Транзистор с5387 параметры цоколевка: 2SC5387 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Содержание

2SC5387 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5387 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 10,0/20 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 8,0 А 4,3 7,8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 8 A, Ib = 2,0 А 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 8,0 А
Ib Ток базы 5,0 А
Tf Время спада импульса F = 64 кГц 0,15 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

КТ837 технические характеристики транзистора, аналоги, цоколевка

Советская серия транзисторов КТ837 по своим техническим характеристикам представляет собой мощные биполярные кремниевые PNP-устройства низкой частоты. Она была разработана в начале 80-х в качестве альтернативы для германиевых полупроводниковых собратьев П213 — П217. Используется преимущественно в силовых коммутационных схемах (переключающих), на выходах низкочастотных усилителей (УНЧ), в стабилизаторах напряжения и др.

Цоколевка

Цоколевка у транзисторов серии КТ837 – ЭКБ (представлена на рисунке). Устройство выпускается в современном пластиковом корпусе ТО-220, его советский аналог  — КТ-28. Технические условия исполнения: аАО.336.403 ТУ.

Корпус устройства физически соединены с выводом коллектора.

Основные параметры

Транзисторы серии КТ837 подразделяют на 19 типов (от А до Х). У всей линейки одинаковая заявленной рассеиваемая мощность 30 Вт (при использовании теплоотвода) и ток коллектора 7,5 А (у белорусского до 10 А). По остальным параметрам они отличаются между собой, в основном величиной максимального напряжению между выводами и коэффициентом усиления по току (разброс по h21Э  от 10 до 150).

Ниже представлены все возможные типы транзистора КТ837 и их основные технические характеристики. Значения указаны для температуры окружающей среды не более +25 oС.

Как видно из представленной таблицы параметров, данные устройства не могут похвастаться способностью работать при высоких температурах, характерных для большинства современных аналогов. Так, максимальный нагрев корпуса (ТК) у них не должен превышать  +100 oС, а перехода (ТП) +125oС. Граничная частота коэффициента передачи тока (F гр.) иногда больше 1 МГц, в новых партиях может достигать 5 МГц.

Коэффициент h

21Э

К сожалению, разброс значений коэффициента усиления по току h21Э (он же HFE в зарубежной литературе) у серии КТ837 очень высокий — это один из главных её минусов. При этом, данный параметр может плавать в разных партиях как в большую, так и в меньшую сторону. Например, у некоторых транзисторов h21Э по даташит составляет 150,  а при замерах в реальной жизни — в два, а то и в три раза хуже заявленного и не превышать 50.

Чтобы избежать сюрпризов в работе уже купленного транзистора, необходимо предварительно проверять соответствие значения h21Э с данными из даташит. Это можно сделать обычным мультиметром. Также заранее необходимо определится с его ролью в проекте. Устройства с буквами «В», «E»,  «Н» в конце маркировки, лучше подходят для усиления — они имеют h21Э от 50 до 150 и большой запас по возможному напряжению между выводами коллектор-эммттер. Для коммутационных схем лучше обратить внимание на устройства с меньшим h21Э  и напряжением насыщения.

Наиболее универсальными в линейке являются транзисторы КТ837Ф. Как видно из таблицы параметров, они обладают довольно низким напряжением насыщения (UКЭ.нас. до 0,5 В), небольшим для этого током базы (IКБO до 0,15 мА)  и высоким  h21Э (от 50 до 150). Они хорошо подходят как для усиливающих, так и для переключений схем.

Меры безопасности

Для стабильной работы любого полупроводникового устройства необходимо правильно рассчитать его обвязку и добиться соблюдения режимов эксплуатации. Производители обычно рекомендуют отнимать от заявленных в даташит значений параметров 20-30%. Чтобы транзистор меньше грелся дополнительно предусматривают установку его на радиатор.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для рассматриваемого устройства является серия с NPN-структурой КТ805. Её долгие годы производили «без пары» и поэтому не указывали данной информации в технических справочниках. Позже для него начали производить комплементарник — КТ837 PNP-структуры. Очень часто эта парочка встречалась в выходных каскадах УНЧ. В советские годы их применяли в активной акустике вроде «Радиотехник S70», блоках УНЧ-50-8 усилителей «Радиотехника У7101 СТЕРЕО», «Радиотехника У101 СТЕРЕО».

Аналоги

Для транзистора КТ837 довольно сложно найти аналог. В большинстве случаев, при поиске ему альтернативы можно найти рекомендации по замене на уже снятые с производства транзисторы. Поэтому многие радиолюбители предпочитают не заморачиваться и меняют на оригинальный. В российских магазинах радиотоваров найти его не сложно. Тем не менее, для некоторых транзисторов этой серии можно рассмотреть следующие варианты замены:

  • КТ837А, КТ837Г – BD244A, TIP42C;
  • КТ837Б — BD302, KT818Б;
  • КТ837В — КТ835Б, 2SB834;
  • КТ837Д — 2N6111;
  • КТ837C — 2N6108, 2N6109, BD225;
  • КТ837Е — BD277;
  • КТ837К — TIP127, КТ8115А;
  • КТ837Н — 2N6107, BD223;
  • КТ837Ф — 2N6106, BD224;
  • КТ837Х — NTE197.

Согласно данных этикеток на КТ837 от старых версий выпускавшихся в СССР, данное полупроводниковое устройство не содержит драгоценных металлов. Оно не интересно для компании занимающихся аффинажем. Информация по новым изделиям в даташит у основных производителей не представлена.

Основные производители

До настоящего времени КТ837 выпускаются ограниченными партиями на белорусском предприятии «Интеграл» и российском АО «Группа Кремний ЭЛ». Современные версии делаются преимущественно по эпитаксиально-дифузной технологии, но из технического описания  (datasheet) от ОАО «Интеграл» следует, что могут изготавливается также эпитаксиально-планарным способом. Даташит можно скачать по ссылке с наименованием компании-производителя.

, , , 2010 10 21, 55



21 2010 (37729 ) vestel vr37ts DREcanon mp510 m37212m8-050sp tb1226en la7840
TV VESTEL 11AK30 BU808DFIbsc29-5572 ມ୥஡ ஡ BSC29-5572E -101 simens a100 , Atmega8 200 7 28 PHILIPS DVDR3355/51 shivaki zoom ? blaupunkt mp3 intlib 35x62x11/13 Red Star 3 Visteon st2001. Indesco 940N1S.01-850/1000 lexmarkhttp://monitor.espec.ws/section1/topic72164.htmllg 32pg6000 24c64 pony DVD Samsung G2739NR\ariston al 109 x senao miele C ND 5
10ga-m56s-s3 2SC1815 VC XL-V264 EPS samsung e900 lg orion tv 3782txbelenberg CLPD-6335 SHARP VC-V7B dhv-s680 cameron 29SL60 wv 1080 clatronik 0,5 ERISSON 2120 3S10 http://monitor.espec.ws/section1/topic36509.html Rolsen C708 flat ATX RA200 313 .. Shockwave Flash Object (.spl) gigaset a200 LITEON RA-1900-24alpine PXA-H700 sharp ix0807ge
gigaset a100 deh 9600 lg wd8012c 5130 siemens fc215 samsung epson lx-300 ii gbobn navien pc usbHP 1150 34—401 -2 LCD 32FLC meter PIC16F84A grundik 720HP PSC 1315 siemens LA78141 86730 e ae aa lg (zoom) master 24 , -233model a15d3-05mpBa3 2101 12 USB call of duty 1.2 5 CANON MP 140 Samsung Ljΐ۠IRG4HC50UD motorola m3688 ? epson ARDO 1010 c[tvf
KV-21LT1K 728 &&& 5 Bosch Maxx 4 le32s81b samsung JVC XL-V264.l60 site:monitor.espec.ws MC-049wfc 2063 oe p-185/g/gu WD 80192N TDA7384 W808 mp3 Hyper pl 2003 ardo ae800x ps-speaker BenQ Joybook R22E indesit wi82kv-m2100k D288Y nnm.ru 5387 Olympus21pt133a : / Stargate: Universe — 2 4 [] 255310/14 , — 3,5 ZanussiDEH — P6500R canon IXUS 50 delays sector
tda 9364 ps/n1/450320 wd5000aaksardo fls 80 e atads30ebeusb hdd vaillant vuw 240 2-3 fuh39v004lc863532c,la76810a,la7642nBA00BC0WT-V5 philips 19pfl4322/10 s821 transcend 16gb TECHNO 2615 SONY KV-21FT1K D629 zanussi zwt 5105filips 20gx8550/58rUSB hub LBP-1120 ISP JTAG 1202-2 пайка нч віхода на теливизор Samsung S821GWS VESTEL VR20735TFT vesta
21 2010 (37729 )

   [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54]
[55]
[56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162] [163] [164] [165] [166] [167] [168] [169] [170] [171] [172] [173] [174] [175] [176] [177] [178] [179] [180] [181] [182] [183] [184] [185] [186] [187] [188] [189]

Copyright 2010

Created 0,03415 s.

транзистор% 20c% 205387 техническое описание и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П

Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998

Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI

Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор

Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2

Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122

Аннотация: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421.
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S

Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401

Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651

Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471

Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E

Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330

Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для телевизора на ЭЛТ Обратный трансформатор ТВ
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 — транзистор

Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835

Аннотация: Усилитель на транзисторе BC548, стабилизатор на транзисторе AUDIO Усилитель на транзисторе BC548 на транзисторе 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ПУТЕВОДИТЕЛЬ ТРАНЗИСТОРА
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012

Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат

Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF
варикап диоды

Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ

Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef

Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD КОД МАРКИРОВКИ s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 — DDA114TH

Аннотация: DCX114EH DDC114TH
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Распиновка, схемы, эквиваленты и лист данных

Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Коллектор

Ток протекает через коллектор

2

База

Управляет смещением транзистора

3

Эмиттер

Ток на выходе через эмиттер

BC547 Характеристики транзистора
  • Биполярный NPN транзистор
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h FE ) не более 800
  • Постоянный ток коллектора (I C ) составляет 100 мА
  • Базовое напряжение эмиттера
  • BE ) составляет 6 В
  • Базовый ток (I B ) не более 5 мА
  • Доступен в пакете To-92

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы.

Эквивалентные транзисторы

BC547

BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92 , 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200

Краткое описание BC547

BC547 — это NPN-транзистор , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (с прямым смещением), когда сигнал подается на базовый вывод.BC547 имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет усилительную способность транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 100 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 100 мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (I B ) должен быть ограничен до 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, через коллектор и эмиттер может протекать максимум 100 мА.Этот этап называется областью насыщения , и типичное допустимое напряжение на коллектор-эмиттер (V CE ) или база-эмиттер (V BE ) может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот каскад называется областью отсечки , и напряжение на базе эмиттера может составлять около 660 мВ.

BC547 в качестве коммутатора

Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки , как объяснено выше.Как обсуждалось, транзистор будет действовать как открытый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что больше 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Номинал этого резистора (R B ) можно рассчитать по формулам ниже.

R B = V BE / I B

Где значение V BE должно быть 5 В для BC547 и тока базы (I B зависит от тока коллектора (I C ).Значение I B не должно превышать мА.

BC547 в качестве усилителя

A Транзисторы действуют как усилители при работе в активной области . Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:

  1. Усилитель с общим эмиттером
  2. Усилитель с общим коллектором
  3. Усилитель с общей базой

Из вышеперечисленных типов наиболее распространенной и наиболее часто используемой конфигурацией является тип эмиттера.При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления по постоянному току транзистора можно рассчитать с помощью следующих формул

Коэффициент усиления постоянного тока = ток коллектора (I C ) / ток базы (I B )

Приложения
  • Драйверные модули, такие как драйвер реле, драйвер светодиода и т. Д.
  • Модули усилителей, такие как усилители звука, усилители сигнала и т. Д.
  • Пара Дарлингтон

2D модель детали

Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

BC557 Транзистор: распиновка, техническое описание, схема [видео]

BC557 — популярный PNP-транзистор с биполярным переходом , который поставляется в небольшом корпусе TO-92 . Это PNP-транзистор общего назначения, который можно использовать в электронных схемах в качестве переключателя или усилителя .

В сегодняшнем блоге мы покажем вам все о транзисторе BC557 PNP, его распиновке , параметрах, как он работает, где его использовать и так далее, надеюсь, этот блог поможет!

Электронный проект TOP3 с использованием BC557


Каталог


BC557 Описание

BC557 — популярный PNP-транзистор с биполярным переходом , который поставляется в небольшом корпусе TO-92.Это PNP-транзистор общего назначения, который можно использовать в электронных схемах в качестве переключателя или усилителя. Его рейтинги HFE варьируются от 125 до 800, что делает его идеальным транзистором для использования в качестве небольшого усилителя сигнала в электронных схемах, таких как усиление аудиосигнала .

Рейтинги HFE для BC557 могут быть определены по последней букве после номера , например, рейтинги BC557A HFE находятся в диапазоне от 110 до 220, рейтинги BC557B HFE находятся в диапазоне от 200 до 450, а рейтинги BC557C HFE находятся в диапазоне от 420 до 800.Максимальное рассеивание коллектора составляет 500 милливатт, что является еще одним преимуществом его использования в каскадах усиления.

Кроме того, будет хорошо работать при использовании в качестве переключателя для нагрузок менее 100 мА. Транзистор также имеет хорошее значение коллектора-эмиттера (VCE) -45 В, поэтому его можно использовать в цепях, требующих от 40 до 45 В постоянного тока.


BC557 Распиновка

Распиновка транзистора
Транзистор BC557 BC557

Номер контакта Имя контакта Описание
1 Коллектор Ток протекает через коллектор
2 База Управляет смещением транзистора
3 Излучатель Ток утечки через эмиттер

BC557 Характеристики

  • Биполярный PNP-транзистор

  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) не более 300

  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 100 мА

  • Базовое напряжение эмиттера (VBE) 6 В

  • Базовый ток (IB) не более 5 мА

  • Доступен в пакете To-92


BC557 Параметр

Упаковка / ящик: ТО-226-3 ТО-92-3 (ТО-226АА)
Базовый номер продукта: BC557
Пакет устройств поставщика: ТО-92-3
Тип транзистора: PNP
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib Ic: 650 мВ при 5 мА 100 мА
Ток — отключение коллектора (макс.): 15нА (ICBO)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) @ Ic Vce: 110 при 2 мА 5 В
Ток — коллектор (Ic) (макс.): 100 мА
Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 45 В

BC557 Эквивалент

  • BC557 Транзистор, эквивалентный PNP : BC157, BC558, 2N3906, 2SA1943, BD140, S8550, TIP127, TIP42

  • Дополнительный NPN : Дополнительный NPN BC557 — BC547

  • Выходные контакты некоторых эквивалентов отличаются, пожалуйста, ознакомьтесь с деталями распиновки эквивалентного транзистора перед заменой в схеме.


BC557 Принцип работы

В транзисторах PNP дырки являются основными носителями, тогда как в транзисторах NPN электроны являются основными носителями. Хотя отверстия являются основными носителями, клемма базы по-прежнему важна для общей работы транзистора.

В случае NPN дырки испускаются из эмиттера вместо электронов, и они являются коллекторами через вывод коллектора.

BC557 Конструкция

BC557 известен как устройство с управлением по току, потому что небольшой ток, присутствующий на стороне базы, используется для управления большим током, присутствующим на остальных клеммах.

Помните, что когда транзистор выключен, на выводе базы есть ток, тогда как при включении транзистора на выводе базы нет тока.


Где и как использовать BC557

Поскольку BC557 является транзистором общего назначения, его можно использовать в широком спектре приложений общего назначения, таких как аудиоусилители в небольших радиоприемниках, электронные зуммеры, электронные звонки и другие звуковые сигналы. схемы, требующие низкого усиления.

Этот транзистор может также использоваться в каскадах предусилителя звука из-за его высокого коэффициента усиления. Помимо этих приложений, этот транзистор также может использоваться в качестве переключателя в электронных устройствах для нагрузки 100 мА, переключая любую часть электронной схемы, другие мощные транзисторы, светодиоды, реле и т. Д.


Как безопасно использовать BC557 в течение длительного времени в цепи

Чтобы безопасно запустить этот транзистор для обеспечения хорошей работы в течение длительного времени в вашей электронной схеме, не эксплуатируйте его при -45 В постоянного тока, всегда используйте подходящий базовый резистор, не используйте Для этого транзистора с нагрузкой более -100 мА рабочая температура и температура хранения вокруг транзистора должна быть от -65 до +150 градусов Цельсия, , и всегда проверяйте распиновку транзистора, прежде чем вставлять его в схему.


BC557 Типичное применение

1. BC557 Транзистор в качестве переключателя

Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в областях насыщения и отсечки, как объяснялось ранее. Как указывалось ранее, транзистор будет действовать как разомкнутый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения; это смещение может быть выполнено путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения должен быть ограничен максимум 5 мА. Все, что превышает 5 мА, разрушит транзистор, поэтому резистор всегда подключается последовательно с выводом базы. Значение резистора (RB) можно рассчитать по следующей формуле:

РБ = VBE / IB

Где значение VBE должно быть 5 В для BC557 и тока базы (IB зависит от тока коллектора (IC). Значение IB не должно превышать мА.

2. Транзистор BC557 как усилитель

В активной области транзистор действует как усилитель.Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:

Наиболее распространенная и широко используемая конфигурация среди вышеупомянутых типов эмиттеров — это обычный тип эмиттера. Коэффициент усиления по постоянному току транзистора при использовании в качестве усилителя можно рассчитать по следующей формуле:

Коэффициент усиления постоянного тока = ток коллектора (IC) / базовый ток (IB)


BC557 Упаковка


BC557 Приложение

  • Предварительный усилитель

  • Усилитель звука слабого сигнала

  • Управляющие нагрузки до 0.1 мА или 100 мА

  • Любое приложение общего назначения, подпадающее под его рейтинг.


BC557 Производитель

ON Semiconductor (Nasdaq: ON) продвигает энергоэффективные инновации, давая клиентам возможность сократить глобальное потребление энергии. Компания предлагает обширный портфель энергоэффективных решений для управления питанием и сигналами, логических, дискретных и индивидуальных решений, чтобы помочь инженерам-конструкторам решить свои уникальные задачи проектирования в автомобильной, коммуникационной, вычислительной, потребительской, промышленной, светодиодной, медицинской, военной / аэрокосмической и энергетической отраслях. Поставка приложений.ON Semiconductor управляет гибкой, надежной цепочкой поставок и программой обеспечения качества мирового класса, а также сетью производственных мощностей, офисов продаж и дизайнерских центров на ключевых рынках по всей Северной Америке, Европе и Азиатско-Тихоокеанскому региону.


Техническое описание компонентов


Часто задаваемые вопросы

  • Что такое транзистор BC557?

BC557 — широко используемый PNP-транзистор с биполярным переходом , изготовленный в небольшом корпусе TO-92.Это транзистор общего назначения PNP , который можно использовать в качестве переключателя или усилителя в электронных схемах. … Максимальное рассеивание коллектора составляет 500 милливатт, что также является хорошим аргументом для его использования в каскадах усиления.

  • Могу ли я использовать BC557 вместо BC547?

Серии BC547 -9 и BC557 -9 функционально идентичны обычным сериям BC107-9.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *