Транзистор высокочастотный: Высокочастотные и сверхвысокочастотные транзисторы CAVR.ru

Высокочастотные и сверхвысокочастотные транзисторы CAVR.ru

Рассказать в:

Основные параметры:

Uмакс. — Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Iмакс. — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. — Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h31э — Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо — Обратный ток коллектора
Kус. — Коэффициент усиления по мощности
Kш. — Коэффициент шума транзистора

Малой мощности

В корпусе SOT-23

                                                                                                                                                                                                                                               

Наименование	Структура	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	Кш., дБ	h31э
BFR92A	N-P-N	15	25	0,3	5	2,1	40-90
BFR93A	N-P-N	12	35	0,3	6	1,9	40-90
BFR193	N-P-N	12	80	0,58	8	1,3	50-200
BFS17A	N-P-N	15	25	0,3	2,8	2,5	25-90
BFT92	P-N-P	15	25	0,3	5	2,5	20-50
BFT93	P-N-P	12	35	0,3	5	2,4	20-50

В корпусе TO-50

                                                                                                                                                                                                             

Наименование	Структура	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	Кш., дБ	h31э
BF970	P-N-P	35	30	0,3	1	4,2	25-90
BF979	P-N-P	20	50	0,3	1,75	3,4	20-90
BFR90A	N-P-N	15	30	0,3	6	1,8	50-150
BFR91A	N-P-N	12	50	0,3	6	1,6	40-150
BFR96TS	N-P-N	15	100	0,7	5	4	25-150

В корпусе TO-50

                                                                                                                                                                                                                   

Наименование	Структура	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., МГц	h31э
BF199	N-P-N	25	25	0,5	550	>38
BF240	N-P-N	40	25	0,3	>150	60-220
BF324	P-N-P	30	25	0,3	450	>25
BF450	P-N-P	40	25	0,3	375	>50
BF494	N-P-N	20	30	0,3	>260	>30
BF959	N-P-N	20	100	0,625	>600	>35

В различных типах корпусов

                                                                                                                                                                                                             

Наименование	Структура	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BFG425W	N-P-N	4,5	30	0,135	25	50-120	SOT343R
BFP67	N-P-N	10	50	0,2	7,5	65-150	SOT143
BFP450	N-P-N	4,5	100	0,45	24	50-150	SOT343R
BFP540	N-P-N	4,5	80	0,25	33	50-200	SOT343R
BFP620	N-P-N	2,3	80	0,185	65	100-320	SOT343R

Отечественные ВЧ

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                       

Наименование	Структура	Pмакс. , Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ3102А-Ж	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000	150	КТ-1-7
КТ3102АМ-КМ	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000	150	КТ-26
КТ3107	P-N-P	0,3	100	20-45	< 0,1	70/140-380/800	250	КТ-26
КТ3108	P-N-P	0,3	200	45-60	< 0,2	50/150-100/300	250	КТ-1-7
КТ3117А, Б	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200	300	КТ-1-7
КТ3117А1	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200	300	КТ-26
КТ3129	P-N-P	0,15	100	20-40	< 1,0	30/120-200/500	200	КТ-46
КТ3130	N-P-N	0,1	100	15-40	< 0,1	100/250-400/1000	150	КТ-46
КТ315	N-P-N	0,15	50-100	25-60	0,5	20/90-50/350	200	КТ-13
КТ3151А9, Д9	N-P-N	0,2	100	80	< 1,0	> 20	100	КТ-46
КТ3153А9	N-P-N	0,3	400	50	< 0,05	100/300	250	КТ-46
КТ3157А	P-N-P	0,2	30	250	< 0,1	> 50	60	КТ-26
КТ3172А9	N-P-N	0,2	200	20	< 0,4	40/150	500	КТ-46
КТ339АМ	N-P-N	0,26	25	25	< 1,0	> 25	550	КТ-26
КТ342АМ, БМ, ВМ	N-P-N	0,25	50	30	< 30	100/250	250	КТ-26
КТ361	P-N-P	0,15	50-100	10-45	< 1	20/90-100/350	150	КТ-13

Отечественные СВЧ

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                     

Наименование	Структура	Pмакс. , Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ3101А-2	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300	2250	Н/С-1
КТ3101АМ	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300	1000	КТ-14
КТ3115А-2(Б, Д)	N-P-N	0,07	8,5	7-10	0,5	15/80	5800	КТ-22
КТ3120А	N-P-N	0,1	20	15	5	> 40	1800	КТ-14
КТ3126А,Б	P-N-P	0,15	30	30	0,5	25/100-60/180	500	КТ-26
КТ3128А1	P-N-P	0,3	30	35	0,1	35/150	800	КТ-26
КТ3168А9	N-P-N	0,18	28	15	< 0,5	60/180	<3000	КТ-46
КТ326А,Б	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160	250	КТ-1-7
КТ326АМ,БМ	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160	250	КТ-26
КТ368А,Б	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/300	900	КТ-1-12
КТ368АМ,БМ	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/450	900	КТ-26
КТ368А9, Б9	N-P-N	0,1	30	15	0,5	50/300	900	КТ-46
КТ399АМ	N-P-N	0,15	30	15	0,5	40/170	1800	КТ-26

Средней мощности

Импортные

                                                                                                                                                                                                                                                                                 

Наименование	Структура	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BFG135	N-P-N	15	150	1	7	80-130	SOT223
BFG540W	N-P-N	15	120	0,5	9	100-250	SOT343N
BFG97	N-P-N	15	100	1	5,5	25-80	SOT223
BFQ19	N-P-N	15	100	1	5,5	25-80	SOT89
BLT50	N-P-N	10	500	2	0,47	25	SOT223
BLT80	N-P-N	10	250	2	0,9	25	SOT223
BLT81	N-P-N	9,5	500	2	0,9	25	SOT223

Отечественные ВЧ

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                           

Наименование	Структура	Pмакс. , Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ626А-Д	P-N-P	9	1,5	20-80	1	15/60-40/250	45	КТ-27-2
КТ646А,Б	N-P-N	3,5	1	40-50	10	40/200-150/300	250	КТ-27-2
КТ683А-Е	N-P-N	8	1	60-150		40/120-160/480	50	КТ-27-2
КТ6127А-К	P-N-P	0,8	2	10-200	< 20	> 30	150	КТ-26
КТ630А-Е	N-P-N	0,8	1	60-150	< 1	40/120-160/480	50	КТ-2-7
КТ639А-И	P-N-P	1	1,5	30-80	< 0,1	40/100-180/400	80	КТ-27-2
КТ644А-Г	P-N-P	1	0,6	40-60	< 0,1	40/120-100/300	200	КТ-27-2
КТ645А	N-P-N	0,5	0,3	50	< 10	20/200	200	КТ-26
КТ660А,Б	N-P-N	0,5	0,8	30-45	< 1	110/220-200/450	200	КТ-26
КТ664А9	P-N-P	1	1	100	< 10	40/250	50	КТ-47
КТ665А9	N-P-N	1	1	100	< 10	40/250	50	КТ-47
КТ680А	N-P-N	0,35	0,6	25	< 10	85/300	120	КТ-26
КТ681А	P-N-P	0,35	0,6	25	< 10	85/300	120	КТ-26
КТ698	N-P-N	0,6	2	12-90	< 20	20/118-50/649	100	КТ-26

Большой мощности

Импортные

                                                                     

Наименование	Структура	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BLT53	N-P-N	10	2500	35,5	3,9	25	SOT122D

Отечественные ВЧ

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                             

Наименование	Структура	Pмакс. , Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	fгран., МГц	Кус., дБ	Iкбо., мкА	Корпус
КТ9115А	P-N-P	1,2	0,1	300	> 90		< 0,05мкА	КТ-27-2
КТ9180А-В	N-P-N	12,5	3,0	40-80	> 100			КТ-27-2
КТ9181А-В	P-N-P	12,5	3,0	40-80	> 100			КТ-27-2
КТ920А	N-P-N	5,0	0,5	36	30/200	4	2	КТ-17
КТ920Б	N-P-N	10,0	1,0	36	30/200		4	КТ-17
КТ920В	N-P-N	25,0	3,0	36	30/200		7,5	КТ-17
КТ920Г	N-P-N	25,0	3,0	36	30/200	3,5	7,5	КТ-17
КТ922А	N-P-N	8,0	0,8	65	50/175	3	5	КТ-17
КТ922Б	N-P-N	20,0	1,5	65	50/175	3	0	КТ-17
КТ922В	N-P-N	40,0	3,0	65	50/175		40	КТ-17
КТ922Г	N-P-N	20,0	1,5	65	50/175		20	КТ-17
КТ929А	N-P-N	6,0	0,8	30	> 50	8	5	КТ-17
КТ940А-В, A1	N-P-N	10,0	0,1	160-300	> 90		0,5	КТ-27-2, -26
КТ961А-В	N-P-N	12,5	1,5	60-100	> 50		10	КТ-27-2
КТ969А	N-P-N	6,0	0,1	250	> 60		0,05	КТ-27-2
КТ972А,Б	N-P-N	8,0	4,0	45-60	> 200		1	КТ-27-2
КТ973А,Б	P-N-P	8,0	4,0	45-60	> 200		1	КТ-27-2

Отечественные СВЧ

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                     

Наименование	Структура	Pмакс. , Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	fгран., МГц	Кус., дБ	Iкбо., мкА	Корпус
КТ913А	N-P-N	4,7	0,5	55	900/1500	2	10	КТ-16-2
КТ913Б	N-P-N	8	1	55	900/1500	2	50	КТ-16-2
КТ913В	N-P-N	12	1	55	900/1500	2	50	КТ-16-2
КТ916А	N-P-N	30	2	55	200/1800	2,5	25	КТ-16-2
КТ925А	N-P-N	5,5	0,5	36	500/1250	12	7	КТ-17
КТ925Б	N-P-N	11	1	36	375/1100	7	12	КТ-17
КТ925В	N-P-N	25	3,3	36	300/550	5,3	30	КТ-17
КТ925Г	N-P-N	25	3,3	36	300/550	5,3	30	КТ-17
КТ934А	N-P-N	7,5	0,5	60	> 100		5	КТ-17
КТ934Б	N-P-N	15	1	60	> 100		10	КТ-17
КТ934В	N-P-N	30	2	60	> 100		20	КТ-17
КТ939А	N-P-N	4	0,4	30	> 100		1	КТ-16-2
КТ939Б	N-P-N	4	0,4	30	> 100		2	КТ-16-2

---

Раздел: [Схемы]
Сохрани статью в:
Оставь свой комментарий или вопрос:

---

---

Дискретные СВЧ GaN согласованные транзисторы Qorvo

Позиция	Частота, ГГц	Ку, дБ	Pнас, лБм	КПД, %	Напряжение питания, В	Рабочий ток, мА	Тип корпуса	Размеры, мм
QPD0030 Документация	DC. ..4	22,3	46,9	71,5	48	85	QFN	4.0 x 3.0
QPD0050 Документация	DC…3,6	22,5	48,7	80	48	130	DFN	7.2 x 6.6
QPD0060 Документация	DC…3,6	25	49,5	73	48	150	DFN	7.2 x 6.6
QPD1000 Документация	30…1,215	19	43,8	78,2	28	50	DFN	5 x 6
QPD1003 Документация	1,2…1,4	19,9	57,3	66,7	50	750	RF-565
QPD1004 Документация	30…1,2	20,8		73,2	50	50	DFN	6. 0 x 5.0
QPD1008 Документация	DC…3,2	> 17	52	70	50	260	NI-360
QPD1008L Документация	DC…3,2	> 17	52	70	50	260	NI-360
QPD1009 Документация	DC…4	24	42,3	72	50	26	QFN	3 x 3
QPD1010 Документация	DC…4	24,7	40,4	70	50	18	QFN	3 x 3
QPD1011 Документация	30…1,2	21	39,4	60	50	20	DFN / SMT	6 x 5
QPD1013 Документация	DC…2,7	21,8		64,8	65	240	DFN	7. 2 x 6.6
QPD1014 Документация	30…1,2	18,4	41	69,5	50	25	DFN	6.0 x 5.0
QPD1015 Документация	DC…3,7	20	48,5	74	50	65	NI-360
QPD1015L Документация	DC…3,7	20	48,5	74	50	65	NI-360
QPD1016 Документация	DC…1,7	23,9	58,3	77,4	50	1	NI-780
QPD1017 Документация	3,1…3,5	16,5	56,6	60	50	750	RF-565
QPD1018 Документация	2,7…3,1	17,7	57,6	67,9	50	750	RF-565	17. 4 x 24 x 4.3
QPD1019 Документация	2,9…3,3	15,5	57,7	67	50	750	RF-565
QPD1020 Документация	2,7…3,5	18,4	45	64	50	52,5	DFN	6 x 5
QPD1022 Документация	DC…12	24		68,8	32	50	QFN	3.0 x 3.0
QPD1025 Документация	1…1,1	22,5	62,7	77,2	65	1,5	NI-1230 (Earless)
QPD1025L Документация	1…1,1	22,5	62,7	77,2	65	1,5	NI-1230 (Eared)
QPD1823 Документация	1,8…2,4	24	53,6	80	48	360
QPD1881L Документация	2,7. ..2,9	21,2	56,3	75,1	50	700	NI-780 (Eared)
QPD2194 Документация	1,8…2,2	21	55,7		48	600	NI400
QPD2195 Документация	1,8…2,2	19,1	56		48	720	NI-780
QPD2730 Документация	2,575…2,635	15,9	53,5	53	48	210	NI-780
QPD2731 Документация	2,5…2,7	16			48	220	NI-780
QPD2793 Документация	2,62…2,69	23	53	75	48	360	NI-400
QPD2795 Документация	2,5. ..2,7	22	55,6		48	700	NI-780
QPD2796 Документация	2,5…2,7	23	53	72	48	360
QPD3601 Документация	3,4…3,6	22	52,6	66	50	420	NI-400
QPD3800 Документация	3,4…3,8	21	49,3	70	50	180	NI-400

Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors

Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors

   СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.

   В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.

   Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.

Транзисторы для базовых станций сотовой связи

   Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.

Таблица 1.Транзисторы LDMOS 800 МГц- 1,0 ГГц

Тип	Pвых, Вт	Корпус
BLF1043	10	SOT538
BLF1046	45	SOT467
BLF1049	125	SOT502A
BLF0810-90	16	SOT502A
BLF0810-180	32	SOT502A
BLF900-110	25	SOT502A

Таблица 2. Транзисторы LDMOS 1,8 — 2,0 ГГц

Тип	Pвых, Вт	Корпус
BLF2043	10	SOT538
BLF1822-10	10	SOT467C
BLF1822-30	30	SOT467C
BLF1820-70	65	SOT502A
BLF1820-90	90	SOT502A

Таблица 3. Транзисторы LDMOS 2,0 — 2,2 ГГц для WCDMA

Тип	PсрWCDMA,Вт	Корпус
BLF1822-10	1	SOT467C
BLF1822-30	4	SOT467C
BLF202230	4	SOT608A
BLF2022-70	7,5	SOT502A
BLF2022-120	20	SOT539A
BLF2022-125	20	SOT634A
BLF2022-150	25	SOT634A
BLF2022-180	35	SOT539A

Таблица 4. Основные интегрированные модули

Тип	Pвых, Вт	Технология	Частота	Область применения
BGY916	19	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY916/5	19	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY925	23	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY925/5	23	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY2016	19	BIPOLAR	1800-2000 МГц	GSM
BGF802-20	4	LDMOS	900-900 МГц	CDMA
BGF 844	20	LDMOS	800-900 МГц	GSM/EDGE (USA)
BGF944	20	LDMOS	900-1000 МГц	GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1801-10	10	LDMOS	1800-1900 МГц	GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1901-10	10	LDMOS	1900-2000 МГц	GSM/EDGE (USA)

   Отличительные особенности интегрированных модулей:

• LDMOS-технология (пайка прямо на радиатор, линейность, большее усиление), o пониженное искажение,
• меньший нагрев полупроводника за счет использования медного фланца, o интегрированная компенсация температурного смещения,
• 50-омные входы/выходы,
• линейное усиление,
• поддержка многих стандартов (EDGE, CDMA).

   Рекомендуемые решения для стандарта GSM: на 800 МГц: BGF844 + BLF1049 на 900 МГц: BGF944 + BLF1049 на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10

   Рекомендуемые решения для стандарта CDMA: на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90

   Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:

   BGF0810-90

• выходная мощность: 40 Вт,
• усиление: 16 дБ,
• КПД: 37%,
• ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
• амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

   BLF1820-90

• выходная мощность: 40 Вт,
• усиление: 12 дБ,
• КПД: 32%,
• ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
• амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

Транзисторы для вещательных станций

   На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-передатчиков. В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы. Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.

Таблица 5. L- и S-полосные транзисторы для радаров

	Тип	F, ГГц	Vcc,B	Tp, мкс	Коэфф. заполнения, %	Мощность, Вт	КПД,%	Усиление, дБ
L-полоса	RZ1214B35Y	1,2-1,4	50	150	5	>35	>30	>7
	RZ1214B65Y	1,2-1,4	50	150	5	>70	>35	>7
	RX1214B130Y	1,2-1,4	50	150	5	>130	>35	>7
	RX1214B170W	1,2-1,4	42	500	10	>170	>40	>6
	RX1214B300Y	1,2-1,4	50	150	5	>250	>35	>7
	RX1214B350Y	1,2-1,4	50	130	6	>280	>40	>7
	Bill 21435	1,2-1,4	36	100	10	>35	45	>13
	BLL1214-250	1,2-1,4	36	100	10	>250	45	>13
S-полоса	BLS2731-10	2,7-3,1	40	100	10	>10	45	9
	BLS2731-20	2,7-3,1	40	100	10	>20	40	8
	BLS2731-50	2,7-3,1	40	100	10	>50	40	9
	BLS2731-110	2,7-3,1	40	100	10	>110	40	7,5
Верхняя S-полоса	BLS3135-10	3,1-3,5	40	100	10	>10	40	9
	BLS3135-20	3,1-3,5	40	100	10	>20	40	8
	BLS3135-50	3,1-3,5	40	100	10	>50	40	8
	BLS3135-65	3,1-3,5	40	100	10	>65	40	>7

Таблица 6. Транзисторы для авионики

	Тип	F,ГГц	Vcc,B	Tp, мкс	Коэфф. заполнения, %	Мощность, Вт	КПД,%	Усиление, дБ
BIPOLAR	MZ0912B50Y	0,96-1,215	50	10	10	>50	>42	>7
	MX0912B100Y	0,96-1,215	50	10	10	>100	>42	>7
	MX0912B251Y	0,96-1,215	50	10	10	>235	>42	>7
	MX0912B351Y	0,96-1,215	42	10	10	>325	>40	>7
LDMOS			Vds
	BLA1011-200	1,03-1,09	36	50	1	>200	50	15
	BLA1011-10	1,03-1,09	36	50	1	>10	40	16
	BLA1011-2	1,03-1,09	36	50	1	>2	—	18

   Основные характеристики транзистора BLF861A

• Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель),
• выходная мощность более 150 Вт,
• усиление более 13 дБ,
• КПД более 50%,
• закрывает полосу от 470 до 860 МГц (полосы IV и V),
• надежный, устойчивый к рассогласованию,
• устойчив к отключению антенны,
• является индустриальным стандартом в ТВ-передатчиках на сегодняшний день.

   Новая модель транзистора BLF647

• разработан на основе BLF861A,
• большой коэффициент усиления 16 дБ на 600 МГц,
• выходная мощность до 150 Вт,
• закрывает полосу от 1,5 до 800 МГц,
• надежный, устойчивый к рассогласованию,
• устойчив к отключению антенны,
• имеет встроенный резистор, позволяющий работать на частотах HF и VHF,
• Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель).

   Транзистор BLF872

• разрабатывается как более мощная замена BLF861A,
• начало производства 1 квартал 2004 года,
• выходная мощность до 250 Вт,
• самый надежный транзистор по устойчивости к рассогласованию,
• сохраняет линейность,
• сохраняет надежность,
• смещение тока Idq менее 10% на 20 лет,
• коэффициент усиления более 14 дБ,
• закрывает полосу от 470 до 860 МГц.

Транзисторы для радаров и авионики

   Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии. Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором. Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.

   Новые разработки:

   BLA0912-250

• полоса от 960 до 1250 МГц (все главные частоты авионики),
• высокое усиление до 13 дБ,
• надежность, устойчивость к рассогласованию фаз 5:1,
• линейность,
• образцы будут доступны с июня 2003 года.

   BLS2934-100

• полоса от 2,9 до 3,4 ГГц (все главные частоты авионики),
• использование стандартного негерметичного корпуса,
• образцы будут доступны к концу 2003 года.

   Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.

Автор: Владимир Захаров,
Email: [email protected]

Высокочастотный транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Высокочастотный транзистор

Cтраница 1

Высокочастотный транзистор на входе усилителя НЧ применен для уменьшения уровня собственных шумов усилителя. В базовую цепь транзистора Г5 включен регулятор тембра Ct4 i5, который служит для коррекции частотной характеристики усилителя в области верхних звуковых частот.  [1]

Высокочастотные транзисторы ( / а20 Мгц) имеют freHMaKc fa — Коэффициент шума Fm хйрактеризует уровень шумов, создаваемых транзистором. Он показывает, во сколько раз полная мощность шумов, выделяемая на нагрузке транзистора, больше той частя их мощности, которая создается на нагрузке тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Коэффициент шума принято измерять на частоте 1000 гц в полосе частот 1 гц при активной составляющей внутреннего сопротивления источника сигнала 600 ом.  [2]

Высокочастотные транзисторы более чувствительны к перегрузкам, склонны к самовозбуждению и значительно дороже.  [3]

Высокочастотные транзисторы, используемые в качестве усилителя мощности, должны иметь пробивное напряжение коллекторного перехода в 2 — 3 раза больше Ек.  [4]

Высокочастотные транзисторы позволяют радиолюбителям-конструкторам создавать экономичные маломощные передатчики небольших размеров для рабрты во всех любительских диапазонах, включая и диапазон 420 Мгц.  [6]

Высокочастотные транзисторы, в отличие от низкочастотных ( НЧ), обладают меньшим запасом по предельным режимам и более критичны к электрическим перегрузкам; они обладают большей склонностью к самовозбуждению и подвержены в большей степени влиянию электромагнитных полей и разряда статического электричества. Кроме того, ВЧ транзисторы по сравнению с НЧ менее устойчивы к воздействию механических и климатических факторов.  [7]

Дополнительный ускоряющий высокочастотный транзистор нужно подбирать с учетом этого неравенства. Экспериментальные исследования показывают, что при использовании в качестве ускоряющего транзистора П16Б длительность фронта и минимальная длительность импульса блокинг-генератора на транзисторе П201 уменьшаются в 2 — 3 раза.  [8]

Наиболее перспективными высокочастотными транзисторами, которые в последние годы широко используются в усилителях мощности и генераторах радиопередатчиков, являются плоскостные.  [9]

Применяя высокочастотные транзисторы, можно построить сверхрегенеративные приемники, надежно работающие в диапазоне частот от 20 до 250 МГц. Вышеизложенное не должно ставить под сомнение целесообразность применения приемников супергетеродинного типа. В тех случаях, когда есть возможность его собрать, не следует от этого отказываться, поскольку супергетеродинный приемник имеет ряд преимуществ перед сверхрегенеративным. Однако нужно иметь в виду, что для целей телеуправления супергетеродин-иый приемник должен обязательно иметь гетеродин с кварцевой стабилизацией частоты.  [10]

Применяя высокочастотные транзисторы, можно построить надежно работающие сверхрегенера т и в н ы е приемники на частоты от 20 до 250 Мгц.  [11]

Применение высокочастотных транзисторов в низкочастотных ЭУ нежелательно, так как они дороги, склонны к самовозбуждению и развитию вторичного пробоя, обладают меньшими эксплуатационными запасами.  

Высокочастотный транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4

Высокочастотный транзистор

Cтраница 4

С помощью высокочастотных транзисторов удается получить время переключения порядка 0 1 мк / сек. Так как транзисторная техника развивается весьма интенсивно, то можно рассчитывать на то, что в дальнейшем удастся как увеличить значения переключаемых токов, так и расширить частотный диапазон ключей.  [46]

В случае высокочастотных транзисторов эта энергия сравнительно мала. Если амплитуда поданного на базу сигнала значительно превышает величину, необходимую для закрытия или открытия транзистора, то энергия, необходимая для зарядки емкости обедненного слоя ( база — эмиттер база — коллектор), легко может превысить энергию, необходимую для зарядки диффузионной емкости. К сожалению, среди характеристик промышленных транзисторов не приводятся значения емкости база — эмиттер для непроводящего состояния транзистора. Можно ожидать, что эта емкость довольно велика.  [47]

При исследовании генераторных высокочастотных транзисторов важно не только выявить область устойчивой ратготы транзистора в статическом режиме-но и получить ответ а вопрос — проявляется ли перераспределение тока при работе в схеме высокочастотного генератора.  [49]

К корпусам маломощных высокочастотных транзисторов предъявляется также требование обеспечения минимальной емкости между выводами. В мощных высокочастотных транзисторах это требование не стоит особенно остро, так как емкости между электродами этих приборов обычно во много раз превосходят емкости между выводами корпуса.  [51]

Для изготовления германиевых высокочастотных транзисторов с граничной частотой передачи тока в несколько сотен мегагерц широко используется метод, представляющий собой определенную комбинацию диффузии и сплавления. Рассмотрим способ изготовления диффузионно-сплавных германиевых транзисторов более подробно. После проведения диффузии сурьмы образуется слой / г-германия толщиной 0 02 мм. Затем производится со-шлифовка или стравливание этого слоя таким образом, чтобы слой / г-германия остался только в риске.  [53]

Для изготовления германиевых высокочастотных транзисторов с граничной частотой передачи тока в несколько сотен мегагерц широко используется метод, представляющий собой определенную комбинацию диффузии и сплавления.  [54]

Схемы на высокочастотных транзисторах по рис. 27 обладают рядом достоинств, имеющих существенное значение в радиолюбительской практике: небольшим количеством моточных деталей, некритичностыо к разбросу параметров транзисторов и простотой налаживания.  [55]

Выпускаемые отечественной промышленностью в

Мощный высокочастотный транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Мощный высокочастотный транзистор

Cтраница 1

Мощные высокочастотные транзисторы имеют структуру с диффузионной базой и их выходные характеристики в области малых напряжений имеют такой вид, как показано на этих рисунках. Даже если в этих транзисторах оптимальным образом использованы встречная диффузия или эпитаксиальное выращивание, их выходные характеристики могут приблизиться к показанным на рис. 6 — 11 а только на низких частотах. На высоких частотах причины, вызывающие спад коэффициента усиления с ростом тока, проявляют себя более резко. В связи с тем что коэффициент усиления по току на высоких частотах значительно меньше, чем на постоянном токе, сильно возрастает величина базового тока. Эти причины, а также некоторые другие, еще не вполне выясненные обстоятельства приводят к тому, что на высоких частотах модуль коэффициента усиления по току р / падает с ростом тока более резко, а участок напряжений, на котором выходные характеристики не достигли насыщения, может значительно увеличиться.  [1]

Мощные высокочастотные транзисторы могут использоваться в импульсном режиме и выходная мощность может быть повышена путем увеличения рабочих напряжений.  [2]

Мощные высокочастотные транзисторы, как правило, работают в режиме, близком к предельному. Поэтому даже кратковременное и сравнительно небольшое превышение этого режима нередко приводит к выходу транзистора из строя.  [3]

Мощные высокочастотные транзисторы типа П601 — П602 являются также представителями группы дрейфовых транзисторов.  [4]

В мощных высокочастотных транзисторах для уменьшения индуктивности эмиттера последний выводится на корпус. Для изоляции коллектора от корпуса кристалл монтируется на основание через керамическую прокладку. Иногда для согласования коэффициентов линейного расширения кристалла полупроводника и материала ножки применяют молибденовые прокладки.  [5]

В мощных высокочастотных транзисторах она достигает 100 пф и более. Емкость Сб д учитывает диффузионный характер перемещения носителей в области базы. В емкость Сб э входят также конструктивная и зарядная емкости эмиттерного перехода. Поэтому емкость Ce t называется просто диффузионной емкостью эмиттерного перехода.  [6]

К конструкции корпусов мощных высокочастотных транзисторов предъявляются три основных требования. Первое из них является общим для конструкции корпуса любого мощного транзистора, а два других являются специфичными.  [8]

Изолированный коллектор в мощных высокочастотных транзисторах важно иметь не только с точки зрения удобства монтажа и простоты конструирования шасси и теплоотводов, но и потому, что для приборов с изолированным эмиттером сложно обеспечить безындуктивный монтаж во входной цепи и приборы в такой конструкции практически всегда будут иметь меньшее усиление, чем точно такие приборы с эмиттером, электрически соединенным с корпусом. В мощных высокочастотных транзисторах наружные выводы часто выполняются в виде тонких широки

Вычислитель высокочастотного транзисторного усилителя

Детали

Категория: электроника и электроника своими рукамиanddiy

Опубликовано: 31 июля 2014 г. 31 июля 2014 г.

		Калькулятор транзисторных усилителей с общим эмиттером и общим коллектором на основе Excel для высокочастотной работы.

Калькулятор транзисторных усилителей с общим эмиттером и общим коллектором для высокочастотной работы

Анализировать усилитель на биполярных транзисторах на низкой частоте относительно просто, и в сети существует несколько калькуляторов, которые хорошо справляются с этой задачей. Для высокочастотной работы доступно меньше ссылок. Для своих проектов мне нравится создавать справочную таблицу, где все находится в одном месте.Это дает мне большую гибкость в оптимизации схемы и намного быстрее, чем моделирование с помощью LTSpice или аналогичного пакета. Кроме того, создание такого инструмента — отличный способ лучше понять, как работает схема и как каждый из параметров влияет на производительность. Две схемы усилителя, представленные в этой таблице, изображены на рисунках 1 и 2. Рисунок 1 представляет собой усилитель с общим эмиттером и полезен для приложений с относительно высоким коэффициентом усиления и умеренным входным и выходным сопротивлением.Схема с общим коллектором на Рисунке 2 имеет коэффициент усиления, близкий к 1, и полезна в качестве буферной схемы с ее низким выходным импедансом и входным сопротивлением от умеренного до высокого.

Рисунок 1 — Цепь общего эмиттера

Рисунок 2 — Цепь общего коллектора (эмиттерный повторитель)

Таблица

Таблицу можно скачать по ссылке ниже:

А вот и версия, совместимая с Excel 2003, так как некоторые пользователи не могут открывать последние форматы Excel.

Электронная таблица разделена на две рабочие таблицы (вкладки), электронную таблицу «О программе» с некоторой помощью и электронную таблицу «Калькулятор», где находится «мясо». На рисунке 3 показан снимок экрана. Поля зеленого цвета — это входные данные. Не все входные данные необходимы в зависимости от того, что вы намерены использовать при использовании электронной таблицы. Например, если вас интересуют только расчеты смещения, емкости не требуются. Большинство этих значений можно извлечь из стандартной таблицы транзисторов. Поля оранжевого цвета рассчитываются автоматически.

Рисунок 3 — Интерфейс калькулятора

Для удобства в электронную таблицу также включен список стандартных номиналов резисторов и две диаграммы с рисунков 1 и 2 выше. См. Рисунок 4.

Рисунок 4 — Удобные функции

Обратите внимание, что некоторые результаты и расчеты являются приблизительными. Анализ шума — это упрощенная версия того, что я использовал, например, в статье о калькуляторе с резистивной обратной связью. Электронная таблица предназначена для обеспечения приближения первого порядка, но рекомендуется провести дополнительный анализ с использованием моделирования и «реального» прототипа схемы, прежде чем передавать схему на плату.

Комментарии, вопросы, предложения? Вы можете связаться со мной по адресу: contact (at sign) paulorenato (dot) com

Вычислитель высокочастотного транзисторного усилителя

Детали

Категория: электроника и электроника своими рукамиanddiy

Опубликовано: 31 июля 2014 г. 31 июля 2014 г.

		Калькулятор транзисторных усилителей с общим эмиттером и общим коллектором на основе Excel для высокочастотной работы.

Калькулятор транзисторных усилителей с общим эмиттером и общим коллектором для высокочастотной работы

Анализировать усилитель на биполярных транзисторах на низкой частоте относительно просто, и в сети существует несколько калькуляторов, которые хорошо справляются с этой задачей. Для высокочастотной работы доступно меньше ссылок. Для своих проектов мне нравится создавать справочную таблицу, где все находится в одном месте.Это дает мне большую гибкость в оптимизации схемы и намного быстрее, чем моделирование с помощью LTSpice или аналогичного пакета. Кроме того, создание такого инструмента — отличный способ лучше понять, как работает схема и как каждый из параметров влияет на производительность. Две схемы усилителя, представленные в этой таблице, изображены на рисунках 1 и 2. Рисунок 1 представляет собой усилитель с общим эмиттером и полезен для приложений с относительно высоким коэффициентом усиления и умеренным входным и выходным сопротивлением.Схема с общим коллектором на Рисунке 2 имеет коэффициент усиления, близкий к 1, и полезна в качестве буферной схемы с ее низким выходным импедансом и входным сопротивлением от умеренного до высокого.

Рисунок 1 — Цепь общего эмиттера

Рисунок 2 — Цепь общего коллектора (эмиттерный повторитель)

Таблица

Таблицу можно скачать по ссылке ниже:

А вот и версия, совместимая с Excel 2003, так как некоторые пользователи не могут открывать последние форматы Excel.

Электронная таблица разделена на две рабочие таблицы (вкладки), электронную таблицу «О программе» с некоторой помощью и электронную таблицу «Калькулятор», где находится «мясо». На рисунке 3 показан снимок экрана. Поля зеленого цвета — это входные данные. Не все входные данные необходимы в зависимости от того, что вы намерены использовать при использовании электронной таблицы. Например, если вас интересуют только расчеты смещения, емкости не требуются. Большинство этих значений можно извлечь из стандартной таблицы транзисторов. Поля оранжевого цвета рассчитываются автоматически.

Рисунок 3 — Интерфейс калькулятора

Для удобства в электронную таблицу также включен список стандартных номиналов резисторов и две диаграммы с рисунков 1 и 2 выше. См. Рисунок 4.

Рисунок 4 — Удобные функции

Обратите внимание, что некоторые результаты и расчеты являются приблизительными. Анализ шума — это упрощенная версия того, что я использовал, например, в статье о калькуляторе с резистивной обратной связью. Электронная таблица предназначена для обеспечения приближения первого порядка, но рекомендуется провести дополнительный анализ с использованием моделирования и «реального» прототипа схемы, прежде чем передавать схему на плату.

Комментарии, вопросы, предложения? Вы можете связаться со мной по адресу: contact (at sign) paulorenato (dot) com

Высокочастотный гибрид Pi или модель Giacoletto BJT

[ezcol_1third id = ”” class = ”” style = ””] [pageids 7] [/ ezcol_1third]

[ezcol_2third_end id = ”” class = ”” style = ””]

Введение в высокочастотную гибридную модель Pi или Giacoletto BJT

Низкочастотный малосигнал , модель биполярного переходного транзистора грубо подходит для частот ниже 1 МГц.Для частот выше 1 МГц характеристика транзистора будет ограничена внутренней и паразитной емкостью биполярного переходного транзистора. Следовательно, на высоких частотах модель низкочастотного малосигнала транзистора должна быть модифицирована, чтобы учесть влияние внутренней и паразитной емкости биполярного переходного транзистора. Эти емкости ограничивают использование BJT на более высоких частотах. Таким образом, чтобы оценить усиление, а также время включения и выключения BJT на более высоких частотах, необходимо использовать высокочастотную модель BJT для получения достаточно точных оценок.Высокочастотная гибридная модель Pi также называется моделью Giacoletto в честь L.J. Giacoletto , который представил ее в 1969 году.

[/ ezcol_2third_end]

Высокочастотные эффекты на BJT

• Усиление уменьшается на высоких частотах из-за внутренней емкости обратной связи. Самая высокая частота работы BJT будет ограничена внутренней емкостью BJT.
• Время включения и выключения BJT будет большим, а скорость будет ограничена из-за эффектов внутреннего накопления заряда.

Высокочастотная модель BJT

Высокочастотные параметры BJT могут изменяться в зависимости от рабочей точки, но изменение незначительно для небольших изменений сигнала вокруг рабочей точки. Ниже представлена ​​высокочастотная модель транзистора.

Высокочастотная модель BJT

Где

B ’= внутренний узел в основании

R _{bb ’} = Базовое сопротивление растеканию

R _b’e = Внутренний базовый узел к сопротивлению эмиттера

R _ce = сопротивление коллектора к эмиттеру

C _e = диффузионная емкость базового перехода эмиттера

R _b’c = Сопротивление обратной связи от внутреннего базового узла к узлу коллектора

г _м = Крутизна

C _C = емкость переходного или пространственного заряда коллекторного перехода базы.

Физическое объяснение параметров высокочастотной модели BJT

R _{bb ’} — это базовое сопротивление растеканию BJT, которое представляет собой объемное сопротивление материала между базовым выводом и физически недоступным внутренним узлом BJT. Обычно оно составляет порядка 100 Ом.

R _b’e — это внутренний базовый узел для сопротивления эмиттера. Это объясняет увеличение тока базы рекомбинации по мере увеличения тока эмиттера. Он включен параллельно цепи коллектора и, следовательно, уменьшает значение тока коллектора по сравнению с током эмиттера.Это сопротивление будет высокого порядка килоомов, так как уменьшение тока коллектора из-за токов рекомбинации базы будет очень меньшим.

R _b’c — сопротивление обратной связи от внутреннего базового узла к узлу коллектора. Он включен в модель, чтобы учесть ранний эффект. По мере увеличения обратного смещения коллектора к базе (действие) эффективная ширина увеличивается, а ток коллектора увеличивается (реакция обратной связи). Этот эффект обратной связи (ранний эффект) учитывается R _{до н. Э.} .

R _ce представляет собой объемное сопротивление материала между коллектором и эмиттером.

C _e — диффузионная емкость эмиттерного базового перехода. Диффузионная емкость эмиттерного базового перехода прямо пропорциональна току смещения эмиттера и времени прямого прохождения базы. Время прямого прохождения определяется как среднее время, которое неосновной перевозчик проводит на базе. Диффузионная емкость базового перехода эмиттера учитывает неосновной заряд, хранящийся в базе, и задается как

C _e = τ _F * I _E / V _T

где I _E — ток смещения эмиттера

В _T — напряжение, эквивалентное температуре = k * T / e = 26 мВ при 27 ° C

τ _F — базовое время прохождения вперед, заданное как τ _F = W ² / (2 * D _B )

Вт — эффективная ширина основания

D _B — константа диффузии неосновных носителей заряда в базовых отверстиях в транзисторе PNP и электронов в транзисторе NPN.

C _e является функцией температуры, так как D _B = V _T * μ (μ изменяется как T ^-m ) является функцией температуры. C _e можно найти теоретически из частоты единичного усиления и крутизны следующим образом:

C _e = g _м / (2 * pi * f _T )

Частота единичного усиления определяется как частота, при которой текущее усиление транзистора уменьшается до единицы. Частота среза BJT на 3 дБ выше, называется бета-частотой BJT и обозначается f _β .Бета-частота и частота усиления Unity связаны как

f _T = h _fe * f _β

, где h _fe — текущий коэффициент усиления BJT в конфигурации CE.

C _C представляет переходную емкость или емкость пространственного заряда коллекторного перехода база-коллектор. Переходная емкость базы-коллекторного перехода задается как

C _j = C _o / (1 + V _CB / V _BV ) ⁿ

, где C _o — переходная емкость для смещения нулевого коллектора на базу

В _CB — смещение от коллектора к базе

В _BV — встроенное напряжение на коллекторном переходе базы

n — это постоянная величина, которая называется коэффициентом градации от o.От 25 до 0,5.

Высокочастотная гибридная модель Pi или Giacoletto BJT действительна для частот, меньших, чем частота единичного усиления.

Параметры высокочастотной модели БЮТ с точки зрения параметров низкочастотного гибрида

Основным преимуществом высокочастотной модели является то, что эта модель может быть упрощена для получения низкочастотной модели BJT. Это достигается за счет исключения емкости из высокочастотной модели, так что BJT реагирует без какой-либо значительной задержки (мгновенно) на входной сигнал.На практике между входным и выходным сигналами BJT будет некоторая задержка, которая будет очень мала по сравнению с периодом сигнала (1 / частота входного сигнала) и, следовательно, ею можно пренебречь. Высокочастотная модель BJT упрощена на низких частотах и ​​перерисована, как показано на рисунке ниже вместе с низкочастотной гибридной моделью слабого сигнала BJT

.

Высокочастотная модель БЮТ на низких частотах

Гибридная модель БЮТ на НЧ

Параметры высокочастотной модели БЮТ с точки зрения параметров низкочастотного гибрида приведены ниже

Крутизна g _м = I _c / V _t

Внутренний базовый узел к сопротивлению эмиттера r _b’e = h _fe / g _m = (h _fe * V _t ) / I _c

Внутренний базовый узел к сопротивлению коллектора r _b’e = (h _re * r _b’c ) / (1- h _re ), принимая h _re << 1, оно уменьшается до r _{b ‘e} = (h _re * r _b’c )

Базовое сопротивление растеканию r _{bb ’} = h _ie — r _b’e = h _ie — (h _fe * V _t ) / I _c

Сопротивление коллектора к эмиттеру r _ce = 1 / (h _oe — (1+ h _fe ) / r _b’c )

Обзоры на высокочастотный транзистор

— интернет-магазины и отзывы на высокочастотный транзистор на AliExpress

Отличные новости !!! Вы находитесь в нужном месте в отношении высокочастотного транзистора. К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях. Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.

Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку, надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.

AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене. Каждый день вы будете находить новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, поскольку этот высокочастотный транзистор должен в кратчайшие сроки стать одним из самых востребованных бестселлеров. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что купили свой высокочастотный транзистор на AliExpress.Благодаря самым низким ценам в Интернете, дешевым тарифам на доставку и возможности получения на месте вы можете еще больше сэкономить.

Если вы все еще не уверены в высокочастотном транзисторе и думаете о выборе аналогичного товара, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов. Мы поможем вам решить, стоит ли доплачивать за высококлассную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь.А если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе. Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца.Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг и часто имеет комментарии, оставленные предыдущими клиентами, описывающими их опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.

А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет.Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, вы сможете приобрести high frequency transistor по самой выгодной цене.

У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы.На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните самый лучший шоппинг прямо здесь.

Лучшая цена транзистора для высокой частоты — Отличные предложения транзистора для высокой частоты от global Transistor для продавцов высоких частот

Отличные новости !!! Вы выбрали транзистор для высоких частот. К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях. Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.

Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку, надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.

AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене. Каждый день вы будете находить новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, поскольку этот высокочастотный транзистор должен стать одним из самых востребованных бестселлеров в кратчайшие сроки. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что приобрели свой транзистор для высоких частот на AliExpress.Благодаря самым низким ценам в Интернете, дешевым тарифам на доставку и возможности получения на месте вы можете еще больше сэкономить.

Если вы все еще не уверены в транзисторе для высокой частоты и думаете о выборе аналогичного товара, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов. Мы поможем вам решить, стоит ли доплачивать за высококлассную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь.А если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе. Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца.Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг и часто имеет комментарии, оставленные предыдущими клиентами, описывающими их опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.

А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет.Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, вы сможете приобрести высокочастотный транзистор по самой выгодной цене.

У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы.На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните самый лучший шоппинг прямо здесь.

Высокочастотный транзистор по лучшей цене — Выгодные предложения на высокочастотный транзистор от мировых продавцов высокочастотных транзисторов

Отличные новости !!! Вы находитесь в нужном месте в отношении высокочастотного транзистора.К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях. Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.

Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку, надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.

AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене. Каждый день вы будете находить новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, поскольку этот высокочастотный транзистор должен в кратчайшие сроки стать одним из самых востребованных бестселлеров. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что купили свой высокочастотный транзистор на AliExpress.Благодаря самым низким ценам в Интернете, дешевым тарифам на доставку и возможности получения на месте вы можете еще больше сэкономить.

Если вы все еще не уверены в высокочастотном транзисторе и думаете о выборе аналогичного товара, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов. Мы поможем вам решить, стоит ли доплачивать за высококлассную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь.А если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе. Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца.Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг и часто имеет комментарии, оставленные предыдущими клиентами, описывающими их опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.

А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет.Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, вы сможете приобрести high frequency transistor по самой выгодной цене.

У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы.На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните самый лучший шоппинг прямо здесь.

.

No related posts.