Справочник микросхемы серии 155: Страница не найдена – Dymovskiy.name

Отечественные микросхемы ТТЛ, КМОП и их зарубежные аналоги (серии 74xx, 40xx)

Название	Назначение	Серия 155	Серия 555	Серия 531	Серия 1531	Серия 1530	Серия 1533	Серия 1554	Серия 1564	Серия 5564
АГ1	Одноканальный ждущий мультивибратор	74121	74LS121	74S121	74F121	74AS121	74ALS121	74AC121	74HC121	74HCT121
АГ3	2 ждущих мультивибратора	74123	74LS123	74S123	74F123	74AS123	74ALS123	74AC123	74HC123	74HCT123
АП3	Буферный усилитель без инверсии	74240	74LS240	74S240	74F240	74AS240	74ALS240	74AC240	74HC240	74HCT240
АП4	Буферный усилитель без инверсии	74241	74LS241	74S241	74F241	74AS241	74ALS241	74AC241	74HC241	74HCT241
АП6	8 ДНШУ с тремя постоянными выходами	74245	74LS245	74S245	74F245	74AS245	74ALS245	74AC245	74HC245	74HCT245
ВГ1		74482	74LS482	74S482	74F482	74AS482	74ALS482	74AC482	74HC482	74HCT482
ВЖ1		74360	74LS360	74S360	74F360	74AS360	74ALS360	74AC360	74HC360	74HCT360
ГТ1	Генератор	74124	74LS124	74S124	74F124	74AS124	74ALS124	74AC124	74HC124	74HCT124
ИВ1	Приоритетный шифратор	74148	74LS148	74S148	74F148	74AS148	74ALS148	74AC148	74HC148	74HCT148
ИД1	Дешифратор для управления газоразрядными индикаторами	74141	74LS141	74S141	74F141	74AS141	74ALS141	74AC141	74HC141	74HCT141
ИД10	Двоично-десятичный дешифратор	74145	74LS145	74S145	74F145	74AS145	74ALS145	74AC145	74HC145	74HCT145
ИД14	Двойной высокоскоростной дешифратор	74139	74LS139	74S139	74F139	74AS139	74ALS139	74AC139	74HC139	74HCT139
ИД3	Дешифратор	74154	74LS154	74S154	74F154	74AS154	74ALS154	74AC154	74HC154	74HCT154
ИД4	2 дешифратора	74155	74LS155	74S155	74F155	74AS155	74ALS155	74AC155	74HC155	74HCT155
ИД6	Двоично-десятичный дешифратор	7442	74LS42	74S42	74F42	74AS42	74ALS42	74AC42	74HC42	74HCT42
ИД7	Высокоскоростной дешифратор-демультиплексор	74138	74LS138	74S138	74F138	74AS138	74ALS138	74AC138	74HC138	74HCT138
ИЕ10	Декадный двоичный счетчик	74161	74LS161	74S161	74F161	74AS161	74ALS161	74AC161	74HC161	74HCT161
ИЕ14	Декадный асинхронный счетчик	74196	74LS196	74S196	74F196	74AS196	74ALS196	74AC196	74HC196	74HCT196
ИЕ15	Декадный асинхронный счетчик	74197	74LS197	74S197	74F197	74AS197	74ALS197	74AC197	74HC197	74HCT197
ИЕ16	Синхронный реверсивный счетчик	74168	74LS168	74S168	74F168	74AS168	74ALS168	74AC168	74HC168	74HCT168
ИЕ17	Синхронный реверсивный счетчик	74169	74LS169	74S169	74F169	74AS169	74ALS169	74AC169	74HC169	74HCT169
ИЕ18	4-разрядный двоичный синхронный счетчик	74163	74LS163	74S163	74F163	74AS163	74ALS163	74AC163	74HC163	74HCT163
ИЕ2	4-разрядный десятичный асинхронный счетчик	7490	74LS90	74S90	74F90	74AS90	74ALS90	74AC90	74HC90	74HCT90
ИЕ4	4-разрядный двоичный счетчик	7492	74LS92	74S92	74F92	74AS92	74ALS92	74AC92	74HC92	74HCT92
ИЕ5	4-разрядный асинхронный счетчик	7493	74LS93	74S93	74F93	74AS93	74ALS93	74AC93	74HC93	74HCT93
ИЕ6	4-разрядный реверсивный счетчик	74192	74LS192	74S192	74F192	74AS192	74ALS192	74AC192	74HC192	74HCT192
ИЕ7	4-разрядный реверсивный счетчик	74193	74LS193	74S193	74F193	74AS193	74ALS193	74AC193	74HC193	74HCT193
ИЕ8	Программируемый счетчик	7497	74LS97	74S97	74F97	74AS97	74ALS97	74AC97	74HC97	74HCT97
ИЕ9	Декадный двоично-десятичный счетчик	74160	74LS160	74S160	74F160	74AS160	74ALS160	74AC160	74HC160	74HCT160
ИК2		74381	74LS381	74S381	74F381	74AS381	74ALS381	74AC381	74HC381	74HCT381
ИМ1	Полный сумматор	7480	74LS80	74S80	74F80	74AS80	74ALS80	74AC80	74HC80	74HCT80
ИМ2	cумматор без дополнительных инверсных и управляющих входов	7482	74LS82	74S82	74F82	74AS82	74ALS82	74AC82	74HC82	74HCT82
ИМ3	Быстродействующий полный сумматор	7483	74LS83	74S83	74F83	74AS83	74ALS83	74AC83	74HC83	74HCT83
ИМ6	Сумматор	74283	74LS283	74S283	74F283	74AS283	74ALS283	74AC283	74HC283	74HCT283
ИМ7	4 последовательных сумматора-вычитателя	74358	74LS358	74S358	74F358	74AS358	74ALS358	74AC358	74HC358	74HCT358
ИМ7	4 последовательных сумматора-вычитателя	74385	74LS385	74S385	74F385	74AS385	74ALS385	74AC385	74HC385	74HCT385
ИП2	8-разрядная схема для проверки на четность или нечетность	74180	74LS180	74S180	74F180	74AS180	74ALS180	74AC180	74HC180	74HCT180
ИП3	4-разрядное скоростное АЛУ	74181	74LS181	74S181	74F181	74AS181	74ALS181	74AC181	74HC181	74HCT181
ИП4	Высокоскоростная схема ускоренного переноса	74182	74LS182	74S182	74F182	74AS182	74ALS182	74AC182	74HC182	74HCT182
ИП6	4 ДНШУ с инверсией	74242	74LS242	74S242	74F242	74AS242	74ALS242	74AC242	74HC242	74HCT242
ИП7	4 ДНШУ без инверсии	74243	74LS243	74S243	74F243	74AS243	74ALS243	74AC243	74HC243	74HCT243
ИП8	ДНШУ	74261	74LS261	74S261	74F261	74AS261	74ALS261	74AC261	74HC261	74HCT261
ИП9	Перемножитель	74384	74LS384	74S384	74F384	74AS384	74ALS384	74AC384	74HC384	74HCT384
ИР1	4-разрядный сдвиговой регистр	7495	74LS95	74S95	74F95	74AS95	74ALS95	74AC95	74HC95	74HCT95
ИР11	Универсальный 4-разрядный сдвиговый регистр	74194	74LS194	74S194	74F194	74AS194	74ALS194	74AC194	74HC194	74HCT194
ИР12	Регистр для скоростных операций: сдвиг, счт, накопление	74195	74LS195	74S195	74F195	74AS195	74ALS195	74AC195	74HC195	74HCT195
ИР13	Универсальный, 8-разрядный, синхронный регистр сдвига	74198	74LS198	74S198	74F198	74AS198	74ALS198	74AC198	74HC198	74HCT198
ИР15	4-разрядный регистр	74173	74LS173	74S173	74F173	74AS173	74ALS173	74AC173	74HC173	74HCT173
ИР16	4-разрядный сдвиговой регистр с тремя состояниями вых.	74295	74LS295	74S295	74F295	74AS295	74ALS295	74AC295	74HC295	74HCT295
ИР22	8-разрядный регистр-защелка	74373	74LS373	74S373	74F373	74AS373	74ALS373	74AC373	74HC373	74HCT373
ИР23	8-разрядный регистр-зашелка с 8-ю тактируемыми триггерами	74374	74LS374	74S374	74F374	74AS374	74ALS374	74AC374	74HC374	74HCT374
ИР24	Универсальный 8-разрядный регистр	74299	74LS299	74S299	74F299	74AS299	74ALS299	74AC299	74HC299	74HCT299
ИР25	4-разрядный сдвиговой регистр	74395	74LS395	74S395	74F395	74AS395	74ALS395	74AC395	74HC395	74HCT395
ИР26	Регистр	74670	74LS670	74S670	74F670	74AS670	74ALS670	74AC670	74HC670	74HCT670
ИР27	Содержит 8 D-триггеров	74377	74LS377	74S377	74F377	74AS377	74ALS377	74AC377	74HC377	74HCT377
ИР28	Регистр	74322	74LS322	74S322	74F322	74AS322	74ALS322	74AC322	74HC322	74HCT322
ИР8	8-разрядный сдвиговый регистр с последовательным входом и параллельным выходом	74164	74LS164	74S164	74F164	74AS164	74ALS164	74AC164	74HC164	74HCT164
ИР9	8-разрядный сдвиговый регистр, имеющий параллельные и последовательный входы	74165	74LS165	74S165	74F165	74AS165	74ALS165	74AC165	74HC165	74HCT165
КП1	16-входовый мультиплексор	74150	74LS150	74S150	74F150	74AS150	74ALS150	74AC150	74HC150	74HCT150
КП11	4 2-входовых мультиплексора	74257	74LS257	74S257	74F257	74AS257	74ALS257	74AC257	74HC257	74HCT257
КП12	Двухканальный мультиплексор	74253	74LS253	74S253	74F253	74AS253	74ALS253	74AC253	74HC253	74HCT253
КП13	Двухканальный мультиплексор и 4-разрядный регистр	74298	74LS298	74S298	74F298	74AS298	74ALS298	74AC298	74HC298	74HCT298
КП14	4 2-входовых мультиплексора	74258	74LS258	74S258	74F258	74AS258	74ALS258	74AC258	74HC258	74HCT258
КП15	Мультиплексор	74251	74LS251	74S251	74F251	74AS251	74ALS251	74AC251	74HC251	74HCT251
Название	Назначение	Серия 155	Серия 555	Серия 531	Серия 1531	Серия 1530	Серия 1533	Серия 1554	Серия 1564	Серия 5564
КП2	2 4-входовых мультиплексора	74153	74LS153	74S153	74F153	74AS153	74ALS153	74AC153	74HC153	74HCT153
КП5	Селектор-мультиплексор	74152	74LS152	74S152	74F152	74AS152	74ALS152	74AC152	74HC152	74HCT152
КП7	Селектор-мультиплексор	74151	74LS151	74S151	74F151	74AS151	74ALS151	74AC151	74HC151	74HCT151
ЛА1	2 элемента 4И-НЕ	7420	74LS20	74S20	74F20	74AS20	74ALS20	74AC20	74HC20	74HCT20
ЛА10	3 элемента 3И-НЕ	7412	74LS12	74S12	74F12	74AS12	74ALS12	74AC12	74HC12	74HCT12
ЛА11	2 элемента 4И-НЕ	7426	74LS26	74S26	74F26	74AS26	74ALS26	74AC26	74HC26	74HCT26
ЛА12	4 элемента 2И-НЕ	7437	74LS37	74S37	74F37	74AS37	74ALS37	74AC37	74HC37	74HCT37
ЛА13	4 элемента 2И-НЕ	7438	74LS38	74S38	74F38	74AS38	74ALS38	74AC38	74HC38	74HCT38
ЛА19	1 элемент 12И с разрешением по вх.	74134	74LS134	74S134	74F134	74AS134	74ALS134	74AC134	74HC134	74HCT134
ЛА2	1 элемент 8И-НЕ	7430	74LS30	74S30	74F30	74AS30	74ALS30	74AC30	74HC30	74HCT30
ЛА3	4 элемента 2И-НЕ	7400	74LS00	74S00	74F00	74AS00	74ALS00	74AC00	74HC00	74HCT00
ЛА4	3 элемента 3И-НЕ	7410	74LS10	74S10	74F10	74AS10	74ALS10	74AC10	74HC10	74HCT10
ЛА6	2 элемента 4И-НЕ	74140	74LS140	74S140	74F140	74AS140	74ALS140	74AC140	74HC140	74HCT140
ЛА6	2 элемента 4И-НЕ	7440	74LS40	74S40	74F40	74AS40	74ALS40	74AC40	74HC40	74HCT40
ЛА7	2 элемента 4И-НЕ	7422	74LS22	74S22	74F22	74AS22	74ALS22	74AC22	74HC22	74HCT22
ЛА8	4 элемента 2И-НЕ	7401	74LS01	74S01	74F01	74AS01	74ALS01	74AC01	74HC01	74HCT01
ЛА9	4 элемента 2И-НЕ	7403	74LS03	74S03	74F03	74AS03	74ALS03	74AC03	74HC03	74HCT03
ЛД1	2 элемента 4И с вых. от коллектора и эмиттера	7460	74LS60	74S60	74F60	74AS60	74ALS60	74AC60	74HC60	74HCT60
ЛЕ1	4 элемента 2ИЛИ-НЕ	7402	74LS02	74S02	74F02	74AS02	74ALS02	74AC02	74HC02	74HCT02
ЛЕ2	2 элемента 4ИЛИ-НЕ с разрешением по входу	7423	74LS23	74S23	74F23	74AS23	74ALS23	74AC23	74HC23	74HCT23
ЛЕ3	2 элемента 4ИЛИ-НЕ с разрешением по входу	7425	74LS25	74S25	74F25	74AS25	74ALS25	74AC25	74HC25	74HCT25
ЛЕ4	3 элемента 3ИЛИ-НЕ	7427	74LS27	74S27	74F27	74AS27	74ALS27	74AC27	74HC27	74HCT27
ЛЕ5	4 элемента 2ИЛИ-НЕ	7428	74LS28	74S28	74F28	74AS28	74ALS28	74AC28	74HC28	74HCT28
ЛЕ6	2 элемента 4ИЛИ-НЕ	74128	74LS128	74S128	74F128	74AS128	74ALS128	74AC128	74HC128	74HCT128
ЛЕ7	2 элемента 5ИЛИ-НЕ	74260	74LS260	74S260	74F260	74AS260	74ALS260	74AC260	74HC260	74HCT260
ЛИ1	4 элемента 2И	7408	74LS08	74S08	74F08	74AS08	74ALS08	74AC08	74HC08	74HCT08
ЛИ3	3 элемента 3ИЛИ	7411	74LS11	74S11	74F11	74AS11	74ALS11	74AC11	74HC11	74HCT11
ЛИ4	3 элемента 3И	7415	74LS15	74S15	74F15	74AS15	74ALS15	74AC15	74HC15	74HCT15
ЛИ6	2 элемента 4И	7421	74LS21	74S21	74F21	74AS21	74ALS21	74AC21	74HC21	74HCT21
ЛЛ1	4 элемента 2ИЛИ	7432	74LS32	74S32	74F32	74AS32	74ALS32	74AC32	74HC32	74HCT32
ЛЛ3	4 2-входовых элемента=1	74136	74LS136	74S136	74F136	74AS136	74ALS136	74AC136	74HC136	74HCT136
ЛН1	6 элементов НЕ	7404	74LS04	74S04	74F04	74AS04	74ALS04	74AC04	74HC04	74HCT04
ЛН2	6 элементов НЕ	7405	74LS05	74S05	74F05	74AS05	74ALS05	74AC05	74HC05	74HCT05
ЛН3	6 элементов НЕ	7406	74LS06	74S06	74F06	74AS06	74ALS06	74AC06	74HC06	74HCT06
ЛН4	6 буферных элементов без инверсии	7407	74LS07	74S07	74F07	74AS07	74ALS07	74AC07	74HC07	74HCT07
ЛН5	6 элементов НЕ	7416	74LS16	74S16	74F16	74AS16	74ALS16	74AC16	74HC16	74HCT16
ЛН6	6 буферных элементов с инверсией и разрешением по И	74366	74LS366	74S366	74F366	74AS366	74ALS366	74AC366	74HC366	74HCT366
ЛП10	6 буферных элементов без инверсии с разрешением по И	74365	74LS365	74S365	74F365	74AS365	74ALS365	74AC365	74HC365	74HCT365
ЛП11	6-канальные буферные элементы с тремя вых. состояниями	74367	74LS367	74S367	74F367	74AS367	74ALS367	74AC367	74HC367	74HCT367
ЛП4	6 буферных элементов без инверсии	7417	74LS17	74S17	74F17	74AS17	74ALS17	74AC17	74HC17	74HCT17
ЛП5	4 2-входовых элемента	7486	74LS86	74S86	74F86	74AS86	74ALS86	74AC86	74HC86	74HCT86
ЛП8	4 буферных элемента с инверсией и разрешением по вх. и вых.	74125	74LS125	74S125	74F125	74AS125	74ALS125	74AC125	74HC125	74HCT125
ЛР1	1 элемент 2-2И-2ИЛИ-НЕ с расширителем и 1 элемент 2-2И-2ИЛИ-НЕ	7450	74LS50	74S50	74F50	74AS50	74ALS50	74AC50	74HC50	74HCT50
ЛР10	2-3И-2-2И-4ИЛИ-НЕ	7465	74LS65	74S65	74F65	74AS65	74ALS65	74AC65	74HC65	74HCT65
ЛР11	1 элемент 2-3И-2ИЛИ-НЕ, 1 элемент 2-2И-2ИЛИ-НЕ	7451	74LS51	74S51	74F51	74AS51	74ALS51	74AC51	74HC51	74HCT51
ЛР13	1 элемент 2-3И-2-2И-4ИЛИ-НЕ	7454	74LS54	74S54	74F54	74AS54	74ALS54	74AC54	74HC54	74HCT54
ЛР3	1 элемент 4-2И-4ИЛИ-НЕ	7453	74LS53	74S53	74F53	74AS53	74ALS53	74AC53	74HC53	74HCT53
ЛР4	1 элемент 2-4И-2ИЛИ-НЕ	7455	74LS55	74S55	74F55	74AS55	74ALS55	74AC55	74HC55	74HCT55
ЛР9	2-3И-2-2И-4ИЛИ-НЕ	7464	74LS64	74S64	74F64	74AS64	74ALS64	74AC64	74HC64	74HCT64
ПР6	Преобразователи двоично-десятичных слов	74184	74LS184	74S184	74F184	74AS184	74ALS184	74AC184	74HC184	74HCT184
ПР7	Преобразователи двоично-десятичных слов	74185	74LS185	74S185	74F185	74AS185	74ALS185	74AC185	74HC185	74HCT185
РП1	Матрица памяти	74170	74LS170	74S170	74F170	74AS170	74ALS170	74AC170	74HC170	74HCT170
РП3	Регистровое ЗУ, 8 слов х 2 бита	74172	74LS172	74S172	74F172	74AS172	74ALS172	74AC172	74HC172	74HCT172
РУ1	Статическое ОЗУ 16х1	7481	74LS81	74S81	74F81	74AS81	74ALS81	74AC81	74HC81	74HCT81
СП1	4-разрядные цифровые компараторы	7485	74LS85	74S85	74F85	74AS85	74ALS85	74AC85	74HC85	74HCT85
ТВ1	Универсальный, многоцелевой JK-триггер	7472	74LS72	74S72	74F72	74AS72	74ALS72	74AC72	74HC72	74HCT72
ТВ10	2 JK-триггера	74113	74LS113	74S113	74F113	74AS113	74ALS113	74AC113	74HC113	74HCT113
ТВ11	2 JK-триггера	74114	74LS114	74S114	74F114	74AS114	74ALS114	74AC114	74HC114	74HCT114
ТВ15	2 независимых JK-триггера	74109	74LS109	74S109	74F109	74AS109	74ALS109	74AC109	74HC109	74HCT109
ТВ6	2 JK-триггера	74107	74LS107	74S107	74F107	74AS107	74ALS107	74AC107	74HC107	74HCT107
ТВ9	2 JK-триггера	74112	74LS112	74S112	74F112	74AS112	74ALS112	74AC112	74HC112	74HCT112
ТЛ1	Логические элементы-триггеры Шмитта	7413	74LS13	74S13	74F13	74AS13	74ALS13	74AC13	74HC13	74HCT13
ТЛ2	Логические элементы-триггеры Шмитта	7414	74LS14	74S14	74F14	74AS14	74ALS14	74AC14	74HC14	74HCT14
ТЛ3	Логические элементы-триггеры Шмитта	74132	74LS132	74S132	74F132	74AS132	74ALS132	74AC132	74HC132	74HCT132
ТМ2	2 независимых D-триггера	7474	74LS74	74S74	74F74	74AS74	74ALS74	74AC74	74HC74	74HCT74
ТМ5	2 пары D-триггеров	7477	74LS77	74S77	74F77	74AS77	74ALS77	74AC77	74HC77	74HCT77
ТМ7	2 пары D-триггеров	7475	74LS75	74S75	74F75	74AS75	74ALS75	74AC75	74HC75	74HCT75
ТМ8	4 D-триггера с общими входами С и R	74175	74LS175	74S175	74F175	74AS175	74ALS175	74AC175	74HC175	74HCT175
ТМ9	6 D-триггеров с общими	74174	74LS174	74S174	74F174	74AS174	74ALS174	74AC174	74HC174	74HCT174
ТР2	4 RS-триггера	74279	74LS279	74S279	74F279	74AS279	74ALS279	74AC279	74HC279	74HCT279

Микросхемы отечественного производства — Справочник по микросхемам

Справочник по отечественным микросхемам

В этом разделе сайта публикуются справочные данные на микросхемы отечественного производства.

Если Вы не нашли то что искали- всегда можете спросить у нас на ФОРУМЕ!

Материалы Раздела Справочник по отечественным микросхемам.

серия К140

* КР140МА1 * К140УД1 * К140УД2 * К140УД5А * К140УД6 * К140УД7 * К140УД8 * К140УД11 * К140УД12 * К140УД13 * К140УД14 * К140УД17 * КР140УД18 *

Серия К153

* К153УД1А * К153УД2 * К153УД5 * К153УД6 *

Серия К154

* К154УД1 * К154УД3 * К154УД4 *

Серия К155

* К155АГ1 * К155АГ3 * К155АП1 * К155ИВ1 * К155ИД1 * К155ИД3 * К155ИД4 * К155ИД8 * К155ИД9 * К155ИД10 * К155ИЕ1 * К155ИЕ2 * К155ИЕ4 * К155ИЕ5 * К155ИЕ6 * К155ИЕ7 * К155ИЕ8 * К155ИЕ9 * К155ИЕ14 * К155ЛА1 * К155ЛА2 * К155ЛА3 * К155ЛА4 * К155ЛА6 * К155ЛА7 * К155ЛА8 * К155ЛА10 * К155ТМ2 *

Серия К174

* К174УН4 * К174УН5 * К174УН7 * К174УН8 * К174УН9 * К174УН10 * К174УН11 * К174УН12 * К174ХА10* К174ХА34 * К174ХА42*  К174ХА54* К174ПС1*

Прочие

* К143КТ1 * К148УН1 * К148УН2 * К554СА1 * К1003ПП1* КС1066ХА1* К1075УН1 * КР1588ХЛ2 *

* Микросхемы серии КР142ЕН *

* Микросхемы технологии КМОП (К176, К561, К564) подробнее

Аналоги отечественных микросхем

Аналоги микросхем серий 100- 109
Аналоги микросхем серии 105
Аналоги микросхем серий 110- 119
Аналоги микросхем серий 120- 129
Аналоги микросхем серии 130- 139
Аналоги микросхем серии 140-149
Аналоги микросхем серии 150-159
Аналоги микросхем серии 160- 169
Аналоги микросхем серий 170- 179
Аналоги микросхем серии 180-189
Аналоги микросхем серии 201- 228
Аналоги микросхем серии 230- 490
Аналоги микросхем серии 500- 529
Аналоги микросхем серии 530- 531
Аналоги микросхем серии 533
Аналоги микросхем серии 535- 549
Аналоги микросхем серии 550- 559
Аналоги микросхем серии 560- 569
Аналоги микросхем серии 570- 575
Аналоги микросхем серии 580
Аналоги микросхем серии 581- 588
Аналоги микросхем серии 589- 599 и 710- 740

Серия 1533 | Интеграл

	Обозначение	Прототип	Функциональное назначение	Категория качества	Тип корпуса	PDF
	1533ЛН1	SN54ALS04	Шесть логических элементов ‘НЕ’	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛН2	SN54ALS05	Шесть инверторов с открытым коллектором	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛН7	SN54ALS368	Шесть инверторов с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ЛН8	SN54ALS1004	Шесть инверторов с повышенной нагрузочной способностью	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛП3	отсутствует	Мажоритарный элемент	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ЛП5	SN54ALS86	Четыре двухвходовых логических элемента ‘Исключающее ИЛИ’	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛР4	SN54ALS55	Логический элемент ‘4-4И-2ИЛИ-НЕ’	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛР11	SN54ALS51	Логические элементы ‘2-2И-2ИЛИ-НЕ’ и ‘3-3И-2ИЛИ-НЕ’	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛР13	SN54ALS54	Логический элемент ‘3-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ’	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533СП1	SN54ALS85	Схема сравнения двух четырёхразрядных чисел	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ТВ15	SN54ALS109	Два J-K триггера	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ТМ2	SN54ALS74	Два триггера D синхронных с дополняющими выходами	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ТМ8	SN54ALS175	Четыре D-триггера с прямыми и инверсными выходами	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ТМ9	SN54ALS174	Шесть D-триггеров	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ТР2	SN54ALS279	Четыре триггера R-S	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533АП3	SN54ALS240	Два четырёхканальных формирователя с тремя состояниями на выходе с инверсией сигнала с инверсным управлением	ВП, ОСМ	4153.20-6
	1533АП4	SN54ALS241	Два четырёхканальных формирователя с тремя состояниями на выходе с прямым и инверсным управлением	ВП, ОСМ	4153.20-6
	1533АП5	SN54ALS244	Два четырёхканальных формирователя с тремя состояниями на выходе с инверсным управлением	ВП, ОСМ	4153.20-6
	1533АП6	SN54ALS245	Восьмиканальный двунаправленный формирователь с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4153.20-6
	1533ИД3	SN54ALS154	Дешифратор 4х16	ВП, ОСМ	4118.24-1
	1533ИД4	SN54ALS155	Сдвоенный дешифратор-демультиплексор 2-4	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ИД7	SN54ALS138	Дешифратор демультиплексор из 3 в 8	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ИД17	отсутствует	Дешифратор состояний	ВП, ОСМ	4119.28-1
	1533ИЕ6	SN54ALS192	Двоично-десятичный реверсивный счётчик	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ИЕ7	SN54ALS193	Четырёхразрядный двоичный реверсивный счётчик	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ИЕ9	SN54ALS160	Четырёхразрядный двоично-десятичный счётчик с асинхронной установкой в состояние ‘Логический 0’	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ИЕ10	SN54ALS161	Четырёхразрядный двоичный счётчик с асинхронной установкой в состояние ‘Логический 0’	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ИЕ11	SN54ALS162	Четырёхразрядный двоично-десятичный счётчик с синхронной установкой в состояние ‘Логический 0’	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ИЕ18	SN54ALS163	Четырёхразрядный двоичный счётчик с синхронной установкой в состояние ‘Логический 0’	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ИП3	SN54ALS181	Арифметическо-логическое устройство	ВП, ОСМ	4118.24-1
	1533ИП4	SN54ALS182	Схема ускоренного переноса для арифметического логического узла	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ИП5	SN54ALS86	Девятиразрядная схема контроля чётности	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ИП6	SN54ALS242	Четырёхшинный приёмо-передатчик с инверсными выходами	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ИП7	SN54ALS243	Четырёхшинный приёмо-передатчик	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ИР22	SN54ALS373	Восьмиразрядный регистр на триггерах с защёлкой с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4153.20-6
	1533ИР23	SN54ALS374	Восьмиразрядный регистр на триггерах с защёлкой с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4153.20-6
	1533ИР24	SN54ALS299	Восьмиразрядный универсальный сдвиговый регистр	ВП, ОСМ	4153.20-6
	1533ИР31	отсутствует	Двадцатичетырёхразрядный последовательный регистр сдвига	ВП, ОСМ	4119.28-1
	1533ИР33	SN54ALS573	Восьмиразрядный буферный регистр	ВП, ОСМ	4153.20-6
	1533ИР34	SN54ALS873	Два четырёхразрядных буферных регистра с тремя устойчивыми состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4118.24-1
	1533ИР37	SN54ALS574	Регистр восьмиразрядный буферный с тремя состояниями на выходе (с импульсным управлением)	ВП, ОСМ	4153.20-6
	1533ИР38	SN54ALS874	Два четырёхразрядных регистра D-типа с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	4118.24-1
	1533ИР39	отсутствует	Схема регистров общего назначения с многоканальным доступом	ВП, ОСМ	429.42-1
	1533КП2	SN54ALS153	Сдвоенный цифровой селектор-мультиплексор 4-1	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП7	SN54ALS151	Селектор-мультиплексор на 8 каналов со стробированием	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП11	SN54ALS257	Четырёхразрядный селектор-мультиплексор 2-1 с тремя устойчивыми состояниями	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП11А	SN54ALS257	Четырёхразрядный селектор 2-1 с тремя устойчивыми состояниями	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП12	SN54ALS253	Двухразрядный четырёхканальный коммутатор с тремя устойчивыми состояниями по выходу	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП13	SN54ALS298	Четыре двухвходовых мультиплексора с запоминанием	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП14	SN54ALS258	Четырёхразрядный селектор-мультиплексор 2-1 с тремя устойчивыми состояниями с инверсными выходами	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП14А	SN54ALS258	Четырёхразрядный селектор 2-1 с тремя устойчивыми состояниями с инверсными выходами	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП15	SN54ALS251	Восьмивходовый селектор-мультиплексор с тремя устойчивыми состояниями	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП16	SN54ALS157	Четырёхразрядный селектор-мультиплексор 2-1	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП17	SN54ALS353	Сдвоенный инверсный селектор-мультиплексор 4х1 с тремя состояниями на выходе	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП18	SN54ALS158	Четырёхразрядный селектор-мультиплексор 2-1 с инверсными выходами	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533КП19	SN54ALS352	Сдвоенный селектор-мультиплексор 4х1	ВП, ОСМ	402.16-32
	1533ЛА1	SN54ALS20	Два логических элемента ‘4И-НЕ’	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛА2	SN54ALS30	Логический элемент ‘8И-НЕ’	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛА3	SN54ALS00	Четыре логических элемента ‘2И-НЕ’	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛА4	SN54ALS10	Три логических элемента ‘3И-НЕ’	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛА7	SN54ALS22	Два логических элемента ‘4И-НЕ’ с открытыми коллекторными выходами	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛА8	SN54ALS01	Четыре логических элемента ‘2И-НЕ’ с открытым коллекторным выходом	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛА9	SN54ALS03	Четыре логических элемента ‘2И-НЕ’ с открытым коллекторным выходом	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛЕ1	SN54ALS02	Четыре логических элемента ‘2ИЛИ-НЕ’	ВП, ОСМ	401.14-5
	1533ЛИ1	SN54ALS08	Четыре логических элемента ‘2И’	ВП, ОСМ	401.14-5
	Б1533АП3-4	SN54ALS240	Два 4-канальных формирователя с тремя состояниями на выходе с инверсией сигнала с инверсным управлением	ВП	Кристалл
	Б1533АП4-4	SN54ALS241	Два 4-канальных формирователя с тремя состояниями на выходе с прямым и инверсным управлением	ВП	Кристалл
	Б1533АП5-4	SN54ALS244	Два 4-канальных формирователя с тремя состояниями на выходе с инверсным управлением	ВП	Кристалл
	Б1533АП6-4	SN54ALS245	8-канальный двунаправленный формирователь с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
	Б1533ИД3-4	SN54ALS154	Дешифратор 4х16	ВП	Кристалл
	Б1533ИД4-4	SN54ALS155	Сдвоенный дешифратор — демультиплексор 2-4	ВП	Кристалл
	Б1533ИД7-4	SN54ALS138	Дешифратор демультиплексор 3 в 8	ВП	Кристалл
	Б1533ИД17-4		Дешифратор состояний	ВП	Кристалл
	Б1533ИЕ7-4	SN54ALS193	4-разрядный двоичный реверсивный счётчик	ВП	Кристалл
	Б1533ИЕ10-4	SN54ALS161	4-разрядный двоичный счётчик с асинхронной установкой в состояние логический «0»	ВП	Кристалл
	Б1533ИЕ9-4	SN54ALS160	4-разрядный двоично-десятичный счётчик с асинхронной установкой в состояние логический «0»	ВП	Кристалл
	Б1533ИЕ18-4	SN54ALS163	4-разрядный двоичный счётчик с синхронной установкой в состояние логический «0»	ВП	Кристалл
	Б1533ИЕ11-4	SN54ALS162	4-разрядный двоично-десятичный счётчик с синхронной установкой в состояние логический «0»	ВП	Кристалл
	Б1533ИП3-4	SN54ALS181	Арифметическо-логическое устройство (АЛУ)	ВП	Кристалл
	Б1533ИП4-4	SN54ALS182	Схема ускоренного переноса для АЛУ	ВП	Кристалл
	Б1533ИП5-4	SN54ALS86	9-разрядная схема контроля чётности	ВП	Кристалл
	Б1533ИП6-4	SN54ALS242	4-шинный приёмо-передатчик с инверсными выходами	ВП	Кристалл
	Б1533ИП7-4	SN54ALS243	4-шинный приёмо-передатчик	ВП	Кристалл
	Б1533ИР22-4	SN54ALS373	8-разрядный регистр на триггерах с защёлкой с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
	Б1533ИР23-4	SN54ALS374	8-разрядный регистр на триггерах с защёлкой с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
	Б1533ИР24-4	SN54ALS299	8-разрядный универсальный сдвиговый регистр	ВП	Кристалл
	Б1533ИР31-4		24-разрядный последовательный регистр сдвига	ВП	Кристалл
	Б1533ИР33-4	SN54ALS573	8-разрядный буферный регистр	ВП	Кристалл
	Б1533ИР34-4	SN54ALS873	Два 4-разрядных буферных регистра с тремя устойчивыми состояниями на выходе	ВП	Кристалл
	Б1533ИР37-4	SN54ALS574	Регистр 8-разрядный буферный с тремя состояниями на выходе (с импульсным управлением)	ВП	Кристалл
	Б1533ИР38-4	SN54ALS874	Два 4-разрядных регистра D-типа с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
	Б1533ИР39-4		Схема регистров общего назначения с многоканальным доступом	ВП	Кристалл
	Б1533КП2-4	SN54ALS153	Сдвоенный цифровой селектор-мультиплексор 4-1	ВП	Кристалл
	Б1533КП7-4	SN54ALS151	Селектор-мультиплексор на 8 каналов со стробированием	ВП	Кристалл
	Б1533КП11-4	SN54ALS257	Четырёхразрядный селектор-мультиплексор 2-1 с тремя устойчивыми состояниями	ВП	Кристалл
	Б1533КП11А-4	SN54ALS257	4-разрядный селектор 2-1 с тремя устойчивыми состояниями	ВП	Кристалл
	Б1533КП12-4	SN54ALS253	2-разрядный четырёхканальный коммутатор с тремя устойчивыми состояниями по выходу	ВП	Кристалл
	Б1533КП13-4	SN54ALS298	Четыре двухвходовых мультиплексора с запоминанием	ВП	Кристалл
	Б1533КП14-4	SN54ALS258	4-разрядный селектор-мультиплексор 2-1 с тремя устойчивыми состояниями с инверсными выходами	ВП	Кристалл
	Б1533КП14А-4	SN54ALS258	4-разрядный селектор 2-1 с тремя устойчивыми состояниями с инверсными выходами	ВП	Кристалл
	Б1533КП15-4	SN54ALS251	8-входовый селектор-мультиплексор с тремя устойчивыми состояниями	ВП	Кристалл
	Б1533КП16-4	SN54ALS157	4-разрядный селектор-мультиплексор 2-1	ВП	Кристалл
	Б1533КП17-4	SN54ALS353	Сдвоенный селектор-мультиплексор 4х1 с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
	Б1533КП18-4	SN54ALS158	4-разрядный селектор-мультиплексор 2-1 с инверсными выходами	ВП	Кристалл
	Б1533КП19-4	SN54ALS352	Сдвоенный селектор-мультиплексор 4х1	ВП	Кристалл
	Б1533ЛА1-4	SN54ALS20	Два логических элемента «4И-НЕ»	ВП	Кристалл
	Б1533ЛА2-4	SN54ALS30	Логический элемент «8И-НЕ»	ВП	Кристалл
	Б1533ЛА3-4	SN54ALS00	Четыре логических элемента «2И-НЕ»	ВП	Кристалл
	Б1533ЛА4-4	SN54ALS10	Три логических элемента «3И-НЕ»	ВП	Кристалл
	Б1533ЛА7-4	SN54ALS22	Два логических элемента «4И-НЕ» с открытыми коллекторными выходами	ВП	Кристалл
	Б1533ЛА8-4	SN54ALS01	Четыре логических элемента «2И-НЕ» с открытым коллекторным выходом	ВП	Кристалл
	Б1533ЛА9-4	SN54ALS03	Четыре логических элемента «2И-НЕ» с открытым коллекторным выходом	ВП	Кристалл
	Б1533ЛЕ1-4	SN54ALS02	Четыре логических элемента «2ИЛИ-НЕ»	ВП	Кристалл
	Б1533ЛИ1-4	SN54ALS08	Четыре логических элемента «2И»	ВП	Кристалл
	Б1533ЛН1-4	SN54ALS04	Шесть логических элементов «НЕ»	ВП	Кристалл
	Б1533ЛН2-4	SN54ALS05	Шесть инверторов с открытым коллектором	ВП	Кристалл
	Б1533ЛН7-4	SN54ALS368	Шесть инверторов с тремя состояниями на выходе	ВП	Кристалл
	Б1533ЛН8-4	SN54ALS1004	Шесть инверторов с повышенной нагрузочной способностью	ВП	Кристалл
	Б1533ЛП3-4		Мажоритарный элемент	ВП	Кристалл
	Б1533ЛП5-4	SN54ALS86	Четыре 2-входовых логических элемента «Исключающее ИЛИ»	ВП	Кристалл
	Б1533ЛР11-4	SN54ALS51	Логические элементы «2-2И-2ИЛИ-НЕ» и «3-3И-2ИЛИ-НЕ»	ВП	Кристалл
	Б1533ЛР4-4	SN54ALS55	Логический элемент «4-4И-2ИЛИ-НЕ»	ВП	Кристалл
	Б1533ЛР13-4	SN54ALS54	Логический элемент «3-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ»	ВП	Кристалл
	Б1533СП1-4	SN54ALS85	Схема сравнения двух четырёхразрядных чисел	ВП	Кристалл
	Б1533ТВ15-4	SN54ALS109	Два J-K триггера	ВП	Кристалл
	Б1533ТМ2-4	SN54ALS74	Два триггера D синхронных с дополняющими выходами	ВП	Кристалл
	Б1533ТМ8-4	SN54ALS175	Четыре D-триггера с прямыми и инверсными выходами	ВП	Кристалл
	Б1533ТМ9-4	SN54ALS174	Шесть D-триггеров	ВП	Кристалл
	Б1533ТР2-4	SN54ALS279	Четыре триггера R-S	ВП	Кристалл

Читать онлайн «Путеводитель в мир электроники. Книга 2» автора Шелестов Игорь Петрович — RuLit

Для большинства радиолюбительских разработок рекомендуется использовать ТТЛ и ТТЛШ серии К555 и КР1533. Серии К155 и 133 на сегодняшний день считаются устаревшими, неперспективными, поэтому по возможности их лучше исключить из арсенала и использовать в своих практических конструкциях только в крайних случаях, когда под рукой не окажется нужной микросхемы из серий К555 и КР1533. В составе этих серий есть полные аналоги всех микросхем устаревших серий, так что таким обстоятельством нужно активно пользоваться. Напряжение питания всех рекомендуемых ТТЛ микросхем — +5 В с допуском не более ±5 %.

Микросхемы серий К531 и К1531 разумно применять в тех случаях, когда требуемое быстродействие всего устройства или части цифровой схемы лежит выше частоты 30 МГц. Эти микросхемы обладают значительным энергопотреблением. Установленные в приборы, они всегда нагреваются и ощущаются хорошо прогретыми при приложении к ним кончика пальца. Поэтому радиолюбителю рекомендуется работать с сериями К531 и К1531 «с оглядкой», хорошо подумав, а есть ли смысл использовать здесь микросхему этой серии? Зачастую в несложных цифровых приборах даже только одна такая микросхема, будучи установленной вместо КР1533, может в два раза увеличить потребляемый ток.

Получить исчерпывающие сведения о перспективных отечественных микросхемах серии ТТЛ можно в книге [1]. Этот справочник пользуется заслуженной популярностью как у профессионалов, так и у радиолюбителей.

Отечественные цифровые ТТЛ микросхемы имеют зарубежные аналоги, табл. 14.5 (вместо знаков хх стоят цифры).

Перспективные зарубежные серии ТТЛ имеют наименования 74F, 74LS, 74ALS и совпадают по техническим характеристикам с отечественными сериями КР1531, К555 и КР1533 соответственно. По этим названиям микросхемы можно разыскивать в прайс-листах фирм, торгующих электронными компонентами.

Микросхемы с пониженным потреблением

Поиск вариантов снижения энергопотребления привел разработчиков цифровой техники к применению для реализации логических элементов полевых транзисторов с изолированным затвором. Отсюда и берет начало название технология КМОП — на основе «комплементарных полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник». «Изюминка» элементов этой серии заключается в наличии так называемой пушпульной схемы, которая в статическом (непереключающемся) состоянии потребляет ток, оцениваемый микроамперами. Что такое пушпульный каскад? Обратим внимание на рис. 14.7.

Рис. 14.7. Принцип действия КМОП инвертора

Пушпульный выход — это соединение транзисторов VT1 и VT2 так, как показано на представленном рисунке (а), — «столбиком». Чем замечательна эта схема?

Если нагрузка на выходе элемента отсутствует, то его общий потребляемый ток ограничивается только током утечки затворов транзисторов. Основная часть энергии, потребляемой КМОП микросхемой, затрачивается при переключении транзисторов, так как бывают мгновения, когда оба транзистора еще открыты в процессе изменения своего состояния-Это видно на рис. 14.7, б в точке А, где на одном графике показаны передаточные характеристики верхнего и нижнего транзисторов. Интересное свойство этого вида микросхем — средний потребляемый ток растет с повышением частоты переключения. Причина понятна — растет число переключений в секунду.

Имеющиеся внутри диоды VD1 и VD2, на первый взгляд, кажутся совершенно излишними, так как в процессе нормальной работы они всегда находятся в закрытом состоянии. И тем не менее эти диоды защищают входы микросхем от пробоя статическим электричеством — они открываются, когда напряжение на входе выходит за рамки напряжения питания микросхемы. Пробивное обратное напряжение для защитных диодов примерно 25…50 В.

Особенность КМОП микросхем состоит еще в том, что свободные (неиспользуемые) входы не должны оставаться «висящими» в воздухе, то есть неподключенными. Эти выводы лучше подключить к шине питания или к общему проводу, но так, чтобы это подключение не нарушило логику работы микросхемы, не заблокировало ее, не перевело в режим постоянного сброса. Словом, нужно досконально изучить работу микросхемы еще до разработки цифрового прибора.

Основной недостаток КМОП микросхем традиционных серий — их низкие по сравнению с элементами ТТЛ скорости переключения. Быстродействие не превышает в лучшем случае 3…5 МГц. Другая важная особенность работы с микросхемами заключается в общих мерах предосторожности, рекомендуемых при работе с полевыми приборами. Конечно, разработчики приняли все меры, чтобы обезопасить микросхемы от повреждения статическим электричеством. Но вероятность такой аварии существует, поэтому рекомендуются классические способы защиты в виде заземления паяльника и тела. Еще одно интересное свойство современных перспективных КМОП микросхем, которое, впрочем, относится к достоинствам, — надежная работа в широком диапазоне питающих напряжений: практически от 3 до 18 вольт.

Первая отечественная серия микромощных микросхем имеет маркировку К176. Эта серия очень широко применялась в цифровой аппаратуре и до сих пор встречается во вновь разработанных радиолюбительских конструкциях, ее можно легко приобрести. Тем не менее относиться к ней нужно с осторожностью — по некоторым вполне достоверным сведениям, эта серия снимается с производства, и то, что сегодня продается, поступает из старых запасов. Не исключена ситуация, когда радиолюбитель просто не сможет найти нужную микросхему на рынке: «закончилась» — скажут продавцы. Впрочем, серия К176 включает в себя много разновидностей микросхем, а ее основной недостаток — жестко нормированное напряжение питания 9 В с 5-процентным допуском, что затрудняет ее согласование с микросхемами ТТЛ серий. Но, как показывает практика, логические элементы этой серии реально сохраняют работоспособность в диапазоне напряжений 5…12 вольт, но — без гарантии надежной работы для некоторых экземпляров. Можно обеспечить надежное сопряжение микросхем с помощью так называемых преобразователей уровня (маркировка ПУ) — самостоятельных специализированных микросхем. Однако это усложнит схему — придется ввести два источника питания: на 5 и 9 В, что конечно же неудобно.

Основными в арсенале радиолюбителя являются микросхемы КМОП серии К561 и более новой К1561. В некоторых конструкциях можно встретить микросхемы серии 564 (там тот же самый кристалл, что и в К561). Они выпускаются в более компактных корпусах с планарными золочеными выводами, что, вне всякого сомнения, способствует продлению срока службы, но на порядки увеличивает цену. Эта серия непопулярна у радиолюбителей по экономическим соображениям. Вдобавок, по сравнению с серией K561, она не обладает какими-либо преимуществами, выигрышем в потреблении и другими важными свойствами. Диапазон питающих напряжений для серий 564 и К561 составляет 3…15 вольт, а для серии KP156I — 3…18 вольт.

Особое внимание читателя хочется обратить на серию KP1561, так как именно она будет интенсивно развиваться в ближайшие годы. У нее в выходных каскадах всех логических элементов установлены буферные усилители, увеличивающие нагрузочную способность и повышающие устойчивость к коротким замыканиям выходов на шины питания. К сожалению, эта серия пока содержит не так много разновидностей отечественных микросхем, как хотелось бы. Рекомендовать здесь можно использование импортных элементов, изготавливаемых по той же технологии.

Самой прогрессивной и стремительно развивающейся является отечественная серия KP1554, которая уже конкурирует по быстродействию с серией КР1533. Но обольщаться особо не стоит — микросхемы серии KP1554 только на низких частотах обладают низким потреблением, при частотах, приближающихся к предельным для ТТЛ серий, потребление обеих серий сравнивается. В чем же здесь преимущество? Серия KP1554 может работать при питающем напряжении 3 В. К сожалению, пока она мало распространена на отечественном рынке радиодеталей.

«%d0%a6%d0%b8%d1%84%d1%80%d0%be%d0%b2%d1%8b%d0%b5 %d0%9a%d0%9c%d0%9e%d0%9f %d0%bc%d0%b8%d0%ba%d1%80%d0%be%d1%81%d1%85%d0%b5%d0%bc%d1%8b %d1%81%d0%b5%d1%80%d0%b8%d0%b8 4000 %d1%81%d0%bf%d1%80%d0%b0%d0%b2%d0%be%d1%87%d0%bd%d0%b8%d0%ba» на интернет-аукционе Мешок

3.00КТ 8.6×8.1MM ПРИРОДНАЯ ШПИНЕЛЬ БИРМА SPF9 120.00$ Москва    800.00$ Окончание торгов: 12/04 07:44 Продавец: dvp1974 (5101)
1 БАТ. ТАЙЛАНД. M0a6d9eaa 25.00 р. Санкт-Петербург    120.00 р Окончание торгов: 2 дня Продавец: Andy_SPb (1971)
1 дирхам 1998 г Объединенные Арабские Эмираты — KM#6.2 — 5-9 25.00 р. Москва    80.00 р Окончание торгов: 09/05 08:11 Продавец: Dontor_2m (1339)
F. LISZT Ungarische Rhapsodien: № 2 / 5 / 9 / 14 / 15 / 19. ROBERTO SZIDON (piano). GERMANY 730.00 р. Орел    200.00 р Продавец: Podpol57 (4758)
2, 5, 10, 20, 50 лепта набор 6 монет Греция (Король Георг I, серебро 2.5 гр) 1869-1894 год 2500.00 р. Торг уместен Москва    самовывоз Продавец: оldсity49 (18698)
8ko839016 Замок двери задней правой для Audi A4 (B8) (2009—) б/у XXX зах 1200.00 р.  0 ставок Дедовск    300.00 р Окончание торгов: 19 часов Продавец: ded268 (291)
(8A) Гибралтар Gibraltar 1935 SG#114 MLH Cat-2,5£ 95.00 р. Великий Новгород    70.00 р Окончание торгов: 02/04 08:20 Продавец: miro2437 (1320)
(8A) Нигерия Nigeria 1937 MLH SG#46 Cat-2,5£ 49.00 р. Великий Новгород    70.00 р Окончание торгов: 21/04 00:32 Продавец: miro2437 (1320)
6-10 Нигерия 1 пенни 1959г. KM# 2 бронза 7,5гр 350.00 р. Москва    60.00 р Продавец: Alex7778887 (5745)
B8 — 1 шт. — Манама — CTO — Бабочки — Фауна — б/з — 1972 15.00 р. Рига    250.00 р Окончание торгов: 24/04 21:52 Продавец: удача333 (1180)
B8 — 1 шт. — Манама — CTO — Пасха — Искусство — Живопись — б/з — 1972 15.00 р. Рига    250.00 р Окончание торгов: 24/04 21:52 Продавец: удача333 (1180)
2-8 Один механизм от часов на выбор на 2х фото 99.00 р.  0 ставок 100.00 р.  блиц-цена Ейск    150.00 р Окончание торгов: 2 дня Продавец: tstst23 (2494)
1-8 Один механизм от часов на выбор на 2х фото 99.00 р.  0 ставок 100.00 р.  блиц-цена Ейск    150.00 р Окончание торгов: 2 дня Продавец: tstst23 (2494)
6-126 Ирландия 1 пенни 1966 г. KM# 11 Бронза 9,45 150.00 р. Москва    60.00 р Продавец: Alex7778887 (5745)
6-145 Австралия 1 пенни 1945 г. KM# 36 Бронза 9,4г 100.00 р. Москва    60.00 р Продавец: Alex7778887 (5745)
6-21 Ирландия 1 пенни 1928г. KM# 3 бронза 9,45гр 160.00 р. Москва    60.00 р Продавец: Alex7778887 (5745)
6-25 Ирландия 1 пенни 1942г. KM#11 бронза 9,45гр 120.00 р. Москва    60.00 р Продавец: Alex7778887 (5745)
6-35 Ирландия 1 пенни 1937 г. KM# 3 Бронза 9,45 гр 150.00 р. Москва    60.00 р Продавец: Alex7778887 (5745)
8 Марта! И. Корсакова 1986, тир. 2,5 млн. подписана, двойная 10.00 р. Березовский    договорная Окончание торгов: 08/04 08:13 Продавец: Vadana_Rizhaya (4425)
1 рубль 1964 R2-5 погодовка годовик 80.00 р.  0 ставок 90.00 р.  блиц-цена Тамбов    150.00 р Окончание торгов: 21 час Продавец: муравейНИК (1901)
Уточните поиск:  UNC Англия армия биметалл Британские колонии винтаж война Германия дешево животные империя иностранные монеты история коллекционирование коллекция медная монета медные монеты медь монета серебро набор набор монет недорого новая нумизматика олимпиада оригинал Оригинал погодовка подарок почтовые марки Почтовые марки природа раритет редкая Редкая монета редкие редкость Российская Империя серебро советы состояние сохран СССР США фауна филателия Царская Россия чистая чистые марки экзотика Еще…
одна монета Португалия парусник 2,5 эскудо 1976 30.00 р. Москва    договорная Окончание торгов: 2 часа Продавец: gaprin (1297)
8 ПЕРВЫХ СВИДАНИЙ / СВАДЬБА ПО ОБМЕНУ (2 BLU-RAY) 249.00 р. Ярославль    договорная Продавец: Лесенка (1023)
1 унция серебра Реплика 2,5 или 5 долларов Голова Индейца инкуз Ag UNC Патина 3000.00 р. Озерск    125.00 р Продавец: monarch (4387)
1.111 Венесуэла набор 2,5,10,20,50,100 боливар 2017 год UNC 189.00 р. Владивосток    80.00 р 15 штук продано Продавец: Амазонка_91 (1663)
(№1/11) Люксембург 1901 2,5 200.00 р.  0 ставок Череповец    70.00 р Окончание торгов: 05/04 15:19 Продавец: -CHE- (4191)
(№1/14) Испания 1953 2,5 40.00 р.  0 ставок Череповец    70.00 р Окончание торгов: 2 дня Продавец: -CHE- (4191)
1 рубль 1964 год — шт.2 /№5/ 25.00 р.  0 ставок 30.00 р.  блиц-цена Пермь    80.00 р Окончание торгов: 9 часов Продавец: yuri_110 (705)
Чайные ложки 6 штук клеймо мельхиор МНЦ размер 14*2,5 см С 1 рубля!!! 405.00 р.  13 ставок Серпухов    270.00 р Окончание торгов: 10/04 21:03 Продавец: Starec888 (3362)
Canon PowerShot A530 5.3MPx, 1/2.5, Zoom x4, F2.6 — 5.5, 2.1 кадров/с, Made in Japan 2780.00 р.  0 ставок 2800.00 р.  блиц-цена Москва    самовывоз Окончание торгов: 15 часов Продавец: Walker_8888 (110)
SONY CberShot DSC-W50 Carl Zeiss Vario Tessar 6.2MPX, 1/2.5, Zoomx3Opt, F2.80 — 5.20, Made in Japan 4800.00 р.  0 ставок 5000.00 р.  блиц-цена Москва    самовывоз Окончание торгов: 15 часов Продавец: Walker_8888 (110)
Германия полный годовой набор для обращения 4 монеты 2005 1 2 5 и 20 центов двор F UNC 35441 180.00 р. Москва    самовывоз 2 штуки продано Продавец: vlcoins (12990)
Германия полный годовой набор для обращения 4 монеты 2009 1 2 5 и 20 центов двор F UNC 35431 137.00 р. Москва    самовывоз 3 штуки продано Продавец: vlcoins (12990)
Германия. Рейх. 1915. Камерун. Британская оккупация. Надпечатка. Без «C.E.F.». № 3 II. * 100000.00 р. Торг уместен Москва    самовывоз Окончание торгов: 11/04 19:10 Продавец: Манколист01 (1107)
ФРАНЦУЗСКИЙ ИНОСТРАННЫЙ ЛЕГИОН.3 R.E.I C.E.F.E. ЦЕНТР КОММАНДОС СЕКЦИЯ «БОЕВЫЕ ДЕЙСТВИЯ В ЛЕСУ». 2500.00 р. Москва    самовывоз Окончание торгов: 04/04 16:53 Продавец: ЗЕНИТ 71 (512)
ФРАНЦУЗСКИЙ ИНОСТРАННЫЙ ЛЕГИОН.3 R.E.I И C.E.F.E -ГАЙЯНА.( ГВИАНА ) 9000.00 р. Москва    самовывоз Окончание торгов: 04/04 16:53 Продавец: ЗЕНИТ 71 (512)
Pink Floyd — The Wall, EMI-Electrola/Germ/Orig/GF, A0-B0-A01-B0, EX+/EX- 4250.00 р. Москва    самовывоз Окончание торгов: 1 час Продавец: Магия Винила (148)
Pink Floyd — The Wall, EMI-Electrola/Germ/Orig/GF, A0-B0-A01-B0, EX+/EX+ 4500.00 р. Москва    самовывоз Окончание торгов: 1 час Продавец: Магия Винила (148)
ФРАНЦУЗСКИЙ ИНОСТРАННЫЙ ЛЕГИОН.3 R.E.I И C.E.F.E — ЦЕНТР ПОДГОТОВКИ КОММАНДОС К ВОЙНЕ В ДЖУНГЛЯХ. 14000.00 р. Москва    самовывоз Окончание торгов: 29/04 11:45 Продавец: ЗЕНИТ 71 (512)
Табличка, уличный указатель «Klaus Groth Straße», Гамбург. 80*20*2,5 см. 3200.00 р. Минск    договорная Окончание торгов: 16/04 00:32 Продавец: Моаи (24)
Великобритания 1 пенни 1900 Виктория 2-5-6 2.00 р.  2 ставки Симферополь    100.00 р Окончание торгов: 06/04 22:07 Продавец: Все лоты с рубля (4627)
CASIO EXILIM EX-Z55 (5.25MPx, 1/2.5, Zoom x3, F2.6 — 4.3, Made in China Почти что Новый ! 3800.00 р.  0 ставок 4000.00 р.  блиц-цена Москва    самовывоз Окончание торгов: 15 часов Продавец: Walker_8888 (110)
Ремень ГРМ Audi A4 / A6, VW Passat / 1.8 / 1.8T 800.00 р. Симферополь    договорная Окончание торгов: 21/05 08:39 Продавец: ssvbdss (0)
Реле 373 Audi A6 Allroad 8D0951253A Germany 300.00 р. Владимир    350.00 р Окончание торгов: 04/05 07:59 Продавец: Mordul (862)
Гвинея-Биссау, 50 сентаво, 1, 2-1/2, 5, 20 песо 1977 год, F.A.O.. UNC 2050.00 р. Торг уместен Москва    самовывоз Окончание торгов: 10/04 12:55 Продавец: adiknet (5230)
Ремень ГРМ Audi A4, A6, VW Passat — 1,8 — 1,8T / 1995 – 2005 гг.в. 800.00 р. Симферополь    договорная Окончание торгов: 23/04 09:59 Продавец: ssvbdss (0)
Бирма / 1 мат / 1852-1214 г. / 2.8 гр. / Ag 0.917 / VF+ / KM 8.1 / 70.00$ Торг уместен Челябинск    договорная Продавец: Bosporshop (2647)
Основной боевой танк «Леопард 2А6» (Leopard 2A6). Германия. Модель 1 : 35. 4000.00 р. Благовещенск (Амурская обл.)    600.00 р Окончание торгов: 20/04 02:03 Продавец: Wostok710 (133)
Динамик имп. 134х134мм 8ом (M329fc0a6) 200.00 р. Москва    самовывоз Окончание торгов: 15/05 09:59 Продавец: zapasik (166)
Германские колонии. KAMERUN C.E.F.. КОПИЯ!!! 900.00 р. Торг уместен Екатеринбург    80.00 р Окончание торгов: 13/04 16:08 Продавец: mihailur217 (1130)
1905 г. Индия C.E. F. Эдуард 6000.00 р. Москва    самовывоз Окончание торгов: 28/04 23:53 Продавец: sunny_gale (581)
Германия Oberschlesien 1920г. Mi№6a-6b Верхняя Силезия гаш. 2шт. 60.00 р.  0 ставок 70.00 р.  блиц-цена Ижевск    80.00 р Окончание торгов: 2 дня Продавец: foka (407)
Audi A6 Avant quattro 1:87 1000.00 р.  0 ставок Мичуринск    500.00 р Окончание торгов: 10 часов Продавец: c-oleg-a (1020)
1898г.G.L.E. R.A.O.B.LODGE №1 RARE! 35000.00 р. Торг уместен Москва    250.00 р Окончание торгов: 05/05 20:58 Продавец: KLUSHATANA (1397)
Стекло защитное для для SAMSUNG Galaxy A20/A30/A50/M30 новое оригинал в коробке закаленное 2.5 D 500.00 р. Москва    самовывоз Окончание торгов: 25/05 13:12 Продавец: pitermur (1097)
Журнал Горизонты техники для детей 1970 г. №1-12 Годовой комплект без № 4,5,9 Редкость!!! 1200.00 р.  0 ставок Николаев    договорная Окончание торгов: 03/04 00:42 Продавец: Яновский Александр Иванович (1245)
Радиолампа VT-93 — 6B8 — 6Б8 220.00 р. Борисоглебск    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: popost2008 (7124)
Throbbing Gristle ‎– D.o.A. The Third And Final Report cd 1991 LONG BOX Mute ‎– 9 61094-2 Запечатан! 45.00€ Торг уместен Великий Новгород    4.00€ Окончание торгов: 16 часов Продавец: ᛃᚨᛁᛉᛗ (795)
Аккумуляторная батарея для фотоаппарата Sony A330 / A380 DSL-HX1/XR520/HDR-TG5/XR500/CX500/CX100 47B 659.00 р. Сингапур    бесплатно! Окончание торгов: 10 часов Продавец: nic63 (4740)
! Фреза отрезная 80х2.5 р6ам5 (+DD) 130.00 р. Подольск    300.00 р Окончание торгов: 19/04 01:10 Продавец: ziv02 (1773)
@ Топаз, багет 8х6 мм. Вес 1,84 ct. 390.00 р. Москва    бесплатно! Окончание торгов: 17/04 09:11 Продавец: Agat08 (1541)
Фреза по металлу СССР — 001 — 80 х 2,5 х вал 22 — Р6М5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 002 — 80 х 2,5 х вал 22 — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 018 — 80 х 2,5 х вал 22 — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 021 — 80 х 2,5 х вал 22 — Р6М5 20.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 045 — 80 х 2,5 х вал 22 — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 046 — 80 х 2,5 х вал 22 — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 047 — 80 х 2,5 х вал 22, шпонка — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 048 — 80 х 2,5 х вал 22, шпонка — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 049 — 80 х 2,5 х вал 22, шпонка — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 050 — 80 х 2,5 х вал 22, шпонка — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 051 — 80 х 2,5 х вал 22 — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 052 — 80 х 2,5 х вал 22 — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 053 — 80 х 2,5 х вал 22, шпонка — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Фреза по металлу СССР — 054 — 80 х 2,5 х вал 22 — Р6АМ5 70.00 р.  0 ставок Волоконовка    договорная Окончание торгов: 20 часов Продавец: taman_75m (2544)
Deep Purple Singles A’s & B’s EMI 0777 7 81009 2 8 2800.00 р. Москва    самовывоз Окончание торгов: 04/04 13:28 Продавец: Rock Solid Music (84)
Жуковский В.А. 1902 г. Собрание сочинений, тт 5,6,7,8 в одной книге 1500.00 р.  0 ставок Санкт-Петербург    500.00 р Окончание торгов: 2 дня Продавец: Marygreen68 (6)
Сальвадор. 1 колон. Дата «13. 8. 1968». Pick № 110s2 # GF 000000 Образец. Б. F25697 10000.00 р. Торг уместен Москва    самовывоз Окончание торгов: 09/04 14:39 Продавец: Realown (950)
Франция 10 сантимов 1855 MA (d) KM#771.6 B558 250.00 р. Москва    самовывоз Продавец: vovvy (3523)
№Х879 1 сентаво Сальвадор KM#135.2a Сальвадор, 1 сентаво Медь-Цинк, 2,5 г портрет 39.00 р. Калининград    50.00 р Окончание торгов: 19/05 20:15 Продавец: cандр73 (4662)
СССР НАБОР ОЛИМПИАДА 80 6 монет Х 1 рубль 1977-1980 10Л-9 950.00 р. Мытищи    70.00 р Продавец: MixaLыч (10579)
Конус желтый 7,9*6,2*5,9 — ракушка раковина 45.00 р. Гаспра    договорная 1 штука продана Продавец: gavr-63 (1318)
№2423 Жетон телефонный с двух сторонними пазами диам. 27,80мм вес 5,9гр. не магн. А=Р гурт риф 35.00 р. Калининград    60.00 р Окончание торгов: 30/04 20:24 Продавец: cандр73 (4662)
Оперативная память HYS64D16301GU-6-B Infineon Technologies DDR PC2700 128Mb 100.00 р.  0 ставок Тосно    договорная Окончание торгов: 22 часа Продавец: BeerBoy84 (677)
Оперативная память HYS64D16301GU-6-B Infineon Technologies DDR PC2700 128Mb 100.00 р.  0 ставок Тосно    договорная Окончание торгов: 22 часа Продавец: BeerBoy84 (677)
Бельгия 1 франк 1951 год (2.5.9) 5.00 р. Томск    85.00 р Окончание торгов: 23/05 03:46 Продавец: njvbx (138)
2002 4 стандарт 139(814А) Ораниенбаум 2.5 руб C II 90 марок. 12500.00 р. Торг уместен Москва    200.00 р Продавец: Kochet 75 (705)
Германия — 1 крейцер Насау 1862 — 2,5 сильбер грошена Пруссия 1843 А — 3 крейцера Висмар 1746 F 2100.00 р. Москва    самовывоз Окончание торгов: 23/04 15:37 Продавец: God-2011 (346)
Детские книжки цена за 6шт серия Мои первые книжки 80е 2 150.00 р. Краснодар    80.00 р Окончание торгов: 1 день Продавец: norbert07_2m (5427)
Резисторы переменные PV32P105A01B00///1мОм ±20% — партия 400 шт. одним лотом 10000.00 р.  0 ставок 20000.00 р.  блиц-цена Санкт-Петербург    договорная Окончание торгов: 08/04 22:40 Продавец: AuctioneerSAPakhomov (252)
Германия СААР Saargebiet 1920г. Mi№7a-7b I надпечатка тип I сост. * 2 шт. 140.00 р.  0 ставок 150.00 р.  блиц-цена Ижевск    80.00 р Окончание торгов: 2 дня Продавец: foka (407)
1992 Таджикистан 7a 7b 8 Музыкальные инструменты (надпечатки) 533.80 р. Обнинск    90.00 р Продавец: VoldemarSV (145989)
Стеклотекстолит фольгир. 2-х сторонний 235х120х2,5 (9/1) 120.00 р. Торг уместен Смоленск    300.00 р Окончание торгов: 17/04 08:22 Продавец: геннадий111 (1033)
Стеклотекстолит фольгир. 2-х сторонний 355х118х2,5 (9/1) 170.00 р. Торг уместен Смоленск    300.00 р Окончание торгов: 17/04 08:23 Продавец: геннадий111 (1033)
310601.6 значок марка СОЮЗ Т-2 5-9 июня 1980 МАЛЫШЕВ-АКСЕНОВ алюминий ситалл стекло булавка 100.00 р. Санкт-Петербург    договорная Продавец: Bookinist-SPB (2307)
DC-6 DC-6B Heller 1/72 SAS — France transport 2700.00 р. Хабаровск    485.00 р Окончание торгов: 16/05 12:11 Продавец: AlexArbalet (622)
0140 Мэн о-в 2+1 фунт 50+20+10+5 пенсов 2017 E-II UNC новый дизайн 1450.00 р.  0 ставок 1450.00 р.  блиц-цена Москва    самовывоз Окончание торгов: 6 часов Продавец: ANDRY-GRAN (1267)
PRETTY THINGS, THE — 1967-1971 (another title THE SINGLES A’S & B’S) (p)1989 (unofficial;4-page) 5/5 200.00 р. Санкт-Петербург    100.00 р Окончание торгов: 24/04 01:05 Продавец: Musicman Boroda (1030)
Германия набор монет 1,2,5,10 пфенниг 1950г.(F). 4 штуки VF-XF KM#105-108 . 100.00 р. Новороссийск    80.00 р Продавец: Rus-1975 (12045)
Йемен / 1 букша / 1924-1343 гг. / 5.89 гр. / Cu / F+ / KM3.2 / 787.00 р. Торг уместен Челябинск    договорная Продавец: Bosporshop (2647)
ЮАР / 5 шиллингов / 1892 г. / 28.28 гр. / Ag 0.925 / VF+ / KM8.1 / 25000.00 р. Торг уместен Москва    самовывоз Продавец: Bosporshop (2647)

Микросхемы стандартные серии ТТЛ 133, 155

Микросхема	Аналог	Корпус	Назначение
133АГ1 155АГ1	SN54121 SN74121	401.14-4 201.14-1	Одновибратор с логическим элементом на входе
133АГ3 155АГ3	SN54123 SN74123	402.16-6 238.16-2	Сдвоенный одновибратор с перезапуском
133ИВ1 155ИВ1	SN54148 SN74148	402.16-6 238.16-2	Приоритетный шифратор 8 в 3
133ИД1 155ИД1	SN54141 SN74141	402.16-6 238.16-2	Декодер 4 в 10 с высоковольтным выходом
133ИД3 155ИД3	SN54154 SN74154	405.24-2 239.24-2	Декодер 4 в 16
133ИД4 155ИД4	SN54155 SN74155	402.16-6 238.16-2	Сдвоенный декодер 2 в 4
КМ155ИД8А	б/а	209.24-1	Дешифратор для матрицы 7*5
155ИД9	б/а	209.24-1	Дешифратор для матрицы
133ИД10 155ИД10	SN54145 SN74145	402.16-6 238.16-2	Декодер 4 в 10
К155ИД11	б/а	238.16-2	Дешифратор 3 в 8 для управления шкалой
К155ИД12	б/а	238.16-2	Дешифратор 3 в 8 для управления шкалой со сдвигом точки
К155ИД13	б/а	238.16-2	Дешифратор 3 в 8 для управления шкалой со сдвигом двух точек
155ИД15 133ИД15 И133ИД15	б/а	238.16-2 402.16-3 4108.16-2	Дешифратор 3 в 8 для управления шкалой линейной красного цвета
133ИД16 И133ИД16	б/а	402.16-3 4108.16-2	Дешифратор для управления линейной шкалой зеленого цвета
133ИД20 И133ИД20	б/а	4118.24-1 4114.24-3	Управление сборкой из линейных светодиодных шкал красного свечения
133ИД21 И133ИД21	б/а	4118.24-1 4114.24-3	Управление сборкой из линейных светодиодных шкал желтого и зеленого цветов свечения или знакосинтезирующих индикаторов
К155ИД24	SN7445	238.16-1	Высоковольтный двоично-десятичный дешифратор с открытым коллектором
К155ИЕ1	б/а	201.14-1	Декадный счетчик с фазоимпульсным представлением
133ИЕ2 155ИЕ2 133ИЕ201	SN5490A SN7490A	401.14-4 201.14-1 401.14-5	4-разрядный счетчик двоично-десятичный
133ИЕ4 155ИЕ4 133ИЕ401	SN5492A SN7492A	401.14-4 201.14-1 401.14-5	4-разрядный счетчик-делитель на 12
133ИЕ5 155ИЕ5 133ИЕ501	SN5493A SN7493A	401.14-4 201.14-1 401.14-5	4-разрядный счетчик двоичный
133ИЕ6 155ИЕ6	SN54192 SN74192	402.16-6 238.16-2	4-разрядный реверсивный счетчик двоично-десятичный
133ИЕ7 155ИЕ7	SN54193 SN74193	402.16-6 238.16-2	4-разрядный реверсивный счетчик двоичный
133ИЕ8 155ИЕ8	SN5497 SN7497	402.16-6 238.16-2	Делитель частоты с переменным коэффициентом деления
133ИЕ9 155ИЕ9	SN54160 SN74160	402.16-6 238.16-2	4-разрядный синхронный счетчик
133ИЕ14 155ИЕ14	SN54196 SN74196	401.14-4 201.14-1	Десятичный счетчик
133ИМ1 155ИМ1 И133ИМ1	SN5480 SN7480 SN5480	401.14-4 201.14-1 4105.14-10	Одноразрядный полный сумматор
133ИМ2 155ИМ2 И133ИМ2	SN5482 SN7482 SN5482	401.14-4 201.14-1 4105.14-10	Двухразрядный полный сумматор
133ИМ3 155ИМ3 И133ИМ3	SN5483A SN7483A SN5483A	402.16-6 238.16-2 4108.16-2	Четырехразрядный полный сумматор
133ИП2 155ИП2	SN54180 SN74180	401.14-4 201.14-1	8-разрядная схема контроля четности
133ИП3 155ИП3	SN54181 SN74181	405.24-2 239.24-2	4-разрядное арифметическо-логическое устройство
133ИП4 155ИП4	SN54182 SN74182	402.16-6 238.16-2	Схема ускоренного переноса
133ИР1 155ИР1 И133ИР1	SN5495 SN7495 SN5495	401.14-4 201.14-1 4105.14-10	4-разрядный сдвиговый регистр
133ИР13 155ИР13	SN54198 SN74198	405.24-2 239.24-2	8-разрядный универсальный регистр
155ИР15	SN74173	238.16-2	Регистр 4-разрядный с тремя состояниями на выходе
133ИР17 155ИР17	AM2504 AM2504	405.24-2 239.24-2	12-разрядный регистр последовательного приближения
133ИР32 155ИР32	SN54170 SN74170	402.16-6 238.16-2	Регистровый файл 4*4
133КП1 155КП1	SN54150 SN74150	405.24-2 239.24-2	Мультиплексор 16 в 1 со стробом
133КП2 155КП2	SN54153 SN74153	402.16-6 238.16-2	Сдвоенный мультиплексор 4 в 1 со стробом
133КП5 155КП5	SN54152 SN74152	401.14-4 201.14-1	Мультиплексор 8 в 1
133КП7 155КП7	SN54151 SN74151	402.16-6 238.16-2	Мультиплексор 8 в 1 со стробом
133ЛА1 155ЛА1	SN5420 SN7420	401.14-4 201.14-1	2 логических элемента 4И-НЕ, один расширяемый
133ЛА2 155ЛА2	SN5430 SN7430	401.14-4 201.14-1	1 логический элемент 8И-НЕ
133ЛА3 155ЛА3	SN5400 SN7400	401.14-4 201.14-1	4 логических элемента 2И-НЕ
133ЛА4 155ЛА4	SN5410 SN7410	401.14-4 201.14-1	3 логических элемента 3И-НЕ
133ЛА6 155ЛА6	SN5440 SN7440	401.14-4 201.14-1	2 мощных логических элемента 4И-НЕ
133ЛА7 155ЛА7	SN5422 SN7422	401.14-4 201.14-1	2 логических элемента 4И-НЕ с открытым коллектором
133ЛА8 155ЛА8	SN5401 SN7401	401.14-4 201.14-1	4 логических элемента 2И-НЕ с открытым коллектором
133ЛА10 155ЛА10	SN5412 SN7412	401.14-4 201.14-1	3 логических элемента 3И-НЕ с открытым коллектором
133ЛА11 155ЛА11 И133ЛА11	SN5426 SN7426 SN5426	401.14-4 201.14-1 4105.14-10	4 логических элемента 2И-НЕ с открытым коллектором, высоковольные
133ЛА12 155ЛА12 И133ЛА12	SN5437 SN7437 SN5437	402.16-6 201.14-1 4108.16-2	4 мощных логических элемента 2И-НЕ
155ЛА13	SN7438	201.14-1	4 мощных логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом и открытым коллектором
133ЛА15	б/а	401.14-1	Элемент сопряжения с МОП ЗУ
133ЛД1 155ЛД1	SN5460 SN7460	401.14-4 201.14-1	2 4-входовых расширителя по ИЛИ
133ЛД3 155ЛД3	б/а б/а	401.14-4 201.14-1	8-входовой расширитель по ИЛИ
133ЛЕ1 155ЛЕ1 И133ЛЕ1	SN5402 SN7402 SN5402	401.14-4 201.14-1 4105.14-10	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ
155ЛЕ2	SN7423	238.16-1	2 логических элемента 4ИЛИ-НЕ со стробированием
133ЛЕ3 155ЛЕ3	SN5425 SN7425	401.14-4 201.14-1	2 логических элемента 4ИЛИ-НЕ со стробированием
155ЛЕ4	SN7427	238.16-1	3 логических элемента 3ИЛИ-НЕ
133ЛЕ5 155ЛЕ5	SN5428 SN7428	402.16-6 201.14-1	4 мощных логических элемента 2ИЛИ-НЕ
133ЛЕ6 155ЛЕ6	SN54128 SN74128	402.16-6 201.14-2	4 мощных логических элемента 2ИЛИ-НЕ
133ЛИ1 155ЛИ1	SN5408 SN7408	401.14-4 201.14-1	4 логических элемента 2И
133ЛИ5	SN55451	401.14-4	4 логических элемента 2И с мощным выходом с открытым коллектором
133ЛЛ1 155ЛЛ1 И133ЛЛ1	SN5432 SN7432 SN5432	401.14-4 201.14-1 4105.14-10	4 логических элемента 2ИЛИ
133ЛН1 155ЛН1 И133ЛН1	SN5404 SN7404 SN5404	401.14-4 201.14-1 4105.14-10	6 логических элементов НЕ
133ЛН2 155ЛН2	SN5405 SN7405	401.14-4 201.14-1	6 логических элементов НЕ с открытым коллектором
133ЛН3 155ЛН3	SN5406 SN7406	401.14-4 201.14-1	6 инверторов с повышенным коллекторным напряжением (мощных)
133ЛН5 155ЛН5	SN5416 SN7416	402.16-6 201.14-1	6 мощных инверторов
155ЛН6	SN74366	238.16-2	6 инверторов с тремя состояниями
133ЛП4 155ЛП4	SN5417 SN7417	401.14-4 201.14-1	6 повторителей мощных с открытым коллектором
133ЛП5 155ЛП5	SN5486 SN7486	401.14-4 201.14-1	4 двухвходовых элемента «Исключающее-ИЛИ»
133ЛП7	SN55450	401.14-4	2 двухвходовых элемента с общим входом 2И-НЕ и двумя мощными транзисторами
133ЛП8 155ЛП8	SN54125 SN74125	401.14-4 201.14-1	4 драйвера с тремя состояниями
133ЛП9 155ЛП9	SN5407 SN7407	401.14-4 201.14-1	6 повторителей с повышенным коллекторным напряжением (мощных)
155ЛП10	SN74365	238.16-2	6 повторителей с тремя состояниями
155ЛП11	SN74367	238.16-2	6 повторителей с тремя состояниями
133ЛР1 155ЛР1	SN5450 SN7450	401.14-4 201.14-1	2 логических элемента 2-2И-2ИЛИ-НЕ, один из которых расширяемый по ИЛИ
133ЛР3 155ЛР3	SN5453 SN7453	401.14-4 201.14-1	Логический элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ
133ЛР4 155ЛР4	SN54H55 ф/а SN74H55 ф/а	401.14-4 201.14-1	Логический элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ
133ПП4	SN5449	402.16-6	Преобразователь двоичного кода в семисегментный
133ПР6 155ПР6	SN54184 SN74184	402.16-6 238.16-2	Преобразователь двоично-десятичного кода в двоичный
133ПР7 155ПР7	SN54185 SN74185	402.16-6 238.16-2	Преобразователь двоичного кода в двоично-десятичный
133ТВ1 155ТВ1	SN5472 SN7472	401.14-4 201.14-1	Триггер J-K с логикой 3И на входе
133ТЛ1 155ТЛ1	SN5413 SN7413	401.14-4 201.14-1	2 триггера Шмитта с логикой 4И-НЕ
133ТЛ2 155ТЛ2	SN5414 SN7414	401.14-4 201.14-1	6 триггеров Шмитта
133ТЛ3 155ТЛ3	SN54132 SN74132	401.14-4 201.14-1	4 триггера Шмитта с логикой 2И-НЕ
133ТМ2 155ТМ2	SN5474 SN7474	401.14-4 201.14-1	2 D-триггера
133ТМ5 155ТМ5 И133ТМ5	SN5477 SN7477 SN5477	401.14-4 201.14-1 4105.14-10	4 D-лэтча
133ТМ7 155ТМ7 И133ТМ7	SN5475 SN7475 SN5475	402.16-6 238.16-2 4108.16-2	4 D-лэтча с прямыми и инверсными выходами
155ТМ8	SN74175	238.16-1	Счетверенный D-триггер со сбросом
133РП3 155РП3	SN54172 SN74172	4118.24-1 239.24-2	Регистровый файл на 16 бит с выходом 3 состояния
133РУ1 155РУ1	SN5481 SN7481	401.14-4 201.14-1	ОЗУ на 16 бит
155ХЛ1	б/а	201.14-1	Многофункциональный элемент для ЭВМ

Техническая литература — Интегральные микросхемы ТТЛ, ТТЛШ.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие………………………………………………………………………………………………………………….. 3
Англоязычные сокращения, использованные в справочнике…………………………………………………. 6

Раздел I. Общие сведения об ИС ТТЛ, ТТЛШ
Глава I. Характерные особенности…………………………………………………………………………………….. 9
1.1. Схемотехника…………………………………………………………………………………………………………… 9
1.2. Терминология и обозначение параметров……………………………………………………………………. 15
Глава 2. ИС в узлах радиоэлектронной аппаратуры…………………………………………………………….. 25
2.1. Классификация ИС………………………………………………………………………………………………….. 25
2.2. Система обозначений ИС………………………………………………………………………………………….. 28
2.3. Сопряжение ИС различных серий………………………………………………………………………………. 35

Раздел II. Репрезентативные серии ТТЛ, ТТЛШ
Глава 3. Функциональный состав серий……………………………………………………………………………. 39
3.1. Серия 133 (SN54)…………………………………………………………………………………………………….. 39
3.2. Серия 155 (SN74)…………………………………………………………………………………………………….. 43
3.3. Серия 530 (SN54S)…………………………………………………………………………………………………… 49
3.4. Серия 531 (SN74S)…………………………………………………………………………………………………… 52
3.5. Серия533 (SN54LS)………………………………………………………………………………………………….. 56
3.6. Серия 555 (SN74LS)…………………………………………………………………………………………………. 62
3.7. Серия 1533 (SN54ALS, SN74ALS)………………………………………………………………………………. 68
Глава 4. Комбинационная логика…………………………………………………………………………………….. 76
4.1. Логические элементы НЕ………………………………………………………………………………………….. 76
4.2. Логические элементы И, И-НЕ…………………………………………………………………………………… 78
4.3. Логические элементы ИЛИ, ИЛИ-НЕ………………………………………………………………………….. 86
4.4. Логические элементы И-ИЛИ, И-ИЛИ-НЕ…………………………………………………………………… 90
4.5. Прочие логические элементы и драйверы……………………………………………………………………. 93
4.6. Шифраторы, дешифраторы и демультиплексоры………………………………………………………… 106
4.7. Мультиплексоры……………………………………………………………………………………………………. 125
4.8. Арифметические устройства……………………………………………………………………………………. 135
Глава 5. Последовательная логика………………………………………………………………………………….. 160
5.1. Триггеры………………………………………………………………………………………………………………. 160
5.2. Регистры………………………………………………………………………………………………………………. 170
5.3. Счетчики………………………………………………………………………………………………………………. 190
5.4. Запоминающие устройства………………………………………………………………………………………. 207
Глава 6. Релаксационные устройства………………………………………………………………………………. 212
6.1.0дновибраторы……………………………………………………………………………………………………….. 212
6.2. Мультивибраторы………………………………………………………………………………………………….. 214

Раздел III. Периферийные серии ТТЛ, ТТЛШ
Глава 7. Знакосинтезирующая серия 514…………………………………………………………………………. 217
Глава 8. Интерфейсная серия 559…………………………………………………………………………………… 227
Глава 9. Интерфейсная серия 1102………………………………………………………………………………….. 233
Приложение I. Аналоги ИС фирмы Texas Instruments………………………………………………………… 241
Приложение 2. Указатель ИС, помещенных в справочник…………………………………………………. 247
Список литературы………………………………………………………………………………………………………. 250

155 Источник постоянного / переменного тока и напряжения

Попробуйте без риска с нашей 90-дневной гарантией возврата денег при заказе источника тока и напряжения 155 непосредственно у Lake Shore Cryotronics.

Положения и условия

• Это ограниченное по времени предложение распространяется на первый заказ Покупателя на источник MeasureReady 155.
• Заказ должен быть размещен непосредственно через Lake Shore Cryotronics.
• 90-дневный период начинается с даты отгрузки продукта с завода в Лейк-Шор.
• Перед возвратом любого прибора MeasureReady 155 покупатель должен связаться с компанией Lake Shore Cryotronics для получения разрешения на возврат материалов (RMA).
• Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке и транспортировке любого продукта MeasureReady 155, возвращенного в Lake Shore Cryotronics (550 Tressler Drive, Westerville, OH 43082).
• Возвращенный прибор MeasureReady 155 должен быть отправлен в оригинальной упаковке и включать все содержимое, входящее в исходную поставку.
• Плата за пополнение запасов не взимается, и покупателю будет начислен полный возврат первоначальной покупной цены MeasureReady 155 (без учета первоначальной стоимости доставки и погрузочно-разгрузочных работ), если материалы получены компанией Lake Shore в первоклассном товарном состоянии. Любые дополнительные расходы, необходимые для возврата полученного материала в первоклассное товарное состояние, могут быть вычтены из предоставленного кредита.
• Применяются все остальные стандартные положения и условия.

Низкий уровень шума при постоянном токе без ущерба для полосы пропускания переменного тока

Бесшумный прецизионный источник тока и напряжения MeasureReady® 155 сочетает в себе превосходные характеристики с беспрецедентной простотой для материаловедов и инженеров, которым требуется точный источник напряжения и тока.

Обладая обширным опытом в области создания малошумящих приборов для исследований, компания Lake Shore использовала новейшие электронные технологии для снижения минимальных уровней внутриполосного и внеполосного шума для источника MeasureReady 155 до уровней, которые ранее были возможны только с использованием надстройки. фильтры. Результатом является комбинация источника переменного / постоянного тока и напряжения, которая хорошо подходит для задач определения характеристик чувствительных материалов и устройств, где требуются более низкие сигналы возбуждения и требуется минимальное введение шума в измерения.

Несмотря на внутреннюю сложность, 155 необычайно проста в эксплуатации. Ведущие продуктовые дизайнеры отмечают, что выполнить простое намного сложнее, чем сложное — простое размещение сенсорного экрана на сложном продукте не сделает его проще. Современный, ориентированный на пользователя дизайн MeasureReady 155 от Lake Shore представляет собой лаконичный и интуитивно понятный интерфейс, который мгновенно становится знакомым и естественным для любого, кто владеет смартфоном.

Список выбора запчастей НАСА (NPSL)

О компании NPSL Запрещено Материалы Детали Подборка содержания Списки выбора запасных частей EEE для других космических агентств Европейское космическое агентство (ESA) Японское агентство аэрокосмических исследований (JAXA)

Список выбора запчастей НАСА (NPSL) ПРИМЕЧАНИЕ: Если специально не указано в таблицах выбора деталей NPSL, перечисление технологии устройства в данном документе НЕ подразумевает / не гарантирует Обеспечение радиационной стойкости (RHA).Приложения, связанные с способность устройства выдерживать воздействие различных форм пространства излучение (например, общая ионизирующая доза, эффекты единичного события и т. д.) должны быть проверены, и устройство должно быть оценено Программой специалисты по радиационной безопасности. Следующие ресурсы также могут Проконсультируйтесь для получения начального руководства: НАСА Годдард Радиационные эффекты и анализ Реактивный двигатель Лаборатория радиационного воздействия Уровень 1 Микросхемы Микросхемы уровня 1 определены как те, которые в настоящее время соответствуют требованиям . MIL-PRF-38535 «Производство интегральных схем (микросхем). Общие технические условия» для «как QML Class V или MIL-M-38510 «Микросхемы, Общие технические условия» как QPL JAN Class S или, Чертежи контроля качества пространства (SCD), где QML / QPL не существуют, которые соответствуют всем техническим требованиям MIL-STD-883, Метод 5004 и 5005 для устройства класса S Европейское пространство Агентство (ESA) SCC Level B Уровень приемки партии 2 (LA2) Японское агентство аэрокосмических исследований (JAXA) QPL / QML Класс I Уровень 2 Микросхемы Уровень 2 микросхемы определяются как те, которые в настоящее время соответствуют требованиям MIL-PRF-38535 «Производство интегральных схем (микросхем). Общие технические условия» для « как QML Class Q или MIL-M-38510 «Микросхемы. Общие технические условия» as QPL JAN Class B , при изменении / проверке для каждой миссии требования к месту Европейское пространство Агентство (ESA) SCC Level C [Примечание 1] Японское агентство аэрокосмических исследований (JAXA) QPL / QML Класс II Примечания: 1) ESA отправился в одноуровневая система, основанная на ESA SCC Level B, так что новый продукт будет быть доступным только как SCC Level B.Продукты ESA SCC Level C могут оставаться доступен для ранее произведенного продукта, пока есть на складе. Полезные ссылки: Следующие ссылки предоставить дополнительную информацию, чтобы облегчить выбор квалифицированных / доступных микросхемы История изменений раздела микросхем NPSL: 1 февраля 2016: удалена бывшая часть микросхемы NPSL, которая была заархивирована в 2003 году. 9 ноября 2009 г .: Обновлено ссылка для JAXA Квалифицированная база данных запчастей EEE 25 октября 2005 г. микросхема раздел NPSL был обновлен, чтобы отразить различные редакционные изменения по запросу Японского агентства аэрокосмических исследований (JAXA). Эти изменения включали: Изменить все ссылки на «JAXA» от «Национального агентства аэрокосмического развития Японии (NASDA)» Удалить ссылки на NASDA PPL, которые был деактивирован JAXA Изменить ссылки на «JAXA QPL / QML» от «НАСДА QTS» Удалить все ранее перечисленные JAXA Перечень деталей ИС, транзисторов и диодов (кроме тонких элементов диод) из-за отмены сертификации этих технологий JAXA Обновление контактной информации для JAXA EEE менеджеры запчастей Добавить ссылку на JAXA Квалифицированная база данных запчастей EEE только для справки 21 апреля 2003 г. обновлен раздел микросхем в NASA Parts Selection List (NPSL) чтобы упростить список, чтобы отображались только допустимые уровни (см. над).Это изменение расширяет предыдущие Раздел микросхемы NPSL допустимых типов деталей без предоставления подробный список номеров деталей и описаний. Предыдущие версии раздела микросхем NPSL использовали эти же базовые определения для приемлемые уровни, но также включен подробный список номеров деталей, описания и источники. В связи с постоянным изменением доступности квалифицированных микросхемных технологий и связанных источников, этот тип подробного листинга в NPSL никогда не могла оставаться актуальной.По этой причине будущие обновления NPSL больше не будут пытаться поддерживать вот такой подробный список микросхем. Только для справки» подробный список из прошлого раздела микросхем NPSL был хранится в виде архива. Пользователи NPSL рекомендуется, чтобы заархивированные списки составляли лишь небольшую часть технологии устройств считаются приемлемыми в соответствии с рекомендациями NPSL. В кроме того, архив не поддерживается, поэтому пользователям следует проконсультируйтесь с последними версиями QML или QPL для получения информации о текущем статусе квалификации этих устройств.

Мозговая визуализация пластичности языка у усыновленных взрослых: может ли второй язык заменить первый? | Кора головного мозга

Аннотация

Теряют ли нейронные цепи, отвечающие за овладение языком, пластичность, когда они настраиваются на материнский язык? Мы протестировали взрослых испытуемых, родившихся в Корее и усыновленных французскими семьями в детстве; они стали бегло говорить на своем втором языке и не сообщают о том, что сознательно помнят родной язык.В поведенческих тестах, оценивающих их память на корейский язык, мы обнаружили, что они не работают лучше, чем контрольная группа французских субъектов, которые никогда не сталкивались с корейским языком. Мы также использовали функциональную магнитно-резонансную томографию, связанную с событиями, для отслеживания активации коры головного мозга, в то время как приемные корейцы и коренные французы слушали предложения, произносимые на корейском, французском и других, неизвестных, иностранных языках. У усыновленных испытуемых не было выявлено каких-либо специфических реакций на корейские стимулы по сравнению с неизвестными языками.Области, активируемые больше французскими стимулами, чем иностранными, были похожи у корейских приемных детей и у французских подданных, но с относительно большей степенью активации в последней группе. Мы обсуждаем эти данные в свете гипотезы критического периода для овладения языком.

Введение

Маленькие дети, кажется, обладают особым даром изучать язык. Исследования раннего овладения языком показали, что младенцы быстро привыкают к свойствам своего родного языка (Werker and Tees, 1984; Halle et al., 1991; Kuhl et al. , 1992). Более того, несколько исследований установили, что возраст владения первым или вторым языком является основным фактором, определяющим окончательное владение языком (Oyama, 1976; Newport, 1990; Mayberry and Eichen, 1991; Flege et al. , 1995): задержка даже на несколько лет в первом знакомстве с языком может привести к тонкому, но значительному недостатку владения его фонологией, морфологией или синтаксисом (Johnson and Newport, 1989; Weber-Fox and Neville, 1996; Pallier et al., 1997). Эти факты часто использовались для подтверждения существования критического или чувствительного периода для изучения языка у людей, подобного тому, который наблюдается у нечеловеческих видов в других областях (Doupe and Kuhl, 1999).

Одно из объяснений объясняет это прогрессирующей потерей пластичности нейронных цепей, отвечающих за изучение языка. Изменение пластичности может быть результатом связанных с возрастом процессов созревания (Penfield, 1959; Lenneberg, 1967) или самого акта обучения (Bever, 1981; Flege et al., 1999). Однако это объяснение, отныне именуемое «гипотеза кристаллизации», является спорным: некоторые поздно изучающие второй язык, по-видимому, становятся совершенно бегло говорящими, и остается нерешенным вопрос о том, обладает ли человеческий мозг потенциальными возможностями при условии адекватной среды и обучения. овладеть вторым языком на уровне местных жителей (Long, 1990; Birdsong, 1992; Werker and Tees, 1992; Strange, 1995; Harley and Wang, 1997; MacWhinney, 1997). Гипотеза кристаллизации предсказывает, что чем позже будет изучен второй язык, тем больше будут различаться корковые представления второго и первого языков.Однако это предсказание получило лишь смешанную поддержку. В исследовании функциональной магнитно-резонансной томографии (фМРТ) формирования предложений у двуязычных, в соответствии с гипотезой, паттерны активации, вызванные внутренним производством в L1 и L2 в области Брока, полностью перекрывались у ранних двуязычных, но различались у поздних двуязычных (Kim и др., , 1997). Однако в последующем исследовании образования отдельных слов у ранних и поздних двуязычных людей были обнаружены сильно перекрывающиеся активации (Chee et al., 1999b). В задачах на понимание конечный уровень владения L2, превышающий возраст приобретения, по-видимому, позволяет предсказать, совпадают ли кортикальные представления L1 и L2 (Dehaene et al. , 1997; Perani et al. , 1998; Chee и др. , 1999a). У билингвов с низким уровнем владения языком активации при прослушивании L2 сильно различаются от одного человека к другому и часто отличаются от тех, которые вызываются L1 (Dehaene et al. , 1997). Однако в исследовании с помощью позитронно-эмиссионной томографии (ПЭТ) подмножества поздних двуязычных, которым удалось очень свободно владеть языком L2, кортикальные репрезентации L1 и L2 были неотличимы и похожи на таковые у носителей языка (Perani et al., 1998). Последние результаты кажутся противоречащими гипотезе кристаллизации. Однако такое групповое исследование с использованием ПЭТ может быть недостаточно чувствительным, чтобы обнаружить тонкие изменения в организации языковых областей. Более того, можно утверждать, что высококвалифицированные участники, некоторые из которых были профессиональными синхронными переводчиками, были исключительными людьми.

Другое предсказание гипотезы кристаллизации состоит в том, что знакомство с первым языком должно оставлять долговременные следы в нейронных цепях, обслуживающих языковую обработку.В настоящем исследовании мы исследуем этот вопрос, используя фМРТ для изучения церебральных основ понимания речи у специальной группы субъектов: детей, усыновленных из зарубежных стран, которые перестали использовать свой родной язык и говорят только на языке своих новых родителей. При тестировании во взрослом возрасте они, по-видимому, свободно говорят на своем втором языке и сообщают, что полностью забыли свой первый язык (Maury, 1995). L2 полностью заменил L1? Согласно гипотезе кристаллизации, воздействие L1 в течение первых 3–8 лет жизни должно было оставить следы.Предоставление усыновленным субъектам предложений на их исходном языке должно вызвать некоторую остаточную активность в языковых областях. Если, с другой стороны, языковые контуры мозга остаются пластичными, тогда изучение нового языка могло полностью перекрыть следы, оставленные первым. Насколько нам известно, это первое поведенческое и нейровизуализационное исследование, в котором используются данные приемных детей для изучения пластичности овладения языком, когда основной язык ребенка внезапно перестает использоваться.

Материалы и методы

Субъектов

Чтобы найти усыновленных субъектов, мы связались с несколькими организмами, отвечающими за иностранное усыновление во Франции, и разослали почту нескольким сотням усыновленных субъектов из разных стран. Судя по полученным ответам, единственная достаточно большая группа была сформирована из людей корейского происхождения. После исключения тех, кто имел контакты с корейским с момента их прибытия, и тех, кто не мог участвовать в эксперименте фМРТ по разным причинам, мы получили восемь человек, для которых у нас были убедительные доказательства внезапной и окончательной изоляции от исходного материнского языка ( две женщины, шесть мужчин в возрасте от 20 до 32 лет, среднее значение = 26.8; возраст усыновления составлял 3, 3, 5,5, 5,5, 5,5, 7, 7,5 и 8 лет). Все утверждали, что полностью забыли свой родной язык, как это обычно бывает с детьми, усыновленными из иностранной иммиграции (Maury, 1995). При опросе об их навыках французского только один (набравший 5,5) сообщил о серьезных проблемах в обучении французскому языку. Остальные сообщили, что выучили французский язык довольно быстро и не имели заметного иностранного акцента во французском языке.

Учитывая историю их усыновления, вызывает озабоченность степень, в которой первоначальное овладение языком этими субъектами было нормальным, и, в частности, получили ли они достаточный вклад в корейский язык.Хотя у нас мало информации об их индивидуальной истории, приемные организмы сообщили нам, что в детских домах, из которых они вышли, они общались не только с другими детьми, но и со взрослыми, говорящими по-корейски. Дети постарше ходили в корейскую школу. Таким образом, вполне вероятно, что они получили нормальное знакомство с корейским языком. Контрольную группу составили восемь носителей французского языка, говорящих на одном языке (две женщины, шесть мужчин в возрасте от 22 до 28 лет, среднее значение = 23,5), которые не знали ни одного азиатского языка.Согласно Эдинбургскому опроснику, все испытуемые были правшами.

Все испытуемые участвовали в двух поведенческих тестах вне сканера и одном тесте внутри сканера.

Поведенческий тест 1: идентификация языка

Испытуемые прослушали в общей сложности 60 предложений, по 12 на каждом из пяти языков, незнакомых французским (корейский, японский, польский, шведский и волоф). Приговоры были прочитаны тремя разными носителями языка женского пола. После каждого предложения испытуемый должен был указать по шкале от 1 до 7 степень уверенности в том, что предложение написано на корейском языке или нет: «7» означает, что он / она уверен, что предложение написано на корейском языке; «1» означает, что он / она уверен, что предложение написано не на корейском языке; 4 указали на полное недоверие.

Поведенческий тест 2: Распознавание слов

Эксперимент состоял из серии из 24 испытаний, которые начинались с показа слова (написанного по-французски) с последующим прослушиванием двух корейских слов. Задача заключалась в том, чтобы решить, какое из двух корейских слов было правильным переводом отображаемого слова. Испытуемые могли повторять корейские слова сколько угодно раз, прежде чем отвечать.

Разработка и приобретение фМРТ

Визуализация мозга выполнялась с использованием связанной с событием фМРТ, в то время как участники слушали в общей сложности 128 предложений на четырех разных языках: французском, корейском, японском и польском.Японский и польский языки были неизвестны нашим испытуемым и, таким образом, служили контролем для французских и корейских предложений. Кроме того, японский язык был больше похож на корейский, чем на польский, что было подтверждено нашим предварительным тестом. Мы были заинтересованы в том, чтобы оценить, будет ли эта разница в сходстве проявляться в корковых активациях.

Предложения были выбраны из записей трех носителей языка на каждом языке. Предложения были отобраны из корпуса предложений на разных языках, все переведены с одних и тех же оригинальных французских предложений.Все записи были сделаны в одной звукоизолированной комнате (частота дискретизации 64 кГц; нижние частоты 20 кГц; 4-кратная недостаточная дискретизация). Предложения, читаемые с естественной интонацией, состояли из 16–21 слога. Они были отобраны таким образом, чтобы распределение продолжительности было одинаковым для разных языков (в среднем = 2,9 с). Средние энергии (среднеквадратичные) стимулов также были приравнены.

Чтобы убедиться, что испытуемые обратили внимание на предложения, от них требовалось выполнить задачу по обнаружению фрагментов. После каждого предложения после задержки 500 мс воспроизводился фрагмент 400 мс.Испытуемый должен был указать, нажимая одну из двух кнопок ответа, присутствовал ли этот фрагмент в предложении или нет. Перед сканированием испытуемые выполнили пробный прогон из 12 попыток по этой задаче.

Слуховые стимуляции (воспроизведение одного предложения с последующим зондированием) имели среднюю продолжительность 4 с и происходили каждые 19,6 с в течение временных окон, в которых градиенты считывания были отключены, что значительно уменьшало шум в сканере. После каждой стимуляции было выполнено шесть сканирований всего мозга ( T ₂ * -взвешенная эхопланарная визуализация, 3.75 × 3,75 × 5 мм, 22 среза, T _R = 2,4 с, на магните Bruker 3 T). Стимулы вводились четырьмя 10-минутными блоками, каждый из которых состоял из 32 попыток. Языки, говорящие и стороны ответа были равномерно распределены внутри каждого блока. Инструкция (ответить «присутствует» правой или левой рукой) была переключена между вторым и третьим блоком. Предложения были представлены в разном рандомизированном порядке для каждого испытуемого. Всего было получено 128 × 6 = 768 функциональных изображений для каждого объекта.Высокое разрешение T ₁ анатомических сканирований (3-D последовательность градиент-эхо-инверсия-восстановление, T _I = 700 мс, T _R = 1600 мс, FOV = 192 × 256 мм ² , матрица = 256 × 128 × 256, толщина среза = 1,2 мм).

Анализ данных фМРТ

Данные

фМРТ были обработаны с использованием программного обеспечения SPM99, начиная с синхронизации срезов, пространственного выравнивания (коррекция движений), пространственной нормализации и сглаживания с помощью гауссова ядра 5 мм.Для статистического анализа мы создали линейную модель, определив шесть категорий событий: французские, корейские, японские или польские стимуляции, а также правые или левые моторные реакции (Friston et al. , 1995). Эти категории были скрещены с индикаторными переменными для четырех сессий, что дало в общей сложности 24 вектора начала, которые были свернуты с помощью идеальной гемодинамической импульсной реакции и ее производной (включенной для моделирования небольших временных сдвигов). Были выполнены как индивидуальные, так и групповые анализы; Групповой анализ состоял из t- тестов с использованием отдельных контрастных изображений, сглаженных на 8 мм (одно изображение на каждого пациента).Если не указано иное, индивидуальные и групповые результаты были исследованы при пороговом значении по вокселю P <0,001 без поправки для множественных сравнений и пороговому значению P <0,05 для протяженности кластеров.

Результаты

Поведенческие тесты

В тесте на определение предложений корейские испытуемые не смогли распознать корейские предложения. Скорее, их рейтинги были идентичны для предложений на корейском и японском языках [4.09 и 4,04, соответственно: t (7) = 0,30, P = 0,70] и были выше для этих языков, чем для трех других представленных языков: польского, шведского и волоф [ t (7) = 5,0, P = 0,001]. Дисперсионный анализ показал, что этот образец производительности существенно не отличался от наблюдаемого в группе участников из числа носителей французского языка [группа × языковое взаимодействие: F (4,56) = 1,60, P = 0,17; Рис. 1 а ].Во втором тесте, где испытуемых попросили выбрать перевод письменного французского слова из двух произнесенных корейских слов, корейская и контрольная группы снова показали одинаковые результаты [успех 56% и 52% соответственно, t (14) = 0,98, P = 0,30; см. рис. 1 b ]. Наконец, в задаче обнаружения сегмента речи, выполняемой во время сканирования фМРТ, производительность не различалась между двумя группами [группа × языковое взаимодействие: F (3,14) = 1,5, P = 0.22]. И корейский, и контрольные испытуемые показали лучшую успеваемость на единственном языке, который они понимали (французский), чем на трех других языках [ t (7) = 6,65, P <0,001 и t (7) = 6,77, P <0,001; Рис. 1 c ]. Изучение индивидуальных данных в трех тестах показало, что ни один из корейских приемных детей не показал заметных отличий от контрольной группы.

Визуализация мозга

Наш первый анализ был направлен на выявление сети регионов, в которых французский язык более чувствителен, чем другие, неизвестные языки.Мы выбрали «польское» условие в качестве исходного, которое было нейтральным для двух групп, и определили области, в которых французские стимулы вызывали более сильную активацию, чем польские стимулы. Групповой анализ выявил сеть областей, сопоставимых с областью, выявленной в предыдущих исследованиях слушания предложений (Mazoyer et al. , 1993; Perani et al. , 1996, 1998; Dehaene et al. , 1997; Schlosser и др. , 1998). Эта сеть включала левую STS и соседние части верхней и средней височной извилины, левую нижнюю лобную извилину (сектор треугольной мышцы) и, в меньшей степени, контралатеральные височные области правого полушария.Аналогичные сети были активированы в обеих группах субъектов (см. Таблицу 1, Фиг.2, , и 3): прямое сравнение двух групп не дало существенной разницы (даже когда порог был снижен до P <0,01 вокселов без поправки на множественные сравнения и порог размера кластера установлен на P <0,05). Аналогичные результаты были получены, когда активации, вызванные японскими предложениями, а не польскими предложениями, использовались в качестве базового уровня (рис. 2 B ).

Проверка отдельных анализов французско-польского сравнения (рис. 4) показала, что, хотя участники обеих групп активировали аналогичные области, участники из корейской группы имели меньшую степень активации, чем контрольная группа. Подсчет вокселов выше порога P <0,001 был подвергнут дисперсионному анализу с факторами «полушарие» и «родной язык» (см. Рис. 5): оба фактора были значимыми [Группа: F (1,14 ) = 7,3, P = 0.02; Полушарие: F (1,14) = 24,0, P <0,001], но не взаимодействовали [ F (1,14) = 1,6, P = 0,23]. Аналогичный анализ для количества вокселей выше P <0,05 исправлено, дал аналогичный результат. Важно отметить, что такой групповой разницы не было обнаружено, когда мы сравнивали степень активации моторной коры, связанной с нажатием клавиш левой и правой рукой [Группа: F (1,14) = 0,53, P = 0,48]. Это говорит о том, что меньшая степень активации у корейских субъектов во время языкового слушания не была связана с изменениями анатомической организации, формы головы или параметров изображения, а, возможно, была связана с их своеобразной историей усвоения языка.

Затем мы исследовали наличие активаций, специфичных для корейских предложений, снова относительно польских предложений. В корейской группе не было обнаружено значимых различий (при P <0,01 или при P <0,001 без поправки по вокселу для множественных сравнений и P <0,05 с поправкой на протяженность кластера). Кроме того, в индивидуальных анализах ни у одного из субъектов из числа коренных корейцев не было обнаружено каких-либо специфичных для корейского языка активаций ( P <0,001 без исправлений).Однако в групповом анализе носителей французского языка корейские стимулы активировали две области в большей степени, чем польские: одна - в левом мозжечке [максимум при –12, –56, –16; T (7) = 7,08] и один в правой средней верхней височной борозде (STS) [в 44, –12, –12; T (7) = 18,24]. Когда сравнивались две группы, эта правая область STS проявлялась значительно, когда порог был снижен до P <0,01 [48, –20, –12; Т (14) = 5.35]. Однако кластер активации расположен примерно в том же регионе [макс. в 48, –4, –8; T (14) = 4,74] также был обнаружен в корейской группе в «корейско-польском» анализе на уровне вокселов P <0,01 (но это не приближалось к порогу степени P <0,05). Это может быть связано с различиями между корейским и польским языками, которые были заметны участникам (см. Рис. 1 a ). Тем не менее, аналогичный анализ, сравнивающий корейские и японские предложения, а также японские и польские предложения, не выявил каких-либо существенных различий между языками или двумя группами.

Наконец, мы сравнили активации французских и корейских предложений напрямую (рис. 2 C ). Во французской группе это выявило ту же сеть левого полушария, которая была выявлена ​​в противопоставлении «французский> польский». Если корейские испытуемые имели какие-либо остатки изучения корейского как первого языка и французского как второго, то разница между французским и корейским языком в этой группе должна быть уменьшена или даже обращена вспять. Это был не тот случай. Контраст между французским и корейским был очень значительным вдоль левой STS и в левой нижней лобной области в корейской группе, как и во французской группе.Ни одна область мозга не показала групповых различий в контрастах «французский> корейский» или «корейский> французский».

Обсуждение

Мы изучали восприятие и понимание языка с помощью поведенческих методов и фМРТ в группе взрослых корейцев, усыновленных в юности французскими семьями, а также в контрольной группе французских подданных. Наблюдались три основных результата. Во-первых, с точки зрения поведения усыновленные испытуемые не могли отличить предложения на своем родном языке от предложений на разных языках.Они также не могли идентифицировать корейские слова в задаче с принудительным выбором или обнаруживать фрагменты из корейских предложений лучше, чем контроли на французском языке. Во-вторых, данные фМРТ не выявили различий в активации мозга, когда усыновленные субъекты слушали корейский по сравнению с неизвестным языком, таким как польский или японский. В-третьих, области коры головного мозга, которые больше отвечали на известный язык, французский, чем на другие иностранные языки, были похожи у приемных испытуемых и в контрольной группе носителей французского. Однако наблюдаемые активации в этом сравнении имели более широкую степень у французских подданных, чем у усыновленных.

Эти данные не поддерживают сильную версию гипотезы кристаллизации. В самом деле, эта гипотеза привела к тому, что мы ожидали активации, характерной для корейского языка, у усыновленных корейцев и различий в активированных областях между французскими и корейскими группами при прослушивании французского языка. На самом деле паттерны активации у корейцев были удивительно похожи на паттерны коренной французской группы, по крайней мере, с точки зрения активируемых регионов. Были обнаружены небольшие различия в степени и количестве активации; они более подробно обсуждаются ниже.В обеих группах наблюдалась большая активация левосторонних височных и нижних лобных областей при прослушивании французских предложений, но практически не обнаруживалась активация этой сети при прослушивании корейских предложений относительно двух других, неизвестных языков. Это свидетельствует в пользу обратимости пластических изменений, связанных с овладением речью, в первые несколько лет жизни. Участники нашего исследования были усыновлены в возрасте от 3 до 8 лет. Если бы мозговые цепи, обеспечивающие овладение языком, начали кристаллизоваться в этот период времени, мы бы ожидали увидеть большие различия между двумя группами.Наши данные скорее предполагают, что, когда второй язык изучается на раннем этапе, это приобретение не обязательно вовлекает другие системы мозга, чем те, которые участвуют в изучении родного языка. Напротив, второй язык может быть представлен в тех самых областях, которые обычно представляют первый язык. Этот вывод согласуется с предыдущим ПЭТ-исследованием понимания устной речи, в котором было обнаружено, что поздние, но очень беглые ученики, изучающие второй язык, имеют паттерны активации, неотличимые от таковых у носителей языка (Perani et al., 1998). По сравнению с этим предыдущим исследованием, настоящее исследование имеет то преимущество, что принятые предметы не были выбраны, потому что они были исключительно одарены иностранными языками. Наше исследование показывает, что любой ребенок, попавший в необычную ситуацию, когда ему приходится изучать новый язык между 3 и 8 годами жизни, может добиться высоких результатов, и что он делает это, используя те же области мозга, которые были приняты на работу в первую очередь. -овладение языком.

Собранные нами поведенческие наблюдения также подтверждают утверждение усыновленных субъектов о том, что они забыли свой родной язык.На корейском тесте на определение предложений они показали себя не лучше, чем наивные французские испытуемые. Это было верно также в лексическом тесте, который включал выбор подходящего значения для общих слов, и в тесте на обнаружение речевых сегментов. Одним из ограничений этих тестов (за исключением, возможно, третьего) является то, что они не были разработаны для проверки тонких, неявных остатков корейского языка в усыновленных предметах. Ранний опыт общения с корейским, возможно, оставил неявные бессознательные следы на уровне микросхем областей языковой обработки, которые наши поведенческие методы и методы фМРТ не обнаружили.Однако, если они вообще существуют, такие следы должны быть небольшими и, возможно, принимать форму «спящих» синаптических изменений, которые не могут быть обнаружены с помощью классических методов вычитания фМРТ. Такие следы могут быть обнаружены с помощью парадигмы обучения. Например, более обширные эксперименты по переподготовке (которые не могли быть проведены во время полудневного визита в рамках настоящего исследования) могут выявить более быстрое изучение корейского языка у субъектов, которые раньше знакомились с корейским языком по сравнению с контрольными субъектами, что наблюдалось у обоих животных и люди (Tees and Werker, 1984, Knudsen, 1998; Au et al., 2002). Мы находимся в процессе разработки такого обучающего теста, чтобы оценить, могут ли усыновленные корейцы воспринимать фонетические контрасты, существующие в корейском языке, но не во французском языке, лучше, чем слушатели-носители французского языка.

В нашем эксперименте фМРТ использовались естественные предложения, чтобы выявить потенциальные следы корейского языка в усыновленных предметах на любом из разных лингвистических уровней, от фонологии до лексики, просодии, синтаксиса и семантики. Чтобы выделить такие следы, мы вычитали активацию корейских стимулов из активации стимулов на двух иностранных языках, японском и польском.Ранее было показано, что эта процедура выявляет большую сеть активации при обработке известного относительно иностранного языка (Mazoyer et al. , 1993; Dehaene et al. , 1997; Schlosser et al. , 1998). . Однако одна трудность с этой логикой вычитания заключается в том, что некоторые области, особенно те, которые участвуют в декодировании речи и фонологических процессах, могут быть вычтены, потому что они могут быть одинаково хорошо активированы как известными, так и неизвестными языками. В самом деле, отсутствие дифференциальной активации в верхней височной извилине, которая была связана с декодированием речи (Hickok and Poeppel, 2000), как у усыновленных субъектов, так и у контрольной группы, можно интерпретировать как поддержку идеи о том, что чужеродные стимулы задействуют фонологические сигналы. обрабатывает столько же, сколько и естественные стимулы.Таким образом, метод вычитания мог оказаться неоптимальным для выявления следов первого языка на ранних этапах обработки речи.

Хотя большая часть наших результатов свидетельствует о высокой степени сходства между усыновленными предметами и предметами, являющимися носителями французского языка, мы обнаружили два различия между группами, которые стоит обсудить. Во-первых, при прослушивании французского языка по сравнению с иностранными стимулами, хотя были активированы одни и те же анатомические области, степень активации была больше у французских участников по сравнению с корейскими приемными субъектами.Этот результат отвечает на главный вопрос, для решения которого был разработан наш эксперимент: может ли второй язык заменить первый? Результаты, обсужденные выше, предполагают, что это возможно, но это последнее открытие предполагает, что такая замена может быть неполной. Известно, что приобретение опыта сопровождается локальным усилением активации мозга (Gauthier et al. , 1999; Poldrack and Gabrieli, 2001) и увеличением кортикальных карт (Elbert et al. , 1995) одновременно с сужение коркового строя (Rainer, Miller, 2000).Больший опыт французских подданных, являющихся носителями французского языка, мог привести к расширению кортикальных карт для языковой обработки и / или увеличению их отзывчивости по сравнению с корейскими подданными. Хотя мы неофициально наблюдали, что усыновленные корейцы очень хорошо владеют французским языком, потребуется дальнейшее исследование, чтобы оценить, могут ли они тонко отличаться от носителей языка.

С другой стороны, относительная разница в степени активации между группами может быть связана с большей активацией у принятых субъектов чужеродными стимулами.В отличие от контрольной группы, которая состояла из наивных студентов из района Парижа, усыновленные субъекты согласились участвовать в исследовании из-за своего статуса усыновленных и приезжали в Орсе из других частей Франции специально для этого исследования. Учитывая их естественное любопытство к своему особому статусу, мы не можем исключить возможность того, что они уделяли больше внимания стимулам иностранного языка, чем испытуемым. Также возможно, что их необычная история овладения языком привела к большей чувствительности языковых областей левого полушария к любой форме языкового ввода.В настоящее время мы не можем различать приведенные выше объяснения.

Второе различие между группами наблюдалось в корейско-польском вычитании, которое выявило активацию правой STS, которая была сильнее в группе коренных французов, чем у приемных испытуемых. Этот непредсказуемый результат может быть связан с относительной заторможенностью корейцев по сравнению с французской группой при прослушивании корейского языка. Эта интерпретация поднимает вопрос о возможной роли торможения в забывании первого языка.Однако тот факт, что две группы не различались по корейско-японскому и французско-корейскому субракциям, смягчает эту интерпретацию.

В заключение мы рассмотрим возможные последствия этого исследования для теорий критических периодов в овладении языком. Первоначальная гипотеза, выдвинутая Леннебергом (Lenneberg, 1967), гласит, что критический период для языка заканчивается в период полового созревания. Учитывая, что усыновленные испытуемые прибыли во Францию, когда им было меньше 8 лет, наши результаты не противоречат гипотезе Леннеберга.Однако другая версия гипотезы критического периода утверждает, что происходит постепенная потеря пластичности, которая начинается задолго до полового созревания. Этот взгляд основан на том факте, что восприятие языка очень рано настраивается на языковую среду. Исследования развития показали, что даже дети первого года обучения уже демонстрируют влияние окружающей языковой среды на их поведение (Werker and Tees, 1983; Halle et al. , 1991; Kuhl et al., 1992) и активацией их мозга (Dehaene-Lambertz and Dehaene, 1994; Dehaene-Lambertz, 1997; Näätänen et al. , 1997; Cheour et al. , 1998). Это согласуется с исследованиями обработки второго языка, которые показывают, что у иммигрантов даже отставание в несколько лет в начале освоения второго языка связано с заметным дефицитом по сравнению с родными предметами. Такие дефициты наиболее очевидны при производстве речи, когда иностранный акцент начинает ощущаться, когда второй язык приобретается после 4 лет (Oyama, 1976; Flege et al., 1995). Подобные исследования понимания речи также выявляют нарушения синтаксиса у китайских иммигрантов, прибывших в США на третьем курсе (Weber-Fox and Neville, 1996).

Часто не осознают, что такого рода эмпирические открытия могут быть подвергнуты двум радикально различным теоретическим интерпретациям. Полезно различать интерференционные и «кристаллические» объяснения гипотезы критического периода. Обе версии согласны с тем, что овладение языком начинается очень рано, вероятно, под действием генетически обусловленных механизмов, частично предназначенных для обработки речевых входных данных.Тем не менее, они по-разному интерпретируют трудности испытуемых в овладении вторым языком. Согласно теории кристаллизации, окно пластичности мозга открывается при рождении и постепенно закрывается по мере стабилизации мозговых сетей для речи под возможным влиянием факторов созревания и / или опыта. С этой точки зрения пластичность ограничена во времени и постепенно утрачивается. С другой стороны, согласно учёту интерференции, присутствие процессов и представлений, настроенных на первый язык, действует как фильтр, искажающий способ усвоения второго языка.С этой точки зрения потеря пластичности языковых областей, если она вообще существует, играет лишь второстепенную роль по сравнению с вмешательством, налагаемым на поддержание первого языка обработкой второго.

Изучение приемных детей дает уникальную возможность рассмотреть это теоретическое различие. В отличие от иммигрантов, которые обычно поддерживают контакт со своей семьей и местным языковым сообществом, приемным детям не нужно поддерживать какое-либо представление о родном языке, которого они внезапно лишились.В этой ситуации наши данные предварительно предполагают, что родной язык по большей части утрачен и заменен языком новой среды. Даже к 7-8 годам пластичность языковых областей все еще достаточно высока, чтобы способствовать практически полному восстановлению нормального языка. Этот вывод согласуется с исследованиями поражений, которые показали хорошее, хотя и неполное, восстановление после крупных поражений левого полушария или даже после левого полушария, выполненных в возрасте до 9 лет (Vargha-Khadem et al., 1997). Наши результаты дополняют эти исследования, показывая, что эта форма пластичности не ограничивается исключительными ситуациями инсульта мозга или трудноизлечимой эпилепсии, но также встречается в нормальном мозге. Эта точка зрения не является несовместимой с представлением о том, что половое созревание связано с биологически обусловленным снижением способности к изучению языка (Lenneberg, 1967). Действительно, предыдущие исследования с помощью визуализации мозга выявили значительные различия в кортикальном представлении первого и второго языков у большинства поздно обучающихся (Perani et al., 1996; Dehaene et al. , 1997; Kim et al. , 1997). Мы могли бы получить аналогичные результаты, если бы могли изучить популяцию субъектов, которые были перемещены в новую страну и лишились родного языка в конце жизни, после полового созревания. Наши данные не являются несовместимыми с данными о развитии ранних изменений мозга, связанных с овладением языком. Наши результаты просто показывают, что эти ранние изменения не стабилизируются сразу, а остаются пластичными и обратимыми в течение нескольких лет.

Мы благодарим участников и организации, ответственные за иностранное усыновление, которые помогли нам. Благодарим F. Hennel за помощь в сборе данных. Эта работа была поддержана грантом ACI от Министерства исследований, предоставленным К. Паллье, и совместным европейским проектом Европейской комиссии, DG XII.

Рис. 1.

Результаты трех поведенческих тестов, выполненные испытуемыми из Кореи и Франции. В тесте «Определение предложений на корейском языке» ( a ) испытуемые слушали предложения на пяти разных языках и оценивали свою уверенность в том, что предложения были на корейском языке (7 = 100% уверены, что это корейский язык; 4 = совершенно не уверены, 1 = уверены. это не корейский).В «Тесте на распознавание слов» ( b ) испытуемые увидели французское слово и должны были выбрать правильный перевод среди двух произнесенных корейских слов. В «задаче на определение сегмента» ( c ) испытуемые должны были решить, принадлежит ли короткий звуковой отрывок к предложению, которое они только что услышали. Во всех тестах показатели корейцев не отличались от показателей контрольной группы (столбцы ошибок отображают 95% доверительный интервал).

Рис. 1.

Результаты испытуемых, являющихся носителями корейского и французского языков, по трем поведенческим тестам.В тесте «Определение предложений на корейском языке» ( a ) испытуемые слушали предложения на пяти разных языках и оценивали свою уверенность в том, что предложения были на корейском языке (7 = 100% уверены, что это корейский язык; 4 = совершенно не уверены, 1 = уверены. это не корейский). В «Тесте на распознавание слов» ( b ) испытуемые увидели французское слово и должны были выбрать правильный перевод среди двух произнесенных корейских слов. В «задаче на определение сегмента» ( c ) испытуемые должны были решить, принадлежит ли короткий звуковой отрывок к предложению, которое они только что услышали.Во всех тестах показатели корейцев не отличались от показателей контрольной группы (столбцы ошибок отображают 95% доверительный интервал).

Рисунок 2.

Визуализация мозга, показывающая результаты группового анализа трех контрастов, сравнивающих французские стимулы и польские стимулы ( A ), японские стимулы ( B ) и корейские стимулы ( C ).

Рисунок 2.

Визуализация мозга, отображающая результаты группового анализа трех контрастов, сравнивающих французские стимулы с польскими стимулами ( A ), японскими стимулами ( B ) и корейскими стимулами ( C ).

Рис. 3.

Динамика активации в трех различных областях левого полушария (1 = извилина Гешеля, 2 = задняя STS, 3 = нижняя лобная извилина). Процентные изменения сигнала показаны как функция позиции сканирования после представления предложения (время между сканированиями = 2,4 с). Четыре разных типа линий соответствуют каждому из языков, на которых говорилось о стимулах (французском, корейском, японском и польском).Для каждой группы был выбран максимальный пик в интересующей области.

Рис. 3.

Динамика активации в трех различных областях левого полушария (1 = извилина Гешеля, 2 = задняя STS, 3 = нижняя лобная извилина). Процентные изменения сигнала показаны как функция позиции сканирования после представления предложения (время между сканированиями = 2,4 с). Четыре разных типа линий соответствуют каждому из языков, на которых говорилось о стимулах (французском, корейском, японском и польском).Для каждой группы был выбран максимальный пик в интересующей области.

Рис. 4.

Визуализация мозга, показывающая для каждого из 16 субъектов области, в которых активация из-за французских предложений была значительно сильнее ( P <0,001), чем из-за польских предложений.

Рисунок 4.

Визуализация мозга, показывающая для каждого из 16 субъектов области, в которых активация из-за французских предложений была значительно сильнее ( P <0.001), чем из-за польских приговоров.

Рисунок 5.

Число надпороговых ( P <0,001) вокселей в индивидуальных статистических параметрических картах для «французско-польского контраста», разделенных полушариями (каждая строка соответствует одному предмету).

Рис. 5.

Число надпороговых ( P <0,001) вокселей в индивидуальных статистических параметрических картах для «французско-польского контраста», разделенных полушариями (каждая строка соответствует одному предмету).

Список литературы

Au TK, Knightly LM, Jun SA, Oh JS (

2002

) Подслушивание языка в детстве.

Psychol Sci

13

:

238

–243.

Бевер Т. (1981) Нормальные процессы усвоения объясняют критический период для изучения языка. В: Индивидуальные различия в способностях к изучению языка (Диллер К., ред.), Стр. 176–198. Роули, Массачусетс: Дом Ньюбери.

Birdsong D (

1992

) Высший уровень владения вторым языком.

Язык

68

:

708

–755.

Chee M, Caplan D, Soon C, Sriram N, Tan E, Thiel T., Weekes B (

1999

) Обработка визуально представленных предложений на мандаринском и английском языках, изученных с помощью фМРТ.

Neuron

23

:

127

–137.

Chee M, Tan E, Thiel T. (

1999

) Обработка отдельных слов на мандаринском и английском языках изучается с помощью функциональной магнитно-резонансной томографии.

J Neurosci

19

:

3050

–3056.

Cheour M, Ceponiene R, Lehtokoski A, Luuk A, Allik J, Alho K, Näätänen R (

1998

) Развитие языковых репрезентаций фонем в мозгу младенца.

Nature Neurosci

1

:

351

–353.

Dehaene S, Dupoux E, Mehler J, Cohen L, Paulesu E, Perani D, van de Moortele PF, Léhericy S, LeBihan D (

1997

) Анатомическая изменчивость кортикального представления первого и второго языков.

Нейроотчет

8

:

3809

–3815.

Dehaene-Lambertz G (

1997

) Электрофизиологические корреляты категориального восприятия у взрослых.

Нейроотчет

8

:

919

–924.

Dehaene-Lambertz G, Dehaene S (

1994

) Скорость и церебральные корреляты различения слогов у младенцев.

Природа

370

:

292

–295.

Doupe A, Kuhl P (

1999

) Пение птиц и человеческая речь: общие темы и механизмы.

Annu Rev Neurosci

22

:

567

–631.

Elbert T, Pantev C, Wienbruch C, Rockstroh B, Taub E (

1995

) Увеличение кортикального представительства пальцев левой руки у струнных исполнителей.

Наука

270

:

305

–307.

Flege JE, Munro MJ, MacKay IRA (

1995

) Факторы, влияющие на силу воспринимаемого иностранного акцента во втором языке.

J Acoust Soc Am

97

:

3125

–3134.

Flege JE, Yeni-Komshian GH, Liu S (

1999

) Возрастные ограничения на владение вторым языком.

J Mem Lang

41

:

78

–104.

Friston KJ, Holmes AP, Worsley KJ, Poline JB, Frith CD, Frackowiak RSJ (

1995

) Статистические параметрические карты в функциональной визуализации: общий линейный подход.

Hum Brain Mapp

2

:

189

–210.

Gauthier I, Tarr MJ, Anderson AW, Skudlarski P, Gore JC (

1999

) Активация средней веретенообразной «области лица» увеличивается с опытом распознавания новых объектов.

Nature Neurosci

2

:

568

–573.

Halle P, de Boysson-Bardies B, Vihman M (

1991

) Начало просодической организации: интонационные и длительные модели двусложных слов, производимые японскими и французскими младенцами.

Язык речи

34

:

299

–318.

Harley B, Wang W (1997) Гипотеза критического периода: где мы находимся сейчас? В: Учебники по двуязычию: психолингвистические перспективы (de Groot AMB, Kroll JF, eds), стр.19–51. Махва, Нью-Джерси: Лоуренс Эрлбаум Ассошиэйтс.

Hickok G, Poeppel D (

2000

) На пути к функциональной нейроанатомии восприятия речи.

Trends Cogn Sci

4

:

131

–138.

Johnson JS, Newport EL (

1989

) Критические периоды в изучении второго языка: влияние состояния зрелости на усвоение английского как второго языка.

Cognit Psychol

21

:

60

–99.

Ким К.Х.С., Релкин Н.Р., Ли К.М., Хирш Дж. (

1997

) Четкие области коры головного мозга, связанные с родным и вторым языками.

Природа

388

:

171

–174.

Knudsen E (

1998

) Способность к пластичности слуховой системы взрослой совы расширилась за счет ювенильного опыта.

Наука

279

:

1531

–1533.

Kuhl P, Williams K, Lacerda F, Stevens K, Lindblom B (

1992

) Лингвистический опыт изменяет фонетическое восприятие у младенцев к 6-месячному возрасту.

Наука

255

:

606

–608.

Леннеберг Э.Х. (1967) Биологические основы языка.Нью-Йорк: Вили.

Long M (

1990

) Ограничения развития языка.

Stud Sec Lang Acquisit

12

:

251

–285.

MacWhinney B (1997) Приобретение второго языка и модель конкуренции. В: Учебники по двуязычию: психолингвистические перспективы (de Groot AMB, Kroll JF, eds), стр. 113–142. Махва, Нью-Джерси: Лоуренс Эрлбаум Ассошиэйтс.

Мори Ф. (1995) Интрапсихические методы международного усыновления и межрасового усыновления.l’adption des enfants coréens en france. Кандидатская диссертация, Парижский университет VIII, Париж.

Mayberry R, ​​Eichen EB (

1991

) Длительное преимущество изучения языка жестов в детстве: еще один взгляд на критический период для овладения языком.

J Mem Lang

30

:

486

–512.

Mazoyer BM, Dehaene S, Tzourio N et al. (

1993

) Корковое представление речи.

J Cogn Neurosci

5

:

467

–479.

Näätänen R, Lehtokoski A, Lennes M et al. (

1997

) Языковые репрезентации фонем, выявленные с помощью электрических и магнитных реакций мозга.

Природа

385

:

432

–434.

Newport EL (

1990

) Ограничения, связанные с обучением языку.

Cogn Sci

14

:

11

–28.

Oyama S (

1976

) Чувствительный период для приобретения неродной фонологической системы.

J Psycholinguist Res

5

:

261

–283.

Pallier C, Bosch L, Sebastian-Gallés N (

1997

) Предел поведенческой пластичности в восприятии речи.

Познание

64

:

B9

–B17.

Penfield W (1959) Речевые и мозговые механизмы. Принстон, Нью-Джерси: Издательство Принстонского университета.

Perani D, Dehaene S, Grassi F, Cohen L, Cappa S, Dupoux E, Fazio F, Mehler J (

1996

) Обработка мозга на родных и иностранных языках.

Нейроотчет

7

:

2439

–2444.

Перани Д., Паулесу Э., Себастьян Н., Дюпу Э, Дехаен С., Беттинарди В., Каппа С.Ф., Фацио Ф., Мехлер Дж. (

1998

) Двуязычный мозг. Уровень владения и возраст владения вторым языком.

Мозг

121

:

1841

–1852.

Poldrack RA, Gabrieli JDE (

2001

) Характеристика нейронных механизмов обучения навыкам и повторения прайминга: свидетельство чтения в зеркале.

Мозг

124

:

67

–82.

Райнер Г., Миллер Е.К. (

2000

) Влияние визуального опыта на представление объектов в префронтальной коре.

Neuron

27

:

179

–189.

Schlosser MJ, Aoyagi N, Fulbright RK, Gore JC, McCarthy G (

1998

) Функциональные МРТ-исследования слухового восприятия.

Hum Brain Mapp

6

:

1

–13.

Strange W, изд. (1995) Восприятие речи и лингвистический опыт.Балтимор, Мэриленд: York Press.

Tees RC, Werker JF (

1984

) Гибкость восприятия: поддержание или восстановление способности различать неродные звуки речи.

Can J Psychol

38

:

579

–590.

Vargha-Khadem F, Carr L, Isaacs E, Brett E, Adams C, Mishkin M (

1997

) Начало речи после левого полушария у девятилетнего мальчика.

Мозг

120

:

159

–182.

Weber-Fox CM, Neville HJ (

1996

) Ограничения созревания функциональных специализаций для языковой обработки: Erp и поведенческие свидетельства у двуязычных носителей.

J Cogn Neurosci

8

:

231

–256.

Werker JF, Tees RC (

1983

) Изменения в развитии в детстве в восприятии звуков речи неродных.

Can J Psychol

37

:

278

–286.

Werker JF, Tees RC (

1984

) Межъязыковое речевое восприятие: свидетельство реорганизации восприятия в течение первого года жизни.

Infant Behav Dev

7

:

49

–63.

Werker JF, Tees RC (

1992

) Организация и реорганизация человеческого восприятия речи.

Ann Rev Neurosci

15

:

377

–402.

© Издательство Оксфордского университета

DSCC 87106 Перекрестная ссылка | APITech

DSCC 87106 Перекрестная ссылка | APITech

APITech может проектировать продукты в соответствии со стандартами DSCC 87106.Для получения более подробной информации о конкретных продуктах и ​​номерах деталей, которые мы производим, которые соответствуют этим требованиям, свяжитесь с нашими инженерами сегодня.

DSCC 87106 Обозначение	Номер детали APITech
87106-009	SMP5X225KANMBHR
87106-010	SMP5X225MANMBHR
87106-014	SMP5X335MANMBHR
87106-017	SMP5X475KANMBHR
87106-018	SMP5X475MANMBHR
87106-021	SMP4X825KANMBHR
87106-023	SMP4X106KANMBHR
87106-025	SMP4X126KANMBHR
87106-026	SMP4X126MANMBHR
87106-027	SMP4X156KANMBHR
87106-033	SMP3X276KANMBHR
87106-035	SMP3X336KANMBHR
87106-039	SMP3X476KANMBHR
87106-040	SMP3X476MANMBHR
87106-043	SMP1X826KANMBHR
87106-047	SMP2X157KANMBHR
87106-059	SMP5X105KBNMBHR
87106-063	SMP5X155KBNMBHR
87106-069	SMP5X275KBNMBHR
87106-071	SMP5X335KBNMBHR
87106-072	SMP5X335MBNMBHR
87106-073	SMP5X395KBNMBHR
87106-074	SMP5X395MBNMBHR
87106-075	SMP5X475KBNMBHR
87106-076	SMP5X475MBNMBHR
87106-077	SMP5X565KBNMBHR
87106-078	SMP5X565MBNMBHR
87106-079	SMP4X685KBNMBHR
87106-080	SMP4X685MBNMBHR
87106-081	SMP4X825KBNMBHR
87106-082	SMP4X825MBNMBHR
87106-083	SMP4X126KBNMBHR
87106-087	SMP3X186KBNMBHR
87106-089	SMP3X226KBNMBHR
87106-105	SMP1X107KBNMBHR
87106-115	SMP5R564KCNMBHR
87106-121	SMP5R105KCNMBHR
87106-127	SMP4R185KCNMBHR
87106-128	SMP4R185MCNMBHR
87106-129	SMP4R225KCNMBHR
87106-130	SMP4R225MCNMBHR
87106-131	SMP4R275KCNMBHR
87106-132	SMP4R275MCNMBHR
87106-133	SMP4R335KCNMBHR
87106-134	SMP4R335MCNMBHR
87106-135	SMP4R395KCNMBHR
87106-136	SMP4R395MCNMBHR
87106-146	SMP3R106MCNMBHR
87106-147	SMP3R126KCNMBHR
87106-159	SMP2R396KCNMBHR
87106-173	SMP5Q154KENMBHR
87106-174	SMP5Q154MENMBHR
87106-178	SMP5Q244MENMBHR
87106-179	SMP5Q274KENMBHR
87106-181	SMP5Q334KENMBHR
87106-184	SMP5Q394MENMBHR
87106-185	SMP5Q474KENMBHR
87106-190	SMP5Q684MENMBHR
87106-191	SMP4Q105KENMBHR
87106-192	SMP4Q105MENMBHR
87106-193	SMP4Q125KENMBHR
87106-199	SMP3Q275KENMBHR
87106-203	SMP3Q395KENMBHR
87106-205	SMP3Q475KENMBHR
87106-207	SMP3Q565KENMBHR
87106-212	SMP1Q106MENMBHR
87106-215	SMP2Q186KENMBHR
87106-216	SMP2Q186MENMBHR
87106-225	SMP1X566KANMBHR
87106-229	SMP4X106KBNMBHR
87106-230	SMP4X106MBNMBHR
87106-231	SMP4Q824KENMBHR
87106-233	SMP3Q225KENMBHR
87106-243	SMP5X125KAJMBHR
87106-245	SMP5X155KAJMBHR
87106-253	SMP5X335KAJMBHR
87106-269	SMP4X156KAJMBHR
87106-271	SMP3X186KAJMBHR
87106-278	SMP3X336MAJMBHR
87106-307	SMP5X125KBJMBHR
87106-308	SMP5X125MBJMBHR
87106-317	SMP5X335KBJMBHR
87106-318	SMP5X335MBJMBHR
87106-319	SMP5X395KBJMBHR
87106-320	SMP5X395MBJMBHR
87106-321	SMP5X475KBJMBHR
87106-322	SMP5X475MBJMBHR
87106-323	SMP5X565KBJMBHR
87106-324	SMP5X565MBJMBHR
87106-325	SMP4X685KBJMBHR
87106-326	SMP4X685MBJMBHR
87106-327	SMP4X825KBJMBHR
87106-328	SMP4X825MBJMBHR
87106-335	SMP3X186KBJMBHR
87106-367	SMP5R824KCJMBHR
87106-371	SMP5R125KCJMBHR
87106-375	SMP4R185KCJMBHR
87106-376	SMP4R185MCJMBHR
87106-377	SMP4R225KCJMBHR
87106-378	SMP4R225MCJMBHR
87106-379	SMP4R275KCJMBHR
87106-380	SMP4R275MCJMBHR
87106-381	SMP4R335KCJMBHR
87106-382	SMP4R335MCJMBHR
87106-383	SMP4R395KCJMBHR
87106-384	SMP4R395MCJMBHR
87106-391	SMP3R825KCJMBHR
87106-393	SMP3R106KCJMBHR
87106-395	SMP3R126KCJMBHR
87106-421	SMP5Q154KEJMBHR
87106-433	SMP5Q474KEJMBHR
87106-457	SMP3Q475KEJMBHR
87106-465	SMP1Q106KEJMBHR

DOD — SMD 5962-18210 — МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ВЫХОД НАПРЯЖЕНИЯ, МОНИТОР ШУНТА ТОКА ДЛЯ ОДНОНАПРАВЛЕННОГО ИЗМЕРЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Этот документ ссылается на:

JEDEC JEP 157 — Рекомендуемые целевые уровни ESD-CDM

Опубликовано JEDEC на 1 октября 2009 г.

Этот документ был написан с целью предоставить информацию для организаций, занимающихся качеством, полупроводниковых компаний и их заказчиков для оценки и принятия решений на безопасном уровне ESD CDM…

Этот документ ссылается на:

MIL-HDBK-103 — ПЕРЕЧЕНЬ СТАНДАРТНЫХ ЧЕРТЕЖЕЙ МИКРОСХЕМ

Опубликовано NPFC на 16 октября 2020 г.

Цель. Стандартная программа рисования микросхем (SMDP) находится непосредственно под эгидой Программы управления запчастями Министерства обороны США (PMP). PMP реализуется MIL-HDBK-512, «Управление запасными частями.«ПМП …

Этот документ ссылается на:

MIL-HDBK-780 — СТАНДАРТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ МИКРОСХЕМЫ

Опубликовано NPFC на 28 марта 2017 г.

Это руководство содержит руководство и информацию о стандартных чертежах микросхем (SMD). Системные приложения подлежат утверждению соответствующим программным офисом.Этот справочник …

Этот документ ссылается на:

MIL-STD-1835 — ОПИСАНИЕ КОРПУСА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ

Опубликовано NPFC на 1 июня 2004 г.

Этот стандарт устанавливает и поддерживает сборник схем электронных компонентов и должен быть полезен на всех уровнях производства, которые достигают высшей точки в производстве надежных и…

Этот документ ссылается на:

MIL-STD-883 — СТАНДАРТНЫЕ МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ МИКРОСХЕМ

Опубликовано NPFC на 16 сентября 2019 г.,

Цель. Этот стандарт устанавливает единые методы, средства управления и процедуры для тестирования микроэлектронных устройств, пригодных для использования в военных и аэрокосмических электронных системах, включая базовые…

Патент США на детектор сигналов и способ обнаружения сигналов с выбранными частотными характеристиками. Патент (Патент № 6058076, выданный 2 мая 2000 г.)

Уровень техники

В прошлом было разработано множество различных детекторов сигналов, многие из которых включают электронные схемы, включающие схемы настройки, приспособленные для приема, фильтрации и обработки сигналов в выбранном диапазоне частот. Для детекторов сигналов, специально сконструированных для отслеживания широкого диапазона колебательных сигналов, возникают определенные проблемы, когда эти схемы стремятся отслеживать сигналы, имеющие определенные частотные характеристики.Например, многие детекторы сигналов демонстрируют высокую восприимчивость к шуму и дают ненадежные показания, когда случайные шумовые сигналы попадают в целевой частотный диапазон. Кроме того, в этих системах часто возникают проблемы с отношением сигнал / шум для сигналов цели по сравнению с фоновым шумом. Для решения этих проблем многие существующие детекторы сигналов прибегают к супергетеродингу, чтобы повысить чувствительность, устранить шум и сдвинуть полосы частот. Как отмечалось выше, настоящее изобретение особенно касается обнаружения ультразвуковых сигналов в окружающей звуковой среде, а также звуковых и ультразвуковых сигналов, присутствующих в твердых телах.Желательность обнаружения ультразвуковых сигналов в окружающей звуковой среде в последнее время возросла из-за признания того факта, что ультразвуковые детекторы могут быть легко реализованы как детекторы утечки для обнаружения ультразвуковых сигналов, которые, например, создаются при утечке сжатых газов через небольшие отверстия. Это полезно, например, при обнаружении утечки из трубопроводов, а также при обнаружении путей воздушного потока, например, через изоляцию домов и коммерческих зданий, а также через автомобильные двери и панели.Также открываются другие аналитические характеристики бортовых ультразвуковых детекторов, такие как индикаторы износа подшипников.

В случае внутренней утечки в системе, такой как утечка клапана, конденсатоотводчик или трение в подшипнике, полезно использовать сенсорный датчик для обнаружения звука, поскольку звук генерируется внутри твердого тела. Таким образом, необходимо контактировать твердое тело с сенсорным датчиком, чтобы обнаружить звук, а затем преобразовать его в электрический сигнал с помощью датчика акустической эмиссии для обработки.

В последние годы на рынке преобладали два типа ультразвуковых детекторов. Первый тип использует кристаллическую систему для механической связи ультразвукового сигнала с гетеродином, чтобы преобразовать частоту входного ультразвукового сигнала в результирующий сигнал, имеющий частоту в пределах слышимого диапазона. Будучи относительно недорогими, системы на основе кристаллов демонстрируют ограниченную производительность и имеют серьезные проблемы с чувствительностью в тихой окружающей среде.Эти системы на основе кристаллов также чувствительны к шуму и имеют проблемы с соотношением сигнал / шум. Кроме того, системы на основе кристаллов чувствительны к механическим колебаниям и изменениям температуры, которые могут повлиять на их чувствительность и дать ложные показания. Кроме того, системы на основе кристаллов часто и нежелательно реагируют на инфракрасные и звуковые сигналы, которые модулируют систему, так что снова возникают ошибочные показания. Эти системы на основе кристаллов также имеют очень ограниченный частотный диапазон для сигналов цели, если нет возможности регулировать частоту гетеродина в системе.

Во второй обычно используемой системе используются смесители сигналов, которые гетеродинируют гетеродин с входным сигналом. Опять же, эти гетеродинные системы чувствительны к шуму, имеют проблемы с отношением сигнал / шум и демонстрируют ограниченный частотный диапазон, если частота генератора не регулируется. Хотя эти системы не вызывают проблем из-за звуковых или механических вибраций, они, тем не менее, чувствительны к изменениям температуры, которые могут приводить к ошибочным показаниям. Кроме того, системы, в которых используется гетеродинный метод, требуют настройки с несколькими смещениями, и поэтому их трудно регулировать и поддерживать в течение длительного периода использования.

В моем патенте США No. № 5,103,675, выпущенный 14 апреля 1992 г. Этот ультразвуковой детектор предлагает лучшие характеристики по сравнению с описанными выше. Детектор ультразвукового сигнала, описанный в моем патенте ‘675, детально описывает схему, обнаруживает ультразвуковые сигналы с помощью преобразователя и преобразует эти сигналы в сигнал электрического преобразователя, который затем фильтруется для удаления нежелательных частотных составляющих и получения результирующего входного сигнала. Затем схема обработки реагирует на входной сигнал для создания промежуточного сигнала, промежуточная частота которого масштабируется от частоты входного сигнала до звуковой частоты.Затем промежуточный сигнал усиливается пропорционально амплитуде входного сигнала для получения выходного сигнала детектора, который затем отображается.

Еще один усовершенствованный ультразвуковой детектор описан в моем патенте США No. Патент США № 5432755, выданный 11 июля 1995 г., раскрытие которого включено в настоящий документ посредством ссылки. Ультразвуковой детектор, описанный в моем патенте ‘755, в первую очередь предназначен для создания компактного, легкого и портативного устройства, производство которого относительно недорогое. Этот ультразвуковой детектор производит относительно чистый аудиовыход, типичный для пользователей ультразвуковых детекторов с минимальным количеством компонентов.В своей подробной схеме детектор ультразвукового сигнала, описанный в патенте ‘755, использует визуальный выходной сигнал пиковой мощности принятого сигнала, который является более репрезентативным для принятого сигнала, в отличие от среднего значения такой силы сигнала. В ультразвуковом детекторе также используются очень чувствительные гетеродинные схемы, в которых используется телекоммуникационный чип, известный как смеситель ячейки Гилберта, для смешивания очень высокочастотного локального сигнала с принятым очень высокочастотным сигналом, обычно в диапазоне от 100 МГц до 140 МГц.Использование технологии смесителя клеток Гилберта ранее не считалось подходящим для ультразвуковых детекторов из-за относительно низких частот, встречающихся в ультразвуковой среде. Более того, считалось, что технология, воплощенная в очень высокой частоте в телекоммуникационных схемах, на самом деле не может быть использована на более низких частотах ультразвуковых сигналов. Однако неожиданно я обнаружил, что такая конструкция схемы действительно может быть использована для производства очень недорогого компактного ультразвукового детектора, демонстрирующего превосходные характеристики.

Несмотря на преимущества моих предыдущих детекторов ультразвуковых сигналов, существует потребность в создании нового и улучшенного детектора сигналов для мониторинга как звуковых, так и ультразвуковых сигналов за счет включения двух различных типов датчиков, связанных с прибором, встроенного датчика акустической эмиссии или контактный зонд и датчик в воздухе. Также существует потребность в том, чтобы такой блок имел независимую регулировку чувствительности и объема, чтобы инструмент был более разборчивым и, следовательно, более универсальным при отслеживании утечек.Также было бы выгодно, чтобы такой прибор работал в различных режимах и включал стираемую и программируемую память для сохранения определяемых пользователем параметров для каждого режима, в то же время позволяя генерировать и настраивать переключение диапазонов в цифровом виде, а также в полевых условиях. калибровка. Настоящее изобретение направлено, среди прочего, на удовлетворение этих потребностей.

КРАТКОЕ ИЗЛОЖЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Целью настоящего изобретения является создание нового и полезного детектора сигналов и методологии обнаружения сигналов для обнаружения сигналов цели в широком диапазоне частот цели.

Другой целью настоящего изобретения является создание нового и полезного детектора сигналов, производство которого является относительно недорогим, а также легким, компактным и портативным.

Еще одна цель настоящего изобретения состоит в том, чтобы предоставить детектор сигналов, который можно избирательно адаптировать для контроля звуковых или ультразвуковых сигналов, присутствующих в окружающей среде, но при этом он имеет пониженную восприимчивость как к механической вибрации, так и к изменению температуры.

Еще одной задачей настоящего изобретения является создание детектора сигналов с регулируемой чувствительностью, отображающего целевые сигналы как визуально, так и на слух.

Еще одна цель настоящего изобретения состоит в том, чтобы предоставить детектор сигналов, имеющий множество режимов работы и интегрированную память, чтобы обеспечить сохранение определенных пользователем параметров для каждого режима, а также полевую калибровку.

Для достижения этих целей настоящее изобретение направлено на детектор сигналов для контроля звуковых сигналов, имеющих частоты в выбранных диапазонах, и для создания, по меньшей мере, первого выходного сигнала в ответ на них. Здесь в детекторе сигналов используется первый чувствительный элемент первого типа, работающий в ответ на наличие звуковых сигналов, для создания первого электрического сигнала.Первый чувствительный элемент предпочтительно представляет собой ультразвуковое микрофонное устройство. Первая схема усиления и фильтра работает для приема первого электрического сигнала, чтобы удалить все его частотные составляющие, выходящие за пределы первого выбранного диапазона, и для создания первого входного сигнала с выбранной частотой входного сигнала и амплитудой первого входного сигнала. Второй чувствительный элемент работает в ответ на наличие звуковых сигналов, чтобы произвести второй электрический сигнал. Этот второй чувствительный элемент также имеет связанную схему усиления и фильтра, которая работает, чтобы принимать второй электрический сигнал, чтобы удалить все его частотные составляющие, выходящие за пределы второго выбранного диапазона, и для создания второго входного сигнала с выбранной частотой второго входного сигнала и вторым входным сигналом. амплитуда.Этот второй чувствительный элемент предпочтительно представляет собой акустико-эмиссионное устройство в виде контактного зонда, и он и первый чувствительный элемент установлены в общем корпусе.

Детектор сигнала также включает в себя оперативную схему генератора для получения опорного сигнала на выбранной частоте опорного сигнала. Смеситель принимает этот опорный сигнал и выбранный один из первого и второго входных сигналов для создания смешанного составного сигнала с частотой смешанного составного сигнала и амплитудой смешанного составного сигнала.Первый переключатель действует в состоянии первого переключателя для выборочного подключения смесителя к первому входному сигналу. Во втором состоянии переключения переключатель выборочно подключает микшер ко второму входному сигналу. Первый усилитель работает для усиления смешанного составного сигнала для получения первого выходного сигнала, который может быть соответствующим образом отображен либо визуально, либо звуком.

Смешанный составной сигнал может быть разделен на первую и вторую компоненты, при этом первый усилитель работает для усиления первого компонента смешанного составного сигнала для получения первого выходного сигнала, а второй усилитель работает для усиления второго компонента смешанного составного сигнала, чтобы производят второй выходной сигнал.Детектор сигнала может также включать в себя схему индикатора уровня принятого сигнала (RSSI), работающую для контроля второго усилителя для создания сигнала индикатора уровня сигнала, который коррелирует с выбранным одним из первого и второго входных сигналов. Предпочтительно, чтобы эта схема RSSI выборочно настраивалась для минимального уровня шума входящих сигналов. Здесь детектор сигнала включает в себя визуальный дисплей для создания видимого выходного сигнала в ответ на сигнал индикатора уровня сигнала, посредством чего этот видимый выходной сигнал указывает силу второго компонента смешанного составного сигнала.

Первая схема усиления и фильтра может включать в себя связанную первую схему управления чувствительностью, которая работает в ответ на первый электрический сигнал, чтобы удалить все его компоненты выше первого выбранного диапазона амплитуд. Аналогично, схема второго фильтра усиления также включает в себя связанную вторую схему управления чувствительностью, которая функционирует аналогично для удаления всех компонентов второго электрического сигнала, которые находятся выше второго выбранного диапазона амплитуд. Когда устройство вывода звука используется для создания звука звука в ответ на первый выходной сигнал, и предусмотрена схема регулировки громкости для выборочного изменения амплитуды первого выходного сигнала.Важно отметить, что эта схема регулировки громкости регулируется независимо от первой и второй схем управления чувствительностью. Цифровая схема обработки может быть также независимо регулировать схему регулировки громкости в первых и вторых цепях управления чувствительностью, а также опорную частоту осциллятора.

В другом варианте осуществления настоящего изобретения вторая схема усиления и фильтра включает в себя по меньшей мере один предварительный усилитель, действующий для усиления второго электрического сигнала, и фильтр верхних частот, действующий для удаления низкочастотных сигналов из второго электрического сигнала.Здесь второй электрический сигнал разделяется на первый и второй компоненты между предварительным усилителем и фильтром верхних частот, причем первый компонент второго электрического сигнала содержит все присутствующие частоты, включая звуковые частоты, а второй компонент находится на ультразвуковых частотах. Здесь первый переключатель, когда он находится в первом состоянии, соединяет смеситель с первой составляющей второго электрического сигнала. Также может быть включен второй переключатель, который работает в состоянии первого переключателя для взаимного соединения со смешанным составным сигналом и работает в состоянии второго переключателя для взаимного соединения со вторым компонентом второго электрического сигнала.Схема цифровой обработки контролирует состояние этих первого и второго переключателей.

Настоящее изобретение также направлено на способ контроля звуковых сигналов, чтобы указать наличие этих сигналов, имеющих частоты в выбранном диапазоне. Здесь предусмотрен первый чувствительный элемент первого типа, который работает для приема звуковых сигналов, исходящих от первой среды, и для генерации первого электрического сигнала в ответ на них. Также предусмотрен второй чувствительный элемент второго типа, отличного от первого типа, который работает для приема звуковых сигналов, исходящих от второй среды, и для генерации второго электрического сигнала в ответ на них.В общих чертах, методология включает этап выбора одного из первого и второго электрических сигналов для обработки, обработки выбранного одного из сигналов для генерации, по меньшей мере, первого выходного сигнала с выбранной частотой выходного сигнала и амплитудой первого выходного сигнала и отображения первого выходной сигнал.

Этап обработки выбранного электрического сигнала включает в себя этапы усиления выбранного сигнала и последующей его фильтрации для удаления всех его частотных компонентов, которые не имеют частоты в выбранном диапазоне, тем самым создавая входной сигнал с частотой входного сигнала и амплитуда входного сигнала.После этого входной сигнал смешивается с опорным сигналом для создания смешанного составного сигнала с частотой смешанного составного сигнала и амплитудой смешанного составного сигнала. Этот смешанный составной сигнал фильтруется для получения первого выходного сигнала.

Методология также может включать в себя этап разделения смешанного составного сигнала на его первый и второй компоненты, посредством чего первый компонент смешанного составного сигнала обрабатывается для генерации первого выходного сигнала, который отображается на слух, и второго компонента смешанного составного сигнала. обрабатывается для генерации второго выходного сигнала, который отображается визуально.Конечно, первый и второй электрические сигналы также могут быть разделены на их первую и вторую составляющие, как описано выше.

Эти и другие цели настоящего изобретения станут более понятными при рассмотрении следующего подробного описания примерных вариантов осуществления настоящего изобретения вместе с прилагаемыми чертежами, на которых:

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

РИС. 1 — вид в перспективе детектора сигнала согласно настоящему изобретению;

РИС.2 — блок-схема, показывающая основные особенности схемы детектора сигнала согласно первому примерному варианту осуществления настоящего изобретения;

РИС. 3 (a) -3 (f) показывают принципиальную схему аналоговой части схемы детектора сигнала, показанной на фиг. 2;

РИС. 4 — подходящая принципиальная схема, показывающая, как напряжение питания разделяется для создания виртуальной земли для детектора сигналов по фиг. 1-3;

РИС. 5 — стабилитрон, используемый для защиты схемы аналоговой обработки от зарядов статического электричества;

РИС.6 (a) -6 (b) показывают принципиальную схему части цифровой обработки детектора сигнала согласно настоящему изобретению и управления питанием аналоговой, цифровой частей и частей микроконтроллера;

РИС. 7 (а) — вид в перспективе с частичным фантомом, показывающий установку двойных датчиков на рупор датчика детектора сигнала;

РИС. 7 (b) — вид в перспективе с пространственным разделением деталей, показывающий конструкцию двойных датчиков и их установку на рупор датчика детектора сигнала;

РИС.8 — вид в разрезе корпуса второго чувствительного элемента детектора сигнала;

РИС. 9 (а) — вид в перспективе, показывающий предпочтительное соединение между аналоговыми и цифровыми печатными платами детектора сигналов;

РИС. 9 (b) — вид сбоку в вертикальной проекции, также показывающий соединение аналоговой и цифровой печатных плат детектора сигнала;

РИС. 10 — блок-схема, показывающая основные особенности схемы детектора сигнала согласно второму примерному варианту осуществления настоящего изобретения;

РИС.11 — блок-схема, показывающая основные особенности схемы детектора сигнала согласно третьему примерному варианту осуществления настоящего изобретения; и

РИС. 12 — блок-схема, показывающая основные особенности схемы детектора сигнала согласно четвертому примерному варианту осуществления настоящего изобретения.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРИМЕРНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Настоящее изобретение направлено на детекторы звуковых сигналов, особенно приспособленные для реагирования в выбранном диапазоне для преобразования ультразвуковых и звуковых сигналов в дисплей, который может быть либо слышимым, либо визуальным.В частности, это изобретение направлено на очень универсальное, но компактное и портативное устройство, производство которого является относительно недорогим. Этот детектор сигналов обеспечивает относительно чистый аудиовыход, типичный для пользователей детекторов с минимальным количеством компонентов. Более того, этот детектор сигналов выдает визуальный выходной сигнал пиковой мощности принятого сигнала, который более репрезентативен для принятого сигнала, чем среднее значение такой силы сигнала. Как будет понятно из последующего описания, детектор сигналов настоящего изобретения намного более универсален, чем мои предыдущие версии, благодаря конструкции с двумя датчиками и схемам цифровой обработки.

Следует понимать, что детектор сигнала и способ согласно настоящему изобретению для целей примерных вариантов осуществления описаны в отношении обнаружения звуковых и ультразвуковых сигналов. Однако следует также принять во внимание и понять, что описанная здесь схема и методология детектора имеют более широкое применение к общему мониторингу сигналов, так что описанные методы могут использоваться обычным специалистом в данной области для мониторинга других сигналов, например , электромагнитные сигналы.Таким образом, практически любой тип обнаруживаемого колебательного сигнала, на который преобразователь может реагировать, создавая электрический сигнал, может контролироваться настоящей системой и способом.

Затем со ссылкой на фиг. 1, детектор 10 сигнала имеет корпус 12, в котором установлена ​​соответствующая схема обработки, которая предпочтительно включает схемы аналоговой и цифровой обработки, установленные независимыми, но взаимосвязанными печатными платами. Корпус 12 поддерживает два датчика. Первый датчик 14 выполнен в виде подходящего преобразователя, причем датчик 14 выбирается такого типа, чтобы принимать ультразвуковые сигналы и преобразовывать их в соответствующие электрические сигналы для обработки.С этой целью датчик 14 предпочтительно представляет собой датчик окружающего воздуха в виде микрофонового устройства для обнаружения ультразвуковых сигналов в окружающем воздухе. Второй датчик 16 предпочтительно представляет собой контактный зонд для обнаружения как звуковых, так и ультразвуковых сигналов в твердом теле и преобразования их в соответствующие электрические сигналы для обработки.

Корпус 12 также поддерживает измеритель 18 уровня сигнала, который на фиг. 1, имеет форму светоизлучающей матрицы из двадцати (20) диодов, которая предназначена для визуального вывода мощности принятого сигнала от любого из датчиков 14 или 16.Другой визуальный вывод в виде буквенно-цифрового дисплея 25 также указывает мощность принимаемого сигнала от датчиков 14, 16, а также отображает различные режимы работы, а также уровни громкости и чувствительности для детектора 10 сигнала. Получается звуковой сигнал. посредством наушников 22, которые электрически соединены со схемой, содержащейся в корпусе 12. Первый кнопочный переключатель 24 активации предусмотрен для включения и выключения детектора 10 сигнала. Второй кнопочный переключатель 26 активации предусмотрен для переключения между различными рабочими режимами для детектора сигнала, а третий и четвертый кнопочные переключатели активации 28 и 30 могут использоваться для выборочной регулировки уровней чувствительности и громкости в заданном рабочем режиме.

Принципиальные особенности электронной схемы, которая должна быть размещена в корпусе 12 для формирования первого примерного варианта осуществления детектора 10 сигналов, схематически изображены на фиг. 2. Здесь можно увидеть, что схема включает в себя первый датчик 14 и первую схему 32 усиления и фильтра, которая сама включает в себя первый предварительный усилитель 34, схему 36 управления чувствительностью, второй предварительный усилитель 38, полосовой пропускатель. фильтр 40 и усилитель 42. Со ссылкой на эту первую схему 32 усиления и фильтра можно понять, что первый датчик 14 работает в ответ на присутствие звуковых сигналов, и в частности ультразвуковых сигналов, для создания первого электрического сигнала 15, который затем обрабатывается первым и вторым предварительными усилителями 34 и 38, схемой 36 управления чувствительностью, полосовым фильтром 40 и усилителем 42 для создания первого входного сигнала 44, имеющего выбранную частоту первого входного сигнала и первую амплитуду входного сигнала, который затем может быть представлен в схему гетеродинирования как описано ниже.

Схема фиг. 2 также включает в себя второй датчик 16 и связанную с ним схему 46 усиления и фильтра, которая включает в себя вторую схему 48 управления чувствительностью, усилитель 50 и фильтр 52 верхних частот. Что касается этой второй схемы 46 усиления и фильтра, следует понимать, что датчик 16 , контактный зонд, действует в ответ на звуковые и ультразвуковые сигналы для создания второго электрического сигнала 17, интенсивность которого регулируется схемой 48 управления чувствительностью и усиливается усилителем 50 для создания усиленного второго электрического сигнала 19 на выходе усилителя. 50.Этот усиленный второй электрический сигнал 19 может быть затем разделен на его первую и вторую компоненты, причем первый компонент 20 подается на фильтр 52 верхних частот для создания второго входного сигнала 54, который имеет ультразвуковую частоту. Второй компонент 21 усиленного второго электрического сигнала 19 обходит фильтр высоких частот 52, так что он содержит звуковые частоты. Как также показано на фиг. 2, схема 90 цифровой обработки, которая действует для независимой регулировки чувствительности первой и второй схем 36 и 48 управления чувствительностью, как более подробно описано ниже.

Первый и второй входные сигналы, 44 и 54 соответственно, подаются на первый электрический переключатель 56, имеющий условное состояние, которое также управляется схемой 90 цифровой обработки для выборочного выбора одного из первого и второго входных сигналов. Выбранный один из первого и второго входных сигналов, 44 или 54, подается в усилитель / буфер 58 для генерации усиленного выбранного входного сигнала 59, который подается в схему гетеродинирования, в основном включающую в себя генератор 60 и смеситель 62.Осциллятор 60 выполнен с возможностью получения опорного сигнала 61 на выбранной частоте опорного сигнала в диапазоне от 20 кГц до 100 кГц, в зависимости от предполагаемого диапазона, для которого детектор сигнала предназначен для работы. Предпочтительно, чтобы частота опорного сигнала составляет 38 кГц плюс или минус 500 Гц. Как обсуждался более подробно ниже, цифровая схема обработки 90 управляет генерацию опорного сигнала 61, как продиктовано программным обеспечения, содержащейся в памяти своего микроконтроллера. Вообще говоря, схема 90 цифровой обработки либо передает колебательный сигнал на гетеродин 64, либо может использоваться для указания выделенному цифровому генератору с использованием прямого цифрового синтеза (DDS) для вывода желаемой частоты.Затем этот колебательный сигнал проходит через фильтр 66 нижних частот и второй электрический переключатель 68, условное состояние которого также контролируется схемой 90 цифровой обработки. Назначение второго электрического переключателя 68, который приводится в действие микроконтроллером схемы цифровой обработки, заключается в обеспечении надлежащий уровень энергии на входе гетеродина.

Смеситель 62

предпочтительно представляет собой устройство ячейки Гилберта, которое принимает выбранный один из первого и второго входных сигналов, 44 или 54, и опорный сигнал 61 для генерации смешанного составного сигнала 63.Тогда следует понимать, что, когда первый переключатель 56 находится в состоянии первого переключения, он выборочно соединяет смеситель 62 с первым входным сигналом 44, а когда первый переключатель 56 находится во втором состоянии переключения, как показано на фиг. 2, он действует для выборочного подключения смесителя 62 ко второму входному сигналу 54.

Смешанный составной сигнал 63 надлежащим образом проходит через ловушку гетеродина 70 и фильтр 72 нижних частот для создания отфильтрованного смешанного составного сигнала 73, который, соответственно, имеет амплитуду смешанного составного сигнала, соответствующую амплитуде выбранного одного из первого и второго входные сигналы и смешанный композитный сигнал с частотой в слышимом диапазоне (например,g., между 20 Гц и 20 кГц), но предпочтительно, чтобы смешанный составной сигнал имел частоту примерно 0-5 кГц. Генератор 60 и смеситель 62 могут быть сконфигурированы на общей микросхеме интегральной схемы, такой как телекоммуникационный чип, известный как NE615, доступный от Philips Semiconductors в Саннивейл, Калифорния,

Отфильтрованный смешанный составной сигнал 73 затем подается на третий электрический переключатель 74, состояние переключения которого также контролируется схемой 90 цифровой обработки. На третий электрический переключатель 74 также представлен усиленный второй электрический сигнал 21, связанный со вторым сенсорным элементом 16.Таким образом, схема 90 цифровой обработки управляет тем, какой из двух сигналов, либо фильтрованный смешанный составной сигнал 73, который имеет характеристики со смещенной полосой ультразвукового сигнала, либо усиленный второй электрический сигнал 21, который имеет характеристики звукового сигнала, в конечном итоге представляется соответствующему устройство вывода для отображения. Например, как показано на фиг. 2, третий электрический переключатель 74 находится в состоянии первого переключения, так что он передает отфильтрованный смешанный составной сигнал 73 на соответствующее устройство (устройства) вывода.Например, отфильтрованный смешанный составной сигнал 73 может быть разделен на первый компонент 75 и второй компонентный сигнал 77. Первый компонент отфильтрованного составного сигнала проходит через схему 78 управления громкостью, управляемую схемой 90 цифровой обработки, и затем усиливается. усилителем мощности 80 для создания первого сигнала 81, который затем отображается на аудиовыходе 82, который, как отмечалось выше, может быть парой наушников.

Второй компонент 77 фильтрованного смешанного составного сигнала 73 подается в схему 84 индикатора уровня принятого сигнала (RSSI), параметры которой регулируются схемой 86 управления RSSI, управляемой схемой 90 цифровой обработки.Выходной сигнал схемы RSSI затем обрабатывается схемой 90 цифровой обработки и представляется на визуальный выход, который может быть либо матрицей 18 светоизлучающих диодов, либо буквенно-цифровым дисплеем 25, либо обоими, описанными со ссылкой на фиг. 1. Здесь следует понимать, что генератор 60, смеситель 62 и схема 84 RSSI могут быть обеспечены одной микросхемой интегральной схемы, известной как NE615, снова доступной от Philips Semiconductors. Эта микросхема представляет собой телекоммуникационный чип, предназначенный для работы на очень высоких частотах, таких как, например, использование в сотовых телефонах, так что он работает в диапазоне от 100 МГц до 140 МГц.Однако следует понимать, что для создания надлежащих схем генератора, смесителя и RSSI к этой микросхеме выполняются подходящие соединения, как более подробно обсуждается ниже со ссылкой на фиг. 3 (г).

Соответственно, полная принципиальная схема схемы, кратко изображенной на фиг. 2 показан на фиг. 3 (а) -3 (е), 4, 5 и 6 (а) -6 (б), где фиг. 3-5 иллюстрируют схему аналоговой обработки для детектора 10 сигнала согласно первому примерному варианту осуществления настоящего изобретения, а на фиг.Фиг.6 (a) -6 (b) иллюстрируют схему цифровой обработки для детектора сигнала 10. Предпочтительно схемы аналоговой обработки и схемы цифровой обработки содержатся на независимых печатных платах.

Затем со ссылкой на фиг. 3 (a), можно видеть, что электрический сигнал 15, создаваемый первым чувствительным элементом 14, вводится на входе 100, где он усиливается посредством инвертирующего первого предварительного усилителя 101. Здесь два из вводов от первого чувствительного элемента 14 на 100 подключены к положительному и отрицательному выводам первого предварительного усилителя 101, а третий вход от первого чувствительного элемента на 100 подключается непосредственно к заземлению шасси.Положительный или неинвертирующий входной вывод усилителя 101 подключен к виртуальной земле посредством резистора 102 и конденсатора 103, в то время как отрицательный или инвертирующий вход усилителя 101 подключен к его выходу посредством резистора 104 и конденсатора. 105 соединены и параллельны друг другу, чтобы установить коэффициент усиления усилителя 101.

Выход 106 первого предварительного усилителя 101 подключен к схеме 36 управления чувствительностью через конденсатор 107 связи. Схема 36 управления чувствительностью включает в себя электронный потенциометр 108, который изменяет входной сигнал от максимума до нуля.Электронный потенциометр 108 может быть устройством AD8402, доступным от One Technology Way в Норвуде, штат Массачусетс. Резистор 109 и потенциометр 110 образуют рычаг стеклоочистителя электронного потенциометра 108, чтобы обеспечить общую регулировку усиления для микрофонной секции обнаружения в воздухе детектора сигналов. Электронный потенциометр 108 соединен с виртуальной землей, а также с неинвертирующим входом второго предварительного усилителя 111. Инвертирующий вход второго предварительного усилителя 111 соединен с его выходом посредством резистора 112 и конденсатора 113, которые соединены между собой. параллельно, чтобы установить коэффициент усиления второго предварительного усилителя 111, а также последовательно соединены с потенциометром 110 схемы 36 управления чувствительностью.

Выход 114 второго предварительного усилителя 111 соединен с виртуальной землей посредством резистора 115 и конденсатора 103. Это соединение между выходом 114 усилителя 111 и входом усилителя 101 образует контур обратной связи вокруг первого предварительного усилителя. 101, схема 48 управления чувствительностью и второй предварительный усилитель 111 действуют как частотно-селективный усилитель.

Кроме того, выход второго предварительного усилителя 111 соединен с полосовым фильтром 40 путем подключения выхода 114 второго предварительного усилителя 111 к инвертирующему отрицательному входу усилителя 117 через разделительный конденсатор 116, резистор 118 и конденсатор. 119 соединены последовательно.Межсоединение 120 между резистором 118 и конденсатором 119 подключено к виртуальной земле посредством резистора 121, и оно подключено к выходу 122 усилителя 117 посредством конденсатора 123. Положительный вход усилителя 117 подключен к виртуальной земле и отрицательный вход подключен к выходу 122 с помощью резистора 124. Центральная частота и ширина полосы этого фильтра, таким образом, устанавливаются резисторами 118, 121, 124 вместе с конденсаторами 119 и 123. Предпочтительно полосовой фильтр 40 имеет центр частота 38 кГц и полоса пропускания приблизительно от 36 до 44 кГц.

Отфильтрованный сигнал с выхода 122 усилителя 117 через соединительный конденсатор 125 и резистор 126, соединенные последовательно, с инвертирующим входом усилителя 127. Положительный вход усилителя 127 соединен с виртуальной землей, в то время как выход усилителя 128 соединен со своим отрицательным выводом посредством резистора 129. Вместе усилитель 127 и его резисторы 126 и 129 образуют схему 42 усиления, которая принимает отфильтрованный первый электрический сигнал и обеспечивает первый входной сигнал 44 для остальной части схемы обработки в виде показанный как «A» на фиг.3 (а).

Теперь обратимся к фиг. 3 (b), схема для второго чувствительного элемента 16 включает пьезоэлектрический кристалл 130, подключенный параллельно резистору 131. Один вывод пьезоэлектрического кристалла 130 подключен к затвору истокового повторителя JFET 132, A2N3B19 или эквивалентного, в то время как другой из Клеммы пьезокристалла подключены к массе шасси. Сток JFET 132 соединен с землей шасси через конденсатор 134, и этот сток также подключен к положительной шине напряжения питания или V.sub.cc через резистор 135. Исток JFET 132 подключен через резистор 133 к земле шасси, а также через разделительный конденсатор 137 ко второй схеме 48 управления чувствительностью, которая включает в себя электронный потенциометр 136, также AD8402, который является регулируется от максимума до нуля, и конденсатор 139 связи и потенциометр 138 соединены последовательно. Электрический сигнал, выводимый из схемы 48 управления чувствительностью, затем подается на отрицательный вход усилителя 139 с помощью резистора 140.Положительный вход усилителя 139 соединен с землей шасси, а выход 141 усилителя 139 соединен с его инвертирующим входом посредством резистора 142 и конденсатора 143, подключенных параллельно. Усилитель 139 предпочтительно является частью микросхемы LM837, доступной от National Semiconductor Corp. в Арлингтоне, штат Техас, с его контактом 11, подключенным непосредственно к заземлению шасси, а его контакт 4, подключенным к Vcc через резистор 135. Коэффициент усиления усилителя 139 устанавливается переменным резистором 138, резистором 140, резистором 1142 и конденсатором 143.Резистор 138 является регулировкой общего усиления для секции контактного датчика детектора сигнала.

Таким образом, выходной сигнал 141 усилителя 139 представляет собой усиленный второй электрический сигнал 19, который может быть разделен на его первую и вторую составляющие. Затем первый компонент 20 усиленного второго электрического сигнала 19 проходит через разделительный конденсатор 144 для фильтрации фильтром 52 высоких частот. Фильтр 52 высоких частот настроен приблизительно на 15 кГц, так что он пропускает в основном сигналы в ультразвуковом диапазоне частот.Фильтр высоких частот 52 включает в себя усилитель 145, положительный вывод которого соединен с виртуальной землей посредством резистора 146. Положительный вывод усилителя также соединен с разделительным конденсатором 144 другим конденсатором 147. Переход между конденсаторами 144 и 147 подключен к отрицательный вывод усилителя посредством резистора 149, и этот отрицательный вывод подключается непосредственно к выходу 148 усилителя. Таким образом, генерируется второй входной сигнал 54, имеющий ультразвуковую частоту, который показан как «B» на фиг.3 (б). Второй компонент 21 усиленного второго электрического сигнала 19 имеет звуковую частоту, потому что он обходит фильтр высоких частот 52, и этот второй компонент показан как «C» на фиг. 3 (б).

На ФИГ. 3 (c) видно, что первый входной сигнал «A» от первого чувствительного элемента 14 и второй входной сигнал «B» от второго чувствительного элемента 16 подаются на первый электрический переключатель 56, который, как указано выше со ссылкой на фиг. 2, управляется схемой 90 цифровой обработки и служит для соединения одного выбранного из этих первого и второго входных сигналов 44 и 54 с усилителем / буфером 58.На фиг. 3 (c), как на фиг. 2 первый переключатель 56 показан во втором состоянии переключения, так что он передает второй входной сигнал 54 от контактного датчика к усилителю / буферу 58. Усилитель / буфер 58 включает в себя усилитель 150, положительный вход которого соединен с переключателем 56 через конденсатор связи. 151. Положительный вход также соединен с виртуальной землей посредством резистора 152. Отрицательный вход усилителя 150 соединен с выходом 153 усилителя посредством резистора 154 и конденсатора 155, подключенных параллельно.Параллельное расположение резистора 154 и конденсатора 155, а также отрицательный вход усилителя 150 соединены с виртуальной землей через резистор 156. Резисторы 154, 156 и конденсатор 155 устанавливают коэффициент усиления неинвертирующего усилителя 150 примерно равным двум (2 ). Целью включения усилителя / буфера 58 является получение выбранного одного из первого и второго входных сигналов от переключателя 56 и компенсации потерь в переключателе. Усиленный входной сигнал 59 на выходе схемы 58 усилителя / буфера показан как «D» на фиг.3 (в).

Со ссылкой на фиг. 3 (d), выбранный один из входных сигналов в «D» подключен к выводу 1 микросхемы 158 (NE615) через конденсатор 160 к микросхеме 158. Как показано в схематической форме, эта микросхема 158 имеет внутренне сконфигурированные схемы, включая смесительное устройство 62 ячейки Гилберта, генератор 60, схема 163 высокочастотного / высокого усиления и схема 164 RSSI. Вывод 2 микросхемы 158 подключен к отрицательной шине через конденсатор 165. Контакты 3 и 4 микросхемы 158 связаны с генератором 60.Контакт 3 соединен с землей шасси посредством конденсатора 166 и резистора 167, соединенных параллельно. Контакт 4 соединен с землей шасси с помощью двух конденсаторов 168 и 169, соединенных последовательно. К соединению этих конденсаторов подключена катушка 170 индуктивности, которая соединена последовательно с параллельными резисторами 171 и 172. Развязка между катушкой 170 индуктивности и резисторами 171 и 172 соединена с землей посредством конденсатора 173.

Конденсаторы 169, 173 и катушка 170 индуктивности образуют фильтр нижних частот, который приводится в действие либо резистором 171, либо резистором 172, в зависимости от состояния третьего переключателя 68.Переключатель 68 получает сигнал колебания «О» от микроконтроллера схемы цифровой обработки и приводится в действие микроконтроллером для подключения либо к резистору 171, либо к резистору 172, что обеспечивает надлежащий уровень возбуждения гетеродина на выводе 4 микросхемы 158. Этот локальный сигнал Вход генератора от микроконтроллера схемы цифровой обработки представляет собой последовательность импульсов с широтно-импульсной модуляцией («ШИМ»), которая имеет более высокое содержание энергии на более низких частотах из-за более длительного рабочего цикла. Это создает более высокие амплитуды напряжения на более низких частотах, которые могут перегрузить NE615.

Как будет описано ниже со ссылкой на схему цифровой обработки по фиг. 6 (а) и 6 (b), детектор сигналов настоящего изобретения имеет множество режимов для каждого из датчиков. Когда представляют интерес ультразвуковые сигналы, детектор сигналов может отслеживать сигналы как с высокими, так и с низкими ультразвуковыми частотами. Для этого микроконтроллер схемы цифровой обработки генерирует заданный сигнал колебаний в точке «0», имеющий выбранную частоту колебаний, зависящую от конкретного режима.Микроконтроллер активирует переключатель 174, так что высокочастотные сигналы колебаний проходят через резистор 171, который имеет меньшее значение, чем резистор 172. Аналогично, сигналы с более низкой частотой колебаний проходят через резистор 172.

Схема, подключенная к контактам 3 и 4 микросхемы 158, вместе с внутренними компонентами микросхемы, формирует генератор 60, который обеспечивает выбранный опорный сигнал 61 для объединения с выбранным одним из входных сигналов на выводе 1. Для высокочастотных ультразвуковых сигналов детектируемая любым из датчиков, эта эталонная частота предпочтительно настраивается микроконтроллером на 38 кГц, так что смешанный сигнал будет иметь слышимую составляющую 2 кГц, когда ультразвуковой сигнал составляет 40 кГц (то есть разница, 40 кГц-38 кГц = 2 кГц) наряду с высокими частотными компонентами, полученными из суммы входной частоты и опорной частоты (и его гармоник).Для низких ультразвуковых частот, обнаруживаемых контактным датчиком, эта эталонная частота предпочтительно составляет 20 кГц. Для низкочастотных ультразвуковых сигналов, которые передаются по воздуху и обнаруживаются микрофоном, эта эталонная частота предпочтительно составляет 30 кГц.

Выходом смесителя 62 микросхемы 158 является смешанный составной сигнал 63 на выводе 20, и предусмотрен фильтр составного сигнала для устранения утечки генератора из этого смешанного составного сигнала 63. На фиг. 3 (d), этот фильтр составного сигнала обеспечивается баком L-C, образованным конденсатором 175 и катушкой 176 индуктивности, подключенными параллельно к нему, который образует полосовой режекторный фильтр (а с конденсатором 177 — ловушку гетеродина 70) (фиг.2). Этот пассивный фильтр резервуара L-C настроен на частотный диапазон для удаления сигналов, имеющих частоту 38 кГц. Резервуар LC действует как ловушка, чтобы удалить просочившуюся частоту генератора и более высокие продукты интермодуляции из смешанного составного сигнала 63 путем замыкания их на землю через конденсатор 177. Конденсатор 178 соединяет контакт 17 и контакт 19, а контакт 17 соединяется с землей посредством конденсатор 179. Конденсаторы 178 и 179 устанавливают обратную связь и байпас для схемы внутреннего усилителя микросхемы 158 для оптимизации отношения сигнал / шум.

Выход из первой схемы внутреннего усилителя схемы 163 внутреннего усилителя находится на выводе 16 и проходит через схему 86 управления RSSI, которая действует как аттенюатор / фильтр нижних частот. В частности, вывод 16 микросхемы 158 соединен с землей посредством потенциометра 180, который также может быть AD8402, и конденсатора 181, соединенных последовательно. Рычаг стеклоочистителя этого потенциометра соединен с контактом 14 и входом второй схемы внутреннего усилителя посредством конденсатора 182. Контакт 14 сам подключен к заземлению шасси посредством конденсатора 182 и конденсатора 183.Конденсаторы 184 и 185 устанавливают байпас и обратную связь внутренних усилителей 163. Здесь конденсатор 184 соединяет контакты 12 и 13 микросхемы 158, в то время как контакт 13 соединен с землей шасси посредством конденсатора 185.

Внутренние усилители схемы 163 внутреннего усилителя подключены к внутренней схеме 164 RSSI для выработки сигнала индикатора уровня сигнала «S» от контакта 7 микросхемы 158. Этот сигнал подключается к земле через конденсатор 186 и резистор 187 включен параллельно.Этот сигнал индикатора уровня сигнала «S» в конечном итоге выводится на видеовыход 88. Конденсатор 186 фильтрует пульсации переменного тока сигнала RSSI, и его значение определяет скорость, с которой может изменяться RSSI. Небольшое значение заставит светодиодный индикатор (рис. 1) очень быстро реагировать, но его может быть трудно читать, особенно если входной сигнал колеблется. Резистор 187 используется для преобразования сигнала RSSI, который представляет собой постоянный ток, в постоянное напряжение, которое затем используется микроконтроллером для вычисления уровня и управления буквенно-цифровым дисплеем 25 (фиг.1). Контакты 5 и 6 микросхемы 158 соединены вместе и к Vcc через резистор 188; контакты 5 и 6 также подключены к заземлению шасси посредством конденсаторов 189 и 190, подключенных параллельно. Таким образом, питание подается на микросхему 158.

После того, как смешанный составной сигнал 63 от смесителя 62 надлежащим образом отфильтрован резервуаром L-C, он проходит через фильтр 72 нижних частот. Этот смешанный составной сигнал представлен как «M» на фиг. 3 (г) и 3 (д). Смешанный составной сигнал 63 сначала проходит через разделительный конденсатор 192, который соединен с виртуальной землей через резистор 193.Конденсатор 192 также подключен к положительному выводу усилителя 194 через резисторы 195 и 196. Положительный вход усилителя соединен с землей через конденсатор 197. Отрицательный вход усилителя 194 подключен непосредственно к выходу 198 усилителя, а также подсоединен. к положительному входу усилителя через резистор 196 и конденсатор 199.

Усилители 122, 128, 153 (на фиг. 3 (a) и 3 (c)) и усилитель 198 предпочтительно являются каскадами интегральной схемы с четырехъядерным усилителем, например LM-837, доступным от National Semiconductor Corp., или любой эквивалентный чип. Контакт 11 этой микросхемы затем подключается непосредственно к земле, а контакт 4 этой микросхемы подключается к виртуальной земле через конденсатор 200 и к Vcc через резистор 201, как показано на фиг. 3 (е).

Выходной сигнал фильтра 72 нижних частот представляет собой отфильтрованный смешанный составной сигнал 73, который управляет звуковым / ультразвуковым переключателем 74, состояние которого определяется программным обеспечением, содержащимся в памяти микроконтроллера схемы цифровой обработки. По существу, когда звуковой / ультразвуковой переключатель 74 находится в первом состоянии переключения, как показано на фиг.3 (е), он работает для приема отфильтрованного смешанного составного сигнала 73. Когда звуковой / ультразвуковой переключатель 74 находится во втором положении переключателя, он принимает усиленный второй электрический сигнал 21, который уже имеет звуковую частоту. Как будет известно, этот усиленный второй электрический сигнал такой же, как «C» на фиг. 3 (б) и 3 (д).

Принятый сигнал от звукового / ультразвукового переключателя 74 затем разделяется на его первую и вторую составляющие. Первый компонент 75 подается на вывод 2 микросхемы 204 посредством цифрового потенциометра 205 (AD8402), резистора 206 и конденсатора 207, соединенных последовательно.Микросхема 204 предпочтительно является усилителем мощности звука TDA-7052, LM380 или аналогичным. Цифровой потенциометр 205 подключен к виртуальной земле через заземляющий конденсатор 208. Этот цифровой потенциометр 205 независимо управляется микропроцессором схемы цифровой обработки для регулировки громкости выходного сигнала микросхемы 204. Контакт 2 микросхемы 204 также подключен к земле. через резистор 209. Контакт 1 микросхемы 204 соединен с землей конденсатором 210, а также подключен к V через резистор 211 для подачи питания на микросхему 204.Контакты 3 и 6 микросхемы 150 подключены к земле, а контакты 5 и 8 обеспечивают аудиовыход, который может быть подключен к аудиодисплею, например к наушникам 22, показанным как гнезда 212 для наушников.

Второй компонент 77 или «E» подается обратно на вывод 18 микросхемы 158 через конденсатор 213 для обработки внутренней схемой RSSI микросхемы для генерации сигнала RSSI «S», как показано на фиг. 3 (г). Как показано на фиг. 3 (f), этот сигнал RSSI «s» подключен к контакту 11 первого разъема 210. Как будет более подробно описано ниже, разъем / заголовок 210 совместим с кооперативным разъемом / заголовком, связанным с платой схемы цифровой обработки.Для передачи данных в микроконтроллер схемы цифровой обработки и из нее к разъему 210 также подключаются различные микросхемы цифровой обработки, как показано на фиг. 3 (е). Например, микросхема 212, которая предпочтительно является AD8402 +, доступной от Analog Devices, расположенной в Норвуде, штат Массачусетс, содержит и управляет регулировкой громкости потенциометра 205 (фиг.3 (e)), а также цифрового потенциометра, связанного с первая и вторая схемы управления чувствительностью 36 и 48 соответственно (фиг.3 (а) и фиг. 3 (б)). Контакты 1 и 5 микросхемы 212 подключены к земле. Контакты 6 и 10 микросхемы 212 подключены к Vcc через резистор 217, а контакт 11 подключен непосредственно к Vcc. Выводы 1, 5, 6, 10 и 11 микросхемы 214 подключаются аналогично. Контакт 1 первого разъема 210 подключен непосредственно к контактам 8 микросхем 212 и 214, в то время как контакт 2 разъема 210 подключен непосредственно к контактам 9 микросхем 212 и 214. Контакт 3 разъема 210 подключен к контакту 7 микросхемы 212, в то время как контакт 4 разъема 210 подключен к контакту 7 микросхемы 214.

Микросхема 216, которая предпочтительно представляет собой 74HC4053 +, поставляемую Национальной корпорацией в Техасе, содержит и контролирует состояние переключателей 56, 68 и 74. Контакты 6, 7 и 8 микросхемы 216 подключены к земле. Контакт 16 подключен к Vcc для подачи питания на микросхему 216. Контакт 9 подключен непосредственно к контакту 7 разъема 210; Контакт 10 микросхемы 216 подключается непосредственно к контакту 6 первого разъема 210, а контакт 11 микросхемы 216 подключается непосредственно к контакту 5 первого разъема 210.

Наконец, микросхема 218 представляет собой EEPROM, которая содержит настройки калибровки и серийный номер для детектора и позволяет калибровать и сериализовать аналоговую плату детектора независимо от ее цифровой платы.Чип 218 предпочтительно представляет собой 93LC46, доступный от Microchip Technology, Inc. в Чандлере, Аризона. Контакт 1 микросхемы 218 соединен с контактом 8 первого разъема 210; контакт 2 микросхемы 218 соединен с контактом 2 разъема 210; контакт 3 микросхемы 218 соединен с контактом 1 разъема 210; Контакт 4 микросхемы 218 подключен к контакту 12 разъема 210, а контакт 6 микросхемы 218 подключен к земле. Контакт 10 разъема 210 подключен к батарее 220 на девять вольт (9 В). Контакт 13 разъема 210 подключен к Vcc, а контакт 14 разъема 210 подключен к земле.

Как показано на фиг. 4, напряжение питания Vcc разделяется конденсаторами 222, 223 и 224, а также резисторами 225 и 226 для создания виртуальной земли. Как показано на фиг. 5, напряжение питания Vcc также подключается к заземлению шасси через соответствующий стабилитрон.

Схема 300 цифровой обработки для детектора сигнала согласно настоящему изобретению теперь может быть оценена со ссылкой на фиг. 6 (а) и 6 (б). Как указано выше, схема 300 цифровой обработки содержится на печатной плате, отдельной от схемы аналоговой обработки, описанной на фиг.3 (а) -3 (е). В общих чертах, схема 300 цифровой обработки включает в себя микроконтроллер 302, защелку данных 304, гистограмму 18 с 20 светодиодами и буквенно-цифровой дисплей 25. Сердцем схемы 300 цифровой обработки является микроконтроллер 302, который передает данные взад и вперед с аналоговой схемой. плату через защелку 304 данных и второй разъем 310, а также с матрицей 18 светодиодов (включая микросхемы 307 и 308) и буквенно-цифровым дисплеем 25 (включая микросхему 308). Микроконтроллер 302 предпочтительно представляет собой микросхему PIC16C73A, доступную от Microchip Technology, Inc в Чандлере, Аризона.Микроконтроллер 302 подключен к остальным компонентам схемы 300 цифровой обработки, как показано на фиг. 6 (a) и 6 (b), и программа может быть соответствующим образом сохранена в его памяти для управления всеми параметрами пользовательского режима для детектора сигнала.

Питание подается на микроконтроллер 302 на его выводе 20. Как отмечалось выше со ссылкой на фиг. 3 (f), 9-вольтовая батарея подключается непосредственно к контакту 10 первого разъема 210, который сам совместим с контактом 10 второго разъема 310, связанного со схемой 300 цифровой обработки.Конечно, следует понимать, что каждая из пор второго соединителя 310 совместима с контактами первого соединителя 210 и соответствует им. Как показано на фиг. 6 (a), питание от батареи подается по линии 311 на вход (контакт 3) первого регулятора напряжения 312. Регулятор 312 напряжения всегда включен, пока батарея находится в хорошем состоянии и питает микроконтроллер. 302 с постоянным напряжением и защищает его от обратного состояния батареи. Контакт 2 регулятора 312 напряжения заземлен, а контакт 1 также заземлен через конденсаторы 314, 315 и соответствующий стабилитрон 316.Стабилитрон 316 защищает микроконтроллер 302 от переходных процессов перенапряжения. Контакт 20 микроконтроллера 302 подключен через конденсатор 314 к стабилитрону 316. Контакт 1 микроконтроллера 302 является главным размыкателем и подключен непосредственно к земле через конденсатор 317.

Контакт 1 также подключен к контакту 20 через резистор 318 и соединен с землей через двухпозиционный переключатель 24. Резистор 318 является подтягивающим резистором, который устанавливает главный выход из микроконтроллера в «высокое» состояние. Основная тактовая частота для микроконтроллера 302 обеспечивается с помощью пьезоэлектрического кристалла 320 4 МГц, подключенного между выводами 9 и 10.Противоположные грани кристалла 320 также соединены с землей через конденсаторы 322 и 324. Контакт 2 микроконтроллера 302 подключен к батарее через резистор 326 и к земле через резистор 328. Резисторы 322 и 328 образуют делитель напряжения, который контролирует напряжение батареи и приводит в действие контакт 2 микроконтроллера для генерации низкого уровня заряда батареи, который отображается на буквенно-цифровом дисплее 25.

Вывод 4 микроконтроллера 302 через резистор 330 подключен к базе npn-транзистора 332.База этого транзистора также соединена с землей через резистор 334. Коллектор транзистора 332 подключен к напряжению батареи через резистор 336. Конденсатор 316 подключен к входу (вывод 3) первого регулятора напряжения 312, и он вместе с конденсатор 315 действует для фильтрации шума и поддержания стабильности регулятора 312 напряжения.

Коллектор транзистора 332 подключен к затвору полевого МОП-транзистора 338, а исток полевого МОП-транзистора 338 подключен к входу второго регулятора напряжения 340, который подает напряжение 5 В (В.sub.cc) к цифровым схемам. Контакт 1 второго регулятора напряжения 340 соединен с землей через конденсатор 342. Контакт 2 соединен непосредственно с землей, а контакт 3 соединен с землей через конденсаторы 344 и 346. Контакт 3 второго регулятора напряжения 340 соединен с контактом 3 разъема. третий регулятор 350 напряжения, который подает питание 5 В (Vcc) на аналоговые схемы. Контакт 1 третьего регулятора 350 напряжения соединен с землей через конденсаторы 352 и 354, а его контакт 2 соединен непосредственно с землей.Соответственно, когда переключатель 24 включения / выключения нажат, транзистор 332 включается, как и полевой МОП-транзистор 338, который работает для подключения 9-вольтовой батареи ко второму регулятору 340 напряжения и третьему регулятору 350 напряжения для подачи питания на аналоговые и цифровые схемы. Каждый из регуляторов напряжения 312, 340 и 350 предпочтительно представляет собой LM2931Z-5, доступный от National Semiconductor Corp. в Арлингтоне, Техас,

.

Контакт 5 микроконтроллера 302 соединен с землей через резистор 356. Контакт 6 микроконтроллера 302 подключен непосредственно к порту 12 второго разъема 310 и, таким образом, контакт 4 микросхемы EEPROM 218 на фиг.3 (е).

Контакт 7 микроконтроллера 302 соединен с землей через резистор 358, а также подключен к входу 1 тактового сигнала (контакт 11) защелки данных 304, который предпочтительно представляет собой микросхему MM74HC374, доступную от National Semiconductor Corp.

Контакты 11-18 микроконтроллера 302 образуют первый восьмиразрядный двунаправленный порт ввода-вывода, который генерирует стробирующие сигналы для светодиодной матрицы 18, буквенно-цифрового дисплея 25, а также сигнал гетеродина для микросхемы 158 NE615 на фиг. 3 (г). Более конкретно, контакт 11 микроконтроллера 302 подключен через резистор 360 и npn-транзистор 362 к контактам 13-18 микросхемы 306.Контакты 13-20 микросхемы 306 также подключены к Vcc через резистор 364. Точно так же контакт 12 микроконтроллера 302 подключен через резистор 366 и транзистор 368 к контактам 11 и 12 микросхемы 306 и контактам 15-20 микросхемы. 307. Контакты 11 и 12 микросхемы 306 и контакты 15-20 микросхемы 307 также подключены к Vcc через резистор 370. Микросхемы 306 и 307, которые вместе образуют матрицу 18 светодиодов, могут быть каждый из HDSP-4830. Чип доступен в Hewlett-Packard в Пало-Альто, Калифорния,

Контакт 13 микроконтроллера 302 передает опорный сигнал генератора на порт 9 второго разъема 310 и, таким образом, на контакт 4 микросхемы 158, как показано на фиг.3 (г). Контакт 14 микроконтроллера 302 соединен с контактами 11-14 микросхемы 307 через резистор 372 и npn-транзистор 374. Контакты 11-14 микросхемы 307 подключены к Vcc через резистор 376.

Контакты 15-18 микроконтроллера 302 соответственно подключены к контактам 14, 12, 10 и 7 микросхемы 308 буквенно-цифрового дисплея. Более конкретно, контакт 15 микроконтроллера 302 подключен к контакту 14 микросхемы 308 через резистор 378 и npn-транзистор 380. Вывод 16 микроконтроллера 302 подключен через резистор 382 и npn-транзистор 384 к выводу 12 микросхемы 308.Вывод 17 микроконтроллера 302 подключен к выводу 10 микросхемы 308 через резистор 386 и npn-транзистор 388. Вывод 18 микроконтроллера 302 подключен через резистор 390 и npn-транзистор 392 к выводу 7 микросхемы 308. Контакты 7, 10, 12 и 14 микросхемы 308 соответственно подключены к Vcc через резисторы 394, 396, 398 и 400.

Микросхема 307, которая формирует буквенно-цифровой дисплей 25, может быть микросхемой DL-340M, доступной от Siemens Components, Inc., Купертино, Калифорния.

Контакты 21-28 микроконтроллера 302 соответственно подключены к соответствующим контактам микросхем 306, 307 и 308 посредством резисторов 401-408.Микросхемы 306, 307 и 308 также имеют некоторые из своих контактов, соединенных друг с другом, как показано на фиг. 6 (б). Контакты 21-28 микроконтроллера 302 также напрямую подключены к соответствующим контактам микросхемы 304 защелки, как показано на фиг. 6 (а). Контакты 21-28 микроконтроллера 302 также соответственно подключены к Vcc через резисторы 411-418. Контакт 28 также соединен с землей через резистор 420 и кнопочный переключатель 26, соединенные последовательно (фиг. 1). Контакт 27 соединен с землей через резистор 421 и кнопочный переключатель 28, соединенные последовательно (ФИГ.1). Контакт 26 соединен с землей через резистор 422 и кнопку 30, соединенные последовательно (фиг. 1). Vcc подключается к земле через конденсатор 424.

Что касается защелки данных 304, контакты 3, 4, 7, 8, 13, 14, 17 и 18 соответственно подключены к контактам 21-28 микроконтроллера 302. Контакты 2, 5, 6, 9, 12, 15, 16 и 19 соответственно подключены к портам 1-8 второго разъема 310. Контакт 1 микросхемы 304 подключен к земле, а контакт 11 микросхемы 304 подключен к земле через резистор 358.Наконец, порт 13 второго соединителя 310 соединен с Vcc для аналоговых схем, который генерируется как выход третьего регулятора напряжения 350, а его порт 14 соединен с землей.

С учетом вышеописанной схемы, таблица компонентов, включающая выбранные значения, представлена ​​в следующей таблице I.

 ТАБЛИЦА I

     ______________________________________

     Резисторы

            Значение элемента (в омах)

     ______________________________________

     102 22 к

       104 22 к

       109 422

       112 100 тыс.

       115 22 к

       118 10 к

       121 422

       124 39.2 к

       126 1 к

       129 5,6 к

       131 3 млн

       133 2 к

       135 22

       140 422

       142 22 к

       146 1.5 тыс.

       149 5,6 к

       152 10 к

       154 10 к

       156 10 к

       167 10 к

       171 64.7

       172 1,3 к

       187 100 тыс.

       188 22

       193 100 тыс.

       195 59 к

       196 59 к

       201 22

       206 15 к

       209 5.62 тыс.

       217 22

       225 10 тыс.

       226 10 к

       318 4,75 к

       326 100 тыс.

       328 100 тыс.

       330 4.75 тыс.

       334 4,75 к

       336 4,75 к

       356 10 к

       358 47,5 тыс.

       360 4,75 к

       364 47.5 тыс.

       366 4,75 к

       370 47,5 тыс.

       372 4,75 к

       376 47,5 тыс.

       378 4,75 к

       382 4.75 тыс.

       386 4,75 к

       390 4,75 к

       394 47,5 тыс.

       396 47,5 тыс.

       398 47,5 тыс.

       400 47.5 тыс.

       401 220

       402 220

       403 220

       405 220

       406 220

       407 220

       408 220

       411 47.5 тыс.

       412 47,5 тыс.

       413 47,5 тыс.

       414 47,5 тыс.

       415 47,5 тыс.

       416 47,5 тыс.

       417 47.5 тыс.

       418 47,5 тыс.

       420 1 к

       421 1 к

       422 1 к

     ______________________________________

     Конденсаторы

            Значение элемента

     ______________________________________

     103.1 мкФ

       105 150 пФ

       107,1. МкФ

       113 22 пФ

       116,1. МкФ

       119 1 нФ

       123 1 нФ

       125.1 мкФ

       134,1. МкФ

       137,1. МкФ

       139,1. МкФ

       143 12 пФ

       144 1 нФ

       147 1 нФ

       151.1 мкФ

       155 47 пФ

       160,1 мкФ

       165,1. МкФ

       166,1. МкФ

       168,1. МкФ

       169 47 нФ

       173 47 нФ

       175 47 нФ

       177 47 нФ

       178 47 нФ

       179.1 мкФ

       181,1. МкФ

       182,1. МкФ

       183,1. МкФ

       184,1. МкФ

       185,1. МкФ

       186 2.2 мкФ

       189 1 мкФ

       190 1 мкФ

       192,1. МкФ

       197 330 пФ

       199 1 нФ

       200.1 мкФ

       207,1. МкФ

       208 6,8 мкФ

       210 1 мкФ

       222,1. МкФ

       223,1. МкФ

       224.1 мкФ

       314 10 мкФ

       315,11 мкФ

       316,1 мкФ

       317,1. МкФ

       322 27 пФ

       324 47 пФ

       342 10.му.Ф

       344 1 мкФ

       346,1. МкФ

       352,11 мкФ

       354 10 мкФ

       424,1. МкФ

     ______________________________________

     Катушки

            Значение элемента

     ______________________________________

       170 270.мкГн, Qmin = 30

       176 270 мкГн, Qмин = 30

     ______________________________________

 

После описания схемы детектора сигналов настоящего изобретения, показанной на фиг. 2 и подробно объяснен со ссылкой на фиг. 3 (a) -6 (b), теперь можно лучше оценить работу детектора сигнала. В этом первом примерном варианте осуществления детектор сигнала имеет пять различных режимов.Для окружающих ультразвуковых сигналов, обнаруживаемых первым чувствительным элементом 14 (микрофоном), существует два рабочих режима, которые могут называться «воздушно-высокочастотный» и «воздушный низкочастотный». Для звуковых и ультразвуковых сигналов, обнаруживаемых вторым чувствительным элементом 16 (контактным датчиком), существует три различных рабочих режима, которые могут упоминаться как «высокий уровень датчика», «низкий уровень датчика» и «звуковой датчик» при выборе «высокого уровня в воздухе». обнаруженных сигналов — от 36 кГц до 44 кГц. При выборе «бортовой малой мощности» диапазон составляет от 26 кГц до 34 кГц.При выборе «высокого уровня датчика» этот диапазон составляет от 36 кГц до 44 кГц. При выборе «зонд низкого уровня» диапазон составляет от 16 кГц до 24 кГц, а при выборе «зондового звука» этот диапазон составляет от 0 кГц до 15 кГц.

Детектор сигнала включается и выключается посредством активации кнопочного переключателя 24. При первоначальном включении микроконтроллер 302 передает информацию на микросхему 308, чей буквенно-цифровой дисплей 20 отображает последний режим, использованный до отключения питания. Затем нажатие одной из кнопок 28 или 30 заставляет микроконтроллер передавать информацию на микросхему 308, так что предыдущий уровень чувствительности для самого последнего режима отображается на буквенно-цифровом дисплее 20.Затем этот уровень чувствительности можно отрегулировать либо вверх, либо вниз в диапазоне от 0 до 255 включительно, нажав переключатели 28 или 30. В качестве альтернативы, после включения питания и отображения последнего режима работы кнопка 26 режима может нажмите, чтобы отобразить последний уровень громкости, использованный в этом режиме. После этого нажатие кнопок 28 или 30 отрегулирует громкость до нового уровня в диапазоне от 0 до 255 включительно, и эта информация также сохраняется в памяти микроконтроллера.Кнопка режима может быть нажата для переключения между различными режимами работы, указанными выше, до тех пор, пока не будет достигнут желаемый режим. Только в целях примера и в тех случаях, когда представляют интерес высокие ультразвуковые сигналы, воспринимаемые датчиком 16 (контактный зонд), кнопку 26 режима можно нажимать до тех пор, пока на буквенно-цифровом дисплее 20 не появится сообщение «Датчик высокий». Затем можно установить чувствительность для этого конкретного режима. регулируется вверх или вниз нажатием одной из кнопок 28 или 30. При повторном нажатии кнопки режима 26 отображается настройка громкости, которую можно увеличить или уменьшить, нажав любую из кнопок 28 или 30.Типом информации, отображаемой на буквенно-цифровом дисплее 20, также можно выборочно управлять. Например, можно нажимать кнопку 26 режима до тех пор, пока на буквенно-цифровом дисплее не появится надпись «Disp». После этого нажатие любой из кнопок 28 или 30 переключает режим отображения между «выключено», «непрерывно» и «удержание пикового значения». При настройке «удержания пикового значения» на буквенно-цифровом дисплее отображается наибольшее число, а затем эта информация обновляется. Светодиодная гистограмма всегда горит в непрерывном состоянии и в состоянии «удержания пика». Алфавитно-цифровой индикатор численно отслеживает уровень светодиодной гистограммы.

Все пользовательские выборы и настройки остаются в памяти микроконтроллера на неопределенный срок, пока установлена ​​батарея, даже если детектор сигнала выключен нажатием кнопки 24. Когда батарея извлекается или разряжается, все пользовательские настройки теряются. и инструмент вернется в предварительно определенное состояние. Все параметры, такие как, помимо прочего, настройка, конфигурация переключателей, диапазон настроек, скорость отклика и отображаемая информация, могут быть бесконечно изменены с помощью программного обеспечения, записанного в программной памяти микроконтроллера, таким образом влияя на изменения ощущений. и функции этого инструмента.

Предпочтительная конструкция второго чувствительного элемента 16 для использования с детектором сигналов настоящего изобретения теперь может быть оценена со ссылкой на фиг. 7 (a), 7 (b) и B. Как указано выше, функция второго чувствительного элемента 16 состоит в преобразовании механических звуковых волн в твердых телах в электрический сигнал. Затем этот электрический сигнал может быть проанализирован, чтобы предоставить информацию об условиях, которые скрыты от глаз или которые невозможно увидеть. Низкочастотные сигналы можно усилить, а затем услышать и измерить их амплитуду.Высокочастотные сигналы можно сдвигать по частоте или просто просматривать с помощью анализаторов или других инструментов с требуемой шириной полосы. Второй сенсорный элемент 16 может использоваться в любом устройстве, которому необходимо преобразовывать звуки в твердых телах в электрический сигнал.

Предпочтительно, чтобы каждый из первого сенсорного элемента 14 и второго сенсорного элемента 16 опирался на рог 500 сенсора, который установлен на корпусе 12 детектора сигнала. Второй сенсорный элемент 16 включает в себя пьезоэлектрический кристалл 130 (фиг. 3 (b)), изготовленный из ЦТС (титанат циркония свинца).Предпочтительно кристалл 130 имеет цилиндрическую форму с толщиной, составляющей две трети его диаметра. Собственная частота кристалла 130 зависит от его химического состава, диаметра и толщины. Этот тип цилиндрического элемента имеет широкую частотную характеристику, что позволяет использовать его на частотах, находящихся под его резонансом, вплоть до звуковых частот. Фактический общий резонанс кристалла зависит от того, как он установлен в корпусе 504, от того, как корпус 504 прикреплен к прибору, и от того, как часть 11 сенсорного датчика второго чувствительного элемента прикреплена к прибору.

Режим работы пьезокристалла 130 — продольный. Звук в твердом теле, таком как подшипник, переносится через стержень 11 в корпус 504 датчика вибрации. В корпусе 504 датчика вибрации звук в основном продольный, то есть он распространяется в направлении колебаний. Это колебание заставляет кристалл 130 сжиматься и удлиняться вдоль его продольной оси «L». Это напряжение генерирует напряжение на торцевых поверхностях 506 и 508 кристалла 130. Это напряжение снимается с помощью металлизированных электродов на поверхностях кристалла 130.Одним из электродов может быть сам корпус датчика вибрации, который полностью окружает кристалл 130, чтобы защитить его от звуков в воздухе и от электромагнитного шума. Кристалл 130 установлен в корпусе 504 датчика вибрации с использованием проводящей эпоксидной смолы 510. Корпус 504 датчика вибрации предпочтительно выполнен с установочной ступенькой, которая центрирует кристалл 130 в нем. Это гарантирует, что внешняя боковая стенка 507 кристалла не будет контактировать с внутренней частью корпуса 504 датчика вибрации, заставляя кристалл 130 ограничивать свое движение или быть электрически закороченным.Любая из этих проблем приведет к снижению выходной мощности датчика в сборе.

Второй электрод 512 кристалла соединен с круглой печатной платой 514, которая содержит предварительный усилитель (резистор 131, JFET 132 и резистор 133), описанный здесь выше со ссылкой на фиг. 3 (б). Печатная плата 514 имеет размер и приспособлена для поддержки на выступе 516, сформированном внутри корпуса 504 датчика вибрации. Торцевая крышка 516 также приспособлена для резьбового соединения корпуса 504 датчика вибрации, так что пьезоэлектрический кристалл 130 и монтажная плата 514 фиксируются на месте.Второй электрод 512, который соединяет свободный конец пьезоэлектрического кристалла 130 с печатной платой 514, предпочтительно представляет собой многожильный провод сверхгибкого типа, который позволяет кристаллу 130 двигаться, не оказывая ему большого сопротивления. Наконец, торцевая крышка 518 включает в себя центральное отверстие 519 для обеспечения доступа к проводам 520, которые подводят питание и передают второй электронный сигнал к схеме обработки.

РИС. На фиг.9 (а) и 9 (b) показан предпочтительный вариант монтажа аналоговой печатной платы на цифровой печатной плате для обеспечения передачи данных между ними.Нижняя аналоговая печатная плата 604 имеет различные компоненты 606 схемы, установленные на ней, из которых включает первый соединитель 210, снабженный множеством портов 608 (всего 14). Верхняя цифровая плата 600 также имеет различные компоненты 602 цифровой схемы, установленные на ней, включая второй разъем 310, имеющий множество жестких и L-образных штырьков разъема (всего 14), которые имеют размер и приспособлены для приема в совместные из портов 608, как лучше всего показано на фиг. 9 (б). Благодаря этому типу соединения между верхней цифровой платой 600 и нижней аналоговой платой 604 помехи между платами уменьшаются.Кроме того, поскольку все схемы цифровой обработки, описанные выше со ссылкой на фиг. 6 (a) и 6 (b) содержатся на одной плате, и поскольку микроконтроллер 302 может быть соответствующим образом загружен программным обеспечением в его память, чтобы приспособиться к различным пользовательским параметрам, цифровая плата 600 и аналоговая плата 604 легко взаимозаменяемы по желанию. Это увеличивает общую универсальность детектора сигналов по настоящему изобретению. Конечно, следует понимать, что этот тип межсоединения между цифровой платой 600 детектора сигналов и аналоговой платой 604 может использоваться для любого из примерных вариантов осуществления изобретения, описанных здесь, а также для любого другого устройства, использующего корпус в форма корпуса для инструментов с задвижкой и замком Serco Mold.

С учетом вышеизложенного, второй примерный вариант осуществления детектора сигнала настоящего изобретения схематически показан на фиг. 10. Основные особенности этой схемы, которая формирует детектор 710 сигнала, аналогичны характеристикам детектора 10 сигнала, описанного выше со ссылкой на первый примерный вариант осуществления настоящего изобретения. То есть детектор 710 сигнала включает в себя первый чувствительный элемент 714, имеющий связанную схему 732 усиления и фильтра, и второй чувствительный элемент 716 со связанной схемой 746 усиления и фильтра.Первый чувствительный элемент 714 и его схема 732 усиления и фильтра сконструированы идентично тому, что описано здесь выше.

Схема 746 усиления и фильтра, связанная со вторым чувствительным элементом 716, однако, отличается тем, что она пропускает только ультразвуковые сигналы для последующей обработки. То есть можно видеть, что усиленный второй электрический сигнал 718 здесь не разделяется на его первую и вторую составляющие, а скорее подается непосредственно на фильтр 752 верхних частот для генерации второго входного сигнала 754.Таким образом, этот детектор сигналов используется только для контроля ультразвуковых сигналов в окружающей среде или в твердом теле, чтобы визуально и на слух отображать силу этих сигналов. По существу, нет необходимости в дополнительном переключателе, расположенном на выходе фильтра 772 нижних частот. Обычный специалист должен легко понять, что схема, описанная выше со ссылкой на детектор 10 сигнала первого примерного варианта осуществления настоящего изобретения, может можно легко модифицировать, чтобы получить электрическую схему, показанную на фиг.10, просто удерживая переключатель 74 (фиг. 2 и 3 (а)) в первом состоянии переключения, посредством чего он 1 только передает сигналы от секции гетеродинирования к соответствующему устройству вывода.

Третий примерный вариант осуществления детектора сигнала настоящего изобретения схематически показан на фиг. 11. Этот третий примерный вариант осуществления иллюстрирует более простую конструкцию детектора 810 сигнала, который все еще включает в себя схему 890 цифровой обработки, действующую для независимого управления чувствительностью и регулировками громкости.Здесь чувствительный элемент 816 действует в ответ на наличие звуковых сигналов для создания электрического сигнала 817. Схема 846 усиления и фильтра обрабатывает этот электрический сигнал 817, чтобы удалить все его частотные составляющие, выходящие за пределы выбранного диапазона частот, и для создания входного сигнала. сигнал 854 при выбранной частоте входного сигнала и амплитуде входного сигнала. Схема 846 фильтра усиления имеет связанную с ней схему 848 управления чувствительностью, а также включает в себя усилитель 850 и фильтр 852 верхних частот.

Электрический сигнал 854 может быть представлен в усилитель / буфер 858 для создания усиленного входного сигнала 859, который подается в смеситель 862. Смеситель 862 также принимает опорный сигнал 861 от генератора 860 для генерации смешанного составного сигнала, который прошел через локальный ловушка генератора и фильтр нижних частот (не показан) для создания выходного сигнала 873, который затем подается в схему 878 регулировки громкости.

Как обсуждалось выше со ссылкой на первый примерный вариант осуществления настоящего изобретения, схему 878 регулирования громкости и схему 848 управления чувствительностью можно независимо регулировать схемой 890 цифровой обработки для увеличения универсальности детектора 810 сигналов.Выходной сигнал 873 затем подается в усилитель 880 мощности для создания усиленного выходного сигнала 881, который может быть отображен звуковым устройством 882 вывода. Обычный специалист в данной области техники должен легко понять, что датчик 816 и связанные с ним схемы усиления и фильтра 846 может быть в форме микрофонного устройства или контактного щупа, как обсуждалось выше со ссылкой на первый примерный вариант осуществления настоящего изобретения.

Четвертый примерный вариант осуществления настоящего изобретения показан на фиг.12. Этот четвертый вариант осуществления направлен на детектор 900 сигналов, который также включает в себя единственный датчик 916, предпочтительно контактный зонд, для обнаружения и контроля как звуковых, так и ультразвуковых сигналов. С этой целью датчик 916 генерирует электрический сигнал 917, который подается в схему 946 усиления и фильтрации, включая усилитель 950 и фильтр 952 верхних частот. Усиленный электрический сигнал 918 разделяется на их первую и вторую составляющие. Первый компонент 919 проходит через фильтр 952 верхних частот, чтобы сформировать входной сигнал 954.Затем входной сигнал 954 подается в усилитель / буфер 958 для создания усиленного входного сигнала 959. Смеситель 962 принимает этот усиленный входной сигнал 959 и опорный сигнал 961 от генератора 960 для создания смешанного составного сигнала 963. Смешанный составной сигнал 963 затем проходит через ловушка гетеродина 970 и фильтр нижних частот 972 для получения выходного сигнала 973.

Второй компонент 921 электрического сигнала 918 обходит фильтр 952 верхних частот и, следовательно, находится на звуковой частоте.Этот второй компонент 921 вместе с выходным сигналом 973, который имеет ультразвуковые характеристики, подается на переключатель 972, управляемый схемой 990 цифровой обработки. Выбранный один 973 из этих двух сигналов проходит через усилитель 980 для создания усиленного выходного сигнала 981, который затем представляется соответствующему устройству 982 вывода, которое может быть звуковым или визуальным дисплеем. Что касается второго, третьего и четвертого примерных вариантов осуществления настоящего изобретения, схематически представленных на фиг.10-12, обычный специалист должен легко понять, что различные другие компоненты схемы, описанной со ссылкой на первый примерный вариант осуществления настоящего изобретения, могут быть включены по желанию, чтобы приспособить детектор сигнала к своим конкретным потребностям.

С пониманием вышеприведенного описания следует понимать, что настоящее изобретение также обеспечивает способ контроля звуковых сигналов, чтобы указать присутствие этих сигналов, имеющих частоты в выбранном диапазоне.

В общих чертах, этот способ включает следующие этапы: (1) обеспечение первого чувствительного элемента первого типа, работающего для приема звуковых сигналов, исходящих от первой среды, и для генерации первого электрического сигнала в ответ на них; (2) обеспечение второго чувствительного элемента второго типа, отличного от первого типа, при этом второй чувствительный элемент действует для приема звуковых сигналов, исходящих от второй среды, и для генерации второго электрического сигнала в ответ на них; (3) выбор одного из первого и второго электрических сигналов для обработки; (4) обработка выбранного одного из первого и второго электрических сигналов для генерации, по меньшей мере, первого выходного сигнала с выбранной частотой первого выходного сигнала и амплитудой первого выходного сигнала; и (5) отображение первого выходного сигнала.

Этап обработки может также включать в себя этапы усиления выбранного одного из первого и второго электрических сигналов и последующей фильтрации выбранного одного из этих сигналов для удаления всех его частотных компонентов, которые не имеют частоты в выбранном диапазоне, тем самым создавая входной сигнал с выбранной частотой входного сигнала и амплитудой входного сигнала. Также может быть выполнен этап смешивания входного сигнала с опорным сигналом для создания смешанного составного сигнала с частотой составного сигнала и амплитудой составного сигнала.После этого смешанный составной сигнал может быть отфильтрован для получения первого выходного сигнала. При желании смешанный составной сигнал может быть разделен на его первый и второй компоненты, при этом первый компонент обрабатывается для генерации первого выходного сигнала для звукового отображения, а второй компонент обрабатывается для генерации второго выходного сигнала, который отображается визуально. Кроме того, также может быть включен этап разделения выбранного одного из первого и второго электрических сигналов на их первый и второй компоненты.Каждый из этапов выбора одного из первого и второго электрических сигналов и выбора одного из первого и второго компонентов смешанного составного сигнала может быть выполнен путем приведения в действие соответствующего электрического переключателя.

Соответственно, настоящее изобретение было описано с некоторой степенью детализации, направленной на примерные варианты осуществления настоящего изобретения. Однако следует принимать во внимание, что настоящее изобретение определяется следующей формулой изобретения, истолкованной в свете предшествующего уровня техники, так что модификации или изменения могут быть внесены в примерные варианты осуществления настоящего изобретения без отступления от идей изобретения, содержащихся в данном документе.

% PDF-1.7 % 569 0 объект > эндобдж xref 569 426 0000000016 00000 н. 0000010181 00000 п. 0000010357 00000 п. 0000011184 00000 п. 0000011232 00000 п. 0000011280 00000 п. 0000011317 00000 п. 0000011365 00000 п. 0000011413 00000 п. 0000011527 00000 п. 0000014717 00000 п. 0000015025 00000 п. 0000015319 00000 п. 0000015869 00000 п. 0000016191 00000 п. 0000016440 00000 п. 0000016942 00000 п. 0000019592 00000 п. 0000019620 00000 п. 0000019732 00000 п. 0000046570 00000 п. 0000046799 00000 н. 0000047187 00000 п. 0000047284 00000 п. 0000047480 00000 п. 0000047626 00000 п. 0000047783 00000 п. 0000049934 00000 н. 0000051610 00000 п. 0000052121 00000 п. 0000053410 00000 п. 0000054018 00000 п. 0000055695 00000 п. 0000058030 00000 п. 0000060558 00000 п. 0000061263 00000 п. 0000062161 00000 п. 0000062963 00000 п. 0000065116 00000 п. 0000065627 00000 п. 0000066429 00000 н. 0000066940 00000 п. 0000068229 00000 п. 0000068837 00000 п. 0000068912 00000 п. 0000069009 00000 п. 0000069158 00000 п. 0000069271 00000 п. 0000070067 00000 п. 0000071746 00000 п. 0000071821 00000 п. 0000078688 00000 п. 0000078744 00000 п. 0000078790 00000 п. 0000078843 00000 п. 0000078889 00000 п. 0000079375 00000 п. 0000079423 00000 п. 0000079757 00000 п. 0000080145 00000 п. 0000080376 00000 п. 0000080522 00000 п. 0000080676 00000 п. 0000080946 00000 п. 0000087818 00000 п. 0000088053 00000 п. 0000088303 00000 п. 0000088543 00000 п. 0000088800 00000 п. 0000096362 00000 п. 0000104044 00000 н. 0000109676 00000 н. 0000109920 00000 н. 0000110166 00000 п. 0000110438 00000 п. 0000110669 00000 н. 0000110910 00000 н. 0000112132 00000 н. 0000118475 00000 н. 0000124202 00000 н. 0000126249 00000 н. 0000127045 00000 н. 0000127611 00000 н. 0000128069 00000 н. 0000128117 00000 н. 0000128196 00000 н. 0000128293 00000 н. 0000128442 00000 н. 0000131406 00000 н. 0000414283 00000 п. 0000414590 00000 н. 0000414830 00000 н. 0000415070 00000 н. 0000415316 00000 н. 0000415559 00000 н. 0000415792 00000 н. 0000416040 00000 н. 0000416289 00000 н. 0000416525 00000 н. 0000416758 00000 н. 0000416997 00000 н. 0000417258 00000 н. 0000422811 00000 п. 0000423199 00000 п. 0000423596 00000 н. 0000423743 00000 н. 0000423897 00000 н. 0000424043 00000 н. 0000424168 00000 н. 0000424556 00000 н. 0000424677 00000 н. 0000424831 00000 н. 0000425492 00000 н. 0000426291 00000 н. 0000427012 00000 н. 0000427559 00000 н. 0000427634 00000 н. 0000427713 00000 н. 0000427853 00000 н. 0000428002 00000 н. 0000428309 00000 н. 0000428364 00000 н. 0000428480 00000 н. 0000428503 00000 н. 0000428581 00000 н. 0000432282 00000 н. 0000432536 00000 н. 0000432859 00000 н. 0000433084 00000 н. 0000433305 00000 н. 0000433454 00000 н. 0000433600 00000 н. 0000433896 00000 н. 0000434045 00000 н. 0000434166 00000 п. 0000435718 00000 н. 0000435784 00000 п. 0000435900 00000 н. 0000435931 00000 н. 0000436006 00000 н. 0000437074 00000 н. 0000437393 00000 п. 0000437459 00000 п. 0000437575 00000 п. 0000437598 00000 н. 0000437676 00000 н. 0000437999 00000 н. 0000438224 00000 н. 0000438370 00000 п. 0000438492 00000 п. 0000440087 00000 н. 0000440153 00000 п. 0000440269 00000 н. 0000440300 00000 п. 0000440375 00000 н. 0000442686 00000 н. 0000443003 00000 п. 0000443069 00000 н. 0000443185 00000 н. 0000443216 00000 н. 0000443291 00000 н. 0000446071 00000 н. 0000446402 00000 н. 0000446468 00000 н. 0000446587 00000 н. 0000446618 00000 н. 0000446693 00000 н. 0000458138 00000 п. 0000458469 00000 н. 0000458535 00000 н. 0000458654 00000 н. 0000458685 00000 н. 0000458760 00000 н. 0000459785 00000 п. 0000460103 00000 п. 0000460169 00000 н. 0000460285 00000 н. 0000460308 00000 н. 0000460386 00000 п. 0000460708 00000 п. 0000460933 00000 н. 0000461078 00000 н. 0000461200 00000 н. 0000462293 00000 н. 0000462359 00000 п. 0000462475 00000 н. 0000462506 00000 н. 0000462581 00000 н. 0000463616 00000 н. 0000463935 00000 н. 0000464001 00000 н. 0000464117 00000 н. 0000464140 00000 н. 0000464218 00000 н. 0000464540 00000 н. 0000464765 00000 н. 0000464911 00000 п. 0000465033 00000 н. 0000466278 00000 н. 0000466344 00000 п. 0000466460 00000 н. 0000466491 00000 н. 0000466566 00000 н. 0000467604 00000 н. 0000467923 00000 н. 0000467989 00000 н. 0000468105 00000 н. 0000474090 00000 н. 0000474364 00000 н. 0000474723 00000 н. 0000511193 00000 н. 0000511232 00000 н. 0000511307 00000 н. 0000511385 00000 н. 0000511482 00000 н. 0000511631 00000 н. 0000511927 00000 н. 0000511982 00000 п. 0000512098 00000 н. 0000512173 00000 н. 0000512480 00000 н. 0000512535 00000 н. 0000512651 00000 п. 0000512726 00000 н. 0000513098 00000 н. 0000513173 00000 н. 0000517432 00000 н. 0000519544 00000 н. 0000521656 00000 н. 0000522473 00000 н. 0000523410 00000 п. 0000523857 00000 п. 0000523932 00000 н. 0000523963 00000 н. 0000524038 00000 н. 0000531819 00000 п. 0000532124 00000 н. 0000532190 00000 н. 0000532306 00000 н. 0000532381 00000 н. 0000532412 00000 н. 0000532487 00000 н. 0000536672 00000 н. 0000559813 00000 п. 0000560129 00000 н. 0000560195 00000 н. 0000560312 00000 н. 0000564497 00000 н. 0000568682 00000 н. 00005

00000 н. 0000689123 00000 н. 0000689491 00000 п. 0000689767 00000 н. 0000689842 00000 н. 0000689967 00000 н. 00006

00000 н. 00006

00000 н. 00006 00000 п. 00006 00000 н. 00006 00000 п. 00006

00000 н. 0000691897 00000 н. 0000692024 00000 н. 0000692055 00000 н. 0000692130 00000 н. 0000693459 00000 н. 0000693789 00000 н. 0000693855 00000 п. 0000693978 00000 н. 0000694009 00000 н. 0000694084 00000 н. 0000698550 00000 н. 0000698880 00000 п. 0000698946 00000 н. 0000699065 00000 н. 0000699388 00000 н. 0000699613 00000 п. 0000699986 00000 н. 0000700309 00000 н. 0000700700 00000 н. 0000700976 00000 н. 0000701283 00000 н. 0000701504 00000 н. 0000701650 00000 н. 0000701796 00000 н. 0000702184 00000 н. 0000702412 00000 н. 0000702800 00000 н. 0000703188 00000 п. 0000703577 00000 н. 0000703873 00000 н. 0000704019 00000 п. 0000704141 00000 п. 0000705853 00000 п. 0000705876 00000 н. 0000705954 00000 н. 0000714680 00000 н. 0000714746 00000 н. 0000714862 00000 н. 0000714893 00000 н. 0000714968 00000 н. 0000715291 00000 н. 0000715357 00000 н. 0000715473 00000 н. 0000715548 00000 н. 0000715854 00000 н. 0000715909 00000 н. 0000716025 00000 н. 0000716089 00000 н. 0000716120 00000 н. 0000716195 00000 н. 0000716504 00000 н. 0000716570 00000 н. 0000716687 00000 н. 0000716718 00000 н. 0000716793 00000 н. 0000717115 00000 н. 0000717181 00000 н. 0000717300 00000 н. 0000726237 00000 н. 0000726312 00000 н. 0000726613 00000 н. 0000726688 00000 н. 0000727286 00000 н. 0000729399 00000 н. 0000731512 00000 н. 0000736061 00000 н. 0000745706 00000 н. 0000746920 00000 н. 0000746995 00000 н. 0000747293 00000 н. 0000747368 00000 н. 0000747665 00000 н. 0000747729 00000 н. 0000747760 00000 п. 0000747835 00000 н. 0000748779 00000 н. 0000749108 00000 п. 0000749174 00000 н. 0000749301 00000 н. 0000749332 00000 н. 0000749407 00000 н. 0000750612 00000 н. 0000750941 00000 н. 0000751007 00000 н. 0000751130 00000 н. 0000751161 00000 п. 0000751236 00000 н. 0000755201 00000 н. 0000755530 00000 н. 0000755596 00000 н. 0000755715 00000 н. 0000756037 00000 н. 0000756262 00000 н. 0000756407 00000 н. 0000756529 00000 н. 0000757732 00000 н. 0000757807 00000 н. 0000758108 00000 н. 0000758172 00000 н. 0000758203 00000 н. 0000758278 00000 н. 0000759260 00000 н. 0000759589 00000 н. 0000759655 00000 н. 0000759782 00000 н. 0000759813 00000 п. 0000759888 00000 н. 0000761094 00000 п. 0000761423 00000 п. 0000761489 00000 н. 0000761612 00000 н. 0000761643 00000 н. 0000761718 00000 н. 0000765876 00000 н. 0000766205 00000 н. 0000766271 00000 н. 0000766390 00000 н. 0000766712 00000 н. 0000766937 00000 н. 0000767083 00000 н. 0000767205 00000 н. 0000768564 00000 н. 0000768639 00000 н. 0000768941 00000 н.