Вч диоды импортные: Диоды высокочастотные

Содержание

ИМПУЛЬСНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

Для импульсных источников питания наиболее подходят диоды с оптимизированными собственными ёмкостью и временем, требующимся на то, чтобы обратное сопротивление восстановилось. Достижение необходимого показателя по первому параметру происходит при уменьшении длины и ширины p-n — перехода, это соответственно сказывается и на уменьшении допустимых мощностей рассеивания.

ВАХ импульсного диода

Величина барьерной ёмкости у диода импульсного типа в большинстве случаев составляет меньше 1 пФ. Время жизни неосновных носителей не превышает 4 нс. Для диодов данного типа характерна способность к пропусканию импульсов продолжительностью не более микросекунды при токах с широкой амплитудой. Обычные диоды или вообще не работают с ИБП, или сильно перегреваются и резко ухудшают свои параметры, поэтому нужны специальные высокочастотные элементы — они же «фаст диоды». Далее приводятся их основные типы, наименования и характеристики, достаточные для радиолюбительской практики.

Справочник импортным по импульсным диодам

Диоды Шоттки в импульсных БП

Диоды Шоттки в импульсных БП

Высокоэффективные выпрямительные диоды

Высокоэффективные выпрямительные диоды

Другие диоды Шоттки

Диоды Шоттки

Кремниевые импульсные диоды

Кремниевые импульсные диоды

Быстровосстанавливающиеся диоды

Быстровосстанавливающиеся диоды

Быстродействующие выпрямительные диоды

Быстродействующие выпрямительные диоды

Типы корпусов диодов

Типы корпусов диодов

Все эти диоды предназначены для частот в несколько десятков килогерц и используются в выпрямителях импульсных блоков питания. Естественно их можно ставить в обычные трансформаторные БП на 50 Гц.

   Форум и справочная информация

   Обсудить статью ИМПУЛЬСНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ


Краткие характеристики импортных полупроводниковых диодов

Высокочастотные диоды входят в группу полупроводниковых диодов, которые предназначены для обработки ВЧ сигналов на частотах до 1000 МГц.
На таких частотах могут работать только диоды с малой ёмкостью перехода (не более 1-2 пФ). Поэтому в качестве высокочастотных в большинстве случаев используют точечные диоды. Поскольку высокочастотные диоды могут хорошо работать и на низких частотах, т.е. в широком диапазоне частот, их называют также универсальными.

Существуют 2 разновидности высокочастотных диодов:
1 – детекторные ВЧ диоды, которые выделяют НЧ сигнал из модулированного.
2 – смесительные ВЧ диоды, которые предназначены для перемножения двух ВЧ сигналов.

Условные обозначения электрических параметров высокочастотных диодов:

Uоб / Uимп — максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде.
Iпр / Iимп

— максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод.
Uпр / Iпр — максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.
Cд / Uд — ёмкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется.
Io(25) / Ioм — обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом).
Fmax — максимальная рабочая частота диода.

  Диод  Uоб/Uимп
   В/В
 Iпр/Iимп
  мА/мА
 Uпр/Iпр
   В/мА
 Cд/Uд
  пф/В
Io(25)/Ioм
 мкА/мкА
Fmax
 МГц
Кор-
пус
2Д401А
2Д401Б
2Д401В
  75/
  75/
 100/
  30/90
  30/90
  30/90
 1.0/5
 1.0/5
 1.2/5
1.0/5
1.0/5
1.0/5
   5/100
   5/100
   5/100
 100
 100
 100
 23
 23
 23
ГД402А
ГД402Б
  15/
  15/
  30/100
  30/100
0.45/15
 —
0.8/5
0.5/5
 100/
 100/
    1
  1
ГД403А    5/    5/          23
ГД404АР
   3/
  20/  0.4/10        24
КД407А   24/24   50/500  1.0/50 1.0/5  0.5/10     1
2ДС408А1
2ДС408Б1
2ДС408В1
2ДС408Г1
  12/12
  12/12
  12/12
  12/12
  10/100
  10/100
  10/100
  10/100
0.83/0.1
0.83/0.1
0.83/0.1
0.83/0.1
1.3/.5
1.3/.5
1.3/.5
1.3/.5
0.01/
0.01/
0.01/
 0.1/
   12
 12
 12
 12
КД409А
КД409Б
КД409В
КД409А9
КД409Б9
  24/
  40/
  24/
  40/40
  40/40
  50/500
  50/500
  50/500
 100/500
  50/500
 1.0/50
 1.0/50
 1.0/50
 1.0/50
 1.0/50
  2/15
1.5/20
  2/15
1.5/20
1.5/15
 0.5/10
 0.5/10
 0.5/10
 0.5/10
 0.5/10
 —
1000
1000
 —
1000
 30
 30
 30
 55
 55
КД410А
КД410Б
    /1000
    /600
  50/
  50/
 2.0/50
 2.0/50
  3 мА/5 мА
3 мА/5 мА
0.02
0.02
 31
 31
КД411АМ
КД411БМ
КД411ВМ
КД411ГМ
КД411ДМ
КД411ЕМ
КД411НМ
    /700
    /750
    /600
    /500
    /550
    /300
    /800
  2А/100А
  2А/100А
  2А/100А
  2А/100А
  2А/
  2А/
  2А/
 1.4/1 А
 1.4/1 А
 1.4/1 А
 2.0/1 А
 1.4/1 А
 1.4/1 А
 1.4/1 А
   300/700
 300/700
 300/700
 300/700
  10/
  10/
   1/
 
  5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
КД412А
КД412Б
КД412В
КД412Г
1000/1000
 800/800
 600/600
 400/
 10А/20А
 10А/20А
 10А/20А
 10А/20А
 2.0/10 А
 2.0/10 А
 2.0/10 А
 2.0/10 А
   100/2000
 100/2000
 100/2000
 100/
    8
  8
  8
  8
КД413А
КД413Б
  24/
  24/
  20/20
  20/20
 1.0/20
 1.0/20
0.7/0
0.7/0
     13
 13
КДС414А1
КДС414Б1
КДС414В1
  20/30
  20/30
  20/30
  10/20
  10/20
  10/20
0.75/1
0.75/1
0.75/1
  3/0
  3/0
  3/0
0.01/

   
КДС415А1
КДС415Б1
КДС415В1
  20/30
  20/30
  20/30
  10/20
  10/20
  10/20
0.75/1
0.75/1
0.75/1
  3/0
  3/0
  3/0
0.01/

   
КД416А
КД416Б
 400/400
 200/200
 0.3/15 А
 0.3/15 А
   3/15А
 25/400
 25/400
 500/
 500/
    5
  5
КД417А   24/   20/    1/20 0.4/1      
2Д419А
2Д419Б
2Д419В
2Д419Г
2Д419Д
  15/
  30/
  50/
  15/
  10/
  10/
  10/
  10/
  10/
  10/
0.15/0.1
 0.4/1
 0.4/1
 0.5/1
 0.4/1
1.5/0
1.5/0
1.5/0
  2/0
1.5/0
  10/
  10/
  10/
  10/
  10/
 400
 400
 400
 400
 400
 13
 13
 13
 13
 13
2Д420А   24/35   50/500  1.0/50 1.0/0    1/     1
КД421А      5/ 0.65/1 0.4/0      56
2Д422А
2Д422Б
 1.5/
 1.5/
   5/
   5/
0.35/5
0.35/5
    70/
  70/
   
2Д423А
2Д423Б
1000/2000
 800/1600
    /400
    /400
   3/20
   3/20
  1500/
1500/
   48
 48
КД424А
КД424В
КД424Г
 250/250
 200/200
 150/150
 350/2000
 350/2000
 350/2000
 1.1/300
 1.1/300
 1.1/300
 10/0
 10/0
 10/0
 0.1/10
 0.1/10
 0.1/10
   33
 33
 33
АД425А
АД425Б
 600/600
 400/400
     2/2000
   2/2000
  2000
2000
    8
  8
КД427А
КД427Б
КД427В
КД427Г
КД427Д
    /750
    /650
    /550
    /350
    /150
1000/8000
1000/8000
1000/8000
1000/8000
1000/8000
 1.4/1000
 1.4/1000
 1.4/1000
 1.4/1000
 1.4/1000
      30
  30
  30
  30
  30
  1
  1
  1
  1
  1

Выбор ВЧ-диодов и ВЧ-транзисторов для современного беспроводного мира

InfineonПри организации беспроводных сетей не обойтись без высокочастотных дискретных полупроводниковых приборов. ВЧ ПИН-диоды, ВЧ-диоды Шоттки, ВЧ-транзисторы – широчайшую линейку этих изделий производит и предлагает на рынке компания Infineon.

В современном мире, где огромное число различных устройств постоянно находится «на связи», требуются надежные, высокопроизводительные, энергоэффективные беспроводные подключения. Высокочастотные (ВЧ) полупроводниковые приборы являются необходимыми компонентами, обеспечивающими эффективное функционирование мобильных и беспроводных телефонов, планшетов, игровых и цифровых телевизионных приставок. В области автомобилестроения радиочастотные устройства играют важную роль в различных встраиваемых системах – от контроля давления в шинах и дистанционного управления до навигационных и информационно-развлекательных систем. Средства ВЧ-связи играют также ключевую роль в управлении мультикоптерами, обеспечивая их безопасную эксплуатацию. Основой успешного решения перечисленных выше задач является выбор наиболее подходящих компонентов для беспроводных устройств.

Дискретные ВЧ-диоды и транзисторы – основа беспроводной связи

Согласно прогнозам, к 2020 году к глобальной сети будет подключено свыше 50 миллиардов различных устройств. Трафик сети постоянно поддерживается на высоком уровне как за счет интерактивного общения людей по беспроводным сетям, так и автоматического обмена данными между устройствами Интернета вещей (IoT). С достижением скорости передачи данных 1 Гбит/с наблюдается стремительный рост объема передаваемых данных, обусловленный трансляцией видеофайлов и потоковой передачей данных.

По мере того как мы становимся более зависимыми от беспроводных сетей, возрастают требования к качеству и доступности услуг связи, поэтому устойчивость и надежность систем связи приобретают решающее значение. При объеме рынка в € 345 млн дискретные ВЧ п/п-приборы составляют основу надежных и устойчивых беспроводных сетей в сегментах потребительских товаров, автомобильной электроники, промышленного и телекоммуникационного оборудования (рисунок 1).

 Спектр применений высокочастотных п/п-приборов

Рис. 1. Спектр применений высокочастотных п/п-приборов

К основным дискретным ВЧ п/п-приборам относятся PIN-диоды, диоды Шоттки и ВЧ-транзисторы. При выборе элементной базы разработчики руководствуются рядом критериев – чувствительностью системы, помехоустойчивостью, КПД и другими характеристиками. По мере уменьшения габаритных размеров беспроводных устройств ключевым фактором становится наличие высокоэффективных п/п-приборов, выполненных в различных типах корпусов, что позволяет разработчику разместить устройство в ограниченном объеме.

Другими важными критериями выбора компонентов являются их качество и надежность, что особенно важно для устройств, постоянно работающих в уличных условиях или при неблагоприятных внешних воздействиях, например, на промышленных предприятиях и в автомобильной технике.

PIN-диоды

Структура PIN-диодов подобна структуре обычных диодов, но отличается наличием внутреннего слоя нелегированного кремния между областями с p- и n-проводимостью. Внутренний слой увеличивает толщину изолирующей области и уменьшает емкость p-n-перехода, что дает существенные преимущества в радиочастотных коммутационных устройствах, особенно по сравнению с кремниевыми диодами.

PIN-диоды широко применяются в силовых и высоковольтных каскадах радиочастотных устройств. При смещении в прямом направлении PIN-диод представляет собой резистор, в обратном направлении – разомкнутую цепь, что позволяет использовать PIN-диоды в регулируемых аттенюаторах или коммутаторах. PIN-диоды применяются также в схемах защиты радиочастотных устройств. Коммутаторы на основе PIN-диодов применяются в мобильной радиосвязи (базовых станциях и носимых устройствах), сетях WLAN, цифровых телевизионных приставках и автомобильных мультимедийных системах.

Одной из основных характеристик PIN-диодов являются вносимые потери (RF), которые пропорциональны сопротивлению PIN-диода при его смещении в прямом направлении. Параметр RF обычно задается в милливаттах для определенной величины прямого тока и, в идеале, должен иметь минимальную величину. Однако при уменьшении сопротивления RF увеличивается внутренняя емкость CT, являющаяся фактором, существенно влияющим на характеристики широкополосных коммутаторов на PIN-диодах. По этой причине величина RF выбирается на основе компромисса с учетом допустимой величины емкости CT. Существенными параметрами PIN-диодов являются также линейность, обеспечивающая целостность сигнала, и время переключения, что особенно важно для быстрой коммутации совмещенных приемопередающих антенн.

Вследствие ограниченных габаритов современных мобильных устройств разработчики отдают предпочтение производителям, предлагающим широкую номенклатуру корпусов, что позволяет разместить PIN-диод на ограниченной площади печатной платы. Дополнительное увеличение плотности упаковки можно получить, используя сборки из нескольких PIN-диодов в одном корпусе.

Диоды Шоттки

Диоды Шоттки характеризуются малым падением напряжения в прямом направлении (типичное значение составляет 0,2 В) и высокой скоростью переключения. Благодаря малому падению напряжения диоды Шоттки широко применяются как в силовой электронике, так и в радиочастотных устройствах, где их основным преимуществом по сравнению с диодами с p-n-переходом является высокая скорость переключения. Диоды Шоттки широко применяются в схемах детекторов, особенно в мобильных телефонах, устройствах сети WLAN и базовых станциях. Они применяются также в схемах смесителей цифровых телевизионных приставок и в аналогичных устройствах.

Диод Шоттки представляет собой полупроводник n-типа с нанесенным на него слоем металла и характеризуется низкой высотой потенциального барьера. Однако высокая напряженность электрического поля на краях металлизированной области приводит к появлению большого тока утечки и создает возможность пробоя. Для устранения данной проблемы по краю металлизированной области в слое полупроводника n-типа создается защитное кольцо с проводимостью p+, а также изолирующий слой диоксида кремния (рисунок 2).

Структура диода Шоттки с защитным кольцом

Рис. 2. Структура диода Шоттки с защитным кольцом

Основной характеристикой диода Шоттки является обратный ток утечки, который пропорционален сопротивлению при смещении в прямом направлении (RF). Также важным параметром является КПД диодной схемы, особенно в портативных устройствах с батарейным питанием. Разработчикам необходимо обращать внимание и на искажение сигнала и линейность диода, чтобы обеспечить точное воспроизведение сигналов.

ВЧ-транзисторы

Биполярные транзисторы с гетеропереходом (HBT) обладают параметрами, которые делают их идеальными для применения в одно- и двухполосных малошумящих ВЧ-усилителях (МШУ). Транзисторы HBT классифицируются как низкочастотные (до 5 ГГц) и среднечастотные (до 14 ГГц).

МШУ и, соответственно, ВЧ-транзисторы широко применяются в различных типах радиочастотных устройств – системах спутниковой связи, навигационном оборудовании, устройствах мобильной и стационарной радиосвязи (например, WiMAX) и сетях Wi-Fi. Они являются также основными компонентами систем дистанционного управления мультикоптерами.

ВЧ-транзисторы характеризуются набором параметров, важнейшим из которых является коэффициент усиления сигнала (Gmax). Важной характеристикой, особенно в устройствах с батарейным питанием, является также КПД.

Другим существенным параметром МШУ является коэффициент шума (NF), который показывает ухудшение отношения «сигнал/шум» (SNR) реального усилителя по сравнению с идеальным усилителем без вносимых потерь и шума. Коэффициент NF численно равен отношению значения «сигнал/шум» на входе усилителя к значению «сигнал/шум» на его выходе.

Важное влияние на возможность применения транзисторов в конкретных приложениях оказывает технология их изготовления. Например, транзисторы на основе сплава кремния и германия (SiGe) превосходят арсенид-галлиевые транзисторы по ряду параметров, в том числе – имеют более высокий КПД за счет меньшего напряжения «коллектор-эмиттер» VCE и, как правило, меньший коэффициент шума. Биполярные транзисторы на основе SiGe:C (кремний-германий-карбид) так же, как и транзисторы SiGe, имеют отличные шумовые характеристики и высокую линейность, однако позволяют дополнительно встраивать защиту от электростатического разряда (ЭСР) в структуру транзистора, значительно увеличивая тем самым его надежность.

Современный технический уровень ВЧ п/п-приборов

Разработки компании Infineon в области беспроводной связи с поддержкой различных протоколов являются удачным примером развития технологий производства ВЧ п/п-приборов за последние несколько лет. Например, PIN-диод BA592обеспечивает вносимые потери (RF) 360 мВт, а в PIN-диоде BAR63 внутренняя емкость (CT) снижена до 0,23 пФ. Для устройств с ограниченными габаритами имеется вариант сборки из четырех PIN-диодов BAR90 в сверхминиатюрном корпусе TSSLP8. Характеристики PIN-диодов производства компании Infineon делают их идеальным решением для антенных коммутаторов, а соответствие требованиям стандарта AEC позволяет использовать их в автомобилестроении.

Компания Infineon производит сборки диодов Шоттки с различными вариантами корпусирования, включая схемы с общим анодом и общим катодом, а также конфигурации с последовательным и параллельным включением. Серия BAT15 включает в себя различные конфигурации, в том числе – сдвоенные и счетверенные варианты размещения в корпусе, что, при внутренней емкости 0,26 пФ, делает их идеальным выбором для схем смесителей. Минимальную емкость CT 0,21 пФ обеспечивает диод Шоттки BAT24, что позволяет использовать его в радиолокационных системах на частотах до 24 ГГц.

Линейка ВЧ-транзисторов производства Infineon (в настоящее время – восьмое поколение транзисторов) обеспечивает малый уровень шума и высокую линейность характеристики (рисунок 3).

Линейка ВЧ-транзисторов Infineon

Рис. 3. Линейка ВЧ-транзисторов Infineon

К основным характеристикам ВЧ-транзисторов восьмого поколения относятся высокая рабочая частота (до 80 ГГц) и малая потребляемая мощность, достигнутая благодаря возможности работы при напряжении питания до 1,2 В.

Биполярные транзисторы с гетеропереходом серии BFx84x являются лучшими п/п-приборами в классе дискретных ВЧ МШУ (рисунок 4) по сравнению с транзисторами седьмого поколения и лучшими аналогами, представленными на рынке. Благодаря особой геометрии в транзисторах серии BFx84x достигнуты коэффициент шума 0,85 дБ на частоте 5,5 ГГц и усиление до 23 дБ, что является лучшим на сегодняшний день набором параметров среди аналогов, представленных на рынке. Как и другие серии ВЧ-транзисторов производства компании Infineon, выполненные по технологии SiGe, транзисторы серии BFx84x содержат встроенную защиту от ЭСР до 1,5 кВ (Human Body Model).

ВЧ-транзисторы восьмого поколения Infineon обеспечивают наибольшее усиление (а) и наименьший коэффициент шума (б)

Рис. 4. ВЧ-транзисторы восьмого поколения Infineon обеспечивают наибольшее усиление (а) и наименьший коэффициент шума (б)

Высокочастотные диоды Справочник Любительская Радиоэлектроника

Тип    диода Uоб/Uимп
   В/В
 Iпр/Iимп
  мА/мА
Uпр/Iпр
   В/мА
 Cд/Uд
 пф/В
Io(25)Ioм
 мкА/мкА
Fmax
МГц
Кор-
пус
2Д401А
2Д401Б
2Д401В
  75/
  75/
 100/
  30/90
  30/90
  30/90
 1.0/5
 1.0/5
 1.2/5
1.0/5
1.0/5
1.0/5
   5/100
   5/100
   5/100
 100
 100
 100
 23
 23
 23
ГД402А
ГД402Б
  15/
  15/
  30/100
  30/100
0.45/15
 —
0.8/5
0.5/5
 100/
 100/
    1
  1
ГД403А    5/    5/          23
ГД404АР    3/   20/  0.4/10        24
КД407А   24/24   50/500  1.0/50 1.0/5  0.5/10     1
2ДС408А1
2ДС408Б1
2ДС408В1
2ДС408Г1
  12/12
  12/12
  12/12
  12/12
  10/100
  10/100
  10/100
  10/100
0.83/0.1
0.83/0.1
0.83/0.1
0.83/0.1
1.3/.5
1.3/.5
1.3/.5
1.3/.5
0.01/
0.01/
0.01/
 0.1/
   12
 12
 12
 12
КД409А
КД409Б
КД409В
КД409А9
КД409Б9
  24/
  40/
  24/
  40/40
  40/40
  50/500
  50/500
  50/500
 100/500
  50/500
 1.0/50
 1.0/50
 1.0/50
 1.0/50
 1.0/50
  2/15
1.5/20
  2/15
1.5/20
1.5/15
 0.5/10
 0.5/10
 0.5/10
 0.5/10
 0.5/10
 —
1000
1000
 —
1000
 30
 30
 30
 55
 55
КД410А
КД410Б
    /1000
    /600
  50/
  50/
 2.0/50
 2.0/50
  3 мА/5 мА
3 мА/5 мА
0.02
0.02
 31
 31
КД411АМ
КД411БМ
КД411ВМ
КД411ГМ
КД411ДМ
КД411ЕМ
КД411НМ
    /700
    /750
    /600
    /500
    /550
    /300
    /800
  2А/100А
  2А/100А
  2А/100А
  2А/100А
  2А/
  2А/
  2А/
 1.4/1 А
 1.4/1 А
 1.4/1 А
 2.0/1 А
 1.4/1 А
 1.4/1 А
 1.4/1 А
   300/700
 300/700
 300/700
 300/700
  10/
  10/
   1/
    5
  5
  5
  5
  5
  5
  5
КД412А
КД412Б
КД412В
КД412Г
1000/1000
 800/800
 600/600
 400/
 10А/20А
 10А/20А
 10А/20А
 10А/20А
 2.0/10 А
 2.0/10 А
 2.0/10 А
 2.0/10 А
   100/2000
 100/2000
 100/2000
 100/
    8
  8
  8
  8
КД413А
КД413Б
  24/
  24/
  20/20
  20/20
 1.0/20
 1.0/20
0.7/0
0.7/0
     13
 13
КДС414А1
КДС414Б1
КДС414В1
  20/30
  20/30
  20/30
  10/20
  10/20
  10/20
0.75/1
0.75/1
0.75/1
  3/0
  3/0
  3/0
0.01/

   
КДС415А1
КДС415Б1
КДС415В1
  20/30
  20/30
  20/30
  10/20
  10/20
  10/20
0.75/1
0.75/1
0.75/1
  3/0
  3/0
  3/0
0.01/

   
КД416А
КД416Б
 400/400
 200/200
 0.3/15 А
 0.3/15 А
   3/15А
 25/400
 25/400
 500/
 500/
    5
  5
КД417А   24/   20/    1/20 0.4/1      
2Д419А
2Д419Б
2Д419В
2Д419Г
2Д419Д
  15/
  30/
  50/
  15/
  10/
  10/
  10/
  10/
  10/
  10/
0.15/0.1
 0.4/1
 0.4/1
 0.5/1
 0.4/1
1.5/0
1.5/0
1.5/0
  2/0
1.5/0
  10/
  10/
  10/
  10/
  10/
 400
 400
 400
 400
 400
 13
 13
 13
 13
 13
2Д420А   24/35   50/500  1.0/50 1.0/0    1/     1
КД421А      5/ 0.65/1 0.4/0      56
2Д422А
2Д422Б
 1.5/
 1.5/
   5/
   5/
0.35/5
0.35/5
    70/
  70/
   
2Д423А
2Д423Б
1000/2000
 800/1600
    /400
    /400
   3/20
   3/20
  1500/
1500/
   48
 48
КД424А
КД424В
КД424Г
 250/250
 200/200
 150/150
 350/2000
 350/2000
 350/2000
 1.1/300
 1.1/300
 1.1/300
 10/0
 10/0
 10/0
 0.1/10
 0.1/10
 0.1/10
   33
 33
 33
АД425А
АД425Б
 600/600
 400/400
     2/2000
   2/2000
  2000
2000
    8
  8
КД427А
КД427Б
КД427В
КД427Г
КД427Д
    /750
    /650
    /550
    /350
    /150
1000/8000
1000/8000
1000/8000
1000/8000
1000/8000
 1.4/1000
 1.4/1000
 1.4/1000
 1.4/1000
 1.4/1000
      30
  30
  30
  30
  30
  1
  1
  1
  1
  1

Выбор ВЧ-диодов и ВЧ-транзисторов для современного беспроводного мира

31 января 2018

При организации беспроводных сетей не обойтись без высокочастотных дискретных полупроводниковых приборов. ВЧ ПИН-диоды, ВЧ-диоды Шоттки, ВЧ-транзисторы – широчайшую линейку этих изделий производит и предлагает на рынке компания Infineon.

В современном мире, где огромное число различных устройств постоянно находится «на связи», требуются надежные, высокопроизводительные, энергоэффективные беспроводные подключения. Высокочастотные (ВЧ) полупроводниковые приборы являются необходимыми компонентами, обеспечивающими эффективное функционирование мобильных и беспроводных телефонов, планшетов, игровых и цифровых телевизионных приставок. В области автомобилестроения радиочастотные устройства играют важную роль в различных встраиваемых системах – от контроля давления в шинах и дистанционного управления до навигационных и информационно-развлекательных систем. Средства ВЧ-связи играют также ключевую роль в управлении мультикоптерами, обеспечивая их безопасную эксплуатацию. Основой успешного решения перечисленных выше задач является выбор наиболее подходящих компонентов для беспроводных устройств.

Дискретные ВЧ-диоды и транзисторы – основа беспроводной связи

Согласно прогнозам, к 2020 году к глобальной сети будет подключено свыше 50 миллиардов различных устройств. Трафик сети постоянно поддерживается на высоком уровне как за счет интерактивного общения людей по беспроводным сетям, так и автоматического обмена данными между устройствами Интернета вещей (IoT). С достижением скорости передачи данных 1 Гбит/с наблюдается стремительный рост объема передаваемых данных, обусловленный трансляцией видеофайлов и потоковой передачей данных.

По мере того как мы становимся более зависимыми от беспроводных сетей, возрастают требования к качеству и доступности услуг связи, поэтому устойчивость и надежность систем связи приобретают решающее значение. При объеме рынка в € 345 млн дискретные ВЧ п/п-приборы составляют основу надежных и устойчивых беспроводных сетей в сегментах потребительских товаров, автомобильной электроники, промышленного и телекоммуникационного оборудования (рисунок 1).

Рис. 1. Спектр применений высокочастотных п/п-приборов

Рис. 1. Спектр применений высокочастотных п/п-приборов

К основным дискретным ВЧ п/п-приборам относятся PIN-диоды, диоды Шоттки и ВЧ-транзисторы. При выборе элементной базы разработчики руководствуются рядом критериев – чувствительностью системы, помехоустойчивостью, КПД и другими характеристиками. По мере уменьшения габаритных размеров беспроводных устройств ключевым фактором становится наличие высокоэффективных п/п-приборов, выполненных в различных типах корпусов, что позволяет разработчику разместить устройство в ограниченном объеме.

Другими важными критериями выбора компонентов являются их качество и надежность, что особенно важно для устройств, постоянно работающих в уличных условиях или при неблагоприятных внешних воздействиях, например, на промышленных предприятиях и в автомобильной технике.

PIN-диоды

Структура PIN-диодов подобна структуре обычных диодов, но отличается наличием внутреннего слоя нелегированного кремния между областями с p- и n-проводимостью. Внутренний слой увеличивает толщину изолирующей области и уменьшает емкость p-n-перехода, что дает существенные преимущества в радиочастотных коммутационных устройствах, особенно по сравнению с кремниевыми диодами.

PIN-диоды широко применяются в силовых и высоковольтных каскадах радиочастотных устройств. При смещении в прямом направлении PIN-диод представляет собой резистор, в обратном направлении – разомкнутую цепь, что позволяет использовать PIN-диоды в регулируемых аттенюаторах или коммутаторах. PIN-диоды применяются также в схемах защиты радиочастотных устройств. Коммутаторы на основе PIN-диодов применяются в мобильной радиосвязи (базовых станциях и носимых устройствах), сетях WLAN, цифровых телевизионных приставках и автомобильных мультимедийных системах.

Одной из основных характеристик PIN-диодов являются вносимые потери (RF), которые пропорциональны сопротивлению PIN-диода при его смещении в прямом направлении. Параметр RF обычно задается в милливаттах для определенной величины прямого тока и, в идеале, должен иметь минимальную величину. Однако при уменьшении сопротивления RF увеличивается внутренняя емкость CT, являющаяся фактором, существенно влияющим на характеристики широкополосных коммутаторов на PIN-диодах. По этой причине величина RF выбирается на основе компромисса с учетом допустимой величины емкости CT. Существенными параметрами PIN-диодов являются также линейность, обеспечивающая целостность сигнала, и время переключения, что особенно важно для быстрой коммутации совмещенных приемопередающих антенн.

Вследствие ограниченных габаритов современных мобильных устройств разработчики отдают предпочтение производителям, предлагающим широкую номенклатуру корпусов, что позволяет разместить PIN-диод на ограниченной площади печатной платы. Дополнительное увеличение плотности упаковки можно получить, используя сборки из нескольких PIN-диодов в одном корпусе.

Диоды Шоттки

Диоды Шоттки характеризуются малым падением напряжения в прямом направлении (типичное значение составляет 0,2 В) и высокой скоростью переключения. Благодаря малому падению напряжения диоды Шоттки широко применяются как в силовой электронике, так и в радиочастотных устройствах, где их основным преимуществом по сравнению с диодами с p-n-переходом является высокая скорость переключения. Диоды Шоттки широко применяются в схемах детекторов, особенно в мобильных телефонах, устройствах сети WLAN и базовых станциях. Они применяются также в схемах смесителей цифровых телевизионных приставок и в аналогичных устройствах.

Диод Шоттки представляет собой полупроводник n-типа с нанесенным на него слоем металла и характеризуется низкой высотой потенциального барьера. Однако высокая напряженность электрического поля на краях металлизированной области приводит к появлению большого тока утечки и создает возможность пробоя. Для устранения данной проблемы по краю металлизированной области в слое полупроводника n-типа создается защитное кольцо с проводимостью p+, а также изолирующий слой диоксида кремния (рисунок 2).

Рис. 2. Структура диода Шоттки с защитным кольцом

Рис. 2. Структура диода Шоттки с защитным кольцом

Основной характеристикой диода Шоттки является обратный ток утечки, который пропорционален сопротивлению при смещении в прямом направлении (RF). Также важным параметром является КПД диодной схемы, особенно в портативных устройствах с батарейным питанием. Разработчикам необходимо обращать внимание и на искажение сигнала и линейность диода, чтобы обеспечить точное воспроизведение сигналов.

ВЧ-транзисторы

Биполярные транзисторы с гетеропереходом (HBT) обладают параметрами, которые делают их идеальными для применения в одно- и двухполосных малошумящих ВЧ-усилителях (МШУ). Транзисторы HBT классифицируются как низкочастотные (до 5 ГГц) и среднечастотные (до 14 ГГц).

МШУ и, соответственно, ВЧ-транзисторы широко применяются в различных типах радиочастотных устройств – системах спутниковой связи, навигационном оборудовании, устройствах мобильной и стационарной радиосвязи (например, WiMAX) и сетях Wi-Fi. Они являются также основными компонентами систем дистанционного управления мультикоптерами.

ВЧ-транзисторы характеризуются набором параметров, важнейшим из которых является коэффициент усиления сигнала (Gmax). Важной характеристикой, особенно в устройствах с батарейным питанием, является также КПД.

Другим существенным параметром МШУ является коэффициент шума (NF), который показывает ухудшение отношения «сигнал/шум» (SNR) реального усилителя по сравнению с идеальным усилителем без вносимых потерь и шума. Коэффициент NF численно равен отношению значения «сигнал/шум» на входе усилителя к значению «сигнал/шум» на его выходе.

Важное влияние на возможность применения транзисторов в конкретных приложениях оказывает технология их изготовления. Например, транзисторы на основе сплава кремния и германия (SiGe) превосходят арсенид-галлиевые транзисторы по ряду параметров, в том числе – имеют более высокий КПД за счет меньшего напряжения «коллектор-эмиттер» VCE и, как правило, меньший коэффициент шума. Биполярные транзисторы на основе SiGe:C (кремний-германий-карбид) так же, как и транзисторы SiGe, имеют отличные шумовые характеристики и высокую линейность, однако позволяют дополнительно встраивать защиту от электростатического разряда (ЭСР) в структуру транзистора, значительно увеличивая тем самым его надежность.

Современный технический уровень ВЧ п/п-приборов

Разработки компании Infineon в области беспроводной связи с поддержкой различных протоколов являются удачным примером развития технологий производства ВЧ п/п-приборов за последние несколько лет. Например, PIN-диод BA592 обеспечивает вносимые потери (RF) 360 мВт, а в PIN-диоде BAR63 внутренняя емкость (CT) снижена до 0,23 пФ. Для устройств с ограниченными габаритами имеется вариант сборки из четырех PIN-диодов BAR90 в сверхминиатюрном корпусе TSSLP8. Характеристики PIN-диодов производства компании Infineon делают их идеальным решением для антенных коммутаторов, а соответствие требованиям стандарта AEC позволяет использовать их в автомобилестроении.

Компания Infineon производит сборки диодов Шоттки с различными вариантами корпусирования, включая схемы с общим анодом и общим катодом, а также конфигурации с последовательным и параллельным включением. Серия BAT15 включает в себя различные конфигурации, в том числе – сдвоенные и счетверенные варианты размещения в корпусе, что, при внутренней емкости 0,26 пФ, делает их идеальным выбором для схем смесителей. Минимальную емкость CT 0,21 пФ обеспечивает диод Шоттки BAT24, что позволяет использовать его в радиолокационных системах на частотах до 24 ГГц.

Линейка ВЧ-транзисторов производства Infineon (в настоящее время – восьмое поколение транзисторов) обеспечивает малый уровень шума и высокую линейность характеристики (рисунок 3).

Рис. 3. Линейка ВЧ-транзисторов Infineon

Рис. 3. Линейка ВЧ-транзисторов Infineon

К основным характеристикам ВЧ-транзисторов восьмого поколения относятся высокая рабочая частота (до 80 ГГц) и малая потребляемая мощность, достигнутая благодаря возможности работы при напряжении питания до 1,2 В.

Биполярные транзисторы с гетеропереходом серии BFx84x являются лучшими п/п-приборами в классе дискретных ВЧ МШУ (рисунок 4) по сравнению с транзисторами седьмого поколения и лучшими аналогами, представленными на рынке. Благодаря особой геометрии в транзисторах серии BFx84x достигнуты коэффициент шума 0,85 дБ на частоте 5,5 ГГц и усиление до 23 дБ, что является лучшим на сегодняшний день набором параметров среди аналогов, представленных на рынке. Как и другие серии ВЧ-транзисторов производства компании Infineon, выполненные по технологии SiGe, транзисторы серии BFx84x содержат встроенную защиту от ЭСР до 1,5 кВ (Human Body Model).

Рис. 4. ВЧ-транзисторы восьмого поколения Infineon обеспечивают наибольшее усиление (а) и наименьший коэффициент шума (б)

Рис. 4. ВЧ-транзисторы восьмого поколения Infineon обеспечивают наибольшее усиление (а) и наименьший коэффициент шума (б)

•••

Наши информационные каналы

импортные диоды

Расширенный поиск

Название:

Артикул:

Текст:

Выберите категорию:

Все ДИОДЫ » диоды отечественные » импортные мосты » импортные диоды » диоды для свч » стабилитроны отечественные » стабилитроны SMD » стабилитроны 0.5-1.5вт КОММУТАЦИЯ » микрокнопки тактовые » переключатели. микропереключатели » кнопки » тумблера клавишные » тумблера » галетные переключатели КОНДЕНСАТОРЫ » конденсаторы керамические » высоковольтные » помехоподавляющие, К73-17 » кондесаторы CBB61,CBB60.CD60 » Электролитические » SMD алюминиевый электролитический конденсатор МИКРОСХЕМЫ » микросхемы импортные » микросхемы отечественные ПЛАТЫ » для конструкторов » платы в сборе » платы макетные ПРИБОРЫ ЩИТОВЫЕ » амперметры » вольтметры » термометры цифровые ПУЛЬТЫ » пульты » пульты универсальные ПРЕДОХРАНИТЕЛИ » предохранители круглые 8х8 » предохранители для свч » предохранители 3.6х10, 5х20 ,6х30мм » предохранители ВП1-1, вп2Б-1 керамика » предохранитель автомагнитольный » держатель предохранителя ТЕРМОПРЕДОХРАНИТЕЛИ, ТЕРМОРЕЛЕ » термопредохранители 10А-15А » термостаты » термореле KCD 10A -15A -16A » термовыключатели » термопредохранители 2А-4А РАЗЬЕМЫ » разьемы USB » разьемы для автомагнитол » штекера JACK » штекера питания » штекера RCA » разьемы для колонок » штекера антенные » штекера DIN » разьемы BNC » разьемы UHF » Адаптеры и переходники » Разьемы GX16 » Разьемы DB и корпуса. » Контейнеры и разьемы для батареек РЕЗИСТОРЫ » 1ВТ-25ВТ » резисторы МЛТ » резисторы SMD » резисторы переменные, энкодеры » Резисторы подстроечные » Термисторы (терморезисторы) » Резисторы ППБ,СП-1 » Ручки для резисторов СВЕТОДИОДНАЯ ПРОДУКЦИЯ » светодиодная лента » светодиоды 1.8мм, 2х3х4мм, 2х5х7мм » светодиоды 3мм, 4.8мм, 5мм, 9мм, 10мм » светодиоды мощные » светодиоды SMD » Светодиоды пиранья » Индикаторы » светодиоды 12 вольт ТИРИСТОРЫ » тиристоры импортные » тиристоры отечественные ТРАНЗИСТОРЫ » транзисторы импортные » транзисторы отечественные ШНУРЫ, кабель » кабель антенный » кабель акустический » шнуры RSA » шнуры JACK » шнуры скарт » шнуры USB » шнуры питания РАЗНОЕ » антенны телескопические » блоки питания » варисторы » динамики » двигатели » вентиляторы » кварцы » панельки » позисторы » зажимы крокодил, зажим цанговый » клеммы » оплетка » паяльники,отсосы припоя » припой » сверла » стеклотекстолит » стяжки » термоусадка » Радиолампы » Реле » Инструмент » Лампочки » Герконы

Производитель:

ВсеOMRONКореяLITMOSPECRubyconLowesrONSMAXTidarMOROCCONIPPON CHEMI-CONCHNKECCapXonJamiconNECSHARPMARFORWIXRobitonDFТайваньSHENGXINVISHNXPDiotecETHERGDSKFAIRКитайРоссияDisneyMichelinNokiaLenovoAMDSamsungLGHP

Новинка:

Вседанет

Спецпредложение:

Вседанет

Результатов на странице:

5203550658095

Закрыть

Найти

Фильтр товаров

Фильтр товаров

Сортировать по:

высокочастотный диод — с английского на русский

  • высокочастотный диод — aukštadažnis diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. высокочастотный диодный вок. Хохфрекенцдиод, ф рус. высокочастотный диод, м пранц. диод высокой частоты, f… Fizikos terminų žodynas

  • диод с высокой частотой — aukštadažnis diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. высокочастотный диодный вок. Хохфрекенцдиод, ф рус. высокочастотный диод, м пранц.диод высокой частоты, f… Fizikos terminų žodynas

  • Диод — Рис. 1: Крупный план диода, показывающий квадратный полупроводниковый кристалл (черный объект слева)… Wikipedia

  • Частота — Чтобы узнать о других значениях, см. Частота (значения). Три циклически мигающих индикатора, от самой низкой частоты (вверху) до самой высокой частоты (внизу). f — частота в герцах (Гц), означающая количество циклов в секунду. T — период в секундах (с)… Wikipedia

  • Твердотельный лазер с диодной накачкой — Зеленая лазерная указка с удвоенной частотой, демонстрирующая внутреннюю конструкцию.Элементы и электроника ведут к модулю лазерной головки (см. Нижнюю диаграмму). Он содержит мощный 808 нм ИК-диодный лазер, который накачивает лазерный кристалл Nd: YVO4, который, в свою очередь, выдает…… Wikipedia

  • Высоковольтные системы постоянного тока — Системы передачи электроэнергии постоянного или высокого напряжения постоянного тока контрастируют с более распространенными системами переменного тока как средства массовой передачи электроэнергии. Современная форма передачи HVDC использует технологию…… Wikipedia

  • Преобразователь частоты — Преобразователь частоты или преобразователь частоты — это электронное устройство, которое преобразует переменный ток (AC) одной частоты в переменный ток другой частоты.Устройство также может изменять напряжение, но если это происходит, это связано с…… Wikipedia

  • Лазерный диод — Вверху: лазерный диод в упаковке, показанный с ценой в пенни. Внизу: чип лазерного диода извлекается из вышеуказанной упаковки и помещается на игольное ушко для масштабирования… Wikipedia

  • PIN-диод — Слои PIN-диода PIN-диод — это диод с широкой слаболегированной почти собственной полупроводниковой областью между полупроводником p-типа и областью полупроводника n-типа.Области p-типа и n-типа обычно сильно легированы, потому что они…… Wikipedia

  • Настраиваемая диодная лазерная абсорбционная спектроскопия — (TDLAS) — это метод измерения концентрации определенных веществ, таких как метан, водяной пар и многие другие, в газовой смеси с использованием перестраиваемых диодных лазеров и лазерной абсорбционной спектрометрии. Преимущество TDLAS перед другими методами…… Wikipedia

  • Диод Ганна — Диод Ганна, также известный как устройство с переносом электронов (TED), представляет собой разновидность диода, используемого в высокочастотной электронике.Это несколько необычно, поскольку состоит только из полупроводникового материала, легированного азотом, тогда как большинство диодов состоят как из P, так и из N… Wikipedia

  • .

    сверхвысокочастотный диод — с русского на английский

    См. также в других словарях:

    • Диод — Рисунок 1: Крупный план диода, показывающий квадратный полупроводниковый кристалл (черный объект слева)… Wikipedia

    • Твердотельный лазер с диодной накачкой — Зеленая лазерная указка с удвоенной частотой, демонстрирующая внутреннюю конструкцию. Ячейки и электроника ведут к модулю лазерной головки (см. Нижнюю диаграмму). Он содержит мощный 808 нм ИК-диодный лазер, который накачивает лазерный кристалл Nd: YVO4, который, в свою очередь, выдает…… Wikipedia

    • Частота — Чтобы узнать о других значениях, см. Частота (значения).Три циклически мигающих индикатора, от самой низкой частоты (вверху) до самой высокой частоты (внизу). f — частота в герцах (Гц), означающая количество циклов в секунду. T — период в секундах (с)… Wikipedia

    • Преобразователь частоты — Преобразователь частоты или преобразователь частоты — это электронное устройство, которое преобразует переменный ток (AC) одной частоты в переменный ток другой частоты. Устройство также может изменять напряжение, но если это происходит, это связано с…… Wikipedia

    • Высоковольтные системы постоянного тока — Системы передачи электроэнергии постоянного или высокого напряжения постоянного тока контрастируют с более распространенными системами переменного тока в качестве средств массовой передачи электроэнергии.Современная форма передачи HVDC использует технологию…… Wikipedia

    • Лазерный диод — Вверху: лазерный диод в упаковке, показанный с ценой в пенни. Внизу: чип лазерного диода извлекается из вышеуказанной упаковки и помещается на игольное ушко для измерения масштаба… Wikipedia

    • Светодиод — сюда перенаправляется светодиод. Для использования в других целях, см LED (значения). Светоизлучающий диод Красный, чистый зеленый и синий светодиоды рассеянного типа 5 мм Тип Пассивный, оптоэлектронный Принцип работы Электр… Wikipedia

    • Настраиваемая диодная лазерная абсорбционная спектроскопия — (TDLAS) — это метод измерения концентрации определенных веществ, таких как метан, водяной пар и многие другие, в газовой смеси с использованием перестраиваемых диодных лазеров и лазерной абсорбционной спектрометрии.Преимущество TDLAS перед другими методами…… Wikipedia

    • PIN-диод — Слои PIN-диода PIN-диод — это диод с широкой, слегка легированной почти собственной полупроводниковой областью между полупроводником p-типа и областью полупроводника n-типа. Области p-типа и n-типа обычно сильно легированы, потому что они…… Wikipedia

    • Туннельный диод — Туннельный диод или диод Эсаки — это тип полупроводникового диода, который способен очень быстро работать в диапазоне микроволновых частот за счет использования квантово-механических эффектов.Он был изобретен в 1958 году Лео Эсаки, который в 1973 году получил…… Wikipedia

    • Диод Ганна — Диод Ганна, также известный как устройство с переносом электронов (TED), представляет собой разновидность диода, используемого в высокочастотной электронике. Это несколько необычно, поскольку состоит только из полупроводникового материала, легированного азотом, в то время как большинство диодов состоит как из P, так и из N… Wikipedia

    .

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *