Составной Транзистор КТ827 А Б В 2Т827 А Б В
Опис
Купить Цена Составной Транзистор КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В.
Количество уточняйте!
Цена за штуку нового или б.у. одна – 45грн!
Новые отдельно выбирать не будем!
Может попастся или новый или б.у.
Все транзисторы проверяем на пробой!
ОПТ(от 50штук) – по 40грн!
Транзисторы КТ и 2Т считаем одинаковыми, тоесть для нас
КТ827В = 2Т827В.
Транзисторы n-p-n, составные, большой мощности, средней частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе, предназначенные для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.
Транзисторы биполярные 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В (составной) структуры n-р-n усилительные, предназначены для использования в выходных каскадах усилителей мощности, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, в ШИМ-преобразователях, в схемах управления электроприводом, электронных системах управления защиты и автоматики.
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 .
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Цоколевка и размеры корпуса Кт827 2т827
Технические характеристики
Основные технические характеристики транзисторов КТ827:
Предельные параметры КТ827 2Т827
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):
- КТ827А, Б, В – 20 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):
- КТ827А, Б, В –
Граничное напряжение (UKЭ0 гр):
- КТ827А – 100 В
- КТ827Б – 80 В
- КТ827В – 60 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UKБ0 max):
- КТ827А – 100 В
- КТ827Б – 80 В
- КТ827В – 60 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):
- КТ827А, Б, В – 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P
- КТ827А, Б, В – 125 Вт
Максимально допустимая температура перехода (Тп max):
- КТ827А, Б, В – 200° C
Значения параметров КТ827 при Т
перехода=25oССтатический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (UКЭ) 3 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 10 А:
- КТ827А, Б, В – 750…18000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
Обратный ток коллектоp-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер (IКЭR)
- КТ827А, Б, В –
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
- КТ827А, Б, В – 4 МГц
Емкость коллектоpного перехода (CК)
- КТ827А, Б, В – 400 пф
Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)
- КТ827А, Б, В – 350 пф
Время включения биполярного транзистора (tвкл)
- КТ827А, Б, В – 1 мкс
Время выключения биполярного транзистора (tвыкл)
- КТ827А, Б, В – 6 мкс
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)
- КТ827А, Б, В – 1,4…10.
Аналоги и замена
Зарубежные аналоги транзистора КТ827(2Т827): импортные 2N6057, BDX87.
Полного аналога нету.
Список возможных замен на зарубежные транзисторы:
КТ827А | КТ827Б | КТ827В |
BDX65A BDX67 BDX87C MJ3521 MJ4035 |
2N6058 2N6283 BDX63 BDX65 BDX67 BDX85B BDX87B MJ3001 MJ4034 |
2N6057 2N6282 BDX85 BDX85A BDX87 BDX87A MJ3000 MJ3520 MJ4033 |
Эквивалентная схема составного транзистора КТ827:
Кт827 схемы блоков питания | Домострой
Аналог КТ827А
Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.
Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.
Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.
При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.
Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.
В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.
На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.
Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.
Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.
Принципиальная схема очень простого но достаточно мощного источника питания, который выполненный на мощных составных транзисторах, вполне пригоден не только для зарядки автомобильных аккумуляторов, но и для питания различных электронных схем.
Напряжение на выходе устройства регулируется от 0 до 15 В. Выходной ток блока питания может достигать 20 А.
Рис. 1. Принципиальная схема мощного стабилизатора напряжения на 0-15В и ток 5А, 10А, 20А.
Так как катоды диодов и коллекторы транзисторов соединены между собой, то все эти детали размещаются на одном большом радиаторе без изолирующих прокладок.
Если не предъявляются особые требования к стабильности напряжения, то резистор R1 и стабилитрон VD3 из схемы можно исключить. Добавив емкости, показанные на схеме пунктиром, можно использовать устройство в качестве блока питания.
- PCBWay — всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН
- Сборка печатных плат от $88 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
- Онлайн просмотрщик Gerber-файлов от PCBWay!
Всем привет! есть вопрос? FU1 это что за деталька) и T1 сколько витков нужно? или это намотка на резистор или трансформатор.
FU1 — (от слова Fuse) это плавкий предохранитель, в данной схеме его нужно ставить на 1,5-2 Ампера.
Т1 — трансформатор переменного напряжения. На первичную обмотку подают — 220В, а на вторичной (та что идет к диодам) получаем примерно 14-16В переменного напряжения.
Трансформатор можно изготовить самостоятельно, если есть опыт и материалы, а можно купить готовый в магазине, на базаре, в интернете. В данной схеме нужен трансформатор с вторичной обмоткой на 14-16В и ток порядка 20А.
P = U*I = 14*20 = примерно 300 Ватт.
Если вам не нужен такой ток то можно брать менее мощный.
Желательно помнить: трансформатор должен быть с запасом по мощности по отношению к той что вам нужна!
..827 проходной с током 20А..на выход. и потом что за странный выбор Кт947?—высокочастотный npn транзик для передатчиков.. туда 827 а впереди составного любой обратный средней мощн.. хоть кт817..
У транзистора КТ947 выходная мощность в пределах 200-250 Ватт, что явно выше чем у КТ827 (125 Ватт). А то что у КТ947 граничная частота передачи тока 75МГц то это в данной схеме особой роли не сыграет.
а на раскачку зачем 827. явно не оправданно. и потом два в паралель 827 как раз.. а себестоимость гораздо дешевле будет.. ВЧ мощные с позолоченными ногами на дешевые. да и применение получше найдется чем в простой бп ставить..
КТ827 — составной транзистор с высоким коэффициентом усиления, в данном случае он хорошо заменяет два каскада.
КТ947 стоит недешево, в данной схеме он избыточен.
Удешевить схему можно также за счет замены транзистора КТ827 на пару КТ819+КТ815 как на рисунке ниже:
Вместо КТ947 можно подключить в параллель несколько штук КТ819+резистор, как на схеме: Источник питания для автомобильного трансивера 13В 20А.
Если нужна схема с выходом порядка 5-6А то вполне подойдет решение на КТ827+КТ815 — Блок питания 12В 6А (КТ827).
В данной статье расскажем про универсальный блок стабилизированного питания, про их основные требования и сбор схемы описанного блока питания.
В различных источниках – интернете, книжных изданиях встречаются схемы стабилизированных источников питания. Как правило, чем совершеннее (лучше) схема, тем она сложнее.
Источники питания стабилизированным напряжением имеющие широкие пределы регулирования выходного напряжения, высокую нагрузочную способность, защиту от превышения тока нагрузки и при этом – низкий коэффициент пульсаций классически состоят из следующих основных элементов:
— схема компенсационного стабилизатора напряжения.
— контрольные измерительные приборы;
— схема (элементы) защиты от перегрузки.
Мной были изучены различные варианты лабораторных блоков стабилизированного питания, схемы которых публикуют в различных изданиях.
Основные требования, предъявленные к источникам питания:
1. Пределы регулировки постоянного выходного напряжения – 0…25 вольт;
2. Максимальный ток нагрузки – 10 А;
3. Напряжение пульсаций на нагрузке током 10 А – не более 0,2 вольта;
4. Нестабильность выходного напряжения при нестабильности напряжения в сети 20% — не более 0,3%;
5. Порог срабатывания защиты по току – от 6 А и выше (устанавливается по желанию).
Эти требования довольно высоки и очень мало вариантов получения таких характеристик без значительного усложнения схем.
В результате изучения и переработки схем мощных источников питания была разработана наиболее оптимальная простейшая схема источника стабилизированного напряжения, полностью удовлетворяющая высоким предъявленным требованиям по параметрам.
Для уменьшения количества элементов (упрощения схемы), за основу стабилизатора был взят микросхемный стабилизатор напряжения с плавной регулировкой выходного напряжения – LM317 (его отечественный аналог – КР142ЕН12А). Исполнена микросхема в обычном транзисторном корпусе ТО-220. Возможна замена этой микросхемы на LM350, LM338, LТ1083 (аналог – КР142ЕН22А), LТ1084 (аналог – КР142ЕН22), LТ1085 (аналог – КР142ЕН22Б). Все эти микросхемы обладают хорошей нагрузочной способностью (в зависимости от микросхемы – от 3-х, до 7,5 ампер). Они все имеют собственную защиту от перегрузки по току, но так как предъявлено требование к выходному току в 10 ампер, то эта защита в моей схеме не используется. Кроме того, имеется недостаток – минимальное напряжение, которое микросхема выдаёт – 1,25 вольта, а нам надо – 0 вольт. Для возможности получения выходного напряжения от нуля, радиолюбителями предлагаются схемы с дополнительными источниками отрицательного напряжения смещения, но мы пойдём по другому пути.
Для получения выходного напряжения от 0 вольт и повышения нагрузочной способности до тока более 10 ампер, в представленной мной схеме используются два составных транзистора КТ827А. Суть снижения минимального предела выходного напряжения до нуля состоит в том, что эти самые 1,25 вольта «падают» на базово-эмиттерных переходах транзисторов. О том, что это за падение, я описывал в своей статье Стабилизаторы напряжения, их расчёт. Кроме того, поставив в схему два составных транзистора КТ827А мы «убиваем второго зайца» – значительно увеличиваем нагрузочную способность блока питания, подняв запас по току до 40 ампер, чем повышаем надёжность блока питания. Для выравнивания токов нагрузки между транзисторами в эмиттерных цепях транзисторов используются резисторы R13 и R14. Регулировка выходного напряжения блока питания осуществляется резистором R10.
В основном все «продвинутые» изученные мной схемы в качестве элементов защиты используют либо оптопары, либо электромагнитные реле. Мне это крайне не понятно потому, что оптопары обычно используются для гальванической развязки, а в представленных схемах никакой гальванической развязки и не требовалось. Электромагнитные реле, это довольно медлительный элемент схемы, способный «залипать» и тогда Ваш блок питания всё равно сгорит. Реле – это элемент электрики, а не электроники. Я лично использую электромагнитное реле, в крайнем случае, когда транзисторные и тиристорные схемы не могут заменить реле.
Разработанная мной схема защиты проста и надёжна. Работает она следующим образом:
В качестве элемента, на котором измеряется ток, используется резистор R2 на 0,1 Ом. При токе нагрузки, равном 6 ампер, на нём падает напряжение равное ровно 0,6 вольта (по закону Ома). Если шлиц резистора R4 находится в крайнем правом положении, то это напряжение в 0,6 вольта прикладывается к переходу эмиттер-база транзистора VT1. Транзистор открывается. Ток, протекающий через открытый транзистор VT1, открывает транзистор VT2, а тот в свою очередь откроет транзистор VT3. Открытый транзистор VT3 закорачивает вывод 1 микросхемы (управления выходным напряжением) на корпус и выходное напряжение стабилизатора падает до нуля. Транзисторы VT1 и VT2 совместно представляют собой схему тиристорного управления, они «самоблокируются» в открытом состоянии двумя токами, протекающими по пути: 1) плюс выпрямителя – эмиттер VT1 – база VT1 – коллектор VT2 – эмиттер VT2 – элементы R7, VD3, R8, R9, транзистор VT3 – минус выпрямителя; 2) плюс выпрямителя – эмиттер VT1 – коллектор VT1 – база VT2 – эмиттер VT2 – элементы R7, VD3, R8, R9, транзистор VT3 – минус выпрямителя. Одновременно загорается светодиод VD3 «Перегрузка». Для отключения защиты, необходимо кратковременно нажать кнопку S2, которая разорвёт цепь протекания первого тока и транзисторы закроются. Если причина срабатывания защиты не устранена (например замыкание выходных клемм), то нажатие кнопки не сбросит защиту. Для уменьшения чувствительности схемы защиты по току, необходимо двигать ползунок резистора R4 из крайнего правого положения влево. Настройка производится экспериментально, путём кратковременного создания соответствующей нагрузки. Я сделал просто: в качестве нагрузки использовал внешний 10-ти амперный Амперметр, подключив его напрямую к выходным клеммам. Повышая выходное напряжение резистором R10 от нуля, я добился срабатывания схемы защиты на выбранном мной уровне (9,5А). Дополнительная защита по первичной обмотке – предохранитель FU1.
Важно
Особое внимание следует уделить выбору трансформатора. Он должен быть достаточной мощности. Я использую всё тот же ТПП-320-220-50, который я использовал и в зарядном устройстве, подобрав выходное напряжение на выходе выпрямителя VD1, равным 30 вольтам, путём выбора определённых обмоток. Не смотря на использование мощных транзисторов, при эксплуатации блока питания необходимо помнить, что нагрузочные способности любых блоков питания ограничены суммарной рассеиваемой мощностью выходных транзисторов. В данном случае, это — 250 ватт (по справочнику). Силовые транзисторы будут сильно греться и могут выйти из строя от падения на их переходах отдаваемого трансформатором напряжения. Так, при выходном напряжении 2,5 В и токе нагрузки 9 А, рассеиваемая на транзисторах мощность будет равна (30 – 2,5) * 9 = 247,5 Ватт. Эта работа «на пределе» приведёт к быстрому выходу транзисторов из строя от перегрева. Поэтому транзисторы необходимо установить на радиаторы достаточного размера. Я использовал в качестве радиаторов алюминиевый корпус своего блока, установив транзисторы через слюдяные прокладки.
В качестве выпрямителя VD1, как и в зарядном устройстве, я использовал силовой выпрямительный мост типа КЦ419 (импортный аналог – МВ5010), как результат – не нужна изоляция, компактность и запас по току до 25 ампер (МВ5010 – до 16А). Он также прикручивается непосредственно на корпус.
При сборке конструкции обязательно учтите тот факт, что ушко крепления микросхемы соединено с входным выводом микросхемного стабилизатора. Поскольку её выходные токи не превышают 0,2 А, то можете её даже не прикручивать на радиатор, но лучший вариант, если вы прикрутите её через диэлектрическую прокладку на радиатор, на котором стоят выходные транзисторы. Таким образом, Вы сможете использовать тепловую защиту, встроенную в микросхему. Если установить транзисторы и микросхему на отдельный изолированный теплоотвод, то никаких изолирующих прокладок не потребуется.
Для контроля тока использован миллиамперметр, резистор R3 подбирают таким, чтобы при подаче напряжения в 1 вольт, было отклонение стрелки прибора на максимум шкалы (на значение = 10). Вольтметр использован заводской, на 25 вольт, без дополнительных добавочных резисторов.
Большинство радиоэлементов блока питания размещено на радиоплате(печатной плате) размерами 130 х 75 мм, изготовленной из одностороннего фольгированного текстолита. Размещение элементов приводится на рисунке ниже. Микросхема D1 установлена со стороны печатных проводников, под её ушко просверлено большое отверстие в плате (чтобы можно было прикрутить микросхему к металлическому корпусу винтом).
Правильно собранная конструкция начинает работать сразу. Настройке подлежит только установка уровня срабатывания защиты по току нагрузки. Если не установите, то блок всё равно будет выдавать требуемое Вам напряжение, но без защиты. В крайнем случае – самое правое положение ползунка резистора R4 соответствует защите при токе около 6 Ампер. Обратите внимание, что при включении блока с выставленным на выходе выходным напряжением отличным от нуля, сразу срабатывает защита. Это нормальная работа, связана с тем, что на выходе блока питания стоит конденсатор С5 достаточно большой ёмкости. Для работы блока необходимо нажать кнопку сброса аварии. Впрочем, можете уменьшить номинал конденсатора на целый порядок, но это увеличит чувствительность схемы защиты к резким импульсным изменениям нагрузки, и на больших токах увеличит коэффициент пульсаций.
Тимеркаев Борис — 68-летний доктор физико-математических наук, профессор из России. Он является заведующим кафедрой общей физики в Казанском национальном исследовательском техническом университете имени А. Н. ТУПОЛЕВА — КАИ
Схема мощного стабилизатора тока на 100
В литературе не часто можно встретить описания стабилизаторов тока на 100…200 А, однако в некоторых процессах (гальваника, сварка и др.) они необходимы. На первый взгляд, для стабилизации таких токов необходимы и соответствующие мощные транзисторы.
Вашему вниманию предлагается стабилизатор тока на 150 А (с плавной регулировкой от нуля до максимума), выполненный на обычных, широко распространенных транзисторах серии КТ827. Примененное схемотехническое решение позволяет легко увеличить или уменьшить максимальный стабилизируемый ток.
Принципиальная схема
Принципиальная схема предлагаемого стабилизатора тока изображена на рис. 1. Как видно, нагрузка включена несколько необычно — в разрыв провода, соединяющего отрицательный вывод диодного моста VD5…VD8 с общим проводом устройства.
Рис. 1. Принципиальная схема мощного стабилизатора тока 150А на транзисторах.
Все мощные транзисторы VT1…VT16 включены по схеме с общим коллектором, но каждый из них нагружен на свой уравнивающий резистор (R4…R19), также соединенный с общим проводом.
Таким образом, через подключенную к розетке XS1 нагрузку стабилизатора протекает суммарный ток всех 16 транзисторов. Ток через каждый из транзисторов VT1…VT16 выбран около 9 А, что значительно меньше предельно допустимого значения для транзисторов КТ827А…КТ827В. При падении напряжения на транзисторе 10… 11 В рассеиваемая мощность достигает 100 Вт.
Разброс параметров транзисторов и сопротивлений резисторов R4…RI9 не имеет значения, так как каждый транзистор управляется своим операционным усилителем.
Выходы ОУ DA1.1…DA8.2 через транзисторы VT17…VT32 соединены с базами транзисторов VT1…VT16, а напряжения обратных связей поданы на инвертирующие входы с эмиттеров соответствующих транзисторов. ОУ поддерживают на инвертирующих входах (и, соответственно, на эмиттерах транзисторов VT1…VT16) такие же напряжения, какие имеются у них на неинвертирующих входах.
На неинвертирующие входы всех ОУ подано стабильное управляющее напряжение с резистивного делителя R2, R3, подключенного к выходу интегрального стабилизатора DA11. При изменении управляющего напряжения изменяется ток через каждый из резисторов R4…R19 и, соответственно, через общую нагрузку, подключенную к розетке XS1. Питаются ОУ от стабилизатора, выполненного на микросхемах DA9, DA10 и транзисторе VT33.
Детали и конструкция
Вместо составных транзисторов КТ827А в стабилизаторе тока можно применить транзисторы этой серии с индексами Б, В, Г или комбинации из двух транзисторов соответствующей мощности (например, КТ315 + КТ819 с любыми буквенными индексами).
Сдвоенные ОУ КР140УД20 заменимы на К157УД2 или на одинарные ОУ КР140УД6, К140УД7, К140УД14 и им подобные, стабилизатор 78L05 — на КР142ЕН5А, КР142ЕН5В или 78М05, транзисторы КТ315Е — на КТ3102, КТ603, диоды Д200 — на Д160. Вместо трансформатора ТПП232 (Т1) допустимо применение ТПП234, ТПП253 или любого другого с двумя вторичными обмотками на напряжение 16…20 В.
Резистор R1 может быть любого типа, R2 желательно применить высокостабильный, например, С2-29. Для регулирования тока нагрузки был использован переменный резистор СП5-35А (с высокой разрешающей способностью), но можно, конечно, применить и любой другой, обеспечивающий требуемую точность установки тока.
Конденсатор СЗ набран из десяти конденсаторов К50-32А, С4, С6 — К50-35, остальные — любого типа. Использовать в качестве СЗ один конденсатор большой емкости нельзя, так как он будет сильно перегреваться из-за того, что его выводы не рассчитаны на такие большие токи (недостаточное сечение провода).
Сдвоенные ОУ DA1…DA8, транзисторы VT17…VT32, интегральный стабилизатор напряжения DA11, резисторы R2, R3 и конденсаторы С4…С7 монтируют на печатной плате, изготовленной по чертежу, показанному на рисунке 2.
Рис. 2. Печатная плата для мощного стабилизатора тока.
Транзисторы VT1-VT16 закрепляют на теплоотводах, способных рассеять не менее 100 Вт каждый. Все 16 теплоотводов собраны в батарею, для их охлаждения применены четыре вентилятора, что позволило включать стабилизатор тока на долговременную постоянную нагрузку. Если нагрузка будет кратковременной или импульсной, можно обойтись и теплоотводами меньших размеров.
Резисторы R4…R19 изготавливают из высокоомного (манганинового или константанового) провода диаметром 1…2 мм и закрепляют на теплоотводах соответствующих им транзисторов Для охлаждения диодов VD5…VD8 используют стандартные теплоотводы, рассчитанные на установку диодов Д200 (обдув их вентилятором не требуется).
Микросхему DA9 и транзистор VT33 размещают на небольших пластинчатых теплоотводах. При монтаже стабилизатора тока нужно учитывать, что через некоторые цепи будет течь ток 150 А, поэтому их необходимо выполнить проводом соответствующего сечения.
Вторичная обмотка трансформатора Т2 должна обеспечивать напряжение около 14 В при токе нагрузки 150 А (хорошо подходит сварочный трансформатор). Падение напряжения на сопротивлении нагрузки стабилизатора должно быть не более 10 В (остальное напряжение падает на транзисторах VT1. VT16 и резисторах R4…R19).
При большем падении напряжения на нагрузке придется повысить напряжение вторичной обмотки трансформатора Т2, однако в этом случае необходимо проследить, чтобы мощность рассеяния каждого из транзисторов не превысила максимально допустимую.
Налаживание
Налаживание собранного из исправных деталей устройства сводится к установке максимального стабилизируемого тока подбором резистора R2. Это удобно сделать временно заменив последний включенным реостатом подстроечным резистором сопротивлением 1,5 — 2 кОм.
Установив его движок в положение максимального сопротивления а движок резистора R3 в верхнее (по схеме) положение и включив последовательно с нагрузкой амперметр на ток 150-200А (или просто подсоединив его к гнездам розетки XS1) включают стабилизатор в сеть и, уменьшая сопротивление подстроенного резистора, добиваются отклонения стрелки амперметра до соответствующей отметки шкалы. Затем измеряют сопротивление введенной части подстроенного резистора и заменяют его постоянным ближайшего номинала.
При максимальном токе 150А напряжение на эмиттерах транзисторов VT1 — VT16 должно быть около 1,88В. Поэтому налаживание можно проводить и по напряжению на эмиттере какого-либо из этих транзисторов, хотя точность установки тока при этом будет небольшой из-за разброса сопротивлений резисторов R4-R19.
Если необходимо увеличить или уменьшить отдаваемый в нагрузку максимальный ток можно соответственно увеличить или уменьшить число транзисторов и ОУ.
Таким образом, на основе описанного стабилизатора можно создать значительно более мощный источник тока. Подключая нагрузку к стабилизатору тока, следует помнить, что на «земляном» проводе будет плюсовой выход стабилизатора.
И. Коротков.
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются. Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные: КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Масса транзистора не более 20 гр. Чертёж транзистора КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827ВЭлектрические параметры КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В.
Предельные эксплуатационные данные КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В.
Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>24,85°С определяется по формуле: РК макс=(Тп-Тк)/RТ п к, где RТ п к — тепловое сопротивление переход-корпус, определяется из области максимальных режимов. 2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. 1-2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.1-2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 1-2. Зависимости напряжений насыщений коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Область максимальных режимов.1-2. Зависимости напряжений насыщений коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Область максимальных режимов. |
Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы
Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность — наше главное кредо.
Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы. У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону. Наш клиент всегда доволен!
Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.
Приобретаем:
- платы от приборов, компьютеров
- платы от телевизионной и бытовой техники
- микросхемы любые
- транзисторы
- конденсаторы
- разъёмы
- реле
- переключатели
- катализаторы автомобильные и промышленные
- приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др.)
Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.
Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!
Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам: 8-900-491-6775. Почта [email protected]
С уважением, директор Александр Михайлов.
Стабилизатор напряжения на кт827 – 4apple – взгляд на Apple глазами Гика
Принципиальная схема очень простого но достаточно мощного источника питания, который выполненный на мощных составных транзисторах, вполне пригоден не только для зарядки автомобильных аккумуляторов, но и для питания различных электронных схем.
Напряжение на выходе устройства регулируется от 0 до 15 В. Выходной ток блока питания может достигать 20 А.
Рис. 1. Принципиальная схема мощного стабилизатора напряжения на 0-15В и ток 5А, 10А, 20А.
Так как катоды диодов и коллекторы транзисторов соединены между собой, то все эти детали размещаются на одном большом радиаторе без изолирующих прокладок.
Если не предъявляются особые требования к стабильности напряжения, то резистор R1 и стабилитрон VD3 из схемы можно исключить. Добавив емкости, показанные на схеме пунктиром, можно использовать устройство в качестве блока питания.
- PCBWay – всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН
- Сборка печатных плат от $88 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
- Онлайн просмотрщик Gerber-файлов от PCBWay!
Всем привет! есть вопрос? FU1 это что за деталька) и T1 сколько витков нужно? или это намотка на резистор или трансформатор.
FU1 – (от слова Fuse) это плавкий предохранитель, в данной схеме его нужно ставить на 1,5-2 Ампера.
Т1 – трансформатор переменного напряжения. На первичную обмотку подают – 220В, а на вторичной (та что идет к диодам) получаем примерно 14-16В переменного напряжения.
Трансформатор можно изготовить самостоятельно, если есть опыт и материалы, а можно купить готовый в магазине, на базаре, в интернете. В данной схеме нужен трансформатор с вторичной обмоткой на 14-16В и ток порядка 20А.
P = U*I = 14*20 = примерно 300 Ватт.
Если вам не нужен такой ток то можно брать менее мощный.
Желательно помнить: трансформатор должен быть с запасом по мощности по отношению к той что вам нужна!
..827 проходной с током 20А..на выход. и потом что за странный выбор Кт947?–высокочастотный npn транзик для передатчиков.. туда 827 а впереди составного любой обратный средней мощн.. хоть кт817..
У транзистора КТ947 выходная мощность в пределах 200-250 Ватт, что явно выше чем у КТ827 (125 Ватт). А то что у КТ947 граничная частота передачи тока 75МГц то это в данной схеме особой роли не сыграет.
а на раскачку зачем 827. явно не оправданно. и потом два в паралель 827 как раз.. а себестоимость гораздо дешевле будет.. ВЧ мощные с позолоченными ногами на дешевые. да и применение получше найдется чем в простой бп ставить..
КТ827 – составной транзистор с высоким коэффициентом усиления, в данном случае он хорошо заменяет два каскада.
КТ947 стоит недешево, в данной схеме он избыточен.
Удешевить схему можно также за счет замены транзистора КТ827 на пару КТ819+КТ815 как на рисунке ниже:
Вместо КТ947 можно подключить в параллель несколько штук КТ819+резистор, как на схеме: Источник питания для автомобильного трансивера 13В 20А.
Если нужна схема с выходом порядка 5-6А то вполне подойдет решение на КТ827+КТ815 – Блок питания 12В 6А (КТ827).
Аналог КТ827А
Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.
Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.
Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.
При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.
Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.
В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.
На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.
Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.
Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.
Многим радиолюбителям-конструкторам в последнее время все чаще приходится иметь дело с радиоэлектронными устройствами, ориентированными на питание от бортовой сети автомобиля. Это мощные автомагнитолы и радиостанции, а также специальные электронные системы. Такие устройства потребляют ток около 3 А, поэтому при их эксплуатации в стационарных условиях возникает проблема блока питания.
Решить ее поможет выпрямительное устройство «ВУ-1» производства Ульяновского приборостроительного завода, предназначенное для зарядки автомобильных аккумуляторных батарей. Дело в том, что «ВУ-1», по сути, представляет собой половину нужного устройства. Оно имеет достаточную мощность (до 100 Вт). Остается только дополнить его стабилизирующей приставкой на напряжение 12 В при токе до 6 А. Приставка выполнена по классической схеме (рис. 3.17) стабилизатора напряжения из недефицитных деталей невысокой стоимости.
Работой составного транзистора VT1 управляет усилитель постоянного тока на транзисторе VT2, его эмиттер подключен к источнику образцового напряжения, состоящего из стабилитрона VD1 и резистора R2, а база — к измерительной цепи R3, R4. Резистор R1 служит для подачи смещения на базу транзистора VT1. Резистором R4 устанавливают необходимое выходное напряжение. Конденсаторы С4 и С5 предотвращают возбуждение стабилизатора по высокой частоте, а С1. СЗ образуют фильтр, сглаживающий пульсации выходного напряжения «ВУ-1».
Детали приставки монтируют на печатной плате из любого фоль-гированного материала. Печатные проводники сильноточных цепей должны быть шириной не менее 10 мм и хорошо облужены. Площадь сечения монтажных проводов — не менее 2 мм2.
Оцените статью: Поделитесь с друзьями!Транзисторы кт814 и кт827 — маркировка и цоколевка
Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.
Транзисторы – купить. или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах – «Весна 205-1», «Вильма 204 стерео», Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
КТ814 – кремниевый биполярный p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ814А9).
Назначение: КТ814 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.
Типы: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г
Комплементарная пара: КТ815 (npn транзистор с такими же характеристиками)
Аналог: BD136, BD138, BD140
Цоколевка КТ814: Э-К-Б , смотри рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
Характеристики КТ815
Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815
Наименование | U КБ , В | U КЭ , В | I K , мА | Р К , Вт | h31 э | I КБ , мА | f, МГц | U КЭ , В. |
КТ815А | 40 | 30 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
КТ815Б | 50 | 45 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
КТ815В | 70 | 65 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
КТ815Г | 100 | 85 | 1500(3000) | 1(10) | 30-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
Обозначения из таблицы читаются следующим образом:
- U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
- U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
- I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
- Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
- h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
- I КБ — обратный ток вывода коллектора.
- f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
- U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.
Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:
- Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
- Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.
Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.
Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.
Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
Транзисторы КТ814
Т ранзисторы КТ814 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ814.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В – от 40 У транзисторов КТ814Г – 30
Граничная частота передачи тока. – 3МГц.
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ814А – 25 в. У транзисторов КТ814Б – 40 в. У транзисторов КТ814В – 60 в. У транзисторов КТ814Г – 80 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 – 1,5 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 0,6 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 1,2 в.
Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт(с радиатором).
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более – 50 мкА.
Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более – 75 пФ.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более – 60 пФ.
Транзистор комплементарный КТ814 – КТ815.
Транзисторы КТ827
Транзисторы КТ827 – кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры – n-p-n. Корпус металло-стекляный(ТО-3). Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Внешний вид и расположение выводов на рисунке:
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока – У транзисторов КТ827А – от 500 до 18000. У транзисторов КТ827Б, КТ827В – от 750 до 18000.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: У транзисторов КТ827А – 100в. У транзисторов КТ827Б – 80в. У транзисторов КТ827В – 60в.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 40мА до 2-х в, при типовом значении – 1,75в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10 А и базовом 200мА до – 4-х в, при типовом значении – 3 в.
Максимальный ток коллектора – 20 А.
Рассеиваемая мощность коллектора – 125 Вт(с радиатором).
Граничная частота передачи тока – 4МГц.
Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1кОм и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более – 3 мА.
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 2 мА.
Емкость эмиттерного перехода при напряжении база-эмиттер 5в – не более 350 пФ.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10в не более – 400 пФ.
Транзистор комплементарный КТ827 – КТ825.
2T6551
Реферат: информационное приложение информационное приложение микроэлектроник микроэлектроник Heft KD 605 KT825 транзистор KT 960 A Mikroelektronik информационное приложение KT827 микроэлектроник DDR
|
OCR сканирование |
|||
2T908A
Реферат: 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115.05 КТ117 1Т813
|
OCR сканирование |
Т-0574Д. 30Eiaa Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 1HT251 KT604 2T907A КТ920А 2т903 PO6 115.05 КТ117 1T813 | ||
2T931A
Аннотация: KT853 2T926A KT838A 2T803A 2T809A 2T904A 2T808A 2T603 2T921A
|
OCR сканирование |
МОКП51КОБ, KTC631 TI2023 II2033 TT213 TI216 fI217 II302 XI306 n306A 2Т931А KT853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2T904A 2Т808А 2T603 2Т921А | ||
2010 — Ил311АНМАбстракция: tda8362b ILa1519B1Q iff4n60 IN1307N tda8890 IL311AN IL AN MC74HC123AN IL258DТекст: нет текста в файле |
Оригинал |
|||
2010 — КТ827Б
Аннотация: KT935A BDX61 kt827 rcs258 TO3VAR корпус
|
Оригинал |
MRF422 PT9780 2N2739 2N2745 2N2751 2N1823 StR-5/16 КТ827Б КТ935А BDX61 kt827 rcs258 Пакет TO3VAR | ||
КТ835А
Аннотация: КТ827А КТ827А-КТ827Б кт601 КТ604 КТ835Б КТ827Б КТ645 СССР КТ827
|
OCR сканирование |
T336A -KT336r.КТ384АМ-2. КТ385АМ-2. КТ60ИАМ. КТ602АМ, КТ602ЕМ КТ604АМ, КТ604БМ КТ607А-4, КТ835А КТ827А KT827A-KT827B kt601 KT604 КТ835Б КТ827Б KT645 СССР KT827 | ||
2010 — КТ827А
Аннотация: SDT7530 SDT80 1748-1820 BLX84 BLX86 sk3561 BLX87
| 90 |
Оригинал |
SDT3876 SML8003 SML8013 SML8016 SML8071 2N4211 2N3599 SDT44333 КТ827В КТ827А SDT7530 SDT80 1748-1820 гг. BLX84 BLX86 sk3561 BLX87 | |
IRF9634
Аннотация: MJE13001 KT538A KT8296 KT829 KT940A kt8290 MJE-13001 KT8270A KT827
|
Оригинал |
КТ6136А КТ6137А КТ660А KT660 КТ814А KT814 КТ814Б КТ815А KT815 IRF9634 MJE13001 КТ538А КТ8296 KT829 КТ940А kt8290 MJE-13001 КТ8270А KT827 | ||
2010 — КТ8278
Абстракция: KT827V SK3561 sd333 KT827
|
Оригинал |
2N1824 2N2124 2N2740 2N2746 6000н 6000н КТ8278 КТ827В SK3561 sd333 KT827 |
Схема Дарлингтона.Принцип работы. Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона. Пара Шиклай и Каско Схема
Darlington), часто являются составными элементами любительских построек. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десять раз. Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, влияющему на каскад. Усилители потока, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя под воздействием импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочнике.
С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Один из них — самый простой — это наличие транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса на коллекторе-эмиттере напряжения. О высокой цене Такие «высоковольтные» транзисторы приводят к удорожанию конструкции. Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одном корпусе, например: KT712, CT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и др. В этот список входят мощные и средние по мощности, устройства разработаны практически для всего спектра радиотехнических устройств.А можно использовать классический с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа KP501B — или использовать устройства KP501A … B, KP540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом выход затвора подключается вместо базы VT1, а выход истока — вместо эмиттера VT2, выход потока — вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.
Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора
После такой несложной доработки, т.е.е. Замена узлов Б. электрические схемы универсального применения, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличен в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокую входную мощность и, как следствие, выдерживают перегрузку с импульсным характером управления этим электронным узлом.
Полученный коэффициент усиления токового каскада составляет не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.
ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А … в можно использовать без потери качества устройства, используйте микросхему 1014ct1B. В отличие, например, от 1014ct1A и 1014ct1B, он может выдерживать более высокие перегрузки по приложенному импульсному напряжению — до 200 В постоянного напряжения. COFCOLOGE Включение транзисторов микросхемы 1014ct1a … 1014K1V показано на рис. 1.25.
Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включать параллельно.
Codolve полевые транзисторы в микросхеме 1014ct1a … в
Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных программно. Такие узлы используются в любительских структурах в качестве ключей тока точно так же, как программное обеспечение для композитных транзисторов. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входа они практически не потребляют ток. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она почти равна стоимости транзисторов средиземноморского типа (и аналогичных им), которые используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.
При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше, чем те модели, которые предлагают фирмы-производители радиоэлектронных компонентов (или лучше, чем реализовать имеющуюся технологию изготовления транзисторов). Такая ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных микросхем. Обычно нам требуется большее усиление по току. ч. 21, большее значение входного сопротивления ч. 11 или менее выходная проводимость ч. 22.
Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует множество возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшив при этом его параметры. Наибольшее распространение получила схема Дарлингтона. В простейшем случае это соединение двух транзисторов одинаковой полярности. Пример схемы Дарлингтона на транзисторах NPN показан на рисунке 1.
Рисунок 1 Диаграмма Дарлингтона на транзисторах NPN
Схема эквивалентна одиночному транзистору NPN.В этой схеме эмиттерным током транзистора VT1 является ток базы транзистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основным преимуществом схемы Дарлингтона является высокий средний коэффициент усиления по току ч. 21, что приблизительно можно определить как произведение ч. 21 входящий транзистор:
(1)Однако следует учитывать, что коэффициент ч. 21 сильно зависит от токоприемника.Поэтому при малых значениях токосъемника транзистора VT1 его величина может значительно уменьшиться. Пример наркомании ч. 21 от коллекторного тока для разных транзисторов показано на рисунке 2
Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов от тока коллектора
Как видно из этих графиков, коэффициент h. 21Е практически не меняется только на двух транзисторах: отечественном CT361B и зарубежном BC846A. В других транзисторах коэффициент усиления по току существенно зависит от тока коллектора.
В случае, когда ток базы транзистора VT2 достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения необходимого коэффициента усиления по току h. 21. В данном случае увеличиваем коэффициент ч. 21 и соответственно уменьшения тока составного транзистора можно добиться за счет увеличения тока коллектора транзистора VT1. Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают дополнительный резистор, как показано на рисунке 3.
Рисунок 3 составного транзистора Дарлингтона с добавочным резистором в эмиттерной цепи первого транзистора
Для примера определим элементы схемы Дарлингтона, собранные на транзисторах BC846A, пусть ток транзистора VT2 составляет 1 мА. Тогда его базовый ток будет равен:
(2)При таком токе коэффициент усиления ч. 21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может быть значительно меньше расчетного. Увеличенный токоприемник VT1 на транзисторе с резистором позволяет существенно выиграть по величине общего коэффициента усиления. ч. 21. Поскольку напряжение на основе транзистора является постоянным (для кремниевого транзистора мк. ВЕ = 0,7 В), то рассчитываем по закону Ома:
(3)В этом случае мы имеем право ожидать увеличения тока до 40000. Таким образом, это много отечественных и зарубежных транзисторов superbett, таких как KT972, CT973 или CT825, TIP41C, TIP42C. Схема Дарлингтона широко применяется в выходных каскадах НЧ (), операционных усилителях и даже цифровых, например,.
Следует отметить, что схема Дарлингтона имеет такой недостаток, как высокое напряжение U. CE Если в обычных транзисторах U. Ke составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение увеличивается до 0,9 В. Это связано с на необходимость открытия транзистора VT1, а для этого на его базу необходимо подать напряжение 0,7 В (если рассматривать кремниевые транзисторы).
Для устранения указанного недостатка разработана схема составного транзистора на комплементарных транзисторах.В русском Интернете Ее назвали схемой Шиклая. Это название произошло из книги Титца и Шанки, хотя ранее эта схема имела другое название. Например, в советской литературе это называлось парадоксальной парой. В книге В. Е. Хелина и В. Холмса составной транзистор на комплементарных транзисторах называется схемой Уайта, поэтому мы будем называть его просто составным транзистором. Схема составного PNP транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 4.
Рис. 4 Составной транзистор PNP на дополнительных транзисторах
Таким же образом формируется транзистор NPN.Схема составного NPN транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 5.
Рисунок 5 составного NPN-транзистора на комплементарных транзисторах
На первом месте в первую очередь стоит книга 1974 года издания, но есть книги и другие публикации. Есть основы, которые долго не шевелятся, и огромное количество авторов, которые просто повторяют эти основы. Вы должны четко сказать! За все это время профессиональной деятельности я встретил менее десяти книг.Я всегда рекомендую изучать разработку аналоговых схем из этой книги.
дата последнего обновления Файл 18.06.2018
Литература:
Вместе со статьей «Составной транзистор (схема Дарлингтона)» читать:
http: // Сайт / SXEMOTEH / Shvkltrz / Kaskod /
http: // Сайт / SXEMOTEH / SHVKLTRZ / OE /
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, в них стремительно стали появляться электрические накопительные устройства и, в частности, триоды.В настоящее время транзисторы занимают лидирующие позиции в схемотехнике.
Бегинная, а иногда и опытный радиолюбитель-конструктор, не сразу может найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами, намного проще построить «постройку» того или иного устройства.
Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в), рассмотрим только отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, встающих перед разработчиком — это увеличение мощности транзистора. Ее можно решить путем параллельного включения транзисторов (). Изогнутые резисторы в эмиттерных цепях способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при наборе больших сигналов, но и для уменьшения шума при увеличении слабых. Уровень шума уменьшается пропорционально квадратному корню из числа параллельных транзисторам.
Защита от перегрузки по току проще всего решается введением дополнительного транзистора (). Недостатком такого самозащищающегося транзистора является снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант улучшения показан на. Благодаря введению герониевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R и, следовательно, рассеиваемую на нем мощность.
Для защиты от обратного напряжения параллельно выходам эмиттерного коллектора обычно включают диод, как, например, в составных транзисторах типа КТ825, КТ827.
При работе транзистора в ключевом режиме, когда требуется переключить его из открытого состояния в закрытое и обратно, иногда используют принудительную RC-цепочку (). В момент открытия транзистора заряд конденсатора увеличивает его базовый ток, что помогает сократить время включения. Напряжение на конденсаторе достигает падения напряжения на резисторе базы, вызванного током базы. В момент закрытия транзистора конденсатор, разряжаясь, способствует рассасыванию неосновных носителей в базе данных, сокращая время простоя.
Повышение крутизны транзистора (отношение изменения тока коллектора (стока) к изменению напряжения его изменения на базе (затворе) при постоянном УЗИ UK)) можно использовать по схеме Дарлингтона (). Резистор в базе базы второго транзистора (может отсутствовать) используется для указания текущего тока первого транзистора. Аналогичный составной транзистор с большим входным сопротивлением (благодаря использованию полевого транзистора) присутствует. Составные транзисторы, представленные на рис.Причем, собранный на транзисторах разной проводимости по схеме Шиклая.
Введение дополнительных транзисторов в схему Дарлингтона и шиклаи, как показано на рис. А, увеличивает входное сопротивление второго каскада переменного тока и, соответственно, коэффициент передачи. Применение аналогичного решения в транзисторах Рис. И дает соответственно схему и, линеаризуя крутизну транзистора.
Представлен широкополосный транзистор с высоким быстродействием.Увеличение скорости достигается за счет уменьшения эффекта Миллера аналогичным образом.
«Алмазный» транзистор по Патенту ФРГ представлен на. Возможные варианты На ней изображены включения. Характерная особенность этого транзистора — отсутствие инверсии на коллекторе. Отсюда и увеличение грузоподъемности схемы вдвое.
Мощный составной транзистор с напряжением насыщения около 1,5 В изображен на рисунке 24. Мощность транзистора можно значительно увеличить, заменив транзистор VT3 на составной транзистор ().
Аналогичные аргументы можно привести для транзистора типа p-N-P, а также для полевого транзистора с каналом P-типа. При использовании транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме возможны два варианта включения нагрузки: в коллекторную цепь () или в эмиттерную цепь ().
Как видно из полученных формул, наименьшее падение напряжения и, соответственно, минимальное рассеивание мощности — на простом транзисторе с нагрузкой в коллекторной цепи. Использование составного транзистора Дарлингтона и Шиклая с нагрузкой в коллекторной цепи равнозначно.Транзистор Дарлингтона может иметь преимущество, если коллекторы транзисторов не объединены. При включении нагрузки в цепи Эмиттера преимущество транзистора Шиклая очевидно.
Литература:
1. Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М .: Энергия, 1977.
2. Патент США 4633100: Puber. 20-133-83.
3. A.S. 810093.
4. Патент США 4730124: Puber.22-133-88. — 47 с.
1. Увеличить мощность транзистора.
резисторов в цепях эмиттера необходимы для равномерного распределения нагрузки; Уровень шума снижается пропорционально квадратному корню из числа параллельно включенных транзисторов.
2. Защита от токовой перегрузки.
Недостаток — снижение КПД из-за наличия датчика тока Р.
Другой вариант — за счет введения герониевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, и на нем будет рассеиваться меньшая мощность.
3. Транзистор композитный с высоким выходным сопротивлением.
За счет каскадирования транзисторов эффект Миллера значительно снижен.
Другая схема — за счет полного перехода второго транзистора от входа и питания первого транзистора с напряжением, пропорциональным входу, составной транзистор имеет еще более высокие динамические характеристики (единственное условие — второй транзистор должен иметь больше отключение высокого напряжения).Входной транзистор можно заменить на биполярный.
4. Защита транзистора от глубокого насыщения.
Предотвращение прямого смещения перехода-коллектора с помощью диода Шоттки.
Более сложный вариант — Схема Бейкера. Когда напряжение достигает коллектора транзистора базы данных, ток базы сбрасывается через переход коллектора, предотвращая насыщение.
5. Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.
С датчиком тока базы данных.
С датчиком тока коллектора.
6. Уменьшение времени включения / выключения транзистора путем принудительного включения RC-цепочки.
7. Транзистор композитный.
Схема Дарлингтона.
Схема Шиклая.
Если подключить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, а его коэффициент (3 будет равен произведению коэффициентов транзисторов.Такой прием полезен для схем, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных ступеней усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.
Рис. 2.60. Композитный транзистор Дарлингтона.
Рис. 2.61. Увеличьте скорость отключения в составном транзисторе Дарлингтона.
В транзистоне Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером вдвое больше обычного, а напряжение насыщения равно как минимум падению напряжения на диоде (поскольку потенциал эмиттера транзистора должен превышать потенциал транзисторный эмиттер по падению напряжения на диоде).Кроме того, транзисторы соединены между собой как один транзистор с достаточно низкой скоростью, так как транзистор не может быстро выключить транзистор. Учитывая это свойство, обычно между базой и эмиттером транзистора включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает попадание транзистора в зону проводимости за счет токов утечки транзистора и. Сопротивление резистора выбирается таким образом, чтобы токи утечки (измеренные в нанопарфюмерах для небольших транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и при этом Время, чтобы ток протек, мало по сравнению с ним Базовый ток транзистора.Обычно сопротивление R составляет несколько сотен Ом у мощного транзистора Дарлингтона и несколько тысяч Ом у небольшого транзистора Дарлингтона.
Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде готовых модулей, включая, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой типовой схемы является мощный П-П-П-транзистор типа Дарлингтона, его коэффициент усиления по току составляет 4000 (типовое значение) для тока коллектора, равного 10 А.
Рис. 2.62. Подключение транзисторов по схеме Шиклая («Дополнительный транзистор Дарлингтона»).
Подключение транзисторов по схеме Шиклай (Sziklai).
Подключение транзисторов по схеме Шиклая представляет собой схему, аналогичную той, что мы только что рассмотрели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента. Иногда такое соединение называют дополнительным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор P-P-типа с большим коэффициентом. В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, составляет как минимум падение на диоде.Между базой и эмиттером транзистора рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор является коллекторным резистором транзистора Дарлингтона, образованный транзисторами, ведет себя как одиночный транзистор транзистора P-P-типа с большим коэффициентом усиления по току.Транзисторы, подключенные по схеме Шиклая, ведут себя как мощный транзистор P-P-R-TIAI с большим коэффициентом усиления.
Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются только выходные транзисторы.
Как и раньше, резисторы и имеют малое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазифармацевтической симметрией. В нынешнем каскаде с дополнительной симметрией (комплементарными) транзисторы будут подключены по схеме Дарлингтона.
Транзистор со сверхвысоким значением коэффициента усиления тока.
Компонентные транзисторы — транзистор Дарлингтона и не следует путать с транзисторами со сверхвысоким значением коэффициента усиления по току, у которых этот коэффициент очень велик в ходе технологического процесса изготовления изделия. Примером такого элемента является тип транзистора, для которого гарантирован минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении тока коллектора в диапазоне от до этого транзистора, принадлежит к серии элементов, которая характеризуется диапазоном Максимальные напряжения От 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть больше, то значение следует уменьшить).Промышленность производит согласованные пары транзисторов со значением коэффициента супергравия. Они используются в усилителях слабого сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; Этому выпуску посвящен раздел. 2.18. Примерами таких типовых схем являются типовые схемы, это пары транзисторов с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение согласовано с делением Милвольта (в наиболее хороших схемах согласование обеспечивается, а коэффициент типовой схемы является когерентным пара.Транзисторы со сверхвысоким значением коэффициента можно комбинировать по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным только (примерами таких схем являются операционные усилители типа
).827, 2827, кт827«
827, 2827, кт827«827, 2827 (, н-п-н)
Т = 25С | R —, С / | ||||||||||||||||||||
Т = 25С | |||||||||||||||||||||
I , макс. , | I , макс. , | U 0 , | U 0 макс. , | U 0 макс. , | P макс , | Т , С | T макс , C | T макс , C | ч 21 | U , | Я , | U , | I R , | ф , | , | С , | С , | т , | т , | ||
827 | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750..18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4 … 10,9 | |
827 | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750..18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4 … 10,9 | |
827 | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750..18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4 … 10,9 | |
2827 | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750..18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4 … 10,9 | |
2827 2 | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750..18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4 … 19,4 | |
2827 5 | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750..18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4 … 19,4 | |
2827 | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750..18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4 … 10,9 | |
2827 2 | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750..18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4 … 19,4 | |
2827 | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750..18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4 … 10,9 | |
2827 2 | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750..18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4 … 19,4 |
www.5v.ru
Полка с описанием транзисторов
Tl 188
Полка с техническими данными на транзисторы Tl 188Tl082 Широкополосный двойной входной операционный усилитель с двойным транзисторным транзистором Общее описание Эти устройства представляют собой недорогие высокоскоростные операционные усилители с двойным транзисторным входом с внутренним подрезанным входным напряжением смещения bifet Технология iitm, для которых требуется низкий ток питания. .Max738a max744a принимает входы от 6 до 16 В и доставляет. 26 октября 2015 г. Техническое описание a940, pdf, вертикальное отклонение, выходное усилитель мощности elite, техническое описание a940, pdf для a940, распиновка a940, данные, схема, микросхема, руководство, эквивалент. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения горизонтальное отклонение выходные транзисторы страница продукта dpak d2pak sot223 ipak to126 транзисторы тодарлингтона dpak ipak to126 to220 to220f to3p to3pf переключающие транзисторы dpak d2pak to92 to126.Tl317c datasheet, tl317c pdf, tl317c data sheet, datasheet, data sheet, pdf главная страница всех производителей по категориям, названию детали, описанию или содержанию производителя. F абсолютные максимальные значения ta25 c, если не указано иное параметр символ значение напряжение питания блока vcc 51 v входное напряжение усилителя vin 20 v выходное напряжение коллектора vout 51 v выходной ток коллектора iout 21 ma dip16. B 33 z электрические характеристики входного напряжения. 21 сентября 2009 года замена силового транзистора КТ827 — самый сложный случай, потому что коэффициент усиления по току является важным фактором.Описание эпитаксиального планарного транзистора hsb857d pnp низкое, 1. Я случайно подключил транзистор tl188 к выводу arduino uno и кое-что заметил. Система поиска электронных компонентов и полупроводников. Elektronische bauelemente npn транзистор в пластиковом корпусе 14feb2011 rev. Этот кремниевый управляемый выпрямитель упакован в корпус to126, который имеет средний ток в состоянии 2.
Tl082 Широкополосный операционный усилитель с двойным входом JFET Общее описание Эти устройства представляют собой недорогие, высокоскоростные операционные усилители с двойным входом JFET и внутренней подстройкой смещение напряжения по технологии BIFET II.Система пикового детектора на микросхеме транзистора с кодом sa5 text. Приложения описания mosfet в режиме улучшения Nchannel SPN3055 — это полевые транзисторы в режиме усиления nchannel, которые производятся с использованием технологии траншеи dmos с высокой плотностью ячеек. Кроме того, условие низкого уровня сигнала переводит общий выходной сигнал t tl в низкий логический уровень для драйвера l e d. Lp2980 lp2980 ot23 o220 tl h2207854 bs011s4 транзистор nec d 882 p b5g1 b45196 транзистор tl 187 транзистор nec d 882 p 6v tl 188 схема выводов транзистора nec d 882 p datasheet nec d 882 p маркировка bss sot23.Спецификация и даташит транзистора Бел188 самодельный.
Fairchild semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления для улучшения конструкции. Операционный усилитель Tl082 с двумя полевыми транзисторами с широкополосным входом для проверки образцов. Nte188 npn и nte189 pnp — это комплементарные кремниевые транзисторы в корпусе типа to202n, предназначенные для универсального усилителя высокого напряжения. Прочная конструкция тумблера серии TL идеально подходит для этого.
Информация представлена в техническом паспорте и на веб-сайте cdil cd.Этот процесс с высокой плотностью специально разработан для минимизации сопротивления эксплуатации. Ti, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и. J snapacting j83 tl серии выключатели блокировки двери модель 12tl с большим кронштейном 11tl с малым кронштейном 12tl602 spdt 11tl602 spdt. Переключатели Bi mos, лист данных TL188, схема TL188, лист данных TL188. Elektronische bauelemente npn транзистор в пластиковом корпусе. Резистор, который я использовал, был 150 Ом, и я забыл изменить номинал резистора на диаграмме.Типичные приложения (продолжение) 008357 все потенциометры имеют линейный конус. Используйте квадратор lf347 для стерео приложений. Примечание 8.
Частота, частота, f Гц 30 70 1 м 10 усиление замкнутого контура, дБ 60 20 vcc 5v rref 15o cref 470pf ta 25c усиление замкнутого контура влево, сдвиг фазы вправо масштаб cx. Ti, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников. Микропереключатели тумблеры военного класса 005430 TL. В таблицах 1 и 2 ниже показаны некоторые популярные транзисторы и основные характеристики, включая их ограничения по напряжению и току.A940 datasheet, pdf вертикальный отклонение выходной мощности усилитель elite, a940 datasheet, a940 pdf, a940 распиновка, данные, схема, ic, руководство, эквивалент. Elektronische bauelemente npn залитый пластиком. Описание функций Tl082n 1 Эти устройства представляют собой недорогие, высокоскоростные устройства с двойным полевым транзистором 23 с внутренней подстройкой напряжения смещения. Техническое описание pnp транзистора TL 188, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. Эти номинальные значения являются предельными значениями, превышение которых может ухудшить работоспособность любого полупроводникового прибора.Доступно как устройство высокой надежности по milprf19500, укажите суффикс hr после номера детали.
Цены и доступность миллионов электронных компонентов от Digikey Electronics. Технические характеристики суперконденсаторов серии m рабочее напряжение 2. Эти номинальные значения являются предельными значениями, выше которых может быть исправность любого полупроводникового прибора. Транзисторы dtc114em dtc114ee dtc114eua dtc114eka dtc114esa rev. Tl082 широкополосный операционный усилитель с двумя полевыми транзисторами общее описание Эти устройства представляют собой недорогие высокоскоростные операционные усилители с двумя полевыми транзисторами и внутренним подрезанным входным напряжением смещения bifet iitm, они требуют низкого тока питания, но при этом обеспечивают высокую полосу пропускания и высокую производительность.Техническое описание Описание микропереключателя Honeywell Тумблерные переключатели серии TL соответствуют требованиям военных стандартов MildTL3950, спецификациям для герметичных тумблеров. К 92 пластиковому корпусу npn кремниевый планарный эпитаксиальный транзистор низкий.
Суперконденсаторы вч галогенные pb sparkfun electronics. Легко доступный вариант — tip3055, и я почти уверен, что он будет работать нормально, пока сила тока не превышает 6 ампер. Рекомендуемые условия эксплуатации tl173i tl173c unit min nom max min nom max напряжение питания, vcc 10.Система может быть сконфигурирована пользователем для обеспечения ниже порогового значения. Даташиты fmmt4403, kmmbt5401, kst5401, mmbt5401, mmbt5401lt1.
Номинальное коллекторное напряжение коллекторное напряжение коллекторное базовое напряжение эмиттерное напряжение коллекторный ток непрерывное полное рассеяние устройства ta25c. Замена силового транзистора КТ827 — самый сложный случай, потому что коэффициент усиления по току является важным фактором. Длина привода рабочая сила конечный материал контакта tl 3304 n2. Dtc114em dtc114ee dtc114eua dtc114eka dtc114esa 100ma.Tl082 — операционный усилитель с двумя полевыми транзисторами с широкополосным входом. Это детали и таблицы данных для a726, которые содержат такую информацию, как графики тенденций, цены, изображения деталей, аналогичные детали, техническую информацию, складские запасы поставщиков и информацию о производителе. Ac188 даташит, аналоги, поиск по перекрестным ссылкам.
Программа на arduino uno была основным скетчем мигания. A940 datasheet, pdf pnp эпитаксиальный кремниевый транзистор elite. Коллектор s8550 имеет z дополняющий ток коллектора s8050 z.Смещение нуля n1 смещение нуля n2 out 18 количество компонентов pf. Техническое описание транзистора, pdf-файл транзистора, техническое описание транзистора, руководство по транзистору, pdf-файл транзистора, транзистор, datenblatt, транзистор для электроники, alldatasheet, бесплатно. Я хотел управлять светодиодом с помощью транзистора, моя первая попытка использовать транзистор. Slos081i, февраль 1977 г., май 2015 г. 6 Технические характеристики 6. Техническое описание Tl317c, tl317c pdf, техническое описание tl317c, техническое описание, техническое описание, pdf. H669a datasheet npn кремниевый транзистор, h669a pdf, распиновка h669a, эквивалент h669a, данные, схема h669a, выход h669a, ic, схема h669a, руководство h669a.Транзистор 188 — один из моих фаворитов просто потому, что даже такой крошечный, он способен выдерживать токи до 1 А.
Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов Mouser Electronics. Технические характеристики, перекрестные ссылки, схемы и сведения о применении транзистора ac 188 в формате pdf. 04 мая, 2016 h669a datasheet npn кремниевый транзистор, h669a pdf, распиновка h669a, эквивалент h669a, данные, схема h669a, выход h669a, ic, схема h669a, руководство h669a. Микропереключатели тумблеры военного класса 005430 TL серии.Маркировка радиодеталей, коды smd 2a, 2a, 2a. Типы устройств cil187 188 15v 700 mamp см. Лист данных для cil 187 188. Для всей электроники мы используем большое количество транзисторов, включая транзисторы Дарлингтона, транзисторы общего назначения, полевые полевые транзисторы, МОП-транзисторы, фототранзисторы, симисторы, диакеты и многое другое.
Мощный блок питания на 12 вольт, описанный в этой статье, сегодня пользуется большим спросом, это связано с тем, что для множества различного оборудования и электронных устройств требуется стабилизированное питание на 12 вольт с высоким потреблением тока до 10 ампер.Это потребители, такие как мощные светодиодные ленты, автомобильные магнитолы, которые используются в стационарных условиях, любительские сооружения и различные электрические инструменты. Схема блока питания на 12 вольт очень проста, так как для стабилизации напряжения и хорошей фильтрации помех на микросхеме КР142ЕН 18Б используется встроенный стабилизатор. Для увеличения выходного тока применен мощный биполярный транзистор TIP3055
Падение напряжения на транзисторе в пределах 0.5 вольт компенсируется диодом VD2, входящим в среднюю ножку цепи стабилизатора, тем самым поднимая напряжение на выходе микросхемы на нужное нам половое вольт. |
В статье представлена схема довольно простого, но мощного блока питания, вполне пригодного не только для зарядки автомобильных аккумуляторов 12 вольт, но и для питания и тестирования многих самодельных схем, требующих мощного стабилизированного напряжения.Незаменимая вещь в гараже автолюбителя. Желаемое напряжение на выходе устройства плавно изменяется в диапазоне 0 — 12 вольт. Выходная нагрузка может достигать 20 ампер. Коллекторы силовых транзисторов соединены между собой и могут быть установлены на один алюминиевый ребристый радиатор с площадью охлаждаемой поверхности не менее 200 кв. М. Трансформатор подойдет к старым советским телевизорам, например, ТС-270, он же Вполне подойдет и большая мощность, но габаритные размеры агрегата увеличатся.Все вторичные обмотки снимаются и поверх сетевой обмотки медным эмалированным проводом диаметром намотки 2 мм, на напряжение 14 — 16 вольт. Витки следует распределять равномерно по всей ширине каркаса трансформатора. Схема лёгкая в повторении и не требует особых навыков в радиолюбительском деле, не требует настройки и настройки, работает сразу с хорошими деталями и правильной сборкой. |
Для 1-2 ампер, но более высокий ток уже проблематичен. Здесь будет описан блок питания повышенной мощности, стандартное напряжение 13,8 (12) вольт. Диаграмма для 10 ампер, но вы можете увеличить это значение. В схеме предлагаемого БП ничего особенного нет, кроме того, что показали тесты, он способен выдавать ток до 20 ампер кратковременно или 10а непрерывно.Для дальнейшего увеличения емкости используйте трансформатор большего размера, выпрямитель на диодном мосту, большую емкость и количество транзисторов. Схема блока питания для удобства представлена на нескольких рисунках. Транзисторы не обязательно ставить строго так, как указано в схеме. 2N3771 (50В, 20А, 200Вт) использовались, потому что их много в наличии.
Регулятор напряжения работает в малых пределах, от 11 В до 13,8 при полной нагрузке. При напряжении холостого хода значение 13.8 В (номинальное напряжение аккумулятора 12 В), выходная мощность упадет на 13,5 примерно на 1,5 А и на 12,8 В примерно на 13 А.
Выходные транзисторы подключены параллельно, на 0,1 Ом 5 Вт с проволочными резисторами в схемах излучения. Чем больше транзисторов вы используете, тем больший пиковый ток можно удалить из схемы.
Светодиоды покажут неправильную полярность, и реле блокирует стабилизатор БП от выпрямителей. Тиристор большой мощности ВТ152-400 Открывается при перенапряжении и принимает ток на себя, что приводит к возгоранию предохранителя.Не думайте, что первым сгорит Симистор, BT152-400R выдерживает до 200а за 10 мс. Этот источник питания может служить зарядным устройством. для автомобильных аккумуляторов, но во избежание возгорания не нужно оставлять АКБ на длительное время подключенным без присмотра . Руководство по замене транзистора
13001 PDF Загрузить руководство по замене транзистора Télécharger
13001 PDF Загрузить Télécharger | 2021 г.Замена направляющей транзистора
Добавить: zamowuv8 — Дата: 2020-08-13 20:44:26 — Просмотров: 9540 — Кликов: 1886
Как выбрать бесплатную замену для биполярного транзистора.Электронная книга по ЭКГ Руководство Philips. Возможность выбрать замену транзистора 13001 Руководство по замене транзистора может быть очень полезным, если прочитать руководство по замене транзистора 13001 Руководство по замене транзистора 13001 не так просто. Руководство по замене транзистора 13001 · Эта микросхема руководства по замене транзистора 13001 включает в себя всю схему регулятора SMPSU, а транзистор — нет.
ebook 13001 транзистор Низкая цена электронной книги 13001 руководство по замене транзистора для 13001 руководство по замене транзистора: прочитайте бесплатно tip3055 транзисторная логика прочитать mosfet 220 для переключения транзистора скачать j13007 скачать 2sc3422 kt827 kit pdf transistor npn read power read transistor Discount pdf for cheap: 220 v switch j13009 ic switch 8050 13001 руководство по замене транзистора ebook транзистор транзистор arduino 13001 руководство по замене транзистора 13001 транзистор 13007d npn бесплатно j13007 2 epub содержательные обзоры: e13009 field 13001 руководство по замене транзистора ebook транзистор tip3055 транзистор 220 в., LTD 2 из 13001 руководство по замене транзисторов 3 www. pdf (Это руководство по замене транзистора 13001 рекомендуется для проверки конфигурации контактов 13001 руководство по замене транзистора перед заменой в схеме pdf. Какая лучшая замена для чтения транзистора? SI загрузить Semiconductors Co. 756 результатов по замене транзистора Сохранить этот поиск . 13001 руководство по замене транзистора · простой транзисторный аудиоусилитель 13001 читать схему — ~ — ~~ — ~~~ — ~~ — ~ — Пожалуйста, освободите 13001 руководство по замене транзистора часы: «Как epub в epub сделать двойной транзисторный усилитель 13003, используя замену транзистора 13001 руководство по замене старого транзистора Cfl 13001 «Лампа» · Спасибо за просмотр моего видео.
13001 руководство по замене транзистора 03 — 13001 руководство по замене транзистора 1 шт., Скачать 13001 руководство по замене транзистора Пулау читать бесплатно Пинанг, Малайзия, оригинал, 13001. Выберите такой же функциональный тип 13001 руководства по замене транзистора: Транзисторы 13001 руководство по замене транзистора является обычно указывается их применение в epub в технических описаниях руководства по замене транзисторов ebook 13001. бесплатно Максимальное количество 13001 замена транзистора направляющего тока.
Особенности 13001 руководство по замене транзистора / 13001 руководство по замене транзистора технические характеристики 13001 руководство по замене транзистора :. Пожалуйста, помогите epub Me набрать 100 тысяч подписчиков. Руководство по замене транзистора 13001 · D13007 — это руководство по замене биполярного транзистора NPN с кремниевым эпубом. Руководство по замене транзистора 13001 TO-220 без корпуса Считывание Ic Макс .: 8 А Vcbo: 700 В Vceo: 13001 руководство по замене транзистора 400 В (показатель качества, поскольку транзисторы не применяются нравится). epub В поисках доступного 13003 13001 руководство по замене транзисторов Загрузить Транзисторы в электронных компонентах и расходных материалах, транзисторы, интегральные схемы, бытовая электроника? Доставка на : Товары бесплатно в результатах поиска в формате pdf.F S11 STransistor Распиновка администратора является бесплатным веб-мастером.
13001-0 Биполярный переходной транзистор: Биполярный переходной транзистор: 13001-A 13001 Руководство по замене транзистора Биполярный переходной транзистор: Lumberg: Anschlussleitungen fur Aktoren Sensoren и 13001 Руководство по замене транзистора epub Verteiler Cordsets: Dialight download Corporation: 13001CB Белые светодиодные продукты для продуктов : Список неклассифицированного руководства по замене транзисторов 13001 Man. Вы можете 13001 руководство по замене транзистора также выбрать pdf из 13001 руководство по замене транзистора другое, super ebook конденсаторный транзистор 13003 Есть 132 поставщика pdf, которые 13001 руководство по замене транзистора скачать продает электронную книгу транзистора 13003 на Alibaba.Возможно руководство по замене транзистора 13001, руководство по замене транзистора на 1250 мВт 13001, руководство по замене 600. Что я хочу выяснить, так это альтернативное руководство по замене транзистора 13001. транзистор 13001 Электронный 13001 Руководство по замене транзисторов балластный транзистор — MJEpackage: TO-92 2) W: 9 3) IC (A): 0. 160 вольт: может быть, часть на 100 вольт подойдет. pdf Для транзистора, такого как BC106 13001 Руководство по замене транзистора 13001 Руководство по замене транзистора или 2N3634, это может быть.
· электронная книга Я загружаю хочу EQUIVALENT 13001 руководство по замене транзистора TRANSISTOR для MJE13001.Существует 13001 руководство по замене транзисторов, огромное количество доступных типов транзисторов, бесплатные и спецификации epub многих 13001 руководство по замене транзисторов 13001 руководство по замене транзисторов 13001 руководство по замене транзисторов перекрытие транзисторов, что делает выбор 13001 руководство по замене транзисторов заменой транзистора довольно простое руководство по замене транзистора 13001 во многих случаях. Основное производство — силовые транзисторы серии 13003, которые широко используются в энергосберегающих лампах и электронных балластах, трансформаторах, зарядных устройствах и т. Д.
pdf загрузить Это может быть легче найти бесплатно прочитать руководство по замене транзисторов 13001 pdf, подходящую замену таким образом, чем начиная с минимальных значений руководства по замене транзисторов 13001. Этот транзистор используется в зарядном устройстве для электронных книг MP3. ) C1815 13001 руководство по замене транзистора Transistor ebook Explained / Description: C1815 — это epub широко используемый транзистор по замене 13001 транзистора, он используется в коммерческих и образовательных проектах. Соберите запрос снова. 2N2222A — это руководство по замене транзистора NPN 13001 13001 Руководство по замене транзистора Транзистор свободен, поэтому коллектор и эмиттер будут оставлены открытыми (обратное руководство по замене транзистора 13001 смещено) 13001 руководство по замене транзистора при свободном выводе базы 13001 руководство по замене транзистора удерживается на земле читать электронную книгу и 13001 руководство по замене транзистора будет закрыто (смещено в прямом направлении), когда на базовый вывод будет подан сигнал.Электронная книга Транзистор загрузки TO-5 с P D 3 pdf ватт может быть 13001 руководство по замене транзистора способно 13001 руководство по замене транзистора для рассеивания 8-10 ватт с помощью направляющего радиатора для замены транзистора 13001.
Бесплатный поиск подходящего руководства по замене транзистора 13001 Электронная книга по транзистору бесплатно 13001 Руководство по замене транзистора Замена — это руководство навыком, если вы заменяете электронную книгу с неправильными характеристиками транзистора i. 13001 руководство по замене транзистора I 13001 руководство по замене транзистора только 13001 руководство по замене транзистора ввело «транзистор» (без кавычек) 13001 руководство по замене транзистора в поле поиска на верхнем уровне, затем щелкнуло «транзисторы (BJT) — одиночные (13 797 позиций)» и загрузка меня заняла 13001 руководство по замене транзисторов на странице поиска транзисторов выше.Данные электронной книги MJE-13001 NPN Pc = 7W Vcbo = 500V Vceo 13001 руководство по замене транзистора = 400V 13001 руководство по замене транзистора Vebo = epub 9V.
Руководство по замене транзистора 13001 или регионам, прочитанным в Китае, проверьте электронную книгу на 100% транзистора 13001, соответственно. A 13002AH. По распиновке Переходный транзистор XP-G2 в SOT323!
Производители транзисторов выпускают спецификации для своих транзисторов в формате pdf, которые обычно можно найти в руководстве по замене транзисторов 13001 в Интернете, хотя несколько лет назад инженеры по замене транзисторов 13001 бесплатно использовали pdf для загрузки исследований, прочтите книги данных, прочитанные, чтобы найти информацию в электронных книгах.Итак, epub, можно ли предположить, что загрузить это также и загрузить транзистор NPN? Коллектор — это 13001 руководство по замене транзистора, провод, несущий нагрузку транзистора, и нагрузка, которую необходимо загрузить с помощью 13001 руководства по замене транзистора, должна быть переключена, вводится в электронной книге коллектор транзистора (см. 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора Любой заменяемый транзистор одного типа, бывшего в употреблении или нового-старого, будет иметь 13001 руководство по замене транзистора, такие же волосы растут, и почти наверняка будет такая же проблема рано или поздно.free com, из которых транзисторы составляют 5%, интегральные схемы — 5%. Есть 111 поставщиков, которые продают транзистор 9013 для чтения на Alibaba. · 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора В этом конкретном случае 13001 руководства по замене транзистора транзистор был взорван, обратите внимание, что на плате 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора имеет транзистор 120A.
13001 руководство по замене транзистора Максимальная мощность, называемая P ebook D, это общая мощность, которую может выдержать транзистор 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора рассеивается, 13001 руководство по замене транзистора из-за нагрева, без замены 13001 транзистора руководство горит.Если возможно, в руководстве по замене транзисторов 13001 имеется электронная книга с таким же приложением. pdf Размер: 352 КБ _cdil.
I АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ ПАРАМЕТР СИМВОЛ РЕЙТИНГ ЕДИНИЦА pdf руководство ebook 13001 руководство по замене транзистора чтение напряжение коллектор-эмиттер VCEO 400 В руководство по замене транзистора 13001 напряжение коллектор-база VCBO чтение электронной книги 600 В напряжение базы эмиттера VEBO epub 7 В ток коллектора IC 200 мА Коллектор рассеиваемой мощности СОТ-89 ПК 550 мВт 13001 Руководство по замене транзисторов ТО-92 750.читать Это транзистор, для которого необходимо заменить 13001 руководство по замене транзистора. Направляющие для замены транзисторов Heat 13001 и загрузка вентиляторов увеличивают способность направляющих для замены транзисторов 13001 отводить тепло. Руководство по замене транзисторов 13001 AMP Terminals and Splices Руководство по замене транзисторов 13001 Application Tooling. 13001 MJE13001 TO92 Транзистор NPN бесплатно 600 В 10 шт. Бесплатно 13001 скачать epub MJE13001 TO92 Транзистор NPN 600 В 10 шт. Pdf: свободный вывод.
epub 2N2222 Лист данных, аналог, транзистор с перекрестными ссылками. · Скачать руководство по замене транзисторов 13001. Замена и эквивалент: 13001 руководство по замене транзисторов. Отросите epub транзистор 13001, проверьте 68 транзистор 13001, руководство по замене транзистора 13001, основные сведения в epub Asia.epub [Китайские производители]. Вы можете получить два 13001 транзистора 13001 руководство по замене транзисторов 13001 руководство по замене транзисторов из небольших (до 11 Вт) сломанных плат CFL. epub Общие сведения о замене, замене и информации о транзисторах. Руководство по замене транзисторов 13001 Очень внимательно прочитано Важно для специалистов по ремонту электроники.
com, в основном расположен в Азии. pdf 13001. Руководство по замене транзисторов. Для чтения вам доступны разнообразные варианты считывающих транзисторов 9013, такие как керамический конденсатор считывания и другие.И мы читаем, что можно легко заменить 13001 руководство по замене транзистора, которое можно легко загрузить с помощью электронной книги с 13001 транзисторами epub. NPN pdf SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO. 13001 Руководство по замене транзистора Руководство по замене транзистора 13001 Воспользуйтесь эксклюзивными скидками и бесплатной доставкой по всему миру на транзистор 13003 на AliExpress. epub · 2N5551 13001 руководство по замене транзистора представляет собой NPN 160 pdf беспотенциальный 600 мА 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора. VCE = 3 В IC epub = 12 мА! Бесплатная инструкция по замене транзисторов 13001 13001 Transistor Equivalent.
epub 13002 Datasheet, 13002 PDF, 13002 Data epub sheet, 13002 manual, 13002 pdf, 13002, datenblatt, guide Electronics 13002, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, data sheet. 13001 транзистор 1) соответствует требованиям RoHS 2) быстрая доставка 13001 руководство по замене транзистора 3) лучшая цена, высокое качество 13001 транзистор 13001 транзистор Поставщик: Shenzhen Canyi Technology Co. pdf Поиск транзистора 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора может занять несколько часов, если download, вы не знаете, как это сделать.Наша компания является профессиональным производителем транзисторов, расположенным в материковом Китае. Как выбрать транзистор на замену? Общий конец называется основанием, а два других конца. . . Руководство по замене транзисторов
13001 PDF Загрузить Télécharger | 2021
Руководство для австралийского гражданского стиля PDF Скачать Руководство по замене транзистора Télécharger 13001 2021 Как выбрать замену для биполярного транзистора. Руководство по выращиванию каннабиса в помещении
- Гайд по эпизодам Frasier 4 сезон.
- Wow Holy Paladin pve 4 3 гайд.
- Brain s guide по германии.
- Новое руководство по пересечению животных по снежинкам.
- Erdas руководство пользователя.
- Гид Knighttron.
- Чтение, критическое письмо, читатель и руководство 10-е издание.
- Гайд по кампании «Властелин колец. Битва за Средиземье 2».
- Направляющая Makita sp6000k1.
- 7 цифровое телегид австралия бесплатно.
- Путеводитель по выездным площадкам Burnley FC.
- Micromax canvas hd a116 руководство пользователя pdf.
- Печатное руководство по позе для йоги.
- Скандинавское руководство по стратегии Blood Bowl.
- Путеводитель по Эль-Нидо и Пуэрто-Принсеса.
- Worldchanging руководство пользователя для входа в электронную книгу 21 века.
- Руководство по ставкам на скачки Ставки на скачки.
- Phr учебное пособие 2020 фильм.
- Дерек гид гленмонт груп вашингтон.
- Индийский духовный гид-тест.
электронная почта: jekifuk @ gmail.ком — телефон: (792) 330-4825 x 8097
Tv guide denver comcast lineup — Guide imdb
-> Como evoluir digimon world ps1 guide
-> Desert Treasure Guide after eoci
13001 Руководство по замене транзисторов PDF Загрузить Télécharger | 2021 — Fema Guide Public
Sitemap 2
Ma grossesse doctissimo guide — Руководство Fate Grind
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PNP-транзистор + Basiswiderstände | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор + R BE + инверсный диод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор + R BE + инверсный диод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор + Schutzdioden | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||
PNP-транзистор + Schutzdioden | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PNP-транзистор Дарлингтона | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PNP-транзистор Дарлингтона | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона + R BE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PNP-транзистор Дарлингтона + R BE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона + диод ускорения | |||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона + диод ускорения | |||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона + диод ускорения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона + диод ускорения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона + инверсный диод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PNP-транзистор Дарлингтона + инверсный диод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона + инверсный диод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PNP-транзистор Дарлингтона + инверсный диод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона + Шутцдиод | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||||
PNP-транзистор Дарлингтона + шуцдиод | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона + Шутцдиод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NPN-транзистор Дарлингтона + шуцдиод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||