояний; наклонная вверх линия слева представляет резистивные характеристики, когда полевой МОП-транзистор полностью включен. Операция справа от этой строки означает, что полевой МОП-транзистор включается или выключается или недостаточно включен. График означает, что полевой МОП-транзистор может работать в условиях отказа 100 А и 200 В сток-исток в течение до 10 мкс.Если вы включите полевой МОП-транзистор через конденсатор на 200 В и поток 100 А, то он сможет выдержать состояние неисправности, если вы можете выключить его в течение 10 мкс. Это может произойти в полумосте, если один из транзисторов закорочен.

Наконец, на рисунке 11 показано максимальное эффективное тепловое сопротивление. Это то, что вы можете использовать для расчета теплового повышения температуры между переходом и корпусом в динамических условиях, когда полевой МОП-транзистор включается или выключается. Например, предположим, что полевой МОП-транзистор периодически проводит ток 10 А во время сигнала переключения рабочего цикла 20% при периоде переключения 100 мкс.Это время включения 20 мкс и время выключения 80 мкс. Если я найду кривую D = 0,20 при 20 мкс, я увижу тепловой отклик Z thJC около 0,11 ° C / Вт вместо постоянно включенного значения R θJC 0,5 ° C / Вт, указанного в термическом сопротивлении. часть спецификации. Имеет смысл: на высоких частотах переключения MOSFET видит только среднюю мощность проводимости, поскольку тепловые характеристики устройства действуют как фильтр нижних частот. На низких частотах переключения (здесь точка останова составляет около 10 миллисекунд времени включения) вместо фильтра нижних частот переход нагревается при включении полевого МОП-транзистора, а переход охлаждается при выключении полевого МОП-транзистора.

Это все, что я могу сказать о тепловых характеристиках полевых МОП-транзисторов, которые я рассмотрел в другой статье.

Заключение

Мы рассмотрели большую часть содержания классической таблицы данных полевого МОП-транзистора. Вот что это сводится к:

  • Таблицы данных содержат много полезной консультативной информации, но не являются юридической гарантией.
  • Абсолютные максимальные характеристики — это то, чему вы должны соответствовать, если используете конкретный компонент; остальные спецификации недействительны в любое время после того, как вы нарушили абсолютный максимум требований, даже если это только на мгновение.
  • Минимальные и максимальные характеристики — единственная другая часть таблицы, на которую вы можете положиться. (Это практические гарантии, даже если они не юридические.)
  • Если не указано иное, характеристические графики показывают типичные значения — по ним можно узнать качественное поведение, но нельзя полагаться на них в количественном отношении.
  • При использовании силового полевого МОП-транзистора в качестве переключателя не полагайтесь на его поведение, если вы не предоставите напряжение затвор-исток V gs , которое является по крайней мере одним из значений, упомянутых в спецификации R ds (on) .Напряжения затвор-исток ниже этих значений недостаточно для правильной работы устройства в качестве переключателя.
  • Для получения дополнительной информации о силовых полевых МОП-транзисторах см. Примечания по применению, опубликованные производителем.

Я также рассказывал о силовых полевых МОП-транзисторах в ряде других статей:

Удачного переключения!


© 2015 Джейсон М. Сакс, все права защищены.

Вам также может понравиться … (продвигаемый контент)

NXP IRFP260N Power Mosfet, M / s Antech Engineers

NXP IRFP260N Power Mosfet, M / s Antech Engineers | ID: 10257085788

Спецификация продукта

Марка NXP
Температура хранения 40 градусов C
Счетчик выводов 3-выводной
905 905 905 905 905 905 Номинальный ток по току 3 V
Номер модели IRFP260N
Серийный номер ISZ R 708P
Вес 80 г

Описание продукта

Мы предлагаем широкий ассортимент безупречного диапазона IRFP260N Power Mosfet , который установлен для управления и поддержания тока, протекающего через машины.Предлагаемый массив доступен в различных спецификациях, которые наилучшим образом соответствуют постоянно меняющимся требованиям уважаемых клиентов. Эта гамма строго проверяется по многочисленным параметрам квалифицированными контролерами качества нашего продавца. Этот ассортимент клиенты могут купить у нас по доступным ценам.

Характеристики:

  • Прочная конструкция
  • Легкий
  • Высокая прочность

Другая информация:
  • Минимальное количество заказа: 1 штука
  • Порт отправки: Мумбаи
  • Срок поставки: на складе или 10-15 дней на выполнение заказа
  • Подробности упаковки: Оригинальная упаковка производителя

Заинтересовал этот товар? Получите актуальную цену у продавца

Связаться с продавцом

Изображение продукта


О компании

Год основания 1989

Юридический статус Фирмы Физическое лицо — Собственник

Характер бизнеса Оптовый торговец

Количество сотрудников от 11 до 25 человек

Годовой оборот2-5 крор

Участник IndiaMART с июля 2015 г.

GST06AIZPT6243K1ZC

Код импорта и экспорта (IEC) AIZPT *****

Экспорт в Филиппины

Создана в году 1989, в Гургаон (Харьяна, Индия), — это ИП (физическое лицо) Фирма, занимается оптовой торговлей набором исключительного качества из электрических конденсаторов, интегральных схем и компонентов , Электрический разъем, конденсатор и предохранитель SMD, силовой МОП-транзистор, выпрямитель и диод, электронные резисторы, электрические транзисторы, промышленные реле, и т. Д.Со стороны продавцов предлагаемая продукция производится с использованием высококачественных материалов и ультрасовременного оборудования в соответствии с установленными мировыми стандартами качества. Перед окончательной отправкой эти продукты проверяются по четко определенным параметрам. Предлагаемые продукты высоко ценятся нашими уважаемыми клиентами за их превосходные характеристики, такие как высокое качество, долговечность, легкий вес, простая установка и огнестойкий корпус. Эти продукты доступны в различных спецификациях согласно потребностям наших клиентов.Кроме того, наши уважаемые клиенты могут покупать у нас эти проверенные на качество продукты по доступным ценам. Мы торгуем нашей продукцией под известным брендом ROHS, Pulse, и т. Д.

Видео компании

Вернуться к началу 1

Есть потребность?
Получите лучшую цену

1

Есть потребность?
Получите лучшую цену

Униполярный транзистор, канал N, THT, 200 В, 50 А, 300 Вт, TO247AC IRFP260N

Транзистор униполярный, канал N, THT, 200 В, 50 А, 300 Вт, TO247AC IRFP260N | GM электронный COM

Для правильной работы и отображения веб-страницы, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере

Uds: 200 В, Idss: 50 A, Pd: 300 Вт, Rds: 0,04 Ом Униполярный транзистор N-Channel, Idss = 50 A, Vds = 200, Pd = 300…

Торговая марка INFINEON Код товара 213-256 Kód výrobce IRFP260N Вес 0.00706 кг

Твоя цена € 3,50

Склад В наличии (158 шт.)

Пражский филиал в наличии 5 шт.

Брненский филиал в наличии 10 шт.

Остравский филиал в наличии 2 шт.

Пльзенский филиал Распродано

Филиал в Градец-Кралове Есть в наличии (17 шт.)

Братиславский филиал в наличии 10 шт.

Код товара 213-256
Масса 0.00706 кг
Категория: Униполярный транзистор —
Поуздро: TO247AC —
Pd: 300 Вт
Rds: 0,04 Ом
Угсы: 20 В
Удс: 200 В
Idss: 50 А
Охр.Диода: ano —
Технология: N-HEXFET —
Provedení: THT —
Полярита транзистору: N kanál —

Uds: 200 В, Idss: 50 A, Pd: 300 Вт, Rds: 0,04 Ом

Униполярный транзистор N-Channel, Idss = 50 A, Vds = 200, Pd = 300 Вт, Rds = 0,04, pouzdro TO247AC

ТУ
Idss = 50 А
Uds = 200 В,
Ugs = 20 В,
Pd = 300 Вт,
Rds = 0,04 Ом,
Диод = АНО,
Корпус = TO247AC

Код товара 213-256
Масса 0.00706 кг
Категория: Униполярный транзистор —
Поуздро: TO247AC —
Pd: 300 Вт
Rds: 0,04 Ом
Угсы: 20 В
Удс: 200 В
Idss: 50 А
Охр.Диода: ano —
Технология: N-HEXFET —
Provedení: THT —
Полярита транзистору: N kanál —

Похожие товары

В наличии

Uds: 500 В, Idss: 12 A, Pd: 35 Вт, Rds: 0,35 Ом U…

2,47 € Цена нетто 2,99 €

Код 213-055

В наличии

Uds: 800 В, Idss: 7,8 A, Pd: 190 Вт, Rds: 1,2 Ом …

2,70 € Цена нетто € 3,27

Код 213-265

2,77 € Цена нетто € 3,35

Код 915-107

В наличии

Uds: 600 В, Idss: 11 A, Pd: 180 Вт, Rds: 0,6 Ом U…

2,60 € Цена нетто € 3,15

Код 213-169

В наличии

Uds: 800 В, Idss: 5,4 A, Pd: 150 Вт, Rds: 2 Ом ООН…

2,34 € Цена нетто 2,84 €

Код 213-130

В наличии

Uds: 250 В, Idss: 38 A, Pd: 280 Вт, Rds: 0,075 Ом …

2,64 € Цена нетто € 3,19

Код 213-231

В наличии

Uds: 1000 В, Idss: 4,3 A, Pd: 150 Вт, Rds: 3,5 Ом …

2,70 € Цена нетто € 3,27

Код 213-234

В наличии

Uds: 650 В, Idss: 20 A, Pd: 208 Вт, Rds: 0,19 Ом …

3,38 € Цена нетто 4,10 €

Код 213-247

Nejprodávanější výrobci

Введите имя пользователя и пароль или зарегистрируйтесь для новой учетной записи.

Как проверить полевой МОП-транзистор с помощью цифрового мультиметра

В сообщении объясняется, как тестировать МОП-транзистор с помощью мультиметра с помощью набора шагов, которые помогут вам точно определить хорошее или неисправное состояние МОП-транзистора

МОП-транзисторы эффективны, но сложны Устройства

MOSFET — выдающиеся устройства, когда дело доходит до усиления или переключения различных видов нагрузок.Хотя транзисторы также широко используются для вышеуказанных целей, оба аналога сильно различаются по своим характеристикам.

Потрясающая эффективность МОП-транзисторов в значительной степени нейтрализуется одним недостатком, связанным с этими устройствами. Это сложность, которая затрудняет понимание и настройку этих компонентов.

Даже самые простые операции, такие как проверка хорошего МОП-транзистора от плохого, никогда не являются легкой задачей, особенно для новичков в этой области.

Хотя МОП-транзисторы обычно требуют сложного оборудования для проверки их состояния, простой способ использования мультиметра также считается эффективным в большинстве случаев для их проверки.

Мы возьмем в качестве примера два типа N-канальных МОП-транзисторов, K1058 и IRFP240, и посмотрим, как эти МОП-транзисторы могут быть протестированы с помощью обычного цифрового мультиметра с немного разными процедурами.

Как проверить N-канальные МОП-транзисторы

1) Установите цифровой мультиметр на диодный диапазон.

2) Держите МОП-транзистор на сухом деревянном столе на его металлическом выступе стороной с печатью, обращенной к вам, а проводами — к вам.

3) С помощью отвертки или измерительного щупа закоротите затвор и слив контактов МОП-транзистора. Изначально внутренняя емкость устройства будет полностью разряжена.

4) Теперь прикоснитесь черным щупом счетчика к источнику , а красным щупом к источнику устройства.

5) Вы должны увидеть индикацию обрыва цепи на счетчике.

6) Теперь, прикасаясь черным щупом к источнику , поднимите красный щуп со стока и на мгновение прикоснитесь им к затвору МОП-транзистора и верните его обратно на сток МОП-транзистора.

7) На этот раз измеритель покажет короткое замыкание (извините, не короткое замыкание, а «непрерывность»).

Результаты пунктов 5 и 7 подтверждают, что МОП-транзистор в порядке.

Повторите эту процедуру много раз для надлежащее подтверждение.

Для повторения вышеуказанной процедуры каждый раз вам потребуется сбросить полевой МОП-транзистор , закоротив выводы затвора и стока с помощью измерительного щупа, как описано ранее. Для P-канала этапы тестирования будут такими же, как 1,2,3,4 и 5, но полярность измерителя изменится.Вот как это сделать.

1) Установите цифровой мультиметр на диодный диапазон.

2) Закрепите МОП-транзистор на сухом деревянном столе на его металлическом язычке так, чтобы сторона с печатью была обращена к вам, а провода были направлены к вам.

3) С помощью любого проводника или измерительного щупа закоротите штырьки затвора и стока P-mosfet. Первоначально это позволит разрядить внутреннюю емкость устройства, что важно для процесса тестирования.

4) Теперь прикоснитесь КРАСНЫМ датчиком измерителя к источнику , а ЧЕРНЫМ датчиком к источнику устройства.

5) Вы обнаружите «обрыв» цепи на счетчике.

6) Затем, не перемещая КРАСНЫЙ датчик из источника , удалите черный датчик из стока и прикоснитесь им к вентилю mosfet на секунду, и верните его обратно на сток mosfet. .

7) На этот раз измеритель покажет непрерывность или низкое значение на измерителе.

Вот и все, это подтвердит, что ваш MOSFET в порядке и без каких-либо проблем. Любая другая форма чтения укажет на неисправный МОП-транзистор.

Если у вас возникнут какие-либо сомнения относительно процедур, пожалуйста, не стесняйтесь высказать свои мысли в разделе комментариев.

Как проверить МОП-транзистор IRF540

Процедуры в точности аналогичны описанным выше процедурам тестирования N-канального МОП-транзистора. Следующий видеоролик показывает и доказывает, как это можно реализовать с помощью обычного мультиметра.

Практическое видеоурок

Схема приспособления для простого тестера Mosfet

Если вам неудобно использовать вышеупомянутую процедуру тестирования с помощью мультиметра, вы можете быстро построить следующее приспособление для проверки любого N-канала MOSFET эффективно.

После того, как вы сделаете это приспособление, вы можете подключить соответствующие контакты МОП-транзистора к данным гнездам G, D, S. После этого вам просто нужно нажать кнопку для подтверждения состояния MOSFET.

Если светодиод светится только при нажатии кнопки, то с вашим МОП-транзистором все в порядке, любые другие результаты будут указывать на неисправный или неисправный МОП-транзистор.

Катод светодиода перейдет на сток или на дренажное гнездо.

Для МОП-транзистора с p-каналом вы можете просто изменить конструкцию, как показано на следующем изображении.

10 лучших промышленных электрических транзисторов BOJACK — Лучшие советы по обзору 💡 (обновлено в октябре 2021 г.) | Промышленный и научный

Сканировано и проанализировано 23805 отзывов

Марк Уокер

Тенденции в области промышленных электрических транзисторов BOJACK

Что такое промышленные электрические транзисторы BOJACK?


Лучшие отзывы покупателей: BOJACK IRF3205…

Рейтинг: 4 из 5 с 2 оценки

5/5 Nakia

А IRF3205 все ХОРОШО пробовал. Он был бы в долгу перед этим. Было желание иметь лучшую антибиржевую или статическую тару.

4/5 Iesha

Смотрится парториска хорошего качества. Я использовал эти MOSFET для ремонта аудио 6 автомобильных каналов. Купил бы снова!


Лучшие отзывы покупателей: BOJACK IRLB8721 …

Рейтинг: 4 из 5 с 1 рейтинг

4/5 Carolina

Я вызываю их с помощью логики ESP32.Они выглядят, как парториска, преуспевают, и у них не было никаких вопросов к ним, но они меняют относительно часто небольшие (<2 ампер при 12 В).


Лучшие отзывы покупателей: BOJACK 5 Pairs …

Рейтинг: 4 из 5 с 1 рейтинг

4/5 Librada

Сила качества добавляет превосходные транзисторы … Мы попробовали с нашим Longruner Fine-work Declare -TC1, и все «10 транзисторов» провели испытания с хорошими параметрами costruttore …. Мы как это счастливое его есть для наших проектов науки электроники (((область физики))).
Также быстрый неф. . . Мы рекомендуем 100. . . А ++


Лучшие отзывы покупателей: BOJACK IRFP260 …

Рейтинг: 5 из 5 с 1 рейтинг

5/5 Hermila

Transistors Подделка (очевидно), но было забавно сравнивать характеристики с реальными Infineon. Данные составляют примерно 1/4 такта, а Rdson примерно в 3 раза больше, чем извлеченные реальные.


Лучшие отзывы покупателей: BOJACK IRFP460 …

Рейтинг: 5 из 5 с 1 рейтинг

5/5 Alecia

Обычно тратил на ebay как идиот, но хотел увидеть проданный quell’Amazon, чтобы забрать их.Они были помечены как 918P, как на некоторых выставках фотографий, и имеют входную и пусковую емкость около 2 нФ. Он видел это как 1 нФ на некоторых покупках на ebay, а также обычно около 5 нФ. Этот индивидуальный «BOJACK» 460 должен хорошо выходить в 16-мегагерцовом контуре ламы плазмы.


Лучшие отзывы покупателей: BOJACK IRF640 …

Рейтинг: 4 из 5 с 2 оценки

4/5 Tena

На самом деле хорошо в силе для изменения питания парториска в nixie box часов.Хороший приз парториска вместе. Смотрится совсем новый сток — любой привлекательный или с клонированными деталями.

4/5 Cletus

Контейнер прибыл в тот же день, так что используйте только несколько mosfet partorisca, самодельный индукционный нагреватель, который я все еще готов к погружению, так как он их потратил, поэтому только из последнего из моих запасов.


Лучшие отзывы покупателей: BOJACK IRF840 …

Рейтинг: 4 из 5 с 1 рейтинг

4/5 Noella

Так что только то, что потребовалось.Заказ сняли быстро. Купил бы снова!


Лучшие отзывы покупателей: BOJACK IRF520 …

Рейтинг: 4 из 5 с 2 оценки

4/5 Demetra

Работает на высоте. Купил бы снова. Это моя ошибка, что эту часть не сделали с первого раза. Sad

4/5 Maureen

Хороший продукт, быстрое обслуживание. Б / у парториска на замену amp mosfet. Отремонтировал усилок все хорошо.


Транзисторы 5 шт. 10 шт. IRFP260N Новый подлинный ИК-транзистор TO-247 Деловые, офисные и промышленные полупроводники и активные компоненты

Транзисторы 5 шт. 10 шт. IRFP260N Новый подлинный ИК-транзистор TO-247 Деловые, офисные и промышленные полупроводники и активные компоненты

IR TO-247 Transistor 5pcs 10pcs IRFP260N New Genuine, для вашей посылки, лучше надеть антистатический браслет или вымыть руки перед сваркой и установкой, 100% удовлетворение гарантировано, ежедневно получать проверенные коды купонов, чтобы предоставить вам преимущество паритета товаров., 5шт 10шт IRFP260N Новый подлинный ИК-транзистор TO-247, 10шт IRFP260N Новый подлинный ИК-транзистор TO-247 5шт.







5 шт. 10 шт. IRFP260N Новый подлинный ИК-транзистор TO-247. Перед сваркой и установкой лучше надеть антистатический браслет или вымыть руки. для вашей посылки .. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, может быть доставлен в нерозничной упаковке, например, в простой или без печати коробке или полиэтиленовом пакете. См. Список продавца для получения полной информации.См. Все определения условий : Торговая марка: : International Rectifier , MPN: : IRFP260N : Модель: : FP260N ,. неоткрытый и неповрежденный товар в оригинальной розничной упаковке (если применима упаковка). Если товар идет напрямую от производителя.

5 шт. 10 шт. IRFP260N новый подлинный ИК-транзистор TO-247

50 * Электрические кабельные соединители защелкивающиеся зажимы для быстрого сращивания клеммы обжимные клеммы NRX.3PCS HUFA76429D3ST_F085 MOSFET N-CH 60V 20A DPAK 76429 HUFA76429, 2020 Повестка дня Организатор Расписание Блокнот Мини-настольный бумажный стол Kraft Календарь Новый, 1000 пакетов 10×14 дюймов STRONG POLY ПОЧТОВЫЙ ПОЧТОВЫЙ ПОЧТОВЫЙ ПОЧТОВЫЙ ПОЧТОВЫЙ ПОЧТОВЫЙ КАЧЕСТВО 60MU УПЛОТНЕНИЕ СЕРЫЙ, ПРОИЗВОДИТЕЛЬНО. NORDIC MESH METAL PEN PENCIL BRUSH POT HOLDER КОНТЕЙНЕР КОНТЕЙНЕР НАСТОЛЬНЫЙ ОРГАНИЗАТОР, 5 шт. 10 шт. IRFP260N Новый оригинальный ИК-транзистор TO-247 , гайковерт 1 / 2-20UNF без ключа 1/2 «переходник для сверлильного патрона с винтом MC. Модуль дождя погоды Датчик обнаружения капель дождя Moduel влажности для Arduino D.Набор шестигранных головок из нержавеющей стали с внутренним шестигранником 200 шт. Набор установочных винтов, 066 2 x 7-контактные разъемы для печатных плат DIN Аудио, INDRAMAT FWC-DSM2.1-ASE-02V03-MS ПАРАМЕТР ПОСТАВКИ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ №8. OP AMP MOS IP / БИПОЛЯРНЫЙ OP CA3140EZ INTERSIL 3140 IC. 5шт 10шт IRFP260N Новый подлинный ИК-транзистор TO-247 . Набор сверл, 170 предметов в металлическом корпусе, высокоточный инструмент из быстрорежущей стали, высокоточный инструмент, 1-10 мм,


5 шт. 10 шт. IRFP260N новый подлинный ИК-транзистор TO-247

لانتيجة

مشاهدة ميع النتائج

5 шт. 10 шт. IRFP260N новый подлинный ИК-транзистор TO-247

5 шт. 10 шт. IRFP260N Новый подлинный ИК-транзистор TO-247, 5 шт. 10 шт. IRFP260N Новый подлинный ИК-транзистор TO-247, транзистор TO-247 5 шт. 10 шт. IRFP260N Новый подлинный ИК.

.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *