Транзисторы обозначение: Эта страница ещё не существует

Содержание

%d0%b1%d0%b8%d0%bf%d0%be%d0%bb%d1%8f%d1%80%d0%bd%d1%8b%d0%b5%20%d1%82%d1%80%d0%b0%d0%bd%d0%b7%d0%b8%d1%81%d1%82%d0%be%d1%80%d1%8b — со всех языков на все языки

Все языкиАбхазскийАдыгейскийАфрикаансАйнский языкАканАлтайскийАрагонскийАрабскийАстурийскийАймараАзербайджанскийБашкирскийБагобоБелорусскийБолгарскийТибетскийБурятскийКаталанскийЧеченскийШорскийЧерокиШайенскогоКриЧешскийКрымскотатарскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧувашскийВаллийскийДатскийНемецкийДолганскийГреческийАнглийскийЭсперантоИспанскийЭстонскийБаскскийЭвенкийскийПерсидскийФинскийФарерскийФранцузскийИрландскийГэльскийГуараниКлингонскийЭльзасскийИвритХиндиХорватскийВерхнелужицкийГаитянскийВенгерскийАрмянскийИндонезийскийИнупиакИнгушскийИсландскийИтальянскийЯпонскийГрузинскийКарачаевскийЧеркесскийКазахскийКхмерскийКорейскийКумыкскийКурдскийКомиКиргизскийЛатинскийЛюксембургскийСефардскийЛингалаЛитовскийЛатышскийМаньчжурскийМикенскийМокшанскийМаориМарийскийМакедонскийКомиМонгольскийМалайскийМайяЭрзянскийНидерландскийНорвежскийНауатльОрокскийНогайскийОсетинскийОсманскийПенджабскийПалиПольскийПапьяментоДревнерусский языкПортугальскийКечуаКвеньяРумынский, МолдавскийАрумынскийРусскийСанскритСеверносаамскийЯкутскийСловацкийСловенскийАлбанскийСербскийШведскийСуахилиШумерскийСилезскийТофаларскийТаджикскийТайскийТуркменскийТагальскийТурецкийТатарскийТувинскийТвиУдмурдскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийУзбекскийВьетнамскийВепсскийВарайскийЮпийскийИдишЙорубаКитайский

 

Все языкиАбхазскийАдыгейскийАфрикаансАйнский языкАлтайскийАрабскийАварскийАймараАзербайджанскийБашкирскийБелорусскийБолгарскийКаталанскийЧеченскийЧаморроШорскийЧерокиЧешскийКрымскотатарскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧувашскийДатскийНемецкийГреческийАнглийскийЭсперантоИспанскийЭстонскийБаскскийЭвенкийскийПерсидскийФинскийФарерскийФранцузскийИрландскийГалисийскийКлингонскийЭльзасскийИвритХиндиХорватскийГаитянскийВенгерскийАрмянскийИндонезийскийИнгушскийИсландскийИтальянскийИжорскийЯпонскийЛожбанГрузинскийКарачаевскийКазахскийКхмерскийКорейскийКумыкскийКурдскийЛатинскийЛингалаЛитовскийЛатышскийМокшанскийМаориМарийскийМакедонскийМонгольскийМалайскийМальтийскийМайяЭрзянскийНидерландскийНорвежскийОсетинскийПенджабскийПалиПольскийПапьяментоДревнерусский языкПуштуПортугальскийКечуаКвеньяРумынский, МолдавскийРусскийЯкутскийСловацкийСловенскийАлбанскийСербскийШведскийСуахилиТамильскийТаджикскийТайскийТуркменскийТагальскийТурецкийТатарскийУдмурдскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийУзбекскийВодскийВьетнамскийВепсскийИдишЙорубаКитайский

Toshiba обозначение компонентов

Подробная информация о системе обозначений на сайте изготовителя: http://www.

toshiba.com — Система обозначений
Тикер Элитан: @TOSHIBA

Значение суффиксов (символы в конце партнамбера):

Суффиксы обозначения места изготовления (завода):
(O) — Oita

Суффиксы соответствия экологическим стандартам:
(.F) — соответствует экологическому стандарту RoHS. Всегда только в самом конце партнамбера.
(G) — изготовлен по бессвинцовой технологии Pb-Free.
(Q) — покрытие выводов выполнено по бессвинцовой технологии Pb-Free

Суффиксы формы, формовки выводов, вида упаковки
F — широкая формовка выводов. В отличие от суффикса RoHS, обозначается без скобок и сразу после цифр функционального обозначения.

(EL) — упаковка в ленте на бобине Embossed Tape&Reel.
(TE85L) — упаковка в ленте на бобине Embossed Tape&Reel.
(TE12L) — упаковка в ленте на бобине Embossed Tape&Reel.
(TPL3) — упаковка в ленте на бобине Embossed Tape&Reel.
(TPh4) — упаковка в ленте на бобине Embossed Tape&Reel.
(TP*) — упаковка в ленте на бобине Tape&Reel. После символов TP может стоять цифра, указывающая на разновидность нестандартной формы выводов. Символ L или R означает ориентацию компонентов в ленте.
(LF*) — упаковка в линейках. Цифра указывает на разновидность нестандартной формы выводов, эквивалентно цифре для обозначения TP*.

Пример: TLP781F(GR,F)
В данном случае суффикс F указан дважды — первый раз обозначает широкую формовку выводов, а второй раз, в скобках — означает RoHS.

Суффиксы обозначения типа корпуса:
CT — корпус CST
F — корпус микросхемы SOP или SSOP, транзистора ESM или S-Mini
FC — корпус CSON
FU — корпус микросхемы SSOP, транзистора USM или USV
FK — корпус VSSOP
FE — корпус микросхемы SON, транзистора ES-6 или ESM или ESV
FS — корпус микросхемы SON, транзистора fSM или fS-6 или SSM
FT — корпус микросхемы TSSOP, транзистора TESM
FTG — корпус VQON

FV — корпус транзистора VESM
FW — корпус SOP-20
JE — корпус транзистора ESV
M — корпус PW-MINI
MFV — корпус транзистора VESM
P — корпус DIP
T — корпус транзистора TSM
TE — корпус транзистора TESM
TU — корпус микросхемы UF-6, транзистора UFM или UFV
U — корпус USQ или USC
X — корпус PW-X

Подробно о системе обозначения, маркировки и упаковки оптопар Toshiba — см. документ.

Подробно о системе обозначения, маркировки и упаковки слабосигнальных транзисторов, диодов, FET, операционных усилителей, драйверов тока, L-MOS, стабилизаторов напряжения Toshiba — см. документ.

вид и обозначение, достоинства и недостатки, принцип работы для чайников

В электронике и радиотехнике очень часто применяются полупроводниковые приборы, к которым относятся и транзисторы. Полевые транзисторы (ПТ) потребляют значительно меньше электрической энергии, благодаря чему они применяются в различных маломощных устройствах. Кроме того, существуют модели, работающие на больших токах при малом потреблении питающего напряжения (U).

Общие сведения

FET или ПТ — полупроводниковый прибор, который при изменении управляющего U, регулирует I (силу тока). Этот тип транзистора называется еще униполярным. Появился он позже обычного транзистора (биполярного), но с ростом технологии получил широкое распространение среди цифровых устройств благодаря низкому энергопотреблению. Основное отличие заключается в методе регулирования I

. В биполярном — регулирование I происходит при помощи управляющего I, а полевом — при помощи U (Рисунок 1).

Рисунок 1 — Отличие полевого от биполярного Т.

У ПТ нет I управления, и он обладает высоким входным сопротивлением (R), которое достигает несколько сотен ГОм (ГигаОм) или ТОм (ТерраОм). Для того чтобы узнать сферы применения ПТ, нужно внимательно изучить его. Носителями заряда являются электроны или дырки, а у биполярного — электроны и дырки.

Классификация и устройство

ПТ бывают нескольких видов, обладают различными характеристиками и устройством.

Они делятся на 2 типа:

  1. С управляющим p-n — переходом (JFET).
  2. С изолированным затвором (MOSFET).

Кроме того, каждый из типов бывает с N и P каналами. У ПТ с N-каналом носителями заряда являются электроны, а у P-канального — дырки. Принцип работы для P и N аналогичен, отличие лишь в подаче U другой полярности в качестве управляющего.

Устройство JFET ПТ (рисунок 2) простое. Область N образовывает канал между зонами P. К концам канала N подключаются электроды, которые называются условно стоком (С) и истоком (И), так как все зависит от схемы подключения. Затвор (З) — тип электрода, который образовывается при закорачивании полупроводников P. Это обусловлено электрическим соединением при воздействии U. Возле С и И находится область повышенной концентрации или легирование (N+) электронов, что приводит к улучшению проводимости канала. Наличие зоны легирования значительно понижает образование паразитных p-n — переходов, образующихся при присоединении алюминия.

Рисунок 2 — Схематическое устройство ПТ типа JFET.

MOFSET называется МОП или МДП, также делятся на типы — со встроенным и индуцируемым каналами. В каждом из этих типов есть модели с P и N каналами. Полевой транзистор, обозначение которого представлено на рисунке 3, иногда обладает 4 выводами.

Рисунок 3 — Обозначение МДП-транзистора.

Устройство довольно простое и показано на рисунке 4. Для ПТ с N-каналом подложка (покрывается SiO2) обладает электропроводимостью P-типа. Через слой диэлектрика проводятся электроды стока и истока от зон с легированием, а также вывод, который закорачивается с истоком. Слой затвора находится над диэлектриком.

Рисунок 4 — Типичное устройство ПТ с индуцированным каналом.

Принцип работы JFET

JFET работает в 2 режимах. Эта особенность связана с тем, что подается на затвор напряжение положительной и отрицательной составляющей (рис. 5). При подключении U > 0 к стоку, а земли к истоку необходимо подсоединить затвор к земле (Uзи = 0). Во время постепенного повышения U между С и И (Uис) ПТ является обыкновенным проводником. При низких значениях Uис ширина канала является максимальной.

При высоких значениях Uис через канал протекают большие значения силы тока между истоком и стоком (Iис). Это состояние получило название омической области (ОО). В полупроводнике N-типа, а именно в зонах p-n — перехода происходит снижение концентрации свободных электронов. Несимметричное разрастание слоя снижения концентрации свободных электронов называется обедненным слоем. Разрастание случается со стороны подключенного источника питания. Происходит сильное сужение канала при повышении Uис, вследствие которого Iис растет незначительно. Работа ПТ в этом режиме называется насыщением.

Рисунок 5 — Схема работы JFET (Uзи = 0).

При подаче низкого отрицательного U на затворе происходит сильное сужение канала и уменьшение Iис. При уменьшении U произойдет закрытие канала, и ПТ будет работать в режиме отсечки, а U, при котором прекращается подача Iис, называется напряжением отсечки (Uотс). На рисунке 6 изображено графическое представление работы ПТ при Uзи < 0:

Рисунок 6 — Графическое представление принципа работы полевого транзистора типа JFET.

При использовании в режиме насыщения происходит усиление сигнала (рис. 7), так как при незначительных изменениях Uис происходит значительное изменение Iис:

Рисунок 7 — Пример S JFET.

Этот параметр является усилительной способностью JFET и называется крутизной стоко-затворной характеристики (S). Единица измерения — mA/В (милиАмпер/Вольт).

Особености работы MOFSET

При подключении U между электродами С и И любой полярности к MOFSET с индуцированным N-каналом ток не потечет, так как между легитивным слоем находится слой с проводимостью P, которая не пропускает электроны. Принцип работы с каналом P-типа такой же, только необходимо подавать отрицательное U. Если подать положительное Uзи на затвор, то возникнет электрическое поле, выталкивающее дырки из зоны P в направлении подложки (рис. 8).

Под затвором концентрация свободных носителей заряда начнет уменьшаться, а их место займут электроны, которые притягиваются положительным зарядом затвора. При достижении Uзи порогового значения концентрация электронов будет значительно больше концентрации дырок. В результате этого произойдет формирование между С и И канала с проводимостью N-типа, по которому потечет Iис. Можно сделать вывод о прямо пропорциональной зависимости Iис от Uзи: при повышении Uзи происходит расширение канала и увеличение Iис. Этот процесс является одним из режимов ПТ — обогащения.

Рисунок 8 — Иллюстрация работы ПТ с индуцированным каналом (тип N).

ВАХ ПТ с изолированным затвором примерно такой же, как и с управляющим переходом (рис. 9). Участок, на котором Iис растет прямо пропорционально росту Uис, является омической областью (насыщения). Участок при максимальном расширении канала, на котором Iис не растет, является активной областью.

При превышении порогового значения U переход типа p-n пробивается, и ПТ является обычным проводником. В этом случае радиодеталь выходит из строя.

Рисунок 9 — ВАХ ПТ с изолированным затвором.

Отличие между ПТ со встроенным и индуцируемым каналами заключается в наличии между С и И канала проводящего типа. Если к ПТ со встроенным каналом подключить между стоком и истоком U разной полярности и оставить затвор включенным (Uзи = 0), то через канал потечет Iис (поток свободных носителей заряда — электронов). При подключении к затвору U < 0 возникает электрическое поле, выталкивающее электроны в направлении подложки. Произойдет уменьшение концентрации свободных носителей заряда, а сопротивление увеличится, следовательно, Iис — уменьшится. Это состояние является режимом обеднения.

При подключении к затвору U > 0 возникает электромагнитное поле, которое будет притягивать электроны из стока, истока и подложки. В результате этого произойдет расширение канала и повышение его проводимости, а Iис увеличится. ПТ начнет работать в режиме обогащения. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) представлена на рисунке 10.

Рисунок 10 — ВАХ ПТ со встроенным каналом.

Несмотря на свою универсальность, ПТ обладают преимуществами и недостатками. Эти недостатки следуют из устройства, способа исполнения и ВАХ приборов.

Преимущества и недостатки

Преимущества и недостатки являются условными понятиями, взятыми из сравнения полевых и биполярных транзисторов. Одним из свойств ПТ является высокое сопротивление Rвх. Причем у MOFSET его значение на несколько порядков выше, чем у JFET. ПТ практически не потребляют ток у источника сигнала, который нужно усилить.

Например, если взять обыкновенную схему, генерирующую сигнал на базе микросхемы-микроконтроллера. Эта схема управляет работой электродвигателя, но обладает низким значением тока, которого недостаточно для этих целей. В этом случае необходим усилитель, потребляющий малое количества I и генерирующий на выходе ток высокой величины. В усилителе такого типа и следует применить JFET, обладающий высоким Rвх. JFET обладает низким коэффициентом усиления по U. При построении усилителя на JFET (1 шт.) максимальный коэффициент усиления будет около 20, при использовании биполярного — несколько сотен.

В усилителях высокого качества применяются оба типа транзистора. При помощи ПТ происходит усиление по I, а затем, при помощи биполярного происходит усиление сигнала по U. Однако ПТ обладают рядом преимуществ перед биполярными. Эти преимущества заключаются в следующем:

  1. Высокое Rвх, благодаря которому происходит минимальное потребление I и U.
  2. Высокое усиление по I.
  3. Надежность работы и помехоустойчивость: при отсутствии протекания I через затвор, в результате чего управляющая цепь затвора изолирована от стока и истока.
  4. Высокое быстродействие перехода из одного состояния в другое, что позволяет применять ПТ на высоких частотах.

Кроме того, несмотря на широкое применение, ПТ обладают несколькими недостатками, не позволяющими полностью вытеснить с рынка биполярные транзисторы. К недостаткам относятся следующие:

  1. Повышенное падение U.
  2. Температура разрушения прибора.
  3. Потребление большего количества энергии на высоких частотах.
  4. Возникновение паразитного транзистора биполярного типа (ПБТ).
  5. Чувствительность к статическому электричеству.

Повышенное падение U возникает из-за высокого R между стоком и истоком во время открытого состояния. ПТ разрушается при превышении температуры по Цельсию 150 градусов, а биполярный — 200. ПТ обладает низким энергопотреблением только на низких частотах. При превышении частоты 1,6 ГГц энергопотребление возрастает по экспоненте. Исходя из этого, частоты микропроцессоров перестали расти, а делается упор на создании машин с большим количеством ядер.

При использовании мощного ПТ в его структуре образовывается ПБТ, при открытии которого ПТ выходит из строя. Для решения этой проблемы подложку закорачивают с И. Однако это не решает проблему полностью, так как при скачке U может произойти открытие ПБТ и выход из строя ПТ, а также цепочки из деталей, которые подключены к нему.

Существенным недостатком ПТ является чувствительность к статическому электричеству. Этот недостаток исходит от конструктивной особенности ПТ. Слой диэлектрика (изоляционный) тонкий, и его очень легко разрушить при помощи заряда статического электричества, который может достигать сотен или тысяч вольт. Для предотвращения выхода из строя при воздействии статического электричества предусмотрено заземление подложки и закорачивание ее с истоком. Кроме того, в некоторых типах ПТ между стоком и истоком стоит диод. При работе с интегральными микросхемами на ПТ следует применять антистатические меры: специальные браслеты и транспортировка в вакуумных антистатических упаковках.

Схемы подключения

ПТ подключается примерно так же, как и обыкновенный, но есть некоторые особенности. Существует 3 схемы включения полевых транзисторов: с общими истоком (ОИ), стоком (ОС) и затвором (ОЗ). Чаще всего применяется схема подключения с ОИ (схема 1). Это подключение позволяет получить значительное усиление по мощности. Однако подключение с ОИ используется в низкочастотных усилителях, а также обладает высокой входной емкостной характеристикой.

Схема 1 — Включение с ОИ.

При включении с ОС (схема 2) получается каскад с повторителем, который называется истоковым. Преимуществом является низкая входная емкость. Его применяют для изготовления буферных разделительных каскадов (например, пьезодатчик).

Схема 2 — Подключение с ОС.

При подключении с ОЗ (схема 3) не происходит значительного усиления по току, коэффициент усиления по мощности ниже, чем при подключениях с ОИ и ОС. Однако при помощи этого типа подключения возможно полностью избежать эффекта Миллера. Эта особенность позволяет увеличить максимальную частоту усиления (усиление СВЧ).

Схема 3 — Включение с ОЗ.

Таким образом, ПТ получили широкое применение в области информационных технологий. Однако не смогли вытеснить с рынка радиодеталей биполярные транзисторы. Это связано, прежде всего, с недостатками ПТ, которые кроются в принципе работы и конструктивной особенности. Главным недостатком является высокая чувствительность к полям статического электричества.

SMD транзисторы, маркировка, расшифровка. Коды: 2 … BER

Большая база на биполярные транзисторы в SMD исполнении

Для поиска используйте комбинацию Ctrl+F.

В столбце Код транзистора указаны варианты кодовой маркировки данного элемента. Группа из 2-5 кодов отличающиеся одним символом в конце кода могут принадлежать одному типу транзистора, отличие кодов подразумевается разницей параметра Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ. 

Коды:  2 … BER
Код Тип Код Тип Код Тип Код Тип
24 2SC5006 34 2SC5007 44 2SC5008 73 2SC5005
77 2SC5004 80 2SC5800 82 2SC5009 83 2SC5010
1AQ 2SB779 1AQ 2SB0779 1AR 2SB0779 1AR 2SB779
1CN 2SC4082 1CP 2SC4082 1DN 2SC4083 1DP 2SC4083
1E 2SA1737 1F 2SC4543 1F 2SC5838 1HR 2SD2185
1HS 2SD2185 1IR 2SB1440 1IS 2SB1440 1L 2SB1537
1M 2SD2357 1N 2SB1539 1O 2SD2359 1RR 2SB970
1RR 2SB0970 1RS 2SB0970 1RS 2SB970 1S 2SC4809J
1S 2SC5939 1SP 2SC3130 1SP 2SC3935 1SP 2SC4809
1SQ 2SC3130 1SQ 2SC3935 1SQ 2SC4809 1SR 2SC4809
1T 2SC3933 1U 2SB1589 1U 2SC3934 1XP 2SB1599
1XQ 2SB1599 1XR 2SB1599 1YQ 2SD2457 1YR 2SD2457
1ZR 2SA1890 1ZS 2SA1890 2A 2SC5712 2AR 2SC5026
2AS 2SC5026 2E 2SC5714 2F 2SB1612 2FR 2SB792A
2FS 2SB792A 2I 2SD2474 2R 2SC5632 2S 2SC5654
2T 2SC5592 2U 2SA2161J 2U 2SA2162 2W 2SC3704
2W 2SC3937 2X 2SC3707 2X 2SC4410 2YQ 2SC3757
2YQ 2SC3938 2YQ 2SC4691 2YQ 2SC4691J 2YR 2SC3757
2YR 2SC3938 2YR 2SC4691 2YR 2SC4691J 2Z 2SC4417
3A 2SB1699 3A 2SC5472 3A 2SC5473 3A 2SC5474
3C 2SC5725 3C 2SC5810 3D 2SA2079 3D 2SB1693
3D 2SC5819 3E 2SC5785 3E 2SA2021 3E 2SC5848
3F 2SC5609 3K 2SC5556 3M 2SC3829 3M 2SC4808
3M 2SC4808J 3M 2SC6045 3MQ 2SC4835 3MR 2SC4835
3MS 2SC4835 3O 2SC4497 3R 2SC4497 3S 2SC3904
3SCQ 2SC4805 3SCR 2SC4805 3SCS 2SC4805 3SQ 2SC5295
3SQ 2SC5295J 3SR 2SC5295 3SR 2SC5295J 3SS 2SC5295
3VR 2SB1679 3VS 2SB1679 3Y 2SC5190 3Y 2SC5363
3Z 2SA2046 4C 2SA2070 4D 2SA2069 4E 2SA2066
4F 2SA2059 4G 2SA2060 4N 2SA2082 4O 2SA1721
4R 2SA1721 4R 2SB1722J 4U 2SC6036 4U 2SC6037J
5H 2SC5813 6J 2SA2163 6N 2SC6050 7H 2SA2078
7HQ 2SC5863 7HR 2SC5863 7K 2SC5846 7L 2SA2077
7L 2SA2122 7L 2SA2174J 7M 2SC5845 7M 2SC5950
7M 2SC6054J 7NP 2SA2084 7NQ 2SA2084 7O 2SA1621
7Y 2SA1621 9N 2SC5946 A 2SB1462J A1225O 2SA1225
A1225Y 2SA1225 A1241O 2SA1241 A1241Y 2SA1241 A1242O 2SA1242
A1242Y 2SA1242 A1244O 2SA1244 A1244Y 2SA1244 A1385K 2SA1385-Z
A1385L 2SA1385-Z A1385M 2SA1385-Z A1400K 2SA1400-Z A1400L 2SA1400-Z
A1400M 2SA1400-Z A1400N 2SA1400-Z A1412K 2SA1412-Z A1412L 2SA1412-Z
A1413K 2SA1413-Z A1413L 2SA1413-Z A1413M 2SA1413-Z A1645K 2SA1645-Z
A1645L 2SA1645-Z A1645M 2SA1645-Z A1646K 2SA1646-Z A1646L 2SA1646-Z
A1646M 2SA1646-Z A1649K 2SA1649-Z A1649L 2SA1649-Z A1649M 2SA1649-Z
A1727P 2SA1727 A1727Q 2SA1727 A1834R 2SA1834 A1834S 2SA1834
A1862 2SA1862 A1952 2SA1952 A2073Q 2SA2073 A2073R 2SA2073
A2097 2SA2097 AA 2SC4213 AA 2SA1864 AAR 2SA1415
AAS 2SA1415 AAT 2SA1415 AB 2SC4213 ABG 2SA1312
ABL 2SA1312 ABR 2SA1416 ABS 2SA1416 ABT 2SA1416
ACN 2SC3837K ACN 2SC4725 ACN 2SC5661 ACO 2SA1313
ACP 2SC3837K ACP 2SC4725 ACP 2SC5661 ACR 2SA1417
ACS 2SA1417 ACT 2SA1417 ACY 2SA1313 ADN 2SC3838K
ADN 2SC4726 ADN 2SC5662 ADP 2SC3838K ADP 2SC4726
ADP 2SC5662 ADR 2SA1418 ADS 2SA1418 ADT 2SA1418
AEG 2SA1362 AEQ 2SB1424 AER 2SA1419 AER 2SB1424
AES 2SA1419 AET 2SA1419 AEY 2SA1362 AF 2SB1734
AFC 2SA1575 AFD 2SA1575 AFE 2SA1575 AFF 2SA1575
AGP 2SA1797 AGQ 2SA1729 AGQ 2SA1797 AGR 2SA1729
AGS 2SA1729 AHP 2SA1759 AHQ 2SA1197K AHQ 2SB1197K
AHQ 2SA1730 AHR 2SA1197K AHR 2SB1197K AHR 2SA1730
AHS 2SA1730 AIS 2SA1882 AIT 2SA1882 AIU 2SA1882
AJ 2SA1724 AJP 2SA1812 AJQ 2SA1812 AK 2SB1000A
AK 2SA1806J AKD 2SA1740 AKE 2SA1740 AKQ 2SA1738
AKQ 2SB1198K AKQ 2SA1806J AKR 2SA1806J AKR 2SA1738
AKR 2SB1198K AL 2SA1766 AL 2SB1000A AL4 2SA1338
AL5 2SA1338 AL6 2SA1338 AL7 2SA1338 ALQ 2SA1748
ALQ 2SA1791J ALQ 2SA1900 ALR 2SA1748 ALR 2SA1791J
AMQ 2SC4562 AMQ 2SC4656 AMQ 2SC4656J AMR 2SC4562
AMR 2SC4656 AMR 2SC4656J AMS 2SA1896 AMT 2SA1896
AN 2SC2532 ANN 2SC4061K ANP 2SC4061K ANR 2SA1898
ANS 2SA1898 AO 2SC2880 AO 2SC4210 AP 2SC2413K
AP 2SC4098 AP 2SC4618 AP 2SC5659 AQ 2SB1462
AQ 2SB766 AQ 2SA1969 AR 2SA2011 AR 2SC3338
AR 2SB1462 AR 2SB766 ARR 2SA2009 ARS 2SA2009
ART 2SA2009 AS 2SA2010 AS 2SA2012 AS 2SC3380
AS 2SB1462 AS 2SB766 AT 2SA2013 AT 2SA2028
AU 2SA2014 AV 2SA2015 AW 2SA2016 AX 2SA1739
AXQ 2SA1739 AXR 2SA1739 AY 2SC2880 AY 2SC4210
AY4 2SC3392 AY5 2SC3392 AY6 2SC3392 AY7 2SC3392
B 2SB1218A B 2SB709A B1 2SC4931 B1181P 2SB1181
B1181Q 2SB1181 B1181R 2SB1181 B1182P 2SB1182 B1182Q 2SB1182
B1182R 2SB1182 B1184P 2SB1184 B1184Q 2SB1184 B1184R 2SB1184
B12 2SC3739 B1261K 2SB1261-Z B1261L 2SB1261-Z B1261M 2SB1261-Z
B1275 2SB1275 B13 2SC3739 B1316 2SB1316 B14 2SC3739
B1412P 2SB1412 B1412Q 2SB1412 B1412R 2SB1412 B2 2SC1621
B2 2SC4931 B22 2SC3734 B23 2SC3734 B24 2SC3734
B3 2SC4931 B3 2SC1621 B33 2SC3735 B34 2SC3735
B35 2SC3735 B4 2SC4987 B4 2SC1621 B42 2SB1475
B43 2SB1475 B44 2SB1475 B5 2SC4987 B51 2SB736A
B52 2SB736A B53 2SB736A B54 2SB736A B55 2SB736A
B6 2SB815 B6 2SC4987 B7 2SC5787 B7 2SB815
B768K 2SB768 B768L 2SB768 B768M 2SB768 B905O 2SB905
B905R 2SB905 B905Y 2SB905 B906O 2SB906 B906Y 2SB906
B907 2SB907 B908 2SB908 B962E 2SB962-Z B962P 2SB962-Z
B962Q 2SB962-Z B962R 2SB962-Z B963K 2SB963-Z B963L 2SB963-Z
B963M 2SB963-Z BA 2SA1865 BAP 2SB1132 BAQ 2SB1132
BAR 2SB1132 BB 2SB831 BC 2SB831 BCE 2SB1120
BCF 2SB1120 BCG 2SB1120 BCP 2SB1188 BCQ 2SB1188
BCR 2SB1188 BDR 2SB1121 BDS 2SB1121 BDT 2SB1121
BDU 2SB1121 BEP 2SB1260 BEQ 2SB1260 BER 2SB1122
Коды: * 2 … BER * BER … FA * FA … MER * MER … TT * TY … ZY *

ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

1. Начальный ток стока

D. Drain-Source-Kurzsch-lubstrom

E. Drain current for V=0

F. Courant de drain pour V

Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения

1a. Ток стока

D. Drainstrom

E. Drain current

F. Courant de drain

Ток, протекающий в цепи сток-исток при напряжении сток-исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор-исток

2. Остаточный ток стока

D. Drain-Reststrom

E. Drain cut-off current

F. Courant de drain au blocage

Ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки

2a. Ток стока при нагруженном затворе

D. Drainstrom bei Widerstand-sabschluss zwischen Source und Gate

E. Drain current at a specified gatesource resistance

F. Courant de drain pour une
grillesource

Ток стока при заданном напряжении сток-исток и включенном между затвором и истоком резистором

2б. Ток истока

D. Sourcesstrom

E. Source current

F. Courant de source

2в. Начальный ток истока

D. Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate

E. Source current witg gate shortcircuited to drain

F. Courant de source la grille court- au drain

Ток истока при напряжении затвор-сток, равном нулю, и заданном напряжении сток-исток

2г. Остаточный ток истока

D. Sourcereststrom

F. Source current at a specified gatedrain condition

F. Courant de source dans des conditions grilledrain

Ток истока при заданных напряжениях затвор-исток и сток-исток

2д. Ток затвора

D. Gatestrom

E. Gate current

F. Courant de grille

2е. Прямой ток затвора

D. Gatedurchlassstrom

E. Forward gate current

F. Courant directe de grille

2ж. Ток отсечки затвора

D. Gatesperrstrom bei vorge-gebener Drain-Source-Spannung

E. Gate cut-off current (of a fieldeffect transistor) with specified drain-source circuit conditions

F. Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source

Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток

3. Ток утечки затвора

D. Gatereststrom

E. Gate leakage current

F. Courant de fuite de drain

Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой

4. Обратный ток перехода затвор-сток

D. Gatereststrom (Source offen)

E. Gate cut-off current with source open-circuited

F. Courant de grille

Ток, протекающий в цепи затвор-сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами

5. Обратный ток перехода затвор-исток

D. Gatereststrom (Drain offen)

E. Gate cut-off current with drain open-circuited

F. Courant de grille le drain en circuit ouvert

Ток, протекающий в цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами

5a. Ток подложки

D. Substratstrom

E. Substrate current

F. Courant de substrat

6. Напряжение отсечки полевого транзистора

Напряжение отсечки

D. Gate-Source-Spannung

E. Gate-source cut-off voltage

F. Tension grille-source de blocage

Напряжение между затвором и истоком транзистора с

переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения

7. Пороговое напряжение полевого транзистора

Пороговое напряжение

D. Schwellspannung

E. Gate-source threshold voltage

F. Tension de seuil grille-source

Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения

7a. Напряжение сток-исток

D. Drain-Source-Spannung

E. Drain-source (d. c.) voltage

F. Tension (continue) drain-source

7б. Напряжение затвор-исток

D. Gate-Source-Spannung

E. Gate-source (d. c.) voltage

F. Tension (continue) grille-source

7в. Прямое напряжение затвор-исток

D. Gate-Source-Durch-lassspannung

E. Forward gate-source (d. с.) voltage

F. Tension directe (continue) grille-source

7г. Обратное напряжение затвор-исток

D. Gate-Source-Sperrspannung

E. Reverse gate-source (d. c.) voltage

F. Tension inverse (continue) grille-source

7д. Напряжение затвор-сток

D. Gate-Drain-Spannung

E. Gate-drain (d. c.) voltage

F. Tension (continue) grille-drain

7e. Напряжение исток-подложка

D. Source-Substrat-Spannung

E. Source-substrate (d. c.) voltage

F. Tension (continue) source-substrat

7ж. Напряжение сток-подложка

D. Drain-Substrat-Spannung

E. Drain-substrate (d. c.) voltage

F. Tension (continue) drain-substrat

7з. Напряжение затвор-подложка

D. Gate-Substrat-Spannung

E. Gate-substrate (d. c.) voltage

F. Tension (continue) grille-substrat

7и. Пробивное напряжение затвора

D. Gate-Source-Durchbruch-spannung

E. Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)

F. Tension de claquage grillesource

Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке

8. Крутизна характеристики полевого транзистора

Крутизна характеристики

D.

E. Forward transconductance

F. Transconductance directe

Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком

9. Крутизна характеристики по подложке

Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на подложке при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком

10. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

D. Drain-Source-Widerstand bei Transistor

E. Drain-source onstate resistance

F. drainsource passent

Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжении насыщения

10a. Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии

D. Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor

E. Drain-source off-state resistance

F. drain-source

Сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток

11. Емкость сток-исток

D. Drain-Source

E. Drain-source capacitance

F. Capacite drain-source

Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах

12. Емкость затвор-сток

D. Gate-Drain

E. Gate-drain capacitance

F. grille-drain

Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах

13. Емкость затвор-исток

D. Gate-Source

E. Gate-source capacitance

F. grille-source

Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах

14. Входная емкость полевого транзистора

Входная емкость

D.

E. Input capacitance

F.

Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком

15. Выходная емкость полевого транзистора

Выходная емкость

D.

E. Output capacitance

F. de sortie

Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком

16. Проходная емкость полевого транзистора

Проходная емкость

D.

E. Reverse transfer capacitance

F. de transfert inverse

Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком

17. Полная входная проводимость полевого транзистора

Полная входная проводимость

D. Kurzschluss-Eingangs-scheinleitwert

E. Schort-circuit input admittance

F. Admittance d’entree, la sortie etant en court-circuit

18. Активная составляющая входной проводимости полевого транзистора

Активная входная проводимость

D. Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes

E. Short-circuit input conductance

F. Conductance , la sortie en court-circuit

19. Полная проводимость обратной передачи полевого транзистора

Полная проводимость обратной передачи

D. Kurzschlussscheinleitwert

E. Short-circuit reverse transfer admittance

F. Admittance de transfert inverse, en court-circuit

20. Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора

Модуль полной проводимости обратной передачи

D. Betrag des Kurzschlusswertes


E. Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance

F. Module de l’admittance de transfert inverse, en court-circuit

21. Полная проводимость прямой передачи полевого транзистора

Полная проводимость прямой передачи

D. Kurzschluss

F. Short-circuit forward transfer admittance

F. Admittance de transfert direct, la sortie, etant en court-circuit

22. Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора

Модуль полной проводимости прямой передачи

D. Betrag des Kurzschluss-

E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

F. Module de l’admittance de transfert direct, la sortie etant en court-circuit

23. Полная выходная проводимость полевого транзистора

Полная выходная проводимость

D. Kurzschluss-Ausgangs-scheinleitwert

E. Short-circuit output admittance

F. Admittance de sortie, en court-circuit

24. Активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора

Активная выходная проводимость

D. Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes

E. Short-circuit output conductance

F. Conductance de sortie, en court-circuit

25. Шумовое напряжение полевого транзистора

Шумовое напряжение

D. Rauschspannung

E. Noise voltage

F. Tension de bruit

Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком

26. Электродвижущая сила шума полевого транзистора

э.д.с. шума

D. Rauschurspannung

E. Noise force electrovelocity

Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведенного ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком

27. Шумовой ток полевого транзистора

Шумовой ток

D. Rauschstrom

E. Noise current

F. Courant de bruit

Эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот в схеме с общим истоком

28. Шумовое сопротивление полевого транзистора

Шумовое сопротивление

D. Rauschwiderstand

E. Noise resistance

F. de bruit

Эквивалентное шумовое сопротивление при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком, определяемое соотношением

,

где — э.д.с. шума

29. Коэффициент шума полевого транзистора

Коэффициент шума

D. Rauschfaktor

E. Noise figure

F. Facteur de bruit

Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

30. Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора

Коэффициент усиления по мощности

D.

E. Power gain

F. Gain en puissance

Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения

31. Время задержки включения полевого транзистора

Время задержки включения

D.

E. Turn-on delay time

F. Retard la croissance

Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса

32. Время нарастания для полевого транзистора

Время нарастания

D. Anstiegszeit

E. Rise time

F. Temps de croissance

Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора

33. Время задержки выключения полевого транзистора

Время задержки выключения

D.

E. Turn-off delay time

F. Retard

Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса

34. Время спада для полевого транзистора

Время спада

D. Abfallzeit

E. Fall time

F. Temps de

Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора

35. Время включения полевого транзистора

Время включения

D. Einschaltzeit

E. Turn-on time

F. Temps total

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора

36. Время выключения полевого транзистора

Время выключения

D. Ausschaltzeit

E. Turn-off time

F. Temps total de coupure

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада

37. Разность напряжений затвор-исток

D. Gate-Source-Spannungs-differenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)

E. Difference of gate-source voltages

F. Difference des tension grille-source

Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока

38. Температурный уход разности напряжений затвор-исток

D. Temperaturdrift der Gate-Source- Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)

E. Drift of difference of gate-source voltage with temperature

F. Variation de la difference des tensions grillesource avec la temperature

Отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды

39. Разность активных выходных проводимостей

D. Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)

Абсолютное значение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора

40. Отношение начальных токов стока

D. Drain-Source-Kurzsch (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)

E. Ratio of drain currents

F. Rapport de courant de drain

Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора

41. Разность токов утечки затвора

D. Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)

41a. Постоянная рассеиваемая мощность стока

D. Drain-Source-Verlustleistung

42*. Максимально допустимое напряжение сток-исток

D. Maximal Drain-Source-Spannung

E. Maximum drain-source-voltage

F. Tension maximale drain-source

_______________
* Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

43. Максимально допустимое напряжение затвор-исток

D. Maximal Gate-Source-Spannung

E. Maximum gate-source voltage

F. Tension grille-source maximale

44. Максимально допустимое напряжение затвор-сток

D. Maximal Gate-Drain-Spannung

E. Maximum gate-drain voltage

F. Tension grille-drain maximale

45. Максимально допустимое напряжение сток-подложка

D. Maximal Drain-Bulk-Spannung

E. Maximum drain-substrate voltage

F. Tension maximale drain-substrat

46. Максимально допустимое напряжение исток-подложка

D. Maximal Source-Bulk-Spannung


E. Maximum source-substrate voltage

F. Tension maximale source-substrat

47. Максимально допустимое напряжение затвор-подложка

D. Maximal Gate-Bulk-Spannung

E. Maximum gate-substrate voltage

F. Tension maximale grille-substrate

48. Максимально допустимое напряжение между затворами

D. Maximal Spannung zwischen den Gates

E. Maximum gate-gate voltage

F. Tension maximale grille-grille

49. Максимально допустимый постоянный ток стока

D. Maximal Drain Gleichstrom

E. Maximum drain current

F. Courant maximale de drain

50. Максимально допустимый прямой ток затвора

D. Maximal Gate

E. Maximum forward gate current

F. Courant directe de grille

51. Максимально допустимый импульсный ток стока

D. Maximal Drain-Impulsstrom

Импульсный ток стока при заданных длительности и скважности импульсов

52. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора

D. Maximal Dauerver-lustleistung

E. Power dissipation

F. Dissipation de puissance

53. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора

D. Maximal Impulsverlustleistung

Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов

ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

1. Обратный ток коллектора

D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter)

E. Collector cut-off current

F. Courant résiduel du collecteur

IКБО

IСВО

Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

2. Обратный ток эмиттера

D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)

E. Emitter cut-off current

F. Courant résiduel de l’émetteur

IЭБО

IЕВО

Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора

3. Обратный ток коллектор-эмиттер

Ндп. Начальный ток коллектора

Ток коллектора закрытого транзистора

D. Kollektor- Emitter- Reststrom

E. Collector-emitter cut-off current

F. Courant résiduel du collecteur-émetteur

Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер

1 При разомкнутом выводе базы IКЭО, IСЕO; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы IКЭК, ICES; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер IКЭR, ICER; при заданном обратном напряжении эмиттер-база Iкэх, IСЕХ.

4. Обратный ток базы

D. Basis-Emitter-Reststrom

E. Base cut-off current

F. Courant résiduel de la base

IБЭХ

IВЕХ

Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база

5. Критический ток биполярного транзистора

Iкр

Значение тока коллектора, при достижении которого значение fгр (|h21э|) падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер

6. Граничное напряжение биполярного транзистора

Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера

UКЭОгр

U(L)CEO

Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера

7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

E. Saturation collector-emitter voltage

F. Tension de saturation collecteur-émetteur

UКЭнас

UCЕsat

Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

8. Напряжение насыщения база-эмиттер

D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung

E. Saturation baseemitter voltage

F. Tension de saturation base-émetteur

UБЭнас

UВЕsat

Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

9. Плавающее напряжение эмиттер-база

E. Floating emitter-base voltage

F. Tension flottante émetteur-base

UЭБпл

UЕВfl

Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю

10. Напряжение смыкания биполярного транзистора

E. Punch-through (penetration) voltage

F. Tension de pénétration (tension de persage)

Ucмк

Upt

Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база

11. Пробивное напряжение эмиттер-база

D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung

E. Breakdown emitter-base voltage

F. Tension de claquage émetteur-base

UЭБОпроб

U(BR)ЕВО

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю

12. Пробивное напряжение коллектор-база

D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung

E. Breakdown collector-base voltage

F. Tension de claquage collecteur-base

UКБОпроб

U(BR)СВО

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю

13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

E. Breakdown collector-emitter voltage

F. Tension de claquage collecteur-émetteur

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора

1 При токе базы, равном нулю, UКЭОпроб, U(BR)СВО;

при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭRпроб, U(BR)СER;

при коротком замыкании в цепи база-эмиттер UКЭКпроб, U(BR)СES;

при заданном обратном напряжении база-эмиттер UКЭXпроб, U(BR)СEX.

14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Kleinsignaleingangswiderstand

E. Small-signal value of the short-circuit input impedance

F. Valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux

h*11

h11

Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора

15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Kleinsignalspannungsrückwirkung

E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio

F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux

h*12

h12

Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току

16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Kleinsignalstromverstärkung

E. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio

F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux

h*21

h21

Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току

17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте

D. Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF

E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio

F. Module du rapport de transfert direct du courant

|h21э|

|h21е|

Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте

18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Kleinsignalausgangsleitwert

E. Small-signal value of the open-circuit output admittance

F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux

h*22

h22

Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току

19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала

E. Static value of the input resistance

F. Valeur statique de la résistance d’entrée

h11Э

h11Е

Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером

20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора

D. Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung

E. Static value of the forward current transfer ratio

F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant

h21Э

h21Е

Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером

21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert

E. Small-signal value of the short-circuit input admittance

F. Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux

y*11

y11

Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе

22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignalrückwirkungsleitwert

E. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance

F. Valeur de l’admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux

y*12

y12

Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе

23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignalübertragungsleitwert vorwärts

E. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance

F. Valeur de l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux

y*21

y21

Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе

24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора

D. Betrag des Übertragungsleitwerts vorwärts

E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

F. Module de l’admittance de transfert direct

|y21э|

|y21е|

Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером

25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert

E. Small-signal value of the short-circuit output admittance

F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux

y*22

y22

Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе

26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером

Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики

D. Statische Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung

E. Static value of the forward transconductance

F. Pente statique de transfert direct

y21Э

y21Е

Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер

27. Входная емкость биполярного транзистора

D. Eingangskapazität

E. Input capacitance

F. Capacité d’entrée

С*11

С11

Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала

28. Выходная емкость биполярного транзистора

D. Ausgangskapazität

E. Output capacitance

F. Capacité de sortie

С*22

С22

Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала

28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора

D. Rückwirkungskapazität

E. Feedback capacitance

F. Capacité de couplage à réaction

С*12

С*12

Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала

29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора

D. Grenzfrequenz der Stromverstärkung

E. Cut-off frequency

F. Fréquence de conpure

fh31

fh31

Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением

30. Граничная частота коэффициента передачи тока

D. Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz)

E. Transition frequency

F. Fréquence de transition

fгр

fт

Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.

Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву

31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора

E. Maximum frequency of oscillation

F. Fréquence maximale d’oscillation

fmax

fmax

Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора

32. Коэффициент шума биполярного транзистора

D. Rauschzahl

E. Noise figure

F. Facteur de bruit

Kш

F

Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора

D. Minimale Rauschzahl

E. Minimal noise figure

F. Facteur de bruit minimum

Kшmin

Fmin

Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума

32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора

D. Äquivalente Rauschspannung

E. Equivalent noise voltage

F. Tension de bruit équivalente

Uш

Un

Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным

33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора

Ндп. Степень насыщения

E. Saturation coefficient

F. Coefficient de saturation

Кнас

Кsat

Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения

34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

D. Leistungsverstärkung

E. Power gain

F. Gain en puissance

КyP

GP

Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения

34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

D. Optimale Leistungsverstärkung

E. Optimal power gain

F. Gain de puissance optimum

КyPonm

GPopt

Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума

35. Коэффициент полезного действия коллектора

D. Kollektorwirkungsgrad

E. Collector efficiency

F. Efficacité du collocteur

ηK

ηC

Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания

36. Время задержки для биполярного транзистора

D. Verzögerungszeit

E. Delay time

F. Retard à la croissance

tзд

td

Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

37. Время нарастания для биполярного транзистора

D. Anstiegszeit

E. Rise time

F. Temps de croissance

tнр

tr

Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды

38. Время рассасывания для биполярного транзистора

D. Speicherzeit

E. Carrier storage time

F. Retard à la décroissance

tрас

ts

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня

39. Время спада для биполярного транзистора

D. Abfallzeit

E. Fall time

F. Temps de décroissance

tсп

tf

Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

40. Время включения биполярного транзистора

D. Einschaltzeit

E. Turn-on time

F. Temps total d’établissement

tвкл

ton

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания

41. Время выключения биполярного транзистора

D. Ausschaltzeit

E. Turn-off time

F. Temps total de coupure

tвыкл

toff

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения

42. Сопротивление базы биполярного транзистора

D. Basisbahnwiderstand

E. Base intrinsic resistance

F. Résistance intrinséque de base

rK

rbb

Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер

43. Емкость эмиттерного перехода

D. Kapazität der Emittersperrschicht

E. Emitter capacitance

F. Capacité émetteur

Cэ

Cе

Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи

44. Емкость коллекторного перехода

D. Kapazität der Kollektorsperrschicht

E. Collector capacitance

F. Capacité collecteur

Cк

Cс

Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи

45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора

D. HF-Rückwirkungszeitkonstante

E. Collector-base time constant

ts

tc

Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода

46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора

D. Eingangsreflexionsfaktor

S*11

S*11

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

47. Коэффициент обратной передачи напряжения

D. Spannungsübertragungsfaktor rückwärts

S*12

S*12

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

48. Коэффициент прямой передачи напряжения

D. Spannungsübertragungsfaktor vorwätrs

S*21

S*21

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора

D. Ausgangsreflexionsfaktor

S*22

S*22

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

50. Постоянный ток коллектора

D. Kollektorgleichstrom

E. Collector (d.с.) current

F. Courant continu de collecteur

IK

IC

Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход

51. Постоянный ток эмиттера

D. Emittergleichstrom

E. Emitter (d.c.) current

F. Courant continu d’emetteur

IЭ

IЕ

Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход

52. Постоянный ток базы

D. Basisgleichstrom

E. Base (d.c.) current

F. Courant continu de base

IБ

IВ

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод

53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения

E. Saturation collector current

F. Courant de saturation collecteur

IKнас

ICsat

54. Постоянный ток базы в режиме насыщения

E. Saturation base current

F. Courant de saturation base

IБнас

IBsat

55. Импульсный ток коллектора

IK

Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса

56. Импульсный ток эмиттера

IЭ,и

Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса

57. Постоянное напряжение эмиттер-база

D. Emitter-Basis-Spannung

E. Emitter-base (d.с.) voltage

F. Tension continue émetteur-base

U1ЭБ

U1ЕБ

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы

58. Постоянное напряжение коллектор-база

D. Kollektor-Basis-Spannung

E. Collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base

U2КБ

U2СВ

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы

59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

E. Collector-emitter (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-émetteur

U3КЭ

U3СЕ

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера

1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0.

2 При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБ0, UCB0.

3 При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, Uкэо, UСЕО;

при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, UR, UR.

при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UкэК, US;

при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база UКЭХ, UX.

60. Выходная мощность биполярного транзистора

D. Ausgangsleistung

E. Output power

Рвых

Рout

Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте

61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Gesamtverlustleistung

E. Total input power (d.c.) to all electrodes

F. Puissance totale d’entrée (continúe) de toutes les electrodes

Р

Рtot

Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе

62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D Mittlere Verlustleistung

E. Total input power (average) to all electrodes

F. Puissance totale d’entrée (moyenne) de toutes les électrodes

Рср

РAV

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе

63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Impulsverlustleistung

E. Peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crète

Ри

РМ

64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung

E. Collector (d.c.) power dissipation

F. Puissance dissipée (continue) au collecteur

РК

РС

Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора

65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора

D. Mittlere Kollektorverlustleistung

E. Collector (average) power dissipation

F. Ruissance dissipée (moyenne) au collecteur

РК.ср

Рс(AV)

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора

65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора

Е Peak envelope power

Рвых,п.о

Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей.

Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами

65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора

Е Third order intermodulation products factor

М3

Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд

65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора

Е Fifth order intermodulation products factor

Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам**

М5

Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд

66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора

D. Maximal zulässiger Kollektorgleichstrom

E. Maximum collector (d.с.) current

F. Courant continu de collecteur maximal

IКmax

IСmax

67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера

D. Maximal zulässiger Emittergleichstrom

E. Maximum emitter (d.c.) current

F. Courant continu d’emetteur maximal

IЭmax

IЕmax

68. Максимально допустимый постоянный ток базы

D. Maximal zulässiger Basisgleichstrom

E. Maximum base (d.c.) current

F. Courant continu de base maximal

IБmax

IВmax

69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора

D. Maximal zulässiger Kollektorimpulsstrom

E. Maximum peak collector current

F. Courant de crête de collecteur maximal

IК,и max

IСМmax

70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера

D. Maximal zulässiger Emitterimpulsstrom

E. Maximum peak emitter current

F. Courant de crête d’emetteur maximal

IЭ,и max

IЕМmax

71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения

E. Maximum saturation collector current

F. Courant de saturation collecteur maximal

IК нас max

IС sat max

72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения

E. Maximum saturation base current

F. Courant de saturation base maximal

IБ нас max

IВ sat max

73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung

E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage

F. Tension continue émetteur-base maximale

IЭБ max

IЕВ max

74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung

E. Maximum collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base maximale

UКБ max

UСВ max

75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер

D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung

E. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-émetteur maximale

UКЭ max

UСЕ max

76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер

D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-emitter voltage

F. Tension de crête collecteur-émetteur maximale

UКЭ, и max

UСЕМ max

77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база

D. Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-base voltage

F. Tension de crête collector-base maximale

UКБ, и max

UСВМ max

78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D. Maximal zulässige Kollektorverlustleistung

E. Maximum collector power dissipation (d.c.)

F. Puissance dissipée au collecteur (continue) maximale

РК max

РC max

79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора

E. Maximum collector power dissipation (average)

F. Puissance dissipée au collecteur (moyenne) maximale

РК, ср max

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

Ри max

РМ max

Полевые транзисторы (Униполярные)- принцип работы и устройство, обозначение на схеме

Полевые транзисторы это отдельный тип полупроводников, которые оснащены одновременно тремя электродами. Их называют истоком, затвором и стоком. В оснащенном стоком/истоком пространстве, находится особый канал токопровождения. В нем и протекает электрический ток. Он изготовлен из материалов, обладающих полупроводниковыми свойствами с переходом либо p либо n.

Управление осуществляется изменением величины проводимости канала, которая находится в прямой зависимости от напряжения заряда, проходящего между затвором и истоком. В биполярных транзисторах ток течет к коллектору от эмиттера, проходя через переходы p-n. В статье рассмотрены все вопросы строения, особенности, сферы использования полевых транзисторов. В качестве дополнения, статья содержит в себе несколько видеоматериалов и одну подробную научную статью.

Различные модели полевых резисторов

Полевые транзисторы с изолированным затвором. Устройство и принцип действия

Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-транзистор, MOSFET) – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. МДП-транзисторы (структура: металл-диэлектрик-полупроводник) выполняют из кремния. В качестве диэлектрика используют окисел кремния SiO2. отсюда другое название этих транзисторов – МОП – транзисторы (структура: металл-окисел-полупроводник). Наличие диэлектрика обеспечивает высокое входное сопротивление рассматриваемых транзисторов (1012 … 1014Ом).

Полевые транзисторы  – это однополярные устройства, как и обычные полевые транзисторы. То есть управляемый ток не должен проходить через PN переход. В транзисторе имеется PN переход, но его единственное назначение – обеспечить непроводящую обедненную область, которая используется для ограничения тока через канал.

Принцип действия МДП-транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Приповерхностный слой полупроводника является токопроводящим каналом этих транзисторов. МДП-транзисторы выполняют двух типов – со встроенным и с индуцированным каналом.

Полевые транзисторы разных размеров

Рассмотрим особенности МДП-транзисторов со встроенным каналом. Конструкция такого транзистора с каналом n-типа показана на рис. 4, а. В исходной пластинке кремния р- типа с относительно высоким удельным сопротивлением, которую называют подложкой, с помощью диффузионной технологии созданы две сильнолегированные области с противоположным типом электропроводности – n. На эти области нанесены металлические электроды – исток и сток. Между истоком и стоком имеется тонкий приповерхностный канал с электропроводностью n- типа. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) диэлектрика. На слой диэлектрика нанесен металлический электрод – затвор. Наличие слоя диэлектрика позволяет в таком полевом транзисторе подавать на затвор управляющее напряжение обеих полярностей.

Основные характеристики полевых транзисторов.

Основные параметры полевых транзисторов:

  1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность;
  2. Максимально допустимая рабочая частота;
  3. Напряжение сток-исток;
  4. Напряжение затвор-сток;
  5. Напряжение затвор-исток;
  6. Максимально допустимый ток стока;
  7. Ток утечки затвора;
  8. Крутизна характеристики;
  9. Начальный ток стока;
  10. Емкость затвор-исток;
  11. Входная ёмкость;
  12. Выходная ёмкость;
  13. Проходная ёмкость;
  14. Выходная мощность;
  15. Коэффициент шума;
  16. Коэффициент усиления по мощности.

Полевые транзисторы разных размеров

Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом

В полевых транзисторах с управляющим р-n-переходом управление током транзистора достигается путем изменения сечения канала за счет изменения области, занимаемой этим переходом. Управляющий р-n-переход образуется между каналом и затвором, которые выполняются из полупроводников противоположных типов проводимости. Так, если канал образован полупроводником η-типа, то затвор – полупроводником p-типа. Напряжение между затвором и истоком всегда подается обратной полярности, т.е. запирающей р-n-персход. Напомним, что при подаче напряжения обратной полярности область, занимаемая р-n-переходом, расширяется. При этом расширяется и область, обедненная носителями заряда, а значит, сужается область канала, через которую может течь ток. Причем, чем больше значение запирающего напряжения, тем шире область, занимаемая р-n-переходом, и тем меньше сечение и проводимость канала.

Материал в тему: устройство подстроечного резистора.

Так же, как и для биполярных транзисторов, для описания работы полевых транзисторов используют выходные характеристики. Выходная характеристика нолевого транзистора – это зависимость тока стока Iс от напряжения между стоком и истоком при фиксированном напряжении между затвором и истоком. В отличие от биполярного, работа нолевого транзистора может также описываться непосредственной зависимостью выходного параметра – тока стока от входного – управляющего напряжения между затвором и истоком. В зависимости от температуры, эти характеристики несколько изменяются. Напряжение UЗИ, при котором канал полностью перекрывается (IС = 0), называется напряжением отсечки Uотc. Управляющее действие затвора характеризуют крутизной, которая может быть определена по выходным характеристикам (см. рис. 1.15, г):

S = ΔIс/ΔUЗИ, при UСИ = const.

Так как управляющий p-n-переход всегда заперт, у полевых транзисторов практически отсутствует входной ток. Благодаря этому они имеют очень высокое входное сопротивление и практически не потребляют мощности от источника управляющего сигнала. Это свойство относится не только к транзисторам с управляющим р-n-переходом, но и ко всем полевым транзисторам, что выгодно отличает их от биполярных.

Распространённые типы полевых транзисторов

В настоящее время в радиоаппаратуре применяются ПТ двух основных типов – с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Опишем подробнее каждую модификацию.

Управляющий p-n-переход

Эти полевые транзисторы представляют собой удлинённый полупроводниковый кристалл, противоположные концы которого с металлическими выводами играют роль стока и истока. Функцию затвора исполняет небольшая область с обратной проводимостью, внедрённая в центральную часть кристалла. Так же, как сток и исток, затвор комплектуется металлическим выводом.

Электронно-дырочный p-n-переход в таких полевых транзисторах получил название управляющего, поскольку напрямую изменяет мощность потока носителей заряда, представляя собой физическое препятствие для электронов или дырок (в зависимости от типа проводимости основного кристалла).

Интересный материал для ознакомления: что нужно знать об устройстве силового трансформатора.

Изолированный затвор

Конструкция этих полевых транзисторов отличается от описанных выше ПТ с управляющим p-n-переходом. Здесь полупроводниковый кристалл играет роль подложки, в которую на некотором удалении друг от друга внедрены две области с обратной проводимостью. Это исток и сток соответственно. Функцию затвора исполняет металлический вывод, который отделяется от кристалла слоем диэлектрика и, таким образом, электрически с ним не контактирует.

Из-за того, что в конструкции этих полевых транзисторов используются три типа материалов – металл, диэлектрик и полупроводник, – данные радиокомпоненты часто именуют МДП-транзисторами. В элементах, которые формируются в кремниевых микросхемах планарно-эпитаксиальными методами, в качестве диэлектрического слоя используется оксид кремния, в связи с чем буква «Д» в аббревиатуре заменяется на «О», и такие компоненты получают название МОП-транзисторов.

Полевой транзистор на схеме.

Существует два вида этих полевых транзисторов – с индуцированным и встроенным каналом. В первых физический канал отсутствует и возникает только в результате воздействия электрического поля от затвора на подложку. Во-вторых канал между истоком и стоком физически внедрён в подложку, и напряжение на затворе требуется не для формирования канала, а лишь для управления его характеристиками. Схемотехническое преимущество ПТ с изолированным затвором перед транзисторами с управляющим p-n-переходом заключается в более высоком входном сопротивлении.

Это расширяет возможности применения данных элементов. К примеру, они используются в высокоточных устройствах и прочей аппаратуре, критичной к электрическим режимам. В силу конструктивных особенностей МОП-транзисторы чрезвычайно чувствительны к внешним электрическим полям. Это вынуждает соблюдать особые меры предосторожности при работе с этими радиодеталями. В частности, в процессе пайки необходимо использовать паяльную станцию с заземлением, а, кроме того, заземляться должен и человек, выполняющий пайку. Даже маломощное статическое электричество способно повредить полевой транзистор.

Классификация транзисторов.

Выходные характеристики

Семейство выходных характеристик транзистора с управляющим рп-переходом в схеме с общим истоком показано на рис. 26.4. Они ана­логичны выходным характеристикам биполярного транзистора. Эти ха­рактеристики показывают зависимость выходного тока ID от выходного напряжения VDS(напряжения между стоком и истоком) для заданных Значений напряжения на затворе VGS(напряжения между затвором и истоком).

Диапазон изменения смещающего напряжения затвор-исток доволь­но велик (несколько вольт) в отличие от биполярного транзистора, где напряжение база-эмиттер практически постоянно. Видно, что при увеличении (по абсолютной величине) напряжения на затворе ток стока уменьшается. Это уменьшение происходит до тех пор, пока расширяющийся обедненный слой перехода затвор-канал не пере­кроет весь канал, останавливая протекание тока. В этом случае говорят, что полевой транзистор находится в состоянии отсечки.

Схема полевого транзистора.

Напряжение отсечки

рассмотрим выходную характеристику для VGS= 0. При уве­личении напряжения VDS(от нулевого значения) ток стока постепенно увеличивается, пока не достигает точки Р, после которой величина тока практически не изменяется. Напряжение в точке Р называется напря­жением отсечки. При этом напряжении обедненный слой, связанный с обратносмещенным переходом затвор-канал, почти полностью перекры­вает канал. Однако протекание тока IDв этой точке не прекращается, поскольку благодаря этому току как раз и создается обедненный слой. Все кривые семейства выходных характеристик имеют свои точки отсеч­ки: P1P2 и т. д. Если соединить эти точки друг с другом линией, то правее ее лежит область отсечки, являющаяся рабочей областью полевого транзистора.

Полевой транзистор.

Усилитель на полевом транзисторе с общим истоком

Схема типичного усилителя ЗЧ на полевом транзисторе показана на рис. 26.5. В этой схеме через резистор утечки R1 отводится на шасси очень малый ток утечки затвора. Резистор R3 обеспечивает необходимое обратное смещение, поднимая потенциал истока выше потенциала затво­ра. Кроме того, этот резистор обеспечивает также стабильность режима усилителя по постоянному току. R2 – нагрузочный резистор, который может иметь очень большое сопротивление (до 1,5 МОм). Развязыва­ющий конденсатор С2 в цепи истока устраняет отрицательную обратную связь по переменному току через резистор R3. Следует отметить, что раз­делительный конденсатор С1 может иметь небольшую емкость (0,1 мкФ) благодаря высокому входному сопротивлению полевого транзистора.

При подаче сигнала на вход усилителя изменяется ток стока, вызы­вая, в свою очередь, изменение выходного напряжения на стоке транзи­стора. Во время положительного полупериода входного сигнала напря­жение на затворе увеличивается в положительном направлении, обратное напряжение смещения перехода затвор-исток уменьшается и, следовательно, увеличивается ток IDполевого транзистора. Увеличение ID приводит к уменьшению выходного (стокового) напряжения, и на выходе воспроизводится отрицательный полупериод усиленного сигнала. И на­оборот, отрицательному полупериоду входного сигнала соответствует по­ложительный полупериод выходного сигнала. Таким образом, входной и выходной сигналы усилителя с общим истоком находятся в противофазе.

Расчет статического режима

Одно из преимуществ полевого транзистора – очень малый ток утечки затвора, величина которого не превышает нескольких пикоампер (10-12 A). Поэтому в схеме усилителя па рис. 26.5 затвор находится практически при нулевом потенциале. Ток полевого транзистора протекает от стока к истоку и обычно отождествляется с током стока ID (который, очевидно, равен току истока IS).

Рассмотрим схему на рис. 26.5. Полагая ID = 0,2 мА, вычисляем потенциал истока:

VS = 0,2 мА · 5 кОм = 1 В. Это величина напряжения обратного смещения управляющего    pn-перехода.

Падение напряжения на резисторе R2 = 0,2 мА · 30 кОм = 6 В.

Потенциал стока VD = 15 – 6 = 9 В.

Линия нагрузки

Линию нагрузки можно начертить точно так же, как для биполярного транзистора. Если ID = 0, то VDS= VDD = 15 В. Это точка Х на линии нагрузки. Если VDS= 0, то почти все напряжение VDDисточника питания па­дает на резисторе R2. Следовательно, ID = VDD / R2= 15 В / 30 кОм = 0,5 мА. Это точка Y на линии нагрузки. Рабочая точка Q выбирается таким образом, чтобы транзистор работал в области отсечки. Выбранная рабочая точка Q точка покоя определяется величинами: ID = 0,2 мА, VGS= – 1 В, VDS= 9 В.

Полевой транзистор.

МОП-транзистор

В полевом транзисторе этого типа роль затвора играет металлический электрод, электрически изолированный от полупроводника тонкой пленкой диэлектрика, в данном случае оксида. Отсюда и название транзистора «МОП» – сокращение от «металл-оксид-полупроводник». Канал п-типа в МОП-транзисторе формируется за счет притяже­ния электронов из подложки р-типа диэлектрическим слоем затвора (рис. 26.7). Ширину канала можно изменять, подавая на затвор электрический потенциал. Подача положительного (относительно подложки)

Заключение

Более подробную информацию об устройстве полевых транзисторов можно узнать в статье Лекция о полевых транзисторах. Если у вас остались вопросы, можно задать их в комментариях на сайте. Также в нашей группе ВК можно задавать вопросы и получать на них подробные ответы от профессионалов.

Чтобы подписаться на группу, вам необходимо будет перейти по следующей ссылке: https://vк.coм/еlеctroinfonеt. В завершение статьи хочу выразить благодарность источникам, откуда мы черпали информацию:

www.bourabai.ru

www.studme.org

www.radiolubitel.net

www.radioprog.ru

www.eandc.ru

Предыдущая

ПолупроводникиЧто такое NTC термисторы

Следующая

ПолупроводникиЧто такое SMD светодиоды

IBM100 — Кремниевые германиевые чипы

Прорывы в технологиях часто являются результатом настойчивости, изобретательности, а иногда и интуитивной прозорливости. Изобретение полупроводникового кремния-германия повлекло за собой все это, а также множество неконтролируемых переменных … случайность.

Появление кремний-германия, часто обозначаемого его химическими символами SiGe и произносимого «sig-ē», особенно примечательно, поскольку оно явилось результатом не одной, а двух ошибок. Исправляя эти ошибки, Dr.Бернард Мейерсон заложил основу для стремительного развития беспроводных продуктов, таких как сотовые телефоны, устройства глобальной системы позиционирования (GPS), беспроводной широкополосный Интернет (WiFi) и мобильное телевидение.

В 1979 году Мейерсон был докторантом Городского колледжа Нью-Йорка, проявляя интерес к полупроводниковой технологии. Однажды в лаборатории он случайно уронил кусок кремния толщиной один дюйм, который только что очистил в плавиковой кислоте. Без промедления он поднял образец с пола и, промыв его под краном, заметил, что силиконовая пластина обладает водоотталкивающими свойствами.Мейерсон хорошо знал, что воздействие воздуха покрывает поверхность кремния тонким слоем водоудерживающего оксида — по крайней мере, так его убедили 30 лет опубликованной литературы. Скорее всего, образец защищал не оксид, а не грязь с пола лаборатории. В тот момент Мейерсон мог начать важный поиск ответов, но ему нужно было завершить исследование, поэтому он решил мысленно сохранить инцидент.

В 1980 году Мейерсон устроился на должность исследователя в IBM.В то время специалисты компании по полупроводникам осознали, что они не могут продолжать сокращать микропроцессоры, не столкнувшись с проблемами производительности, и поэтому начали искать способы улучшения микросхем за счет использования сплавов. Мейерсон был сосредоточен на соединении кремния с германием. Основным препятствием была необходимость нагреться до 1000 градусов Цельсия, чтобы избавить кремний от загрязняющего оксида, тем самым подготовив его поверхность для роста слоев кристаллического кремния и кремниевого германия — по крайней мере, так думало научное сообщество.Проблема заключалась в том, что добавленный SiGe просто не выдерживал сильной жары.

Со временем Мейерсон применил свой собственный опыт к решению проблемы, вернувшись к загадочному инциденту с падением кремния, произошедшему три года назад. Он еще раз промыл образец в плавиковой кислоте, а затем подверг его точному измерению. Мейерсон понял, что фтористоводородная кислота покрыла кремний тонкой защитной оболочкой из водорода. При 600 ° C невидимый слой водорода сдувается, позволяя образоваться оксиду.Только тогда необходимо было достичь 1000 ° C — чтобы очистить кремний от вновь приобретенных оксидных примесей.

«Это было прозрение», — объясняет Мейерсон. «Слой, который, как все думали, вы должны были удалить, не существовал, пока вы фактически не сформировали его на пути к температуре 1000 ° C. Простое выращивание материалов при температуре ниже 600 ° C позволило избежать всей проблемы. Это было самое странное открытие, которое у меня когда-либо было, но оно также дало нам 10-летнюю фору по сравнению с остальным миром, потому что никто не понимал эффекта, поэтому мы ушли.”

«В гостях» означало выращивание кремниевого германия при 550 ° C, получение буквально безупречных, незагрязненных пленок и чрезвычайно быстрых транзисторов. SiGe был намного эффективнее одного кремния. Не менее важно, что его стоимость составляла крошечную долю от стоимости арсенида галлия, ведущего сплава того времени, используемого в микросхемах связи. В случае с SiGe только IBM обладала производственным ноу-хау и патентной защитой.

Мейерсон вскоре стал руководить 100 технологами, занимавшимися исследованиями и разработками SiGe для мэйнфреймов.Однако через несколько месяцев было принято решение сократить инвестиции в SiGe, сосредоточив внимание на альтернативной технологии в своих мэйнфреймах — дополнительных металл-оксидных полупроводниковых (КМОП) транзисторах. Мейерсон, убежденный в потенциале SiGe для выхода на новые рынки, сохранил небольшую команду SiGe и сосредоточился на способах повышения спроса. И хотя потенциал SiGe в области телекоммуникаций и беспроводной связи был очевиден Мейерсону, IBM не была участником этих новых рынков. По этим причинам компания больше не вкладывала средства в сплав.

В 1992 году первоначальная команда SiGe сократилась до двух: Мейерсона и инженера-электрика Дэвида Хараме. Тем не менее, дуэт остался уверен в SiGe и решил искать финансирование вне IBM. Мейерсон стал продавцом из одного человека, заключив союзы с несколькими новаторскими коммуникационными фирмами. Он заключил финансовые договоренности, согласно которым компании будут платить IBM за разработку, а затем производство чипов SiGe. Поступили средства; IBM стремительно перешла в стадию разработки и практически мгновенно воплотила в жизнь новые области беспроводных технологий.

Более десяти лет, начиная с середины 1990-х, IBM была мировым производителем SiGe, установив рекорды производительности практически всех устройств в кремниевых технологиях. Надежность, скорость и низкая стоимость SiGe позволили быстро развиваться в различных проводных и беспроводных сетях, уменьшая размер и потребности в мощности Wi-Fi, сотовых телефонов, систем GPS и многих других продуктов. Это также принесло Бернарду Мейерсону и Дэвиду Хараме престижное звание научного сотрудника IBM.

ECE EEE 4351 — Твердотельные электронные устройства

Обозначение учебной программы: Уровень II Элективный курс для специалистов по электротехнике.

Курс (Каталог) Описание: Физика твердого тела в применении к электронным устройствам, полупроводниковым материалам, процессам проводимости в твердых телах, изготовлению устройств, процессам диффузии и полупроводниковым устройствам.

Предварительные требования: EEE 3300 и EEE 3300L

Задачи курса:

  1. Опишите свойства кристаллов и рост полупроводников.
  2. Примените основы квантовой механики к моделям атомов и полупроводников.
  3. Вывести уравнения переноса заряда в полупроводниках при нормальных условиях эксплуатации.
  4. Определите заряд, электрическое поле, распределение потенциала и диаграммы энергетических зон в диодах с pn-переходом при нормальных условиях эксплуатации.
  5. Примените уравнение диффузии заряда к диодам с pn-переходом и транзисторам с биполярным переходом и получите ВАХ для диодов и транзисторов, а также проводимость и переходную характеристику для диодов при слабом сигнале.
  6. Получение ВАХ полевых транзисторов.
  7. Обсудите фундаментальные применения фотодиодов, солнечных элементов и светодиодов.
  8. Перечислите этапы изготовления, используемые при производстве диодов с pn-переходом и различных типов транзисторов.
  9. Опишите влияние электроники на технологии и современные проблемы в твердотельной электронике.
  10. Признать необходимость обучения на протяжении всей жизни и определить методы участия в обучении на протяжении всей жизни.

Охватываемых тем:

  1. Общие сведения о полупроводниках.
  2. Несущее моделирование.
  3. Основы изготовления устройств.
  4. PN-переходные диоды (электростатика, токи, анализ слабых сигналов).
  5. Биполярные переходные транзисторы и другие переходные устройства (статические характеристики, уравнения Эберса-Малла, моделирование динамического отклика).
  6. Контакты металл-полупроводник и диоды Шоттки.
  7. Соединительные полевые транзисторы, металлические полевые транзисторы, полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник.
  8. Современные проблемы твердотельной электроники.

Расписание занятий: Три 50-минутных или две 75-минутных лекции в неделю (3 кредитных часа).

Вклад в профессиональный компонент: Инженерная тема: 3 кредитных часа

Наука / Дизайн (%): 100% / 0%

Связь с результатами студентов ABET: A, H, I, J, M и O (EE)

Подготовил: Брюс А. Харви

Исправлено: 23 сентября 2016 г.

Группа поддержки | Транзисторная вики | Фэндом

болельщик

Характеристики

+ щитовой луч
+ усиленный корпус
+ зарядное устройство (некоторые модели)

Уязвимости

— Безоружный

Настройки

Зоны с высокой проходимостью, закаты.

«Чирлидер настраивает их». — Неизвестно

Cheerleader — это форма Процесса. У них есть уникальная способность защищать других врагов и защищать их от атак.

Обозначение: Группа поддержки []

Информация []

  • Чирлидеры полностью защищают цель
  • У чирлидеров нет наступательной способности
  • Cheerleader 2.0 усиливает наступательные способности своей цели
  • Чирлидерши могут быть выбиты из зоны досягаемости желаемой цели
  • Группа поддержки 3.0 периодически экранирует себя

Внешний вид []

Cheerleader напоминает небольшую белую спутниковую тарелку с красной антенной посередине. Он расположен низко к земле и излучает голубой луч, защищая другой процесс.

Способности []

Чирлидеры не имеют атакующих способностей, но по-прежнему являются грозными врагами, поскольку могут защищать других. Они также могут защитить себя после обновления до версии 3.0. Однако чирлидерша не может защищаться постоянно, и появляется возможность для атаки, пока чирлидерша не формирует щит.

Версии []

  • Версия 2.0: Целевой усилитель
  • Версия 3.0: Selfshield

Общая информация []

  • Их внутреннее название — «защитник».

Какие существуют выходы постоянного тока для датчиков Turck?

См. Ниже для более подробную информацию о выходах постоянного тока датчика поворота .

Выходы постоянного тока

Двух-, трех- или четырехпроводные датчики приближения содержат транзисторный генератор и усилитель мгновенного действия.Это обеспечивает чрезвычайно высокую точность установки точки переключения даже при очень медленно приближающихся целях. На характеристики переключения не влияют колебания напряжения питания в указанных пределах.
Датчики могут управлять электромеханическими реле, счетчиками, соленоидами или электронными модулями и напрямую взаимодействовать с логическими системами или программируемыми контроллерами без дополнительных схем интерфейса. Они доступны либо с выходными транзисторами NPN (потребление тока), либо с выходными транзисторами PNP (источник тока).
Номинальный ток нагрузки варьируется от 100 мА до 200 мА в зависимости от физического размера. Стандартный диапазон напряжения составляет 10–30 В постоянного тока, для некоторых типов доступны 10–65 В постоянного тока. Все модели оснащены защитой от обрыва провода, переходных процессов и защиты от обратной полярности. Подавление ложных импульсов при включении питания также является стандартным.

Защита от короткого замыкания и перегрузки

Датчики постоянного тока

Turck с обозначением диапазона напряжения «4», «6» или «8» в номере детали защищены от короткого замыкания и перегрузки (автоматический сброс).Эти датчики содержат специально разработанную схему, которая непрерывно контролирует выходной ток в состоянии ВКЛ на предмет короткого замыкания или перегрузки. Если возникает какое-либо из этих состояний отказа, выход отключается и тестируется импульсами до тех пор, пока неисправность не будет устранена. Эта дополнительная защита вызывает падение ≤1,8 В на выходе в нормальном состоянии ВКЛ. Это может быть проблемой при взаимодействии с некоторыми входами с низким логическим уровнем (см. Совместимость TTL).

Совместимость TTL

Некоторым полупроводниковым нагрузкам, требующим входных сигналов NPN (втекающих), требуется ≤0.Сигнал 8V для надежного включения. На выходе этих датчиков будет падение напряжения ≤0,7 В (типичное 0,3 В), что обеспечит надежную работу. Не используйте диапазоны напряжения «4» и «6», когда требуется совместимость с TTL. Свяжитесь с заводом-изготовителем для получения списка номеров деталей с данной спецификацией.


Падение напряжения измеряется между черным выходным проводом (BK) и синим проводом заземления (BU).

Источники и приемники постоянного тока

Выходы постоянного тока

Turck Tip: Заказывайте датчики понижения тока (NPN) с диапазоном напряжения «7» только тогда, когда требуется низкое падение напряжения для затворов TTL.Во всех остальных случаях заказывайте датчики с диапазоном напряжения «4» или «6».


Линейный аналоговый выход; Ток и напряжение

Серия / Параллельное соединение

Логические функции с бесконтактными датчиками постоянного тока: Автономные датчики приближения могут быть подключены последовательно или параллельно для выполнения таких логических функций, как AND, OR, NAND, NOR. На схемах подключения показано подключение наших датчиков с выходами NPN и PNP. Примите во внимание накопленный ток холостого хода и падение напряжения на датчик, добавленный в последовательную цепочку.

Последовательное соединение:
НЕТ. датчики: функция И (цель присутствует, все датчики: нагрузка включена)
Датчики N.C.: функция NOR (цель присутствует, любой датчик: нагрузка выключена)

Параллельное соединение:
НЕТ. датчики: ИЛИ Функция (цель присутствует, любой датчик: нагрузка «включена»)
Датчики N.C.: функция NAND (цель присутствует, все датчики: нагрузка выключена)

Наконечник Turck: Чтобы нагрузка не видела кумулятивного падения напряжения нескольких последовательно соединенных 3-проводных датчиков, можно использовать датчики переменной полярности при условии, что желаемая полярность находится на нагрузке.Последовательное подключение 3-проводных датчиков приводит к задержке нагрузки на суммарную «задержку до готовности» всех датчиков в цепочке.

акций Intel уменьшились в связи с появлением нового чипа, график производства раскрыт

Уоллес Витковски

Производитель чипов объявляет производственный график до 2025 года в онлайн-мероприятии

Акции Intel Corp. неуклонно снижались в ходе расширенной сессии в понедельник после того, как производитель микросхем раскрыл свою «дорожную карту» и планы переупаковки своих будущих продуктов.

Акции Intel (INTC) упали еще на 3% во внерабочее время по мере проведения конференц-связи компании и упали на 2,5% к концу разговора после роста на 2,5% до закрытия регулярной сессии до $ 54,31. Для сравнения, промышленный индекс Dow Jones, который учитывает Intel как компонент, вырос на 0,2% в понедельник.

Intel заявила, что меняет свое отношение к своим полупроводникам, нарушая соглашение, используемое с 1997 года об использовании нанометров, или «нм», для обозначения размера каждого транзистора, который идет на компьютерном чипе, при этом общее правило заключается в том, что транзисторы меньшего размера быстрее и эффективнее расходуют электроэнергию.Intel отложила выпуск своего 7-нм чипа до конца 2022 года в прошлом году после того, как более мелкий конкурент Advanced Micro Devices Inc. (AMD) летом 2019 года начал выпуск своего 7-нм чипа.

«Опираясь на неоспоримое лидерство Intel в области передовых упаковок, мы ускоряем нашу дорожную карту инноваций, чтобы к 2025 году выйти на четкий путь к лидерству в производительности процессов», — сказал Пэт Гелсинджер, исполнительный директор Intel.

Intel заявила, что начнет производство своего чипа Intel 7 в первом квартале 2022 года, производство Intel 4 запланировано на вторую половину 2022 года, а Intel 3 — во второй половине 2023 года.

Исходя из этого, Intel планирует выпуск чипов Intel 20A и Intel 18A на начало 2025 года, где буква «A» обозначает ангстрем, то есть десятую долю нанометра. Intel заявила, что сотрудничает с Qualcomm Inc. (QCOM) в разработке 20A, имея в виду мобильные продукты.

Кроме того, Intel заявила, что публичное облако AWS Amazon.com Inc. (AMZN) является первым клиентом, подписавшимся на IFS или Intel Foundry Services, которые будут производить кремниевые пластины, необходимые для изготовления микросхем.

-Уоллес Витковски; 415-439-6400; AskNewswires @ dowjones.com

  

(КОНЕЦ) Dow Jones Newswires

07-27-21 0821ET

Copyright (c) Dow Jones & Company, Inc., 2021 г.

акций Intel падают в связи с появлением нового чипа, график производства раскрыт

Акции

Intel Corp. неуклонно снижались в ходе расширенной сессии в понедельник после того, как производитель микросхем раскрыл свою «дорожную карту» и планы переупаковки своих будущих продуктов.

Intel INTC, -0,09% Акции упали еще на 3% во внерабочее время по мере проведения телефонной конференции компании и упали на 2%.5% к концу звонка, после роста на 2,5% до закрытия обычной сессии на уровне 54,31 доллара. Для сравнения: промышленный индекс Доу-Джонса DJIA, + 0,04% — которая учитывает Intel как компонент — выросла на 0,2% в понедельник.

Intel заявила, что меняет свое отношение к своим полупроводникам, нарушая соглашение, используемое с 1997 года об использовании нанометров, или «нм», для обозначения размера каждого транзистора, который идет на компьютерном чипе, с общим правилом, что меньше транзисторы быстрее и эффективнее потребляют энергию.Intel отложила выпуск своего 7-нм чипа до конца 2022 года в прошлом году после того, как более мелкий конкурент Advanced Micro Devices Inc. AMD, + 3,80% приступила к выпуску своего 7-нм чипа летом 2019 года.

«Опираясь на неоспоримое лидерство Intel в области передовой упаковки, мы ускоряем нашу дорожную карту инноваций, чтобы к 2025 году выйти на четкий путь к лидерству в производительности процессов», — сказал Пат. Гелсинджер, генеральный директор Intel, сказал по телефону.

Intel заявила, что начнет производство своих чипов Intel 7 в первом квартале 2022 года, производство Intel 4 запланировано на вторую половину 2022 года, а Intel 3 — во второй половине 2022 года. 2023 г.

Исходя из этого, Intel планирует выпуск чипов Intel 20A и Intel 18A на начало 2025 года, где буква «A» обозначает ангстрем, то есть десятую долю нанометра. Intel заявила, что сотрудничает с Qualcomm Inc. QCOM, + 1,01% на 20A с мобильными продуктами.

Кроме того, Intel сообщила, что Amazon.com Inc. АМЗН, г. -0,29% Публичное облако AWS — первый заказчик, подписавшийся на IFS или Intel Foundry Services, который будет производить кремниевые пластины, необходимые для изготовления микросхем.

Активные компоненты — Restarters Wiki

На этой странице описаны активные компоненты: диоды и выпрямители, транзисторы и интегральные схемы, а также способы их идентификации и понимания их общих режимов отказа, а также способы их тестирования.

Сводка

Основными «тяжеловесами» электронных компонентов, которые выполняют реальную работу, являются диоды и выпрямители, транзисторы и интегральные схемы (ИС). Мы узнаем, как их идентифицировать, что они делают, как иногда терпят неудачу и как их проверять.

Вы можете прочитать эту страницу отдельно, если хотите, но, если вы еще не знакомы с основами теории электричества и электроники, вы, я думаю, извлеките из нее больше пользы, если сначала прочтете «Электрические цепи, вольты, амперы, ватты и омы».

Диоды и выпрямители

Диоды — это 2 оконечных устройства. Самые распространенные типы просто позволяют току течь в одном направлении, но не в другом. Они очень часто используются в источниках питания для преобразования входной сети переменного тока (переменный ток — непрерывно меняющийся по направлению) в постоянный ток (постоянный ток — который является однонаправленным) в соответствии с требованиями электронного оборудования.В этом приложении они известны как выпрямительные диоды и могут использоваться для обработки значительного количества энергии. Диоды Шоттки — это особый тип диодов, используемых, в частности, в современных импульсных источниках питания, в которых не используется трансформатор с железным сердечником.

Вы можете преобразовать переменный ток в постоянный с помощью одного выпрямительного диода, который просто блокирует отрицательные полупериоды, но чаще всего 4 диода будут использоваться в так называемой схеме мостового выпрямителя, которая направляет как положительные, так и отрицательные полупериоды в нагрузка в том же направлении.Эти 4 диода могут затем поставляться в одном корпусе с 4 выводами.

Выпрямитель диодного моста в работе.

Сигнальные диоды в принципе точно такие же, но используются в схемах, где потребляемая мощность обычно очень мала. Они являются ключевым элементом в радиоприемнике с кристаллами, используемым для извлечения звука из радиосигнала, а также находят применение в логических схемах и во многих других местах.

Стабилитроны — еще один специализированный тип, который блокирует обратный ток только до четко определенного напряжения.Они используются в некоторых источниках питания для получения опорного напряжения, относительно которого устанавливается выходное напряжение.

Светодиоды

(светоизлучающие диоды) представляют собой специализированный тип, в котором энергия электронов, проходящих через них, преобразуется непосредственно в видимый или инфракрасный свет.

Идентификация

Диоды имеют 2 вывода, как и резисторы, но обычно имеют окрашенную полосу вокруг одного конца. Это конец, из которого вытекает положительный ток. Очень распространенный тип выпрямительного диода имеет обозначение 1N400n или более мощный вариант — 1N540n, где «n» — это цифра, указывающая максимальное напряжение, для которого он может использоваться.Муфта из 4 из них или мостовой выпрямитель в одном четырехполюсном корпусе часто можно увидеть рядом с сетевым трансформатором с железным сердечником или рядом с входом сети.

Сигнальные диоды и стабилитроны часто поставляются в очень маленьком стеклянном корпусе.

Светодиоды

легко узнать по прозрачной или цветной прозрачной упаковке. Иногда (например, в игрушках) светодиод имеет кремниевый чип, встроенный в корпус, чтобы он мигал или мерцал, или чтобы исключить необходимость во внешнем резисторе.Иногда два или более светодиода объединяются в один корпус, чтобы дать несколько цветов.

Диагностика и ремонт

Очень многие цифровые измерительные приборы, даже самые дешевые, имеют функцию проверки диодов. Подключите красный измерительный провод к концу диода с окрашенной полосой, а черный провод — к другому концу. Большинство диодов должны давать показание около 0,7 В, за исключением диодов Шоттки, для которых оно будет больше похоже на 0,4 В. Все, что намного ближе к нулю, или низкое показание с перевернутыми выводами указывает на то, что диод вышел из строя.С другой стороны, светодиод будет давать гораздо более высокие показания от 1,8 В до 4 В, что во многих случаях выходит за пределы диапазона тестового счетчика.

Светодиоды редко выходят из строя, если не используются серьезно. Их можно проверить, подключив их к батарее на 3–9 В последовательно с резистором между 330 Ом и 1 кОм. Отрицательный вывод часто обозначается плоской стороной на стороне упаковки.

Транзисторы

Транзисторы имеют 3 подключения. Они используются для усиления слабого сигнала или для включения и выключения тока.В этом разделе мы также рассмотрим тиристоры и симисторы, которые связаны между собой.

Есть 2 типа транзисторов:

  • Биполярные или Переходные транзисторы . Эти 3 клеммы известны как эмиттер , база и коллектор . Ток течет от эмиттера к коллектору, но может только пропорционально гораздо меньшему току, который вы подаете в базу.
  • Полевые транзисторы (полевые транзисторы).В них 3 вывода известны как исток , затвор и сток . Ток течет от истока к стоку, но контролируется напряжением, которое вы прикладываете к затвору.

Каждый тип поставляется в двух дополнительных вариантах или полярностей : биполярные транзисторы либо NPN, либо PNP, а полевые транзисторы являются либо N-канальными, либо P-канальными. Направление тока и напряжения в двух вариантах меняется на противоположное.

Кроме того, полевые транзисторы бывают нескольких типов, например, режим повышения или истощения и режим перехода (jFET) в сравнении с полевым транзистором с изолированным затвором.

Тиристор — это, по сути, транзисторы PNP и NPN, объединенные в один, и действует как защелкивающийся переключатель. Симистор выполняет ту же работу, но предназначен для работы от переменного тока. Диммерные переключатели содержат симистор.

Идентификация

Транзисторы

и их собратья довольно легко узнать как почти единственные компоненты, имеющие всего 3 ножки.

Практически все маркируются своим кодом типа, который не следует путать с кодом даты изготовления или другой маркировкой. Поиск кода типа с помощью поисковой системы в Интернете и просмотр таблицы данных — это единственное визуальное средство различения биполярных и полевых транзисторов и определения их полярности или идентификации тиристора или симистора и идентификации 3 выводов.

Очень распространенное семейство регуляторов напряжения отличается от транзистора только визуально по номеру типа. Обычно это 78 или 79, необязательно буква, за которой следуют 2 цифры, например 78L05. Это интегральные схемы, о которых мы поговорим позже.

Диагностика и ремонт

Многие цифровые измерительные приборы, даже некоторые из самых дешевых, имеют функцию проверки транзисторов для биполярных транзисторов, часто обозначаемую h FE , и с отдельными гнездами или положениями переключателей для PNP и NPN.Найдите эмиттер, базу и коллектор и вставьте их в соответствующие отверстия тестового гнезда. Можно ожидать значений от 20 до 500.

В качестве альтернативы, если в вашем измерительном приборе есть только устройство для проверки диодов, биполярный транзистор можно проверить как два диода. Подключите положительный измерительный провод к базе, а отрицательный — к эмиттеру и коллектору по очереди. Оба должны дать показание около 0,7 В для транзистора NPN или индикацию выхода за пределы диапазона для PNP.Теперь подключите отрицательный измерительный провод к базе. На этот раз вы должны получить 0,7 В для PNP или вне диапазона для NPN. В случае старых германиевых транзисторов от старинного радиоприемника ожидайте показание около 0,3 В вместо 0,7 В. Если какое-либо из показаний намного ниже ожидаемого, или вы получаете что-то, кроме диапазона с измерительными выводами между эмиттером и коллектором (при этом не касаясь базы), то транзистор мертв.

При замене транзистора очень важно установить замену точно так же, как оригинал.

Аудиоусилитель часто использует в выходном каскаде комплементарную пару транзисторов PNP и NPN. Иногда они вызывают короткое замыкание между эмиттером и коллектором, что приводит к перегоранию предохранителя. При замене транзисторов обязательно очистите радиатор и замените теплопроводящую пасту или изолирующую шайбу. При замене дополнительной пары будьте очень осторожны, чтобы не спутать их.

Полевые транзисторы имеют тенденцию быть более надежными, но простой тест состоит в том, чтобы поочередно подключить измерительный прибор между затвором, истоком и стоком.Следует указать бесконечное сопротивление, за исключением jFET, где он будет вести себя как диод.

Интегральные схемы

Методы изготовления множества электронных компонентов и их соединений на кремниевом кристалле для формирования «интегральной схемы» или ИС были впервые разработаны в 1960-х годах. Они лежат в основе всей современной революции в области электроники и информационных технологий и принесли ключевым игрокам Нобелевскую премию по физике в 2000 году.

Существует много тысяч различных типов интегральных схем (или ИС), начиная от простейших типов, некоторые из которых были доступны в течение 30-40 лет, до новейших и наиболее сложных, содержащих миллиарды элементов схем. .

Идентификация

Некоторые микросхемы имеют всего 2 или 3 соединения. Самыми распространенными в этом классе являются регуляторы напряжения, внешне очень похожие на силовые транзисторы. Как правило, на них напечатано обозначение типа, состоящее из 2 цифр «78» или «79», необязательно буквы, а затем еще 2 цифр, обозначающих напряжение, например 78M05. 78 типов производят положительное регулируемое напряжение, а 79 типов — отрицательное.

Большинство микросхем имеют от 8 до многих сотен контактов (обычно называемых контактами), обычно в черном пластиковом корпусе.Паз на одном конце корпуса или точка в углу указывает, какой контакт 1 (остальные контакты пронумерованы по порядку). На всех микросхемах сверху напечатано обозначение типа.

Более простые и распространенные ИС поставляются в корпусе с двойным расположением выводов (DIL) с рядом выводов с каждой стороны на расстоянии 0,1 дюйма. В современном оборудовании очень мелкое расстояние между выводами используется в корпусах для поверхностного монтажа для всех более сложные ИС и даже многие более простые.

Диагностика и ремонт

ИС

могут быть необратимо повреждены статическим электричеством.Хотя они обычно содержат защиту от статического электричества до определенного уровня, следует принимать меры предосторожности от статического электричества для более дорогих и сложных типов, таких как те, которые используются в компьютерах, особенно в условиях низкой влажности или если нейлоновые ковры или одежда могут создавать статическое электричество. Эти меры предосторожности включают частое заземление путем прикосновения к батарее отопления или прибора заземленным металлическим корпусом, а также использование антистатического браслета и коврика.

Большинство микросхем надежны, но отказы могут быть результатом неисправности в другом месте цепи, неправильного подключения аккумулятора или источника питания, статического электричества, удара молнии поблизости или ядерного взрыва (но в последнем случае у вас будет другие вещи, о которых нужно беспокоиться).ИС усилителя мощности звука может выйти из строя из-за перегрузки или короткого замыкания на выходе.

Регуляторы напряжения и другие устройства с малым числом выводов легко заменяются другими аналогичными.

ИС DIL можно снимать и заменять с небольшой осторожностью и терпением, используя припойную присоску и / или припой для отпайки контактов. Следите за любыми признаками того, что медные дорожки печатной схемы поднимаются с платы, а затем трескаются из-за воздействия слишком большого количества тепла.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *