Вч диоды импортные: Диоды высокочастотные

ИМПУЛЬСНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

Для импульсных источников питания наиболее подходят диоды с оптимизированными собственными ёмкостью и временем, требующимся на то, чтобы обратное сопротивление восстановилось. Достижение необходимого показателя по первому параметру происходит при уменьшении длины и ширины p-n — перехода, это соответственно сказывается и на уменьшении допустимых мощностей рассеивания.

ВАХ импульсного диода

Величина барьерной ёмкости у диода импульсного типа в большинстве случаев составляет меньше 1 пФ. Время жизни неосновных носителей не превышает 4 нс. Для диодов данного типа характерна способность к пропусканию импульсов продолжительностью не более микросекунды при токах с широкой амплитудой. Обычные диоды или вообще не работают с ИБП, или сильно перегреваются и резко ухудшают свои параметры, поэтому нужны специальные высокочастотные элементы — они же «фаст диоды». Далее приводятся их основные типы, наименования и характеристики, достаточные для радиолюбительской практики.

Справочник импортным по импульсным диодам

Диоды Шоттки в импульсных БП

Высокоэффективные выпрямительные диоды

Другие диоды Шоттки

Кремниевые импульсные диоды

Быстровосстанавливающиеся диоды

Быстродействующие выпрямительные диоды

Типы корпусов диодов

Все эти диоды предназначены для частот в несколько десятков килогерц и используются в выпрямителях импульсных блоков питания. Естественно их можно ставить в обычные трансформаторные БП на 50 Гц.

   Форум и справочная информация

   Обсудить статью ИМПУЛЬСНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

Краткие характеристики импортных полупроводниковых диодов

Высокочастотные диоды входят в группу полупроводниковых диодов, которые предназначены для обработки ВЧ сигналов на частотах до 1000 МГц.
На таких частотах могут работать только диоды с малой ёмкостью перехода (не более 1-2 пФ). Поэтому в качестве высокочастотных в большинстве случаев используют точечные диоды. Поскольку высокочастотные диоды могут хорошо работать и на низких частотах, т.е. в широком диапазоне частот, их называют также универсальными.

Существуют 2 разновидности высокочастотных диодов:
1 – детекторные ВЧ диоды, которые выделяют НЧ сигнал из модулированного.
2 – смесительные ВЧ диоды, которые предназначены для перемножения двух ВЧ сигналов.

Условные обозначения электрических параметров высокочастотных диодов:

Uоб / Uимп — максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде.
Iпр / Iимп

— максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод.
Uпр / Iпр — максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.
Cд / Uд — ёмкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется.
Io(25) / Ioм — обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом).
Fmax — максимальная рабочая частота диода.

Диод	Uоб/Uимп    В/В	Iпр/Iимп   мА/мА	Uпр/Iпр    В/мА	Cд/Uд   пф/В	Io(25)/Ioм  мкА/мкА	Fmax  МГц	Кор- пус
2Д401А 2Д401Б 2Д401В	75/   75/  100/	30/90   30/90   30/90	1.0/5  1.0/5  1.2/5	1.0/5 1.0/5 1.0/5	5/100    5/100    5/100	100  100  100	23  23  23
ГД402А ГД402Б	15/   15/	30/100   30/100	0.45/15  —	0.8/5 0.5/5	100/  100/		1   1
ГД403А	5/	5/					23
ГД404АР	3/	20/	0.4/10				24
КД407А	24/24	50/500	1.0/50	1.0/5	0.5/10		1
2ДС408А1 2ДС408Б1 2ДС408В1 2ДС408Г1	12/12   12/12   12/12   12/12	10/100   10/100   10/100   10/100	0.83/0.1 0.83/0.1 0.83/0.1 0.83/0.1	1.3/.5 1.3/.5 1.3/.5 1.3/.5	0.01/ 0.01/ 0.01/  0.1/		12  12  12  12
КД409А КД409Б КД409В КД409А9 КД409Б9	24/   40/   24/   40/40   40/40	50/500   50/500   50/500  100/500   50/500	1.0/50  1.0/50  1.0/50  1.0/50  1.0/50	2/15 1.5/20   2/15 1.5/20 1.5/15	0.5/10  0.5/10  0.5/10  0.5/10  0.5/10	— 1000 1000  — 1000	30  30  30  55  55
КД410А КД410Б	/1000     /600	50/   50/	2.0/50  2.0/50		3 мА/5 мА 3 мА/5 мА	0.02 0.02	31  31
КД411АМ КД411БМ КД411ВМ КД411ГМ КД411ДМ КД411ЕМ КД411НМ	/700     /750     /600     /500     /550     /300     /800	2А/100А   2А/100А   2А/100А   2А/100А   2А/   2А/   2А/	1.4/1 А  1.4/1 А  1.4/1 А  2.0/1 А  1.4/1 А  1.4/1 А  1.4/1 А		300/700  300/700  300/700  300/700   10/   10/    1/		5   5   5   5   5   5   5
КД412А КД412Б КД412В КД412Г	1000/1000  800/800  600/600  400/	10А/20А  10А/20А  10А/20А  10А/20А	2.0/10 А  2.0/10 А  2.0/10 А  2.0/10 А		100/2000  100/2000  100/2000  100/		8   8   8   8
КД413А КД413Б	24/   24/	20/20   20/20	1.0/20  1.0/20	0.7/0 0.7/0			13  13
КДС414А1 КДС414Б1 КДС414В1	20/30   20/30   20/30	10/20   10/20   10/20	0.75/1 0.75/1 0.75/1	3/0   3/0   3/0	0.01/ — —
КДС415А1 КДС415Б1 КДС415В1	20/30   20/30   20/30	10/20   10/20   10/20	0.75/1 0.75/1 0.75/1	3/0   3/0   3/0	0.01/ — —
КД416А КД416Б	400/400  200/200	0.3/15 А  0.3/15 А	3/15А —	25/400  25/400	500/  500/		5   5
КД417А	24/	20/	1/20	0.4/1
2Д419А 2Д419Б 2Д419В 2Д419Г 2Д419Д	15/   30/   50/   15/   10/	10/   10/   10/   10/   10/	0.15/0.1  0.4/1  0.4/1  0.5/1  0.4/1	1.5/0 1.5/0 1.5/0   2/0 1.5/0	10/   10/   10/   10/   10/	400  400  400  400  400	13  13  13  13  13
2Д420А	24/35	50/500	1.0/50	1.0/0	1/		1
КД421А		5/	0.65/1	0.4/0			56
2Д422А 2Д422Б	1.5/  1.5/	5/    5/	0.35/5 0.35/5		70/   70/
2Д423А 2Д423Б	1000/2000  800/1600	/400     /400	3/20    3/20		1500/ 1500/		48  48
КД424А КД424В КД424Г	250/250  200/200  150/150	350/2000  350/2000  350/2000	1.1/300  1.1/300  1.1/300	10/0  10/0  10/0	0.1/10  0.1/10  0.1/10		33  33  33
АД425А АД425Б	600/600  400/400		2/2000    2/2000		2000 2000		8   8
КД427А КД427Б КД427В КД427Г КД427Д	/750     /650     /550     /350     /150	1000/8000 1000/8000 1000/8000 1000/8000 1000/8000	1.4/1000  1.4/1000  1.4/1000  1.4/1000  1.4/1000			30   30   30   30   30	1   1   1   1   1

Выбор ВЧ-диодов и ВЧ-транзисторов для современного беспроводного мира

При организации беспроводных сетей не обойтись без высокочастотных дискретных полупроводниковых приборов. ВЧ ПИН-диоды, ВЧ-диоды Шоттки, ВЧ-транзисторы – широчайшую линейку этих изделий производит и предлагает на рынке компания Infineon.

В современном мире, где огромное число различных устройств постоянно находится «на связи», требуются надежные, высокопроизводительные, энергоэффективные беспроводные подключения. Высокочастотные (ВЧ) полупроводниковые приборы являются необходимыми компонентами, обеспечивающими эффективное функционирование мобильных и беспроводных телефонов, планшетов, игровых и цифровых телевизионных приставок. В области автомобилестроения радиочастотные устройства играют важную роль в различных встраиваемых системах – от контроля давления в шинах и дистанционного управления до навигационных и информационно-развлекательных систем. Средства ВЧ-связи играют также ключевую роль в управлении мультикоптерами, обеспечивая их безопасную эксплуатацию. Основой успешного решения перечисленных выше задач является выбор наиболее подходящих компонентов для беспроводных устройств.

Дискретные ВЧ-диоды и транзисторы – основа беспроводной связи

Согласно прогнозам, к 2020 году к глобальной сети будет подключено свыше 50 миллиардов различных устройств. Трафик сети постоянно поддерживается на высоком уровне как за счет интерактивного общения людей по беспроводным сетям, так и автоматического обмена данными между устройствами Интернета вещей (IoT). С достижением скорости передачи данных 1 Гбит/с наблюдается стремительный рост объема передаваемых данных, обусловленный трансляцией видеофайлов и потоковой передачей данных.

По мере того как мы становимся более зависимыми от беспроводных сетей, возрастают требования к качеству и доступности услуг связи, поэтому устойчивость и надежность систем связи приобретают решающее значение. При объеме рынка в € 345 млн дискретные ВЧ п/п-приборы составляют основу надежных и устойчивых беспроводных сетей в сегментах потребительских товаров, автомобильной электроники, промышленного и телекоммуникационного оборудования (рисунок 1).

Рис. 1. Спектр применений высокочастотных п/п-приборов

К основным дискретным ВЧ п/п-приборам относятся PIN-диоды, диоды Шоттки и ВЧ-транзисторы. При выборе элементной базы разработчики руководствуются рядом критериев – чувствительностью системы, помехоустойчивостью, КПД и другими характеристиками. По мере уменьшения габаритных размеров беспроводных устройств ключевым фактором становится наличие высокоэффективных п/п-приборов, выполненных в различных типах корпусов, что позволяет разработчику разместить устройство в ограниченном объеме.

Другими важными критериями выбора компонентов являются их качество и надежность, что особенно важно для устройств, постоянно работающих в уличных условиях или при неблагоприятных внешних воздействиях, например, на промышленных предприятиях и в автомобильной технике.

PIN-диоды

Структура PIN-диодов подобна структуре обычных диодов, но отличается наличием внутреннего слоя нелегированного кремния между областями с p- и n-проводимостью. Внутренний слой увеличивает толщину изолирующей области и уменьшает емкость p-n-перехода, что дает существенные преимущества в радиочастотных коммутационных устройствах, особенно по сравнению с кремниевыми диодами.

PIN-диоды широко применяются в силовых и высоковольтных каскадах радиочастотных устройств. При смещении в прямом направлении PIN-диод представляет собой резистор, в обратном направлении – разомкнутую цепь, что позволяет использовать PIN-диоды в регулируемых аттенюаторах или коммутаторах. PIN-диоды применяются также в схемах защиты радиочастотных устройств. Коммутаторы на основе PIN-диодов применяются в мобильной радиосвязи (базовых станциях и носимых устройствах), сетях WLAN, цифровых телевизионных приставках и автомобильных мультимедийных системах.

Одной из основных характеристик PIN-диодов являются вносимые потери (RF), которые пропорциональны сопротивлению PIN-диода при его смещении в прямом направлении. Параметр RF обычно задается в милливаттах для определенной величины прямого тока и, в идеале, должен иметь минимальную величину. Однако при уменьшении сопротивления RF увеличивается внутренняя емкость CT, являющаяся фактором, существенно влияющим на характеристики широкополосных коммутаторов на PIN-диодах. По этой причине величина RF выбирается на основе компромисса с учетом допустимой величины емкости CT. Существенными параметрами PIN-диодов являются также линейность, обеспечивающая целостность сигнала, и время переключения, что особенно важно для быстрой коммутации совмещенных приемопередающих антенн.

Вследствие ограниченных габаритов современных мобильных устройств разработчики отдают предпочтение производителям, предлагающим широкую номенклатуру корпусов, что позволяет разместить PIN-диод на ограниченной площади печатной платы. Дополнительное увеличение плотности упаковки можно получить, используя сборки из нескольких PIN-диодов в одном корпусе.

Диоды Шоттки

Диоды Шоттки характеризуются малым падением напряжения в прямом направлении (типичное значение составляет 0,2 В) и высокой скоростью переключения. Благодаря малому падению напряжения диоды Шоттки широко применяются как в силовой электронике, так и в радиочастотных устройствах, где их основным преимуществом по сравнению с диодами с p-n-переходом является высокая скорость переключения. Диоды Шоттки широко применяются в схемах детекторов, особенно в мобильных телефонах, устройствах сети WLAN и базовых станциях. Они применяются также в схемах смесителей цифровых телевизионных приставок и в аналогичных устройствах.

Диод Шоттки представляет собой полупроводник n-типа с нанесенным на него слоем металла и характеризуется низкой высотой потенциального барьера. Однако высокая напряженность электрического поля на краях металлизированной области приводит к появлению большого тока утечки и создает возможность пробоя. Для устранения данной проблемы по краю металлизированной области в слое полупроводника n-типа создается защитное кольцо с проводимостью p+, а также изолирующий слой диоксида кремния (рисунок 2).

Рис. 2. Структура диода Шоттки с защитным кольцом

Основной характеристикой диода Шоттки является обратный ток утечки, который пропорционален сопротивлению при смещении в прямом направлении (RF). Также важным параметром является КПД диодной схемы, особенно в портативных устройствах с батарейным питанием. Разработчикам необходимо обращать внимание и на искажение сигнала и линейность диода, чтобы обеспечить точное воспроизведение сигналов.

ВЧ-транзисторы

Биполярные транзисторы с гетеропереходом (HBT) обладают параметрами, которые делают их идеальными для применения в одно- и двухполосных малошумящих ВЧ-усилителях (МШУ). Транзисторы HBT классифицируются как низкочастотные (до 5 ГГц) и среднечастотные (до 14 ГГц).

МШУ и, соответственно, ВЧ-транзисторы широко применяются в различных типах радиочастотных устройств – системах спутниковой связи, навигационном оборудовании, устройствах мобильной и стационарной радиосвязи (например, WiMAX) и сетях Wi-Fi. Они являются также основными компонентами систем дистанционного управления мультикоптерами.

ВЧ-транзисторы характеризуются набором параметров, важнейшим из которых является коэффициент усиления сигнала (Gmax). Важной характеристикой, особенно в устройствах с батарейным питанием, является также КПД.

Другим существенным параметром МШУ является коэффициент шума (NF), который показывает ухудшение отношения «сигнал/шум» (SNR) реального усилителя по сравнению с идеальным усилителем без вносимых потерь и шума. Коэффициент NF численно равен отношению значения «сигнал/шум» на входе усилителя к значению «сигнал/шум» на его выходе.

Важное влияние на возможность применения транзисторов в конкретных приложениях оказывает технология их изготовления. Например, транзисторы на основе сплава кремния и германия (SiGe) превосходят арсенид-галлиевые транзисторы по ряду параметров, в том числе – имеют более высокий КПД за счет меньшего напряжения «коллектор-эмиттер» VCE и, как правило, меньший коэффициент шума. Биполярные транзисторы на основе SiGe:C (кремний-германий-карбид) так же, как и транзисторы SiGe, имеют отличные шумовые характеристики и высокую линейность, однако позволяют дополнительно встраивать защиту от электростатического разряда (ЭСР) в структуру транзистора, значительно увеличивая тем самым его надежность.

Современный технический уровень ВЧ п/п-приборов

Разработки компании Infineon в области беспроводной связи с поддержкой различных протоколов являются удачным примером развития технологий производства ВЧ п/п-приборов за последние несколько лет. Например, PIN-диод BA592обеспечивает вносимые потери (RF) 360 мВт, а в PIN-диоде BAR63 внутренняя емкость (CT) снижена до 0,23 пФ. Для устройств с ограниченными габаритами имеется вариант сборки из четырех PIN-диодов BAR90 в сверхминиатюрном корпусе TSSLP8. Характеристики PIN-диодов производства компании Infineon делают их идеальным решением для антенных коммутаторов, а соответствие требованиям стандарта AEC позволяет использовать их в автомобилестроении.

Компания Infineon производит сборки диодов Шоттки с различными вариантами корпусирования, включая схемы с общим анодом и общим катодом, а также конфигурации с последовательным и параллельным включением. Серия BAT15 включает в себя различные конфигурации, в том числе – сдвоенные и счетверенные варианты размещения в корпусе, что, при внутренней емкости 0,26 пФ, делает их идеальным выбором для схем смесителей. Минимальную емкость CT 0,21 пФ обеспечивает диод Шоттки BAT24, что позволяет использовать его в радиолокационных системах на частотах до 24 ГГц.

Линейка ВЧ-транзисторов производства Infineon (в настоящее время – восьмое поколение транзисторов) обеспечивает малый уровень шума и высокую линейность характеристики (рисунок 3).

Рис. 3. Линейка ВЧ-транзисторов Infineon

К основным характеристикам ВЧ-транзисторов восьмого поколения относятся высокая рабочая частота (до 80 ГГц) и малая потребляемая мощность, достигнутая благодаря возможности работы при напряжении питания до 1,2 В.

Биполярные транзисторы с гетеропереходом серии BFx84x являются лучшими п/п-приборами в классе дискретных ВЧ МШУ (рисунок 4) по сравнению с транзисторами седьмого поколения и лучшими аналогами, представленными на рынке. Благодаря особой геометрии в транзисторах серии BFx84x достигнуты коэффициент шума 0,85 дБ на частоте 5,5 ГГц и усиление до 23 дБ, что является лучшим на сегодняшний день набором параметров среди аналогов, представленных на рынке. Как и другие серии ВЧ-транзисторов производства компании Infineon, выполненные по технологии SiGe, транзисторы серии BFx84x содержат встроенную защиту от ЭСР до 1,5 кВ (Human Body Model).

Рис. 4. ВЧ-транзисторы восьмого поколения Infineon обеспечивают наибольшее усиление (а) и наименьший коэффициент шума (б)

Высокочастотные диоды Справочник Любительская Радиоэлектроника

Тип    диода	Uоб/Uимп    В/В	Iпр/Iимп   мА/мА	Uпр/Iпр    В/мА	Cд/Uд  пф/В	Io(25)Ioм  мкА/мкА	Fmax МГц	Кор- пус
2Д401А 2Д401Б 2Д401В	75/   75/  100/	30/90   30/90   30/90	1.0/5  1.0/5  1.2/5	1.0/5 1.0/5 1.0/5	5/100    5/100    5/100	100  100  100	23  23  23
ГД402А ГД402Б	15/   15/	30/100   30/100	0.45/15  —	0.8/5 0.5/5	100/  100/		1   1
ГД403А	5/	5/					23
ГД404АР	3/	20/	0.4/10				24
КД407А	24/24	50/500	1.0/50	1.0/5	0.5/10		1
2ДС408А1 2ДС408Б1 2ДС408В1 2ДС408Г1	12/12   12/12   12/12   12/12	10/100   10/100   10/100   10/100	0.83/0.1 0.83/0.1 0.83/0.1 0.83/0.1	1.3/.5 1.3/.5 1.3/.5 1.3/.5	0.01/ 0.01/ 0.01/  0.1/		12  12  12  12
КД409А КД409Б КД409В КД409А9 КД409Б9	24/   40/   24/   40/40   40/40	50/500   50/500   50/500  100/500   50/500	1.0/50  1.0/50  1.0/50  1.0/50  1.0/50	2/15 1.5/20   2/15 1.5/20 1.5/15	0.5/10  0.5/10  0.5/10  0.5/10  0.5/10	— 1000 1000  — 1000	30  30  30  55  55
КД410А КД410Б	/1000     /600	50/   50/	2.0/50  2.0/50		3 мА/5 мА 3 мА/5 мА	0.02 0.02	31  31
КД411АМ КД411БМ КД411ВМ КД411ГМ КД411ДМ КД411ЕМ КД411НМ	/700     /750     /600     /500     /550     /300     /800	2А/100А   2А/100А   2А/100А   2А/100А   2А/   2А/   2А/	1.4/1 А  1.4/1 А  1.4/1 А  2.0/1 А  1.4/1 А  1.4/1 А  1.4/1 А		300/700  300/700  300/700  300/700   10/   10/    1/		5   5   5   5   5   5   5
КД412А КД412Б КД412В КД412Г	1000/1000  800/800  600/600  400/	10А/20А  10А/20А  10А/20А  10А/20А	2.0/10 А  2.0/10 А  2.0/10 А  2.0/10 А		100/2000  100/2000  100/2000  100/		8   8   8   8
КД413А КД413Б	24/   24/	20/20   20/20	1.0/20  1.0/20	0.7/0 0.7/0			13  13
КДС414А1 КДС414Б1 КДС414В1	20/30   20/30   20/30	10/20   10/20   10/20	0.75/1 0.75/1 0.75/1	3/0   3/0   3/0	0.01/ — —
КДС415А1 КДС415Б1 КДС415В1	20/30   20/30   20/30	10/20   10/20   10/20	0.75/1 0.75/1 0.75/1	3/0   3/0   3/0	0.01/ — —
КД416А КД416Б	400/400  200/200	0.3/15 А  0.3/15 А	3/15А —	25/400  25/400	500/  500/		5   5
КД417А	24/	20/	1/20	0.4/1
2Д419А 2Д419Б 2Д419В 2Д419Г 2Д419Д	15/   30/   50/   15/   10/	10/   10/   10/   10/   10/	0.15/0.1  0.4/1  0.4/1  0.5/1  0.4/1	1.5/0 1.5/0 1.5/0   2/0 1.5/0	10/   10/   10/   10/   10/	400  400  400  400  400	13  13  13  13  13
2Д420А	24/35	50/500	1.0/50	1.0/0	1/		1
КД421А		5/	0.65/1	0.4/0			56
2Д422А 2Д422Б	1.5/  1.5/	5/    5/	0.35/5 0.35/5		70/   70/
2Д423А 2Д423Б	1000/2000  800/1600	/400     /400	3/20    3/20		1500/ 1500/		48  48
КД424А КД424В КД424Г	250/250  200/200  150/150	350/2000  350/2000  350/2000	1.1/300  1.1/300  1.1/300	10/0  10/0  10/0	0.1/10  0.1/10  0.1/10		33  33  33
АД425А АД425Б	600/600  400/400		2/2000    2/2000		2000 2000		8   8
КД427А КД427Б КД427В КД427Г КД427Д	/750     /650     /550     /350     /150	1000/8000 1000/8000 1000/8000 1000/8000 1000/8000	1.4/1000  1.4/1000  1.4/1000  1.4/1000  1.4/1000			30   30   30   30   30	1   1   1   1   1

Выбор ВЧ-диодов и ВЧ-транзисторов для современного беспроводного мира

31 января 2018

При организации беспроводных сетей не обойтись без высокочастотных дискретных полупроводниковых приборов. ВЧ ПИН-диоды, ВЧ-диоды Шоттки, ВЧ-транзисторы – широчайшую линейку этих изделий производит и предлагает на рынке компания Infineon.

В современном мире, где огромное число различных устройств постоянно находится «на связи», требуются надежные, высокопроизводительные, энергоэффективные беспроводные подключения. Высокочастотные (ВЧ) полупроводниковые приборы являются необходимыми компонентами, обеспечивающими эффективное функционирование мобильных и беспроводных телефонов, планшетов, игровых и цифровых телевизионных приставок. В области автомобилестроения радиочастотные устройства играют важную роль в различных встраиваемых системах – от контроля давления в шинах и дистанционного управления до навигационных и информационно-развлекательных систем. Средства ВЧ-связи играют также ключевую роль в управлении мультикоптерами, обеспечивая их безопасную эксплуатацию. Основой успешного решения перечисленных выше задач является выбор наиболее подходящих компонентов для беспроводных устройств.

Дискретные ВЧ-диоды и транзисторы – основа беспроводной связи

Согласно прогнозам, к 2020 году к глобальной сети будет подключено свыше 50 миллиардов различных устройств. Трафик сети постоянно поддерживается на высоком уровне как за счет интерактивного общения людей по беспроводным сетям, так и автоматического обмена данными между устройствами Интернета вещей (IoT). С достижением скорости передачи данных 1 Гбит/с наблюдается стремительный рост объема передаваемых данных, обусловленный трансляцией видеофайлов и потоковой передачей данных.

По мере того как мы становимся более зависимыми от беспроводных сетей, возрастают требования к качеству и доступности услуг связи, поэтому устойчивость и надежность систем связи приобретают решающее значение. При объеме рынка в € 345 млн дискретные ВЧ п/п-приборы составляют основу надежных и устойчивых беспроводных сетей в сегментах потребительских товаров, автомобильной электроники, промышленного и телекоммуникационного оборудования (рисунок 1).

Рис. 1. Спектр применений высокочастотных п/п-приборов

К основным дискретным ВЧ п/п-приборам относятся PIN-диоды, диоды Шоттки и ВЧ-транзисторы. При выборе элементной базы разработчики руководствуются рядом критериев – чувствительностью системы, помехоустойчивостью, КПД и другими характеристиками. По мере уменьшения габаритных размеров беспроводных устройств ключевым фактором становится наличие высокоэффективных п/п-приборов, выполненных в различных типах корпусов, что позволяет разработчику разместить устройство в ограниченном объеме.

Другими важными критериями выбора компонентов являются их качество и надежность, что особенно важно для устройств, постоянно работающих в уличных условиях или при неблагоприятных внешних воздействиях, например, на промышленных предприятиях и в автомобильной технике.

PIN-диоды

Структура PIN-диодов подобна структуре обычных диодов, но отличается наличием внутреннего слоя нелегированного кремния между областями с p- и n-проводимостью. Внутренний слой увеличивает толщину изолирующей области и уменьшает емкость p-n-перехода, что дает существенные преимущества в радиочастотных коммутационных устройствах, особенно по сравнению с кремниевыми диодами.

PIN-диоды широко применяются в силовых и высоковольтных каскадах радиочастотных устройств. При смещении в прямом направлении PIN-диод представляет собой резистор, в обратном направлении – разомкнутую цепь, что позволяет использовать PIN-диоды в регулируемых аттенюаторах или коммутаторах. PIN-диоды применяются также в схемах защиты радиочастотных устройств. Коммутаторы на основе PIN-диодов применяются в мобильной радиосвязи (базовых станциях и носимых устройствах), сетях WLAN, цифровых телевизионных приставках и автомобильных мультимедийных системах.

Одной из основных характеристик PIN-диодов являются вносимые потери (RF), которые пропорциональны сопротивлению PIN-диода при его смещении в прямом направлении. Параметр RF обычно задается в милливаттах для определенной величины прямого тока и, в идеале, должен иметь минимальную величину. Однако при уменьшении сопротивления RF увеличивается внутренняя емкость CT, являющаяся фактором, существенно влияющим на характеристики широкополосных коммутаторов на PIN-диодах. По этой причине величина RF выбирается на основе компромисса с учетом допустимой величины емкости CT. Существенными параметрами PIN-диодов являются также линейность, обеспечивающая целостность сигнала, и время переключения, что особенно важно для быстрой коммутации совмещенных приемопередающих антенн.

Вследствие ограниченных габаритов современных мобильных устройств разработчики отдают предпочтение производителям, предлагающим широкую номенклатуру корпусов, что позволяет разместить PIN-диод на ограниченной площади печатной платы. Дополнительное увеличение плотности упаковки можно получить, используя сборки из нескольких PIN-диодов в одном корпусе.

Диоды Шоттки

Диоды Шоттки характеризуются малым падением напряжения в прямом направлении (типичное значение составляет 0,2 В) и высокой скоростью переключения. Благодаря малому падению напряжения диоды Шоттки широко применяются как в силовой электронике, так и в радиочастотных устройствах, где их основным преимуществом по сравнению с диодами с p-n-переходом является высокая скорость переключения. Диоды Шоттки широко применяются в схемах детекторов, особенно в мобильных телефонах, устройствах сети WLAN и базовых станциях. Они применяются также в схемах смесителей цифровых телевизионных приставок и в аналогичных устройствах.

Диод Шоттки представляет собой полупроводник n-типа с нанесенным на него слоем металла и характеризуется низкой высотой потенциального барьера. Однако высокая напряженность электрического поля на краях металлизированной области приводит к появлению большого тока утечки и создает возможность пробоя. Для устранения данной проблемы по краю металлизированной области в слое полупроводника n-типа создается защитное кольцо с проводимостью p+, а также изолирующий слой диоксида кремния (рисунок 2).

Рис. 2. Структура диода Шоттки с защитным кольцом

Основной характеристикой диода Шоттки является обратный ток утечки, который пропорционален сопротивлению при смещении в прямом направлении (RF). Также важным параметром является КПД диодной схемы, особенно в портативных устройствах с батарейным питанием. Разработчикам необходимо обращать внимание и на искажение сигнала и линейность диода, чтобы обеспечить точное воспроизведение сигналов.

ВЧ-транзисторы

Биполярные транзисторы с гетеропереходом (HBT) обладают параметрами, которые делают их идеальными для применения в одно- и двухполосных малошумящих ВЧ-усилителях (МШУ). Транзисторы HBT классифицируются как низкочастотные (до 5 ГГц) и среднечастотные (до 14 ГГц).

МШУ и, соответственно, ВЧ-транзисторы широко применяются в различных типах радиочастотных устройств – системах спутниковой связи, навигационном оборудовании, устройствах мобильной и стационарной радиосвязи (например, WiMAX) и сетях Wi-Fi. Они являются также основными компонентами систем дистанционного управления мультикоптерами.

ВЧ-транзисторы характеризуются набором параметров, важнейшим из которых является коэффициент усиления сигнала (Gmax). Важной характеристикой, особенно в устройствах с батарейным питанием, является также КПД.

Другим существенным параметром МШУ является коэффициент шума (NF), который показывает ухудшение отношения «сигнал/шум» (SNR) реального усилителя по сравнению с идеальным усилителем без вносимых потерь и шума. Коэффициент NF численно равен отношению значения «сигнал/шум» на входе усилителя к значению «сигнал/шум» на его выходе.

Важное влияние на возможность применения транзисторов в конкретных приложениях оказывает технология их изготовления. Например, транзисторы на основе сплава кремния и германия (SiGe) превосходят арсенид-галлиевые транзисторы по ряду параметров, в том числе – имеют более высокий КПД за счет меньшего напряжения «коллектор-эмиттер» VCE и, как правило, меньший коэффициент шума. Биполярные транзисторы на основе SiGe:C (кремний-германий-карбид) так же, как и транзисторы SiGe, имеют отличные шумовые характеристики и высокую линейность, однако позволяют дополнительно встраивать защиту от электростатического разряда (ЭСР) в структуру транзистора, значительно увеличивая тем самым его надежность.

Современный технический уровень ВЧ п/п-приборов

Разработки компании Infineon в области беспроводной связи с поддержкой различных протоколов являются удачным примером развития технологий производства ВЧ п/п-приборов за последние несколько лет. Например, PIN-диод BA592 обеспечивает вносимые потери (RF) 360 мВт, а в PIN-диоде BAR63 внутренняя емкость (CT) снижена до 0,23 пФ. Для устройств с ограниченными габаритами имеется вариант сборки из четырех PIN-диодов BAR90 в сверхминиатюрном корпусе TSSLP8. Характеристики PIN-диодов производства компании Infineon делают их идеальным решением для антенных коммутаторов, а соответствие требованиям стандарта AEC позволяет использовать их в автомобилестроении.

Компания Infineon производит сборки диодов Шоттки с различными вариантами корпусирования, включая схемы с общим анодом и общим катодом, а также конфигурации с последовательным и параллельным включением. Серия BAT15 включает в себя различные конфигурации, в том числе – сдвоенные и счетверенные варианты размещения в корпусе, что, при внутренней емкости 0,26 пФ, делает их идеальным выбором для схем смесителей. Минимальную емкость CT 0,21 пФ обеспечивает диод Шоттки BAT24, что позволяет использовать его в радиолокационных системах на частотах до 24 ГГц.

Линейка ВЧ-транзисторов производства Infineon (в настоящее время – восьмое поколение транзисторов) обеспечивает малый уровень шума и высокую линейность характеристики (рисунок 3).

Рис. 3. Линейка ВЧ-транзисторов Infineon

К основным характеристикам ВЧ-транзисторов восьмого поколения относятся высокая рабочая частота (до 80 ГГц) и малая потребляемая мощность, достигнутая благодаря возможности работы при напряжении питания до 1,2 В.

Биполярные транзисторы с гетеропереходом серии BFx84x являются лучшими п/п-приборами в классе дискретных ВЧ МШУ (рисунок 4) по сравнению с транзисторами седьмого поколения и лучшими аналогами, представленными на рынке. Благодаря особой геометрии в транзисторах серии BFx84x достигнуты коэффициент шума 0,85 дБ на частоте 5,5 ГГц и усиление до 23 дБ, что является лучшим на сегодняшний день набором параметров среди аналогов, представленных на рынке. Как и другие серии ВЧ-транзисторов производства компании Infineon, выполненные по технологии SiGe, транзисторы серии BFx84x содержат встроенную защиту от ЭСР до 1,5 кВ (Human Body Model).

Рис. 4. ВЧ-транзисторы восьмого поколения Infineon обеспечивают наибольшее усиление (а) и наименьший коэффициент шума (б)

•••

Наши информационные каналы

импортные диоды

Расширенный поиск

Название:

Артикул:

Текст:

Выберите категорию:

Все ДИОДЫ » диоды отечественные » импортные мосты » импортные диоды » диоды для свч » стабилитроны отечественные » стабилитроны SMD » стабилитроны 0.5-1.5вт КОММУТАЦИЯ » микрокнопки тактовые » переключатели. микропереключатели » кнопки » тумблера клавишные » тумблера » галетные переключатели КОНДЕНСАТОРЫ » конденсаторы керамические » высоковольтные » помехоподавляющие, К73-17 » кондесаторы CBB61,CBB60.CD60 » Электролитические » SMD алюминиевый электролитический конденсатор МИКРОСХЕМЫ » микросхемы импортные » микросхемы отечественные ПЛАТЫ » для конструкторов » платы в сборе » платы макетные ПРИБОРЫ ЩИТОВЫЕ » амперметры » вольтметры » термометры цифровые ПУЛЬТЫ » пульты » пульты универсальные ПРЕДОХРАНИТЕЛИ » предохранители круглые 8х8 » предохранители для свч » предохранители 3.6х10, 5х20 ,6х30мм » предохранители ВП1-1, вп2Б-1 керамика » предохранитель автомагнитольный » держатель предохранителя ТЕРМОПРЕДОХРАНИТЕЛИ, ТЕРМОРЕЛЕ » термопредохранители 10А-15А » термостаты » термореле KCD 10A -15A -16A » термовыключатели » термопредохранители 2А-4А РАЗЬЕМЫ » разьемы USB » разьемы для автомагнитол » штекера JACK » штекера питания » штекера RCA » разьемы для колонок » штекера антенные » штекера DIN » разьемы BNC » разьемы UHF » Адаптеры и переходники » Разьемы GX16 » Разьемы DB и корпуса. » Контейнеры и разьемы для батареек РЕЗИСТОРЫ » 1ВТ-25ВТ » резисторы МЛТ » резисторы SMD » резисторы переменные, энкодеры » Резисторы подстроечные » Термисторы (терморезисторы) » Резисторы ППБ,СП-1 » Ручки для резисторов СВЕТОДИОДНАЯ ПРОДУКЦИЯ » светодиодная лента » светодиоды 1.8мм, 2х3х4мм, 2х5х7мм » светодиоды 3мм, 4.8мм, 5мм, 9мм, 10мм » светодиоды мощные » светодиоды SMD » Светодиоды пиранья » Индикаторы » светодиоды 12 вольт ТИРИСТОРЫ » тиристоры импортные » тиристоры отечественные ТРАНЗИСТОРЫ » транзисторы импортные » транзисторы отечественные ШНУРЫ, кабель » кабель антенный » кабель акустический » шнуры RSA » шнуры JACK » шнуры скарт » шнуры USB » шнуры питания РАЗНОЕ » антенны телескопические » блоки питания » варисторы » динамики » двигатели » вентиляторы » кварцы » панельки » позисторы » зажимы крокодил, зажим цанговый » клеммы » оплетка » паяльники,отсосы припоя » припой » сверла » стеклотекстолит » стяжки » термоусадка » Радиолампы » Реле » Инструмент » Лампочки » Герконы

Производитель:

ВсеOMRONКореяLITMOSPECRubyconLowesrONSMAXTidarMOROCCONIPPON CHEMI-CONCHNKECCapXonJamiconNECSHARPMARFORWIXRobitonDFТайваньSHENGXINVISHNXPDiotecETHERGDSKFAIRКитайРоссияDisneyMichelinNokiaLenovoAMDSamsungLGHP

Новинка:

Вседанет

Спецпредложение:

Вседанет

Результатов на странице:

5203550658095

Закрыть

Найти

Фильтр товаров

Фильтр товаров

Сортировать по:

высокочастотный диод — с английского на русский

высокочастотный диод — aukštadažnis diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. высокочастотный диодный вок. Хохфрекенцдиод, ф рус. высокочастотный диод, м пранц. диод высокой частоты, f… Fizikos terminų žodynas

диод с высокой частотой — aukštadažnis diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. высокочастотный диодный вок. Хохфрекенцдиод, ф рус. высокочастотный диод, м пранц.диод высокой частоты, f… Fizikos terminų žodynas

Диод — Рис. 1: Крупный план диода, показывающий квадратный полупроводниковый кристалл (черный объект слева)… Wikipedia

Частота — Чтобы узнать о других значениях, см. Частота (значения). Три циклически мигающих индикатора, от самой низкой частоты (вверху) до самой высокой частоты (внизу). f — частота в герцах (Гц), означающая количество циклов в секунду. T — период в секундах (с)… Wikipedia

Твердотельный лазер с диодной накачкой — Зеленая лазерная указка с удвоенной частотой, демонстрирующая внутреннюю конструкцию.Элементы и электроника ведут к модулю лазерной головки (см. Нижнюю диаграмму). Он содержит мощный 808 нм ИК-диодный лазер, который накачивает лазерный кристалл Nd: YVO4, который, в свою очередь, выдает…… Wikipedia

Высоковольтные системы постоянного тока — Системы передачи электроэнергии постоянного или высокого напряжения постоянного тока контрастируют с более распространенными системами переменного тока как средства массовой передачи электроэнергии. Современная форма передачи HVDC использует технологию…… Wikipedia

Преобразователь частоты — Преобразователь частоты или преобразователь частоты — это электронное устройство, которое преобразует переменный ток (AC) одной частоты в переменный ток другой частоты.Устройство также может изменять напряжение, но если это происходит, это связано с…… Wikipedia

Лазерный диод — Вверху: лазерный диод в упаковке, показанный с ценой в пенни. Внизу: чип лазерного диода извлекается из вышеуказанной упаковки и помещается на игольное ушко для масштабирования… Wikipedia

PIN-диод — Слои PIN-диода PIN-диод — это диод с широкой слаболегированной почти собственной полупроводниковой областью между полупроводником p-типа и областью полупроводника n-типа.Области p-типа и n-типа обычно сильно легированы, потому что они…… Wikipedia

Настраиваемая диодная лазерная абсорбционная спектроскопия — (TDLAS) — это метод измерения концентрации определенных веществ, таких как метан, водяной пар и многие другие, в газовой смеси с использованием перестраиваемых диодных лазеров и лазерной абсорбционной спектрометрии. Преимущество TDLAS перед другими методами…… Wikipedia

Диод Ганна — Диод Ганна, также известный как устройство с переносом электронов (TED), представляет собой разновидность диода, используемого в высокочастотной электронике.Это несколько необычно, поскольку состоит только из полупроводникового материала, легированного азотом, тогда как большинство диодов состоят как из P, так и из N… Wikipedia

.

сверхвысокочастотный диод — с русского на английский

См. также в других словарях:

• Диод — Рисунок 1: Крупный план диода, показывающий квадратный полупроводниковый кристалл (черный объект слева)… Wikipedia

• Твердотельный лазер с диодной накачкой — Зеленая лазерная указка с удвоенной частотой, демонстрирующая внутреннюю конструкцию. Ячейки и электроника ведут к модулю лазерной головки (см. Нижнюю диаграмму). Он содержит мощный 808 нм ИК-диодный лазер, который накачивает лазерный кристалл Nd: YVO4, который, в свою очередь, выдает…… Wikipedia

• Частота — Чтобы узнать о других значениях, см. Частота (значения).Три циклически мигающих индикатора, от самой низкой частоты (вверху) до самой высокой частоты (внизу). f — частота в герцах (Гц), означающая количество циклов в секунду. T — период в секундах (с)… Wikipedia

• Преобразователь частоты — Преобразователь частоты или преобразователь частоты — это электронное устройство, которое преобразует переменный ток (AC) одной частоты в переменный ток другой частоты. Устройство также может изменять напряжение, но если это происходит, это связано с…… Wikipedia

• Высоковольтные системы постоянного тока — Системы передачи электроэнергии постоянного или высокого напряжения постоянного тока контрастируют с более распространенными системами переменного тока в качестве средств массовой передачи электроэнергии.Современная форма передачи HVDC использует технологию…… Wikipedia

• Лазерный диод — Вверху: лазерный диод в упаковке, показанный с ценой в пенни. Внизу: чип лазерного диода извлекается из вышеуказанной упаковки и помещается на игольное ушко для измерения масштаба… Wikipedia

• Светодиод — сюда перенаправляется светодиод. Для использования в других целях, см LED (значения). Светоизлучающий диод Красный, чистый зеленый и синий светодиоды рассеянного типа 5 мм Тип Пассивный, оптоэлектронный Принцип работы Электр… Wikipedia

• Настраиваемая диодная лазерная абсорбционная спектроскопия — (TDLAS) — это метод измерения концентрации определенных веществ, таких как метан, водяной пар и многие другие, в газовой смеси с использованием перестраиваемых диодных лазеров и лазерной абсорбционной спектрометрии.Преимущество TDLAS перед другими методами…… Wikipedia

• PIN-диод — Слои PIN-диода PIN-диод — это диод с широкой, слегка легированной почти собственной полупроводниковой областью между полупроводником p-типа и областью полупроводника n-типа. Области p-типа и n-типа обычно сильно легированы, потому что они…… Wikipedia

• Туннельный диод — Туннельный диод или диод Эсаки — это тип полупроводникового диода, который способен очень быстро работать в диапазоне микроволновых частот за счет использования квантово-механических эффектов.Он был изобретен в 1958 году Лео Эсаки, который в 1973 году получил…… Wikipedia

• Диод Ганна — Диод Ганна, также известный как устройство с переносом электронов (TED), представляет собой разновидность диода, используемого в высокочастотной электронике. Это несколько необычно, поскольку состоит только из полупроводникового материала, легированного азотом, в то время как большинство диодов состоит как из P, так и из N… Wikipedia

.