|
|
||||||||||||||||||||||||
|
IR21531PBF Код товара: 23543 Производитель: IR Микросхемы — Драйверы транзисторов Корпус: DIP-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 80/40 ns Примечание: Self oscillating half bridge driver Рабочая температура, °С: -40…+125°C Конфигурация: Half-Bridge |
2 шт — склад Киев 8 шт — РАДИОМАГ-Киев 3 шт — РАДИОМАГ-Львов 1 шт — РАДИОМАГ-Харьков 8 шт — РАДИОМАГ-Одесса 10 шт — РАДИОМАГ-Днепр |
|
IR2153PBF Код товара: 23423 Производитель: IR Микросхемы — Драйверы транзисторов Корпус: DIP-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 0,1/0,1 A V out, V: 15,6 V T on/T off, ns: 80/40 ns Примечание: SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER Рабочая температура, °С: -40…+125°C Конфигурация: Half-Bridge |
214 шт — склад Киев 9 шт 9 шт — РАДИОМАГ-Львов 9 шт — РАДИОМАГ-Харьков 19 шт — РАДИОМАГ-Одесса 41 шт — РАДИОМАГ-Днепр 10 шт — ожидается |
|
iR ECAT — коммуникационный модуль серии iR с интерфейсом EtherCAT
EtherCAT (Ethernet for Control Automation Technology) – высокопроизводительный и эффективный коммуникационный протокол на базе Ethernet, используемый во множестве различных устройств и ставший распространенным стандартом промышленной связи. Компания Weintek представляет новый коммуникационный модуль серии iR с интерфейсом EtherCAT – iR ECAT. С его помощью наконец появляется возможность интегрировать модули iR серии в системы, использующие EtherCAT.
Коммуникационный модуль выступает в роли ведомого устройства в сети EtherCAT, что позволяет ведущему контролеру шины управлять, просто импортируя файл ESI (EtherCAT Slave Information). Совместимость с ETG5001, простота конфигурирования и использования – эти качества делают iR-ECAT мощным инструментом интеграции систем EtherCAT в сферу промышленной автоматизации.
Преимущества iR-ECAT
-
Высокая производительность и скорость связи
Стандарт EtherCAT отличается от классических промышленных систем связи. В традиционной сети обмен данными между каждым узлом требует, как минимум, одного сообщения, что приводит к неэффективному использованию полосы пропускания. В EtherCAT сообщения читаются и обрабатываются при прохождении узла насквозь. Если требуется передать выходные данные, они встраиваются в сообщение и передаются на следующий узел. Микросхемы, используемые в iR-ECAT, обеспечивают высокую скорость и эффективность работы промышленной сети.
-
Гибкая топология
EtherCAT поддерживает большинство топологий сети: линейная, «дерево», «звезда» и любую их комбинацию, подходящую к конкретным условиям. Каждый модуль iR-ECAT оснащен двумя портами Ethernet, что избавляет от необходимости использования коммутаторов или разветвителей.
-
Простота и доступность
ID узла устанавливается с помощью переключателя, и устройство готово к использованию сразу после подключения к сети стандартным кабелем Ethernet, что значительно экономит время и ресурсы при организации сети.
-
Множество комбинаций модулей серии iR
iR-ECAT может быть подключен к различным модулям серии iR, подходящим для данной задачи. Технология Weintek iBus обеспечивает высокую скорость отклика модулей ввода-вывода, полностью соответствующую эффективности стандарта EtherCAT.
В отличии от корзин с ограниченным числом слотов под модули или нерасширяемых ПЛК, модульный дизайн серии iR от Weintek обеспечивает гибкость системе, позволяя добавлять или убирать модули в любой момент и в любом количестве.
| Параметры коммуникационного интерфейса | ||
|
Модель |
iR-ECAT | |
| Модули ввода-вывода | Количество устройств | Зависит от питания |
| Дискретный ввод | Макс. 256 | |
| Дискретный вывод | Макс. 128 | |
| Аналоговый ввод | Макс. 64 | |
| Аналоговый вывод | Макс. 64 | |
| Индикаторы | ECAT Run (зеленый) | Статус устройства |
| ECAT ERR (красный) | Ошибка устройства | |
| L.V. (красный) | Низкое напряжение питания | |
| IO RUN (зеленый) | Статус модулей ввода-вывода | |
| IO ERR (красный) | Ошибка модулей ввода-вывода | |
| Скорость передачи данных | 100 Мб/с | |
| Расстояние между устройствами | 100 м между хабом/коммутатором и модулем или между двумя модулями | |
| Протокол | EtherCAT Slave | |
| Обмен сообщениями | COE — запросы SDO, ответы SDO | |
| Стандарты ETG | ETG 5001 | |
1/2.7 CMOS 1200 твл микросхемы массива 80m IR HD CCTV камеры
| MOQ: | 1 шт. |
|---|---|
| Условия Платежа: | LC, T/T, D/P, PayPal, Платеж небольшой суммы, Western Union |
| Производительность: | 60, 000 Piece/Month |
| Упаковка: | CCTV Camera Color Box |
Описание Продукции
Основная Информация
- Номер Моделя: WW-HD4-755
- Технологий : Инфракрасный
- Стиль : Фиксированный Объектив
- Тип : Камера Видеонаблюдения
- Сертификация : CE , FCC , RoHS , EMI / EMC , ISO9001: 2000 , SGS
- Особенность : Водонепроницаемые / Всепогодные , Высокое Разрешение , Антивандальные
- Дистанционное Управление : Без дистанционного управления
Дополнительная Информация.
- Trademark: Winway, OEM
- Packing: CCTV Camera Color Box
- Standard: CE, SGS,
- Origin: Shenzhen, China
- HS Code: 8525801390
- Production Capacity: 60, 000 Piece/Month
Описание Продукции
1/2″ люкс 1200 ТВЛ камеры
1/2,7 США CMOS
1200 ТВЛ HD Array 80 метров
1/2″ люкс 1200 ТВЛ камеры
ИК диапазоне: 80M
металлический корпус
8 мм/12 мм/16 мм/25 мм фиксированный объектив
воды: IP66
-40~80 ° C
Google
Google
1/2.7CMOS
| Продукт | Nigh серия Camera King |
| Модель | WW-HD4-755 |
| Изображение Датчик | Разрешение HD CVI Chip |
| Сигнал Система | PAL/NTSC |
| Эффективно Пиксел (H × v) | 976× 582 |
| Минимально. освещение | 0.5Lux @ (F1.2, AGC НА), 0 LUX с ИК |
| Объектив | объектив 6mm/8mm/12mm/16mm фикчированный |
| День/ноча | ICR |
| Видеоий Выход | 1Vp-p Составно Выход (75Ω /BNC) |
| S/N Коэффициент | > 52 dB |
| Сила Поставка | DC12V± 10% |
| материал | Раковина металла |
| ИК Расстояние | 80m |
Тип Продуктов
Микросхема драйвера затвора IR устойчива к отрицательному напряжению
Компания International Rectifier представила [[трехфазный драйвер затвора]] IRS26302D с защитой от замыканий на землю
IRS26302D имеет дополнительный, седьмой, драйвер затвора для ключа коррекции коэффициента мощности (PFC) или инверторного тормоза, что делает привлекательным ее применение в приводах для управления моторами средней мощности и многих других трехфазных инверторных приложениях общего назначения.
Благодаря встроенной функции начального запуска, возможности управления PFC или тормозом и защите от замыкания на землю, эта новейшая высоковольтная микросхема подходит для реализации приложений с трехфазным инвертором, имеющих ограниченные габариты.
Как часть новейшего семейства HVIC компании IR, компактная микросхема так же имеет множество функций защиты, включая схему обеспечения устойчивости к отрицательному напряжению, что позволяет ей выдерживать очень мощные выбросы отрицательной полярности, возникающие при коммутации больших токов или в случае короткого замыкания.
IRS26302D включает в себя мощные MOSFET/IGBT-драйверы затвора с тремя выходными каналами верхнего плеча и тремя каналами нижнего плеча, способными обеспечить ток управления 200/350 мA и напряжение до 20 В для управления затворами MOS-транзисторов, работающих с напряжением до 600 В.
Дополнительный драйвер нижнего плеча предназначен для управления ключом корректора коэффициента мощности (PFC) или инверторным тормозом. Кроме защиты от замыкания на землю, микросхема включает в себя схему обеспечения устойчивости к отрицательному напряжению для предотвращения выхода системы из строя, который может произойти при коммутации большого тока и короткого замыкания на землю, что является важной особенностью для создания промышленных систем предъявляющих высокие требования к устойчивости и надежности работы.
Улучшенный, встроенный в микросхему для подавления шумов и уменьшения искажений входной фильтр улучшает характеристики различной аппаратуры управления двигателями. Отвечая на запросы аппаратуры с ограниченными габаритами и для упрощения конструкции,
IRS26302D имеет встроенную функцию начального запуска. Это позволяет уменьшить число компонентов источника питания начального запуска с шести до трех, обеспечивая при этом VBS защиту от перенапряжения системы, используя отдельную встроенную интеллектуальную цепь защиты.
Являясь частью G5 HVIC-платформы компании IR, микросхема использует передовой высоковольтный технологический процесс производств микросхем, который включает в себя следующее поколение технологий сдвига уровня и согласования, для обеспечения выдающейся устойчивости к электрическим перегрузкам и повышения надежности работы.
Кроме входа обнаружения перегрузки и перегрева, IRS26302D обеспечивает защиту от недонапряжения, встроенную реализацию задержки следования импульсов, защиту от сквозных токов, вход отключения, предупреждение об аварии и является совместимой с 3,3 В входными логическими сигналами.
IR ДАТЧИК ПРИБЛИЖЕНИЯ БЕЗ ТРАНЗИСТОРОВ и МИКРОСХЕМ | Дмитрий Компанец
ИК датчик приближения без транзисторов и микросхемИК датчик приближения без транзисторов и микросхем
Обычно, чтобы сделать макет датчика реагирующего на приближение объектов используются простые схемы включающие усилительный каскад на основе транзистора или интегральной микросхемы.
Схем таких очень много и ради примера приведу некоторые из них
Тут , как говорится, ничего сложного =) и может собрать каждый ….
Но может для начала поищем чуточку по проще ? Вот тут кажется довольно интересная схема , только вот Лампочка или Светодиод странная ….
За ради того чтобы при приближении объекта засветился контрольный светодиод, думаю, можно сделать схемку и по проще …. поищем еще …
Воо! Кажись нашел — схема всего на одном транзисторе и чуток деталей
Ну, думаю фототранзистор можно заменить на фотодиод или фоторезистор, ну а лампочку заменить на современный светодиод.
Такая схема о проще будетТакая схема о проще будет
Ну вот — это уже по проще и можно замарочиться сборкой этого чуда…
Или все таки еще упростить !?!?!?
А почему нет? Фотодиод и фототранзистор, пропускают ток вполне реальный и для запуска светодиода и для реле (если нужно), так что ДОЛОЙ ! ЛИШНЕЕ ! Транзисторы и микросхемы по боку — да здравствует простота!
Так! Чтобы мне не предъявили за АнтиСхемизм, я нарисую (как могу) эту замечательную схему которая повторяет то, что делают микросхемно-транзисторные сборки.
Схема простейшего датчика приближения!
Схема простейшего датчика приближенияСхема простейшего датчика приближения
И Да! Вы можете копировать, использовать и модифицировать данную схему как угодно и сколько угодно — Я не против!
(ну ты понял для кого это я подписал ?)
Компанец Д.А.
ИК приемник
ИК пультиков сейчас производят превеликое множество и с их помощью можно управлять практически всем, и даже кошками.
Мы тоже не остались в стороне, и установили на нашей платке Марсоход разъем для ИК приемника, чтобы платкой можно было удаленно управлять.
Для начала, давайте разберемся как все работает. ИК приемник — это специальная микросхема, предназначенная для приема светового сигнала ИК диапазона, модулированного определенной частотой. У микросхемы три вывода: земля , питание и выход. На выходе, при отсутствии светового сигнала — логическая единица, а при наличии — логический ноль. Более подробную информацию можно прочесть в документации на конкретную микросхему.
Для наших тестов мы взяли приемник ILMS5360:
Еще мы взяли восемь пультиков от разных устройств — телевизоров SAMSUNG, VESTEL, CARTV, плеера BBK, спутникового ресивера DRE-5000, компьютерного тюнера, проектора SANYO и фоторамки TEXET:
Итак, устанавливаем в разъем платы Марсоход ИК приемник и подаем питание. После подачи питания он сразу находится в рабочем состоянии и готов принимать сигналы. При нажатии какой-нибудь кнопки на каком-нибудь пультике на выходе ИК приемника можно увидеть такую осциллограмму:
Анализируем увиденное — первый длинный нолик, а затем длинная единичка это префикс, он не несет информативной нагрузки и нужен для настройки самого приемника в рабочий режим. Далее идет определенное количество импульсов, причем все отрицательные импульсы одинаковой длительности, а положительные бывают короткие и длинные — это собственно данные. Будем считать короткие импульсы ноликами а длинные — единичками. Мы протестировали все имеющиеся у нас пультики и измерили ряд параметров.
| пульт | префикс | импульс | биты | on/off | повтор |
| sanyo | 320/160 | 18/58 | 32 | 0CF300FF | * |
| BBK RC-15 | 325/160 | 17/55 | 32 | 926DE01F | — |
| DRE | 328/158 | 17/56 | 32 | 000800FF | — |
| SAMSUNG | 160/160 | 19/60 | 32 | E0E040BF | + |
| TV-Station | 323/161 | 19/58 | 32 | 40BF00FF | — |
| TEXET | 325/159 | 17/57 | 32 | 84FBC03F | — |
| CARTV | 326/158 | 16/56 | 32 | 00FD28D7 | — |
| VESTEL | ———- | 28/60 | 11 | 00000004 | + |
Для наших экспериментов мы использовали ИК приемник на 36кГц, поэтому временные параметры префикса и информационного импульса мы измеряли в периодах этой частоты. Далее в нашей таблице количество бит в пакете и код клавиши on/off или STANDBY.
Отдельно следует остановиться на параметре «повтор».
Большинство наших пультиков при нажатии и удержании кнопки посылали полный код только один раз (отмечены «-«), затем они посылали короткий пакет, который судя по всему означает повтор последней нажатой кнопки.
Некоторые пультики все время повторяют полный код («+»). Исключением стал пульт SANYO («*»), который на on/off повторял полный код всего два раза ,а на остальные — один раз полный код, далее короткий пакет.
Еще одним исключением из всех общих правил стал пульт от старого советского телевизора VESTEL.
Пакет от этого пультика не содержит префикса, более короткий и информативными в нем являются не только положительные, но и отрицательные импульсы. Наш проект различает не все кнопки от этого пульта, но мы не будем на этом заморачиваться.
Теперь о проекте. Его можно взять здесь:
.Часть схемы для приема пакета от ИК приемника мы оформили в виде отдельного компонента IR-receiver для того чтобы иметь возможность использовать его в других проектах.
Работает он следующим образом. Первыми триггерами схемы из входного потока выделяется два события — фронт и спад. По фронту начинается подсчет количества периодов 36кГц, по спаду это количество сравнивается с пороговым и в зависимости от этого в регистр сдвига заносится 0 или 1.
Исходя из результатов наших изысканий (табл.1) мы выбрали пороговое значение — 37. Если длинна импульса превышает 256, то мы считаем что это конец пакета и вырабатываем сигнал data_ready.
Далее, уже в основном проекте, в момент data_ready, можно сравнить принятый код с ожидаемым и предпринять какие-либо действия. В нашем случае мы разрешаем изменить состояние триггера, выход которого выведен на светодиод led0.
Даже такой простой проект может найти практическое применение. Например на пультике
от телевизора (или еще чего-нибудь) можно найти неиспользуемую кнопку и использовать ее для включения/выключения освещения (или еще чего нибудь). Есть только пара нюансов:
- Как узнать код нужной нам кнопки? Для этого мы добавили в проект возможность просмотра принятого кода на светодиодах. При нажатии на key0 на них будут высвечиваться младшие восемь бит кода, при нажатии на key1 следующие восемь и так далее.
- В случае если при удержании клавиши пульт повторяет полный код, то пользоваться предложенной нами логикой меняющего состояние триггера будет невозможно, поскольку при достаточно длительном удержании кнопки он переключится несколько раз. Чтобы выйти из этой ситуации нужно узнать посылает ли пульт код повтора или код целиком. Для этого мы добавили в проект сравнение принятого кода с кодом повтора (у нас это 00000001) и если при удержании кнопки он есть — загорается led1.
Если кода повтора все-таки нет, то можно пытаться использовать две разные кнопки —
одну для включения, другую для выключения.
Вот так мы устанавливаем ИР приемник на плату Марсоход:
Вот небольшое видео, которое показывает как нажатие на пульте кнопки зажигает или гасит светодиод на платке. Это просто демо, но на самом деле часть этого проекта может быть использована в управляемых игрушках.
и восемь пультиков от разных устройств — телевизоров SAMSUNG, VESTEL, CARTV, плеера BBK, спутникового ресивера DRE-5000, компьютерного тюнера, прожектора SANYO и фоторамки TEXET.
МЭМС-микросхем и лазеров для промышленных и научных приложений | Norcada
Norcada — это компания по производству МЭМС и фотоники, специализирующаяся на разработке и производстве устройств МЭМС и DFB-лазеров среднего ИК диапазона для широкого спектра промышленных и научных приложений. Основанная в 2002 году, Norcada имеет современное предприятие по производству МЭМС и фотоники в Эдмонтоне, Альберта, где находится крупный кластер нанотехнологий в Канаде.
NORCADA MEMS-УСТРОЙСТВА ДЛЯ НАУЧНЫХ ПРИЛОЖЕНИЙ
Микросхема жидких ячеек MEMS для анализа жидких проб методом ТЕМ на месте
Norcada разрабатывает и производит устройства MEMS для широкого спектра научных приложений.Наша продукция включает сетки из нитрида кремния для просвечивающей электронной микроскопии (ТЕМ), мембранные устройства для рентгеновской микроскопии, держатели и микросхемы MEMS для микроскопии in-situ, микропоры, нанопоры, монокристаллическую кремниевую фольгу для радиационной физики. Norcada предлагает широкий спектр стандартных продуктов, а также специальные устройства, разработанные для удовлетворения конкретных потребностей клиентов с использованием нашей платформенной технологии. Чтобы узнать больше о продуктах Norcada, посетите нашу страницу продукта или , свяжитесь с нами напрямую .
ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ИЗГОТОВЛЕНИЕ МЭМС NORCADA НА ЗАКАЗ
Дырчатая структура с высоким соотношением сторон 1,0 мкм для биофильтрации
Norcada предоставляет специализированных MEMS-решений для промышленных приложений. Наши специализированные устройства MEMS включают кремниевые оптические устройства для телекоммуникационных приложений и микрокантилеверные устройства для биоанализа. В Norcada работает опытная команда по разработке МЭМС, которая поможет вам вывести на рынок идеи ваших МЭМС-продуктов. Свяжитесь с нами , чтобы узнать больше о наших возможностях проектирования и изготовления МЭМС.
ЛАЗЕРЫ NORCADA ДЛЯ ДАТЧИКА
DFB-лазер Norcada среднего ИК диапазона для датчиков
Norcada разрабатывает и производит одномодовые полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью (DFB) ближнего и среднего инфракрасного диапазонов для промышленных датчиков, мониторинга окружающей среды и приложений TDLAS. Клиенты, заинтересованные в наших лазерах DFB, могут посетить наш веб-сайт по лазерной продукции по адресу www.norcada-lasers.com или свяжитесь с нами напрямую, чтобы узнать больше о наших специальных лазерах.
Влага и масло для картофельных чипсов | Датчики процесса Corp
Миллиарды людей ежедневно наслаждаются пикантными закусками, поэтому неудивительно, что эта отрасль оценивается в 94 миллиарда долларов. Картофель, кукуруза и другие закуски — самые популярные закуски, они бывают самых разных видов и вкусов.
Картофельные чипсы и другие закуски часто готовят во фритюрницах, где горячее кулинарное масло удаляет свободную влагу из чипсов во время приготовления.Жарение обычно производится либо в непрерывном режиме, либо в котле периодического действия. Кукуруза, мультизерновые чипсы и овощи обжариваются так же, как картофельные чипсы, но они также подвергаются дополнительному процессу поджаривания, который не требуется для картофельных чипсов. Конечная влажность продукта имеет решающее значение для текстуры, качества и срока годности продукта.
Процесс производства картофельных чипсов
Приготовление картофеля
Посторонний мусор, гниющий картофель и грязь удаляются на первом этапе процесса.Затем картофель моют и очищают от кожуры. Вода под высоким давлением используется для нарезания картофеля до желаемой толщины и удаления крахмала с ломтиков. Перед жаркой необходимо максимально снизить поверхностную влажность, и она удаляется различными способами, такими как сжатый воздух, вращающийся барабан или нагретый воздух.
Жарка
Чипсы обжариваются либо в периодическом процессе в котле, где они готовятся по времени, либо в непрерывном процессе, перемещаясь через обжарочный аппарат по непрерывной сетчатой ленте.У каждого производителя есть свой предпочтительный процесс, а также предпочтительное масло (масла) для желаемого вкуса и температуры, включая кукурузное, арахисовое, хлопковое, соевое и каноловое масла.
Приправа и упаковка
Чипсы можно приправлять разнообразными ароматизаторами с помощью масляных и эмульсионных спреев, твердых покрытий или других процессов. При добавлении приправы используется вращающийся барабан или вибрационный конвейер, чтобы гарантировать равномерное покрытие приправы. Затем чипсы упаковываются по весу для отправки.
Параметры качества и точки измерения
Измерение влажности: Влажность картофельных чипсов обычно составляет от 1 до 3,5% на выходе из фритюрницы в зависимости от толщины чипсов и сорта картофеля. Для контроля процесса рекомендуется установить датчик ближнего инфракрасного диапазона (NIR) от Process Sensors Corporation (PSC) на выходе из фритюрницы. Влажность чипсов также измеряется на выходе из барабана для приправ перед окончательной упаковкой, чтобы гарантировать вкус, свежесть и срок хранения.
Измерения масла: Содержание масла обычно составляет от 25 до 35% и обычно зависит от влажности, вытесняемой в процессе.Содержание масла влияет на вкус продукта и измеряется с помощью того же датчика NIR, который измеряет влажность на выходе из фритюрницы.
Датчик PSC MCT-466SF (NIR) обычно устанавливается на расстоянии 6–16 дюймов от продукта и в нескольких метрах после выхода из фритюрницы, чтобы обеспечить рассеивание эмульсии паромасляного масла в воздухе. Корпус из нержавеющей стали и степень защиты IP-65 датчика обеспечивают надежную работу в режиме онлайн и совместимость с промывкой.
Настольный анализатор QuikCheck (NIR) также можно использовать в лаборатории или на линии для быстрого, точного и надежного тестирования образцов.
Ценность и качество
Входящий картофель значительно различается по влажности и составу. Измерение влажности и масла на выходе из фритюрницы с помощью NIR-датчика от Process Sensors Corporation позволяет автоматически регулировать температуру фритюрницы и / или скорость ленты для удаления необходимого количества влаги с образованием высококачественной однородной стружки. Это также минимизирует потребление кулинарного масла и энергии, экономит деньги производителя чипов и оптимизирует эффективность.
Дальнейший анализ продукта после добавления приправ с помощью MCT466-SF или QuikCheck обеспечивает стабильное качество продукта перед упаковкой.Это продлит срок годности и обеспечит соответствие конечного продукта спецификациям пищевой ценности на упаковке, а также ожиданиям потребителя в отношении стабильного продукта.
Чтобы узнать больше о том, как мы можем оптимизировать производство картофельных чипсов, заполните контактную форму ниже.
Рекомендуемые решения
Расскажите о своем приложении. Заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами со специалистом NIR.
Картофельные чипсы — обзор
Генетические и агрономические подходы к снижению акриламидообразующей способности картофеля
Большинство производителей картофельных чипсов отдают предпочтение светло-коричневому цвету чипсов с любым присущим ему вкусом по сравнению с сильными искусственными ароматизаторами, добавляемыми к ним. продукт.Это означает, что низкая концентрация редуцирующего сахара была целью селекционеров, разрабатывающих сорта картофеля для этого рынка, задолго до того, как возникла проблема с акриламидом. Разновидности, используемые для производства картофеля фри и домашнего приготовления, как правило, имеют более высокие концентрации понижающего сахара, потому что потребители ожидают, что картофель фри будет иметь цвет, а свежий картофель приобретет цвет и вкус во время жарки и жарки. Действительно, большинство потребителей будут использовать проявление цвета как показатель того, что картофель приготовлен.Тем не менее, существуют значительные различия между сортами даже внутри разных типов, как по их составу при сборе урожая, так и по стабильности концентрации сахара в них во время хранения (Elmore et al., 2015; Halford et al., 2012b; Muttucumaru et al., 2014 , 2017). На рис.5 сравниваются уровни акриламида в чипсах, изготовленных из двух британских сортов чипсов, Lady Claire и Lady Rosetta, и двух сортов картофеля фри, Pentland Dell и Markies, в течение девяти месяцев хранения в холодильнике после сбора урожая в октябре 2011 года (Halford et al., 2012б). Первым поразительным аспектом этого графика является диапазон уровней акриламида от примерно 100 частей на миллиард для леди Клэр в течение периода хранения до более 2500 частей на миллиард для Pentland Dell к концу периода хранения. Сорта также демонстрируют противоположные отклики на хранение: Lady Rosetta сравнима с Lady Claire во время раннего хранения, но уже к январю выходит из своего оптимального окна хранения. Маркис, с другой стороны, продемонстрировал весьма необычную характеристику снижения уровней образования акриламида при позднем хранении.
Рис. 5. Образование акриламида (мкг кг — 1 ) (частей на миллиард) в чипсах из четырех контрастирующих сортов картофеля в течение девяти месяцев хранения при 8,5–9,5 ° C.
Построено на основе данных, предоставленных Halford, NG, Muttucumaru, N., Powers, SJ, Gillatt, PN, Hartley, L., Elmore, JS, Mottram, DS, 2012. Концентрации свободных аминокислот и сахаров в девяти сортах картофеля: эффекты хранения и взаимосвязь с образованием акриламида. J. Agric. Food Chem. 60, 12044–12055.Это и другие исследования (Amrein et al., 2003, 2004; Becalski et al., 2004; De Wilde et al., 2005; Elmore et al., 2015; Muttucumaru et al., 2014, 2017) показали, что использование Использование подходящих сортов для конкретных конечных целей, например, переход на сорта с очень низким содержанием сахара для производства чипсов, было важной стратегией снижения образования акриламида в картофельных продуктах. Это также привело к совету о том, что картофель следует хранить при тщательно контролируемой температуре (обычно 8,5–9,5 ° C) и условиях и использовать только в пределах их оптимального окна хранения, которое различается между сортами (Halford et al., 2012а). Увеличение образования акриламида в чипсах из картофеля, которые хранились в течение длительного времени, возникает из-за увеличения пониженной концентрации сахара, что, в свою очередь, вызвано холодом и стареющим подслащиванием. Холодное подслащивание происходит при температуре хранения около 4 ° C и выше, тогда как стареющее подслащивание происходит, когда клубни картофеля выходят из состояния покоя. Начало дряхлого подслащивания определяет окончание оптимального периода хранения для определенного сорта. Температура хранения 8.5–9,5 ° C — это компромисс, потому что более низкие температуры будут способствовать подслащиванию на холоде, в то время как более высокие температуры позволят картофелю прорасти. Как холодное, так и стареющее подслащивание связано с активностью вакуолярной инвертазы, которая превращает сахарозу в глюкозу и фруктозу (Clasen et al., 2016; Zhu et al., 2014; Wiberley-Bradford and Bethke, 2018).
Помимо выявления сортов картофеля с низким потенциалом образования акриламида, были предприняты попытки определить оптимальные режимы управления урожаем.Внесение азота, например, может повысить способность картофеля образовывать акриламид, но эффект зависит от типа, при этом у разновидностей мальков француза наблюдается усиление реакции на азот, которое не проявляется в разновидностях чипсов (Muttucumaru et al., 2013). Даже внутри шрифта разные разновидности дают разные ответы, что еще больше усложняет ситуацию. Внесение серы само по себе не оказывает значительного эффекта, хотя внесение из расчета 15 кг на гектар действительно смягчает влияние внесения большого количества азота на способность некоторых сортов к образованию акриламида.
Влияние водоснабжения также было исследовано, и было показано, что даже умеренный стресс засухи (например, отсутствие орошения на поле в Великобритании) вызывает значительные изменения в составе клубней (Muttucumaru et al., 2015). Однако они отличаются от тех, которые вызваны более сильным стрессом засухи, когда свободный пролин накапливается у некоторых сортов при умеренном стрессе засухи, а свободный аспарагин у некоторых сортов в условиях сильного стресса засухи. Примечательно, что в этом исследовании картофель, коммерчески выращиваемый в Великобритании с орошением, обладал большим потенциалом образования акриламида, чем картофель, выращенный без орошения (Muttucumaru et al., 2015), но разные генотипы по-разному реагировали на одно и то же лечение, что указывает на отсутствие единой, объединяющей реакции на стресс, вызванный засухой клубней картофеля.
Сложность и непоследовательность между сортами этих результатов означает, что не было дано никаких рекомендаций по выращиванию картофеля для смягчения воздействия акриламида, за исключением удобрений азотом и орошения, достаточного только для обеспечения здоровья и урожайности урожая, и не более. Учитывая отсутствие стратегии управления растениеводством, снижение акриламидообразующей способности картофеля потребует выведения новых, улучшенных сортов.Ключевой вопрос для селекционеров заключается в том, к каким целям они должны стремиться: к низкой концентрации понижающего сахара и стабильности сахара во время хранения, или к снижению концентрации свободного аспарагина, или к тому и другому. Снижение концентрации редуцирующих сахаров может показаться очевидной целью, но, в частности, сорта для чипсов уже много лет выращиваются для низких концентраций сахара, и самые низкие уже могут быть близки к минимуму, чтобы их можно было « обжарить » для получения приемлемого цвета и текстуры. , а также вкус и аромат для продуктов с тонкими ароматизаторами или без них.Концентрация редуцирующих сахаров влияет на все продукты реакции Майяра, тогда как концентрация свободного аспарагина специфически влияет на образование акриламида, что делает последний, возможно, лучшей мишенью. В настоящее время селекционерам доступны обширные генетические ресурсы, позволяющие им снизить концентрацию свободного аспарагина в картофеле. Было показано, что признак разделяется в племенной популяции, и были идентифицированы локусы количественных признаков (Shepherd et al., 2010, 2013), в то время как теперь доступны данные о геноме картофеля (Potato Genome Sequencing Consortium, 2011) и гены, кодирующие аспарагинсинтетазы и могут быть нанесены на карту другие важные ферменты.
Проблема снижения акриламидообразующей способности картофеля также поддается биотехнологическим подходам. Действительно, генетически модифицированные (ГМ) сорта картофеля со значительно сниженными концентрациями свободного аспарагина и / или редуцирующих сахаров, вместе с улучшенной стабильностью концентраций сахара при хранении в холодильнике, уже были разработаны и проданы в США компанией Simplot Company из Бойсе, штат Айдахо. . Сорта называются Innate® и Innate® Generation 2. Оба имеют пониженную экспрессию в клубне гена аспарагинсинтетазы, ASN1 , а также пониженную экспрессию двух генов, кодирующих ферменты расщепления крахмала (фосфорилаза L ( PhL ) и связанный с крахмалом R1 ( R1 )) и ген ( PPO5 ), кодирующий полифенолоксидазу, фермент, участвующий в синяках, все в результате РНК-интерференции (РНКи).Innate® Generation 2 также имеет сниженную экспрессию вакуолярной инвертазы ( VInv ) и повышенную устойчивость к фитофторозу за счет включения гена устойчивости из Solanum venturii . Низкая концентрация свободного аспарагина и редуцирующих сахаров в клубнях Innate® Generation 2, как утверждается, снижает потенциал образования акриламида на 90% по сравнению с обычным картофелем, эффективно решая проблему. В настоящее время нет никаких перспектив выращивания этих или любых других генетически модифицированных сортов в Европе, что подчеркивает, насколько далеко биотехнологии сельскохозяйственных культур отстают в Великобритании и Европе по сравнению с США, и как это начинает подрывать усилия по повышению безопасности пищевых продуктов.Тем не менее, новые биотехнологические методы редактирования генома также применимы для смягчения воздействия акриламида, и, по сути, методы мутагенеза могут ускользнуть от ограничений, регулирующих ГМ-культуры в Европе. Действительно, ген VInv уже был нацелен с помощью эффекторных нуклеаз, подобных активатору транскрипции (TALENS) (Clasen et al., 2016). Были получены линии с полными нокаутами VInv , и клубни этих растений имели чрезвычайно низкие уровни редуцирующих сахаров и использовались для изготовления чипсов с гораздо более низкими уровнями акриламида, чем чипсы, полученные из контрольных клубней.
Светодиодные чипы-OPTOTECH
СВЕТОДИОДНЫЕ И КРЕМНИЕВЫЕ ДАТЧИКИ
светодиодные чипы
Когда дело доходит до технологии светоизлучающих диодов (LED), мы не бездельничаем. В конце концов, это наш основной бизнес, и это бизнес, который мы хорошо знаем. У нашего отдела оптоэлектронной продукции было много лет, чтобы отрегулировать и усовершенствовать свой производственный процесс до передового уровня сегодняшнего дня. Ассортимент продукции OPTOTECH широк и разнообразен, он идеально соответствует вашим потребностям.Мы также предлагаем индивидуальные решения для ваших конкретных приложений.
Видимые светодиодные чипы
Полноцветные светодиоды, цифровые дисплеи, точечно-матричные дисплеи, индикаторы источников света для факсов, компоненты индикаторов для потребительских товаров, включая бытовую технику, средства связи и компьютеры, внутреннее освещение и задние фонари, мониторы и подсветку телевизора, вспышки для продуктов 3C , проектор, источник света, освещение для сельскохозяйственных растений и рыбалки, все виды внутреннего и наружного освещения.
| ИНГАН | зеленый, синий |
|---|---|
| АЛГАИНП | Красный, оранжевый, янтарный, зеленовато-желтый, чистый зеленый |
| GaP | Красный, зеленовато-желтый, стандартный зеленый, чисто-зеленый |
| GaAsP | Красный, оранжевый, красновато-оранжевый, янтарный |
| AlGaAs | SH, DH, DDH |
Инфракрасный светодиодный чип
Компоненты дистанционного управления для инфракрасных излучающих диодов, фотоэлементов, фотоэлементов и инфракрасного освещения.
| AlGaAs | Инфракрасный |
|---|---|
| GaAs | Инфракрасный |
Продукция: светодиодные чипы 、 Кремниевые сенсорные чипы 、 Прочее
Микросхема ИК-приемника среднего классаWaltonchain запущена в массовое производство | by Waltonchain_EN
Недавно микросхема инфракрасного приемника среднего уровня (XMS8088), разработанная компанией Silictec, оказывающей техническую поддержку Waltonchain, вступила в фазу массового производства.Два других чипа, высокопроизводительный инфракрасный приемник с защитой от помех Wi-Fi (XMS8098) и младший инфракрасный приемник (XMS8090), соответственно, вступили в стадию подготовки к массовому производству, которое запланировано на этот год.
В настоящее время быстро развиваются такие развивающиеся отрасли, как большие данные, облачные вычисления, Интернет вещей, мобильный Интернет и искусственный интеллект. Развитие технологии микросхем (интегральных схем) представляет собой новую тенденцию. Чипы, виртуальная реальность, умные роботы и умные подключенные к Интернету автомобили также переживают взрывной рост.Под влиянием рынка и при поддержке политики правительства Китая китайская промышленность по производству микросхем быстро развивалась, и ее общая сила значительно улучшилась. В 2017 году производство микросхем в Китае достигло 156,5 миллиарда единиц и увеличилось примерно на 18,2% по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, что означает выручку от продаж в размере 541,2 миллиарда юаней с увеличением на 24,8% по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. К 2020 году ожидается, что выручка от продаж достигнет 1 трлн юаней.
Являясь мировым лидером в области блокчейн + IoT, Waltonchain стремится удовлетворить реальные потребности отрасли в приложениях и поддерживает реальную экономику, а также помогает в преобразовании и обновлении отрасли с помощью технологии блокчейн.Waltonchain инновационным образом сочетает технологию блокчейн с чипами RFID для реализации ценности Интернета вещей. В процессе окончательного проектирования микросхема приемника инфракрасного излучения среднего уровня (XMS8088), разработанная отделом исследований и разработок Silictec, преуспела в записи на магнитную ленту с первой попытки, что свидетельствует о нашей большой технической силе. Стоит отметить, что команда разработчиков уже зарегистрировала макет интегральной схемы. Чип в основном используется в продуктах с инфракрасным дистанционным управлением с широким спектром применения, от кондиционеров, телевизоров и другой бытовой техники до игрушек с дистанционным управлением, и охватывает практически все отрасли.
Микросхема инфракрасного приемника среднего уровня (XMS8088)
Это маломощный высокочувствительный микросхема инфракрасного приемника. В настоящее время мы готовим серию заявок на патенты на основную технологию. Ниже приведены некоторые характеристики микросхемы:
1. Поддерживается широкий диапазон входного напряжения: от 2,7 до 5,5 В;
2. Сверхнизкое энергопотребление: всего 355 мкА при 5 В;
3. Нечувствителен к колебаниям напряжения питания и помехам от внешнего освещения, обладает высокой чувствительностью и устойчивостью к шумам.
Свидетельство о регистрации макета микросхемы инфракрасного приемника среднего уровня (XMS8088)Два других чипа, разработанных Silictec, — это высокопроизводительный микросхема инфракрасного приемника с защитой от помех Wi-Fi (XMS8098) и микросхема нижнего уровня инфракрасного приемника (XMS8090). ). Их массовое производство также запланировано на 2018 год. Кроме того, есть также чип RFID-метки UHF, который является аппаратной основой для решений Waltonchain blockchain + IoT и чип ядра майнера в стадии разработки; их инженерные образцы выйдут в этом году.В частности, чип RFID-метки UHF поможет Waltonchain в будущем связывать все виды данных в Интернете вещей. Имея этот чип тегов, Waltonchain также сделает большой шаг в блокчейне + IoT.
Высококачественная микросхема инфракрасного приемника с защитой от помех Wi-Fi (XMS8098)
Микросхема инфракрасного приемника с функцией защиты от помех Wi-Fi, которая имеет преимущества микросхемы инфракрасного приемника среднего уровня (XMS8088), включая широкий вход Диапазон напряжения, низкое энергопотребление, сильная защита от помех и хорошая защита Wi-Fi 2.Помехи 4 ГГц и 5 ГГц.
Низкая микросхема инфракрасного приемника (XMS8090)
Недорогая микросхема инфракрасного приемника со сверхнизким энергопотреблением и высоким соотношением цены и качества. Его энергопотребление снижено на 40% по сравнению с микросхемой инфракрасного приемника среднего уровня (XMS8088), он подходит для аккумуляторных батарей и других приложений, таких как игрушки, свечи и т. Д.
Как мы все знаем, реальная реализация заключительный шаг любого технологического новшества. Применение технологии в производственной цепочке поставок является важным критерием для определения ее ценности.На ранних этапах разработки мы продумывали различные типы сценариев промышленного применения. Waltonchain сочетает в себе децентрализацию, устойчивость к внешним воздействиям и другие программные функции блокчейна с аппаратным обеспечением RFID-чипов для беспрепятственного соединения физического и цифрового мира. У каждой компании общая цель — добросовестно развиваться, поэтому будет огромный спрос на достоверные, открытые, прозрачные и надежные данные. Благодаря быстрому развитию и высокой степени интеграции информационных технологий, таких как Интернет вещей, мобильный Интернет и облачные вычисления, интеллектуальное управление информацией стало ключевым фактором быстрого роста и совершенствования предприятий.
Массовое производство микросхемы инфракрасного приемника среднего класса показывает, что Silictec обладает превосходной технической прочностью и стала эталонной компанией в индустрии микросхем. Waltonchain инновационным образом сочетает RFID-чипы с блокчейном, постоянно предоставляет широкий спектр решений для компаний в различных отраслях и станет китайским блокчейн-единорогом. Waltonchain поможет преобразовать и модернизировать отрасль, а также поддержать мир будущего. Эта инициатива также продолжит продвигать человеческую цивилизацию к новой, заслуживающей доверия, полностью открытой и прозрачной фазе.
Полезные ссылки:
Повестка дня — симпозиум MLSys’21
Эффективные и масштабируемые обучающие системы должны в полной мере использовать возможности современного оборудования и производительности сред выполнения. Быстрое развитие моделей машинного обучения и оборудования для машинного обучения делает эту задачу все более сложной. Этот симпозиум призван собрать вместе экспертов из области компьютерной архитектуры и компиляторов, чтобы обсудить оборудование, специфичное для машинного обучения, и то, как в полной мере использовать аппаратную специализацию и методы компиляции, чтобы обеспечить наилучшую производительность для современных рабочих нагрузок машинного обучения.
Спикеры
Билл Далли
Уиллард Р. и Инез Керр Белл Профессор в Стэнфорде и главный научный сотрудник NVIDIA
Луис Сезе
Профессор Вашингтонского университета, соучредитель и генеральный директор OctoML
Саман Амарасингхе
Профессор кафедры электротехники и информатики Массачусетского технологического института
Организаторы
Му Ли
Старший научный сотрудник AWS
Повестка дня
Утренняя сессия (тихоокеанское время)
- 8: 30–8: 35
-
- Открытие
- Организаторы
- 8: 35–9: 30
-
- Логарифмические числа и асинхронные накопители, будущее микросхем DL
- Bill Dally
- 9: 30–10284
- Захари ДеВито
- 10: 00–10: 30
-
Перерыв
90 282 10: 30–11: 00 -
- Наука для разработки нейронных сетей и ТПУ
- Клифф Янг
- 11: 00–11: 30
-
- MLIR и MLIR в экосистеме TensorFlow
- Jacques Pienaar
- Как удобство использования улучшает производительность PyTorch
Послеобеденная сессия
- 13: 00–13: 40
-
- Поддержка разреженных вычислений в машинном обучении
- Саман Амарасингхе
- 13: 40–14: 10 IR-код
-
- 9028 Инструменты (CIRCT) для приложений машинного обучения.
- Майк Урбах
- 14: 10–14: 30
-
Перерыв
- 14: 30–15: 00
-
- На пути к автоматическому планированию для тензорных вычислений
- Tianqi Chen –15: 30
-
- ИИ конечной точки и появление microNPU
- Томас Эдсо
- 15: 30–16: 30
-
- Панельная дискуссия
- Крис Латтнер, Луис Сезе
- 16: 30–17: 00
-
- Совместное проектирование компилятора для гетерогенных вычислений AI
- Xiaoyong Liu
См. Также
Почему чипы умирают
Полупроводниковые устройства содержат сотни миллионов транзисторов, работающих при экстремальных температурах и в агрессивных средах, поэтому неудивительно, что многие из этих устройств не работают должным образом или имеют ограниченный срок службы.Некоторые устройства никогда не покидают лабораторию, а многие другие умирают прямо на фабрике. Есть надежда, что большинство устройств, выпущенных в продукты, доживут до тех пор, пока они не станут устаревшими, но может случиться много вещей, из-за которых они не продвинутся так далеко. Даже устройства, которые работают правильно, могут быть скомпрометированы до такой степени, что они больше не будут обеспечивать правильные результаты.
Существует длинный список общих опасностей и их причин. Обычно они делятся на несколько категорий, которые подробно описаны ниже.
Смерть из-за конструкции
Согласно результатам исследования функциональной проверки Mentor / Wilson, только 26% ASIC достигли первого успеха в кремнии в 2018 году. Частично причина низкой успешности заключается в том, что новые технологические узлы добавляют проблемы, которые не до конца понятны. Проблемы, которые существовали некоторое время, включаются в инструменты и потоки, что снижает опасность этих известных проблем. Тем не менее, в 2018 году интерфейсы со смешанными сигналами, перекрестные помехи, синхронизация и падение ИК-излучения — все известные проблемы — резко увеличили скорость, с которой эти проблемы вызывали респины.
Рис. 1: Тип недостатков ASIC, влияющих на повторное вращение. Источник: Wilson Research Group и наставник, подразделение Siemens, «Исследование функциональной проверки, 2018 г.».«Некоторые клиентские микросхемы выходят из строя, потому что их процесс разработки был более спонтанным», — говорит Кеннет Чанг, менеджер по продукции Synopsys. «Один заказчик провел анализ мощности на уровне блоков, а затем интеграцию. Они думали, что могут исправить проблемы на этом этапе. Его нельзя было исправить, и чип был мертв. Чипы умирают, потому что старые методы больше не работают в новых агрессивных передовых технологиях.”
Он не обязательно должен быть нефункциональным, чтобы выйти из строя. «Он может потерпеть неудачу, потому что не достигнет целевых показателей производительности», — говорит Джерри Чжао, директор по управлению продуктами в Digital and Signoff Group в Cadence. «Если кремний будет работать на 10% медленнее, чем ожидалось, он может оказаться неконкурентоспособным на рынке».
Power становится проблемой, особенно когда питание встроено в микросхему. «Сеть доставки питания (PDN) — это распределенная RLC-сеть, которую можно разделить на три части: на кристалле, корпусе и плате», — говорит Лиза Минвелл, старший менеджер по маркетингу решений в Arm ’s Physical Design Group.«На кристалле существует потребность в более высокой тактовой частоте, более низком напряжении и увеличении плотности транзисторов. В то время как передовая технология finFET позволила постоянно повышать производительность, повышенная плотность мощности делает закрытие ИК-капель сложной задачей. Точное моделирование и минимизация запасов напряжения имеют решающее значение для достижения баланса между энергоэффективностью и надежностью ».
Но маржа может быть пессимистичной, что ограничивает конкурентоспособность. Некоторые компании рискуют и идут вперед, несмотря на обнаружение проблем.«Крупная компания, занимающаяся памятью, записывает на пленку известные крупные проблемы, связанные с падением ИК-излучения», — говорит Чанг. «Пока это не выглядит так плохо, они записывают на пленку, потому что для них важнее расписание. Клиенты учатся, и в этом случае их чипы не отказали. Если они не терпят неудачу, они просто продолжают делать то, что делают. По мере того, как они переходят к более агрессивным узлам, им необходимо будет больше ориентироваться на метрики и выполнять анализ EMIR ».
Связано все больше вопросов. Например, мощность, падение ИК-излучения, тепловыделение, время, электромиграция — все взаимосвязано, но анализ большинства из них выполняется отдельно.«Электрошум — это проблема», — говорит Чжао. «Напряжение питания падает, и в то же время пользователи хотят большей производительности. У вас не так много мощности от батареи, может быть, 850 мВ, но вам все равно нужна производительность 3 ГГц. Шум мощности может иметь большое влияние, особенно если есть различия в кристалле, и этот [шум] может меняться со временем и в зависимости от местоположения. Таким образом, одна и та же ячейка в разных местах может выйти из строя из-за падения напряжения и, следовательно, временной задержки. Вы должны проанализировать ячейки в контексте падения напряжения и выполнить статический временной анализ с учетом напряжения.Некоторые пути могут быть очень чувствительны к изменению напряжения ».
По мере того, как проблемы становятся более понятными, инструменты улучшают анализ, и можно использовать методологии проектирования, чтобы обойти проблемы. «Сложность приводит к большей удельной мощности, а это, в свою очередь, приводит к локальному нагреву (горячим точкам) внутри чипа», — объясняет Рамзи Аллен, вице-президент по маркетингу Moortec. «Повышенная плотность затвора также приводит к большим падениям напряжения питания в цепях. Высокоточные датчики температуры и мониторы напряжения питания по всей конструкции позволяют системе управлять такими условиями и адаптироваться к ним, повышая надежность устройства и оптимизируя производительность за счет предоставления решений для управления температурным режимом и обнаружения аномалий питания.Это особенно актуально в проектах центров обработки данных и искусственного интеллекта, где повышенные требования к производительности создают огромную нагрузку на дизайн с точки зрения температуры и напряжения ».
Смерть в результате производства
При производстве полупроводниковых устройств используются структуры размером всего несколько нанометров. Для сравнения: длина нити человеческой ДНК составляет 2,5 нм, а диаметр человеческого волоса составляет от 80 000 до 100 000 нм. Одна частица пыли может разрушить несколько кристаллов на пластине.Если размер кристалла увеличивается, вероятность случайных отказов увеличивается. Для зрелого технологического узла возможны выходы от 80% до 90%. Однако для более новых узлов доходность может быть значительно ниже 50%, хотя фактические цифры строго охраняются в секрете.
Рис. 2. Виды дефектов пластины. Источник: Marvell Semiconductor, ITC 2015.Даже смерть, которая не подверглась катастрофическому воздействию, не может считаться работоспособной. Этапы производства не идеальны, и изменение процесса всего на один атом может иметь существенное значение.Хотя это может не повлиять на некоторые части дизайна, если изменения процесса совпадают с критическим временным трактом, это может вывести устройство из строя.
«Поскольку дизайн превращается в глубоко субмикронные технологии с усовершенствованной упаковкой, вариативность и ее влияние на надежность не очень хорошо отражаются в существующих инструментах моделирования и методологии проектирования», — объясняет Картик Сринивасан, менеджер по продукции ESD / Thermal / Reliability. в ANSYS. «Это вызывает пробелы в процессе проектирования, что приводит к некоторым сбоям.”
Процесс проектирования все в большей степени позволяет учитывать вариации на ранних этапах разработки, чтобы минимизировать их влияние, а такие методы проектирования, как избыточность, могут уменьшить количество «почти работающих» микросхем, которые необходимо выбросить. «Почти рабочие» микросхемы очень распространены для больших массивов памяти. Биннинг — это еще одна практика, часто используемая для процессоров, где лучшие устройства, работающие на более высоких частотах, могут быть проданы по более высоким ценам, в то время как те, которые успешно работают только при пониженной частоте, продаются со скидкой.
Это задача тестирования — выяснить, какие кристаллы полностью функциональны. Маргинальные кубики часто попадают в стопку сброса, но некоторые нефункциональные кубики ускользают и попадают в продукты.
Смерть при обращении
Есть несколько способов убить чип. Учтите, что 0,5 В, приложенное к внешней стороне микросхемы, создает электрические поля 0,5 МВ / м при приложении к диэлектрику толщиной 1 нм. Этого достаточно, чтобы образовалась дуга высоковольтной проволоки. Теперь подумайте, что происходит, когда вы касаетесь контактов микросхемы.«Как правило, это гораздо более высокое напряжение, и в зависимости от того, как прикасаются к контактам, у вас есть разные модели, такие как модель человеческого тела или модель распределения заряда (CDM)», — объясняет Чжао. «Эти модели определяют, как ток подается на вывод. Это форма волны, которая меняется во времени ».
Обычно чип содержит защиту от электростатического разряда (ESD). «Для одного кристалла на упаковке они нацелены на такие стандарты, как 2 кДж», — отмечает Шринивасан из ANSYS.«Многопроцессорные решения, такие как HBM, соответствуют несколько более низким стандартам. Одна из причин перейти на 2.5D или 3D IC — это производительность, а ESD — это препятствие для производительности. Вы пытаетесь свести к минимуму электростатический разряд или даже избавиться от него на этих широких интерфейсах ввода-вывода или любых интерфейсных каналах с несколькими кристаллами, что означает, что вы не можете действительно протестировать каждый кристалл по тем же стандартам, которые вы нацеливаете на один кристалл. Они должны пройти более специализированный способ тестирования, потому что у них будет минимальная защита от электростатического разряда или, возможно, не будет защиты от электростатического разряда.”
Даже во время работы события ESD могут вызвать проблемы. «Электростатический разряд может вызывать множество типов программных ошибок в портативных электронных продуктах», — говорит Минвелл из Arm. «Во время электростатического разряда в сети распределения питания (PDN) может возникать шум либо из-за чувствительности некоторых ИС (ИС генератора, ЦП и других ИС), либо из-за связи поля со следами PDN».
Смерть по ассоциации
«Программные ошибки могут возникать по-разному, и если они являются системными для проекта, это может создать впечатление, будто чип не работает.3D IC увеличивает потребность в методологии проектирования с учетом электромагнитных полей », — говорит Магди Абадир, вице-президент по маркетингу Helic. «Это происходит из-за более высокой плотности мощности и увеличения количества слоев в стеке, что создает более высокий риск создания антенн, усиливающих магнитные поля, создаваемые по всей конструкции».Слабые источники питания также могут быть проблемой. «Функции микросхем зависят от транзистора, выполняющего переход», — говорит Чжао.«Это зависит от напряжения питания. Если он работает при 1 В, он, вероятно, может упасть еще на 10% или 20% и по-прежнему будет работать. Но время будет другим, и поэтому максимальная тактовая частота может быть ниже ».
При понижении напряжения схема становится более восприимчивой к шумам. «Электромагнитные помехи (EMI) — это шум, исходящий от микросхемы в окружающую среду, — говорит Норман Чанг, главный технолог подразделения полупроводников ANSYS. «Источником шума является активная схема, которая будет генерировать ток на проводах заземления питания и сигнальных проводах.Провода питания / заземления пройдут через корпус к печатной плате, и, если он увидит структуру антенны на корпусе или плате, вызовет воздушное излучение, а затем через структуру антенны будет излучать как помехи для окружающей среды. . »
Но то, что выходит наружу, также входит. «Электромагнитная восприимчивость (EMS) — это новая проблема, о которой люди должны беспокоиться», — отмечает Чанг. «Тест с подачей мощности — это подача 1 Вт от 150 кГц до 1 ГГц. На каждой частоте вы вводите в систему энергию 1 Вт.Если у вас недостаточно защиты, вы разрушите цепи на пути к микросхеме. Цель состоит не в том, чтобы разрушить микросхему, а в том, чтобы проверить, повлияет ли этот шум на схему. Или напряжение на выводе может быть слишком высоким, и если оно будет слишком высоким, вы получите электрическое перенапряжение ».
Смерть в результате операции
В этот момент микросхема достигла поля и считается работоспособной. «Надежность — это большая проблема, — говорит Фионн Ширин, главный инженер по маркетингу продукции подразделения аналогового питания и интерфейсов Microchip.«Во многих случаях плохая тепловая конструкция не приводит к мгновенному катастрофическому отказу или даже к получению посредственных продуктов. Это изделия с коротким сроком службы устройства. Наблюдение за горячими точками в планировке или передовая практика планировки и хорошая планировка пола могут иметь значение. Здесь также действительно важны ваша проверка и тестирование надежности. Это также проблема функциональной безопасности в автомобильной промышленности ».Джо Дэвис, директор по маркетингу продукции компании Mentor, подразделения Siemens, соглашается.«Тепло вызывает больше проблем, чем просто нагревается телефон в кармане. Это вызывает ухудшение работы транзисторов и соединений между ними. Это может повлиять как на производительность, так и на надежность ».
Тепло генерируется двумя источниками. «Первый в слоях трассировки», — говорит Чжао. «Это тепло, связанное с протеканием тока в проводах. Аналоговые схемы имеют большие токи, чем цифровые. Поэтому разработчикам аналоговых устройств приходится беспокоиться, если температура станет слишком высокой, так что провода могут расплавиться.Второй источник — транзисторы. Когда мы перешли к finFET, одним из новых явлений было самонагревание. Тепло следует по пути слабого сопротивления, который вертикально выходит из ребер транзистора. Это увеличивает нагрев проводов ».
Когда объединяются большие токи и тепло, электромиграция может медленно повредить провода. Точно так же физические эффекты, такие как отрицательная температурная нестабильность смещения (NBTI), когда у вас есть большие заряды, могут привести к перегрузке устройств и, если они будут удерживаться в течение длительного времени, могут привести к необратимому повреждению.
Заключение
Микросхемы
Эта статья содержит лишь несколько проблем, с которыми сталкиваются микросхемы при переходе от чертежной доски к продукту и последующем сохранении всего срока службы продукта.работают во враждебной среде, и полупроводниковая промышленность научилась решать эти проблемы. Но по мере уменьшения производственных габаритов или использования новой технологии упаковки возникают новые проблемы. Иногда эти новые эффекты приводят к отказу устройств. Но исторически сложилось так, что отрасль быстро научилась либо обходить новые проблемы, либо находить способы их минимизировать.
Похожие статьи
Укрощение НБТИ для повышения надежности устройства
Старение транзистора усиливается при 10/7 нм и ниже
Ошибки, которые убивают
.