Транзистор кт814: КТ814 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

КТ814 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ814 – кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, мощный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Предназначен для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Цоколевка транзистора КТ814

Существует 2 вида маркировки транзистора КТ814:
1. Не кодированная. На корпусе указывают полное название транзистора.
2. Кодированная четырехзначная маркировка. Первый знак для КТ814 цифра 4, второй знак – буква указывающая класс. Два последних символа означают месяц и год выпуска.
4А – КТ814А
4Б – КТ814Б
4В – КТ814В
4Г – КТ814Г

Характеристики транзистора КТ814

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), А	Pкmax(т), Вт	h31э	fгр., МГц
КТ814А	40	25	1,5 (3)	10	40	3
КТ814Б	50	40	1,5 (3)	10	40	3
КТ814В	70	60	1,5 (3)	10	40	3
КТ814Г	100	80	1,5 (3)	10	30	3

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора

Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ814

КТ814Б: BD136
КТ814В: BD138
КТ814Г: BD140

КТ814 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Основные технические параметры транзистора КТ814 Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт     при T = 25°C                         IК, max, ампер IК и, max, ампер UКЭ0 гр, вольт UКБ0 max, вольт UЭБ0 max, вольт PК max, ватт TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКБ, В I Э, А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс КТ814 А 1,5 3 25   5 10 25 125 100 40 2 0,15 0,6 0,05 3   60 75     10 КТ814 Б 1,5 3 40   5 10 25 125 100 40 2 0,15 0,6 0,05 3   60 75     10 КТ814 В 1,5 3 60   5 10 25 125 100 40 2 0,15 0,6 0,05 3   60 75     10 КТ814 Г 1,5 3 80   5 10 25 125 100 30 2 0,15 0,6 0,05 3   60 75     10   Обозначение на схеме КТ814 Цоколёвка транзистора КТ814 Внешний вид транзистора на примере КТ814Г

Транзистор КТ814 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ814

 

Параметры транзистора КТ814

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ814А	—	TIP30
		КТ814Б	—	BD166, MJE710
		КТ814В	—	BD168, MJE711
		КТ814Г	—	BD170, MJE712
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ814А	—	1(10*)	Вт
		КТ814Б	—	10*
		КТ814В	—	10*
		КТ814Г	—	10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ814А	—	≥3	МГц
		КТ814Б	—	≥3
		КТ814В	—	≥3
		КТ814Г	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ814А	0.1к	40*	В
		КТ814Б	0.1к	50*
		КТ814В	0.1к	70*
		КТ814Г	0.1к	100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ814А	—	5	В
		КТ814Б	—	5
		КТ814В	—	5
		КТ814Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ814А	—	1.5(3*)	А
		КТ814Б	—	1.5(3*)
		КТ814В	—	1.5(3*)
		КТ814Г	—	1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ814А	40 В	≤0.05	мА
		КТ814Б	40 В	≤0.05
		КТ814В	40 В	≤0.05
		КТ814Г	40 В	≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ814А	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ814Б	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ814В	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ814Г	2 В; 0.15 А	≥30*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ814А	5 В	≤60	пФ
		КТ814Б	5 В	≤60
		КТ814В	5 В	≤60
		КТ814Г	5 В	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ814А	—	≤1.2	Ом, дБ
		КТ814Б	—	≤1.2
		КТ814В	—	≤1.2
		КТ814Г	—	≤1.2
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ814А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ814Б	—	—
		КТ814В	—	—
		КТ814Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ814А	—	—	пс
		КТ814Б	—	—
		КТ814В	—	—
		КТ814Г	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги (замены) транзистора КТ814:

↓ Type	Mat	Struct	Pc	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Cc	Hfe
2N5153	Si	PNP	12,00	80,00	5,00	5,00	200,00	560,00		70,00
2N5153-220M	Si	PNP	10,00	80,00	5,00	5,00	200,00	560,00		70,00
2N5153S	Si	PNP	10,00	80,00	5,00	5,00	200,00	560,00		70,00
2N5153SM	Si	PNP	10,00	80,00	5,00	5,00	200,00	560,00		70,00
2N5153SMD	Si	PNP	10,00	80,00		5,00		60,00		70,00
2N5605	Si	PNP	25,00	60,00	5,00	5,00	200,00	70,00		70,00
2N5609	Si	PNP	25,00	80,00	5,00	5,00	200,00	60,00		70,00
2N5613	Si	PNP	50,00	60,00	5,00	5,00	200,00	70,00		70,00
2N5617	Si	PNP	50,00	80,00	5,00	5,00	200,00	60,00		70,00
2N5621	Si	PNP	100,00	60,00	5,00	10,00	200,00	40,00		70,00
2N5625	Si	PNP	100,00	80,00	5,00	10,00	200,00	40,00		70,00
2N6648	Si	PNP	70,00	40,00	5,00	15,00	200,00	20,00		1000,00
2N6649	Si	PNP	70,00	60,00	5,00	15,00	200,00	20,00		1000,00
2N6650	Si	PNP	70,00	80,00	5,00	15,00	200,00	20,00		1000,00
2N6666	Si	PNP	65,00	40,00	5,00	15,00	150,00	20,00		1000,00
2N6667	Si	PNP	65,00	60,00	5,00	15,00	150,00	20,00		1000,00
2N6668	Si	PNP	65,00	80,00	5,00	15,00	150,00	20,00		1000,00
2N7371	Si	PNP	100,00	100,00	5,00	12,00	175,00			1000,00
2SA1045	Si	PNP	100,00	100,00	5,00	10,00	175,00	60,00		3500,00
2SA1046	Si	PNP	100,00	100,00	5,00	15,00	150,00	60,00		3500,00
2SA1129	Si	PNP	40,00			7,00	150,00			80,00
2SA1147	Si	PNP	150,00	180,00	5,00	15,00	150,00	60,00		120,00
2SA1180	Si	PNP	80,00	150,00	5,00	15,00	175,00			60,00
2SA1180A	Si	PNP	80,00	200,00	5,00	15,00	150,00			60,00
2SA1195	Si	PNP	10,00	40,00	5,00	3,00	150,00	50,00	35,00	80,00
2SA1227A	Si	PNP	120,00			12,00	175,00	60,00	12,00	120,00
2SA1232	Si	PNP	100,00			10,00	175,00	60,00		200,00
2SA1258	Si	PNP	20,00	60,00	5,00	3,00	175,00	200,00		6000,00
2SA1279	Si	PNP	25,00	50,00		5,00	175,00	60,00		150,00
2SA1292	Si	PNP	80,00	60,00	5,00	15,00	175,00	100,00		70,00
2SA1292Q	Si	PNP	80,00	60,00	5,00	15,00	175,00	100,00		70,00
2SA1292R	Si	PNP	80,00	60,00	5,00	15,00	175,00	100,00		100,00
2SA1292S	Si	PNP	80,00	60,00	5,00	15,00	175,00	100,00		140,00
2SA1293	Si	PNP	30,00	80,00	7,00	5,00	150,00	30,00		70,00
2SA1293O	Si	PNP	30,00	80,00	7,00	5,00	150,00	30,00		70,00
2SA1293Y	Si	PNP	30,00	80,00	7,00	5,00	150,00	30,00		120,00
2SA1328	Si	PNP	40,00	50,00	6,00	12,00	175,00	70,00		70,00
2SA1328O	Si	PNP	40,00	50,00	6,00	12,00	175,00	70,00		70,00
2SA1328Y	Si	PNP	40,00	50,00	6,00	12,00	175,00	70,00		120,00
2SA1329	Si	PNP	40,00	80,00	6,00	12,00	150,00	50,00		70,00
2SA1329O	Si	PNP	40,00	80,00	6,00	12,00	150,00	50,00		70,00
2SA1329Y	Si	PNP	40,00	80,00	6,00	12,00	150,00	50,00		120,00
2SA1333	Si	PNP	150,00			15,00	150,00	30,00		90,00
2SA1355	Si	PNP	30,00			4,00	150,00	40,00		70,00
2SA1359	Si	PNP	10,00	40,00	5,00	3,00	150,00	100,00	35,00	70,00
2SA1359O	Si	PNP	10,00	40,00	5,00	3,00	150,00	100,00	35,00	70,00
2SA1359Y	Si	PNP	10,00	40,00	5,00	3,00	150,00	100,00	35,00	120,00
2SA1385	Si	PNP	10,00			5,00	150,00			60,00
2SA1385-Z	Si	PNP	10,00	60,00	7,00	5,00	150,00	140,00		100,00
2SA1394	Si	PNP	25,00			5,00	150,00			120,00
2SA1444	Si	PNP	30,00			15,00	175,00			60,00
2SA1469	Si	PNP	20,00	60,00	5,00	5,00	150,00	100,00		70,00
2SA1469Q	Si	PNP	20,00	60,00	5,00	5,00	150,00	100,00		70,00
2SA1469R	Si	PNP	20,00	60,00	5,00	5,00	150,00	100,00		100,00
2SA1469S	Si	PNP	20,00	60,00	5,00	5,00	150,00	100,00		140,00
2SA1470	Si	PNP	25,00	60,00	5,00	7,00	150,00	100,00		70,00
2SA1470Q	Si	PNP	25,00	60,00	5,00	7,00	150,00	100,00		70,00
2SA1470R	Si	PNP	25,00	60,00	5,00	7,00	150,00	100,00		100,00
2SA1470S	Si	PNP	25,00	60,00	5,00	7,00	150,00	100,00		140,00
2SA1471	Si	PNP	30,00	60,00	5,00	12,00	150,00	100,00		70,00
2SA1471Q	Si	PNP	30,00	60,00	5,00	12,00	150,00	100,00		70,00
2SA1471R	Si	PNP	30,00	60,00	5,00	12,00	150,00	100,00		100,00
2SA1471S	Si	PNP	30,00	60,00	5,00	12,00	150,00	100,00		140,00
2SA1489	Si	PNP	60,00			6,00	175,00	20,00		250,00
2SA1490	Si	PNP	80,00			8,00	175,00	20,00		80,00
2SA1491	Si	PNP	100,00			10,00	175,00	20,00		60,00
2SA1500	Si	PNP	40,00			5,00	150,00			300,00
2SA1501	Si	PNP	40,00			5,00	175,00			250,00
2SA1513	Si	PNP	60,00			15,00	175,00			70,00
2SA1553R	Si	PNP	150,00	230,00	6,00	15,00	175,00	25,00	25,00	80,00
2SA1599	Si	PNP	25,00	60,00	5,00	10,00	175,00			150,00
2SA1600	Si	PNP	30,00	60,00	5,00	12,00	175,00			90,00
2SA1601	Si	PNP	45,00	60,00	5,00	15,00	175,00			90,00
2SA1643	Si	PNP	25,00	50,00	5,00	5,00	175,00	75,00		80,00
2SA1644	Si	PNP	30,00	120,00	5,00	5,00	170,00			120,00
2SA1645	Si	PNP	35,00	120,00	5,00	7,00	175,00			80,00
2SA1646	Si	PNP	40,00	120,00	5,00	10,00	175,00			90,00
2SA1679	Si	PNP	25,00	40,00	7,00	5,00		50,00		70,00
2SA1714	Si	PNP	12,00	100,00	8,00	3,00	150,00			2000,00
2SA1718	Si	PNP	20,00	100,00	7,00	5,00				2000,00
2SA1720	Si	PNP	25,00	100,00	8,00	10,00	150,00	100,00		4000,00
2SA1726	Si	PNP	50,00			6,00	175,00	20,00		160,00
2SA1757	Si	PNP	25,00	60,00	5,00	5,00		80,00		160,00
2SA1758	Si	PNP	30,00	60,00	5,00	12,00		90,00		60,00
2SA1788	Si	PNP	80,00	120,00	5,00	8,00				60,00
2SA1789	Si	PNP	80,00	60,00	5,00	12,00				60,00
2SA1795	Si	PNP	10,00	40,00	7,00	5,00	150,00	50,00		70,00
2SA1796	Si	PNP	10,00	40,00	7,00	7,00	150,00	50,00		70,00
2SA1869	Si	PNP	10,00	50,00	5,00	3,00	150,00	100,00	35,00	70,00
2SA1876	Si	PNP	10,00	80,00	7,00	3,00	150,00	50,00		70,00
2SA1877	Si	PNP	10,00	80,00	7,00	3,00	150,00	50,00		70,00
2SA1878	Si	PNP	25,00	80,00	7,00	5,00		50,00		70,00
2SA1879	Si	PNP	25,00	80,00	7,00	7,00		50,00		70,00
2SA1880	Si	PNP	25,00	80,00	7,00	10,00		50,00		70,00
2SA1988	Si	PNP	100,00	200,00	5,00	7,00		40,00		70,00
2SA2004	Si	PNP	20,00	60,00	5,00	8,00	150,00			100,00
2SA2022	Si	PNP	18,00	50,00	6,00	7,00	150,00	290,00	50,00	150,00
2SA2023	Si	PNP	10,00	60,00	5,00	5,00	150,00	100,00		110,00
2SA2031	Si	PNP	140,00	230,00	6,00	15,00		10,00		60,00
2SA2037	Si	PNP	10,00	50,00	6,00	7,00	150,00	290,00	50,00	150,00
2SA2039	Si	PNP	15,00	50,00	6,00	5,00	150,00	360,00	24,00	200,00
2SA2039-TL-E	Si	PNP	15,00	50,00	6,00	5,00	150,00	360,00	24,00	200,00
2SA2040	Si	PNP	15,00	50,00	6,00	8,00	150,00	290,00	50,00	200,00
2SA2057	Si	PNP	20,00	60,00	6,00	3,00	150,00	90,00		120,00
2SA2064	Si	PNP	25,00	50,00	6,00	10,00	150,00			200,00
2SA2067	Si	PNP	15,00	60,00	6,00	3,00	150,00	90,00		120,00
2SA2074	Si	PNP	15,00	80,00	6,00	3,00	150,00	100,00		80,00
2SA2075	Si	PNP	15,00	80,00	6,00	3,00	150,00	100,00		80,00
2SA2097	Si	PNP	20,00	50,00	7,00	5,00	150,00			200,00

Биполярный транзистор KT814 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT814

• Тип материала: Si
• Полярность: PNP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ814В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Значения параметров КТ814 при Тперехода=25oС

Статический коэффициент передачи тока (h31Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

• КТ814А, Б, В — 40
• КТ814Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

• КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

• КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

• КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

• КТ814А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

• КТ814А, Б, В, Г — 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

• КТ814А, Б, В, Г — 10° С/Вт

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N5153

• Тип материала: Si
• Полярность: PNP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
• Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153-220M

• Тип материала: Si
• Полярность: PNP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
• Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153S

• Тип материала: Si
• Полярность: PNP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
• Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153SM

• Тип материала: Si
• Полярность: PNP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
• Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153SMD

• Тип материала: Si
• Полярность: PNP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
• Корпус транзистора: TO-276AB

Автор: Редакция сайта

Транзистор кт814 аналоги советские — Морской флот

КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ814

• Прототип КТ814 Б – BD136
• Прототип КТ814 В – BD138
• Прототип КТ814 Г – BD140

Особенности

• Максимально допустимая температура корпуса – 100 °C
• Комплиментарная пара – КТ815

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Цоколевка КТ814 (корпус КТ-27)

Характеристики транзистора КТ814

Предельные параметры КТ814

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):

• КТ814А, Б, В, Г – 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):

• КТ814А, Б, В, Г – 3 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

• КТ814А – 25 В
• КТ814Б – 40 В
• КТ814В – 60 В
• КТ814Г – 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

• КТ814А, Б, В, Г – 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

• КТ814А, Б, В, Г – 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

• КТ814А, Б, В, Г – 125° C

Значения параметров КТ814 при Т_{перехода}=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (U_КБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (I_Э) 0,15 А:

• КТ814А, Б, В – 40
• КТ814Г – 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• КТ814А, Б, В, Г – 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБО)

• КТ814А, Б, В, Г – 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ814А, Б, В, Г – 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

• КТ814А, Б, В, Г – 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

• КТ814А, Б, В, Г – 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

• КТ814А, Б, В, Г – 10° С/Вт

– дополнительная информация.

Транзисторы КТ814

Т ранзисторы КТ814 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ814.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В – от 40
У транзисторов КТ814Г – 30

Граничная частота передачи тока. – 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ814А – 25 в.
У транзисторов КТ814Б – 40 в.
У транзисторов КТ814В – 60 в.
У транзисторов КТ814Г – 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 – 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более – 50 мкА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более – 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более – 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 – КТ815.

Транзисторы КТ827

Транзисторы КТ827 – кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры – n-p-n.
Корпус металло-стекляный(ТО-3). Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока – У транзисторов КТ827А – от 500 до 18000.
У транзисторов КТ827Б, КТ827В – от 750 до 18000.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ827А – 100в.
У транзисторов КТ827Б – 80в.
У транзисторов КТ827В – 60в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 40мА до 2-х в, при типовом значении – 1,75в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10 А и базовом 200мА до – 4-х в, при типовом значении – 3 в.

Максимальный ток коллектора – 20 А.

Рассеиваемая мощность коллектора – 125 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока – 4МГц.

Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1кОм и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более – 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 2 мА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении база-эмиттер 5в – не более 350 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10в не более – 400 пФ.

Транзистор комплементарный КТ827 – КТ825.

Транзисторы – купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах – «Весна 205-1», «Вильма 204 стерео», Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

КТ814 – кремниевый биполярный p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ814А9).

Назначение: КТ814 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Комплементарная пара: КТ815 (npn транзистор с такими же характеристиками)

Аналог: BD136, BD138, BD140

Цоколевка КТ814: Э-К-Б , смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ814: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные характеристики транзисторов КТ814:

Подробные параметры КТ814 и многих других отечественных транзисторов приведены в справочнике мощных транзисторов

Параметры	Режим измерения параметра	Min (минимальное значение параметра)	Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ814(А-Г)	Uкб=2B, Iэ=0.15A	40	275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ814(А-Г)	Iк=0.5А, Iб=0.05A	0.6В
Предельные параметры транзисторов КТ814:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp КТ814А КТ814Б КТ814В КТ814Г	Rэб ≤ 100Ом	40В 50В 70В 100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)	5В
Постоянный ток коллектора КТ814	1.5А
Импульсный ток коллектора	tи ≤ 10 мс, Т/tи≥100	3А
Максимально допустимый постоянный ток базы	0.5А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Тк ≤ 50 °С	10Вт
Температура перехода	-60	+150

Транзистор КТ814, КТ815, КТ816, КТ817 |

Транзистор КТ814, КТ815, КТ816, КТ817
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ814, КТ815, КТ816, КТ817

Золото: 0.0043
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Похожее

Транзисторы типа: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 1 грамма.

Чертёж транзистора КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Электрические параметры.

Граничное напряжение при IЭ=50 мА, τи≤300 мкс, Q≥100, не менее
КТ814А	25 В
КТ814Б	40 В
КТ814В	60 В
КТ814Г	80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более	0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более	1,2 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=2 В, IЭ=0,15 А, не менее
КТ814А, КТ814Б, КТ814В	40
КТ814Г	30
Граничная частота коэффициента передачи тока при UКЭ=5 В, IЭ=0,03 А, не менее	3 МГц
Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=5 В, ƒ=465 кГц, не более	60 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, ƒ=465 кГц, не более	75 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более
при Тк≤298 К	50 мкА
при Тк=373 К	1000 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом
КТ814А	40 В
КТ814Б	50 В
КТ814В	70 В
КТ814Г	100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при IБ=0
КТ814А	25 В
КТ814Б	40 В
КТ814В	60 В
КТ814Г	80 В
Постоянное напряжение база-эмиттер	5 В
Постоянный ток коллектора	1,5 А
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100	3 А
Постоянный ток базы	0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Тк≤298 К	10 Вт
без теплоотвода при Т=233-298 К	1 Вт
Температура перехода	24,85°С
Температура окружающей среды	От -40,15 до Тк=99,85°С

Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Т=298÷373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К и с теплоотводом при Т_к=298-373 К на 0,1 Вт через 1 К.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса.

КТ814 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ814 — кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, мощный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Предназначен для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоронной аппаратуры широкого применения. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Цоколевка транзистора КТ814

Существует 2 вида маркировки транзистора КТ814:
. 1.Не кодированная. На корпусе указано полное название транзистора.
2. Кодированная четырехзначная маркировка. Первый знак для КТ814 цифра 4, второй знак — буква указывающая класс. Два последних символа означают месяц и год выпуска.
4А — КТ814А
4Б — КТ814Б
4В — КТ814В
4Г — КТ814Г

Характеристики транзистора КТ814

Транзистор	Uкбо (и), В	Uкэо (и), В	Iкmax (и), А	Pкmax (т), Вт	х31э	фгр., МГц
КТ814А	40	25	1,5 (3)	10	40	3
КТ814Б	50	40	1,5 (3)	10	40	3
КТ814В	70	60	1,5 (3)	10	40	3
КТ814Г	100	80	1,5 (3)	10	30	3

Uкбо (и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо (и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax (и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax (т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота схемы передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ814

КТ814Б: BD136
КТ814В: BD138
КТ814Г: BD140

.

Транзистор КТ814 — Лист данных

Цоколевка транзистора КТ814

Параметры транзистора КТ814

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ814А	–	TIP30
		КТ814Б	–	BD166, MJE710
		КТ814В	–	BD168, MJE711
		КТ814Г	–	BD170, MJE712
Структура			–	п-н-п
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P K макс, P * K, τ макс , P ** K, и макс	КТ814А	–	1 (10 *)	Вт
		КТ814Б	–	10 *
		КТ814В	–	10 *
		КТ814Г	–	10 *
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	ф гр, ф * х31б, ф ** х31э, ф *** макс	КТ814А	–	≥3	МГц
		КТ814Б	–	≥3
		КТ814В	–	≥3
		КТ814Г	–	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	У КБО проб., У * КЭР проб., У ** КЭО проб.	КТ814А	0,1к	40 *	В
		КТ814Б	0,1к	50 *
		КТ814В	0,1к	70 *
		КТ814Г	0,1к	100 *
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	У ЭБО проб.,	КТ814А	–	5	В
		КТ814Б	–	5
		КТ814В	–	5
		КТ814Г	–	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I К макс, I * К, и макс	КТ814А	–	1.5 (3 *)	А
		КТ814Б	–	1,5 (3 *)
		КТ814В	–	1,5 (3 *)
		КТ814Г	–	1,5 (3 *)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутый вывод эмиттера	И КБО , И * КЭР , И ** КЭО	КТ814А	40 Â	≤0.05	мА
		КТ814Б	40 Â	≤0,05
		КТ814В	40 Â	≤0,05
		КТ814Г	40 Â	≤0,05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h 21э , h * 21Э	КТ814А	2 В; 0.15 А	≥40 *
		КТ814Б	2 В; 0,15 А	≥40 *
		КТ814В	2 В; 0,15 А	≥40 *
		КТ814Г	2 В; 0,15 А	≥30 *
Емкость коллекторного перехода	с к , с * 12э	КТ814А	5 Â	≤60	пФ
		КТ814Б	5 Â	≤60
		КТ814В	5 Â	≤60
		КТ814Г	5 Â	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r КЭ нас , r * БЭ нас, К ** у.р.	КТ814А	–	≤1,2	Ом, дБ
		КТ814Б	–	≤1,2
		КТ814В	–	≤1,2
		КТ814Г	–	≤1,2
Коэффициент шума транзистора	К ø , r * b , P ** вых	КТ814А	–	–	Дб, Ом, Вт
		КТ814Б	–	–
		КТ814В	–	–
		КТ814Г	–	–
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ к , т * рас , т ** выкл , т *** пк (нс)	КТ814А	–	–	пс
		КТ814Б	–	–
		КТ814В	–	–
		КТ814Г	–	–

Описание значений со звездочками (*, **, ***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl + Enter .

.

КТ814 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Основные технические характеристики транзистора КТ814 Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25 ° C R Т п-к , ° C / Вт при Т = 25 ° С I К, макс , ампер I К и, макс , ампер У КЭ0 гр , вольт У КБ0 макс , вольт У ЭБ0 макс , вольт P К макс , ватт Т К , ° С T п max , ° C T К max , ° C ч 21Э У КБ , В И Э , А У КЭ нас , В I КБ0 , мА ф гр , МГц К ш , дБ С К , пФ С Э , пФ т вкл , мкс т выкл , мкс КТ814 А 1,5 3 25 5 10 25 125 100 40 2 0,15 0,6 0,05 3 60 75 10 КТ814 Б 1,5 3 40 5 10 25 125 100 40 2 0,15 0,6 0,05 3 60 75 10 КТ814 В 1,5 3 60 5 10 25 125 100 40 2 0,15 0,6 0,05 3 60 75 10 КТ814 Г 1,5 3 80 5 10 25 125 100 30 2 0,15 0,6 0,05 3 60 75 10 Обозначение на схеме КТ814 Цоколёвка транзистора КТ814 Внешний вид транзистора на примере КТ814Г

.

Транзистор КТ814, КТ815, КТ816, КТ817 |

Транзистор КТ814, КТ815, КТ816, КТ817
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций, занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ814, КТ815, КТ816, КТ817

Золото: 0.0043
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор , полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерации, коммутации и преобразования электрических сигналов. Настоящее время транзистор представляет собой схемотехники, подавляющие электрические электронные устройства и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. являются, вероятно, более распространенным типом (именно из них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет током, протекающим между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (коллектора) и исток (вместо эмиттера).Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжение) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию.Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значения допустимой рассеиваемой мощности и граничной (или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные (до 0,3 ватт) низкочастотные (до 3 МГц) .
2 — транзисторы маломощные (до 0,3 ватт) средней частоты (до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные (до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности (до 1,5 ватт), низкочастотные (до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности (до 1,5 ватт), средней частоты (до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности (до 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные (сверх 1,5 ватт), низкочастотные (до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные (сверх 1,5 ватт), средней частоты (до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные (сверх 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной характеристикой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной характеристикой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной характеристикой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной характеристикой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной помехой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Похожее

.